JP2016192539A - 太陽電池および太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【構成】基板上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域を作成すると共に該領域の上に光などを透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池において、バス電極を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比20%から70%を混入して焼成してバス電極を形成し、導電性ペーストの使用量を低減するものである。
【選択図】 図1
Description
図5の(a)のAg 100%,NTA 0% 平均約17%
図5の(b)のAg 50%,NTA 50% 平均約17%
試作実験結果は、バスバー電極のパターンを印刷する材料として、図5の(a)と、図5の(b)とでは太陽電池を作成したときの変換効率が平均約17%でほぼ同じ結果が得られ、AgをNTAガラス(導電性ガラス、20%から70%))で置き換えることができることが実験で確かめられた(発明の効果参照)。尚、NTAガラスは、バナジウム、バリウム、鉄から構成され、特に鉄は内部的に強く結合して当該内部に留まっており、他の材料と混合してもその結合性は極めて小さい性質を有するものである(特許第5333976号等参照)。
・ハンダの種類は、鉛ハンダ・フラックス無、鉛ハンダ・フラックス有、錫・銀入り、錫・亜鉛入りの4種類を実験した。
・超音波ハンダコテを使用した場合には、鉛ハンダ・フラックス有を除いて他の全てのハンダの種類についてOKの結果が得られ、図1から図6記載のNTAガラスのバスバー電極15に対して、リード線17をハンダ付けして良好に密着できることが実験で確かめられた。一方、超音波ハンダコテを使用しない場合には、全てのハンダの種類についてNGの結果が得られた。
図11(A):SnAg 200℃ 超音波有 ハンダコテ温度350℃
図12(B):SnAg 200℃ 超音波有 ハンダコテ温度400℃
図13(C):SnZn 200℃ 超音波有 ハンダコテ温度350℃
図14(D):SnPb 200℃ 超音波無 ハンダコテ温度350℃
(フラックス有)
図15(E):SnPb 200℃ 超音波無 ハンダコテ温度400℃
(フラックス有)
図16(F):SnPb 200℃ 超音波有 ハンダコテ温度350℃
(フラックス無)
図11は、本発明のSn−Agハンダのハンダ付け写真(A)を示す。
・超音波 :有
・コテ先温度:350℃
・コテ発振出力:10W
・予備加熱:200℃
図11の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
・超音波 :有
・コテ先温度:400℃
・コテ発振出力:10W
・予備加熱:200℃
図12の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
・超音波 :有
・コテ先温度:350℃
・コテ発振出力:10W
・予備加熱:200℃
図13の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
・超音波 :無
・コテ先温度:350℃
・予備加熱:200℃
図14の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
・超音波 :無
・コテ先温度:400℃
・予備加熱:200℃
図15の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
・超音波 :有
・コテ先温度:350℃
・コテ発振出力:10W
・予備加熱:200℃
図16の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
12:高電子濃度領域(拡散ドーピング)
13:絶縁膜(窒化シリコン膜)
14:電子取出口(フィンガー電極)
15:バスバー電極
16:裏面電極
17:リード線
171:銅
172:ハンダ
Claims (14)
- 基板上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域を作成すると共に該領域の上に光などを透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池において、
前記バス電極を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比20%から70%を混入して焼成してバス電極を形成し、導電性ペーストの使用量を低減したことを特徴とする太陽電池。 - 前記導電性ガラスは、少なくともバナジウムあるいはバナジウムとバリウムを含むバナシン酸ガラスとしたことを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
- 前記導電性ガラスを混入して焼成する工程の時間は、長くても1分以内、数秒以上であることを特徴とする請求項1から請求項2のいずれかに記載の太陽電池。
- 前記導電性ガラスは、Pbフリーであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の太陽電池。
- 前記焼成して形成したバス電極の上にリード電極を設けたことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の太陽電池。
- 前記リード電極は、導電性のリード線であって、該リード線を前記バス電極に超音波ハンダ付けし、該リード線と該バス電極とをハンダを介して良好に密着させたことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の太陽電池。
- 前記バス電極を室温からハンダの溶融温度以下の温度に予備加熱した状態で、該バス電極と前記リード線とを超音波ハンダ付けしたことを特徴とする請求項6記載の太陽電池。
- 基板上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域を作成すると共に該領域の上に光などを透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池の製造方法において、
前記バス電極を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比20%から70%を混入して焼成してバス電極を形成し、導電性ペーストの使用量を低減するステップ
を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。 - 前記導電性ガラスは、少なくもとバナジウムあるいはバナジウムとバリウム含むバナジン酸塩ガラスとしたことを特徴とする請求項8記載の太陽電池の製造方法。
- 前記導電性ガラスを混入して焼成する工程の時間は、長くても1分以内、数秒以上であることを特徴とする請求項8から請求項9のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記導電性ガラスは、Pbフリーであることを特徴とする請求項8から請求項10のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記焼成して形成したバス電極の上にリード電極を設けたことを特徴とする請求項8から請求項11のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記リード電極は、導電性のリード線であって、該リード線を前記バス電極に超音波ハンダ付けし、該リード線と該バス電極とをハンダを介して良好に密着させたことを特徴とする請求項8から請求項12のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
- 前記バス電極を室温からハンダの溶融温度以下の温度に予備加熱した状態で、該バス電極と前記リード線とを超音波ハンダ付けしたことを特徴とする請求項13記載の太陽電池。
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Cited By (3)
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WO2017065109A1 (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | アートビーム株式会社 | Ntaペースト |
WO2018123687A1 (ja) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | アートビーム有限会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
JP2020184644A (ja) * | 2020-07-21 | 2020-11-12 | 農工大ティー・エル・オー株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017204422A1 (ko) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 알무스인터내셔널 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조방법 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006270043A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-10-05 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
WO2010109905A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 日立粉末冶金株式会社 | ガラス組成物およびそれを用いた導電性ペースト組成物、電極配線部材と電子部品 |
US20120260981A1 (en) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Paste composition for electrode, photovoltaic cell element, and photovoltaic cell |
JP2013058308A (ja) * | 2010-03-23 | 2013-03-28 | Hitachi Ltd | 電子部品、導電性ペーストおよび電子部品の製造方法 |
JP2013103840A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Hitachi Ltd | 導電性ガラスペースト及びそれを利用した電気電子部品 |
JP2014192481A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池用金属箔積層体、太陽電池モジュール、および太陽電池用金属箔積層体の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001044470A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 太陽電池および太陽電池の製造方法並びに集光型太陽電池モジュール |
JP3854985B2 (ja) * | 2001-07-18 | 2006-12-06 | 財団法人北九州産業学術推進機構 | バナジン酸塩ガラス及びバナジン酸塩ガラスの製造方法 |
US8093491B2 (en) * | 2005-06-03 | 2012-01-10 | Ferro Corporation | Lead free solar cell contacts |
JP4885781B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2012-02-29 | 日立粉末冶金株式会社 | 導電性ペースト |
US20100122728A1 (en) * | 2008-11-17 | 2010-05-20 | Fulton Kevin R | Photovoltaic device using low iron high transmission glass with antimony and reduced alkali content and corresponding method |
US20120222738A1 (en) * | 2011-03-02 | 2012-09-06 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Conductive composition, silicon solar cell including the same, and manufacturing method thereof |
WO2012173203A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | 京セラ株式会社 | 太陽電池およびその製造方法 |
WO2013129578A1 (ja) * | 2012-02-28 | 2013-09-06 | 京セラ株式会社 | 太陽電池の電極用導電性ペースト、太陽電池および太陽電池の製造方法 |
BR102013009339A2 (pt) * | 2012-04-17 | 2015-06-30 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Sistema de reação inorgânica, composição de pasta eletrocondutora, célula solar |
-
2016
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2020
- 2020-12-02 KR KR1020200166743A patent/KR20200138136A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006270043A (ja) * | 2005-02-22 | 2006-10-05 | Kyocera Corp | 太陽電池モジュール |
WO2010109905A1 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | 日立粉末冶金株式会社 | ガラス組成物およびそれを用いた導電性ペースト組成物、電極配線部材と電子部品 |
JP2013058308A (ja) * | 2010-03-23 | 2013-03-28 | Hitachi Ltd | 電子部品、導電性ペーストおよび電子部品の製造方法 |
US20120260981A1 (en) * | 2011-04-14 | 2012-10-18 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Paste composition for electrode, photovoltaic cell element, and photovoltaic cell |
JP2013103840A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Hitachi Ltd | 導電性ガラスペースト及びそれを利用した電気電子部品 |
JP2014192481A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Toppan Printing Co Ltd | 太陽電池用金属箔積層体、太陽電池モジュール、および太陽電池用金属箔積層体の製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017065109A1 (ja) * | 2015-10-13 | 2017-04-20 | アートビーム株式会社 | Ntaペースト |
WO2018123687A1 (ja) * | 2016-12-30 | 2018-07-05 | アートビーム有限会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
JP2018110178A (ja) * | 2016-12-30 | 2018-07-12 | アートビーム有限会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
TWI663742B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-06-21 | 日商亞特比目有限公司 | 太陽能電池及太陽能電池的製造方法 |
KR20190082991A (ko) * | 2016-12-30 | 2019-07-10 | 아토비무 유겐가이샤 | 태양전지 및 태양전지의 제조방법 |
CN110268531A (zh) * | 2016-12-30 | 2019-09-20 | 亚特比目有限会社 | 太阳能电池及太阳能电池的制造方法 |
KR102227075B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2021-03-11 | 아토비무 유겐가이샤 | 태양전지 및 태양전지의 제조방법 |
JP2020184644A (ja) * | 2020-07-21 | 2020-11-12 | 農工大ティー・エル・オー株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
JP7058390B2 (ja) | 2020-07-21 | 2022-04-22 | 農工大ティー・エル・オー株式会社 | 太陽電池および太陽電池の製造方法 |
Also Published As
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