JP2016204188A - p型SiC単結晶 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】単結晶製造装置100を用い、黒鉛坩堝10に、原子組成百分率でSi/Cr/Al/Fe=30〜76.99/20〜60/3〜50/0.01〜0.5の融液を溶媒とするSi−C溶液24を形成し、次に、黒鉛坩堝10を加熱し、Si−C溶液24の表面における温度を2000℃に昇温させ、並びにSi−C溶液24の表面から1cmの範囲で溶液24の内部から溶液24の表面に向けて温度低下する温度勾配が30℃/cmとなるように制御し、黒鉛軸12に接着した種結晶基板14の下面をSi−C溶液24に接触させて保持し、結晶を成長させ、Al濃度が6×1019/cm3以上及びFe濃度が2×1016/cm3以上であるp型SiC単結晶を形成する方法。
【選択図】図1
Description
前記Si−C溶液として、Si、Cr、Al、及びFeを含み、前記Alが、前記Si、Cr、Al、及びFeの合計量を基準として3at%以上含まれ、並びに前記Feが、前記Si、Cr、Al、及びFeの合計量を基準として0.01at%以上含まれるSi−C溶液を用いること、
を含む、SiC単結晶の製造方法による得ることができる。
温度勾配(℃/cm)=(B−A)/D
によって算出することができる。
直径が15mm、厚みが700μmの円盤状4H−SiC単結晶であって、下面が(000−1)面を有する昇華法により作製したn型SiC単結晶を用意して、種結晶基板として用いた。種結晶基板は20mΩ・cmの抵抗率を有していた。種結晶基板の上面を、円柱形状の黒鉛軸の端面の略中央部に、黒鉛の接着剤を用いて接着した。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/Fe)を53.99/43/3/0.01(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。得られた成長結晶は、直径20mm及び厚み6mmを有しており、成長速度は600μm/hであった。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al/Fe)を49.99/40/10/0.01(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。得られた成長結晶は、直径20mm及び厚み6mmを有しており、成長速度は600μm/hであった。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Al)を54/43/3(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。得られた成長結晶は、直径20mm及び厚み6mmを有しており、成長速度は600μm/hであった。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Fe)を55.95/44/0.05(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。得られた成長結晶は、直径20mm及び厚み6mmを有しており、成長速度は600μm/hであった。
Si−C溶液の溶媒組成(Si/Cr/Fe)を55.99/44/0.01(at%)としたこと以外は、実施例1と同様の条件で結晶成長させた。得られた成長結晶は、直径20mm及び厚み6mmを有しており、成長速度は600μm/hであった。
10 坩堝
12 種結晶保持軸
14 種結晶基板
18 断熱材
22 高周波コイル
22A 上段高周波コイル
22B 下段高周波コイル
24 Si−C溶液
26 石英管
34 メニスカス
Claims (1)
- Al濃度が6×1019/cm3以上及びFe濃度が2×1016/cm3以上であるp型SiC単結晶。
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