JP2016186898A - 有機ｅｌパネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線抵抗を抑える導電性材料と共通配線との接触性を向上させ、共通配線の配線抵抗を抑える。【解決手段】封止部材７０の溝部７４に補助導電材９０を充填し、この封止部材７０上に、表面に有機ＥＬ素子を形成した支持基板１０を、有機ＥＬ素子が封止部材７０で封止されるように配置し、接着剤８０により支持基板１０と封止部材７０とを接着し、補助導電材９０を硬化する硬化工程前に、補助導電材９０を支持基板１０側に向けて流動させる前記反転工程を有する。【選択図】図３

Description

本発明は、有機ＥＬパネル及びその製造方法に関する。

有機ＥＬパネルを均一に発光させるため、共通配線における電圧降下を抑える必要があり、特許文献１には、透明電極の共通配線上に透明電極より電気抵抗率の低い補助電極を配置することで透明電極の電気抵抗（配線抵抗）を低下させ、透明電極による電圧降下を抑える有機ＥＬパネルが開示されている。

特開２００３−１２３９９０号公報

しかしながら、有機ＥＬパネルを光源として利用する場合、有機ＥＬパネルは、高輝度の均一発光が求められるため、大面積または長尺とした場合、共通配線に流れる電流が増大し、共通配線での電圧降下がさらに増大する。共通配線での電圧降下を抑制するため、共通配線の配線幅を大きくする必要があり、有機ＥＬパネルの発光部の外側領域（額縁）に配置される外部電源からの共通配線の面積が増大し、有機ＥＬパネルの額縁が大きくなり、有機ＥＬパネルの小型化が困難であった。

本出願人は、この点に着目し、支持基板との間に有機ＥＬ素子を気密的に封止する封止基板を設け、封止基板と支持基板との間に溝部を設け、その溝部内に共通配線と導通するように導電性材料を配置することで、導電性材料により共通配線の電圧降下を抑制し、狭額縁とした有機ＥＬパネルを特願２０１４−１９４２８３にて出願した。

しかしながら、共通配線に導電性材料を密着させてから硬化する際、共通配線と導電性材料との間に隙間ができることで、共通配線と導電性材料との間の導電性が低下することが考えられ、この点で改善の余地があった。

本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、配線抵抗を抑える導電性材料と共通配線との接触性を向上させ、共通配線の配線抵抗を抑えた有機ＥＬパネル及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の第一の観点における有機ＥＬパネルの製造方法は、外部電源から共通配線で給電される透光性の第一電極と、前記第一電極と対となる第二電極と、前記第一電極と前記第二電極とで挟持される少なくとも発光層を有する有機層と、前記第一電極、前記第二電極、前記有機層を支持する支持基板とからなる素子基板を作成する工程と、封止部材に設けられた溝部に導電性材料を充填する工程と、前記支持基板上の少なくとも前記発光部の一部を前記封止部材で覆う工程と、上記工程で生成した有機ＥＬパネルを傾け、前記溝部に充填された前記導電性材料を前記支持基板側に向けて流動させる工程と、前記導電性材料を流動させる工程の後に、前記導電性材料を硬化する工程と、を有する。

また、本発明の第二の観点における有機ＥＬパネルは、上記製造方法にて製造される。

本発明によれば、配線抵抗を抑える導電性材料と共通配線との接触性を向上させ、共通配線の配線抵抗を抑えることができる。

本発明の実施形態におけるマルチ有機ＥＬ基板の平面図である。 （ａ）は、図１のマルチ有機ＥＬ基板のＡ−Ａ断面図であり、（ｂ）は、図１のマルチ有機ＥＬ基板の発光部に補助電極が通っている箇所のＢ−Ｂ断面図であり、（ｃ）は、図１のマルチ有機ＥＬ基板の発光部に補助電極が通っていない箇所のＢ’−Ｂ’断面図である。 図１のマルチ有機ＥＬ基板のＢ−Ｂ断面図であり、有機ＥＬパネルの製造工程の例を説明する図である。 図３で説明した製造工程で生成された有機ＥＬパネルに追加補助導電部をさらに設けた例を説明する図である。（ａ）は、追加補助導電部を設ける前の有機ＥＬパネルを示し、（ｂ）は、追加補助導電部を設けた後の有機ＥＬパネルを示す。 図１の有機ＥＬパネルの製造工程の例を説明する図である。 有機ＥＬパネルの変形例を示す平面図である。

以下、本発明の実施形態を添付図面に基づき説明する。

図１は、マルチ有機ＥＬ基板１００ａの平面図である。また、図２（ａ）は、図１のマルチ有機ＥＬ基板１００ａのＡ−Ａ断面図であり、図２（ｂ）は、図１のマルチ有機ＥＬ基板１００ａの発光部Ｅに補助電極３０が通っている箇所のＢ−Ｂ断面図であり、図２（ｃ）は、図１のマルチ有機ＥＬ基板１００ａの発光部Ｅに補助電極３０が通っていない箇所のＢ’−Ｂ’断面図である。図２に示されるように、有機ＥＬパネル１００は、支持基板１０、支持基板１０上に形成される第一電極２０、第一電極２０上の一部に形成される補助電極（共通配線）３０、絶縁層４０、有機層５０、第二電極６０などを有する素子基板ＳＵＢと、封止部材７０と、接着剤８０と、補助導電部９０とから主に構成される。有機ＥＬパネル１００は、第一端子部１０１と第二端子部１０２を有し、第一端子部１０１を図示しない外部電源の陽極、第二端子部１０２を前記外部電源の陰極に接続し、第一端子部１０１（第二端子部１０２）への給電により封止部材７０によって封止された支持基板１０上の発光部Ｅを発光させる。以下に説明する本実施形態の有機ＥＬパネル１００は、複数の有機ＥＬパネル１００を共通基板（マルチ有機ＥＬ基板１００ａ）で生成された後、分割することで個々の有機ＥＬパネル１００に形成されるものであるが、個別に形成されるものであってもよい。

図２の支持基板１０は、電気絶縁性の基板であり、例えば、矩形状の透明ガラス材で形成される。なお、本実施例においては、支持基板１０としてガラス材を用いるが、これ以外にも、プラスチックやセラミック等の透明材料を基板として用いることも可能である。

図２の第一電極２０は、ＩＴＯ等の透光性導電材料によって形成され、蒸着法やスパッタリング法等の手段によって支持基板１０上に電極膜を形成した後、フォトリソグラフィー法等によって所定の形状にパターニングされた透光性の配線である。本実施形態において、第一電極２０は、発光部Ｅに重なる領域の全体に形成されるが、図１における有機ＥＬパネル１００の左右辺に対して垂直な複数のストライプ状に形成されてもよい。第一電極２０は、後述する第一端子部１０１を介して前記外部電源に電気的に接続され、前記外部電源からの給電に基づいて、第一電極２０全体に電力が供給される共通配線構造を有する。

図２の補助電極（共通配線）３０は、第一電極２０上にアルミニウムなどの第一電極２０の透光性導電材料よりも抵抗の低い金属をスパッタリング法等の手段によって、５０〜１５００ｎｍの膜厚で単層または積層の膜状に形成し、フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の形状にパターニングしてなる非透光性の配線である。本実施形態において、補助電極３０は、第一電極２０上に、図１における有機ＥＬパネル１００の左右辺に対して垂直な複数のストライプ状に形成されている。また、補助電極３０は、後述する第一端子部１０１を介して前記外部電源に電気的に接続され、前記外部電源からの給電に基づいて、補助電極３０全体に電力が供給される共通配線構造を有する。

図２の絶縁層４０は、例えばポリイミド系の透明な絶縁性材料から構成され、スピンコート法などによって１．０μｍ程度の薄膜で層状に形成された後、フォトリソグラフィー法で所望の形状にパターニングされる。絶縁層４０は、第一電極２０上にストライプ状に形成された補助電極３０を覆うように、補助電極３０と後述する有機層５０との間に形成され、第一電極２０と後述する第二電極６０との短絡を防止する。

図２の有機層５０は、第一電極２０上に形成されるものであり、例えば、正孔注入輸送層，発光層（発光部Ｅ），電子輸送層及び電子注入層等を蒸着法等の手段によって順次積層形成してなり、例えば白色発光をなすものである。なお、有機層５０において、前記発光層の単一層で形成されていてもよく、また、他の機能を有する層が付加されるものであってもよい。

図２の第二電極６０は、アルミニウムやマグネシウム銀等の第一電極２０よりも導電率が高い金属性導電材料を蒸着法等の手段により有機層５０の背面側に層状に形成される。第二電極６０は、後述する第二端子部１０２を介して前記外部電源に電気的に接続され、外部電源からの給電に基づいて、第二電極６０全体に電力が供給される共通配線構造を有する。

図２の封止部材７０は、例えばガラス材料からなる平板部材にサンドブラスト、切削及びエッチング等の適宜方法で凹形状を形成してなるものであり、有機層５０の前記発光層（発光部Ｅ）と対向する凹部７１と、凹部７１を囲むように支持基板１０側に延在する支持部７２と、マルチ有機ＥＬ基板１００ａを複数の有機ＥＬパネル１００に分割する際に分割される分割部７３と、支持部７２の外側に凹状の溝部７４と、を有する。なお封止部材７０の材料は、ガラスに限ったのもではなくプラスチックやセラミック等の絶縁性材料を使用することができる。その場合には使用する材料に合わせて射出成型やプレス成型で作成することもできる。さらに、封止部材７０は、表面に絶縁処理を行えばアルミやステンレス等の金属材料も使用可能である。なお、後述する接着材８０の厚さを管理する、素子上に保護層を形成する、などの対策により発光部Ｅと封止基板の接触が問題とならない場合には、発光部Ｅに対向する凹部は形成しなくてもよい。

図２の接着剤８０は、ＵＶ硬化性の材料を含む電気絶縁性の接着剤であり、例えば、ＵＶ硬化性エポキシ樹脂からなり、封止部材７０の支持部７２を支持基板１０（補助電極３０）に接着させることで支持基板１０上に有機層５０（発光部Ｅ）を気密的に配設し、封止部材７０と支持基板１０とで有機層５０（発光部Ｅ）を封止する。なお、接着剤８０は、例えば、封止部材７０の支持部７２側に塗布されるまたは／および封止部材７０の支持部７２の位置に対応する支持基板１０上の位置に塗布される。接着剤８０は、例えば、ディスペンサーやスクリーン印刷によって塗布される。

図２の補助導電部９０（以下では、補助導電材９０とも呼ぶ）は、例えば、熱硬化性の材料を含む導電性の材料であり、具体的には、ヘンケルジャパン社製、デクセリアルズ社製、Ｃｏｎｔｒｏｎｉｃｓ社製の硬化型の導電性接着剤などを使用する。封止部材７０の溝部７４に充填され、その後、補助電極３０と電気的に接続されるように熱で硬化される。

図１の第一端子部１０１は、支持基板１０上に形成される第一電極２０または／および補助電極３０のうち、封止部材７０の内部から外部に引き出し形成された部分にクロム等の抵抗率の低い金属材料からなる図示しない金属層を積層して形成されるもので、第一電極２０及び補助電極３０と前記外部電源とを電気的に接続する。

図１の第二端子部１０２は、第一電極２０と同時に同材料で形成された図示しないベース部上にクロム等の抵抗率の低い金属材料からなる図示しない金属層を積層して形成されるもので、第二電極６０と前記外部電源とを電気的に接続させる。

以上の各部によって有機ＥＬパネル１００が構成される。以上に説明した有機ＥＬパネル１００は、支持基板１０側から光を出射するいわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬパネルであったが、本発明は、トップエミッション型の有機ＥＬパネルにも適用可能である。また、第一電極２０及び第二電極６０の双方を透明電極にした透明型（シースルー型）の有機ＥＬパネルにも適用可能である。なお、第一電極２０及び第二電極６０の双方に透明電極を用いた場合、双方の電極それぞれに対して、配線抵抗を抑える補助導電部９０を電気的に接続されるように設けてもよい。

次に、図３を用いて有機ＥＬパネル１００の製造方法を説明する。図３は、図１のマルチ有機ＥＬ基板１００ａのＢ−Ｂ断面図であり、有機ＥＬパネル１００の製造方法の例を示す図である。

図３（ａ）は、有機ＥＬパネル１００の発光部Ｅを支持基板１０上に形成する発光部形成工程を行った後の素子基板ＳＵＢを示す図である。前記発光部形成工程において、まず、蒸着法やスパッタリング法等の手段によって支持基板１０上に第一電極２０と補助電極３０とを形成した後、フォトリソグラフィー法等によって、支持基板１０上に第一電極２０及びスリット状の補助電極３０を形成する。次に、絶縁層４０をスピンコート法などによって補助電極３０の背面側に薄膜で形成した後、フォトリソグラフィー法で所望の形状にパターニングされる。そして第一電極２０に対応するように有機層５０を積層形成し、さらに、有機層５０上に第二電極６０を積層形成する。これにより、支持基板１０上に、少なくとも第一電極２０と、この第一電極１０と対となる第二電極６０と、第一電極１０と第二電極６０とで挟持される少なくとも発光層を有する有機層５０とを備えた素子基板ＳＵＢが形成される。なお、補助電極３０は、スリット状に形成されていなくてもよい。

図３（ｂ）は、封止部材７０の溝部７４に補助導電材９０を充填する充填工程を行った後の封止部材７０を示す図である。前記充填工程において、まず、封止部材７０の溝部７４の開口が鉛直方向上側に向くように、かつ封止部材７０の凹部７１が水平となるように設置し、溝部７４に補助導電材９０をディスペンサー充填等により充填する。なお、充填の際、溝部７４が補助導電材９０で満たされないように所定の空間７４ａを残すことが好ましい。

図３（ｃ）は、支持基板１０上の発光部Ｅを封止するように、支持基板１０（素子基板ＳＵＢ）と封止部材７０とを接合する接合工程を行った後のマルチ有機ＥＬ基板１００ａを示す図である。前記接合工程において、窒素雰囲気中で接着剤８０が塗布された支持基板１０と、封止部材７０とを、図示しない重ね合わせ装置によって支持基板１０と封止部材７０との平行状態を保ちながら、かつ封止部材７０の各凹部７１が支持基板１０上の発光部Ｅに対応するように重ね合わす。次に、紫外線（ＵＶ）を照射することにより封止部材７０の支持部７２と支持基板１０（補助電極３０）とが接合固定され、これにより有機ＥＬパネル１００を複数有するマルチ有機ＥＬ基板１００ａが得られる。

図３（ｄ）は、前記接合工程により得られたマルチ有機ＥＬ基板１００ａを上下反転させる反転工程と、前記反転工程の後に補助導電部９０を硬化させる硬化工程とを行った後のマルチ有機ＥＬ基板１００ａを示す図である。前記反転工程では、図３（ｃ）の前記接合工程で得られたマルチ有機ＥＬ基板１００ａを上下反転させる。すると、封止部材７０の溝部７４に充填されていた補助導電材９０が、溝部７４内で鉛直方向下側に（支持基板１０上の補助電極３０側へ補助電極３０）流動する。これにより、補助導電材９０は、支持基板１０上の補助電極３０に密着する。次に、前記硬化工程において、マルチ有機ＥＬ基板１００ａの一部または全体を加熱し、補助導電材９０を熱硬化させる。熱硬化の条件は、具体的に例えば、１００℃以上、好ましくは１２０℃以上で、５分以上、好ましくは３０分以上で熱硬化させる。なお、補助導電材９０が硬化する温度以下の環境下にしばらくおき、熱により補助導電材９０を軟化させ、より補助導電材９０を支持基板１０上の補助電極３０に密着させ、その後に、温度を補助導電材９０が硬化する温度以上にして熱硬化させることが好ましい。なお、前記反転工程は、封止部材７０の溝部７４内に充填された補助導電材９０が、マルチ有機ＥＬ基板１００ａを反転させる（傾ける）ことにより、支持基板１０上の補助電極３０に向かって流動する工程であるので、以下の説明では前記反転工程を補助導電材流動工程とも呼ぶ。

また、前記反転工程によりマルチ有機ＥＬ基板１００ａを反転させたことにより補助導電部９０内にボイドが発生することがある。よって、前記反転工程と前記硬化工程との間に、補助導電材９０内に発生したボイドを除去するボイド除去工程を有することが好ましい。前記ボイド除去工程は、例えば、マルチ有機ＥＬ基板１００ａの少なくとも一部を振動させる工程、マルチ有機ＥＬ基板１００ａの少なくとも一部に衝撃を加える工程、マルチ有機ＥＬ基板１００ａに遠心力を加える工程、から選ばれる一の工程又は二以上の工程を組み合わせた工程を有する。なお、前記ボイド除去工程は、例えば、有機ＥＬパネル１００の一部または全部を加熱するなどし、補助導電材９０を軟化した後、または軟化させながら行われることが好ましい。これにより、補助導電部９０内のボイドをより少なくすることができる。

図３（ｅ）は、図３（ｄ）に示される前記硬化工程によって得られたマルチ有機ＥＬ基板１００ａを個々の有機ＥＬパネル１００に分割する分割工程と、前記分割工程により分割された有機ＥＬパネル１００の封止部材７０の余剰部７４ｂを切断する余剰部分切断工程とを行った後の有機ＥＬパネル１００を示す図である。前記分割工程において、マルチ有機ＥＬ基板１００ａにおける個々の有機ＥＬパネル１００の境界である分割部７３をスクライブ法等の手段によって切断し、個々の有機ＥＬパネル１００に分割する。次に、前記余剰部切断工程では、有機ＥＬパネル１００の封止部材７０の溝部７４の余剰部分である余剰部７４ｂを前記スクライブ法等の手段によって切断する。前記余剰部切断工程により、封止部材７０の余剰部７４ｂで覆われていた補助電極３０が露出し、この補助電極３０の露出箇所を第一端子部１０１として設けることができる。

図４は、図３で説明した製造工程で生成された有機ＥＬパネル１００に追加補助導電部９０ａ（以下では、追加補助導電材９０ａとも呼ぶ）をさらに設けた例を説明する図である。図４（ａ）は、図３で説明した製造工程で生成された有機ＥＬパネル１００を示す。図４（ａ）の有機ＥＬパネル１００では、溝部７４に充填されていた補助導電材９０が支持基板１０側に流動して硬化されるため、溝部７４の支持基板１０から離れた方には、補助導電材９０が配設されない隙間部７４ｃが形成される。図４（ｂ）は、図４（ａ）の隙間部７４ｃに、例えば導電性ペーストからなる追加補助導電材９０ａを塗布して硬化させる追加塗布工程を行った後の有機ＥＬパネル１００を示す図である。前記追加塗布工程では、有機ＥＬパネル１００の隙間部７４ｃにニードル等を用いて追加補助導電材９０ａを塗布し、塗布後、追加補助導電材９０ａを硬化させた追加補助導電部９０ａを形成する。これにより、発光部Ｅの全体に亘る第一電極２０の配線抵抗をさらに低く抑えることができる。

以上に説明した本実施形態における有機ＥＬパネル１００は、外部電源から共通配線で給電される透光性の第一電極２０と、第一電極２０と対となる第二電極６０と、少なくとも発光部を有する有機層５０を第一電極２０と第二電極６０とで挟持した有機ＥＬ素子を透光性の支持基板１０上に配設し、前記有機ＥＬ素子を気密的に覆う封止部材７０を配設してなる有機ＥＬパネル１００であって、第一電極２０上に第一電極２０よりも電気抵抗率の低い補助電極３０を形成し、封止部材７０の少なくとも一部に溝部７４を設け、溝部７４に導電性材料からなる補助導電部９０を配置するものである。

これにより、共通配線の第一端子部１０１の幅を広くしなくても発光部Ｅの全体に亘る第一電極２０の配線抵抗を低く抑えることができる。すなわち、縁を狭くした狭額縁でありながら、共通配線の電気抵抗を小さく抑え、配線による電圧降下を抑制することで第一電極２０全体にかかる電圧のばらつきを抑え、発光部Ｅを均一に発光させることができる有機ＥＬパネル１００を提供することができる。

なお、以上に説明したように、本発明における有機ＥＬパネル１００の製造方法では、封止部材７０の溝部７４に充填した補助導電材９０を硬化する前記硬化工程前に、補助導電材９０を支持基板１０上の補助電極３０側に向けて流動させる前記反転工程を有するため、補助導電材９０を補助電極３０に密着させることができ、この密着した補助導電部９０により補助電極３０を介して第一電極２０の配線抵抗をより低く抑えた有機ＥＬパネル１００を製造することができる。

なお、本発明は以上の実施形態及び図面によって限定されるものではない。本発明の要旨を変更しない範囲で、適宜、変更（構成要素の削除も含む）を加えることが可能である。

上記実施形態では、補助導電材流動工程として、マルチ有機ＥＬ基板１００ａを反転させる前記反転工程を行っていたが、前記反転工程の代わりに、封止部材７０の溝部７４内に充填された補助導電材９０が、支持基板１０上の補助電極３０に向かって流動するように、マルチ有機ＥＬ基板１００ａを傾ける傾け工程を行ってもよい。以下に、前記傾け工程を、図５を用いて説明する。

図５は、前記傾け工程を説明する図である。なお、前記傾け工程を説明する図５では、一つの有機ＥＬパネル１００のみを記載しているが、マルチ有機ＥＬ基板１００ａで前記傾け工程を行ってもよい。

図５（ａ）は、前記接合工程により、支持基板１０と封止部材７０とを接合した後であり、前記傾け工程の前の有機ＥＬパネル１００を示す。なお、図５（ａ）の左図は、前記傾け工程前の有機ＥＬパネル１００の正面図であり、図５（ａ）の右図は、左図におけるＣ−Ｃ断面図である。なお、前記接合工程の後の有機ＥＬパネル１００は、面が水平になるように固定されている。前記傾け工程を行う有機ＥＬパネル１００は、最終的に切断される切断部１０３を有する。この切断部１０３は、最終的に残る有機ＥＬパネル１００と一体的に形成される部分であり、補助導電材９０が充填される溝部７４も有する。補助導電材９０は、溝部７４に空間７４ａが残るように充填される。

図５（ｂ）は、前記傾け工程が実行された後の有機ＥＬパネル１００を示す。なお、図５（ｂ）の左図は、前記傾け工程後の有機ＥＬパネル１００の正面図であり、図５（ｂ）の右図は、左図におけるＣ−Ｃ断面図である。前記傾け工程において、有機ＥＬパネル１００は、有機ＥＬパネル１００の切断部１０３が鉛直方向上側になるように、図５（ａ）の水平状態から徐々に傾けられ、有機ＥＬパネル１００の面が前記水平方向に対して概ね垂直になる（概ね鉛直方向に沿う）ように固定される。すると、溝部７４内の補助導電材９０は、溝部７４内を鉛直方向下側に流動し、図５（ｂ）の左図に示すように、補助電極３０に密着する。なお、補助導電材９０は、溝部７４内に空間７４ａが残るように充填されているため、前記傾け工程後には、有機ＥＬパネル１００の切断部１０３側の溝部７４に空間７４ａができる。そして、有機ＥＬパネル１００が概ね鉛直方向に沿った状態で補助導電材９０を熱硬化させ、有機ＥＬパネル１００の切断部１０３を切断する。以上に説明したように、有機ＥＬパネル１００を反転させる以外にも有機ＥＬパネル１００を傾けることで、補助導電材９０を補助電極３０に密着させるように流動させることができる。

また、補助導電材９０は、例えば、融点が１００℃のビスマス−鉛−スズ合金、融点が１２０℃のインジウム−スズ合金、融点が７２℃の大阪朝日メタル工場社製のＵ−７２などの低融点金属であってもよい。この場合、図３（ｂ）に示した前記充填工程では、溶融または半溶融した低融点金属９０を溝部７４に充填する。なお、前記硬化工程では、有機ＥＬパネルの一部または全部を冷却することで、低融点金属９０を硬化させてもよい。また、前記硬化工程の前に再加熱工程を加えてもよく、前記再加熱工程により、低融点金属９０を補助電極３０に密着させるように流動させることができる。低融点金属９０は、典型的には、樹脂系の導電材料より電気抵抗率が低く、第一電極２０の配線抵抗をより低く抑えた有機ＥＬパネル１００を製造することができる。

また、有機ＥＬパネル１００の第一端子部１０１や補助導電材９０の配置は適宜変更されてもよい。例えば、図６（ａ）（ｂ）に示すように、第一端子部１０１は、補助導電部９０の長手方向の一端のみに配置してもよい。また、図６（ｃ）に示されるように、第一端子部１０１と補助導電部９０とをそれぞれ有機ＥＬパネル１００の４辺に配置してもよい。

１００ 有機ＥＬパネル
１００ａ マルチ有機ＥＬ基板
１０１ 第一端子部
１０２ 第二端子部
１０ 支持基板
２０ 第一電極
３０ 補助電極
４０ 絶縁層
５０ 有機層
６０ 第二電極
７０ 封止部材
７１ 凹部
７２ 支持部
７３ 分割部
７４ 溝部
７４ａ 空間
７４ｂ 余剰部
７４ｃ 隙間部
８０ 接着剤
９０ 補助導電部（補助導電材）
９０ａ 追加補助導電部（追加補助導電材）

ＳＵＢ 素子基板
Ｅ 発光部

Claims (9)

1. 外部電源から共通配線で給電される透光性の第一電極と、前記第一電極と対となる第二電極と、前記第一電極と前記第二電極とで挟持される少なくとも発光層を有する有機層と、前記第一電極、前記第二電極、前記有機層を支持する支持基板とからなる素子基板を作成する工程と、
   封止部材に設けられた溝部に導電性材料を充填する工程と、
   前記支持基板上の少なくとも前記発光部の一部を前記封止部材で覆う工程と、
   上記工程で生成した有機ＥＬパネルを傾け、前記溝部に充填された前記導電性材料を前記支持基板側に向けて流動させる工程と、
   前記導電性材料を流動させる工程の後に、前記導電性材料を硬化する工程と、を有する、
   ことを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
2. 前記封止部材で覆う工程の前に、前記支持基板または／および前記封止部材に接着剤を塗布する工程と、
   前記封止部材で覆う工程の後であり、かつ前記導電性材料を流動させる工程の前に、前記接着剤を硬化させる工程と、を有する、
   ことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
3. 前記導電性材料と前記接着剤とは、硬化方法が異なる、
   ことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
4. 前記導電性材料は、熱硬化させ、前記接着剤は、ＵＶ硬化させる、
   ことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
5. 前記導電性材料を流動させる工程において、前記支持基板の面が前記封止部材の面より鉛直方向の下側になるように前記有機ＥＬパネルを傾ける、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
6. 前記導電性材料を流動させる工程において、前記支持基板の面が概ね鉛直方向に沿うように前記有機ＥＬパネルを傾ける、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
7. 前記導電性材料を前記溝部に充填する工程において、前記導電材料は、前記溝部に所定の空間を残すように充填される、
   ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれかにに記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
8. 前記導電性材料を流動させる工程の後であり、かつ前記導電性材料を硬化する工程の前に、前記有機ＥＬパネルの少なくとも一部を加熱する工程、前記有機ＥＬパネルの少なくとも一部を振動させる工程、前記有機ＥＬパネルの少なくとも一部に衝撃を加える工程、前記有機ＥＬパネルに遠心力を加える工程、から選ばれる一の工程又は二以上の工程を組み合わせた工程を有する、
   ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
9. 請求項１乃至８のいずれかに記載の製造方法により製造される有機ＥＬパネル。
   
   

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