JP2016171155A - 高周波半導体用パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】プリント基板への実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線のインダクタンスを低減することができる高周波半導体用パッケージを提供すること。【解決手段】実施形態に係る高周波半導体用パッケージは、信号用リード線およびグランド用リード線を備える。前記信号用リード線は下層およびこの下層上に設けられた上層からなる。前記グランド用リード線は、前記信号用リード線の両側においてこのリード線から離間するように設けられる。このグランド用リード線は下層およびこの下層上に設けられた上層からなる。前記信号用リード線の前記上層と前記グランド用リード線の前記上層との間の容量は、前記信号用リード線の前記下層と前記グランド用リード線の前記下層との間の容量より大きい。【選択図】図２

Description

本発明の実施形態は、高周波半導体用パッケージに関する。

図３４は、プリント基板に実装された従来の高周波半導体用パッケージを示す分解斜視図である。また、図３５は、図３４の一点鎖線Ｙ−Ｙ´に沿った従来の高周波半導体用パッケージの部分断面図である。図３４に示す従来の高周波半導体用パッケージ１００は、基体１０１、この基体１０１の表面上に設けられた枠体１０２、および枠体１０２上に配置される板状の蓋体１０３、を有し、これらによって形成される空間Ｓ内に、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）等の高周波領域において使用される半導体素子を配置可能なものである。このような従来の高周波半導体用パッケージ１００においては、枠体１０２を貫通するように第１、第２の誘電体ブロック１０４ａ、１０４ｂ（図３５）が設けられており、第１の誘電体ブロック１０４ａ上には、枠体１０２を貫通するように配線パターン１０５が設けられている。そして、枠体１０２の外部において露出する配線パターン１０５上には、パッケージ１００の内部の半導体素子（図示せず）に対して高周波を入出力するための信号用リード線１０６が設けられている。

このような従来の高周波半導体用パッケージ１００は、中央部に高周波半導体用パッケージ１００が配置される凹部１９１を有する金属筐体１９４と、高周波半導体用パッケージ１００が配置される凹部１９１に対応する領域が開口された板状の誘電体からなるプリント基板１９０と、プリント基板１９０の表面上に設けられた信号用配線１９２に接続されて使用される。すなわち、従来の高周波半導体用パッケージ１００は、信号用リード線１０６がプリント基板１９０の信号用配線１９２に接触した状態で、金属筐体１９４の凹部１９１に配置される。従来の高周波半導体用パッケージ１００は、このようにしてプリント基板１９０に実装して使用される。

ここで、通常、金属筐体１９４の凹部１９１は、公差を吸収するため、実装される高周波半導体用パッケージ１００より少し大きいサイズを有する。したがって、高周波半導体用パッケージ１００を金属筐体１９４に実装すると、図３５に示すように、パッケージ１００の側面と金属筐体１９４の凹部１９１との間に隙間Ｇが生じる。そして、パッケージ１００に設けられた信号用リード線１０６は、この隙間Ｇ上に配置される。このように配置される信号用リード線１０６を伝播する高周波信号は、信号用リード線に比べて接地ラインが長くなるため、信号用リード線１０６の寄生容量が小さく、信号用リード線１０６のインダクタンスが大きくなる、という問題が生じる。

この問題を解決するための手段として、図３６に示すように、高周波半導体用パッケージの信号用リード線１０６の近傍にスルーホール（図示せず）によりグランド電位をもつグランド用リード線１０７を設ける手段が知られている。これによれば、信号用リード線１０６とグランド用リード線１０７との距離ｄ１を、信号用リード線１０６と金属筐体１９４の凹部１９１の底面との距離Ｌ（図３５）より短くすることができるため、信号用リード線１０６の寄生容量を大きくすることができ、信号用リード線１０６のインダクタンスを低下させることができる。

近年の高周波化にともない、信号用リード線１０６のインダクタンスをより低下させることが望まれている。インダクタンスをより低下させるためには、グランド用リード線１０７をより信号用リード線１０６に近付ければよい。しかし、グランド用リード線１０７を信号用リード線１０６に所定距離以上近付けると、これらのリード線１０６、１０７をプリント基板１９０の信号用配線１９２、グランド用配線１９３に接続するために使用される半田等がリード線１０６、１０７と配線１９２、１９３との間に漏れ出すことによって、信号用リード線１０６とグランド用リード線１０７とが電気的に短絡される、という問題が生じ、高周波半導体用パッケージの実装時における信頼性が低下する。

また、信号用リード線のインダクタンスをより低下させるために、図３７に示すように、信号用リード線１０６´の一部に張り出し部１０６ａ´を設け、信号用リード線１０６´の一部の線幅を幅広に形成する手段も考えられる。しかし、この手段を採用した場合、プリント基板１９０と高周波半導体用パッケージとの合わせずれにより、信号用リード線１０６´が、プリント基板１９０のグランド用配線１９３に接触する場合がある、という問題が生じる。

このように、従来の高周波半導体用パッケージにおいては、実装ボードへの実装時における信頼性を損なうことなく、信号用リード線のインダクタンスをより低下させることは困難であった。

特開２０１２−２４３７８１号公報 特開２０１０−１７７３６４号公報

実施形態は、実装ボードへの実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線のインダクタンスを低減することができる高周波半導体用パッケージを提供することを目的とする。

実施形態に係る高周波半導体用パッケージは、板状の基体、枠体、蓋体、第一、第二の誘電体ブロック、信号用配線パターン、信号用リード線、グランド用配線パターン、およびグランド用リード線、を備える。前記枠体は、前記基体の表面上に設けられている。前記蓋体は、前記枠体上に配置されている。前記第一、第２の誘電体ブロックは、前記枠体を貫通している。前記信号用配線パターンは、前記第一の誘電体ブロック上に設けられている。前記信号用リード線は、前記枠体から露出する前記信号用配線パターンに固定されている。前記グランド用配線パターンは、前記信号用配線パターンの両側においてこのパターンから離間するように前記第一の誘電体ブロック上に設けられている。前記グランド用リード線は、前記信号用リード線の両側においてこのリード線から離間し、かつ前記枠体から露出する前記グランド用配線パターンに固定されている。前記信号用リード線は、前記信号用配線パターンに接触する下層およびこの下層上に設けられた上層からなり、前記グランド用リード線は、前記グランド用配線パターンに接触する下層およびこの下層上に設けられた上層からなる。そして、前記信号用リード線の前記上層と前記グランド用リード線の前記上層との間の容量は、前記信号用リード線の前記下層と前記グランド用リード線の前記下層との間の容量より大きくなっている。

第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージを示す分解斜視図である。 図１に示す高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す斜視図である。 図１に示す高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す上面図である。 図３の一点鎖線Ｘ１−Ｘ１´に沿って示す信号用リード線、グランド用リード線、プリント基板、および金属筐体の断面図である。 第１の実施形態の第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２に対応する斜視図である。 第１の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図４に対応する断面図である。 第１の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２に対応する斜視図である。 第１の実施形態の第４の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２に対応する斜視図である。 第１の実施形態の第５の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部の、図３の一点鎖線Ｘ２−Ｘ２´に沿った断面に対応する断面図であって、信号用リード線、グランド用リード線、信号用配線パターン、グランド用配線パターン、および第１の誘電体ブロックの断面図である。 第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す、図２に対応する斜視図である。 第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す、図３に対応する上面図である。 図１１の一点鎖線Ｘ１−Ｘ１´に沿って示す信号用リード線、グランド用リード線、プリント基板、および金属筐体の断面図である。 第２の実施形態の第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１０に対応する斜視図である。 第２の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１２に対応する断面図である。 第２の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１０に対応する斜視図である。 第２の実施形態の第４の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１０に対応する斜視図である。 第２の実施形態の第５の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部の、図１１の一点鎖線Ｘ２−Ｘ２´に沿った断面に対応する断面図であって、信号用リード線、グランド用リード線、信号用配線パターン、グランド用配線パターン、および第１の誘電体ブロックの断面図である。 第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す、図２に対応する斜視図である。 第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す、図３に対応する上面図である。 図１９の一点鎖線Ｘ１−Ｘ１´に沿って示す信号用リード線、グランド用リード線、プリント基板、および金属筐体の断面図である。 第３の実施形態の第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１８に対応する斜視図である。 第３の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２０に対応する断面図である。 第３の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１８に対応する斜視図である。 第３の実施形態の第４の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１８に対応する斜視図である。 第３の実施形態の第５の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部の、図１９の一点鎖線Ｘ２−Ｘ２´に沿った断面に対応する断面図であって、信号用リード線、グランド用リード線、信号用配線パターン、グランド用配線パターン、および第１の誘電体ブロックの断面図である。 第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージのリード線およびその近傍を拡大して示す、図２に対応する斜視図である。 第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す、図３に対応する斜視図である。 図２７の一点鎖線Ｘ１−Ｘ１´に沿って示す信号用リード線、グランド用リード線、プリント基板、および金属筐体の断面図である。 第４の実施形態の第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２６に対応する斜視図である。 第３の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２８に対応する断面図である。 第４の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２６に対応する斜視図である。 第４の実施形態の第４の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２６に対応する斜視図である。 第４の実施形態の第５の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部の、図２７の一点鎖線Ｘ２−Ｘ２´に沿った断面に対応する断面図であって、信号用リード線、グランド用リード線、信号用配線パターン、グランド用配線パターン、および第１の誘電体ブロックの断面図である。 従来の高周波半導体用パッケージを示す分解斜視図である。 図３４の一点鎖線Ｙ−Ｙ´に沿って示す従来の高周波半導体用パッケージの部分断面図である。 他の従来例に係る高周波半導体用パッケージの一部を拡大して示す要部斜視図である。 さらに他の従来例に係る高周波半導体用パッケージの一部を拡大して示す要部斜視図である。

以下、本実施形態に係る高周波半導体用パッケージについて説明する。

＜第１の実施形態＞
図１は、実装基板の一例である実装ボードに実装された第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージを示す分解斜視図である。図１に示すように、高周波半導体用パッケージ１０は、板状の基体１１、この基体１１の表面上に設けられた枠体１２、および枠体１２上に配置される板状の蓋体１３、を有する。基体１１、枠体１２、および蓋体１３はそれぞれ、例えば金属製である。

この高周波半導体用パッケージ１０において、基体１１、枠体１２、および蓋体１３、によって囲まれる空間Ｓ内には、例えば電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）等の半導体素子（図示せず）、入出力用の整合回路等、を配置することができる。

このような高周波半導体用パッケージ１０には、枠体１２を貫通するように第１、第２の誘電体ブロック１６ａ、１６ｂ（図２）が設けられており、第１の誘電体ブロック１６ａ上には、枠体１２を貫通するように信号用配線パターン１７が設けられている。そして、枠体１２の外部において露出する信号用配線パターン１７上には、パッケージ１０の内部に配置される半導体素子に高周波を供給する、あるいは内部に配置された半導体素子から出力される高周波をパッケージ１０の外部に導くための信号用リード線１４が、枠体１２から突出するように設けられている。

また、高周波半導体用パッケージ１０の第１の誘電体ブロック１６ａ上の配線パターン１７の両側において、信号用配線パターン１７から離間する位置にはそれぞれ、グランド用配線パターン１８が設けられている。

また、高周波半導体用パッケージ１０の信号用リード線１４の両側において、グランド用配線パターン１８上かつ信号用リード線１４から離間する位置にはそれぞれ、グランド用リード線１５が設けられている。

なお、このような信号用リード線１４およびグランド用リード線１５は、図１に示すように枠体１２の一側面から突出するように設けられる他、この側面に対向する枠体の他の一側面にも同様に設けられている。

このような高周波半導体用パッケージ１０が実装されるプリント基板９０は、板状の誘電体であり、金属筐体９４の表面に設けられている。プリント基板９０が設けられる金属筐体９４には、高周波半導体用パッケージ１０が配置される凹部９１が設けられており、プリント基板９０は、に対応する領域が開口されている。

金属筐体９４の凹部９１は、高周波半導体用パッケージ１０が配置される領域であり、高周波半導体用パッケージ１０の基体１１より少し大きいサイズを有するように設けられている。したがって、この凹部９１内に高周波半導体用パッケージ１０を配置すると、凹部９１の側面と高周波半導体用パッケージ１０との間には、従来の高周波半導体用パッケージ１００をプリント基板９０に実装した際に生じる隙間Ｇ（図３５）と同様の隙間が生じる。

また、金属筐体９４の凹部９１を除く枠状の表面上には、信号用配線９２およびグランド用配線９３を有するプリント基板９０が設けられている。そして、グランド用配線９３は、この信号用配線９２の両側においてこの配線９２から離間した位置に、信号用配線９２に沿うように設けられ、プリント基板９０を貫通するスルーホール９３ａ（図４）によって金属筐体９４に電気的に接続されている。

上述の高周波半導体用パッケージ１０をこのような金属筐体９４の凹部９１内に配置する。そして、パッケージ１０の信号用リード線１４を、プリント基板９０の信号用配線９２に、例えば半田材（図示せず）等によって固定し、パッケージ１０のグランド用リード線１５を、プリント基板９０のグランド用配線９３に、例えば半田材（図示せず）等によって固定する。このようにして、高周波半導体用パッケージ１０は、プリント基板９０に実装される。

図２は、以上に説明した高周波半導体用パッケージ１０の信号用リード線１４およびその近傍を拡大して示す斜視図であり、図３は、以上に説明した高周波半導体用パッケージ１０の信号用リード線１４およびその近傍を拡大して示す上面図である。また、図４は、図３の一点鎖線Ｘ１−Ｘ１´に沿って示す信号用リード線１４、グランド用リード線１５、プリント基板９０、および金属筐体９４の断面図である。以下に、図２〜図４を参照して、高周波半導体用パッケージ１０の信号用リード線１４およびその近傍の構成を、さらに詳細に説明する。

図２および図３に示すように、枠体１２の一側面には、この側面を貫通するように第１の誘電体ブロック１６ａが設けられている。この誘電体ブロック１６ａの表面には、信号用配線パターン１７（図３）およびグランド用配線パターン１８が設けられている。そして、このような配線パターン１７、１８を有する第１の誘電体ブロック１６ａ上には、第２の誘電体ブロック１６ｂが設けられている。

図３に示すように、信号用配線パターン１７は、第１の誘電体ブロック１６ａの表面上に、枠体１２を貫通し、枠体１２の内部および外部において露出されるように設けられている。また、グランド用配線パターン１８は、信号用配線パターン１７の両側においてこの配線パターン１７から離間した位置に、信号用配線パターン１７に沿うように設けられている。すなわち、グランド用配線パターン１８も信号用配線パターン１７と同様に、第１の誘電体ブロック１６ａの表面上に、枠体１２を貫通し、枠体１２の内部および外部において露出されるように設けられている。さらにグランド用配線パターン１８はキャスタレーション、もしくはスルーホールによって基体１１に電気的に接続されている。

図３に示すように、上述の信号用リード線１４は、信号用配線パターン１７のうち、枠体１２の外部において露出する領域に例えば銀ろう材（図示せず）によって固定されている。また、グランド用リード線１５は、グランド用配線パターン１８のうち、枠体１２の外部において露出する領域に例えば銀ろう材（図示せず）によって固定されている。

ここで、図２および図４に示すように、信号用リード線１４は、下層１４ａおよび上層１４ｂによって構成された金属からなる。このような２層構造の信号用リード線１４の厚さは限定されないが、例えば従来の高周波半導体用パッケージ１００の信号用リード線１０６（図３６）と同程度である。

図４に示すように、信号用リード線１４の下層１４ａは、線幅Ｗ１の帯状の金属からなる。信号用リード線１４の上層１４ｂは、少なくとも下層１４ａより広い線幅Ｗ２を有する帯状の金属からなる。これにより信号用リード線１４の上層１４ｂとグランド用リード線の上層１５ｂとのギャップは、信号用リード線１４の下層１４ａとグランド用リード線の下層１５ａとのギャップよりも小さくなるので、信号用リード線１４全体の寄生容量（信号用リード線１４とグランド用リード線１５との間の容量）は増加する。なお、図２および図３に示されるように、信号用リード線１４の下層１４ａの長さと上層１４ｂの長さとは、実質的に等しくなっている。

このような信号用リード線１４は、下層１４ａがプリント基板９０の信号用配線９２に、例えば半田材（図示せず）によって固定されることによって、プリント基板９０の信号用配線９２に電気的に接続される。

また、図２および図４に示すように、グランド用リード線１５は、下層１５ａおよび上層１５ｂによって構成された金属からなる。このような２層構造のグランド用リード線１５の厚さは、信号用リード線１４と同程度である。

図４に示すように、グランド用リード線１５の下層１５ａは、線幅Ｗ３の帯状の金属からなる。グランド用リード線１５の上層１５ｂは、信号用リード線１４全体の寄生容量を増加させるためのものであり、下層１５ａに一致する線幅Ｗ３を有する帯状の金属からなる。なお、図２および図３に示されるように、グランド用リード線１５の下層１５ａの長さと上層１５ｂの長さとは、実質的に等しくなっている。

グランド用リード線１５の線幅Ｗ３は、信号用リード線１４の下層１４ａの線幅Ｗ１と同一でもよいし、異なっていてもよい。

このようなグランド用リード線１５は、下層１５ａがプリント基板９０のグランド用配線９３に、例えば半田材（図示せず）によって固定されることによって、プリント基板９０のグランド用配線９３に電気的に接続される。

このように構成された信号用リード線１４およびグランド用リード線１５において、それぞれの下層１４ａ、１５ａ間の距離ｄ１は、所定の距離以上となっている。ここで、所定の距離とは、高周波半導体用パッケージ１０の実装時における所定の信頼性を確保するために最低限必要な距離である。下層１４ａ、１５ａ間の距離ｄ１が所定の距離より短くなると、信号用リード線１４の下層１４ａをプリント基板９０の信号用配線９２に固定する際に使用される半田材の漏れ出し、若しくは、グランド用リード線１５の下層１５ａをプリント基板９０のグランド用配線９３に固定する際に使用される半田材の漏れ出しによって、両者が短絡する可能性が高くなり、高周波半導体用パッケージ１０の実装時における信頼性が低下する。

これに対して、信号用リード線１４の上層１４ｂとグランド用リード線１５の上層１５ｂとの間の距離ｄ２は、下層１４ａ、１５ａ間の距離ｄ１より短くなっている。すなわち、信号用リード線１４の上層１４ｂおよびグランド用リード線１５の上層１５ｂは、信号用リード線１４の上層１４ｂの寄生容量Ｃ２が、信号用リード線１４の下層１４ａの寄生容量Ｃ１より大きくなるように設けられている。これによって、信号用リード線１４全体の寄生容量を、従来の高周波半導体用パッケージ１００の信号用リード線１０６（図３６）の寄生容量より大きくすることができる。

以上に説明したように、本実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０によれば、信号用リード線１４およびグランド用リード線１５を、これらの下層１４ａ、１５ａ間の距離ｄ１が所定の距離以上離れるように設けている。さらに、信号用リード線１４の下層１４ａ上に、下層１４ａより幅広の上層１４ｂを設け、グランド用リード線１５の下層１５ａ上に、下層１５ａと同一幅の上層１５ｂを設け、これによって、信号用リード線１４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線１４のインダクタンスを低減することができる。

＜第１の実施形態の第１の変形例＞
図５は、第１の実施形態の第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と比較して、信号用リード線１４の上層１４ｂ上およびグランド用リード線１５の上層１５ｂ上に、一枚の誘電体基板１９が配置されている点が異なっている。この誘電体基板１９としては、例えばポリイミド基板等のように、絶縁性の基板であれば適用可能である。なお、他の構成については第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と同様に、信号用リード線１４の下層１４ａ上に、下層１４ａより幅広の上層１４ｂを設け、信号用リード線１４の下層１４ａから所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線１５の下層１５ａ上に、下層１５ａと同一幅の上層１５ｂを設け、これによって、信号用リード線１４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、高周波半導体用パッケージ１０と同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線１４のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線１４上およびグランド用リード線１５上に一枚の誘電体基板１９を配置することにより、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と比較して、信号用リード線１４とグランド用リード線１５との間の誘電率を高くすることができる。したがって、信号用リード線１４全体の寄生容量をより大きくすることができ、信号用リード線１４のインダクタンスをより低減することができる。

＜第１の実施形態の第２の変形例＞
図６は、第１の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図４に対応する断面図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と比較して、信号用リード線１４とグランド用リード線１５との間が、絶縁性の樹脂体２０で充填されている点が異なっている。樹脂体２０としては、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のように、絶縁性の樹脂であれば適用可能である。なお、他の構成については第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と同様に、信号用リード線１４の下層１４ａ上に、下層１４ａより幅広の上層１４ｂを設け、信号用リード線１４の下層１４ａから所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線１５の下層１５ａ上に、下層１５ａと同一幅の上層１５ｂを設け、これによって、信号用リード線１４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、高周波半導体用パッケージ１０と同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線１４のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線１４およびグランド用リード線１５との間に樹脂体２０を充填することにより、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と比較して、信号用リード線１４とグランド用リード線１５との間の誘電率を高くすることができる。したがって、信号用リード線１４全体の寄生容量をより大きくすることができ、信号用リード線１４のインダクタンスをより低減することができる。

＜第１の実施形態の第３の変形例＞
図７は、第１の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と比較して、信号用リード線１４´の上層１４ｂ´が、信号用リード線１４´の下層１４ａ´より短くなっているとともに、グランド用リード線１５´の上層１５ｂ´が、グランド用リード線１５´の下層１５ａ´より短くなっている点が異なっている。この結果、信号用リード線１４´の下層１４ａ´の先端、およびグランド用リード線１５´の下層１５ａ´の先端、はそれぞれ露出している。なお、他の構成については第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と同様に、信号用リード線１４´の下層１４ａ´上に、下層１４ａ´より幅広の上層１４ｂ´を設け、信号用リード線１４´の下層１４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線１５´の下層１５ａ´上に、下層１５ａ´と同一幅の上層１５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線１４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、高周波半導体用パッケージ１０と同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線１４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線１４´の下層１４ａ´の先端、およびグランド用リード線１５´の下層１５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線１４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線１５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができる。したがって、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第１の実施形態の第４の変形例＞
図８は、第１の実施形態の第４の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第１の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線１４´の上層１４ｂ´上およびグランド用リード線１５´の上層１５ｂ´上に、一枚の誘電体基板１９´が配置されている点が異なっている。この誘電体基板１９´としては、例えばポリイミド基板等のように、絶縁性の基板であれば適用可能である。なお、他の構成については第１の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線１４´の下層１４ａ´上に、下層１４ａ´より幅広の上層１４ｂ´を設け、信号用リード線１４´の下層１４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線１５の下層１５ａ´上に、下層１５ａ´と同一幅の上層１５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線１４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線１４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、信号用リード線１４´上およびグランド用リード線１５´上に一枚の誘電体基板１９´を配置することにより、信号用リード線１４´全体の寄生容量をより大きくすることができる。したがって、信号用リード線１４´のインダクタンスをより低減することができる。

さらに、信号用リード線１４´の上層１４ｂ´を下層１４ａ´より短くするとともに、グランド用リード線１５´の上層１５ｂ´を下層１５ａ´より短くし、これによって、信号用リード線１４´の下層１４ａ´の先端、およびグランド用リード線１５´の下層１５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線１４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線１５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができ、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第１の実施形態の第５の変形例＞
図９は、第１の実施形態の第５の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要の、図３の一点鎖線Ｘ２−Ｘ２´に沿った断面に対応する断面図であって、信号用リード線、グランド用リード線、信号用配線パターン、グランド用配線パターン、および第１の誘電体ブロックの断面図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第１の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線１４´とグランド用リード線１５´との間が、絶縁性の樹脂体２０´で充填されている点が異なっている。さらにこの高周波半導体用パッケージにおいては、第１の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線１４´の上層１４ｂ´が、信号用リード線１４´の下層１４ａ´より短くなっているとともに、グランド用リード線１５´の上層１５ｂ´が、グランド用リード線１５´の下層１５ａ´より短くなっている点が異なっている。樹脂体２０´としては、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のように、絶縁性の樹脂であれば適用可能である。なお、他の構成については第１の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線１４´の下層１４ａ´上に、下層１４ａ´より幅広の上層１４ｂ´を設け、信号用リード線１４´の下層１４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線１５の下層１５ａ´上に、下層１５ａ´と同一幅の上層１５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線１４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線１４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、信号用リード線１４´とグランド用リード線１５´との間を絶縁性の樹脂体２０´で充填することにより、信号用リード線１４´全体の寄生容量をより大きくすることができる。したがって、信号用リード線１４´のインダクタンスをより低減することができる。

さらに、信号用リード線１４´の上層１４ｂ´を下層１４ａ´より短くするとともに、グランド用リード線１５´の上層１５ｂ´を下層１５ａ´より短くし、これによって、信号用リード線１４´の下層１４ａ´の先端、およびグランド用リード線１５´の下層１５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線１４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線１５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができ、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第２の実施形態＞
図１０は、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す斜視図であり、図１１は、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す上面図である。また、図１２は、図１１の一点鎖線Ｘ１−Ｘ１´に沿って示す信号用リード線、グランド用リード線、プリント基板、および金属筐体の断面図である。以下に、図１０〜図１２を参照して、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍の構成を詳細に説明する。なお、以下の記載において、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と同一箇所については同一符号を付すともに説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。

図１０および図１２に示すように、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線２４は、下層２４ａおよび上層２４ｂによって構成された金属からなる。このような２層構造の信号用リード線２４の厚さは限定されないが、例えば従来の高周波半導体用パッケージ１００の信号用リード線１０６（図３６）と同程度である。

図１２に示すように、信号用リード線２４の下層２４ａは、線幅Ｗ１の帯状の金属からなる。信号用リード線２４の上層２４ｂは、信号用リード線２４全体の寄生容量を増加させるためのものであり、下層２４ａに一致する線幅Ｗ１を有する帯状の金属からなる。なお、図１０および図１１に示されるように、信号用リード線２４の下層２４ａの長さと上層２４ｂの長さとは、実質的に等しくなっている。

また、図１０および図１２に示すように、グランド用リード線２５は、下層２５ａおよび上層２５ｂによって構成された金属からなる。このような２層構造のグランド用リード線２５の厚さは、信号用リード線２４と同程度である。

図１２に示すように、グランド用リード線２５の下層２５ａは、線幅Ｗ３の帯状の金属からなる。グランド用リード線２５の上層２５ｂは、少なくとも下層２５ａより広い線幅Ｗ４を有する帯状の金属からなる。これにより信号用リード線２４の上層２４ｂとグランド用リード線の上層２５ｂとのギャップは、信号用リード線２４の下層２４ａとグランド用リード線の下層２５ａとのギャップよりも小さくなるので、信号用リード線２４全体の寄生容量（信号用リード線２４とグランド用リード線２５との間の容量）は増加する。なお、図１０および図１１に示されるように、グランド用リード線２５の下層２５ａの長さと上層２５ｂの長さとは、実質的に等しくなっている。

このように構成された信号用リード線２４およびグランド用リード線２５においても、それぞれの下層２４ａ、２５ａ間の距離ｄ１は、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装時における所定の信頼性を確保するために最低限必要な距離以上となっている。

これに対して、信号用リード線２４の上層２４ｂとグランド用リード線２５の上層２５ｂとの間の距離ｄ２は、下層２４ａ、２５ａ間の距離ｄ１より短くなっている。すなわち、信号用リード線２４の上層２４ｂおよびグランド用リード線２５の上層２５ｂは、信号用リード線２４の上層２４ｂの寄生容量Ｃ２が、信号用リード線２４の下層２４ａの寄生容量Ｃ１より大きくなるように設けられている。これによって、信号用リード線２４全体の寄生容量を、従来の高周波半導体用パッケージ１００の信号用リード線１０６（図３６）の寄生容量より大きくすることができる。

以上に説明したように、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線２４およびグランド用リード線２５を、これらの下層２４ａ、２５ａ間の距離ｄ１が所定の距離以上離れるように設けている。さらに、信号用リード線２４の下層２４ａ上に、下層２４ａと同一幅の上層２５ｂを設け、グランド用リード線２５の下層２５ａ上に、下層２５ａより幅広の上層２５ｂを設け、これによって、信号用リード線２４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線２４のインダクタンスを低減することができる。

＜第２の実施形態の第１の変形例＞
図１３は、第２の実施形態の第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１０に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線２４の上層２４ｂ上およびグランド用リード線２５の上層２５ｂ上に、一枚の誘電体基板２９が配置されている点が異なっている。この誘電体基板２９としては、例えばポリイミド基板等のように、絶縁性の基板であれば適用可能である。なお、他の構成については第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様に、信号用リード線２４の下層２４ａ上に、下層２４ａ同一幅の上層２４ｂを設け、信号用リード線２４の下層２４ａから所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線２５の下層２５ａ上に、下層２５ａより幅広の上層２５ｂを設け、これによって、信号用リード線２４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線２４のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線２４上およびグランド用リード線２５上に一枚の誘電体基板２９を配置することにより、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線２４とグランド用リード線２５との間の誘電率を高くすることができる。したがって、信号用リード線２４全体の寄生容量をより大きくすることができ、信号用リード線２４のインダクタンスをより低減することができる。

＜第２の実施形態の第２の変形例＞
図１４は、第２の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１２に対応する断面図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線２４とグランド用リード線２５との間が、絶縁性の樹脂体３０で充填されている点が異なっている。樹脂体３０としては、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のように、絶縁性の樹脂であれば適用可能である。なお、他の構成については第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様に、信号用リード線２４の下層２４ａ上に、下層２４ａ同一幅の上層２４ｂを設け、信号用リード線２４の下層２４ａから所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線２５の下層２５ａ上に、下層２５ａより幅広の上層２５ｂを設け、これによって、信号用リード線２４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線２４のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線２４およびグランド用リード線２５との間に樹脂体３０を充填することにより、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線２４とグランド用リード線２５との間の誘電率を高くすることができる。したがって、信号用リード線２４全体の寄生容量をより大きくすることができ、信号用リード線２４のインダクタンスをより低減することができる。

＜第２の実施形態の第３の変形例＞
図１５は、第２の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１０に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線２４´の上層２４ｂ´が、信号用リード線２４´の下層２４ａ´より短くなっているとともに、グランド用リード線２５´の上層２５ｂ´が、グランド用リード線２５´の下層２５ａ´より短くなっている点が異なっている。この結果、信号用リード線２４´の下層２４ａ´の先端、およびグランド用リード線２５´の下層２５ａ´の先端、はそれぞれ露出している。なお、他の構成については第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様に、信号用リード線２４´の下層２４ａ´上に、下層２４ａ´同一幅の上層２４ｂ´を設け、信号用リード線２４´の下層２４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線２５´の下層２５ａ´上に、下層２５ａ´より幅広の上層２５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線２４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、第２の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線２４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線２４´の下層２４ａ´の先端、およびグランド用リード線２５´の下層２５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線２４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線２５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができる。したがって、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第２の実施形態の第４の変形例＞
図１６は、第２の実施形態の第４の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１０に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第２の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線２４´の上層２４ｂ´上およびグランド用リード線２５´の上層２５ｂ´上に、一枚の誘電体基板２９´が配置されている点が異なっている。この誘電体基板２９´としては、例えばポリイミド基板等のように、絶縁性の基板であれば適用可能である。なお、他の構成については第２の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線２４´の下層２４ａ´上に、下層２４ａ´同一幅の上層２４ｂ´を設け、信号用リード線２４´の下層２４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線２５´の下層２５ａ´上に、下層２５ａ´より幅広の上層２５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線２４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線２４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、信号用リード線２４´上およびグランド用リード線２５´上に一枚の誘電体基板２９´を配置することにより、信号用リード線２４´全体の寄生容量をより大きくすることができる。したがって、信号用リード線２４´のインダクタンスをより低減することができる。

さらに、信号用リード線２４´の上層２４ｂ´を下層２４ａ´より短くするとともに、グランド用リード線２５´の上層２５ｂ´を下層２５ａ´より短くし、これによって、信号用リード線２４´の下層２４ａ´の先端、およびグランド用リード線２５´の下層２５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線２４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線２５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができ、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第２の実施形態の第５の変形例＞
図１７は、第２の実施形態の第５の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部の、図１１の一点鎖線Ｘ２−Ｘ２´に沿った断面に対応する断面図であって、信号用リード線、グランド用リード線、信号用配線パターン、グランド用配線パターン、および第１の誘電体ブロックの断面図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第２の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線２４´とグランド用リード線２５´との間が、絶縁性の樹脂体３０´で充填されている点が異なっている。さらにこの高周波半導体用パッケージにおいては、第２の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線２４´の上層２４ｂ´が、信号用リード線２４´の下層２４ａ´より短くなっているとともに、グランド用リード線２５´の上層２５ｂ´が、グランド用リード線２５´の下層４５ａ´より短くなっている点が異なっている。樹脂体３０´としては、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のように、絶縁性の樹脂であれば適用可能である。なお、他の構成については第２の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線２４´の下層２４ａ´上に、下層２４ａ´同一幅の上層２４ｂ´を設け、信号用リード線２４´の下層２４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線２５´の下層２５ａ´上に、下層２５ａ´より幅広の上層２５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線２４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、信号用リード線２４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、信号用リード線２４´とグランド用リード線２５´との間を絶縁性の樹脂体３０´で充填することにより、信号用リード線２４´全体の寄生容量をより大きくすることができる。したがって、信号用リード線２４´のインダクタンスをより低減することができる。

さらに、信号用リード線２４´の上層２４ｂ´を下層２４ａ´より短くするとともに、グランド用リード線２５´の上層２５ｂ´を下層２５ａ´より短くし、これによって、信号用リード線２４´の下層２４ａ´の先端、およびグランド用リード線２５´の下層２５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線２４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線２５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができ、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第３の実施形態＞
図１８は、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す斜視図であり、図１９は、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す上面図である。また、図２０は、図１９の一点鎖線Ｘ１−Ｘ１´に沿って示す信号用リード線、グランド用リード線、プリント基板、および金属筐体の断面図である。以下に、図１８〜図２０を参照して、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍の構成を詳細に説明する。なお、以下の記載において、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と同一箇所については同一符号を付すともに説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。

図１８および図２０に示すように、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線３４は、下層３４ａおよび上層３４ｂによって構成された金属からなる。このような２層構造の信号用リード線３４の厚さは限定されないが、例えば従来の高周波半導体用パッケージ１００の信号用リード線１０６（図３６）と同程度である。

図２０に示すように、信号用リード線３４の下層３４ａは、線幅Ｗ１の帯状の金属からなる。信号用リード線３４の上層３４ｂは、信号用リード線３４全体の寄生容量を増加させるためのものであり、少なくとも下層３４ａより広い線幅Ｗ５を有する帯状の金属からなる。なお、図１８および図１９に示されるように、信号用リード線３４の下層３４ａの長さと上層３４ｂの長さとは、実質的に等しくなっている。

また、図１８および図２０に示すように、グランド用リード線３５は、下層３５ａおよび上層３５ｂによって構成された金属からなる。このような２層構造のグランド用リード線３５の厚さは、信号用リード線３４と同程度である。

図２０に示すように、グランド用リード線３５の下層３５ａは、線幅Ｗ３の帯状の金属からなる。グランド用リード線３５の上層３５ｂは、少なくとも下層３５ａより広い線幅Ｗ６を有する帯状の金属からなる。これにより信号用リード線３４の上層３４ｂとグランド用リード線の上層３５ｂとのギャップは、信号用リード線３４の下層３４ａとグランド用リード線の下層３５ａとのギャップよりも小さくなるので、信号用リード線３４全体の寄生容量（信号用リード線３４とグランド用リード線３５との間の容量）は増加する。なお、図１８および図１９に示されるように、グランド用リード線３５の下層３５ａの長さと上層３５ｂの長さとは、実質的に等しくなっている。

このように構成された信号用リード線３４およびグランド用リード線３５においても、それぞれの下層３４ａ、３５ａ間の距離ｄ１は、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装時における所定の信頼性を確保するために最低限必要な距離以上となっている。

これに対して、信号用リード線３４の上層３４ｂとグランド用リード線３５の上層３５ｂとの間の距離ｄ２は、下層３４ａ、３５ａ間の距離ｄ１より短くなっている。すなわち、信号用リード線３４の上層３４ｂおよびグランド用リード線３５の上層３５ｂは、信号用リード線３４の上層３４ｂの寄生容量Ｃ２が、信号用リード線３４の下層３４ａの寄生容量Ｃ１より大きくなるように設けられている。これによって、信号用リード線３４全体の寄生容量を、従来の高周波半導体用パッケージ１００の信号用リード線１０６（図３６）の寄生容量より大きくすることができる。

以上に説明したように、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線３４およびグランド用リード線３５を、これらの下層３４ａ、３５ａ間の距離ｄ１が所定の距離以上離れるように設けている。さらに、信号用リード線３４の下層３４ａ上に、下層３４ａより幅広の上層３４ｂを設け、グランド用リード線３５の下層３５ａ上に、下層３５ａより幅広の上層３５ｂを設け、これによって、信号用リード線３４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線３４のインダクタンスを低減することができる。

＜第３の実施形態の第１の変形例＞
図２１は、第３の実施形態の第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１８に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線３４の上層３４ｂ上およびグランド用リード線３５の上層３５ｂ上に、一枚の誘電体基板３９が配置されている点が異なっている。この誘電体基板３９としては、例えばポリイミド基板等のように、絶縁性の基板であれば適用可能である。なお、他の構成については第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様に、信号用リード線３４の下層３４ａ上に、下層３４ａより幅広の上層３４ｂを設け、信号用リード線３４の下層３４ａから所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線３５の下層３５ａ上に、下層３５ａより幅広の上層３５ｂを設け、これによって、信号用リード線３４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線３４のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線３４上およびグランド用リード線３５上に一枚の誘電体基板３９を配置することにより、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線３４とグランド用リード線３５との間の誘電率を高くすることができる。したがって、信号用リード線２４全体の寄生容量をより大きくすることができ、信号用リード線３４のインダクタンスをより低減することができる。

＜第３の実施形態の第２の変形例＞
図２２は、第３の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２０に対応する断面図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線３４とグランド用リード線３５との間が、絶縁性の樹脂体４０で充填されている点が異なっている。樹脂体４０としては、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のように、絶縁性の樹脂であれば適用可能である。なお、他の構成については第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様に、信号用リード線３４の下層３４ａ上に、下層３４ａより幅広の上層３４ｂを設け、信号用リード線３４の下層３４ａから所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線３５の下層３５ａ上に、下層３５ａより幅広の上層３５ｂを設け、これによって、信号用リード線３４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線３４のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線３４およびグランド用リード線３５との間に樹脂体４０を充填することにより、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線３４とグランド用リード線３５との間の誘電率を高くすることができる。したがって、信号用リード線３４全体の寄生容量をより大きくすることができ、信号用リード線３４のインダクタンスをより低減することができる。

＜第３の実施形態の第３の変形例＞
図２３は、第３の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１８に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線３４´の上層３４ｂ´が、信号用リード線３４´の下層３４ａ´より短くなっているとともに、グランド用リード線３５´の上層３５ｂ´が、グランド用リード線３５´の下層３５ａ´より短くなっている点が異なっている。この結果、信号用リード線３４´の下層３４ａ´の先端、およびグランド用リード線３５´の下層３５ａ´の先端、はそれぞれ露出している。なお、他の構成については第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様に、信号用リード線３４´の下層３４ａ´上に、下層３４ａ´より幅広の上層３４ｂ´を設け、信号用リード線３４´の下層３４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線３５´の下層３５ａ´上に、下層３５ａ´より幅広の上層３５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線３４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、第３の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線３４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線３４´の下層３４ａ´の先端、およびグランド用リード線３５´の下層３５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線３４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線３５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができる。したがって、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第３の実施形態の第４の変形例＞
図２４は、第３の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図１８に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第３の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線３４´の上層３４ｂ´上およびグランド用リード線３５´の上層３５ｂ´上に、一枚の誘電体基板３９´が配置されている点が異なっている。この誘電体基板３９´としては、例えばポリイミド基板等のように、絶縁性の基板であれば適用可能である。なお、他の構成については第３の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線３４´の下層３４ａ´上に、下層３４ａ´より幅広の上層３４ｂ´を設け、信号用リード線３４´の下層３４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線３５´の下層３５ａ´上に、下層３５ａ´より幅広の上層３５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線３４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線３４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、信号用リード線３４´上およびグランド用リード線３５´上に一枚の誘電体基板３９´を配置することにより、信号用リード線３４´全体の寄生容量をより大きくすることができる。したがって、信号用リード線３４´のインダクタンスをより低減することができる。

さらに、信号用リード線３４´の上層３４ｂ´を下層３４ａ´より短くするとともに、グランド用リード線３５´の上層３５ｂ´を下層３５ａ´より短くし、これによって、信号用リード線３４´の下層３４ａ´の先端、およびグランド用リード線３５´の下層３５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線３４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線３５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができ、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第３の実施形態の第５の変形例＞
図２５は、第３の実施形態の第５の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部の、図１９の一点鎖線Ｘ２−Ｘ２´に沿った断面に対応する断面図であって、信号用リード線、グランド用リード線、信号用配線パターン、グランド用配線パターン、および第１の誘電体ブロックの断面図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第３の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線３４´とグランド用リード線３５´との間が、絶縁性の樹脂体４０´で充填されている点が異なっている。さらにこの高周波半導体用パッケージにおいては、第３の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線３４´の上層３４ｂ´が、信号用リード線３４´の下層３４ａ´より短くなっているとともに、グランド用リード線３５´の上層３５ｂ´が、グランド用リード線３５´の下層３５ａ´より短くなっている点が異なっている。樹脂体４０´としては、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のように、絶縁性の樹脂であれば適用可能である。なお、他の構成については第３の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線３４´の下層３４ａ´上に、下層３４ａ´より幅広の上層３４ｂ´を設け、信号用リード線３４´の下層３４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線３５´の下層３５ａ´上に、下層３５ａ´より幅広の上層３５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線３４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、信号用リード線３４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、信号用リード線３４´とグランド用リード線３５´との間を絶縁性の樹脂体４０´で充填することにより、信号用リード線３４´全体の寄生容量をより大きくすることができる。したがって、信号用リード線３４´のインダクタンスをより低減することができる。

さらに、信号用リード線３４´の上層３４ｂ´を下層３４ａ´より短くするとともに、グランド用リード線３５´の上層３５ｂ´を下層３５ａ´より短くし、これによって、信号用リード線３４´の下層３４ａ´の先端、およびグランド用リード線３５´の下層３５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線３４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線３５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができ、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第４の実施形態＞
図２６は、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す斜視図であり、図２７は、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍を拡大して示す上面図である。また、図２８は、図２７の一点鎖線Ｘ１−Ｘ１´に沿って示す信号用リード線、グランド用リード線、プリント基板および金属筐体の断面図である。以下に、図２６〜図２８を参照して、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線およびその近傍の構成を詳細に説明する。なお、以下の記載において、第１の実施形態に係る高周波半導体用パッケージ１０と同一箇所については同一符号を付すともに説明を省略し、異なる部分についてのみ説明する。

図２６および図２８に示すように、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージの信号用リード線４４は、下層４４ａおよび上層４４ｂによって構成された金属からなる。

図２８に示すように、信号用リード線４４の下層４４ａは、線幅Ｗ１、厚さＤ１の帯状の金属からなる。信号用リード線４４の上層４４ｂは、下層４４ａと同一の線幅Ｗ１を有するとともに、下層４４ａより厚い厚さＤ２を有する帯状の金属からなる。

また、図２６および図２８に示すように、グランド用リード線４５は、下層４５ａおよび上層４５ｂによって構成された金属からなる。このような２層構造のグランド用リード線４５の厚さは、信号用リード線４４と同程度である。

図２８に示すように、グランド用リード線４５の下層４５ａは、線幅Ｗ３、厚さＤ１の帯状の金属からなる。グランド用リード線４５の上層４５ｂは、下層４５ａと同一の線幅Ｗ３を有するとともに、下層４５ａより厚い厚さＤ２を有する帯状の金属からなる。これにより信号用リード線４４の上層４４ｂとグランド用リード線の上層４５ｂとの対向する面積は、信号用リード線４４の下層４４ａとグランド用リード線の下層４５ａとの対向する面積よりも大きくなるので、信号用リード線４４全体の寄生容量（信号用リード線４４とグランド用リード線４５との間の容量）は増加する。なお、図２６および図２７に示されるように、信号用リード線４４の下層４４ａの長さと上層４４ｂの長さとは、実質的に等しくなっている。グランド用リード線４５の下層４５ａの長さと上層４５ｂの長さとは、実質的に等しくなっている。

このように構成された信号用リード線４４およびグランド用リード線４５においても、それぞれの下層４４ａ、４５ａ間の距離ｄ１は、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装時における所定の信頼性を確保するために最低限必要な距離以上となっている。

また、信号用リード線４４の上層４４ｂおよびグランド用リード線４５の上層４５ｂの厚さＤ２は、下層４４ａ、４５ａの厚さＤ１より厚くなっている。すなわち、信号用リード線４４の上層４４ｂおよびグランド用リード線４５の上層４５ｂは、信号用リード線４４の上層４４ｂの寄生容量Ｃ２が、信号用リード線４４の下層４４ａの寄生容量Ｃ１より大きくなるように設けられている。これによって、信号用リード線４４全体の寄生容量を、従来の高周波半導体用パッケージ１００の信号用リード線１０６（図３６）の寄生容量より大きくすることができる。

以上に説明したように、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線４４およびグランド用リード線４５を、これらの下層４４ａ、４５ａ間の距離ｄ１が所定の距離以上離れるように設けている。さらに、信号用リード線４４の下層４４ａ上に、下層４４ａより厚い上層４４ｂを設け、グランド用リード線４５の下層４５ａ上に、下層４５ａより厚い上層４５ｂを設け、これによって、信号用リード線４４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線４４のインダクタンスを低減することができる。

また、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線４４の上層４４ｂの幅が下層４４ａの幅に実質的に一致しており、グランド用リード線４５の上層４５ｂの幅が下層４５ａの幅に実質的に一致している。したがって、第１〜第３の各実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線４４とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線４５とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができる。したがって、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第４の実施形態の第１の変形例＞
図２９は、第４の実施形態の第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２６に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線４４の上層４４ｂ上およびグランド用リード線４５の上層４５ｂ上に、一枚の誘電体基板４９が配置されている点が異なっている。この誘電体基板４９としては、例えばポリイミド基板等のように、絶縁性の基板であれば適用可能である。なお、他の構成については第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様に、信号用リード線４４の下層４４ａ上に、下層４４ａより厚い上層４４ｂを設け、信号用リード線４４の下層４４ａから所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線４５の下層４５ａ上に、下層４５ａより厚い上層４５ｂを設け、これによって、信号用リード線４４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線４４のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第１の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線４４上およびグランド用リード線４５上に一枚の誘電体基板４９を配置することにより、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線４４全体の寄生容量をより大きくすることができる。したがって、信号用リード線４４のインダクタンスをより低減することができる。

＜第４の実施形態の第２の変形例＞
図３０は、第４の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２８に対応する断面図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線４４とグランド用リード線４５との間が、絶縁性の樹脂体５０で充填されている点が異なっている。樹脂体５０としては、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のように、絶縁性の樹脂であれば適用可能である。なお、他の構成については第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様に、信号用リード線４４の下層４４ａ上に、下層４４ａより厚い上層４４ｂを設け、信号用リード線４４の下層４４ａから所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線４５の下層４５ａ上に、下層４５ａより厚い上層４５ｂを設け、これによって、信号用リード線４４全体の寄生容量を大きくしている。したがって、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線４４のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線４４およびグランド用リード線４５との間に樹脂体５０を充填することにより、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線４４とグランド用リード線４５との間の誘電率を高くすることができる。したがって、信号用リード線４４全体の寄生容量をより大きくすることができ、信号用リード線４４のインダクタンスをより低減することができる。

＜第４の実施形態の第３の変形例＞
図３１は、第４の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２６に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線４４´の上層４４ｂ´が、信号用リード線４４´の下層４４ａ´より短くなっているとともに、グランド用リード線４５´の上層４５ｂ´が、グランド用リード線４５´の下層４５ａ´より短くなっている点が異なっている。この結果、信号用リード線４４´の下層４４ａ´の先端、およびグランド用リード線４５´の下層４５ａ´の先端、はそれぞれ露出している。なお、他の構成については第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様に、信号用リード線４４´の下層４４ａ´上に、下層４４ａ´より厚い上層４４ｂ´を設け、信号用リード線４４´の下層４４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線４５´の下層４５ａ´上に、下層４５ａ´より厚い上層４５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線４４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、第４の実施形態に係る高周波半導体用パッケージと同様の理由により、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線４４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいては、信号用リード線４４´の下層４４ａ´の先端、およびグランド用リード線４５´の下層４５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線４４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線４５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、をより一層容易に目視確認することができる。したがって、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性をより一層向上させることができる。

＜第４の実施形態の第４の変形例＞
図３２は、第４の実施形態の第４の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部を示す、図２６に対応する斜視図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第４の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線４４´の上層４４ｂ´上およびグランド用リード線４５´の上層４５ｂ´上に、一枚の誘電体基板４９´が配置されている点が異なっている。この誘電体基板４９´としては、例えばポリイミド基板等のように、絶縁性の基板であれば適用可能である。なお、他の構成については第４の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線４４´の下層４４ａ´上に、下層４４ａ´より厚い上層４４ｂ´を設け、信号用リード線４４´の下層４４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線４５´の下層４５ａ´上に、下層４５ａ´より厚い上層４５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線４４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線４４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、信号用リード線４４´上およびグランド用リード線４５´上に一枚の誘電体基板４９´を配置することにより、信号用リード線４４´全体の寄生容量をより大きくすることができる。したがって、信号用リード線４４´のインダクタンスをより低減することができる。

さらに、信号用リード線４４´の上層４４ｂ´を下層４４ａ´より短くするとともに、グランド用リード線４５´の上層４５ｂ´を下層４５ａ´より短くし、これによって、信号用リード線４４´の下層４４ａ´の先端、およびグランド用リード線４５´の下層４５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線４４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線４５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、をより一層容易に目視確認することができ、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

＜第４の実施形態の第５の変形例＞
図３３は、第４の実施形態の第５の変形例に係る高周波半導体用パッケージの要部の、図２７の一点鎖線Ｘ２−Ｘ２´に沿った断面に対応する断面図であって、信号用リード線、グランド用リード線、信号用配線パターン、グランド用配線パターン、および第１の誘電体ブロックの断面図である。この高周波半導体用パッケージにおいては、第４の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線４４´とグランド用リード線４５´との間が、絶縁性の樹脂体５０´で充填されている点が異なっている。さらにこの高周波半導体用パッケージにおいては、第４の実施形態の第２の変形例に係る高周波半導体用パッケージと比較して、信号用リード線４４´の上層４４ｂ´が、信号用リード線４４´の下層４４ａ´より短くなっているとともに、グランド用リード線４５´の上層４５ｂ´が、グランド用リード線４５´の下層４５ａ´より短くなっている点が異なっている。樹脂体５０´としては、ポリイミド、エポキシ系樹脂等のように、絶縁性の樹脂であれば適用可能である。なお、他の構成については第４の実施形態の第３の変形例に係る高周波半導体用パッケージと同様であるため、説明を省略する。

このような高周波半導体用パッケージにおいても、信号用リード線４４´の下層４４ａ´上に、下層４４ａ´より厚い上層４４ｂ´を設け、信号用リード線４４´の下層４４ａ´から所定の距離ｄ１だけ離れて配置されるグランド用リード線４５´の下層４５ａ´上に、下層４５ａ´より厚い上層４５ｂ´を設け、これによって、信号用リード線４４´全体の寄生容量を大きくしている。したがって、実装時における信頼性を維持し、かつ信号用リード線４４´のインダクタンスを低減することができる。

さらに、信号用リード線４４´とグランド用リード線４５´との間を絶縁性の樹脂体５０´で充填することにより、信号用リード線４４´全体の寄生容量をより大きくすることができる。したがって、信号用リード線４４´のインダクタンスをより低減することができる。

さらに、信号用リード線４４´の上層４４ｂ´を下層４４ａ´より短くするとともに、グランド用リード線４５´の上層４５ｂ´を下層４５ａ´より短くし、これによって、信号用リード線４４´の下層４４ａ´の先端、およびグランド用リード線４５´の下層４５ａ´の先端、を露出させている。この結果、信号用リード線４４´とプリント基板９０の信号用配線９２とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、およびグランド用リード線４５´とプリント基板９０のグランド用配線９３とを接続する半田の状態（半田メニスカス）、を容易に目視確認することができ、高周波半導体用パッケージのプリント基板９０への実装に関する信頼性を向上させることができる。

以上に、本発明の実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

例えば上述の第１〜第３の各実施形態に係る高周波半導体用パッケージおよびこれらの実施形態の各変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいて、信号用リード線１４、１４´、２４、２４´、３４、３４´の上層１４ｂ、１４ｂ´、２４ｂ、２４ｂ´、３４ｂ、３４ｂ´の厚さと下層１４ａ、１４ａ´、２４ａ、２４ａ´、３４ａ、３４ａ´の厚さとの関係については特に限定していないが、第４の実施形態およびその変形例に係る高周波半導体用パッケージにおいて説明したように、上層１４ｂ、１４ｂ´、２４ｂ、２４ｂ´、３４ｂ、３４ｂ´の厚さを、下層１４ａ、１４ａ´、２４ａ、２４ａ´、３４ａ、３４ａ´の厚さより厚くすることにより、信号用リード線１４、１４´、２４、２４´、３４、３４´の寄生容量をより大きくすることができ、信号用リード線１４、１４´、２４、２４´、３４、３４´のインダクタンスをより低減することができる。

１０、１００・・・高周波半導体用パッケージ
１１、１０１・・・基体
１２、１０２・・・枠体
１３、１０３・・・蓋体
１４、１４´、２４、２４´、３４、３４´、４４、４４´、１０６・・・信号用リード線
１４ａ、１４ａ´、２４ａ、２４ａ´、３４ａ、３４ａ´、４４ａ、４４ａ´・・・下層
１４ｂ、１４ｂ´、２４ｂ、２４ｂ´、３４ｂ、３４ｂ´、４４ｂ、４４ｂ´・・・上層
１５、１５´、２５、２５´、３５、３５´、４５、４５´、１０７・・・グランド用リード線
１５ａ、１５ａ´、２５ａ、２５ａ´、３５ａ、３５ａ´、４５ａ、４５ａ´・・・下層
１５ｂ、１５ｂ´、２５ｂ、２５ｂ´、３５ｂ、３５ｂ´、４５ｂ、４５ｂ´・・・上層
１６ａ、１０４ａ・・・第１の誘電体ブロック
１６ｂ、１０４ｂ・・・第２の誘電体ブロック
１７・・・信号用配線パターン
１８・・・グランド用配線パターン
１９、１９´、２９、２９´、３９、３９´、４９、４９´・・・誘電体基板
２０、２０´、３０、３０´、４０、４０´、５０、５０´・・・樹脂体
９０、１９０・・・プリント基板
９１、１９１・・・凹部
９２、１９２・・・信号用配線
９３、１９３・・・グランド用配線
９３ａ・・・スルーホール
９４、１９４・・・金属筐体
１０５・・・配線パターン
１０６´・・・信号用リード線
１０６ａ´・・・張り出し部

Claims (9)

1. 板状の基体と、
   この基体の表面上に設けられた枠体と、
   この枠体上に配置された蓋体と、
   前記枠体を貫通する第一、第二の誘電体ブロックと、
   前記第一の誘電体ブロック上に設けられた信号用配線パターンと、
   前記枠体から露出する前記信号用配線パターンに固定された信号用リード線と、
   前記信号用配線パターンの両側においてこのパターンから離間するように前記第一の誘電体ブロック上に設けられたグランド用配線パターンと、
   前記信号用リード線の両側においてこのリード線から離間し、かつ前記枠体から露出する前記グランド用配線パターンに固定されたグランド用リード線と、
   を備え、
   前記信号用リード線は、前記信号用配線パターンに接触する下層およびこの下層上に設けられた上層からなり、
   前記グランド用リード線は、前記グランド用配線パターンに接触する下層およびこの下層上に設けられた上層からなり、
   前記信号用リード線の前記上層と前記グランド用リード線の前記上層との間の容量が、前記信号用リード線の前記下層と前記グランド用リード線の前記下層との間の容量より大きい高周波半導体用パッケージ。
2. 前記信号用リード線の前記上層と前記グランド用リード線の前記上層との間の距離は、前記信号用リード線の前記下層と前記グランド用リード線の前記下層との間の距離より短い請求項１に記載の高周波半導体用パッケージ。
3. 前記信号用リード線の前記上層の線幅が前記信号用リード線の前記下層の線幅より広く、
   かつ前記グランド用リード線の前記上層の線幅と、前記グランド用リード線の前記下層の線幅と、が等しい請求項２に記載の高周波半導体用パッケージ。
4. 前記信号用リード線の前記上層の線幅と、前記信号用リード線の前記下層の線幅と、が等しく、
   かつ前記グランド用リード線の前記上層の線幅が前記グランド用リード線の前記下層の線幅より広い請求項２に記載の高周波半導体用パッケージ。
5. 前記信号用リード線の前記上層の線幅が前記信号用リード線の前記下層の線幅より広く、
   かつ前記グランド用リード線の前記上層の線幅が前記グランド用リード線の前記下層の線幅より広い請求項２に記載の高周波半導体用パッケージ。
6. 前記信号用リード線の前記上層の厚さが前記信号用リード線の前記下層の厚さより厚く、
   かつ前記グランド用リード線の前記上層の厚さが前記グランド用リード線の前記下層の厚さより厚い請求項２乃至５のいずれかに記載の高周波半導体用パッケージ。
7. 前記信号用リード線の前記上層上および前記グランド用リード線の前記上層上に、誘電体基板が配置される請求項２乃至６のいずれかに記載の高周波半導体用パッケージ。
8. 前記信号用リード線と前記グランド用リード線との間に、絶縁性の樹脂が充填される請求項２乃至６のいずれかに記載の高周波半導体用パッケージ。
9. 前記信号用リード線の前記上層および前記グランド用リード線の前記上層が、前記信号用リード線の前記下層および前記グランド用リード線の前記下層より短くなっている請求項２乃至７のいずれかに記載の高周波半導体用パッケージ。

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