JP2016164964A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】複数枚の被処理基板に対して複数の処理部でそれぞれ処理するにあたり、排気機構を共通化しつつ、異なるガス条件の基板処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】複数枚の被処理基板Ｗａ、Ｗｂに対して基板処理を施す複数の処理部１１ａ、１１ｂと、複数の処理部１１ａ、１１ｂからガスを共通に排気する排気機構１５と、複数の処理部１１ａ、１１ｂに対してガスを独立に供給するガス供給機構１４と、制御部１６と、を備え、制御部１６は、複数枚の被処理基板Ｗａ、Ｗｂに対して基板処理を施す際、複数の処理部１１ａ、１１ｂからガスを一括して排気するように排気機構１５を制御しつつ、複数の処理部１１ａ、１１ｂに対して独立して処理ガスを供給するとともに、複数の処理部１１ａ、１１ｂにおける圧力差が生じることを阻止するように、ガス供給機構１４を制御する。【選択図】図１

Description

本発明は、被処理基板に処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。
半導体デバイスの製造においては、被処理基板である半導体ウエハ（以下単にウエハと記す）にエッチング処理や成膜処理等の各種の処理を繰り返し行って所望のデバイスを製造する。
従来、このような基板処理を行う装置としては、被処理基板を一枚ずつ基板処理する枚葉式の処理装置が多用されている。しかしながら、処理装置にはスループットを向上させることが求められており、枚葉式の処理装置のプラットフォームを維持したまま一度に２枚以上の被処理基板に対して基板処理を施す処理装置も用いられている（例えば特許文献１）。
特許文献１に記載された基板処理装置は、チャンバー内に、複数枚の被処理基板を載置する基板載置台を設け、複数の処理領域と、複数の処理領域を分離する分離領域とを基板載置台の円周方向に沿って交互に設置する。基板処理に際しては、基板載置台を回転させ、複数枚の被処理基板が“処理領域、分離領域、処理領域、分離領域…”というように順々にくぐりぬけさせることにより、複数枚の被処理基板に対して異なるガス条件の基板処理を施す。
特開２０１０−８０９２４号公報
特許文献１においては、複数枚の被処理基板に対して異なるガス条件の基板処理を施すために、排気機構は、処理領域ごとに独立して別々に設けられている。このため、基板処理装置の製造コストが上昇してしまう。
本発明は、このような点に鑑みてなされたものであり、複数枚の被処理基板に対して複数の処理部でそれぞれ処理するにあたり、排気機構を共通化しつつ、異なるガス条件の基板処理を施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを課題とする。
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点は、真空雰囲気下で複数枚の被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、前記複数枚の被処理基板のそれぞれに対して基板処理を施す複数の処理部と、前記複数の処理部に対して処理ガスを独立に供給するガス供給機構と、前記複数の処理部内の処理ガスを一括して排気する共通の排気機構と、前記ガス供給機構および前記排気機構を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す際、前記複数の処理部から処理ガスを一括して排気するように前記排気機構を制御しつつ、前記複数の処理部に対して独立して処理ガスを供給するとともに、前記複数の処理部における圧力差が生じることを阻止するように、前記ガス供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置を提供する。
上記第１の観点において、前記制御部は、前記複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す際、前記複数の処理部から処理ガスを共通に排気しつつ、前記複数の処理部の全てに対して処理ガスとして第１のガスを同一のガス条件で供給する第１のモードと、前記複数の処理部から処理ガスを一括して排気するように前記排気機構を制御しつつ、前記複数の一部に対しては前記第１のガスを供給し、前記複数の処理部の残りに対しては前記第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２のモードとを実行し、前記第２のモードの際に、前記複数の処理部における圧力差が生じることを阻止するように、前記ガス供給機構を制御することが好ましい。
また、前記制御部は、前記第２のモードの際、前記複数の処理部の一部における圧力と前記複数の処理部の残りにおける圧力差が生じることを阻止するように、前記複数の処理部のいずれかに対する前記第２のガスの供給量を制御することが好ましい。
また、前記第２のガスは、不活性ガスおよび／または処理される被処理基板に対して非反応である非反応性ガスを用いることができる。
前記制御部は、前記第２のモードの際、前記複数の処理部の一部においては、前記被処理基板に対する処理ガスである第１のガスによる基板処理が続行させ、前記複数の処理部の残りにおいては、前記被処理基板に対する処理ガスである第１のガスの供給を停止させ、前記第２のガスを補完ガスとして供給させて基板処理を停止させるようにすることができる。
この場合に、前記制御部は、前記基板処理に先立って、前記複数の処理部を調圧ガスにより調圧するとともに圧力を安定化させる圧力安定化を実行させ、この圧力安定化の際に、前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の前記第２のモードで前記複数の処理部の間で、処理ガスである前記第１のガスと補完ガスである前記第２のガスが逆拡散することを抑制可能な前記調圧ガスの前記排気機構へ向かう流れを形成できるような流量に制御することが好ましい。前記調圧ガスとして、前記基板処理の際に供給するガスの一部であって、基板処理が生じないものを用い、前記圧力安定化の際の前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の時の流量よりも多くすればよく、前記圧力安定化の際の前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の時の流量の３倍以上とすることが好ましい。
また、前記第２のガスとして、前記処理ガスの希釈ガスとして用いられるものを使用してもよい。
上記第１の観点において、前記複数の処理部のそれぞれは、一つの共通したチャンバー内に設けられ、前記排気機構は、前記一つの共通したチャンバー内に設けられた前記複数の処理部で共有される構成とすることができる。また、前記複数の処理部のそれぞれは、各々独立したチャンバー内に設けられ、前記排気機構は、前記独立したチャンバーで共有される構成とすることもできる。
本発明の第２の観点は、複数枚の被処理基板のそれぞれに対して基板処理を施す複数の処理部と、前記複数の処理部に対してガスを独立に供給するガス供給機構と、前記複数の処理部内のガスを一括して排気する共通の排気機構とを備えた基板処理装置を用いて、真空雰囲気下で複数枚の被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、前記複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す際、前記排気機構により、前記複数の処理部から処理ガスを一括して排気するようにし、前記ガス供給機構により、前記複数の処理部に対して独立して処理ガスを供給するとともに、前記複数の処理部における圧力差が生じることを阻止するようにすることを特徴とする基板処理方法を提供する。
本発明の第３の観点は、複数枚の被処理基板のそれぞれに対して基板処理を施す複数の処理部と、前記複数の処理部に対してガスを独立に供給するガス供給機構と、前記複数の処理部内のガスを一括して排気する共通の排気機構とを備えた基板処理装置を用いて、真空雰囲気下で複数枚の被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す際、前記複数の処理部から処理ガスを共通に排気しつつ、前記複数の処理部の全てに対して処理ガスとして第１のガスを同一のガス条件で供給する第１のモードと、前記複数の処理部から処理ガスを一括して排気するように前記排気機構を制御しつつ、前記複数の処理部の一部に対しては前記第１のガスを供給し、前記複数の処理部の残りに対しては前記第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２のモードとを実行し、前記第２のモードの際に、前記複数の処理部における圧力差が生じることを阻止するようにすることを特徴とする基板処理方法を提供する。
第３の観点において、前記第２のモードの際、前記複数の処理部の一部における圧力と前記複数の処理部の残りにおける圧力差が生じることを阻止するように、前記複数の処理部の残りにおける前記第２のガスの供給量を制御することが好ましい。
また、前記第２のガスは、不活性ガスおよび／または処理される被処理基板に対して非反応である非反応性ガスであることが好ましい。また、第２のモードの際、前記複数の処理部の一部においては、前記被処理基板に対する処理ガスである第１のガスによる基板処理が続行され、前記複数の処理部の残りにおいては、前記被処理基板に対する処理ガスである第１のガスの供給を停止し、前記第２のガスを補完ガスとして供給して基板処理を停止させるようにしてもよい。
この場合に、前記基板処理に先立って、前記複数の処理部を調圧ガスにより調圧するとともに圧力を安定化させる圧力安定化工程を実行し、この圧力安定化工程の際に、前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の前記第２のモードで前記複数の処理部の間で、処理ガスである前記第１のガスと補完ガスである前記第２のガスが逆拡散することを抑制可能な前記調圧ガスの前記排気機構へ向かう流れを形成できるような流量とすることが好ましい。前記調圧ガスとして、前記基板処理の際に供給するガスの一部であって、基板処理が生じないものを用い、前記圧力安定化工程の際の前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の時の流量よりも多くすればよく、前記圧力安定化工程の際の前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の時の流量の３倍以上とすることが好ましい。
また、前記第２のガスとして、前記第１のガスの希釈ガスとして用いられるものを使用してもよい。
また、本発明のさらに他の観点は、コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第２または第３の観点の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。
本発明によれば、複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す際、複数の処理部からガスを一括して排気するように排気機構を制御しつつ、複数の処理部に対して独立して処理ガスを供給するとともに、複数の処理部における圧力差が生じることを阻止するようにしたので、複数枚の被処理基板に対して複数の処理部でそれぞれ処理するにあたり、排気機構を共通化しつつ、異なるガス条件の基板処理を施すことができる。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面図である。 ガス供給機構１４の一システム構成例を示すシステム構成図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置による共通基板処理モードを概略的に示す図である。 本発明の一実施形態に係る基板処理装置による独立基板処理モードを概略的に示す図である。 参考例に係る基板処理モードを概略的に示す図である。 図１の基板処理装置におけるシーケンスの一例を示す図である。 図１の基板処理装置におけるシーケンスの他の例を示す図である。 図６のシーケンスの効果を説明するための図である。 一実施形態に係る基板処理装置のチャンバー構成の一例を概略的に示す図である。 一実施形態に係る基板処理装置のチャンバー構成の他例を概略的に示す図である。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態について説明する。
＜基板処理装置＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の一例を示す断面図である。なお、図１には、基板処理装置の一例として、化学的酸化物除去（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｒｅｍｏｖａｌ；ＣＯＲ）処理を行うＣＯＲ処理装置が示されている。なお、ＣＯＲ処理の典型的な例は、チャンバー内で、基板、例えば、シリコンウエハ表面に存在する酸化膜に対してＨＦガスを含むガス、およびＮＨ３ガスを含むガスを供給して基板処理を行い、シリコンウエハ表面から酸化膜を除去する処理である。
図１に示すように、ＣＯＲ処理装置１００は、密閉構造のチャンバー１０を備えている。チャンバー１０は、例えば、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなり、チャンバー本体５１と蓋部５２とによって構成されている。チャンバー本体５１は、側壁部５１ａと底部５１ｂとを有し、上部は開口となっており、この開口が蓋部５２で閉止される。側壁部５１ａと蓋部５２とは、シール部材５１ｃにより封止されて、チャンバー１０内の気密性が確保される。
チャンバー１０の内部には、複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す２つの処理部１１ａ、１１ｂが設けられている。２つの処理部１１ａ、１１ｂのそれぞれには、基板載置台６１ａ、６１ｂが各々設けられている。基板載置台６１ａ、６１ｂには、被処理基板であるウエハＷａ、Ｗｂが１枚ずつ水平状態にて載置される。基板載置台６１ａ、６１ｂの上方には、処理ガスをチャンバー１０内に導入するためのガス導入部材１２ａ、１２ｂが設けられている。ガス導入部材１２ａ、１２ｂは蓋部５２の内側に取り付けられている。ガス導入部材１２ａと基板載置台６１ａ、およびガス導入部材１２ｂと基板載置台６１ｂは、それぞれ対向して設けられている。そして、ガス導入部材１２ａと基板載置台６１ａを囲むように円筒状をなす内壁７１ａが設けられており、ガス導入部材１２ｂと基板載置台６１ｂを囲むように円筒状をなす内壁７１ｂが設けられている。内壁７１ａ、７１ｂは、蓋部５２の上壁内側からチャンバー本体５１の底部５１ｂにかけて設けられており、これらの上部はそれぞれガス導入部材１２ａおよび１２ｂの側壁を構成している。ガス導入部材１２ａと基板載置台６１ａの間、およびガス導入部材１２ａと基板載置台６１ａの間の空間は、内壁７１ａ、７１ｂにより略密閉されウエハＷａ、Ｗｂに対して基板処理を施す処理空間Ｓが形成される。
チャンバー１０の外部には、ガス導入部材１２ａ、１２ｂにガスを供給するガス供給機構１４と、チャンバー１０内を排気する排気機構１５と、ＣＯＲ処理装置１００を制御する制御部１６とが設けられている。チャンバー本体５１の側壁部５１ａには、外部との間でウエハＷを搬送するための搬入出口（図示せず）が設けられており、この搬入出口は、ゲートバルブ（図示せず）により開閉可能となっている。また、内壁７１ａ，７２ｂにも搬入出口（図示せず）が設けられており、この搬入出口はシャッター（図示せず）により開閉可能となっている。
処理部１１ａ、１１ｂはそれぞれ、略円状をなす。基板載置台６１ａ、６１ｂはそれぞれ、ベースブロック６２によって支持される。ベースブロック６２は、チャンバー本体５１の底部５１ｂに固定されている。基板載置台６１ａ、６１ｂそれぞれの内部にはウエハＷを温調する温度調節器６３が設けられている。温度調節器６３は、例えば温度調節用媒体（例えば水など）が循環する管路を備えており、管路内を流れる温度調節用媒体と熱交換が行なわれることにより、ウエハＷの温度制御がなされる。また、基板載置台６１ａ、６１ｂにはそれぞれ、ウエハＷを搬送する際に用いる複数の昇降ピン（図示せず）がウエハの載置面に対して突没可能に設けられている。
ガス供給機構１４は、ＨＦガス、ＮＨ３ガス等の処理ガス、ＡｒガスやＮ２ガス等の不活性ガス（希釈ガス）をガス導入部材１２ａ、１２ｂを介して処理部１１ａ、１１ｂに対して供給するものであり、各ガスの供給源、供給配管、バルブ、およびマスフローコントローラも代表される流量制御器等を有している。
図２はガス供給機構１４のシステム構成の一例を示すシステム構成図である。
図２に示すように、ガス供給機構１４は、ガスの供給源として、Ａｒガス供給源１４１、ＨＦガス供給源１４２、Ｎ２ガス供給源１４３、およびＮＨ３ガス供給源１４４を備えている。
本例においては、ＨＦガス供給源１４２からのＨＦガスは、Ａｒガス供給源１４１からのＡｒガスによって希釈された後、ガス導入部材１２ａ、１２ｂへ供給される。また、ＮＨ３ガス供給源１４４からのＮＨ３ガスも同様に、Ｎ２ガス供給源１４３からのＮ２ガスによって希釈された後、ガス導入部材１２ａ、１２ｂへ供給される。
ＨＦガスが通流するＨＦガス供給配管１４５は、２つのＨＦガス供給配管１４５ａ、１４５ｂに分岐され、各々ガス導入部材１２ａに接続される供給配管１４６ａ、およびガス導入部材１２ｂに接続される供給配管１４６ｂへと接続される。また、Ａｒガスが通流するＡｒガス供給配管１４７もまた、２つのＡｒガス供給配管１４７ａ、１４７ｂに分岐され、各々ＨＦガス供給配管１４５ａ、１４５ｂに接続される。これにより、ＨＦガスはＡｒガスによって希釈することが可能となる。
同じくＮＨ３ガスが通流するＮＨ３ガス供給配管１４８も、２つのＮＨ３ガス供給配管１４８ａ、１４８ｂに分岐され、各々供給配管１４６ａ、１４６ｂへと接続される。Ｎ２ガスが通流するＮ２ガス供給配管１４９もまた、２つのＮ２ガス供給配管１４９ａ、１４９ｂに分岐され、各々ＮＨ３ガス供給配管１４８ａ、１４８ｂに接続される。これにより、ＮＨ３ガスはＮ２ガスによって希釈することが可能となる。
なお、ＡｒガスおよびＮ２ガスは、希釈ガスとして用いられる他、パージガスや後述する圧力調整のための補完ガスとしても用いられる。
ＨＦガス供給配管１４５ａ、１４５ｂ、Ａｒガス供給配管１４７ａ、１４７ｂ、ＮＨ３ガス供給配管１４８ａ、１４８ｂ、ならびにＮ２ガス供給配管１４９ａ、１４９ｂのそれぞれには、マスフローコントローラ（以下ＭＦＣ）１５０ａ〜１５０ｈ、および供給配管を開閉する開閉バルブ１５１ａ〜１５１ｈが設けられている。これらＭＦＣ１５０ａ〜１５０ｈ、ならびに開閉バルブ１５１ａ〜１５１ｈはそれぞれ、制御部１６によって独立して制御することが可能とされている。
例えば、２つの処理部１１ａ，１１ｂにおいて通常のＣＯＲ処理を行う場合、ガス導入部材１２ａ、１２ｂのそれぞれには、ＨＦガスおよびＮＨ３ガスの両方が供給される。この場合には、制御部１６によって、開閉バルブが以下の“ケースａ”のように全てオープンになるように制御される。
［ケースａ］
・ガス導入部材１２ａへの供給系
開閉バルブ１５１ａ（Ａｒ） オープン
開閉バルブ１５１ｃ（ＨＦ） オープン
開閉バルブ１５１ｅ（Ｎ２） オープン
開閉バルブ１５１ｇ（ＮＨ３） オープン
・ガス導入部材１２ｂへの供給系
開閉バルブ１５１ｂ（Ａｒ） オープン
開閉バルブ１５１ｄ（ＨＦ） オープン
開閉バルブ１５１ｆ（Ｎ２） オープン
開閉バルブ１５１ｈ（ＮＨ３） オープン
一方、ガス導入部材１２ａ、１２ｂを介して処理部１１ａ，１１ｂに供給するガス条件が異なるように制御することも可能である。例えば、以下の“ケースｂ”、
“ケースｃ”のように制御することも可能である。
［ケースｂ］
・ガス導入部材１２ａへの供給系
開閉バルブ１５１ａ（Ａｒ） オープン
開閉バルブ１５１ｃ（ＨＦ） オープン
開閉バルブ１５１ｅ（Ｎ２） オープン
開閉バルブ１５１ｇ（ＮＨ３） オープン
・ガス導入部材１２ｂへの供給系
開閉バルブ１５１ｂ（Ａｒ） オープン
開閉バルブ１５１ｄ（ＨＦ） クローズ
開閉バルブ１５１ｆ（Ｎ２） オープン
開閉バルブ１５１ｈ（ＮＨ３） クローズ
［ケースｃ］
・ガス導入部材１２ａへの供給系
開閉バルブ１５１ａ（Ａｒ） オープン
開閉バルブ１５１ｃ（ＨＦ） クローズ
開閉バルブ１５１ｅ（Ｎ２） オープン
開閉バルブ１５１ｇ（ＮＨ３） クローズ
・ガス導入部材１２ｂへの供給系
開閉バルブ１５１ｂ（Ａｒ） オープン
開閉バルブ１５１ｄ（ＨＦ） オープン
開閉バルブ１５１ｆ（Ｎ２） オープン
開閉バルブ１５１ｈ（ＮＨ３） オープン
つまり、ケースｂは、ケースａの状態から、開閉バルブ１５１ｄおよび開閉バルブ１５１ｈをクローズして、ガス導入部材１２ｂへは、処理ガスであるＨＦガスおよびＮＨ３ガスの供給が停止され、ＡｒガスおよびＮ２ガスのみが供給されるようにし、ガス導入部材１２ａについては引き続処理ガスであるＨＦガスおよびＮＨ３ガスが供給されるようにしており、ケースｃはその逆に、ガス導入部材１２ａへのＨＦガスおよびＮＨ３ガスの供給が停止され、ガス導入部材１２ｂについては引き続処理ガスであるＨＦガスおよびＮＨ３ガスが供給されるようにしている。
このため、ケースｂでは、ガス導入部材１２ａからは処理部１１ａに対してＨＦガスおよびＮＨ３ガスがそれぞれ不活性ガスであるＡｒガスおよびＮ２ガスとともに供給される一方、ガス導入部材１２ｂからは処理部１１ｂに対して不活性ガスであるＡｒガスおよびＮ２ガスのみが供給され、ケースｃでは、その逆に、ガス導入部材１２ｂからは処理部１１ｂに対してＨＦガスおよびＮＨ３ガスがそれぞれ不活性ガスであるＡｒガスおよびＮ２ガスとともに供給される一方、ガス導入部材１２ａからは処理部１１ａに対して不活性ガスであるＡｒガスおよびＮ２ガスのみが供給されというように、処理の際中に、処理部１１ａと処理部１１ｂとに対して、同時に異なったガス条件とすることが可能となる。このようなバルブ制御による基板処理モードの詳細については後述する。
ガス導入部材１２ａ、１２ｂは、ガス供給機構１４からのガスをチャンバー１０内に導入し、処理部１１ａ、１１ｂに対して供給するためのものである。ガス導入部材１２ａ、１２ｂはそれぞれ、内部にガス拡散空間６４を有し、全体形状が円筒状をなしている。ガス導入部材１２ａ、１２ｂの上面にはチャンバー１０の上壁からつながるガス導入孔６５が形成され、底面にガス拡散空間６４につながる多数のガス吐出孔６６を有している。そして、ガス供給機構１４から供給されたＨＦガス、ＮＨ３ガス等のガスが、ガス導入孔６５を経てガス拡散空間６４に至り、ガス拡散空間６４で拡散され、ガス吐出孔６６から均一にシャワー状に吐出される。すなわち、ガス導入部材１２ａ、１２ｂは、ガスを分散して吐出するガス分散ヘッド（シャワーヘッド）として機能する。なお、ガス導入部材１２ａ、１２ｂは、ＨＦガスとＮＨ３ガスとを別個の流路でチャンバー１０内に吐出するポストミックスタイプであってもよい。
排気機構１５は、チャンバー１０の底部５１ｂに形成された排気口（図示せず）に繋がる排気配管１０１を有しており、さらに、排気配管１０１に設けられた、チャンバー１０内の圧力を制御するための自動圧力制御弁（ＡＰＣ）１０２およびチャンバー１０内を排気するための真空ポンプ１０３を有している。排気口は、内壁７１ａ、７１ｂの外側に設けられており、内壁７１ａ、７１ｂの基板載置台６１ａ、６１ｂよりも下の部分には、排気機構１５により処理部１１ａ、１１ｂの両方から排気可能なように、多数のスリットが形成されている。これにより、排気機構１５により処理部１１ａ、１１ｂ内が一括して排気される。また、ＡＰＣ１０２、および真空ポンプ１０３は、処理部１１ａ、１１ｂで共有される。
また、チャンバー１０内の圧力を計測するため、チャンバー１０の底部５１ｂから排気空間６８へ挿入されるように、圧力計として高圧力用のキャパシタンスマノメータ１０５ａおよび低圧力用のキャパシタンスマノメータ１０５ｂがそれぞれ設けられている。自動圧力制御弁（ＡＰＣ）１０２の開度は、キャパシタンスマノメータ１０５ａまたは１０５ｂにより検出された圧力に基づいて制御される。
制御部１６は、ＣＯＲ処理装置１００の各構成部を制御するマイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたプロセスコントローラ１６１を有している。プロセスコントローラ１６１には、オペレータがＣＯＲ処理装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードやタッチパネルディスプレイ、ＣＯＲ処理装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有するユーザーインターフェース１６２が接続されている。また、プロセスコントローラ１６１には、ＣＯＲ処理装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ１６１の制御にて実現するための制御プログラムや処理条件に応じてＣＯＲ処理装置１００の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムである処理レシピや、各種データベース等が格納された記憶部１６３が接続されている。レシピは記憶部１６３の中の適宜の記憶媒体（図示せず）に記憶されている。そして、必要に応じて、任意のレシピを記憶部１６３から呼び出してプロセスコントローラ１６１に実行させることで、プロセスコントローラ１６１の制御下で、ＣＯＲ処理装置１００での所望の処理が行われる。
また、本実施形態において、制御部１６は、ガス供給機構１４のＭＦＣ１５０ａ〜１５０ｈ、ならびに開閉バルブ１５１ａ〜１５１ｈを上述のように独立に制御することに大きな特徴を有する。
＜基板処理動作＞
次に、このような基板処理装置における基板処理動作について説明する。
図３Ａは一実施形態に係るＣＯＲ処理装置１００による基板処理動作の一例を概略的に示す図、図３Ｂは一実施形態に係るＣＯＲ処理装置１００による基板処理動作の他の例を概略的に示す図である。
表面にエッチング対象膜（例えばＳｉＯ２膜）が形成された２枚のウエハＷa、Ｗｂをチャンバー１０内の処理部１１ａおよび処理部１１ｂ内に搬入し、それぞれ基板載置台６１ａおよび基板載置台６１ｂ上に載置する。そして、隔壁部材７１を上昇させて処理空間Ｓを形成し、排気機構１５によりチャンバー１０内を所定の圧力に調整し、圧力を安定させる圧力安定化工程の後、基板処理工程を実施する。処理部１１ａ、１１ｂは排気機構１５を共有しているので、圧力安定化工程および基板処理工程の際の圧力調整は、共通の自動圧力制御弁（ＡＰＣ）１０２により行う。
基板処理工程は、図３Ａに示す共通基板処理モード、または図３Ｂに示す独立基板処理モードにより行われる。
（共通基板処理モード）
図３Ａに示す状態は、共通基板処理モードでの処理を示すものである。共通基板処理モードは、ウエハＷａ、Ｗｂに対して同じガス条件で処理をしているモードである。この共通基板処理モードにより、処理部１１ａ、１１ｂの両方においてＣＯＲ処理が行われる。このモードにおいては、開閉バルブ１５１ａ〜１５１ｈの状態は、上述したケースａとされる。これにより、図３Ａに示すように、ウエハＷａ、Ｗｂには、ガス導入部材１２ａ、１２ｂからＨＦガスおよびＮＨ３ガスが、それぞれ不活性ガスであるＡｒガスおよびＮ２ガスで希釈された状態で供給され、ウエハＷａ、Ｗｂに対して同じ基板処理がなされる。
（独立基板処理モード）
図３Ｂに示す状態は、独立基板処理モードでの処理を示すものである。独立基板処理モードは、ウエハＷａ、Ｗｂに対して異なったガス条件で処理をしているモードである。このモードにおいては、開閉バルブ１５１ａ〜１５１ｈの状態は、例えば、上述したケースｂとされる。これにより、図３Ｂに示すように、処理部１１ａのウエハＷａには、ガス導入部材１２ａからＨＦガスおよびＮＨ３ガスがそれぞれＡｒガスおよびＮ２ガスに希釈された状態で供給され、処理部１１ｂのウエハＷｂには、ガス導入部材１２ｂからＡｒガスおよびＮ２ガスのみが供給され、ウエハＷａ、Ｗｂに対して異なった基板処理がなされる。すなわち、処理部１１ａにおいては、ウエハＷａに対するＨＦガスおよびＮＨ３ガスによる処理が続行される一方、処理部１１ｂにおいては、ウエハＷｂに対するＨＦガスおよびＮＨ３ガスの供給が停止される。なお、この場合に、ガス導入部材１２ｂから供給される不活性ガスとしてはＡｒガスおよびＮ２ガスの一方であってもよい。
なお、独立基板処理モードは、図３Ｂとは逆に、処理部１１ｂにおいては、ウエハＷｂに対するＨＦガスおよびＮＨ３ガスによる処理が続行される一方、処理部１１ａにおいては、ウエハＷａに対するＨＦガスおよびＮＨ３ガスの供給が停止される場合にも適用され、開閉バルブ１５１ａ〜１５１ｈの状態は、例えば、上述したケースｃとされる。
独立基板処理モードは、上記共通基板処理モードで処理部１１ａ、１１ｂで同じガス条件でＣＯＲ処理を行った後、例えば、処理部１１ｂにおけるＣＯＲ処理を先に終了させたい場合に有効に用いることができる。
独立基板処理モードを適用して、処理部１１ｂのＨＦガスおよびＮＨ３ガスを停止して処理を停止する際に、例えば、図４に示す参考例のように、ガス導入部材１２ｂから処理部１１ｂへのガスの供給を止めてしまうことも考えられる。しかし、排気機構１５は処理部１１ａ、１１ｂで共通であり、単一のＡＰＣで圧力制御しているため、ガス導入部材１２ａからのガスの供給を続けながら、ガス導入部材１２ｂからのガスの供給を止めてしまうと、処理部１１ａと処理部１１ｂとの間には圧力差が生じ、処理部１１ａ、１１ｂの処理空間Ｓが略密閉空間であっても、ガス導入部材１２ａからのガスが内壁７１ａ、７１ｂの下部のスリットを介して逆流し、処理部１１ｂへと流れ込んでしまう。このため、処理部１１ｂにおいては、ウエハＷｂに対するＨＦガスおよびＮＨ３ガスによる処理を完全に停止させることが困難となってしまう。このため、独立基板処理モードでは、図３Ｂに示すように、ガス導入部材１２ｂからＡｒガスおよびＮ２ガスの供給を継続しているが、これらの流量が共通基板処理モードの際と同じ流量であれば、トータル流量が減少したことになるので、やはり圧力差が生じ、それによる逆流が生じ、処理を完全に停止させることが困難となる。
そこで、本実施形態においては、独立基板処理モードで処理部１１ａと処理部１１ｂに対して異なるガス条件で処理を行う際に、処理部１１ａと処理部１１ｂとの間に圧力差が生じることを阻止するように、ガス供給機構１４を制御する。
例えば、制御部１６は、開閉バルブ１５１ｄおよび１５１ｈを閉じてＨＦガスおよびＮＨ３ガスのガス導入部材１２ｂへの供給を停止しつつ、開閉バルブ１５１ｂおよび１５１ｆは開いたままとして、ＭＦＣ１５０ｂおよび１５０ｆにより、ＡｒガスおよびＮ２ガスの流量を増加させ、処理部１１ａと処理部１１ｂとの間の圧力差が生じることを阻止するように、好ましくは処理部１１ａの圧力と処理部１１ｂの圧力とが等しくなるようにガス供給機構を制御することが可能となる。すなわち、ＡｒガスおよびＮ２ガスを圧力調整用の補完ガスとして用いる。
このように、処理部１１ａ、１１ｂのうち、基板処理を停止させたい処理部については、単に処理ガスを止めるのではなく、例えば、不活性ガスを圧力調整のための補完ガスとして供給し、圧力調整を行う。これにより、１つの排気機構１５によって処理部１１ａ、１１ｂからガスを共通に排気したとしても、処理部１１ａ、１１ｂ相互間でのガスの流入を抑制することができる。
（処理シーケンスの一例）
本実施形態における処理シーケンスの一例を図５を参照して説明する。
最初に開閉バルブ１５１ａ，１５１ｂ，１５１ｅ，１５１ｆ，１５１ｇ，１５１ｈを開いて、処理部１１ａ，１１ｂの両方に、Ａｒガス、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガスを所定流量で、かつ処理部１１ａ，１１ｂで同じ流量になるように供給して所定の圧力に調整し、圧力を安定化させる（圧力安定化工程Ｓ１）。
圧力が安定した時点で、基板処理を開始する（基板処理工程Ｓ２）。基板処理工程Ｓ２では、最初、Ａｒガス、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガスを流したまま、開閉バルブ１５１ｃ，１５１ｄを開いてＨＦガスを供給し、処理部１１ａ，１１ｂの両方において、ＨＦガスとＮＨ３ガスによるＣＯＲ処理が行われる（共通基板処理モードＳ２−１）。そして、処理部１１ｂでのＣＯＲ処理が先に終了した場合、処理部１１ａによるＣＯＲ処理を継続したまま、開閉バルブ１５１ｄ，１５１ｈを閉じて処理部１１ｂへのＨＦガスおよびＮＨ３の供給を停止するとともに、ＭＦＣ１５０ｂ，１５０ｆにより、処理部１１ｂへのＡｒガス流量およびＮ２ガス流量を増加させる（独立基板処理モードＳ２−２）。流量増加分のＡｒガスおよびＮ２ガスは、処理部１１ａと処理部１１ｂとで圧力差が生じることを阻止する補完ガスとして機能する。この際のＡｒガスおよびＮ２ガスの増加分（補完ガス流量）は、ＨＦガスおよびＮＨ３の供給を停止したことによる流量減少分に相当する量であることが好ましい。
処理部１１ａでの処理も終了した後、全ての開閉バルブを閉じてガスの供給を停止し、排気機構１５により処理空間Ｓを排気する（排気工程Ｓ３）。
（処理シーケンスの他の例）
上記の処理シーケンス例においては、独立基板処理モードＳ２−２において、一方の処理部における処理ガス（ＨＦガス、ＮＨ３ガス）を停止した際に、他方の処理部においてＡｒガスおよびＮ２ガスを増量させて補完ガスとして機能させることにより、処理部１１ａと処理部１１ｂとの間の圧力差が生じることを阻止するようにして、処理部１１ａ、１１ｂ相互間でのガスの流入を抑制するが、処理部１１ａ，１１ｂはインナーウォール１３のスリットを介して繋がっているため、一方の処理部から他の処理部への処理ガス（ＨＦガス、ＮＨ３ガス）の回り込み、および他方の処理部から一方の処理部への補完ガス（Ａｒガス、Ｎ２ガス）の回り込みを完全に防止することは困難であり、わずかなガスの回り込み（ガスの逆拡散）が生じる。処理ガスの流量がある程度以上の場合には、このようなわずかなガスの回り込みはエッチング量に大きな影響を与えず、処理部１１ａ，１１ｂで所望のエッチング量での処理を実現することができるが、低流量領域の処理においては、このようなガスの回り込みの影響が無視し得なくなり、設定したエッチング量に対する偏差が大きくなってしまい、処理部１１ａ，１１ｂにおいて所望の独立処理が行えなくなる。
一方、このような不都合を防止するために処理ガス（ＨＦガス、ＮＨ３ガス）および補完ガス（Ａｒガス、Ｎ２ガス）を大流量化すると、エッチングレートが増加してしまい、処理時間やガス流量比等でエッチング量を調整する必要があり、プロセスマージンが狭くなってしまう。
そこで、本例では、圧力安定化工程Ｓ１の際に、次の基板処理工程Ｓ２の独立基板処理モードＳ２−２で処理部１１ａと１１ｂとの間で処理ガスおよび補完ガスが逆拡散することを抑制可能な、ガス導入部材１２ａ，１２ｂから排気機構１５へ向かう調圧ガスの流れを形成できるような流量で調圧ガスを流す。これにより、低流量領域において基板処理工程Ｓ２の独立基板処理モードＳ２−２におけるガスの回り込み（逆拡散）を効果的に抑制する。
具体的には図６に示すように、圧力安定化工程Ｓ１の際に調圧ガスとして供給するＡｒガス、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガスの流量を基板処理工程Ｓ２よりも多くする。この場合の調圧ガスのトータル流量は、基板処理工程Ｓ２の際の３倍以上であることが好ましい。調圧ガスとしては、基板処理工程Ｓ２の際に供給するガスの一部であって、基板処理が生じないものを用いることができる。その後の基板処理工程Ｓ２においては、共通基板処理モードＳ２−１および独立基板処理モードＳ２−２を図５の処理シーケンスと同様に行う。その後、図５の処理シーケンスと同様、ガスを停止し、排気機構１５により処理空間Ｓを排気する排気工程Ｓ３を行う。
これにより、低流量領域において、独立基板処理モードＳ２−２の際に、補完ガスにより圧力調整するのみの場合よりも、より効果的に処理ガスおよび補完ガスの逆流を抑制することができる。具体的には、低流量領域においても、処理を止めたい処理部１１ｂに処理部１１ａから処理ガス（ＨＦガス、ＮＨ３ガス）が逆流すること、および処理を継続したい処理部１１ａに処理部１１ｂから補完ガス（Ａｒガス、Ｎ２ガス）が逆流することを極めて効果的に抑制することができ、処理部１１ａ、１１ｂのいずれにおいても設定したエッチング量に近いエッチング量となるように基板処理を行うことができる。
実際に圧力安定化工程において調圧ガスの流量を増加した場合の効果について図７を参照して説明する。ここでは、図１の装置を用いて圧力安定化工程を行った後、基板処理工程において、一方の処理部において処理を継続し、他方の処理部において処理ガス（ＨＦガス、ＮＨ３ガス）を途中で止めて補完ガス（Ａｒガス、Ｎ２ガス）を導入した。図７は処理を継続した方の処理部における、基板処理工程の際のトータルガス流量と、エッチング量偏差（実際のエッチング量と設定したエッチング量の差）を示す図である。図中黒丸は圧力安定化工程における調圧ガス（Ａｒガス、Ｎ２ガス、ＮＨ３ガス）の流量を基板処理工程と同じにした場合のエッチング量偏差であり、トータル流量が低い領域ではエッチング量偏差が大きくなる傾向があり、トータル流量が３００ｓｃｃｍではエッチング量偏差が−０．３３ｎｍ程度と大きい値を示した。これに対して黒四角は、調圧ガスの流量を３倍にした場合であり、この場合には、基板処理工程の際のトータル流量が３００ｓｃｃｍであってもエッチング量偏差が−０．０３ｎｍ程度と極めて設定値に近くなった。このことから調圧ガスの流量を増加させる効果が確認された。
なお、以上のようにＨＦガスおよびＮＨ３ガスを用いてウエハのＳｉＯ２膜に対してＣＯＲ処理を行うと、反応生成物としてフルオロケイ酸アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６；ＡＦＳ）が生成するため、ＣＯＲ処理装置１００で処理後のウエハを、熱処理装置にて熱処理し、ＡＦＳを分解除去する。
以上のように、本実施形態によれば、２枚のウエハに対してそれぞれ処理部１１ａおよび処理部１１ｂで処理するにあたり、排気機構１５を共通化しつつ、これら処理部で異なるガス条件での処理を施すことが可能である。
なお、上記一実施形態では、ＨＦガスおよびＮＨ３ガスを用いてＣＯＲ処理を行う場合について説明したが、図１の基板処理装置によりＨＦガスのみまたはＮＨ３ガスのみでの処理を行うこともできる。例えば、ＨＦガスをＡｒガスで希釈して供給し、処理を行う場合、開閉バルブ１５１ｅ、１５１ｆ、１５１ｇ、１５１ｈはクローズしたまま、開閉バルブ１５１ａ、１５１ｂ、１５１ｃ、１５１ｄをオープンしてＨＦガスおよびＡｒガスを供給し、共通基板処理モードで処理した後、独立基板モードの際には、例えば以下のケースｄに示すように開閉バルブを制御すればよい。
［ケースｄ］
・ガス導入部材１２ａへの供給系
開閉バルブ１５１ａ（Ａｒ） オープン
開閉バルブ１５１ｃ（ＨＦ） オープン
開閉バルブ１５１ｅ（Ｎ２） クローズ
開閉バルブ１５１ｇ（ＮＨ３） クローズ
・ガス導入部材１２ｂへの供給系
開閉バルブ１５１ｂ（Ａｒ） オープン
開閉バルブ１５１ｄ（ＨＦ） クローズ
開閉バルブ１５１ｆ（Ｎ２） クローズ
開閉バルブ１５１ｈ（ＮＨ３） クローズ
＜チャンバー構成＞
図８Ａは一実施形態に係るＣＯＲ処理装置１００のチャンバー構成の一例を概略的に示す図、図８Ｂは一実施形態に係るＣＯＲ処理装置１００のチャンバー構成の他の例を概略的に示す図である。
図１に示したＣＯＲ処理装置１００は、図８Ａに示すように、処理部１１ａ、１１ｂのそれぞれは、一つの共通したチャンバー１０内に設けられ、排気機構１５は、一つの共通したチャンバー１０内に設けられた処理部１１ａ、１１ｂで共有される構成である。また、図８Ａの構成は図１のＣＯＲ処理装置１００に限らず、チャンバー内に独立して処理を行える２つの処理部を有する装置であればよい。
さらに、図８Ａのように一つの共通したチャンバー１０内に処理部１１ａ、１１ｂをそれぞれ設ける構成に限られず、例えば、図８Ｂに示すＣＯＲ処理装置１００ａに示すように、処理部１１ａ、１１ｂのそれぞれは、各々独立したチャンバー１０ａ、１０ｂ内に設け、排気機構１５は、各々独立したチャンバー１０ａ、１０ｂで共有される構成としてもよい。
処理部１１ａ、１１ｂのそれぞれは、各々独立したチャンバー１０ａ、１０ｂ内に設けた場合であっても、処理部１１ａ、１１ｂは、排気配管１０１を介して繋がっている。このため、処理部１１ａ、１１ｂのどちらへのガスの供給を止めた場合、排気配管１０１を介して処理部１１ａと処理部１１ｂとの間に圧力差が生じてしまう。このため、処理部１１ａ、１１ｂのそれぞれを、一つの共通したチャンバー１０内に設けた場合と同様に、処理部１１ａ、１１ｂ相互間でのガスの流入が発生する。
処理部１１ａ、１１ｂのそれぞれは、各々独立したチャンバー１０ａ、１０ｂ内に設けた場合であっても、制御部１６が、処理部１１ａと処理部１１ｂとの間の圧力差が拡大しないように、好ましくは処理部１１ａの圧力と処理部１１ｂの圧力とが等しくなるように、ガス供給機構１４に含まれた開閉バルブやＭＦＣを制御し、例えば、不活性ガスを圧力調整のための“補完ガス”として流す。これにより、チャンバー１０ａ、１０ｂで１つの排気機構１５によって処理部１１ａ、１１ｂからガスを共通に排気したとしても、図１に示したＣＯＲ処理装置１００と同様に、処理部１１ａ、１１ｂ相互間でのガスの流入を抑制することができる。
＜補完ガスについて＞
上記一実施形態においては、圧力調整のための“補完ガス”として、ＨＦガスやＮＨ３ガス等の処理ガスを希釈する希釈ガス、つまり、ＡｒガスやＮ２ガス等に代表される不活性ガスを用いた。しかし、圧力調整のための“補完ガス”としては、不活性ガスに限られるものではなく、処理されたウエハＷａ、Ｗｂのエッチング対象膜に対して非反応である非反応性ガスを用いることも可能である。また、反応性ガスであっても、処理に影響を与えずに圧力を調整できるものであれば用いることが可能である。
また、上記一実施形態においては、圧力調整のための“補完ガス”として、基板処理の際に処理ガスと同時に使用される希釈ガスを用いたが、処理ガスと同時に使用される希釈ガスとは別に、専用の“補完ガス”を用いるようにしてもよい。この場合には、ガス供給機構１４には、新たに“補完ガス供給源”、“補完ガスを供給する供給配管”、“ＭＦＣ”、および“開閉バルブ”を別途設けるようにすればよい。
＜他の適用＞
以上、この発明を一実施形態に従って説明したが、この発明は、上記一実施形態に限定されることはなく、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変形可能である。また、本発明の実施形態は、上記一実施形態が唯一の実施形態でもない。
例えば、上記一実施形態では、複数の処理部に対して異なるガス処理条件で処理を行う例として、一方で処理ガスでの処理を継続し、他方で処理を停止する場合について主に説明したが、複数の処理部で処理ガスの流量を異ならせる場合や、異なる処理ガスを用いる場合にも適用可能である。
また、上記一実施形態においては、被処理基板として半導体ウエハを例にとって説明したが、本発明の原理からして被処理基板は半導体ウエハに限るものではないことは明らかであり、他の種々の基板の処理に適用できることは言うまでもない。
さらに、上記一実施形態においては、複数の処理部として、処理部１１ａ、１１ｂの２つを持つ基板処理装置を例示したが、処理部の数は２つに限られることはない。この発明は、２以上の処理部を持つ基板処理装置であれば、その利点を損なうことなく適用することができる。
さらにまた、上記一実施形態においては、本発明をＣＯＲ処理装置に適用した場合を例示したが、基板処理装置としてはＣＯＲ処理装置に限られるものでもない。
その他、この発明はその要旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
１０、１０ａ、１０ｂ；チャンバー
１１ａ、１１ｂ；処理部
１２ａ、１２ｂ；ガス導入部材
１４；ガス供給機構
１５；排気機構
１６；制御部
７１ａ，７１ｂ；内壁
１０１；排気配管
１４１；Ａｒガス供給源
１４２；ＨＦガス供給源
１４３；Ｎ２ガス供給源
１４４；ＮＨ３ガス供給源
１４５、１４５ａ、１４５ｂ；ＨＦガス供給配管
１４６ａ、１４６ｂ；供給配管
１４７、１４７ａ、１４７ｂ；Ａｒガス供給配管
１４８、１４８ａ、１４８ｂ；ＮＨ３ガス供給配管
１４９、１４９ａ、１４９ｂ；Ｎ２ガス供給配管
１５０ａ〜１５０ｈ；マスフローコントローラ
１５１ａ〜１５１ｈ；開閉バルブ

Claims (21)

  1. 真空雰囲気下で複数枚の被処理基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
    前記複数枚の被処理基板のそれぞれに対して基板処理を施す複数の処理部と、
    前記複数の処理部に対して処理ガスを独立に供給するガス供給機構と、
    前記複数の処理部内の処理ガスを一括して排気する共通の排気機構と、
    前記ガス供給機構および前記排気機構を制御する制御部と、を備え、
    前記制御部は、
    前記複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す際、
    前記複数の処理部から処理ガスを一括して排気するように前記排気機構を制御しつつ、
    前記複数の処理部に対して独立して処理ガスを供給するとともに、前記複数の処理部における圧力差が生じることを阻止するように、前記ガス供給機構を制御することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記制御部は、
    前記複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す際、
    前記複数の処理部から処理ガスを共通に排気しつつ、前記複数の処理部の全てに対して処理ガスとして第１のガスを同一のガス条件で供給する第１のモードと、
    前記複数の処理部から処理ガスを一括して排気するように前記排気機構を制御しつつ、前記複数の一部に対しては前記第１のガスを供給し、前記複数の処理部の残りに対しては前記第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２のモードとを実行し、
    前記第２のモードの際に、前記複数の処理部における圧力差が生じることを阻止するように、前記ガス供給機構を制御することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、
    前記第２のモードの際、
    前記複数の処理部の一部における圧力と前記複数の処理部の残りにおける圧力差が生じることを阻止するように、前記複数の処理部のいずれかに対する前記第２のガスの供給量を制御することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第２のガスは、不活性ガスおよび／または処理される被処理基板に対して非反応である非反応性ガスであることを特徴とする請求項２または請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、
    前記第２のモードの際、
    前記複数の処理部の一部においては、前記被処理基板に対する処理ガスである第１のガスによる基板処理を続行させ、
    前記複数の処理部の残りにおいては、前記被処理基板に対する処理ガスである第１のガスの供給を停止させ、前記第２のガスを補完ガスとして供給させて基板処理を停止させることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記制御部は、
    前記基板処理に先立って、前記複数の処理部を調圧ガスにより調圧するとともに圧力を安定化させる圧力安定化を実行させ、
    この圧力安定化の際に、前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の前記第２のモードで前記複数の処理部の間で、処理ガスである前記第１のガスと補完ガスである前記第２のガスが逆拡散することを抑制可能な前記調圧ガスの前記排気機構へ向かう流れを形成できるような流量に制御することを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記調圧ガスとして、前記基板処理の際に供給するガスの一部であって、基板処理が生じないものを用い、前記圧力安定化の際の前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の時の流量よりも多くすることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記圧力安定化の際の前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の時の流量の３倍以上とすることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記第２のガスとして、前記第１のガスの希釈ガスとして用いられるものを使用することを特徴とする請求項４から請求項８のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  10. 前記複数の処理部のそれぞれは、一つの共通したチャンバー内に設けられ、
    前記排気機構は、前記一つの共通したチャンバー内に設けられた前記複数の処理部で共有されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11. 前記複数の処理部のそれぞれは、各々独立したチャンバー内に設けられ、
    前記排気機構は、前記独立したチャンバーで共有されることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  12. 複数枚の被処理基板のそれぞれに対して基板処理を施す複数の処理部と、前記複数の処理部に対してガスを独立に供給するガス供給機構と、前記複数の処理部内のガスを一括して排気する共通の排気機構とを備えた基板処理装置を用いて、真空雰囲気下で複数枚の被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
    前記複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す際、
    前記排気機構により、前記複数の処理部から処理ガスを一括して排気するようにし、
    前記ガス供給機構により、前記複数の処理部に対して独立して処理ガスを供給するとともに、前記複数の処理部における圧力差が生じることを阻止するようにすることを特徴とする基板処理方法。
  13. 複数枚の被処理基板のそれぞれに対して基板処理を施す複数の処理部と、前記複数の処理部に対してガスを独立に供給するガス供給機構と、前記複数の処理部内のガスを一括して排気する共通の排気機構とを備えた基板処理装置を用いて、真空雰囲気下で複数枚の被処理基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
    複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す際、
    前記複数の処理部から処理ガスを共通に排気しつつ、前記複数の処理部の全てに対して処理ガスとして第１のガスを同一のガス条件で供給する第１のモードと、
    前記複数の処理部から処理ガスを一括して排気するように前記排気機構を制御しつつ、前記複数の処理部の一部に対しては前記第１のガスを供給し、前記複数の処理部の残りに対しては前記第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２のモードとを実行し、
    前記第２のモードの際に、前記複数の処理部における圧力差が生じることを阻止するようにすることを特徴とする基板処理方法。
  14. 前記第２のモードの際、
    前記複数の処理部の一部における圧力と前記複数の処理部の残りにおける圧力差が生じることを阻止するように、前記複数の処理部の残りにおける前記第２のガスの供給量を制御することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 前記第２のガスは、不活性ガスおよび／または処理される被処理基板に対して非反応である非反応性ガスであることを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の基板処理方法。
  16. 前記第２のモードの際、
    前記複数の処理部の一部においては、前記被処理基板に対する処理ガスである第１のガスによる基板処理を続行し、
    前記複数の処理部の残りにおいては、前記被処理基板に対する処理ガスである第１のガスの供給を停止し、前記第２のガスを補完ガスとして供給して基板処理を停止させることを特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
  17. 前記基板処理に先立って、前記複数の処理部を調圧ガスにより調圧するとともに圧力を安定化させる圧力安定化工程を実行し、
    この圧力安定化工程の際に、前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の前記第２のモードで前記複数の処理部の間で、処理ガスである前記第１のガスと補完ガスである前記第２のガスが逆拡散することを抑制可能な前記調圧ガスの前記排気機構へ向かう流れを形成できるような流量とすることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理方法。
  18. 前記調圧ガスとして、前記基板処理の際に供給するガスの一部であって、基板処理が生じないものを用い、前記圧力安定化工程の際の前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の時の流量よりも多くすることを特徴とする請求項１７に記載の基板処理方法。
  19. 前記圧力安定化工程の際の前記調圧ガスの流量を、前記基板処理の時の流量の３倍以上とすることを特徴とする請求項１８に記載の基板処理方法。
  20. 前記第２のガスとして、前記第１のガスの希釈ガスとして用いられるものを使用することを特徴とする請求項１６から請求項１９のいずれか１項に記載の基板処理方法。
  21. コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１２から請求項２０のいずれかの基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018056442A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2020077885A (ja) * 2020-02-04 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2020136540A (ja) * 2019-02-21 2020-08-31 東京エレクトロン株式会社 水蒸気処理装置及び水蒸気処理方法
WO2022065114A1 (ja) * 2020-09-24 2022-03-31 東京エレクトロン株式会社 ガスを供給する装置、基板を処理するシステム、及びガスを供給する方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6844263B2 (ja) * 2017-01-05 2021-03-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR102202463B1 (ko) * 2019-03-13 2021-01-14 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR20210085321A (ko) * 2019-12-30 2021-07-08 주성엔지니어링(주) 기판처리방법 및 기판처리장치

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10158843A (ja) * 1996-12-06 1998-06-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 気相成長装置
JP2002110570A (ja) * 2000-10-04 2002-04-12 Asm Japan Kk 半導体製造装置用ガスラインシステム
JP2003049278A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Canon Inc 真空処理方法及び真空処理装置
US20110031214A1 (en) * 2009-08-06 2011-02-10 Jisoo Kim Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer
JP2011529136A (ja) * 2008-07-23 2011-12-01 ニュー パワー プラズマ カンパニー，リミティッド 多重基板処理チャンバー及びこれを含む基板処理システム
JP2013530516A (ja) * 2010-04-30 2013-07-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ツインチャンバ処理システム

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6755150B2 (en) * 2001-04-20 2004-06-29 Applied Materials Inc. Multi-core transformer plasma source
US20060176928A1 (en) * 2005-02-08 2006-08-10 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus, control method adopted in substrate processing apparatus and program
US20080006650A1 (en) * 2006-06-27 2008-01-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for multi-chamber exhaust control
JP5195676B2 (ja) 2008-08-29 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
KR101625078B1 (ko) * 2009-09-02 2016-05-27 주식회사 원익아이피에스 가스분사장치 및 이를 이용한 기판처리장치
US8911826B2 (en) * 2012-08-02 2014-12-16 Asm Ip Holding B.V. Method of parallel shift operation of multiple reactors

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10158843A (ja) * 1996-12-06 1998-06-16 Furukawa Electric Co Ltd:The 気相成長装置
JP2002110570A (ja) * 2000-10-04 2002-04-12 Asm Japan Kk 半導体製造装置用ガスラインシステム
JP2003049278A (ja) * 2001-08-06 2003-02-21 Canon Inc 真空処理方法及び真空処理装置
JP2011529136A (ja) * 2008-07-23 2011-12-01 ニュー パワー プラズマ カンパニー，リミティッド 多重基板処理チャンバー及びこれを含む基板処理システム
US20110031214A1 (en) * 2009-08-06 2011-02-10 Jisoo Kim Vacuum processing chambers incorporating a moveable flow equalizer
JP2013530516A (ja) * 2010-04-30 2013-07-25 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ツインチャンバ処理システム

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018056442A (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN113327872A (zh) * 2016-09-30 2021-08-31 东京毅力科创株式会社 基板处理装置
JP2020136540A (ja) * 2019-02-21 2020-08-31 東京エレクトロン株式会社 水蒸気処理装置及び水蒸気処理方法
JP7257813B2 (ja) 2019-02-21 2023-04-14 東京エレクトロン株式会社 水蒸気処理装置及び水蒸気処理方法
JP2020077885A (ja) * 2020-02-04 2020-05-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
WO2022065114A1 (ja) * 2020-09-24 2022-03-31 東京エレクトロン株式会社 ガスを供給する装置、基板を処理するシステム、及びガスを供給する方法

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