JP2016164964A5 - - Google Patents

Description

チャンバー１０の内部には、複数枚の被処理基板に対して基板処理を施す２つの処理部１１ａ、１１ｂが設けられている。２つの処理部１１ａ、１１ｂのそれぞれには、基板載置台６１ａ、６１ｂが各々設けられている。基板載置台６１ａ、６１ｂには、被処理基板であるウエハＷａ、Ｗｂが１枚ずつ水平状態にて載置される。基板載置台６１ａ、６１ｂの上方には、処理ガスをチャンバー１０内に導入するためのガス導入部材１２ａ、１２ｂが設けられている。ガス導入部材１２ａ、１２ｂは蓋部５２の内側に取り付けられている。ガス導入部材１２ａと基板載置台６１ａ、およびガス導入部材１２ｂと基板載置台６１ｂは、それぞれ対向して設けられている。そして、ガス導入部材１２ａと基板載置台６１ａを囲むように円筒状をなす内壁７１ａが設けられており、ガス導入部材１２ｂと基板載置台６１ｂを囲むように円筒状をなす内壁７１ｂが設けられている。内壁７１ａ、７１ｂは、蓋部５２の上壁内側からチャンバー本体５１の底部５１ｂにかけて設けられており、これらの上部はそれぞれガス導入部材１２ａおよび１２ｂの側壁を構成している。ガス導入部材１２ａと基板載置台６１ａの間、およびガス導入部材１２ｂと基板載置台６１ｂの間の空間は、内壁７１ａ、７１ｂにより略密閉されウエハＷａ、Ｗｂに対して基板処理を施す処理空間Ｓが形成される。

チャンバー１０の外部には、ガス導入部材１２ａ、１２ｂにガスを供給するガス供給機構１４と、チャンバー１０内を排気する排気機構１５と、ＣＯＲ処理装置１００を制御する制御部１６とが設けられている。チャンバー本体５１の側壁部５１ａには、外部との間でウエハＷを搬送するための搬入出口（図示せず）が設けられており、この搬入出口は、ゲートバルブ（図示せず）により開閉可能となっている。また、内壁７１ａ，７１ｂにも搬入出口（図示せず）が設けられており、この搬入出口はシャッター（図示せず）により開閉可能となっている。

表面にエッチング対象膜（例えばＳｉＯ_２膜）が形成された２枚のウエハＷa、Ｗｂをチャンバー１０内の処理部１１ａおよび処理部１１ｂ内に搬入し、それぞれ基板載置台６１ａおよび基板載置台６１ｂ上に載置する。そして、排気機構１５によりチャンバー１０内を所定の圧力に調整し、圧力を安定させる圧力安定化工程の後、基板処理工程を実施する。処理部１１ａ、１１ｂは排気機構１５を共有しているので、圧力安定化工程および基板処理工程の際の圧力調整は、共通の自動圧力制御弁（ＡＰＣ）１０２により行う。

（処理シーケンスの他の例）
上記の処理シーケンス例においては、独立基板処理モードＳ２−２において、一方の処理部における処理ガス（ＨＦガス、ＮＨ_３ガス）を停止した際に、他方の処理部においてＡｒガスおよびＮ_２ガスを増量させて補完ガスとして機能させることにより、処理部１１ａと処理部１１ｂとの間の圧力差が生じることを阻止するようにして、処理部１１ａ、１１ｂ相互間でのガスの流入を抑制するが、処理部１１ａ，１１ｂは、内壁７１ａ、７１ｂの基板載置台６１ａ、６１ｂよりも下の部分に形成されたスリットを介して繋がっているため、一方の処理部から他の処理部への処理ガス（ＨＦガス、ＮＨ_３ガス）の回り込み、および他方の処理部から一方の処理部への補完ガス（Ａｒガス、Ｎ_２ガス）の回り込みを完全に防止することは困難であり、わずかなガスの回り込み（ガスの逆拡散）が生じる。処理ガスの流量がある程度以上の場合には、このようなわずかなガスの回り込みはエッチング量に大きな影響を与えず、処理部１１ａ，１１ｂで所望のエッチング量での処理を実現することができるが、低流量領域の処理においては、このようなガスの回り込みの影響が無視し得なくなり、設定したエッチング量に対する偏差が大きくなってしまい、処理部１１ａ，１１ｂにおいて所望の独立処理が行えなくなる。