JP5541395B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の有効性を確認するため、第一電極層に銅ペーストを使用した場合の条件A(実施例)と銀ペーストを使用した場合の条件B(比較例)で特性の比較を行った。第二電極層は両条件とも銀ペーストとした。
100×100mm2、厚さ250μm、比抵抗1Ω・cmの、ホウ素ドープ{100}p型アズカットシリコン基板60枚に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりダメージ層を除去後、水酸化カリウム/2−プロパノール水溶液中に浸漬し、テクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。次に、オキシ塩化リン雰囲気下、870℃で裏面同士を重ねた状態で熱処理し、エミッタ層を形成した。拡散後、ふっ酸にてガラスを除去し、洗浄、乾燥させた。
以上の処理の後、プラズマCVD装置を用いてSiNx膜を受光面反射防止膜として全試料に対し形成した。
次いで、上記のうち30枚に対し、受光面の第一電極層として銅ペーストを印刷し、乾燥した(条件A)。銅ペーストの粘度は有機溶剤で180Pa・s程度に調整し、断線やにじみは殆ど発生しなかった。残りの30枚には、比較例として銀ペーストを印刷し乾燥した(条件B)。
また、銀ペーストの組成は以下の通りであった。銀約86質量%、エチルセルロース約5質量%、ターピオネール約2質量%、ガラス粉末約3質量%、有機溶媒約4質量%を追加して粘度調整して使用した。
各条件からそれぞれ任意の10枚を抜取り、連結用の配線をはんだ付けして引っ張り強度試験を実施した。どのセルも配線の剥離は認められなかった。
101 フィンガー電極
102 バスバー電極
203、303、403、503 銅ペースト
204、304、504、604 銀ペースト
Claims (4)
- PN接合が形成された半導体基板と、該半導体基板のPN接合形成面上に櫛歯状のフィンガー電極及び該フィンガー電極に接続するバスバー電極からなる受光面電極とを具備する太陽電池の製造方法であって、上記半導体基板のPN接合形成面上に反射防止膜を形成し、次いで受光面電極を形成する際に、バスバー電極として反射防止膜上に導電性材料として銅の微粒子のみを含有する第一導電性ペーストを印刷し、更にその上に銀、ニッケル、パラジウム、白金又は金を含有する第二導電性ペーストを第一導電性ペーストの印刷層を覆って積層して印刷した後に、焼成して上記反射防止膜を貫通させると共に、上記第一導電性ペーストから形成され上記半導体基板と直接接合する第一電極層と、上記第二導電性ペーストから形成され配線と接合される最表層となる第二電極層とからなり最表層に銅が露出しない2層構造の電極を形成する太陽電池の製造方法。
- 上記第一導電性ペーストは、銅の微粒子を30〜90質量%含有することを特徴とする請求項1記載の太陽電池の製造方法。
- 上記フィンガー電極として、上記第一導電性ペーストを印刷し、焼成して上記半導体基板と直接接合する電極を形成することを特徴とする請求項1又は2記載の太陽電池の製造方法。
- フィンガー電極パターンとバスバー電極パターンを同時に印刷できるスクリーン版を用いて反射防止膜上に上記第一導電性ペーストを印刷し、更に同じスクリーン版を用いて上記第二導電性ペーストを積層して印刷した後に、焼成して上記2層構造のフィンガー電極及びバスバー電極を形成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載の太陽電池の製造方法。
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