JP2016201445A - 凹凸基板の製造方法。 - Google Patents
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Abstract
Description
〔1〕第1粒子群によりエッチングマスクを形成する第1粒子マスク形成工程、
第2粒子群によりエッチングマスクを形成する第2粒子マスク形成工程、
第3粒子群によりエッチングマスクを形成する第3粒子マスク形成工程を順次実施し、少なくとも第3粒子マスク形成工程の後にエッチング工程を実施して、基板の表面に凹凸構造を形成する凹凸基板の製造方法であって、
第1粒子群、第2粒子群、第3粒子群は、平均粒子径が互いに異なる粒子群である凹凸基板の製造方法。
〔2〕第1粒子群の平均粒子径が最も小さい〔1〕に記載の凹凸基板の製造方法。
〔3〕第2粒子群の平均粒子径が最も小さい〔1〕に記載の凹凸基板の製造方法。
〔4〕第3粒子群の平均粒子径が最も小さい〔1〕に記載の凹凸基板の製造方法。
〔5〕第1粒子群の平均粒子径が最も大きい〔3〕または〔4〕に記載の凹凸基板の製造方法。
〔6〕第2粒子群の平均粒子径が最も大きい〔2〕または〔4〕に記載の凹凸基板の製造方法。
〔7〕第3粒子群の平均粒子径が最も大きい〔2〕または〔3〕に記載の凹凸基板の製造方法。
〔8〕第1粒子マスク形成工程と、第2粒子マスク形成工程との間にエッチング工程を実施する〔1〕〜〔7〕のいずれかに記載の凹凸基板の製造方法。
〔9〕第2粒子マスク形成工程と、第3粒子マスク形成工程との間にエッチング工程を実施する〔1〕〜〔8〕のいずれかに記載の凹凸基板の製造方法。
〔10〕第1粒子マスク、第2粒子マスクおよび第3粒子マスクの内、少なくとも1つのマスクを固着層によって固定する〔1〕〜〔9〕のいずれかに記載の凹凸基板の製造方法。
単粒子膜Fの形成には、下記6つの方法を単独もしくは組み合わせて用いられる。
・ラングミュア−ブロジェット法(LB法)
・ディップコーティング法
・スピンコーティング法
・スリット(ダイ)コーティング法
・粒子吸着法(電気的方法)
・バインダー層による粒子固定法
LB法では、水よりも比重が低い溶剤のなかに粒子Pが分散した分散液が用いられ、まず、水の液面に分散液が滴下される。次いで、分散液から溶剤が揮発することによって、粒子Pからなる単粒子膜Fが水面に形成される。そして、水面に形成された単粒子膜Fが、基板11の上面Sに移し取られることによって、基板11の上面Sに単粒子膜Fが形成される。
〔ディップコーティング法〕
ディップコーティング法では、溶剤の中に粒子Pが分散した県濁液が用いられ、まず、分散液中に基板11を浸漬する。次いで、基板11を分散液中から引き上げることで基板表面に粒子Pからなる単粒子膜Fと溶剤が付着する。そして、基板11表面の溶剤を簡素させることによって、基板11の上面Sに単粒子膜Fが形成される。
〔スピンコーティング法〕
スピンコート法では、溶剤の中に粒子Pが分散した県濁液が用いられ、まず、スピンコーターに基板11をセットし、スピンコーター上に分散液を滴下する。次いで、基板11を回転させることで、基板11上に分散液を均一に塗布する。そして、分散液中の溶媒を乾燥させることで、基板11の上面Sに単粒子膜Fが形成される。
〔スリット(ダイ)コーティング法〕
スリットコーティング法では、溶剤のなかに粒子Pが分散した分散液が用いられ、まず、スリットコーターに基板11が設置される。次いで、基板11の上面Sに分散液をスリットによって均一な濃度の薄膜として塗工することによって、基板11の上面Sに分散液が均一に塗布される。そして、分散液中の溶媒を乾燥させることによって、基板11の上面Sに単粒子膜Fが形成される。
粒子吸着法では、まず、コロイド粒子の懸濁液のなかに基板11が浸漬される。次いで、基板11の上面Sと静電気的に結合した第1層目の粒子層のみが残されるように、第2層目以上の粒子Pが除去される。これによって、基板11の上面Sに単粒子膜Fが形成される。
バインダー層固定法では、まず、基板11の上面Sにバインダー層が形成されて、バインダー層上に粒子Pの分散液が塗布される。次いで、バインダー層が加熱によって軟化して、第1層目の粒子層のみが、バインダー層のなかに埋め込まれ、2層目以上の粒子Pが洗い落とされる。これによって、基板11の上面Sに単粒子膜Fが形成される。
粒子を三角格子状に単層で配置する方法としては、ラングミュア−ブロジェット法(LB法)、粒子吸着法、バインダー層固定法等が挙げられる。
前記凹凸基板の製造方法において、平均粒子径が最も大きい粒子群の平均粒子径は、3〜25μmとすることが好ましい。
前記凹凸基板の製造方法において、平均粒子径が最も小さい粒子群の平均粒子径と平均粒子径が最も大きい粒子群の平均粒子径との間の平均粒子径を有する粒子群の平均粒子径は、0.5〜5μmとすることが好ましい。
前記凹凸基板の製造方法において、(第1粒子群の平均粒子径)<(第2粒子群平均粒子径)であることが好ましく、(第2粒子群平均粒子径)<(第3粒子群平均粒子径)であることが好ましい。
また、所望の凹凸構造が得られた時点でエッチングを停止し、基板上に残った第1粒子マスクの残渣を除去しても良い。
第1粒子マスク基づいた凹凸構造上に第2粒子マスクが形成された状態である場合、第1粒子マスク形成工程と、第2粒子マスク形成工程との間にエッチング工程を実施する場合と同様にエッチング条件を適宜調整できる。
基板のエッチング速度、第1粒子マスクのエッチング速度、第2粒子マスクのエッチング速度の比は、エッチングガスの成分の選択によって調整される。
この場合、第1粒子マスクの粒子は、その上に第2粒子マスクの粒子が載っている部分ではエッチングが進まず、第2粒子マスクの粒子の間隙部分でエッチングが進み凹みを生じる。第2粒子マスクの粒子に適度な凹みが生じた状態で、エッチングガスを変え、基板のエッチング速度が、第2粒子マスクのエッチング速度よりも大きい条件でエッチングを行うことによって、凹みが生じた第2粒子マスクの形状に基づいた凹凸構造を得ることができる。
バインダー液の塗布方法としては、スピンコート、ディップコート、スプレーコート、インクジェット、バー塗工、ブレード塗工、ロール塗工などが挙げられる。
バインダー液の硬化方法としては、バインダー液にエネルギー線硬化性樹脂を用い、エネルギー線を照射する方法、バインダー液に熱硬化性樹脂を用い、加熱する方法、乾燥によりバインダー液の溶媒を除去して固化する方法、架橋剤を用いる方法などが挙げられる。
Claims (10)
- 第1粒子群によりエッチングマスクを形成する第1粒子マスク形成工程、
第2粒子群によりエッチングマスクを形成する第2粒子マスク形成工程、
第3粒子群によりエッチングマスクを形成する第3粒子マスク形成工程を順次実施し、少なくとも第3粒子マスク形成工程の後にエッチング工程を実施して、基板の表面に凹凸構造を形成する凹凸基板の製造方法であって、
第1粒子群、第2粒子群、第3粒子群は、平均粒子径が互いに異なる粒子群である凹凸基板の製造方法。 - 第1粒子群の平均粒子径が最も小さい請求項1に記載の凹凸基板の製造方法。
- 第2粒子群の平均粒子径が最も小さい請求項1に記載の凹凸基板の製造方法。
- 第3粒子群の平均粒子径が最も小さい請求項1に記載の凹凸基板の製造方法。
- 第1粒子群の平均粒子径が最も大きい請求項3または4に記載の凹凸基板の製造方法。
- 第2粒子群の平均粒子径が最も大きい請求項2または4に記載の凹凸基板の製造方法。
- 第3粒子群の平均粒子径が最も大きい請求項2または3に記載の凹凸基板の製造方法。
- 第1粒子マスク形成工程と、第2粒子マスク形成工程との間にエッチング工程を実施する請求項1〜7のいずれかに記載の凹凸基板の製造方法。
- 第2粒子マスク形成工程と、第3粒子マスク形成工程との間にエッチング工程を実施する請求項1〜8のいずれかに記載の凹凸基板の製造方法。
- 第1粒子マスク、第2粒子マスクおよび第3粒子マスクの内、少なくとも1つのマスクを固着層によって固定する請求項1〜9のいずれかに記載の凹凸基板の製造方法。
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