JP2016174044A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】歩留まりを向上できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第2層を形成する工程と、第3層を形成する工程と、第2層の一部を除去する工程と、第3層を除去する工程と、第2層の他の一部を除去する工程と、を含む。 第2層は、第1方向に並ぶ複数の開口が設けられた第1領域を有する第1層の上と、それぞれの前記開口の内部の少なくとも一部と、に形成される。第3層は、第2層の上であって、第1方向において第1領域と離間した第1層の第2領域の上に形成される。第2層の一部は、第1領域と第2領域との間に位置する第1層の第3領域の上と、第1領域の上と、に形成された部分である。第2層の一部は、第3層をマスクとして用いて除去される。第2層の他の一部は、第1領域の上、第2領域の上、および第3領域の上、に設けられた部分である。
【選択図】図9
【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第2層を形成する工程と、第3層を形成する工程と、第2層の一部を除去する工程と、第3層を除去する工程と、第2層の他の一部を除去する工程と、を含む。 第2層は、第1方向に並ぶ複数の開口が設けられた第1領域を有する第1層の上と、それぞれの前記開口の内部の少なくとも一部と、に形成される。第3層は、第2層の上であって、第1方向において第1領域と離間した第1層の第2領域の上に形成される。第2層の一部は、第1領域と第2領域との間に位置する第1層の第3領域の上と、第1領域の上と、に形成された部分である。第2層の一部は、第3層をマスクとして用いて除去される。第2層の他の一部は、第1領域の上、第2領域の上、および第3領域の上、に設けられた部分である。
【選択図】図9
Description
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの半導体装置を製造する際、半導体層に開口を形成し、この開口の内部に層を形成することがある。この方法により、例えば、ゲート電極、あるいはゲート電極とソース電極との間に設けられた絶縁層が形成される。
これらの工程を含む半導体装置の製造方法において、歩留まりを向上できる技術が求められている。
これらの工程を含む半導体装置の製造方法において、歩留まりを向上できる技術が求められている。
本発明が解決しようとする課題は、歩留まりを向上できる半導体装置の製造方法を提供することである。
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、第2層を形成する工程と、第3層を形成する工程と、第2層の一部を除去する工程と、第3層を除去する工程と、第2層の他の一部を除去する工程と、を含む。
第2層は、第1方向に並ぶ複数の開口が設けられた第1領域を有する第1層の上と、それぞれの前記開口の内部の少なくとも一部と、に形成される。
第3層は、第2層の上であって、第1方向において第1領域と離間した第1層の第2領域の上に形成される。
第2層の一部は、第1領域と第2領域との間に位置する第1層の第3領域の上と、第1領域の上と、に形成された部分である。第2層の一部は、第3層をマスクとして用いて除去される。
第2層の他の一部は、第1領域の上、第2領域の上、および第3領域の上、に設けられた部分である。
第2層は、第1方向に並ぶ複数の開口が設けられた第1領域を有する第1層の上と、それぞれの前記開口の内部の少なくとも一部と、に形成される。
第3層は、第2層の上であって、第1方向において第1領域と離間した第1層の第2領域の上に形成される。
第2層の一部は、第1領域と第2領域との間に位置する第1層の第3領域の上と、第1領域の上と、に形成された部分である。第2層の一部は、第3層をマスクとして用いて除去される。
第2層の他の一部は、第1領域の上、第2領域の上、および第3領域の上、に設けられた部分である。
以下に、本発明の各実施形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
各実施形態の説明には、XYZ直交座標系を用いる。半導体層Sの主面に対して平行な方向であって相互に直交する2方向をX方向(第1方向)及びY方向とし、これらX方向及びY方向の双方に対して直交する方向をZ方向とする。
以下の説明において、n+およびn−の表記は、不純物濃度の相対的な高低を表す。すなわち、n+はn−よりもn形の不純物濃度が相対的に高いことを示す。
以下で説明する各実施形態について、各半導体領域のp形とn形を反転させて各実施形態を実施してもよい。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
各実施形態の説明には、XYZ直交座標系を用いる。半導体層Sの主面に対して平行な方向であって相互に直交する2方向をX方向(第1方向)及びY方向とし、これらX方向及びY方向の双方に対して直交する方向をZ方向とする。
以下の説明において、n+およびn−の表記は、不純物濃度の相対的な高低を表す。すなわち、n+はn−よりもn形の不純物濃度が相対的に高いことを示す。
以下で説明する各実施形態について、各半導体領域のp形とn形を反転させて各実施形態を実施してもよい。
実施形態に係る半導体装置100について、図1および図2を用いて説明する。
図1は、実施形態に係る半導体装置100の平面図である。
図2は、図1のA−A´断面図である。
なお、図1では、半導体層S、ソース電極31、およびゲート電極パッド33以外の要素は、省略されている。また、図1において、ゲート電極20およびゲート配線25は、破線で表している。
図1は、実施形態に係る半導体装置100の平面図である。
図2は、図1のA−A´断面図である。
なお、図1では、半導体層S、ソース電極31、およびゲート電極パッド33以外の要素は、省略されている。また、図1において、ゲート電極20およびゲート配線25は、破線で表している。
実施形態に係る半導体装置100は、例えば、MOSFETである。
実施形態に係る半導体装置100は、n+形ドレイン領域15と、n−形半導体領域11と、p形ベース領域12と、n+形ソース領域13と、ゲート電極20と、ゲート絶縁層21と、絶縁層22と、ゲート配線25と、絶縁層27と、ドレイン電極30と、ソース電極31と、ゲート電極パッド33と、を有する。
実施形態に係る半導体装置100は、n+形ドレイン領域15と、n−形半導体領域11と、p形ベース領域12と、n+形ソース領域13と、ゲート電極20と、ゲート絶縁層21と、絶縁層22と、ゲート配線25と、絶縁層27と、ドレイン電極30と、ソース電極31と、ゲート電極パッド33と、を有する。
図1に表すように、半導体層Sの上には、ソース電極31とゲート電極パッド33とが設けられている。ゲート配線25は、例えば環状に設けられている。一例として、ゲート配線25は、Z方向から見た場合にゲート配線25とゲート電極パッド33とが重なる位置において、不図示のビアを介してゲート電極パッド33と接続されている。
図2に表すように、半導体層Sは、表面S1および裏面S2を有する。ソース電極31は、半導体層Sの表面S1の側に設けられ、ドレイン電極30は、半導体層Sの裏面S2の側に設けられている。
n+形ドレイン領域15は、半導体層S中の裏面S2側に設けられている。n+形ドレイン領域15は、ドレイン電極30と電気的に接続されている。n+形ドレイン領域15の上には、n−形半導体領域11が設けられている。
n−形半導体領域11の一部の上には、p形ベース領域12が設けられている。p形ベース領域12は、例えば、X方向において複数設けられている。p形ベース領域12は、ゲート絶縁層21によってX方向において互いに分離されている。
p形ベース領域12の上には、n+形ソース領域13が選択的に設けられている。一例として、X方向において隣り合うゲート電極20の間には、複数のn+形ソース領域13が設けられている。
ゲート電極20は、ゲート絶縁層21を介して、少なくともp形ベース領域12と対向している。図2に表す例において、ゲート絶縁層21は、n−形半導体領域11、p形ベース領域12、およびn+形ソース領域13と、ゲート電極20と、の間に設けられている。
n+形ソース領域13は、ソース電極31と電気的に接続されている。ゲート電極20とソース電極31との間には絶縁層22が設けられ、ゲート電極20は、ソース電極31と電気的に分離されている。
ソース電極31は、p形ベース領域12、n+形ソース領域13、および絶縁層22に接するバリアメタル層を有していてもよい。
ゲート配線25および絶縁層27は、表面S1の側に設けられている。ゲート配線25は、複数のゲート電極20と電気的に接続されている。すなわち、ゲート電極20には、ゲート配線25およびゲート電極パッド33を介して電圧が印加される。図1および図2に表すように、ゲート配線25の一部および絶縁層27の一部は、複数のゲート電極20および複数のゲート絶縁層21と、X方向に離間して設けられている。
絶縁層27は、例えば、ソース電極31と接している。ゲート配線25は、Z方向において、絶縁層27を介してソース電極31と重なっていてもよい。また、ゲート配線25は、Z方向において、絶縁層27を介してp形ベース領域12と重なっていてもよい。
ドレイン電極30に、ソース電極31に対して正の電圧が印加された状態で、ゲート電極20に閾値以上の電圧が加えられると、MOSFETがオン状態となる。このとき、p形ベース領域12のゲート絶縁層21近傍の領域にチャネル(反転層)が形成される。
次に、実施形態に係る製造方法について説明する。
図3、図5〜図7、および図9〜図12は、実施形態に係る製造方法を表す工程断面図である。図4および図8は、実施形態に係る製造方法を表す工程平面図である。
図3(b)は、図4のA−A´断面図である。図7(b)は、図8のA−A´断面図である。図5〜図7および図9〜図12は、図4および図8のA−A´線に対応する位置における工程断面図である。
なお、図8では、開口OP1およびゲート配線25を破線で表している。
図3、図5〜図7、および図9〜図12は、実施形態に係る製造方法を表す工程断面図である。図4および図8は、実施形態に係る製造方法を表す工程平面図である。
図3(b)は、図4のA−A´断面図である。図7(b)は、図8のA−A´断面図である。図5〜図7および図9〜図12は、図4および図8のA−A´線に対応する位置における工程断面図である。
なお、図8では、開口OP1およびゲート配線25を破線で表している。
まず、n+形の半導体基板(以下、基板という)15aを用意する。基板15aの主成分は、例えば、シリコン(Si)である。基板15aの主成分は、ガリウムヒ素、炭化シリコン、または窒化ガリウムであってもよい。基板15aはn形不純物を含んでいる。n形不純物としては、例えば、ヒ素またはリンを用いることができる。
次に、図3(a)に表すように、基板15aの上に、n形不純物を添加しながらSiをエピタキシャル成長させることで、n−形半導体層11aを形成する。n−形半導体層11aは、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法を用いて形成される。
次に、図3(b)に表すように、開口OP1を形成する。開口OP1は、例えば、RIE(Reactive Ion Etching)法を用いて形成される。開口OP1を形成した後、RIEによって開口OP1の内壁に生じたダメージ層を、ウェットエッチングやCDE(Chemical Dry Etching)によって除去してもよい。
開口OP1は、X方向において複数形成される。また、それぞれの開口OP1は、Y方向に延びている。n−形半導体層11aは、図4に表すように、例えば、第1領域R1と、第2領域R2と、第3領域R3と、第4領域R4と、第5領域R5と、を有する。複数の開口OP1は、第1領域R1に形成される。第2領域R2および第4領域R4は、第1領域R1とX方向において離間している。第3領域R3は、第1領域R1と第2領域R2との間に位置する。第5領域R5は、第1領域R1と第4領域R4との間に位置する。
次に、図5(a)に表すように、n−形半導体層11aの表面に絶縁層IL1を形成する。絶縁層IL1は、例えば、熱酸化法を用いてn−形半導体層11aの表面を酸化することで形成される。
次に、図5(b)に表すように、絶縁層IL1の上に導電層CL1を形成する。このとき、導電層CL1は、第1領域R1〜第5領域R5の上に位置する。また、導電層CL1の一部は、開口OP1の内部に形成される。導電層CL1は、例えば、CVD法を用いて形成される。導電層CL1は、例えば、ポリシリコンを含む。
次に、図6(a)に表すように、導電層CL1の一部の上にマスクM1を形成する。このとき、例えば、マスクM1の一部は、第2領域R2の上に位置し、マスクM1の他の一部は、第4領域R4の上に位置する。さらに、マスクM1の一部が、第3領域R3の少なくとも一部の上および第5領域R5の少なくとも一部の上に位置していてもよい。
マスクM1は、例えば、フォトレジストおよび酸化シリコンを含む。マスクM1は、例えば、導電層CL1の表面を熱酸化することでシリコン酸化層を形成し、レジストマスクを用いてこのシリコン酸化層をパターニングすることで形成される。
次に、図6(b)に表すように、マスクM1を用いて導電層CL1の一部をエッチングする。導電層CL1の一部は、例えば、ウェットエッチング法、RIE法、またはCDE法を用いてエッチングされる。エッチング液としては、例えば、アルカリ性の溶液を用いることができる。RIE法またはCDE法を用いて導電層CL1を加工する場合、例えば、CF4などのフッ素含有ガスまたはHClなどの塩素含有ガスを用いることができる。
この工程により、導電層CL1の上面が後退し、それぞれの開口OP1の内部に互いに分離して設けられた複数のゲート電極20(第5層)が形成される。また、導電層CL1のうちマスクM1の下に位置する部分の少なくとも一部が残り、ゲート配線25が形成される。ゲート配線25は、第2領域R2の一部の上に位置している。
次に、マスクM1を除去する。続いて、図7(a)に表すように、n−形半導体層11a(第1層)の上に絶縁層IL2(第2層)を形成する。具体的には、絶縁層IL2は、絶縁層IL1の上、ゲート配線25の上、および複数のゲート電極20の上に形成される。絶縁層IL2は、例えば、CVD法により形成され、酸化シリコンを含む。絶縁層IL2の形成後に、例えば、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法などにより、絶縁層IL2の表面を平坦化してもよい。
次に、図7(b)に表すように、絶縁層IL2の上にマスクM2(第3層)を形成する。このとき、図8に表すように、マスクM2は、X−Y面に沿って環状に設けられる。マスクM2の一部は、第2領域R2の上に位置し、マスクM2の他の一部は、第4領域R4の上に位置している。すなわち、マスクM2の一部は、第1領域R1とX方向において離間して設けられる。マスクM2は、例えば、フォトレジストを含む。または、マスクM2は、絶縁層IL2に対して選択的に除去可能な材料を含むハードマスク、あるいはフォトレジストを含むマスクとハードマスクとが積層されたものであってもよい。
図7(b)に表すように、マスクM2のX方向における長さL1は、例えば、ゲート配線25のX方向における長さL2よりも長い。より具体的には、長さL2は、ゲート配線25のうちY方向に延びる部分のX方向における長さである。長さL1は、マスクM2のうちY方向に延びる部分のX方向における長さである。
続いて、図9(a)に表すように、マスクM2を用いて、第1領域R1の上、第3領域R3の上、および第5領域R5の上に位置する絶縁層IL2の一部をエッチングする。絶縁層IL2の一部は、例えば、RIE法により、反応性ガスの活性種を用いてエッチングされる。絶縁層IL2の一部は、CDE法を用いてエッチングされてもよい。反応性ガスとしては、例えば、CF4などのフッ化炭素系ガス、またはSF6などのフッ化硫黄系ガスを用いることができる。
このとき、第1領域R1の上、第3領域R3の上、および第5領域R5の上に位置する絶縁層IL2の一部が完全にエッチングされないように、絶縁層IL2をエッチングする。
次に、図9(b)に表すように、マスクM2を除去する。続いて、図10(a)に表すように、再度、絶縁層IL2の一部をエッチングする。絶縁層IL2の当該一部のエッチングには、例えば、RIE法またはCVD法が用いられる。このとき、絶縁層IL2のうちマスクM2の下に位置していた部分、および開口OP1内部に設けられた部分の少なくとも一部が残るように、絶縁層IL2の一部のエッチングが行われる。
この工程により、絶縁層IL2の上面が後退し、絶縁層IL2が複数に分離されて絶縁層22(第4層)が形成される。それぞれの絶縁層22は、それぞれの開口OP1の内部に設けられている。同時に、ゲート配線25と、少なくともX方向およびZ方向において重なる絶縁層27が形成される。また、絶縁層IL1も複数に分離され、ゲート絶縁層21が形成されうる。このとき、例えば、開口OP1の内壁の一部、ゲート絶縁層21の上面、および絶縁層22の上面から構成される開口OP2が形成される。
次に、図10(b)に表すように、n−形半導体層11aの表面にp形ベース領域12およびn+形ソース領域13を形成する。n−形半導体層11aのうち、p形ベース領域12およびn+形ソース領域13以外の領域が、図2に表すn−形半導体領域11に対応する。なお、p形ベース領域12およびn+形ソース領域13は、開口OP1の前に形成されていてもよい。
次に、図11(a)に表すように、n−形半導体層11aの上、開口OP1の内壁、および絶縁層27の上に、バリアメタル層31aを形成する。バリアメタル層31aは、例えば、チタン、窒化チタン、窒化タングステン、またはチタンタングステンを含む。
次に、バリアメタル層31aの上に導電層を形成し、この導電層をパターニングすることで、図11(b)に表すように、導電層31bが形成される。導電層31bは、例えば、アルミニウム、ニッケル、タングステン、または銅などの金属材料を含む。バリアメタル層31aと導電層31bとにより、図2に表すソース電極31が構成される。この工程で、同時にゲート電極パッド33も形成される。
なお、バリアメタル層31aの形成工程を行わずに、導電層31bを形成してもよい。この場合、ソース電極31は、導電層31bのみから構成されうる。または、バリアメタル層31aと導電層31bとの間に、さらに他の導電層が形成されていてもよい。
次に、図12(a)に表すように、基板15aが所定の厚さになるまで、基板15aの裏面を研磨する。続いて、図12(b)に表すように、基板の裏面にドレイン電極30を形成することで、半導体装置100が得られる。
次に、本実施形態に係る製造方法による作用および効果について説明する。
本実施形態に係る製造方法によれば、歩留まりを向上させることが可能である。
本実施形態に係る製造方法によれば、歩留まりを向上させることが可能である。
絶縁層IL2が加工されて絶縁層22が形成される過程で、n−形半導体層11aの一部の上に設けられた絶縁層IL2が除去され、n−形半導体層11aの当該一部の上面が露出する。この状態になると、n−形半導体層11aの当該一部の上にはエッチング対象となる材料が存在しないため、n−形半導体層11aの当該一部近傍の空間における活性種の量が、他の空間における活性種の量よりも多くなる。
図4に表される、複数の開口OP1が設けられた第1領域R1においては、開口OP1の内部に絶縁層IL2の一部が残っているため、活性種と絶縁層IL2の反応が生じる。しかし、第1領域R1の周りの、開口OP1が設けられていない第2領域R2では、絶縁層IL2はマスクに覆われており、かつ絶縁層IL2のマスクに覆われていない部分は既に除去されている。このため、第2領域R2上の空間における活性種の密度が第1領域R1上の空間における活性種の密度よりも高くなる。
この結果、第1領域R1の端に設けられた絶縁層IL2に対するエッチングレートは、第1領域R1の中心に設けられた絶縁層IL2に対するエッチングレートよりも高くなる。第1領域R1の端に設けられた絶縁層IL2に対するエッチングレートが高くなることで、第1領域R1の端に位置する開口OP1の内部に形成される絶縁層22の膜厚が、他の開口OP1の内部に形成される絶縁層22の膜厚よりも薄くなる。
絶縁層22の膜厚が薄くなると、ゲート電極20に電圧が印加された際に、絶縁層22の絶縁破壊が生じうる。または、ソース電極31とゲート電極20が導通してしまう可能性が生じる。
また、絶縁層22の膜厚が薄くなることで、開口OP2のアスペクト比が高くなる。開口OP2のアスペクト比が高くなると、その後に形成されるバリアメタル層31aや導電層31bによる開口の埋め込みが困難となりうる。特に、バリアメタル層31aの形成が求められる半導体装置において、開口OP2の内壁のうちバリアメタル層31aによって被覆されていない部分が生じると、導電層31bに含まれる金属材料のゲート絶縁層21や絶縁層22、n+形ソース領域13などへの拡散が生じうる。
本実施形態では、絶縁層IL2の一部を除去した後、n−形半導体層11aの上面が露出する前に、マスクM2を除去している。マスクM2の少なくとも一部は、第2領域R2に設けられている。従って、マスクM2を除去することで、n−形半導体層11aの上面が露出した後でも、絶縁層IL2のうちマスクM2の下に設けられていた部分が活性種と反応し、エッチングされる。
このため、第2領域R2上の空間における活性種の密度が第1領域R1上の空間における活性種の密度よりも高くなることを抑制できる。この結果、第1領域R1の端に設けられた絶縁層IL2に対するエッチングレートが、第1領域R1の中心に設けられた絶縁層IL2に対するエッチングレートよりも高くなることを抑制できる。
エッチングレートの差を低減することで、絶縁層22の絶縁破壊やソース電極31とゲート電極20の導通が生じる可能性を低減することが可能となる。従って、本実施形態によれば、半導体装置の製造における歩留まりを向上させることが可能となる。
また、本実施形態によれば、開口OP2の内壁のうちバリアメタル層31aによって被覆されていない部分が生じる可能性も低減することができる。このため、バリアメタル層31aの形成を行う場合における半導体装置の製造の歩留まりをより一層向上させることが可能となる。
(実施形態の変形例に係る製造方法)
上述した実施形態に係る製造方法の一例では、絶縁層IL2の加工にのみ、本実施形態に係る発明を適用した。本実施形態は、さらに、例えば、導電層CL1を加工する際に適用することも可能である。
上述した実施形態に係る製造方法の一例では、絶縁層IL2の加工にのみ、本実施形態に係る発明を適用した。本実施形態は、さらに、例えば、導電層CL1を加工する際に適用することも可能である。
実施形態の変形例に係る製造方法について、図13および図14を用いて、説明する。
図13および図14は、実施形態の変形例に係る製造方法を表す工程断面図である。図13および図14は、図1のA−A´線に対応する位置における断面図である。
図13および図14は、実施形態の変形例に係る製造方法を表す工程断面図である。図13および図14は、図1のA−A´線に対応する位置における断面図である。
まず、図3〜図5に表す工程と同様の工程を行い、絶縁層IL1の上に導電層CL1を形成する。次に、図13(a)に表すように、マスクM1を形成する。
次に、図13(b)に表すように、導電層CL1の一部を除去する。導電層CL1の当該一部は、例えば、RIE法により、反応性ガスの活性種を用いて除去される。導電層CL1の一部の除去は、CDE法を用いて行われてもよい。反応性ガスとしては、例えば、CF4などのフッ素含有ガスまたはHClなどの塩素含有ガスを用いることができる。
次に、図14(a)に表すように、マスクM1を除去する。続いて、図10(b)に表すように、再度、導電層CL1の一部を除去する。この結果、開口OP1の内部の一部に設けられたゲート電極20が形成される。
その後は、図5(b)〜図8に表す工程と同様の工程を行うことで、半導体装置100が作製される。
導電層CL1を反応性ガスの活性種を用いて加工する場合においても、絶縁層IL2の加工と同様の課題が生じうる。すなわち、導電層CL1のうちn−形半導体層11aの一部の上に形成されている部分が完全に除去されると、第2領域R2上の空間における活性種の密度が第1領域R1上の空間における活性種の密度よりも高くなる。
この結果、第1領域R1の端に設けられた導電層CL1に対するエッチングレートが、第1領域R1の中心に設けられた導電層CL1に対するエッチングレートよりも高くなる。第1領域R1の端に設けられた導電層CL1に対するエッチングレートが高くなることで、第1領域R1の端に位置する開口OP1の内部に形成されるゲート電極20の膜厚が、他の開口OP1の内部に形成されるゲート電極20の膜厚よりも薄くなる。
ゲート電極20の膜厚が薄くなると、ゲート電極20に電圧が印加された際にp形ベース領域12に形成されるチャネルが、n+形ソース領域13にまで達しない場合が生じうる。この結果、半導体装置の製造における歩留まりが低下する可能性がある。
これに対して、本変形例に係る発明を用いることで、第1領域R1の端に設けられた導電層CL1に対するエッチングレートが、第1領域R1の中心に設けられた導電層CL1に対するエッチングレートよりも高くなることを抑制できる。この結果、半導体装置の製造における歩留まりを向上させることが可能となる。
上述した実施形態に係る製造方法では、MOSFETを例に説明したが、本実施形態に係る発明は、トレンチゲート型のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)の製造など、開口内に材料の埋めこみを行い、開口内部以外の材料の除去を行う、他の半導体装置の製造方法にも適用することが可能である。
以上で説明した各実施形態における、各半導体領域の間の不純物濃度の相対的な高低については、例えば、SCM(走査型静電容量顕微鏡)を用いて確認することが可能である。なお、各半導体領域におけるキャリア濃度は、各半導体領域において活性化している不純物濃度と等しいものとみなすことができる。従って、上述した各実施形態の説明における不純物濃度は、キャリア濃度に置き換えても良い。各半導体領域の間のキャリア濃度の相対的な高低についても、SCMを用いて確認することができる。
また、各半導体領域における不純物濃度については、例えば、SIMS(二次イオン質量分析法)を用いて測定することができる。
また、各半導体領域における不純物濃度については、例えば、SIMS(二次イオン質量分析法)を用いて測定することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
100…半導体装置 11…n−形半導体領域 12…p形ベース領域 13…n+形ソース領域 15…n+形ドレイン領域 20…ゲート電極 21…ゲート絶縁層 22…絶縁層 25…ゲート配線 27…絶縁層 30…ドレイン電極 31…ソース電極
Claims (5)
- 第1方向に並ぶ複数の開口が設けられた第1領域を有する第1層の上と、それぞれの前記開口の内部の少なくとも一部と、に第2層を形成する工程と、
前記第2層の上であって、前記第1方向において前記第1領域と離間した前記第1層の第2領域の上に、第3層を形成する工程と、
前記第1領域と前記第2領域との間に位置する前記第1層の第3領域の上と、前記第1領域の上と、に形成された前記第2層の一部を、前記第3層をマスクとして用いて除去する工程と、
前記第3層を除去する工程と、
前記第3層を除去した後に、前記第1領域の上、前記第2領域の上、および前記第3領域の上、に設けられた前記第2層の他の一部を除去する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。 - 前記第2層の前記他の一部を除去することで、それぞれの前記開口の内部に互いに分離して設けられた複数の第4層を形成する請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2層のうち、前記第2領域の上に形成された部分の少なくとも一部を残すように、前記第2層の前記他の一部を除去する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1層は、それぞれの前記開口の内部の一部に設けられた第5層を有し、前記第2層を、前記第5層の上に形成する請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2層は、絶縁材料を含み、
前記第3層は、フォトレジストを含み、
前記第5層は、導電材料を含む請求項4記載の半導体装置の製造方法。
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