JP2016201703A5 - - Google Patents

Description

この発明は、信号を巡回させるループを構成する少なくとも１個のスイッチングゲートと、前記ループ内に介挿され、前記信号を遅延させる回路であって、キャパシターと、複数の抵抗素子と、前記複数の抵抗素子の中の任意の抵抗素子を前記キャパシターの充放電経路として選択する選択部とを有するＣＲ時定数回路と、前記選択部のＯＮとＯＦＦを制御するとともに、前記選択部をＯＮさせる場合に当該選択部の抵抗値の温度特性を制御する制御手段とを具備することを特徴とするＣＲ発振回路を提供する。

かかる発明によれば、制御手段は、選択部をＯＮさせる場合に当該選択部の抵抗値の温度特性を制御する。従って、ＣＲ発振回路の発振周波数の周囲温度依存性を抑制することができる。

好ましい態様において、前記選択部は、トランスミッションゲートからなり、前記制御手段は、前記トランスミッションゲートのＯＮとＯＦＦを制御するゲート電圧を出力し、前記トランスミッションゲートをＯＮさせるゲート電圧として、電界効果トラジスターの閾値電圧と連動する定電圧を出力するゲート電圧発生手段を有する。

好ましい態様において、前記制御手段は、前記トランスミッションゲートのＯＮとＯＦＦを指定する選択信号を出力する抵抗制御回路をさらに備え、前記ゲート電圧発生手段は、前記定電圧を出力する定電圧発生回路と、前記定電圧が供給され、前記選択信号のレベルをシフトして前記ゲート電圧を出力するレベルシフターとを備える。ここで、レベルシフターは、例えばインバーターを含む。また、このインバーターは、例えばＰチャネル電界効果トランジスターとＮチャネル電界効果トランジスターとからなり、ＣＲ発振回路では、前記定電圧発生回路が出力する定電圧を前記インバーターのＰチャネル電界効果トランジスターのソースおよびサブストレート、または前記スイッチングゲートのＮチャネル電界効果トランジスターのソースおよびサブストレートに供給する。

Claims (10)

1. 信号を巡回させるループを構成する少なくとも１個のスイッチングゲートと、
   前記ループ内に介挿され、前記信号を遅延させる回路であって、キャパシターと、複数の抵抗素子と、前記複数の抵抗素子の中の任意の抵抗素子を前記キャパシターの充放電経路として選択する選択部とを有するＣＲ時定数回路と、
   前記選択部のＯＮとＯＦＦを制御するとともに、前記選択部をＯＮさせる場合に当該選択部の抵抗値の温度特性を制御する制御手段と
   を具備することを特徴とするＣＲ発振回路。
2. 前記選択部は、トランスミッションゲートからなり、
   前記制御手段は、前記トランスミッションゲートのＯＮとＯＦＦを制御するゲート電圧を出力し、前記トランスミッションゲートをＯＮさせるゲート電圧として、電界効果トラジスターの閾値電圧と連動する定電圧を出力するゲート電圧発生手段を有することを特徴とする請求項１に記載のＣＲ発振回路。
3. 前記ＣＲ時定数回路におけるトランスミッションゲートを前記スイッチングゲートの出力ノード側に配置し、前記抵抗素子を前記キャパシター側に配置したことを特徴とする請求項２に記載のＣＲ発振回路。
4. 前記トランスミッションゲートは、Ｐチャネル電界効果トランジスターとＮチャネル電界効果トランジスターとからなり、前記ゲート電圧発生手段が出力する定電圧を当該Ｐチャネル電界効果トランジスターのサブストレート、または当該Ｎチャネル電界効果トランジスターのサブストレートに供給することを特徴とする請求項２または３に記載のＣＲ発振回路。
5. 前記スイッチングゲートは、Ｐチャネル電界効果トランジスターとＮチャネル電界効果トランジスターとからなり、前記ゲート電圧発生手段が出力する定電圧を前記スイッチングゲートのＰチャネル電界効果トランジスターのソースまたはＮチャネル電界効果トランジスターのソースに供給することを特徴とする請求項２または３に記載のＣＲ発振回路。
6. 前記スイッチングゲートは、Ｐチャネル電界効果トランジスターとＮチャネル電界効果トランジスターとからなり、前記ゲート電圧発生手段が出力する定電圧を前記スイッチングゲートのＰチャネル電界効果トランジスターのソースおよびサブストレート、または前記スイッチングゲートのＮチャネル電界効果トランジスターのソースおよびサブストレートに供給することを特徴とする請求項２または３に記載のＣＲ発振回路。
7. 前記制御手段は、
   前記トランスミッションゲートのＯＮとＯＦＦを指定する選択信号を出力する抵抗制御回路をさらに備え、
   前記ゲート電圧発生手段は、
   前記定電圧を出力する定電圧発生回路と、
   前記定電圧が供給され、前記選択信号のレベルをシフトして前記ゲート電圧を出力するレベルシフターとを備える、
   ことを特徴とする請求項２または３に記載のＣＲ発振回路。
8. 前記レベルシフターは、インバーターを含むことを特徴とする請求項７に記載のＣＲ発振回路。
9. 前記インバーターは、Ｐチャネル電界効果トランジスターとＮチャネル電界効果トランジスターとからなり、前記定電圧発生回路が出力する定電圧を前記インバーターのＰチャネル電界効果トランジスターのソースおよびサブストレート、または前記スイッチングゲートのＮチャネル電界効果トランジスターのソースおよびサブストレートに供給することを特徴とする請求項８に記載のＣＲ発振回路。
10. 前記ゲート電圧発生手段は、閾値電圧に差のある２個の電界効果トランジスターからなる差動トランジスターペアを含み、前記閾値電圧の差に起因したオフセット電圧を前記定電圧として出力する定電圧発生回路を含むことを特徴とする請求項２〜９のいずれか１の請求項に記載のＣＲ発振回路。