JP2016163475A - 電力変換装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】新たな部品の追加を必要とせず、起動時の突入電流や電圧サージの発生を抑えるソフトスタートが可能な電力変換装置を提供する。【解決手段】直流コンバータを構成する昇降圧コンバータ回路100と絶縁型LLC共振コンバータである共振コンバータ回路200が直列接続された電力変換装置において、制御部20において、起動時に絶縁型共振コンバータ100の第1のスイッチング素子7および第2のスイッチング素子8をスイッチングさせてスタートアップ処理を実施し、スタートアップ処理が開始された後に出力電圧目標値への追従制御を開始する。【選択図】図1

Description

本発明はコンバータを2段構成とし、ソフトスタートが可能な電力変換装置に関するものである。
特許文献1に示される従来の電力変換装置では、非絶縁型コンバータと絶縁型ブリッジコンバータにより構成されたDC(Direct Current)-DCコンバータであり、絶縁型ブリッジコンバータはLLC(two inductors(LL) and a capacitor(C))共振コンバータ方式を用いると共に、該コンバータを固定オンデューティ比、かつ固定スイッチング周波数で駆動し、電力変換装置の出力電圧を前段の非絶縁型コンバータのPWM(Pulse Width Modulation)制御により調整する。この電力変換装置は、後段のコンバータへの入力電圧変動を制御できるため、入力電圧の範囲が広くなったとしても、定常時での高効率な電力変換を可能としている。
また、特許文献2に示される電力変換装置では、AC(Alternating Current)-DCコンバータとDC-DCコンバータが平滑コンデンサを挟んで直列に接続された構成におけるソフトスタート方法として、前段のAC-DCコンバータ回路部によって平滑コンデンサの充電を完了した後に、後段のDC-DCコンバータの動作を開始する。これにより、起動時の突入電流の流入を回避するとともに、安定してDC-DCコンバータの動作開始を可能としている。
また、特許文献3ではLLC共振方式の電流共振型コンバータのソフトスタート方法について示しており、出力側に対して電力供給可能なスイッチング周波数にてソフトスタートを開始し、スイッチング周波数を漸減する。このようなソフトスタート制御方法によれば、ソフトスタート時に必ずスイッチング素子のZVS(Zero Voltage Switching)が成り立つため、電圧サージを抑制し、耐圧の低いスイッチング素子を選定できる。
また、特許文献4ではLLC共振方式の電流共振型コンバータのソフトスタート方法について示しており、固定スイッチング周波数および可変オンデューティ比にてスイッチング制御開始し、負荷電圧が所定の電圧に達すると、可変スイッチング周波数および固定オンデューティ比にて制御される。これにより、出力開始時の出力コンデンサへのサージ電流を防止する。
特開2013−25860号公報 特許第5538658号公報 特許第5591002号公報 特公表2013−516955公報
しかしながら、特許文献1においては、後段にLLC共振コンバータを備えた電力変換装置のソフトスタート方法については言及されておらず、例えば起動時にLLC共振コンバータを所定の固定オンデューティ比で起動した場合、出力コンデンサへの突入電流により素子故障を引き起こす恐れがあり、さらに前段の非絶縁型コンバータを先に動作させてLLC共振コンバータ入力部の平滑コンデンサを予め充電してしまうと、LLC共振コンバータ動作開始時の突入電流が一層大きくなってしまうなど、起動方法が考慮されていないという課題があった。
また、特許文献2においては、2つのコンバータが直列に接続された構成において、先に前段のコンバータを動作させることにより後段のコンバータの入力電圧を予め増加させるソフトスタート方法であるが、後段のDC-DCコンバータがLLC共振コンバータである場合に同様のソフトスタート方法を適用したとすると、LLC共振コンバータの入力電圧が増加した後にLLC共振コンバータ動作開始されるため、LLC共振コンバータの出力コンデンサに突入電流を生じてしまい、素子や回路に損傷を与える可能性があるという課題があった。
また、特許文献3及び4においては、LLC共振コンバータ単体のソフトスタートについて示されているが、前段に他のコンバータが接続されるなどによりLLC共振コンバータの入力電圧が制御可能な場合については言及されておらず、例えばLLC共振コンバータ前段に他のコンバータが直列に接続され、LLC共振コンバータのスイッチング開始よりも先に前段のコンバータが動作開始し、LLC共振コンバータの入力電圧を増加させてしまうと、LLC共振コンバータの出力コンデンサに突入電流を生じてしまい、素子や回路に損傷を与える可能性があるという課題があった。
本発明は上記のような問題点を解消するためになされたものであり、直流電力を出力するコンバータの後段にLLC共振コンバータが接続された電力変換装置において、新たな部品の追加を必要とせず、起動時の突入電流や電圧サージの発生を抑えるソフトスタートが可能な電力変換装置を提供することを目的とする。
本発明に係る電力変換装置は、
入力電源に接続され、スイッチング素子のスイッチングにより直流電圧を出力する直流コンバータと、
直流コンバータから出力された第1の直流電圧を入力して負荷へ第2の直流電圧を出力する絶縁型共振コンバータと、
直流コンバータと絶縁型共振コンバータの動作を制御する制御部と、を備え、
絶縁型共振コンバータは、1次巻線および2次巻線を有するトランスと、トランスの1次側に接続された共振コンデンサおよび共振リアクトルと、共振コンデンサおよび共振リアクトルへの通電を制御する、互いに直列に接続された第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子と、トランスの2次側に接続された整流回路と、を有し、
制御部は、第2の直流電圧が出力電圧目標値に近づくように直流コンバータと絶縁型共振コンバータのスイッチング素子を制御する電力変換装置において、
制御部は、起動時に絶縁型共振コンバータの第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子を出力電圧目標値への追従制御に先立ってスイッチングさせてスタートアップ処理を実施し、スタートアップ処理が開始された後に出力電圧目標値への追従制御を開始するものである。
本発明に係る電力変換装置によれば、直流コンバータとLLC共振コンバータを直列接続した電力変換装置において、LLC共振コンバータのスタートアップ処理の開始後に電力変換装置の出力電圧制御を開始することにより、新たな部品を追加することなく、起動時の出力コンデンサへの突入電流を防止するとともに、大電流のスイッチングにより生じるサージ電圧を抑制することができ、素子や回路の損傷を防止することができる。
本発明に係る実施の形態1の電力変換装置の構成図である。 本発明に係る実施の形態1の電力変換装置の共振コンバータ回路の動作時における各電圧電流波形を説明する図である。 本発明に係る実施の形態1の電力変換装置の共振コンバータ回路の電流経路を説明する図である。 本発明に係る実施の形態1の電力変換装置の共振コンバータ回路のゲインとスイッチング周波数の関係を説明する図である。 本発明に係る実施の形態1の電力変換装置の共振コンバータ回路のスイッチング周波数を直列共振周波数よりも低くした場合の各電圧電流波形を説明する図である。 本発明に係る実施の形態1の電力変換装置の共振コンバータ回路のスイッチング周波数を直列共振周波数よりも高くした場合の各電圧電流波形を説明する図である。 本発明に係る実施の形態1の電力変換装置のソフトスタートを説明する図である。 本発明に係る実施の形態2の電力変換装置の構成図である。 本発明に係る実施の形態2の電力変換装置の共振コンバータ回路の動作時における各電圧電流波形を説明する図である。 本発明に係る実施の形態2の電力変換装置のソフトスタートを説明する図である。 本発明に係る実施の形態3の電力変換装置のソフトスタートを説明する図である。 本発明に係る実施の形態4の電力変換装置のソフトスタートを説明する図である。 本発明に係る実施の形態5の電力変換装置のソフトスタートを説明する図である。
以下、本発明に係る電力変換装置によるソフトスタート方式に関して好適な実施の形態につき図面を用いて説明するが、各図において同一、または相当する部分については、同一符号を付して説明する。
実施の形態1.
以下、本発明に係る実施の形態1の電力変換装置の装置構成について説明する。図1は、本発明に係る実施の形態1の電力変換装置1000の概略構成を示す図である。
<装置構成>
図1に示すように、電力変換装置1000は、直流コンバータを構成するDC-DC(直流―変換器とも称す)である昇降圧コンバータ回路100と絶縁型のLLC共振コンバータである共振コンバータ回路200を直列接続して構成される。電力変換装置1000は昇降圧コンバータ回路100と共振コンバータ回路200を制御するための制御部20を備える。
電力変換装置1000は、直流電源である直流電源51からの入力電圧Viを昇降圧コンバータ回路100によって任意の直流電圧に変換し、共振コンバータ回路200から負荷52へ出力電圧Voを出力する。
昇降圧コンバータ回路100は、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Fffect Transister)等の半導体スイッチング素子1、4と、ダイオード2、5と、昇降圧リアクトル3と、平滑コンデンサ6とを備えている。半導体スイッチング素子1のドレイン端子は直流電源51の正側端子と接続され、ソース端子はダイオード2のカソード端子及び昇降圧リアクトル3の一端と接続される。昇降圧リアクトル3の他端は半導体スイッチング素子4のドレイン端子及びダイオード5のアノード端子と接続され、ダイオード5のカソード端子は平滑コンデンサ6の正極に接続される。ダイオード2のアノード端子、半導体スイッチング素子4のソース端子、平滑コンデンサ6の負極は直流電源51の負側端子と接続される。
共振コンバータ回路200は、MOSFET等の半導体スイッチング素子(第1のスイッチング素子)7、半導体スイッチング素子(第2のスイッチング素子)8と、共振コンデンサ9と、共振リアクトル10と、トランス11と、整流回路であるダイオード12、13と、出力コンデンサ14を備えている。半導体スイッチング素子7、8の直列回路は昇降圧コンバータ回路100と並列に接続されてハーフブリッジインバータを構成し、当該ハーフブリッジインバータの出力には共振コンデンサ9、共振リアクトル10、トランス11の1次巻線が直列に接続される。また、トランス11の2次巻線はセンタータップを有し、センタータップは出力コンデンサ14の負極および負荷52の負側端子と接続され、トランス11の他の2次巻線はダイオード12、13により整流されるよう出力コンデンサ14の正極に接続される。
なお、半導体スイッチング素子1、4、7、8のそれぞれのソース・ドレイン間には、ダイオードが逆並列に接続されているが、これらのダイオードは、半導体スイッチング素子1、4、7、8にそれぞれ内蔵された構成であっても良い。
また、半導体スイッチング素子1、4、7、8はMOSFET以外にもIGBT等を用いても良い。
また、共振リアクトル10はトランス11の漏れインダクタンスにより形成されるものであっても良い。
また、図1の電力変換装置では、半導体スイッチング素子7、8の接続点から順に共振コンデンサ9、共振リアクトル10、トランス11の順に接続しているが、これに限定されず、共振コンデンサ9、共振リアクトル10、トランス11が直列に接続されていればよい。
また、電力変換装置1000は、直流電源51の入力電圧Viを測定する入力電圧測定回路21、平滑コンデンサ6の直流電圧Vdcを測定する平滑コンデンサ電圧測定回路22、出力電圧Voを測定する出力電圧測定回路23を備えている。
制御部20は、信号線41、42、43により、入力電圧測定回路21、平滑コンデンサ電圧測定回路22、出力電圧測定回路23からの電圧検出値をそれぞれ取得し、制御線31、32、33、34により半導体スイッチング素子1、4、7、8をそれぞれオンオフ制御する。
<動作>
このように構成される本実施の形態1の電力変換装置1000の動作について説明する。まず昇降圧コンバータ回路100と共振コンバータ回路200の動作原理について示す。
昇降圧コンバータ回路100の降圧動作について、制御部20は半導体スイッチング素子4をオフ固定させた状態で、半導体スイッチング素子1をPWM(Pulse Width Modulation)制御することにより、入力電流および平滑コンデンサ6の直流電圧Vdc(第1の直流電圧とも称す)を制御することができる。具体的なPWM動作としては、半導体スイッチング素子1をオンすることにより、入力電圧Viと平滑コンデンサ6の直流電圧Vdcの差分電圧により昇降圧リアクトル3を励磁しつつ平滑コンデンサ6を充電する。また、半導体スイッチング素子1をオフすることにより、平滑コンデンサ6の直流電圧Vdcにより昇降圧リアクトル3を消磁しつつ平滑コンデンサ6を充電する。なお、降圧動作であるため、入力電圧Vi>直流電圧Vdcとなる。
昇降圧コンバータ回路100の昇圧動作について、制御部20は半導体スイッチング素子1をオン固定させた状態で、半導体スイッチング素子4をPWM制御することにより、入力電流および平滑コンデンサ6の直流電圧Vdcを制御することができる。具体的なPWM動作としては、半導体スイッチング素子4をオンすることにより、入力電圧Viにより昇降圧リアクトル3を励磁する。また、半導体スイッチング素子4をオフすることにより、入力電圧Viと平滑コンデンサ6の直流電圧Vdcの差分電圧により昇降圧リアクトル3を励磁しつつ平滑コンデンサ6を充電する。なお、昇圧動作であるため入力電圧Vi≦直流電圧Vdcとなる。
なお半導体スイッチング素子1、4を同時にオンまたはオフさせてPWM制御することにより昇降圧制御することも可能であり、ここではその説明は省略するが、このような方法により制御するものであっても良い。
次に、本実施の形態1の共振コンバータ回路200の動作原理について説明する。制御部20は共振コンバータ回路200の半導体スイッチング素子7、8をデッドタイムを挟んでほぼ50%のオンデューティ比でそれぞれオンオフ制御する。
図2は、共振コンバータ回路200をスイッチング動作させたときの各電圧電流波形を示す説明図である。なお、共振コンデンサ9と共振リアクトル10とで構成される直列共振回路の直列共振周波数fsrの半周期にデッドタイムを加えた時間を半周期とするスイッチング周波数fswで動作させた場合の波形を示している。
図2では、半導体スイッチング素子7、8のゲート・ソース間に印加されるゲート電圧Vgs7、Vgs8、半導体スイッチング素子7、8のドレイン・ソース間に印加される電圧Vds7、Vds8、トランス11の1次側に印加される電圧Vtr1、共振コンデンサ9や共振リアクトル10に流れる電流(以下、「共振電流」と称する)ILr、トランス11の励磁インダクタンスLmに流れる励磁電流ILm、およびトランス11の2次側整流用のダイオード12、13に流れる電流ID12、ID13の波形をそれぞれ示している。
また、図2において、時刻t2、t6は、半導体スイッチング素子7がターンオン、時刻t3、t7は、半導体スイッチング素子7がターンオフするタイミングを示している。また、時刻t1、t5は、半導体スイッチング素子8がターンオフ、時刻t4、t8は、半導体スイッチング素子8がターンオンするタイミングを示している。なお、半導体スイッチング素子7、8の一方がターンオフしてから他方がターンオンする間には、デッドタイム(td)が設けられている。また、トランス11の1次側に流れる電流は、共振コンデンサ9からトランス11に流れる方向を正としている。
図3(a)〜(d)は、共振コンバータ回路200の半導体スイッチング素子7、8がオンオフしているときの電流経路を、図2の各時刻と対応して示す説明図である。
図3(a)に示した時刻t1〜t2において、半導体スイッチング素子8がターンオフした直後は、共振電流ILrはトランス11→共振リアクトル10→共振コンデンサ9→半導体スイッチング素子7のボディダイオードの経路で流れる。
また、図3(b)に示した時刻t2〜t3において、半導体スイッチング素子7のボディダイオードには直前まで電流が流れているため、ドレイン・ソース間電圧Vds7は0Vである。そのため、半導体スイッチング素子7のターンオン時はZVSが成立する。半導体スイッチング素子7のターンオン後は、共振電流ILrは半導体スイッチング素子7→共振コンデンサ9→共振リアクトル10→トランス11の経路で流れる。なお、図中の実線は時刻t2〜t3のときの電流経路であり、点線は直前まで流れていた共振電流ILrの電流経路である。
また、図3(c)に示した時刻t3〜t4において、半導体スイッチング素子7がターンオフした直後は、共振電流ILrは共振コンデンサ9→共振リアクトル10→トランス11→半導体スイッチング素子8のボディダイオードの経路で流れる。
また、図3(d)で示した時刻t4〜t5において、半導体スイッチング素子8のボディダイオードには直前まで電流が流れているので、ドレイン・ソース間電圧Vds8は0Vである。そのため、半導体スイッチング素子8のターンオン時はZVSが成立する。半導体スイッチング素子8のターンオン後は、共振電流ILrは半導体スイッチング素子8→トランス11→共振リアクトル10→共振コンデンサ9の経路で流れる。なお、図中の実線は時刻t4〜t5のときの電流経路であり、点線は直前まで流れていた共振電流ILrの電流経路である。
また、図3には示していないが、共振電流ILrと励磁電流ILmとの差分電流がトランス11の2次側に流れ、ILr>ILmの場合にダイオード12に電流ID12が流れ、ILm>ILrの場合にダイオード13に電流ID13が流れる。
ここで、LLC共振コンバータの周波数とゲインとの関係について説明する。なお、ゲインとはLLC共振コンバータである共振コンバータ回路200の入出力電圧比のことである。
図4は、共振コンバータ回路200のスイッチング周波数とゲインとの関係を示す説明図である。ここで図4のNormalized Frequencyとは規格化周波数fn(=fsw/fsr)である。
図4より、トランス11の励磁インダクタンスLmと共振リアクトル10のインダクタンスLrとによって決まるインダクタンス比Ln(=Lm/Lr)によって、スイッチング周波数fswに対するゲイン特性は異なっている。図4において、インダクタンス比Lnを小さく設計することにより、スイッチング周波数の変動に対するゲイン変動が大きくなる。この特性を利用し、LLC共振コンバータは一般的にスイッチング周波数を制御してゲインを調整し、出力電圧Voを制御する。
また、図4よりインダクタンス比Lnが大きくなるほどゲインが変化しづらいことが分かる。通常、図4に示したゲイン特性は負荷の大きさによっても変化するが、インダクタンス比Lnが十分に大きければ負荷変動によるゲイン特性への影響は少ない。つまり、インダクタンス比Lnが大きければ、急激な負荷変動に対しても安定した出力電圧Voを得ることができる。
本実施の形態1では、共振コンバータ回路200のインダクタンス比Lnを十分に大きくとり、周波数変動に対するゲイン変動が少なくなるよう、励磁インダクタンスLmと共振リアクトル10のインダクタンスLrを決定することとする。
<制御方法>
以下では電力変換装置1000の定常状態での制御について説明する。まず共振コンバータ回路200の制御方法について説明する。
制御部20は、図2に示したとおり、デッドタイムを挟んでほぼ50%のオンデューティ比で、かつ共振コンデンサ9と共振リアクトル10とで構成される直列共振回路の直列共振周波数fsrの半周期にデッドタイムを加えた時間を半周期とするスイッチング周波数fswで半導体スイッチング素子7、8を交互にオンする。つまり、共振コンバータ回路200を固定オンデューティ比、固定スイッチング周波数にて動作させる。
一般的に、LLC共振コンバータではZCS(Zero Current Switching)により高効率化するために、スイッチング周波数fswと直列共振周波数fsrとが等しくなるように制御することが推奨されているが、実際には、デッドタイム分だけ半導体スイッチング素子のオン時間が短くなるため、ターンオフ損失が発生する。このため、次式(1)で表されるように、スイッチング周波数fswの半周期と、直列共振周波数fsrの半周期にデッドタイムを加えた時間とが等しくなるように、スイッチング周波数を決定する。これは、以降の実施の形態にて後述するが、2次側整流回路が同期整流の場合に最も効果を発揮する。
対比のために、半導体スイッチング素子7、8のスイッチング周波数fswを直列共振周波数fsrよりも十分低くした場合の各電圧電流波形を図5に示し、スイッチング周波数fswを直列共振周波数fsrよりも十分高くした場合の各電圧電流波形を図6に示す
次に昇降圧コンバータ回路100の制御方法について説明する。上記のとおり、制御部20は共振コンバータ回路200を固定オンデューティ比かつ固定スイッチング周波数にて制御するため、LLC共振コンバータとしてのゲインは一定となる。従って、制御部20は、昇降圧コンバータ回路100の半導体スイッチング素子1、4をPWM制御し、平滑コンデンサ6の直流電圧Vdcを調整することにより、出力電圧Voが目標値に近づくように制御する。
共振コンバータ回路200のトランス11の巻き数比をN:1:1(1次側がN)とすると、平滑コンデンサ6の直流電圧Vdcと出力電圧Vo(第2の直流電圧とも称す)の関係式として次式(2)が成り立つ。
式(2)より、直流電圧Vdcと出力電圧Voは単純な比例関係として表されることが分かる。制御部20は、出力電圧Vo目標値またはそれから換算される直流電圧Vdc目標値と、出力電圧測定回路23または平滑コンデンサ電圧測定回路22から得られた電圧値との差分を求め、PI制御によるフィードバック制御等によって昇降圧コンバータ回路100の半導体スイッチング素子1、4をPWM制御することにより、出力電圧Voの追従制御を行う。
<ソフトスタート方法>
以下では、本実施の形態1における電力変換装置1000のソフトスタート方法について図7を用いて説明する。図7は、昇降圧コンバータ回路100の制御に用いる出力電圧Vo目標値、出力電圧Vo、共振コンバータ回路200の制御に用いる半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比、直流電圧Vdcの時間推移波形を示す。なお、図中の太破線は、直流電圧Vdcが初期値を持っている場合について示している。
図7のt10〜t12の期間が本実施の形態でのソフトスタート期間であり、制御部20は、t10〜t11において共振コンバータ回路200のスタートアップ、t11〜t12において昇降圧コンバータ回路100による出力電圧Voの追従制御によるソフトスタートを実施する。
t10〜t11の期間では、制御部20は、共振コンバータ回路200の半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比をデッドタイム分を差し引いたほぼ50%のオンデューティ比まで漸増させる。またスイッチング周波数fswは、上述した固定スイッチング周波数にて動作する。なお、ほぼ50%のオンデューティ比は、図7では簡易的に0.5と記載している。これにより、例えば電力変換装置1000が停止直後に再起動した場合など、太破線で示すように直流電圧Vdcが初期値を持った状態で動作開始したとしても、半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比は徐々に増加するため、平滑コンデンサ6が徐々に放電され、出力コンデンサ14への突入電流を生じることなく、共振コンバータ回路200のスイッチング動作を開始することができる。
t11〜t12の期間では、制御部20は、出力電圧Vo目標値を0Vから所定の制御目標値まで漸増させ、昇降圧コンバータ回路100のスイッチング素子1、4を制御することにより、出力電圧Voの追従制御を行う。これにより、出力コンデンサ14及び負荷52への急激な電圧出力が防止され、突入電流を抑制できる。また、出力電圧Vo目標値の変化が緩やかなため、オーバーシュートなどの制御変動を抑制できる。
以上説明した実施の形態1の電力変換装置1000のソフトスタート方法によれば、昇降圧コンバータ回路100と共振コンバータ回路200を直列接続した構成において、共振コンバータ回路200のスタートアップ処理を開始した後に昇降圧コンバータ回路100による出力電圧Voの追従制御を開始することにより、共振コンバータ回路200のスイッチング開始時に直流電圧Vdcを低電圧に保つことができ、共振コンバータ回路200のスタートアップ期間に生じる突入電流や、その突入電流をスイッチングすることによって発生する電圧サージを抑えることができる。また、突入電流や電圧サージを新たな部品を追加することなく抑えることができ、素子や回路の損傷を防止することができる。
また、共振コンバータ回路200のインダクタンス比Lnを十分大きくし、固定オンデューティ比及び固定スイッチング周波数で制御し、昇降圧コンバータ回路100のPWM制御により出力電圧Vo目標値への追従制御を実行するという構成であったとしても、出力コンデンサ14に突入電流を生じることなくスイッチング動作の開始が可能である。
また、共振コンバータ回路200のオンデューティ比を漸増させることにより、共振コンバータ回路200の出力電圧が徐々に増加し、出力コンデンサ14への突入電流を生じることなく、共振コンバータ回路200のスイッチング動作を開始することができる。オンデューティ比が十分に高くなるまでは共振電流がスイッチングされ、ZCS不成立のためトランス11の2次側に電圧サージを生じるが、徐々にオンデューティ比を増加させながら直流電圧Vdcの電圧を低下させることで、電圧サージは抑えられる。また、オンデューティ比をほぼ50%まで増加させることにより、昇降圧コンバータ回路100による出力電圧Vo制御の制御へ円滑につなげることができる。
また、共振コンバータ回路200のスイッチング周波数fswを固定したままソフトスタート実行することにより、ソフトスタートを簡易に実現可能である。
また、共振コンバータ回路200によるスタートアップ処理が完了した後に昇降圧コンバータ回路100の制御を開始することにより、直流電圧Vdcが完全に安定した状態でフィードバック制御を開始することができ、常に同じ制御性能にて動作開始可能となる。
また、出力電圧Vo目標値を定常状態での制御目標値まで漸増させることにより、出力コンデンサ14及び負荷52への急激な電圧出力が防止され、突入電流を抑制できる。また、出力電圧Vo目標値の変化が緩やかなため、オーバーシュートなどの制御変動を抑制できる。
また、共振コンバータ回路200の入力電圧となる直流電圧Vdcを制御可能なDCDCコンバータである昇降圧コンバータ回路100を前段に備えているため、共振コンバータ回路200の起動時の突入電流および電圧サージを抑えることができる。
なお、上記実施の形態1では共振コンバータ回路200の前段に昇降圧コンバータ回路100を備える構成について記載したが、これに限らず、他のコンバータ回路を備えるものであっても良い。例えば昇降圧コンバータ回路100ではなく降圧コンバータ回路を備えていた場合には、図1に示した半導体スイッチング素子4を除去、ダイオード5を短絡した回路となるが、上記のソフトスタート方法とすることにより、共振コンバータ回路200のスイッチングを開始する時点での直流電圧Vdcを低く保つことができ、突入電流および電圧サージを抑制することができる。
また、例えば昇降圧コンバータ回路100ではなく昇圧コンバータ回路を備えていた場合、図1に示した半導体スイッチング素子1を短絡、ダイオード2を除去した回路となる。この場合、昇圧コンバータ回路が停止状態であっても平滑コンデンサ6が充電され、直流電圧Vdcは入力電圧Vinと等しくなる。このような構成であっても上記のソフトスタート方法をとることにより、共振コンバータ回路200のスイッチングを開始する時点で昇圧コンバータ回路は動作させず、直流電圧Vdcを極力低く保つことができ、突入電流および電圧サージを抑制することができる。
また、上記実施の形態1では入力に直流電源51を備えているが、これに限るものではなく、交流電源を備え、共振コンバータ回路200の前段にAC-DCコンバータ(交流−直流変換器とも称す)を備える構成であっても良い。例えば、AC-DCコンバータとして上述の昇圧コンバータと同様の回路を備えAC-DC変換制御を行った場合であっても、上記ソフトスタートは同様の効果を奏する。
実施の形態2.
以下、本発明に係る実施の形態2の電力変換装置の装置構成について説明する。図8は、本発明に係る実施の形態2の電力変換装置1000の概略構成を示す図である。
<装置構成>
図8について、トランス11の2次側整流回路は同期整流回路の構成とするため半導体スイッチング素子15、16を備え、負荷としてバッテリ等の電圧源負荷53を備える。なお、図1に示した電力変換装置1000と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
制御部20は、制御線35、36により半導体スイッチング素子15、16をそれぞれオンオフ制御して同期整流することにより、ダイオード整流回路と比較して低導通損失とす
ることがきる。
<動作原理>
昇降圧コンバータ回路100及び共振コンバータ回路200の定常状態での動作については上記実施の形態1と同様であるためここでは説明を省略し、共振コンバータ回路200の半導体スイッチング素子15、16の同期整流動作について、図9を用いて説明する。図9は、実施の形態2における共振コンバータ回路200の動作時における各電圧電流波形を示す説明図である。
図9では、半導体スイッチング素子7、8のゲート・ソース間に印加されるゲート電圧Vgs7、Vgs8、半導体スイッチング素子7、8のドレイン・ソース間に印加される電圧Vds7、Vds8、トランス11の1次側に印加される電圧Vtr1、共振コンデンサ9や共振リアクトル10に流れる共振電流ILr、トランス11の励磁インダクタンスLmに流れる励磁電流ILm、半導体スイッチング素子15、16のゲート・ソース間に印加されるゲート電圧Vgs15、Vgs16、および半導体スイッチング素子15、16に流れる電流ID15、ID16の波形をそれぞれ示している。なお、1次側に流れる電流は、共振コンデンサ9からトランス11に流れる方向を正としている。
ここで、制御部20は、半導体スイッチング素子7と半導体スイッチング素子15とのオンオフ制御の同期をとっており、半導体スイッチング素子8と半導体スイッチング素子16とのオンオフ制御の同期をとる。
昇降圧コンバータ回路100及び共振コンバータ回路200の制御方法については実施の形態1と同じであるため、ここでは説明を省略する。
<ソフトスタート方法>
以下では、本実施の形態2における電力変換装置1000によるソフトスタート方法について図10を用いて説明する。図10は、昇降圧コンバータ回路100の制御に用いる出力電圧Vo目標値、出力電圧Vo、共振コンバータ回路200の制御に用いる半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比、同期整流素子である半導体スイッチング素子15、16のオンデューティ比、直流電圧Vdcの時間推移波形を示す。なお、図中の太破線は、直流電圧Vdcが初期値を持っている場合について示している。
図10のt20〜t22の期間が本実施の形態2でのソフトスタート期間であり、制御部20は、t20〜t21において共振コンバータ回路200のスタートアップ、t21〜t22において昇降圧コンバータ回路100による出力電圧Voの追従制御によるソフトスタートを実施する。
t20〜t21の期間では、制御部20は、共振コンバータ回路200の半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比をデッドタイム分を差し引いたほぼ50%のオンデューティ比まで漸増させ、これと同期して、半導体スイッチング素子15、16もそれぞれほぼ50%のオンデューティ比にて漸増させる。またスイッチング周波数fswは、固定スイッチング周波数にて動作する。なお、ほぼ50%のオンデューティ比は、図10では簡易的に0.5と記載している。
図10に細破線で示した直流電圧Vdcについて、負荷として電圧源負荷53が接続されているため、直流電圧Vdcが低い条件では、半導体スイッチング素子15、16の同期整流動作により、負荷側から共振コンバータ回路200のトランス11を介して平滑コンデンサ6へ電力が逆流する動作となり、オンデューティ比増加により直流電圧Vdcが増加する。このとき、共振コンバータ回路200のインダクタンス比Lnは十分大きくゲイン変動が少なく上記式(2)が成り立つため、直流電圧Vdcと出力電圧Voは上記式(2)で示したVdc=2N×Voの関係にて安定する。つまり、Vdc<2N×Voのとき、同期整流により電力逆流して平滑コンデンサ6は充電される。
また、図10に太破線で示した直流電圧Vdcについて、例えば電力変換装置1000が停止直後に再起動したときなどの電圧初期値を持つ場合を示しているが、Vdc>2N×Voのときは半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比の増加により電力出力され、Vdc=2N×VoとなるまでVdcは減少する。
t21〜t22の期間では、制御部20は、t21の時点での出力電圧Voを目標値の初期値として、所定の制御目標値まで漸増させる。
なお、電圧源負荷53が理想的な電圧源であれば、出力電圧Voは電圧源の電圧から変化しないが、ここでは電圧源負荷53はバッテリのように内部抵抗を持ち、電流の導通により電圧源負荷53の両端電圧が増加するものとする。
以上説明した実施の形態2の電力変換装置1000のソフトスタート方法によれば、共振コンバータ回路200のトランス11の2次側の整流回路として半導体スイッチング素子15、16を備え、上記t20〜t21の共振コンバータ回路200のスタートアップ時に同期整流動作を行うことにより、電圧源負荷53が接続された場合であっても、直流電圧Vdcと出力電圧Voが上記式(2)の関係となるよう、電圧源負荷53から平滑コンデンサ6へ逆流して電力供給が行われる。このとき、突入電流を抑えてソフトスタートされる半導体スイッチング素子7、8のスイッチング動作と同期して半導体スイッチング素子15、16も動作するため、逆流時の突入電流も抑制される。また、上記式(2)の関係が保証された状態で昇降圧コンバータ回路100による出力電圧Vo制御を開始することにより、直流電圧Vdcの増加によって即時に電力出力可能となる(Vdc<2N×Voの状態では共振コンバータ回路200は電力出力できない)ため、制御開始時の不感時間が短く、制御オーバーシュートも抑制できる。
また、昇降圧コンバータ回路100の制御を開始する際に、開始時点の出力電圧Voの値を出力電圧Vo目標値の初期値とすることにより、円滑に出力電圧Vo制御を開始することが可能となる。例えば、出力電圧Vo目標値を0Vから漸増させた場合、0Vから電圧源負荷53の電圧まで漸増する期間は出力電圧Voを制御できずソフトスタート時間が長くなってしまい、さらに制御できなかった期間にPI制御の積分項が積算され制御可能な条件になった途端に制御のオーバーシュートを生じる可能性がある。
なお、上記実施の形態2では共振コンバータ回路200のスタートアップが完了してから昇降圧コンバータ回路100による出力電圧Vo制御を開始していたが、これに限らず、直流電圧Vdcと出力電圧Voの関係から出力電圧Vo制御の開始を判断するものであっても良い。例えば、上記t20〜t21の共振コンバータ回路200のスタートアップ中にVdc=2N×Voの関係に一致したときに出力電圧Vo制御を開始すれば、制御開始時の不感時間が短く、スムーズに出力制御が開始できる。
また、上記実施の形態2では共振コンバータ回路200のオンデューティ比をほぼ50%まで漸増させていたが、これに限らず、直流電圧Vdcと出力電圧Voの関係から共振コンバータ回路200のスタートアップの完了を判定するものであっても良い。例えば、上記t20〜t21の共振コンバータ回路200のスタートアップ中にVdc=2N×Voの関係に一致したとき、平滑コンデンサ6と出力コンデンサ14の電力授受は行われないため、共振コンバータ回路200のスタートアップを完了して、オンデューティ比をほぼ50%に急激に変化させることで、突入電流を生じることなく、ソフトスタートの時間を短縮することができる。
また、上記実施の形態2のようにバッテリ等の電圧源負荷53を備えていた場合、共振コンバータ回路200のスタートアップの前に昇降圧コンバータ回路100を動作させて予め直流電圧Vdcを増加させておくことで、共振コンバータ回路200のスタートアップにおいて出力コンデンサ14から平滑コンデンサ6へ電力逆流するときの電流を抑えることができるため、この時発生するスイッチング電圧サージを低減可能であり、これによりスタートアップ時のオンデューティ比の増加量を高めてソフトスタート時間を短縮することができる。また、共振コンバータ回路200のスタートアップの前に直流電圧Vdc=2N×Voまで増加させておくことで、平滑コンデンサ6と出力コンデンサ14の電力授受は行われない条件となるため、共振コンバータ回路200のスタートアップ時間を短縮することができる。
実施の形態3.
以下、本発明に係る実施の形態3の電力変換装置について説明する。装置構成は上記実施の形態2と同様であり、図8にて示したとおりである。また制御方法についても上記実施の形態2と同様であり、説明は省略する。
<ソフトスタート方法>
以下では、本実施の形態における電力変換装置1000によるソフトスタート方法について図11を用いて説明する。図11は、昇降圧コンバータ回路100の制御に用いる出力電圧Vo目標値、出力電圧Vo、共振コンバータ回路200の制御に用いる半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比、同期整流素子である半導体スイッチング素子15、16のオンデューティ比、直流電圧Vdcの時間推移波形を示す。
図11のt30〜t35の期間が本実施の形態でのソフトスタート期間であり、制御部20は、t30〜t31において共振コンバータ回路200の半導体スイッチング素子7、8のスタートアップ、t31〜t35において昇降圧コンバータ回路100による出力電圧Voの追従制御によるソフトスタートを実施する。また、t32〜t34において同期整流素子である半導体スイッチング素子15、16のソフトスタートを実施する。
t30〜t31の期間では、半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比を漸増させる。直流電圧Vdcは0Vであり、半導体スイッチング素子15、16のオンデューティ比0で同期整流実施していないため、平滑コンデンサ6と出力コンデンサ14の電力授受は無く、直流電圧Vdcは変化しない。
t31〜t32の期間について、半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比が、昇降圧コンバータ回路100の制御開始する閾値であるDuty_thを超過し、出力電圧Vo制御が開始する。昇降圧コンバータ回路100のPWM制御により直流電圧Vdcが増加するが、Vdc<2N×Voである間は電力出力できず、出力電圧Voのフィードバック制御により直流電圧Vdcが急増する動作となる。Duty_thは、例えば、半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比をここまで漸増させれば、共振コンバータ回路200において突入電流を生じない程度の直流電圧Vdcまで十分低下できるオンデューティ比を設定する。
t32〜t34の期間について、Vdc=2N×Voとなったt32の時点から同期整流素子である半導体スイッチング素子15、16のオンデューティ比を漸増させる。なお、Vdc=2N×Voの条件に一致していれば、t32の時点で半導体スイッチング素子15、16のオンデューティ比を半導体スイッチング素子7、8と同期させてほぼ50%まで急変させても、理想的には出力コンデンサ14から平滑コンデンサ6へ向けての電力逆流による突入電流を生じることなく同期整流開始可能である。しかし、平滑コンデンサ電圧測定回路22、出力電圧測定回路23からの電圧検出値が誤差を含んでいた場合など、突入電流を生じる状態であるにもかかわらずオンデューティ比を急増させてしまう恐れが
ある場合には、ここで示したように同期整流素子のオンデューティ比を漸増させることで、突入電流を抑制することができる。
以上説明した実施の形態3の電力変換装置1000のソフトスタート方法によれば、共振コンバータ回路200のスタートアップ期間における半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比により昇降圧コンバータ回路100の制御開始を判断することにより、共振コンバータ回路200のスタートアップの完了を待たず出力制御開始するためソフトスタート時間の短縮が可能となる。また、半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比ではなく、スイッチング周波数があらかじめ定められた値に達したときに、出力電圧目標値への追従制御を開始するようにしても同様の作用効果を得ることができる。
また、半導体スイッチング素子7、8とは異なるあらかじめ決められたタイミングで半導体スイッチング素子15、16のスイッチングを開始することで、出力コンデンサ14から平滑コンデンサ6の方向への電力逆流を防止することができる。特に第1の直流電圧であるVdcと第2の直流電圧であるVoの値、即ち、Vdc=2N×Voに一致する時点で同期整流回路による同期整流を開始することにより、電力逆流を生じることなく、ソフトスタートの早期に同期整流を開始して高効率に動作可能とすることができる。
また、同期整流の開始時点において半導体スイッチング素子15、16のオンデューティ比を漸増させることにより、出力コンデンサ14から平滑コンデンサ6への電力逆流による突入電流を抑制することができ、素子や回路の損傷を防ぐことができる。
なお、上記実施の形態3では共振コンバータ回路200のスタートアップにおいてオンデューティ比を0から増加させる場合について示したが、オンデューティ比を0〜0.5の任意の値としてスタートアップを開始するものであっても良い。例えば本実施の形態で示したように電圧源負荷53が接続されている場合、Vdc<2N×Voの時には半導体スイッチング素子7、8をスイッチングさせても出力コンデンサ14へ電力伝送されない。そのため、オンデューティ比を0より高い値としてスタートアップ開始することにより、スタートアップ時間を短縮することができる。実施の形態1、2においても同様の作用効果を得ることができる。
また、上記実施の形態3では昇降圧コンバータ回路100の制御開始を半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比で判断していたが、例えば半導体スイッチング素子7、8のスイッチング周波数を調整することでソフトスタートする場合に、該スイッチング周波数が所定値となったことで昇降圧コンバータ回路100の制御開始を判断するものであっても、同様にソフトスタート時間の短縮が可能である。なおスイッチング周波数の調整によりソフトスタートする方法は、実施の形態4にて後述する。
また、上記実施の形態3ではVdc=2N×Voに一致する時点で同期整流を開始することにより、電力逆流を生じることなく同期整流を開始する方法について示したが、これに限らず、例えばトランス11の2次側電流や電圧源負荷53への出力電流を測定し、この電流が流れたことを検出した時点で同期整流を開始することにより、電力逆流を生じることなく、ソフトスタートの早期に同期整流を開始して高効率に動作可能となる。また、スタートアップ処理が完了してから所定時間の経過により同期整流開始を判断することによっても、出力電圧Vo制御の実行によって確実に電力出力が行われていると考えられる時点で同期整流を開始することができ、同様の効果を得ることができる。
実施の形態4.
以下、本発明に係る実施の形態4の電力変換装置について説明する。装置構成は上記実施の形態2と同様であり、図8にて示したとおりである。
<制御方法>
本実施の形態4では、共振リアクトル10のインダクタンスLrとトランス11の励磁インダクタンスLmの比であるLn比(=Lm/Lr)を低く設定する。図4に示したように、Ln比が小さくなるにつれて共振コンバータ回路200のゲイン特性がスイッチング周波数に対して変動する特性となる。
上記実施の形態1〜3で示した共振コンバータ回路200は、Ln比を大きくしたため、半導体スイッチング素子7、8のスイッチング周波数を増減してもゲインの変化幅は小さくなっているため、共振コンバータ回路200のスイッチング周波数fswは固定周波数とし、昇降圧コンバータ回路100が直流電圧Vdcを調整することにより出力電圧Voの制御を行った。これに対し本実施の形態4では、Ln比を小さくするため、スイッチング周波数fswを増減させることにより共振コンバータ回路200のゲインを調整して出力電圧Voを制御し、昇降圧コンバータ回路100は直流電圧Vdcを直流電圧目標値Vdc*に維持する。
<ソフトスタート方法>
以下では、本実施の形態4における電力変換装置1000によるソフトスタート方法について図12を用いて説明する。図12は、昇降圧コンバータ回路100の制御に用いる出力電圧Vo目標値、出力電圧Vo、共振コンバータ回路200の制御に用いる半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比、同期整流素子である半導体スイッチング素子15、16のオンデューティ比、共振コンバータ回路200のスイッチング周波数fsw、直流電圧Vdcの時間推移波形を示す。なお、図中の太破線は、直流電圧Vdcが初期値を持っている場合について示している。
図12のt40〜t43の期間が本実施の形態でのソフトスタート期間であり、制御部20は、t40〜t41において共振コンバータ回路200のスタートアップ、t41〜t42において昇降圧コンバータ回路100による直流電圧Vdc制御、t42〜t43において共振コンバータ回路200による出力電圧Voの追従制御によるソフトスタートを実施する。
t40〜t41の期間では、共振コンバータ回路200の半導体スイッチング素子7、8、15、16のオンデューティ比はほぼ50%にて固定して動作し、スイッチング周波数fswを所定の初期値fsw0から漸減させる。fsw0は直列共振周波数fsrよりも十分高い周波数であり、図4より、スイッチング周波数fswをこのようなfsw0から漸減することによりゲインが増加することが分かる。
図12に細破線で示した直流電圧Vdcについて、負荷として電圧源負荷53が接続されているため、直流電圧Vdcが低い条件では、半導体スイッチング素子15、16の同期整流動作により、負荷側から共振コンバータ回路200のトランス11を介して平滑コンデンサ6へ電力が逆流する動作となり、スイッチング周波数fsw漸減によるゲイン増加によって直流電圧Vdcが増加する。
また、図12に太破線で示した直流電圧Vdcについて、例えば電力変換装置1000が停止直後に再起動したときなどの電圧初期値を持つ場合を示しているが、スイッチング周波数fsw漸減によるゲイン増加によって電力出力され直流電圧Vdc低下する。
t41において、直流電圧Vdc=2N×Voとなった時点で出力電圧Vo制御を開始する。
t41〜t43の期間では、制御部20は、t41の時点での出力電圧Voを目標値の初期値として、所定の制御目標値まで漸増させる。出力電圧Voは共振コンバータ回路200のスイッチング周波数fswの調整により制御される。t41〜t42は昇降圧コンバータ回路100が直流電圧Vdcを直流電圧目標値Vdc*へ追従させる制御を行っており、このとき直流電圧Vdcの増加によって出力電圧Voも増加するため、共振コンバータ回路200のスイッチング周波数fswを増加させてゲイン低下させるなどの調整によって出力電圧Voを目標値に追従させる。t42〜t43では、直流電圧Vdcが直流電圧目標値Vdc*に追従した状態で維持され、出力電圧Vo目標値の漸増に伴い共振コンバータ回路200のスイッチング周波数fswを減少させてゲインを増加させている。
なお、電圧源負荷53が理想的な電圧源であれば、出力電圧Voは電圧源の電圧から変化しないが、ここでは電圧源負荷53はバッテリのように内部抵抗を持ち、電流の導通により電圧源負荷53の両端電圧が増加するものとする。
以上説明した実施の形態4の電力変換装置1000のソフトスタート方法によれば、直流電圧Vdcが一定となるよう昇降圧コンバータ回路100を制御し、共振コンバータ回路200の半導体スイッチング素子7、8、15、16のオンデューティ比をほぼ50%固定値としつつスイッチング周波数fswを調整することにより出力電圧Voを制御する場合であっても、起動時の突入電流を抑制し、素子や回路の損傷を防止することができる。また、実施の形態1〜3においても同様の作用効果を得ることができる。
また、共振コンバータ回路200のインダクタンス比Lnを小さい条件としており、図4に示したように、スイッチング周波数fswの変動によりゲインも変動するという特性となるため、十分に高いスイッチング周波数からスイッチング周波数fswを漸減させることによりゲインを漸増させ、共振コンバータ回路200のスタートアップにおいて突入電流を抑制することができる。また、このとき固定オンデューティ比とすることにより、共振コンバータ回路200のスタートアップをスイッチング周波数fswの調整だけであり、簡易な方法にて実現可能である。
なお、上記実施の形態4では共振コンバータ回路200のスタートアップにおいて、十分高い周波数からスイッチング周波数fswを漸減させてゲインを漸増させる方法について示したが、図4より、十分低い周波数からスイッチング周波数を増加させてもゲインを増加させることができるため、この特性を利用してスイッチング周波数を漸増させることで共振コンバータ回路のスタートアップを実行する方法であったとしても、徐々に電力を出力するソフトスタートを実現することができる。
また、上記実施の形態4では、共振コンバータ回路200のインダクタンス比Lnが小さい条件にて、スイッチング周波数fswを変化させてスタートアップする方法について示したが、例えば上記実施の形態1〜3にて示したように、インダクタンス比Lnが大きい条件にて、昇降圧コンバータ回路100にて出力電圧Voを制御する制御方法を用いる場合においても、スイッチング周波数fswを変化させてスタートアップする方法をとることができる。上記実施の形態1〜3ではインダクタンス比Lnを十分大きくし、スイッチング周波数fswに対するゲイン特性がほぼ一定となると説明したが、ゲイン特性は理想的な一定値とはならないため、十分高いスイッチング周波数fswから漸減することにより、ゲインを漸増させてスタートアップし、突入電流を防止することができる。ここで、出力電圧Vo制御においては、直列共振周波数fsrの半周期にデッドタイムを加えた時間を半周期とするスイッチング周波数fswで共振コンバータ回路200を動作させるため、このスイッチング周波数fswを目標値、換言すれば、直流共振周波数の半周期にデッドタイムを加えた時間の2倍を周期とする周波数を目標としてスタートアップを実施することにより、円滑に出力電圧Vo制御を開始することができる。
実施の形態5.
以下、本発明に係る実施の形態5の電力変換装置について説明する。装置構成は上記実施の形態2と同様であり、図8にて示したとおりである。また制御方法についても上記実
施の形態2と同様であり、説明は省略する。
<ソフトスタート方法>
以下では、本実施の形態5における電力変換装置1000によるソフトスタート方法について図13を用いて説明する。図13は、昇降圧コンバータ回路100の制御に用いる出力電圧Vo目標値、出力電圧Vo、共振コンバータ回路200の制御に用いる半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比、同期整流素子である半導体スイッチング素子15、16のオンデューティ比、直流電圧Vdcの時間推移波形を示す。なお、図中の太破線は、直流電圧Vdcが初期値を持っている場合について示している。
図13のt50〜t53の期間が本実施の形態でのソフトスタート期間であり、制御部20は、t50〜t51において共振コンバータ回路200の半導体スイッチング素子7、8のスタートアップ、t51〜t52において昇降圧コンバータ回路100による直流電圧Vdcの予備充電、t52〜t53において昇降圧コンバータ回路100による出力電圧Voの追従制御によるソフトスタートを実施する。
t50〜t51の期間では、制御部20は、共振コンバータ回路200の半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比をデッドタイム分を差し引いたほぼ50%のオンデューティ比まで漸増させる。半導体スイッチング素子15、16のオンデューティ比0で同期整流を実施しない。なお、ほぼ50%のオンデューティ比は、図13では簡易的に0.5と記載している。またスイッチング周波数fswは、固定スイッチング周波数にて動作する。
図13に細破線で示した直流電圧Vdcについて、半導体スイッチング素子15、16のオンデューティ比0で同期整流を実施していないため、出力コンデンサ14から平滑コンデンサ6とへの電力供給は無く、直流電圧Vdcは0Vから変化しない。
図13に太破線で示した直流電圧Vdcについて、例えば電力変換装置1000が停止直後に再起動したときなどの電圧初期値を持つ場合を示しているが、Vdc>2N×Voのときは半導体スイッチング素子7、8のオンデューティ比の増加により電力出力され、Vdc=2N×VoとなるまでVdcは減少する。また、実際には半導体スイッチング素子7、8のスイッチング等による損失を生じるため、Vdcは2N×Vo以下まで低下する。
t51〜t52では、昇降圧コンバータ回路100が直流電圧Vdcを直流電圧目標値Vdc*(=2N×Vo)へ追従させる制御を実施し、出力電圧Voの追従制御のための予備充電を行う。Vdc<2N×Voの状態であれば、半導体スイッチング素子7、8がPWM制御されていたとしてもトランス11の2次側へは電力出力されないため、直流電圧Vdcを所望の電圧まで増加させることが可能となる。
t52において、直流電圧Vdc≧2N×Voとなった時点で昇降圧コンバータ回路100による直流電圧Vdcの制御を完了し、昇降圧コンバータ回路100による出力電圧Voの追従制御を開始する。ただし、平滑コンデンサ電圧測定回路22、出力電圧測定回路23からの電圧検出値が誤差を含んでいた場合など、予備充電において直流電圧Vdc>2N×Voとなるまで制御され、電圧源負荷53に対して電力が出力され始めてしまうため、電圧源負荷53への電流出力を検出した場合においても予備充電を完了させる。また、直流電圧目標値Vdc*に追従しきれず予備充電の期間が長くなってしまう場合に対応するため、予備充電を開始してから所定の時間が経過した時点で予備充電を完了させる。予備充電の期間が長くなってしまう条件について、例えば直流電圧Vdcを0Vから2N×Voまで増加させるときは昇降圧コンバータ回路100を降圧から昇圧に切り替える必要があるが、入力電圧Vinが2N×Voよりわずかに大きい動作条件であれば、降圧動作にて直流電圧Vdcが入力電圧Vinと等しい電圧まで制御された後は直流電圧Vdcのフィードバック制御の偏差が小さくなり、昇圧動作に切り替わるオンデューティ比(降圧制御のオンデューティ比1以上)になるまで時間がかかり、直流電圧Vdc≒2N×Voであるにもかかわらず予備充電を完了するまで長い時間がかかる場合がある。なお、予備充電の完了を判定する時間として、直流電圧Vdcの制御の時定数よりも十分に長い時間を設定し、直流電圧Vdcが直流電圧目標値Vdc*に十分追従できるようにしておく必要がある。
t52〜t53の期間について、同期整流素子である半導体スイッチング素子15、16をオンデューティ比0.5で動作させる。なお、t52にてVdc=2N×Voの条件に一致していれば、出力コンデンサ14と平滑コンデンサ6の間での突入電流を生じることなく同期整流開始可能である。
また、制御部20はt52の時点での出力電圧Voを目標値の初期値として、所定の制御目標値まで漸増させる。
なお、電圧源負荷53が理想的な電圧源であれば、出力電圧Voは電圧源の電圧から変化しないが、ここでは電圧源負荷53はバッテリのように内部抵抗を持ち、電流の導通により電圧源負荷53の両端電圧が増加するものとする。
以上説明した実施の形態5の電力変換装置1000のソフトスタート方法によれば、同期整流開始する前に昇降圧コンバータ回路100による直流電圧Vdcの予備充電を実施することにより、出力コンデンサ14から平滑コンデンサ6への電力逆流における突入電流を抑えることができるため、この時発生するスイッチング電圧サージを低減可能である。また、共振コンバータ回路200のスタートアップの後に直流電圧Vdcを増加させることにより、スタートアップ中の半導体スイッチング素子7、8のスイッチングにより生じる損失を抑制できる。また予備充電における昇降圧コンバータ回路100の制御オンデューティ比を引き継いで出力電圧Voへの追従制御を開始することにより、円滑に昇降圧制御を開始することができる。
また、同期整流開始する前に直流電圧Vdc=2N×Voまで増加させておくことで、平滑コンデンサ6と出力コンデンサ14の電力授受は行われない条件となるため、同期整流開始時に生じる突入電流を最小とすることができる。
また、直流電圧Vdcの予備充電において電圧源負荷53への出力電流を測定し、この電流が流れたことを検出した時点で出力電圧Voの制御を開始することにより、出力電圧Voが目標値を超えて制御されることを防止し、意図しない電流が出力されることを防止することができる。なお、電圧源負荷53への出力電流に限らず、トランス11の2次側電流などにより電力出力を検出するものであっても、同様の効果が得られる。
また、予備充電を開始してから所定時間の経過により出力電圧Voへの追従制御の開始を判断することにより、十分に直流電圧Vdcが増加した状態で予備充電を完了させつつ、ソフトスタート時間の短縮が可能である。
また、予備充電を開始してから所定時間の経過により同期整流の開始を判断することにより、直流電圧Vdc≒2N×Voとなった状態で同期整流開始することができ、早い段階で同期整流開始することにより損失低減できると共に、平滑コンデンサ6と出力コンデンサ14の間で生じる突入電流を抑制可能である。
なお、上記各実施の形態1〜5では、共振コンバータ回路200は、トランス11の1次側に半導体スイッチング素子を2つ用いたハーフブリッジ構成とした。しかしこれに限定されず、例えばフルブリッジ構成であってもよい。
また、上記各実施の形態1〜5では、トランス11の2次側の整流回路はダイオードまたは半導体スイッチング素子を2つ用いたセンタータップ構成とした。しかしこれに限定されず、例えばフルブリッジ構成であってもよい。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することができる。
1 半導体スイッチング素子、3 昇降圧リアクトル、4 半導体スイッチング素子、6 平滑コンデンサ、7 半導体スイッチング素子、8 半導体スイッチング素子、9 共振コンデンサ、10 共振リアクトル、11 トランス、14 出力コンデンサ、20 制御部、51 直流電源、100 昇降圧コンバータ回路、200 共振コンバータ回路、15 半導体スイッチング素子、16 半導体スイッチング素子
特開2013−258860号公報 特許第5538658号公報 特許第5591002号公報 特表2013−516955公報
本発明に係る電力変換装置は、
入力電源に接続され、スイッチング素子のスイッチングにより直流電圧を出力する直流コンバータと、
直流コンバータから出力された第1の直流電圧を入力して負荷へ第2の直流電圧を出力する絶縁型共振コンバータと、
直流コンバータと絶縁型共振コンバータの動作を制御する制御部と、を備え、
絶縁型共振コンバータは、1次巻線および2次巻線を有するトランスと、トランスの1次側に接続された共振コンデンサおよび共振リアクトルと、共振コンデンサおよび共振リアクトルへの通電を制御する、互いに直列に接続された第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子と、トランスの2次側に接続された整流回路と、を有し、
制御部は、第2の直流電圧が出力電圧目標値に近づくように直流コンバータのスイッチング素子を制御して第1の直流電圧を調整する電力変換装置において、
制御部は、起動時に絶縁型共振コンバータの第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子を出力電圧目標値への追従制御に先立ってスイッチングさせてスタートアップ処理を実施し、スタートアップ処理が開始された後に出力電圧目標値への追従制御を開始し、スタートアップ処理の完了後、第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子を、固定オンデューティ比かつ固定スイッチング周波数で、デッドタイムを挟んで交互にオンオフ制御するものである。

Claims (38)

  1. 入力電源に接続され、スイッチング素子のスイッチングにより第1の直流電圧を出力する直流コンバータと、
    前記第1の直流電圧を入力して第2の直流電圧を出力する絶縁型共振コンバータと、
    前記直流コンバータと前記絶縁型共振コンバータの動作を制御する制御部と、を備え、
    前記絶縁型共振コンバータは、1次巻線および2次巻線を有するトランスと、前記トランスの1次側に接続された共振コンデンサおよび共振リアクトルと、前記共振コンデンサおよび前記共振リアクトルへの通電を制御する、互いに直列に接続された第1のスイッチング素子および第2のスイッチング素子と、前記トランスの2次側に接続された整流回路と、を有し、
    前記制御部は、前記第2の直流電圧が出力電圧目標値に近づくように前記直流コンバータと前記絶縁型共振コンバータのスイッチング素子を制御する電力変換装置において、
    前記制御部は、起動時に前記絶縁型共振コンバータの前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子を前記出力電圧目標値への追従制御に先立ってスイッチングさせてスタートアップ処理を実施し、前記スタートアップ処理が開始された後に前記出力電圧目標値への追従制御を開始することを特徴とする電力変換装置。
  2. 前記制御部は、前記スタートアップ処理の完了後、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子を、固定オンデューティ比かつ固定スイッチング周波数で、デッドタイムを挟んで交互にオンオフ制御することを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
  3. 前記制御部は、前記出力電圧目標値への追従制御において、前記第2の直流電圧が前記出力電圧目標値に近づくように、前記直流コンバータを制御して前記第1の直流電圧を調整することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の電力変換装置。
  4. 前記制御部は、前記出力電圧目標値への追従制御において、前記第1の直流電圧が一定となるように前記直流コンバータを制御し、前記スタートアップ処理の完了後、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子を固定オンデューティ比とし、前記第2の直流電圧が前記出力電圧目標値に近づくように、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子のスイッチング周波数を制御することを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
  5. 前記制御部は、前記スタートアップ処理において、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子のオンデューティ比を漸増させることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  6. 前記制御部は、前記スタートアップ処理において、前記オンデューティ比を50%まで漸増することを特徴とする請求項5に記載の電力変換装置。
  7. 前記制御部は、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子を0%から50%の間をオンデューティ比の初期値として前記スタートアップ処理を開始することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  8. 前記制御部は、前記スタートアップ処理において、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子を固定スイッチング周波数で制御することを特徴とする請求項5から7のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  9. 前記制御部は、前記スタートアップ処理において、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子のスイッチング周波数を漸減させることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  10. 前記制御部は、前記スタートアップ処理において、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子のスイッチング周波数を漸増させることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  11. 前記制御部は、前記スタートアップ処理において、前記共振コンデンサと前記共振リアクトルとで構成される直列共振回路の直列共振周波数の半周期にデッドタイムを加えた時間の2倍を周期とする周波数を目標として、前記スイッチング周波数を変化させることを特徴とする請求項9または請求項10に記載の電力変換装置。
  12. 前記制御部は、前記スタートアップ処理において、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子を固定オンデューティ比で制御することを特徴とする請求項9から11のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  13. 前記制御部は、前記スタートアップ処理を完了した後に、前記出力電圧目標値への追従制御を開始することを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  14. 前記制御部は、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子のオンデューティ比またはスイッチング周波数があらかじめ定められた値に達したときに、前記出力電圧目標値への追従制御を開始することを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  15. 前記制御部は、前記第2の直流電圧の値と、前記トランスの巻き数比N(=1次巻き数比N1/2次巻き数比N2)の2倍の値とを乗算した値が、前記第1の直流電圧の値と等しくなったときに、前記出力電圧目標値への追従制御を開始することを特徴とする請求項1から請求項12のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  16. 前記制御部は、前記出力電圧目標値への追従制御を開始したとき、前記第2の直流電圧の制御目標値をあらかじめ定められた目標初期値から前記出力電圧目標値まで漸増することを特徴とする請求項1から15のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  17. 前記目標初期値は、前記出力電圧目標値への追従制御を開始した時点の前記第2の直流電圧の値であることを特徴とする請求項16に記載の電力変換装置。
  18. 前記入力電源は直流であり、前記直流コンバータは直流−直流変換器であることを特徴とする請求項1から請求項17のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  19. 前記直流コンバータは、昇圧型であることを特徴とする請求項18に記載の電力変換装置。
  20. 前記直流コンバータは、降圧型であることを特徴とする請求項18に記載の電力変換装置。
  21. 前記直流コンバータは、昇降圧型であることを特徴とする請求項18に記載の電力変換装置。
  22. 前記入力電源は交流であり、前記直流コンバータは交流−直流変換器であることを特徴とする請求項1から請求項17のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  23. 前記整流回路は同期整流回路であり、前記制御部は前記同期整流回路のスイッチング素子をスイッチング制御することを特徴とする請求項1から請求項22のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  24. 前記制御部は、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子と同じオンデューティ比で前記同期整流回路をスイッチングすることを特徴とする請求項23に記載の電力変換装置。
  25. 前記制御部は、前記第1のスイッチング素子および前記第2のスイッチング素子のスイッチング開始とは異なるあらかじめ定められたタイミングで前記同期整流回路のスイッチングを開始することを特徴とする請求項23または請求項24に記載の電力変換装置。
  26. 前記制御部は、前記第1の直流電圧と前記第2の直流電圧の値から前記同期整流回路の制御の開始を判断することを特徴とする請求項25に記載の電力変換装置。
  27. 前記制御部は、前記第2の直流電圧の値と、前記トランスの巻き数比N(=1次巻き数比N1/2次巻き数比N2)の2倍の値とを乗算した値よりも、前記第1の直流電圧の値が大きい場合に、前記同期整流回路の制御の開始を判断する請求項26に記載の電力変換装置。
  28. 前記制御部は、前記絶縁型共振コンバータの出力電流が負荷へ出力されていることで前記同期整流回路の制御の開始を判断することを特徴とする請求項25に記載の電力変換装置。
  29. 前記制御部は、前記スタートアップ処理の終了からあらかじめ定められた時間の経過により前記同期整流回路の制御の開始を判断することを特徴とする請求項25に記載の電力変換装置。
  30. 前記制御部は、前記同期整流回路のスイッチング素子のオンデューティ比を漸増させて同期整流を開始することを特徴とする請求項25から請求項29のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  31. 前記絶縁型共振コンバータの出力に電圧源が接続され、
    前記制御部は、前記スタートアップ処理の前に前記第1の直流電圧があらかじめ定められた電圧値となるように前記直流コンバータを制御することを特徴とする請求項1から請求項30のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  32. 前記電圧値は、前記第2の直流電圧の値と、前記トランスの巻き数比N(=1次巻き数比N1/2次巻き数比N2)の2倍の値とを乗算した値であることを特徴とする請求項31に記載の電力変換装置。
  33. 前記絶縁型共振コンバータの出力に電圧源が接続され、
    前記制御部は、前記スタートアップ処理が開始された後に、予備充電として前記第1の直流電圧があらかじめ定められた電圧値となるように前記直流コンバータを制御し、その後に前記出力電圧目標値への追従制御を開始することを特徴とする請求項1から請求項30のいずれか一項に記載の電力変換装置。
  34. 前記電圧値は、前記第2の直流電圧の値と、前記トランスの巻き数比N(=1次巻き数比N1/2次巻き数比N2)の2倍の値とを乗算した値であることを特徴とする請求項33に記載の電力変換装置。
  35. 前記制御部は、前記予備充電において、前記絶縁型共振コンバータの出力電流が負荷へ出力されていることで前記出力電圧目標値への追従制御の開始を判断することを特徴とする請求項33に記載の電力変換装置。
  36. 前記制御部は、前記予備充電の開始からあらかじめ定められた時間の経過により前記出力電圧目標値への追従制御の開始を判断することを特徴とする請求項33に記載の電力変換装置。
  37. 前記絶縁型共振コンバータの出力に電圧源が接続され、
    前記制御部は、前記スタートアップ処理が開始された後に、予備充電として前記第1の直流電圧があらかじめ定められた電圧値となるように前記直流コンバータを制御し、その後に前記出力電圧目標値への追従制御を開始するものであって、前記予備充電の開始からあらかじめ定められた時間の経過により前記同期整流回路の制御の開始を判断することを特徴とする請求項23に記載の電力変換装置。
  38. 前記制御部は、前記第2の直流電圧の値と、前記トランスの巻き数比N(=1次巻き数比N1/2次巻き数比N2)の2倍の値とを乗算した値が、前記第1の直流電圧の値と等しくなったときに、前記スタートアップ処理を完了することを特徴とする請求項1から請求項37のいずれか一項に記載の電力変換装置。
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