JP2016192539A - 太陽電池および太陽電池の製造方法 - Google Patents

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Abstract

【目的】本発明は、太陽電池および太陽電池の製造方法に関し、銀の使用量を低減および鉛(鉛ガラス)の使用量を低減ないし無くすことを目的とする。
【構成】基板上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域を作成すると共に該領域の上に光などを透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池において、バス電極を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比20%から70%を混入して焼成してバス電極を形成し、導電性ペーストの使用量を低減するものである。
【選択図】 図1

Description

本発明は、基板上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域を作成すると共に領域の上に光などを透過する絶縁膜を形成し、絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池および太陽電池の製造方法に関するものである。
従来、再生可能エネルギー利用の一つである太陽電池は、20世紀の主役である半導体技術をベースにその開発が行われている。人類の生存を左右する地球レベルの重要な開発である。その開発の課題は太陽光を電気エネルギーに変換する効率ばかりではなく製造コストの低減および無公害という課題にも向き合いながら進められている。これらを実現する取り組みは、特に、電極に使用されている銀(Ag)や鉛(Pb)の使用量を低減ないし無くすことが重要とされている。
一般に、太陽電池の構造は、図7の(a)の平面図および(b)の断面図に示すように、太陽光エネルギーを電気エネルギーに変換するN型/P型のシリコン基板43、シリコン基板43の表面の反射を防止および絶縁体薄膜である窒化シリコン45、シリコン基板43中に発生した電子を取り出すフィンガー電極42、フィンガー電極42で取り出した電子を集めるバスバー電極41、バスバー電極41に集めた電子を外部に取り出す引出リード電極47の各要素より構成されている。
このうち、バスバー電極41およびフィンガー電極42に銀および鉛(鉛ガラス)が使用されており、これの銀の使用量を低減および鉛(鉛ガラス)の使用量を低減あるいは無くし、低コストかつ無公害にすることが望まれていた。
上述した従来の図7の太陽電池の構成要素のうち、フィンガー電極42などに銀および鉛(バインダーとしての鉛ガラス)が使用されており、これの銀の使用量を低減および鉛(鉛ガラス)の使用量を低減ないし無くし、太陽電池の製造コストの低減かつ無公害にするという課題があった。
本発明は、銀の使用量を低減および鉛(鉛ガラス)の使用量を低減ないし無くすために、太陽電池の構成要素であるバスバー電極などを形成するのに、銀ペースト中にバナジン酸塩ガラス(以下、導電性のNTAガラスという、”NTA”は登録商標5009023号))を焼結助剤として混入して焼成し、銀および鉛(鉛ガラス)の使用量を低減ないし無くすことを可能とした。
そのため、本発明は、基板上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域を作成すると共に領域の上に光などを透過する絶縁膜を形成し、絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極(バスバー電極)を有する太陽電池において、バス電極を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比20%から70%を混入して焼成してバス電極を形成し、導電性ペーストの使用量を低減するようにしている。
この際、導電性ガラスは、少なくともバナジウムあるいはバナジウムとバリウムを含むバナシン酸ガラスとするようにしている。
また、導電性ガラスを混入して焼成する工程の時間は、長くても1分以内、数秒以上とするようにしている。
また、導電性ガラスは、Pbフリーとするようにしている。
また、焼成して形成したバスバー電極の上にリード電極を設けるようにしている。
本発明は、上述したように、導電性のNTAガラスを銀ペースト中に焼成助剤として混入して焼成することにより、従来の銀ペースト中の銀の使用量を低減および鉛(鉛ガラス)の利用量を低減ないし無くすことができた。これらにより、下記の特徴がある。
第1に、太陽電池のバスバー電極(銀電極)を形成するのに導電性のバナジン酸塩ガラスであるNTAガラス(登録商標第5009023号、特許第5333976号)を銀ペーストの焼結助剤として用い、Agの使用量を低減し、更に、鉛(鉛ガラス)の使用量を低減ないし無くすことができた。
第2に、焼結助剤であるNTAガラスの銀ペースト中の重量比率を20%〜70%の範囲で用いることにある。太陽光エネルギーを電子エネルギーに変換する効率を落とすことなくバスバー電極としての効果を発揮する電極形成が実験で確かめられた。これはNTAガラスが(1)導電性を有すること、(2)銀ペーストに混入したことで銀をガラスから分離して集めたことにより導電性が改善されたこと、(3)従来ガラスの針状結晶の成長を抑制してAgによる導電性が改善されたこと、(4)バスバー電極形成に用いる焼結助剤をファイヤリング現象の生じないNTAガラスを用いて変換効率の低減を無くすこと(下記第3、第4参照)などができたなどによると考察される。
第3に、銀粒子等に接触しているNTAガラスが高抵抗の結晶を形成することがないような焼結プロセス条件の中で焼結することにある。高抵抗結晶(例えば上記針状結晶)が形成されるとフィンガー電極からバスバー電極を通過する際、電子の移動が適切に行われずエネルギーの変換効率を落とすことになるが、高抵抗の結晶の発生を少なくする一つの手法として短時間(例えば長くても1分間以内)で焼結工程を完了することにより、解決できたと思慮する。
第4に、従来と異なり、フィンガー電極の形成とバスバー電極の形成とを異なるガラスフリットを含有した銀ペーストを用いることにある。従来、フィンガー電極の形成においてはファイアリングと呼ばれる現象を生ずる必要があった。これは、銀の焼結助剤として用いているガラスフリットの中の成分分子、例えば鉛ガラス中の鉛分子の働きによってシリコン基板の表層に形成された窒化シリコン膜の絶縁層を突き破ってフィンガー電極を形成するようにしてシリコン基板に生成された電子を効率よく集めていた。しかし、バスバー電極の形成については、ファイヤリング現象は必要でない。従来はバスバー電極も鉛成分を含んだ鉛ガラスを焼結助剤にして焼結していたので構造は異なるもののバスバー電極とシリコン基板との電気的な導通路が形成されて変換効率を低減する事となっていた。バスバー電極形成に用いる焼結助剤をファイヤリング現象の生じないNTAガラスを用いることによって変換効率の低減を無くすことができた。
第5に、銀粉末材料の使用による太陽電池のコスト高(原材料費高)の問題がある。また、銀材料の過剰な需要によって材料調達の問題も浮上している。導電ガラスであるNTAガラスの含有比率20%ないし70%に大幅に増加してその分の銀量を少なくした銀ペーストを用いても変換効率を低減することなく太陽電池を作製出来ることができたことは産業界に大きなインパクトを与えると思慮する。
第6に、(5)従来のバスバー電極の形成に使用していた鉛ガラスの使用を無くすこと、即ち鉛フリーにすることができた。これによって鉛公害の環境問題を皆無にすることが可能となる。
図1は、本発明の1実施例構造図(工程の完成図:断面図)を示す。
図1において、シリコン基板11は、公知の半導体のシリコン基板である。
高電子濃度領域(拡散ドーピング層)12は、シリコン基板11の上に所望のp型/n型の層を拡散ドーピングなどで形成した公知の領域(層)であって、図では上方向から太陽光が入射するとシリコン基板11で電子を発生(発電)し、その電子を蓄積する領域である。ここでは、蓄積した電子は電子取出口(フィンガー電極(銀))14によって上方向に取り出されるものである(発明の効果参照)。
絶縁膜(窒化シリコン膜)13は、太陽光を通過(透過)させ、かつバスバー電極15と高電子濃度領域14とを電気的に絶縁する公知の膜である(発明の効果参照)。
電子取出口(フィンガー電極(銀))14は、高電子濃度領域12中に蓄積した電子を絶縁膜13に形成した穴を介して取り出す口(フィンガー電極)である(発明の効果参照)。
バスバー電極(電極1(銀))15は、複数の電子取出口(フィンガーバー電極)14を電気的に接続する電極であって、Agの使用量を削減する対象の電極である(発明の効果参照)。
裏面電極(電極2(アルミ))16は、シリコン基板11の下面に形成した公知の電極である。
リード線(ハンダ形成)17は、複数のバス電極15を電気的に連結した電子(電流I)を外部に取り出すリード線である。
以上の図1の構造のもとで、上から下方向に太陽光を照射すると、太陽光はリード線17および電子取出口14の無い部分と絶縁膜13を通過し、シリコン基板11に入射して電子を発生する。その後、高電子濃度領域12に蓄積した電子は、電子取出口(フィンガー電極)14、バスバー電極15、リード線17を介して外部に取り出される。この際、図2から図6で後述するように、バスバー電極15を、銀ペーストにガラスフリットとしてNTAガラス(導電性ガラス)を混入して焼成して形成し、Agの使用量を低減することが可能となる。以下順次詳細に説明する。
図2は、本発明の動作説明フローチャートを示し、図3および図4は各工程の詳細構造を示す。
図2において、S1は、シリコン基板を準備する。
S2は、クリーニングする。これらS1、S2は、図3の(a)に示すように、S1で準備したシリコン基板11の面(高電子濃度領域12を形成する面)を綺麗にクリーニングする。
S3は、拡散ドーピングする。これは、図3の(b)に示すように、図3の(a)でクリーニングしたシリコン基板11の上に公知の拡散ドーピングを行い、高電子濃度領域12を形成する。
S4は、反射防止膜(窒化シリコン膜)を形成する。これは、図3の(c)に示すように、図3の(b)の高電子濃度領域12を形成した上に、反射防止膜(太陽光を通過させ、かつ表面反射を可及的に低減した膜)として例えば窒化シリコン膜を公知の手法で形成する。
S5は、フィンガー電極をスクリーン印刷する。これは、図3の(d)に示すように、図3の(c)の窒化シリコン膜13を形成した上に、形成するフィンガー電極14のパターンをスクリーン印刷する。印刷材料は、例えば銀にフリットとして鉛ガラスを混入したものを用いる。
S6は、フィンガー電極を焼成し、ファイヤースルーさせる。これは、図3の(d)でスクリーン印刷したフィンガー電極14のパターン(銀と鉛ガラスのフリットを混入したもの)を焼成し、図3の(e)に示すように、窒化シリコン膜13にファイヤースルーさせてその中に銀(導電性)を形成したフィンガー電極14を形成する。
S7は、バスバー電極(電極1)をスクリーン印刷する。これは、図4の(f)に示すように、図3の(e)のフィンガー電極14を形成した上に、形成するバスバー電極15のパターンをスクリーン印刷する。印刷材料は、例えば銀にフリットとしてNTAガス(20%から70%)を混入したものを用いる。
S8は、バスバー電極を焼成する。これは、図3の(f)でスクリーン印刷したバスバー電極15のパターン(銀とNTAガラス(20%から70%)のフリットを混入したもの)を焼成(焼成時間は長くても1分以内、2〜3秒以上で焼成)し、図4の(g)に示すように、バスバー電極15を最上層に形成する。
S9は、裏面電極(電極2)を形成する。これは、図4の(h)に示すように、シリコン基板11の下側(裏面)に例えばアルミ電極を形成する。
S10は、リード線をハンダ形成する。これは、図4の(i)に示すように、図4の(g)のバスバー電極を電気的に接続するリード線をハンダで形成して電気的に接続する。
以上の工程により、シリコン基板に太陽電池を作成することが可能となる。
図5は、本発明の詳細説明図(バスバー電極の焼成)を示す。
図5の(a)はバスバー電極を銀100%、NTA0%(重量比)で焼成した例を模式的に示し、図5の(b)はバスバー電極を銀50%、NTA50%(重量比)で焼成した例を模式的に示す。焼成時間は、長くても1分以内で、2〜3秒以上とした。
図5の(a)と図5の(b)とで図示のようにほぼ同構造となるように形成した太陽電池の試作実験では下記のような実験結果が得られた。
太陽電池の変換効率
図5の(a)のAg 100%,NTA 0% 平均約17%
図5の(b)のAg 50%,NTA 50% 平均約17%
試作実験結果は、バスバー電極のパターンを印刷する材料として、図5の(a)と、図5の(b)とでは太陽電池を作成したときの変換効率が平均約17%でほぼ同じ結果が得られ、AgをNTAガラス(導電性ガラス、20%から70%))で置き換えることができることが実験で確かめられた(発明の効果参照)。尚、NTAガラスは、バナジウム、バリウム、鉄から構成され、特に鉄は内部的に強く結合して当該内部に留まっており、他の材料と混合してもその結合性は極めて小さい性質を有するものである(特許第5333976号等参照)。
図6は、本発明の説明図(バスバー電極)を示す。
図6の(a)は全体平面図を示し、図6の(b)は拡大図を示す。
図6において、バスバー電極15は、図6の(a)の全体平面図に示すように、長いバー状の電極であって、これを光学顕微鏡で拡大すると図6の(b)に示すような構造が観察された。
図6の(b)において、バスバー電極15は、従来のAgと鉛ガラスのフリットで焼成した場合にはAgが均一に分散していたが、本発明のAgとNTAガラスのフリットで焼成(長くても1分以内、2〜3秒以上の焼成)した場合には当該図6の(b)に示すように、当該バスバー電極15の両側にNTAガラス(特にバリウム)が粒子状に形成され、かつ当該バスバー電極15の中央部分にAgが集まって形成されることが判明した。そのため、発明の効果の欄で説明したように、AgにNTAガラスを混入して短時間焼成(長くても1分、2〜3秒以上の焼成)するとAgが中央部分に集まって導電性が向上し(従来はAgは均一に分散していた場合に比較して導電性が向上し)、かつNTAガラス自身も導電性を有することなどの総合的な作用によりAgの割合を減らしてNTAガラスを増やしても、太陽電池として製造した場合の変換効率は既述したように約17%と実験ではほぼ同じ結果が得られた。
尚、焼成温度は、500℃から900℃であるが、太陽電池として作成した場合に最適な温度を実験により決定することが必要である。低すぎても高すぎても図6の(b)のような構造が得られず、実験で決定することが必要である。
図8は、本発明の他の実施例フローチャートを示す。これは、バスバー電極15にリード線(リード電極)17を超音波ハンダ付けするときの手順を示したものである。
図8において、S21は、フィンガー電極を形成する。これは、図1から図6で既述したフィンガー電極14を形成する。
S22は、バスバー電極を形成する。これは、図1から図6で既述したバスバー電極15を形成する。
S23は、ハンダ材料を接着する。これは、S22で形成したバスバー電極15の表面にハンダをプリ溶着し、リード線17の超音波ハンダ付けをしやすくする。尚、必ずしもハンダをプリ溶着する必要はないが、ハンダによる密着性を確実にするために行う作業である。
S24は、リード線を接着する。これは、S22、S23で形成したバスバー電極15(プリハンダ有、またはプリハンダ無)に、リード線(プリハンダ有、またはプリハンダ無)17を超音波ハンダ付けを行う。超音波ハンダ付けは、室温からハンダの溶融温度以下にバスバー電極15を予備加熱した状態で、超音波ハンダゴテのコテ先に超音波を供給しつつハンダを当該コテ先に供給し(プリハンダした場合はハンダを供給する/しない場合がある)、バスバー電極15とリード線17とをハンダで接着(溶着)し、密着性を極めて良好にする(後述する)。超音波を供給しないときは、バスバー電極15とリード線17とをハンダで接着不可で、密着できなかった(後述する)。
以上のように、バスバー電極15にリード線17を超音波ハンダ付けすることにより、バスバー電極15にリード線17を密着性良好に接着することが可能となった。この際、バスバー電極15などを予備加熱することにより、極めて良好かつ確実に超音波ハンダ付け作業が可能となった。
図9は、本発明のバスバー電極上のハンダ・リード線の概略構造図を示す。
図9の(a)は全体断面図を示し、図9の(b)はリード線17の断面図を示す。ここで、シリコン基板11、バスバー電極15、リード線17は、図1の同じ番号のものと同一であるので、説明を省略する。
図9の(a)において、ハンダ172は、バスバー電極(予備加熱する)15とリード線17とを超音波ハンダ付けした後の状態を模式的に示したものである。ハンダ172は、バスバー電極15の上に全面に密着してリード線17に溶着している。
図9の(b)において、ハンダ172は、リード線(リード電極)17の周りに予めプリハンダした状態を示す。
銅171は、銅のリボンであって、この周りに予めハンダ172を溶着し、バスバー電極15と超音波ハンダ付けしやすくした様子を模式的に示す。
以上のように、ハンダ172を銅リボン171の周りにプリハンダしたリード線17を用い、かつバスバー電極15を予備加熱(シリコン基板11、バスバー電極15等を含む太陽電池の全体を予備加熱)した状態で、超音波ハンダ付けすることにより、図示のように、バスバー電極15にリード線17を密着性良好にハンダ付けすることが可能となる。
図10は、本発明のNTAガラスのバスバー電極とのハンダの密着(接着)性の実験結果例を示す。ここで、
・ハンダの種類は、鉛ハンダ・フラックス無、鉛ハンダ・フラックス有、錫・銀入り、錫・亜鉛入りの4種類を実験した。
・主な成分は、ハンダの種類に応じた主な成分を示す。
・超音波コテを使用した場合のNTAガラスと密着性は、OKとNGの区別を示す。
・超音波コテを使用しない場合のNTAガラスと密着性は、OKとNGの区別を示す。
以上の項目について、実験した結果を、図10に示す。この図10の結果より、
・超音波ハンダコテを使用した場合には、鉛ハンダ・フラックス有を除いて他の全てのハンダの種類についてOKの結果が得られ、図1から図6記載のNTAガラスのバスバー電極15に対して、リード線17をハンダ付けして良好に密着できることが実験で確かめられた。一方、超音波ハンダコテを使用しない場合には、全てのハンダの種類についてNGの結果が得られた。
次に、図11から図16を用いてNTA50%のハンダ付け状況(個別焼成)の実験例を下記のように順次詳細に説明する。
使用ハンダ 予備加熱 超音波有無 ハンダコテ温度
図11(A):SnAg 200℃ 超音波有 ハンダコテ温度350℃
図12(B):SnAg 200℃ 超音波有 ハンダコテ温度400℃
図13(C):SnZn 200℃ 超音波有 ハンダコテ温度350℃
図14(D):SnPb 200℃ 超音波無 ハンダコテ温度350℃
(フラックス有)
図15(E):SnPb 200℃ 超音波無 ハンダコテ温度400℃
(フラックス有)
図16(F):SnPb 200℃ 超音波有 ハンダコテ温度350℃
(フラックス無)
図11は、本発明のSn−Agハンダのハンダ付け写真(A)を示す。
図11の(a)はハンダ付け条件を示し、図11の(b)はハンダ付け前の写真を示し、図11の(c)はハンダ付け後(超音波有)の写真を示す。
図11の(a)において、ハンダ付け条件は図示の下記である。
・使用半田:Sn−Agハンダ
・超音波 :有
・コテ先温度:350℃
・コテ発振出力:10W
・予備加熱:200℃
図11の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
図11の(c)は、ハンダ付け後(超音波有)の写真を示す。ハンダ付け後の写真から判明するように、図11の(b)のハンダ付け前の写真上の縦方向の幅広いバスバー電極15の上にハンダが幅広く溶着かつ密着していることが判明する。
図11の(d)は、同条件で超音波無の場合には、バスバー電極15にハンダ付けができない為、写真データ無と記載したものである。
以上のように、Sn−Agハンダでは超音波ハンダ付け(予備加熱付)は良好にできた。そして、この上にリード線17を密着性良好に超音波ハンダ付けできた。
図12は、本発明のSn−Agハンダのハンダ付け写真(B)を示す。
図12の(a)はハンダ付け条件を示し、図12の(b)はハンダ付け前の写真を示し、図12の(c)はハンダ付け後(超音波有)の写真を示す。
図12の(a)において、ハンダ付け条件は図示の下記である。
・使用半田:Sn−Agハンダ
・超音波 :有
・コテ先温度:400℃
・コテ発振出力:10W
・予備加熱:200℃
図12の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
図12の(c)は、ハンダ付け後(超音波有)の写真を示す。ハンダ付け後の写真から判明するように、図12の(b)のハンダ付け前の写真上の縦方向の幅広いバスバー電極15の上にハンダが幅広く溶着かつ密着していることが判明する。
図12の(d)は、同条件で超音波無の場合には、バスバー電極15にハンダ付けができない為、写真データ無と記載したものである。
以上のように、Sn−Agハンダでは超音波ハンダ付け(予備加熱付)は良好にできた。そして、この上にリード線17を密着性良好に超音波ハンダ付けできた。
図13は、本発明のSn−Znハンダのハンダ付け写真(C)を示す。
図13の(a)はハンダ付け条件を示し、図13の(b)はハンダ付け前の写真を示し、図13の(c)はハンダ付け後(超音波有)の写真を示す。
図13の(a)において、ハンダ付け条件は図示の下記である。
・使用半田:Sn−Znハンダ
・超音波 :有
・コテ先温度:350℃
・コテ発振出力:10W
・予備加熱:200℃
図13の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
図13の(c)は、ハンダ付け後(超音波有)の写真を示す。ハンダ付け後の写真から判明するように、図13の(b)のハンダ付け前の写真上の縦方向の幅広いバスバー電極15の上にハンダが幅広く溶着かつ密着していることが判明する。
図13の(d)は、同条件で超音波無の場合には、バスバー電極15にハンダ付けができない為、写真データ無と記載したものである。
以上のように、Sn−Znハンダでは超音波ハンダ付け(予備加熱付)は良好にできた。そして、この上にリード線17を密着性良好に超音波ハンダ付けできた。
図14は、本発明のSn−Pbハンダ(フラックス有)のハンダ付け写真(D)を示す。
図14の(a)はハンダ付け条件を示し、図14の(b)はハンダ付け前の写真を示し、図14の(c)はハンダ付け後の写真を示す。
図14の(a)において、ハンダ付け条件は図示の下記である。
・使用半田:Sn−Pbハンダ(フラックス有)
・超音波 :無
・コテ先温度:350℃
・予備加熱:200℃
図14の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
図14の(c)は、ハンダ付け後の写真を示す。ハンダ付け後の写真から判明するように、図14の(b)のハンダ付け前の写真上の縦方向の幅広いバスバー電極15の上に幅広くフラックスが泡状になってハンダ付けできないことが判明する。
以上のように、Sn−Pbハンダでは超音波無、フラックス有では、フラックスの泡で覆われハンダメッキ不可であった。そして、この上にリード線17もハンダ付け不可であった。
図15は、本発明のSn−Pbハンダ(フラックス有)のハンダ付け写真(E)を示す。
図15の(a)はハンダ付け条件を示し、図15の(b)はハンダ付け前の写真を示し、図15の(c)はハンダ付け後の写真を示す。
図15の(a)において、ハンダ付け条件は図示の下記である。
・使用半田:Sn−Pbハンダ(フラックス有)
・超音波 :無
・コテ先温度:400℃
・予備加熱:200℃
図15の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
図15の(c)は、ハンダ付け後の写真を示す。ハンダ付け後の写真から判明するように、図15の(b)のハンダ付け前の写真上の縦方向の幅広いバスバー電極15の上に幅広くフラックスが泡状になってハンダ付けできないことが判明する。
以上のように、Sn−Pbハンダでは超音波無、フラックス有では、フラックスの泡で覆われハンダメッキ不可であった。そして、この上にリード線17もハンダ付け不可であった。
図16は、本発明のSn−Pbハンダ(フラックス無)のハンダ付け写真(F)を示す。
図16の(a)はハンダ付け条件を示し、図16の(b)はハンダ付け前の写真を示し、図16の(c)はハンダ付け後の写真を示す。
図16の(a)において、ハンダ付け条件は図示の下記である。
・使用半田:Sn−Pbハンダ(フラックス無)
・超音波 :有
・コテ先温度:350℃
・コテ発振出力:10W
・予備加熱:200℃
図16の(b)は、ハンダ付け前の写真を示す。
図16の(c)は、ハンダ付け後(超音波有)の写真を示す。ハンダ付け後の写真から判明するように、図16の(b)のハンダ付け前の写真上の縦方向の幅広いバスバー電極15の上にハンダが幅広く溶着かつ密着していることが判明する。
図16の(d)は、同条件で超音波無の場合には、バスバー電極15にハンダ付けができない為、写真データ無と記載したものである。
以上のように、Sn−Pbハンダ(フラックス無)では超音波ハンダ付け(予備加熱付)は良好にできた。そして、この上にリード線17を密着性良好に超音波ハンダ付けできた。
本発明の1実施例構造図(工程の完成図:断面図)である。 本発明の動作説明フローチャートである。 本発明の詳細工程説明図(その1)である。 本発明の詳細工程説明図(その2)である。 本発明の詳細説明図(バスバー電極の詳細)である。 本発明の説明図(バスバー電極)である。 従来技術の説明図である。 本発明の他の実施例フローチャートである。 本発明のバスバー電極上のハンダ・リード線の概略構造図である。 本発明のNTAガラスのバスバー電極とのハンダの密着(接着)性の実験結果例である。 本発明のSn−Agハンダのハンダ付け写真(A)である。 本発明のSn−Agハンダのハンダ付け写真(B)である。 本発明のSn−Znハンダのハンダ付け写真(C)である。 本発明のSn−Pbハンダ(フラックス有)のハンダ付け写真(D)である。 本発明のSn−Pbハンダ(フラックス有)のハンダ付け写真(E)である。 本発明のSn−Pbハンダ(フラックス無)のハンダ付け写真(F)である。
11:シリコン基板
12:高電子濃度領域(拡散ドーピング)
13:絶縁膜(窒化シリコン膜)
14:電子取出口(フィンガー電極)
15:バスバー電極
16:裏面電極
17:リード線
171:銅
172:ハンダ

Claims (14)

  1. 基板上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域を作成すると共に該領域の上に光などを透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池において、
    前記バス電極を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比20%から70%を混入して焼成してバス電極を形成し、導電性ペーストの使用量を低減したことを特徴とする太陽電池。
  2. 前記導電性ガラスは、少なくともバナジウムあるいはバナジウムとバリウムを含むバナシン酸ガラスとしたことを特徴とする請求項1記載の太陽電池。
  3. 前記導電性ガラスを混入して焼成する工程の時間は、長くても1分以内、数秒以上であることを特徴とする請求項1から請求項2のいずれかに記載の太陽電池。
  4. 前記導電性ガラスは、Pbフリーであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の太陽電池。
  5. 前記焼成して形成したバス電極の上にリード電極を設けたことを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の太陽電池。
  6. 前記リード電極は、導電性のリード線であって、該リード線を前記バス電極に超音波ハンダ付けし、該リード線と該バス電極とをハンダを介して良好に密着させたことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の太陽電池。
  7. 前記バス電極を室温からハンダの溶融温度以下の温度に予備加熱した状態で、該バス電極と前記リード線とを超音波ハンダ付けしたことを特徴とする請求項6記載の太陽電池。
  8. 基板上に光などを照射したときに高電子濃度を生成する領域を作成すると共に該領域の上に光などを透過する絶縁膜を形成し、該絶縁膜に形成した電子取出口から電子を取り出すバス電極を有する太陽電池の製造方法において、
    前記バス電極を形成するために、導電性ペーストにガラスフリットとして導電性ガラスを重量比20%から70%を混入して焼成してバス電極を形成し、導電性ペーストの使用量を低減するステップ
    を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
  9. 前記導電性ガラスは、少なくもとバナジウムあるいはバナジウムとバリウム含むバナジン酸塩ガラスとしたことを特徴とする請求項8記載の太陽電池の製造方法。
  10. 前記導電性ガラスを混入して焼成する工程の時間は、長くても1分以内、数秒以上であることを特徴とする請求項8から請求項9のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
  11. 前記導電性ガラスは、Pbフリーであることを特徴とする請求項8から請求項10のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
  12. 前記焼成して形成したバス電極の上にリード電極を設けたことを特徴とする請求項8から請求項11のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
  13. 前記リード電極は、導電性のリード線であって、該リード線を前記バス電極に超音波ハンダ付けし、該リード線と該バス電極とをハンダを介して良好に密着させたことを特徴とする請求項8から請求項12のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
  14. 前記バス電極を室温からハンダの溶融温度以下の温度に予備加熱した状態で、該バス電極と前記リード線とを超音波ハンダ付けしたことを特徴とする請求項13記載の太陽電池。
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