JP2016167509A - プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、実施例に係るプラズマエッチング装置100の一例を示す縦断面図である。図1に示すプラズマエッチング装置100は、気密に構成され、電気的に接地電位とされた処理チャンバ1を有している。処理チャンバ1は、アルミニウム等により円筒状に形成され、表面が例えば陽極酸化被膜で覆われている。処理チャンバ1内には、被処理体である半導体ウエハWを水平に支持する載置台2が設けられている。
図2は、半導体ウエハWの一例を示す模式図である。図2に示す半導体ウエハWは、例えば、下地層205と、下地層205上に積層されたマスク層200とを有する。下地層205は、例えばポリシリコンである。マスク層200は、下層膜202と、下層膜202上に積層されたフォトレジスト(PR)201とを有する。PR201は、例えばArFレジストである。
図3は、現像後における低密度領域のPR201の一例を示す断面図である。図4は、現像後における低密度領域のPR201の一例を示す上面図である。図5は、現像後における高密度領域のPR201の一例を示す断面図である。図6は、現像後における高密度領域のPR201の一例を示す上面図である。なお、図3から図6では、略同一の幅のパターンのフォトマスクを用いて露光および現像されたPR201が例示されている。
図7は、実施例と比較例において、プラズマエッチングの概略の一例を説明する図である。図7に示す例では、低密度領域におけるプラズマエッチングの処理の概略の一例が示されている。図7の左側には、従来のプラズマエッチングの処理を比較例として示している。
次に、第1の処理ガスを変えた場合のCDローディングの測定結果について説明する。図9は、第1の処理ガスを変えた場合のCDローディングの測定結果の一例を示す図である。
図11は、プラズマエッチングの処理手順の一例を示すフローチャートである。例えば、PR201の現像が行われた後の半導体ウエハWがプラズマエッチング装置100の処理チャンバ1内に搬入され、静電チャック6上に載置されることにより、プラズマエッチング装置100は、図11に示す動作を開始する。
なお、上記した実施例では、PR201の現像が行われた後の半導体ウエハWに対して、スカム210を除去する工程を行うことなく、第1の処理条件において、PR201およびスカム210をマスクとして、所定の深さまで反射防止膜203のプラズマエッチングを行い、その後、第2の処理条件に切り換え、PR201をマスクとして、反射防止膜203のプラズマエッチングを引き続き行った。しかし、開示の技術は、これに限られない。
1 処理チャンバ
2 載置台
2a 基材
6 静電チャック
6a 電極
6b 絶縁体
10a 高周波電源
10b 高周波電源
11a 整合器
11b 整合器
15 処理ガス供給源
16 シャワーヘッド
60 制御部
73 排気装置
75 ゲートバルブ
76 デポシールド
Claims (8)
- フォトレジストをマスクとして、プラズマにより下層膜をエッチングするプラズマエッチング方法であって、
露光および現像により所定のパターンに加工された前記フォトレジストに残留したスカムを除去する工程を行うことなく、加工後の前記フォトレジストおよび前記スカムをマスクとして、前記下層膜に対する前記フォトレジストの選択比が第1の選択比となる第1の処理条件で、プラズマにより前記下層膜をエッチングする第1の工程と、
前記下層膜のエッチングの途中で、前記第1の処理条件から、前記下層膜に対する前記フォトレジストの選択比が前記第1の選択比よりも低い第2の選択比となる第2の処理条件に切り換え、前記フォトレジストをマスクとして、プラズマにより前記下層膜をさらにエッチングする第2の工程と
を含むことを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記第1の選択比は、2.5から4の範囲内の値であり、
前記第2の選択比は、0.5から1の範囲内の値であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。 - 前記第1の処理条件では、
フルオロカーボンガスとハイドロカーボンガスとの混合ガス、フルオロカーボンガスと水素ガスとの混合ガス、ハイドロフルオロカーボンガスと窒素ガスとの混合ガス、または、ハイドロフルオロカーボンガスと三塩化硼素ガスとの混合ガスのいずれかが用いられることを特徴とする請求項1または2に記載のプラズマエッチング方法。 - 前記第2の処理条件では、
フルオロカーボンガスとハイドロフルオロカーボンガスとの混合ガスが用いられることを特徴とする請求項1から3のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。 - 前記第2の工程の後に、前記下層膜のエッチングの途中で、前記第2の処理条件から前記第1の処理条件に切り換え、前記フォトレジストをマスクとして、プラズマにより前記下層膜をさらにエッチングする第3の工程
を含むことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。 - 前記下層膜には、反射防止膜と、有機膜とが含まれており、
前記第1の工程および前記第2の工程では、前記フォトレジストをマスクとして、プラズマにより反射防止膜がエッチングされることを特徴とする請求項1から5のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。 - 前記第1の工程では、
前記反射防止膜の厚みの20%から30%がエッチングされることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項に記載のプラズマエッチング方法。 - フォトレジストをマスクとして、プラズマにより下層膜をエッチングするための処理チャンバと、
前記処理チャンバ内を減圧する減圧部と、
前記処理チャンバ内に処理ガスを供給するガス供給部と、
制御部と
を備え、
前記制御部は、
露光および現像により所定のパターンに加工された前記フォトレジストに残留したスカムを除去する工程を行うことなく、加工後の前記フォトレジストおよび前記スカムをマスクとして、前記下層膜に対する前記フォトレジストの選択比が第1の選択比となる第1の処理条件で、プラズマにより前記下層膜をエッチングする第1の工程と、
前記下層膜のエッチングの途中で、前記第1の処理条件から、前記下層膜に対する前記フォトレジストの選択比が前記第1の選択比よりも低い第2の選択比となる第2の処理条件に切り換え、前記フォトレジストをマスクとして、プラズマにより前記下層膜をさらにエッチングする第2の工程と
を実行することを特徴とするプラズマエッチング装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024171888A1 (ja) * | 2023-02-15 | 2024-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11372332B2 (en) * | 2018-10-26 | 2022-06-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma treatment method to improve photo resist roughness and remove photo resist scum |
KR102693952B1 (ko) | 2022-04-14 | 2024-08-12 | 주식회사 올도완 | 포토레지스트 파티클 제거방법 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129597A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法およびドライエッチング装置 |
JPH1092824A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000232107A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のパターン形成方法 |
JP2003007690A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Seiko Epson Corp | エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003506866A (ja) * | 1999-08-03 | 2003-02-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | エッチングプロセス用側壁ポリマー形成ガス添加物 |
JP2003140352A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-14 | Toshiba Corp | 反射防止膜、これを用いたレジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2006128543A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Nec Electronics Corp | 電子デバイスの製造方法 |
JP2008016084A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2014017316A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置及び現像処理方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7135410B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-11-14 | Lam Research Corporation | Etch with ramping |
US7192880B2 (en) * | 2004-09-28 | 2007-03-20 | Texas Instruments Incorporated | Method for line etch roughness (LER) reduction for low-k interconnect damascene trench etching |
US7759239B1 (en) * | 2009-05-05 | 2010-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of reducing a critical dimension of a semiconductor device |
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129597A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法およびドライエッチング装置 |
JPH1092824A (ja) * | 1996-09-19 | 1998-04-10 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000232107A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置のパターン形成方法 |
JP2003506866A (ja) * | 1999-08-03 | 2003-02-18 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | エッチングプロセス用側壁ポリマー形成ガス添加物 |
JP2003007690A (ja) * | 2001-06-27 | 2003-01-10 | Seiko Epson Corp | エッチング方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2003140352A (ja) * | 2001-11-05 | 2003-05-14 | Toshiba Corp | 反射防止膜、これを用いたレジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2006128543A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Nec Electronics Corp | 電子デバイスの製造方法 |
JP2008016084A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
JP2014017316A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置及び現像処理方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024171888A1 (ja) * | 2023-02-15 | 2024-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
Also Published As
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---|---|
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