JP2016189014A - 偏光素子 - Google Patents
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- 230000010287 polarization Effects 0.000 title abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 20
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000003574 free electron Substances 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
1.偏光素子の構成
2.偏光素子の製造方法
3.液晶プロジェクターの構成例
4.実施例
図1は、本発明の一実施の形態に係る偏光素子を示す概略断面図である。図1に示すように、偏光素子は、透明基板10上に使用帯域の光の波長よりも小さいピッチで配列された凹凸構造を有する。すなわち、偏光素子は、凸部が、透明基板10上に一定間隔に並んだ一次元格子状のワイヤーグリッド構造を有する。
次に、図3を参照して本実施の形態における偏光素子の製造方法について説明する。先ず、透明基板10上に高屈折率材料21と低屈折率材料22とを交互に所定の層数、所定のグリッド高さとなるように積層する。各層は、スパッタ法、気相成長法、蒸着法などの一般的な真空成膜法あるいはゾルゲル法(例えばスピンコート法によりゾルをコートし熱硬化によりゲル化させる方法)により成膜することができる。
次に、本発明の一実施の形態に係る液晶プロジェクターについて説明する。液晶プロジェクター100は、光源となるランプと、液晶パネルと、前述した偏光素子とを備える。
以下、本発明の実施例について説明する。ここでは、誘電体を積層した偏光素子と、誘電体及び半導体を積層した偏光素子とを作製し、P偏光の透過率(以下Tpと記す。)、S偏光の反射率(以下Rsと記す。)、及び偏光スループット(以下Tp×Rsと記す。)について評価した。なお、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
先ず、ガラス基板上にTiO2とSiO2とを交互に所定の層数、所定のグリッド高さとなるように積層した。この積層体上に反射防止膜(BRAC)を成膜し、レジストにより所定のグリッドピッチ及びグリッド幅となるように格子状のマスクパターンを形成した。
先ず、ガラス基板上にSiとSiO2とを交互に所定の層数、所定のグリッド高さとなるように積層した。この積層体上に反射防止膜(BRAC)を成膜し、レジストにより所定のグリッドピッチ及びグリッド幅となるように格子状のマスクパターンを形成した。
先ず、ガラス基板上にTiO2とSiO2とを交互に所定の層数、所定のグリッド高さとなるように積層した。この積層体上に反射防止膜(BRAC)を成膜し、レジストにより所定のグリッドピッチ及びグリッド幅となるように格子状のマスクパターンを形成した。また、格子状のマスクパターンに対して交差する使用帯域の波長よりも大きい周期のマスクパターンを形成した。具体的には、干渉露光を用い、150nm周期で露光を行いて格子状のマスクパターンを形成し、所定の方向に基板を回転して1000nm周期で露光を行い、支持グリッド用のマスクパターンを形成した。
Claims (7)
- 透明基板上に使用帯域の光の波長よりも小さいピッチで配列された凹凸構造を有し、
前記凹凸構造の凸部は、誘電体又は半導体からなる高屈折率材料と該高屈折率材料よりも屈折率が小さい誘電体又は半導体からなる低屈折率材料とが交互に積層され、
前記凹凸構造の凹部に、前記凸部間を支持し、前記低屈折率材料よりも屈折率が低い材料からなる支持部が形成された偏光素子。 - 前記高屈折率材料と前記低屈折率材料との屈折率の差が1以上である請求項1記載の偏光素子。
- 前記ピッチは、200nm以下であり、
前記凸部の幅は、前記ピッチの20〜90%である請求項1又は2記載の偏光素子。 - 前記高屈折率材料がTiO2、前記低屈折率材料がSiO2、又は前記高屈折率材料がSi、前記低屈折率材料がSiO2である請求項1乃至3のいずれか1項に記載の偏光素子。
- 前記凹凸構造の凸部の高さが500nm以下である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の偏光素子。
- 前記支持部は、前記使用帯域の光の波長よりも大きいピッチで前記凹部の一部に形成されている請求項1乃至5のいずれか1項に記載の偏光素子。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の偏光素子と、光源と、液晶パネルとを備える液晶プロジェクター。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016114002A JP6378252B2 (ja) | 2016-06-08 | 2016-06-08 | 偏光素子及び液晶プロジェクター |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016114002A JP6378252B2 (ja) | 2016-06-08 | 2016-06-08 | 偏光素子及び液晶プロジェクター |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011052739A Division JP2012189773A (ja) | 2011-03-10 | 2011-03-10 | 偏光素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018076268A Division JP6670879B2 (ja) | 2018-04-11 | 2018-04-11 | 偏光素子、液晶プロジェクター及び偏光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016189014A true JP2016189014A (ja) | 2016-11-04 |
JP6378252B2 JP6378252B2 (ja) | 2018-08-22 |
Family
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016114002A Active JP6378252B2 (ja) | 2016-06-08 | 2016-06-08 | 偏光素子及び液晶プロジェクター |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6378252B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008181113A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-08-07 | Toray Ind Inc | 反射型偏光板及びそれを用いた液晶表示装置 |
JP2008216956A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-09-18 | Sony Corp | 偏光素子及び液晶プロジェクター |
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2016
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---|---|
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