JP2016157870A - 加工装置 - Google Patents

加工装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2016157870A
JP2016157870A JP2015035688A JP2015035688A JP2016157870A JP 2016157870 A JP2016157870 A JP 2016157870A JP 2015035688 A JP2015035688 A JP 2015035688A JP 2015035688 A JP2015035688 A JP 2015035688A JP 2016157870 A JP2016157870 A JP 2016157870A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
magnification image
low
processing
magnification
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2015035688A
Other languages
English (en)
Inventor
勝彦 赤瀬
Katsuhiko Akase
勝彦 赤瀬
健太郎 寺師
Kentaro Terashi
健太郎 寺師
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2015035688A priority Critical patent/JP2016157870A/ja
Priority to TW105100547A priority patent/TW201642335A/zh
Priority to KR1020160011487A priority patent/KR20160103921A/ko
Priority to CN201610090290.2A priority patent/CN105914174A/zh
Publication of JP2016157870A publication Critical patent/JP2016157870A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/682Mask-wafer alignment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Machine Tool Sensing Apparatuses (AREA)

Abstract

【課題】アライメントの装置構成を簡略化した加工装置を提供する。
【解決手段】1つの光学系71及び撮像手段72を用いて撮像した画像を処理して低倍率画像P1及び高倍率画像P2を取得するものである。これにより、低倍率画像P1及び高倍率画像P2を取得する際に、高倍率用と低倍率用に光学系71及び撮像手段72を2つずつ配設する必要がないので、光学系71及び撮像手段72のコストを削減できると共に、光学系71及び撮像手段72のメンテナンス工数を減らすことができる。さらに、低倍率画像P1及び高倍率画像P2を取得する際に、光学系71を位置付ける軸動作を1回で済ませることができ、軸動作を低減することができる。
【選択図】図3

Description

本発明は、加工装置に関し、特にアライメント手段に関する。
半導体ウェーハや光学デバイスが形成されたウェーハ、電子部品が形成されたパッケージ基板やセラミックス基板、ガラス基板など、各種板状の被加工物を分割する等の目的で切削装置やレーザー加工装置などの加工装置が用いられている。加工装置は、チャックテーブルに保持した被加工物の表面や裏面に形成されたキーパターンを撮像手段で撮像し、キーパターンを手がかりに加工すべき領域(分割予定ライン)を割り出す。キーパターンを撮像する撮像手段は、従来、低倍率のマクロ顕微鏡と高倍率のミクロ顕微鏡とを備えており、マクロ顕微鏡でキーパターンを検出し、ミクロ顕微鏡でキーパターンの位置を高精度に割り出していた(特許文献1)。また、1つの光学系(顕微鏡)に2つの撮像手段の光軸を合流させるアライメント装置も考案されている(特許文献2)。
特開2005−85973号公報 特開2005−166991号公報
しかしながら、2つの顕微鏡を搭載するためのコストがかかる他、それぞれの顕微鏡の初期設定(フォーカス位置を合わせる等の設定)やメンテナンスをする必要がある。また、所望の倍率の画像を得るためには、顕微鏡を撮像位置に位置付けるために軸を動かす必要があり、位置付けに時間がかかっていた。また、1つの光学系に2つの撮像装置の光軸を合流させるようなアライメント装置を用いても、撮像装置が2つであることに変わりはなかった。
そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、アライメントの装置構成を簡略化した加工装置を提供することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る加工装置は、被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物を撮像して加工すべき領域を検出するアライメント手段と、を備える加工装置であって、該アライメント手段は、光学像を取得する光学系と、該光学系が取得した光学像を撮像する撮像手段と、該撮像手段で撮像した画像を処理し、低倍率画像と高倍率画像を取得する画像処理手段と、処理後の画像を表示する表示手段と、を備え、該画像処理手段は、該低倍率画像から所定の領域を拡大処理し、該高倍率画像を取得することを特徴とする。
また、上記加工装置において、該画像処理手段は、撮像した画像データを圧縮処理して該低倍率画像とし、該画像データの圧縮処理をしない又は該低倍率画像より低い圧縮率の圧縮処理により該高倍率画像を取得することが好ましい。
本発明の加工装置は、光学系及び撮像手段をそれぞれ1つずつ用いて撮像した画像を処理して低倍率画像及び高倍率画像を取得することで、光学系及び撮像手段のコストを削減できると共に光学系及び撮像手段のメンテナンス工数を減らすことができ、さらに光学系を位置付ける軸動作を低減することができる。
図1は、実施形態1に係る加工装置の構成例を示す斜視図である。 図2は、実施形態1に係るウェーハの撮像領域を示す斜視図である。 図3は、実施形態1に係るアライメント手段の構成例を示すブロック図である。 図4は、実施形態1に係るアライメント手段の動作例を示すフローチャートである。 図5は、実施形態2に係るアライメント手段の構成例を示すブロック図である。 図6は、実施形態2に係るアライメント手段の動作例を示すフローチャートである。
本発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
〔実施形態1〕
実施形態1に係る加工装置の構成例について説明する。図1は、実施形態1に係る加工装置の構成例を示す斜視図である。図2は、実施形態1に係るウェーハの撮像領域を示す斜視図である。図3は、実施形態1に係るアライメント手段の構成例を示すブロック図である。
加工装置1Aは、ウェーハWを切削するものである。加工装置1Aは、チャックテーブル10と、加工手段20と、門型フレーム30と、加工送り手段40と、割り出し送り手段50と、切り込み送り手段60と、アライメント手段70Aと、制御手段80とを備えている。
ウェーハWは、半導体デバイスや光デバイスが形成された半導体ウェーハや光デバイスウェーハ、無機材料基板、延性樹脂材料基板、セラミックス基板やガラス基板等、各種被加工物である。ウェーハWは、図2に示すように、円板状に形成され、その表面WSに格子状に配列された多数の領域にIC、LSI等のデバイスDが格子状に形成されている。ウェーハWは、粘着テープTを介して環状フレームFに支持されている。例えば、環状フレームFには、X,Y軸方向に切欠き部Faが形成されており、格子状に形成されたデイバスDの配列方向が切欠き部Faと平行になるようにウェーハWが環状フレームFに支持されている。
ここで、X軸方向は、チャックテーブル10に保持されたウェーハWを加工送りする方向である。Y軸方向は、X軸方向に同一水平面上で直交し、チャックテーブル10に保持されたウェーハWに対して、割り出し送り手段50を割り出し送りする方向である。Z軸方向は、X軸方向及びY軸方向に直交する方向、本実施形態では鉛直方向である。
チャックテーブル10は、装置本体2の上面にX軸方向に設けられた開口部2aに沿って移動可能に配設されている。チャックテーブル10は、保持面11と、複数の保持部12とを備えている。チャックテーブル10は、円板状に形成され、図示しない回転手段により保持面11の中心に直交する回転軸で回転される。保持面11は、チャックテーブル10の鉛直方向の上端面であり、水平面に対して平坦に形成されている。保持面11は、例えばポーラスセラミック等で構成されており、図示しない真空吸引源の負圧により、ウェーハWを吸引保持する。複数の保持部12は、保持面11の周囲に4箇所配設され、環状フレームFの切欠き部Faを挟持して固定する。
加工手段20は、チャックテーブル10に保持されたウェーハWを加工するものである。加工手段20は、装置本体2の上面に設けられた開口部2aをY軸方向に跨ぐように装置本体2に立設された門型フレーム30に、割り出し送り手段50及び切り込み送り手段60を介して固定されている。加工手段20は、切削ブレード21と、スピンドル22と、ハウジング23とを備えている。切削ブレード21は、極薄の円板状かつ環状に形成された切削砥石である。スピンドル22は、その先端に切削ブレード21を着脱可能に装着する。ハウジング23は、図示しないモータ等の駆動源を有しており、Y軸方向の回転軸周りに回転自在にスピンドル22を支持する。スピンドル22を高速回転させて切削ブレード21によりウェーハWを切削する。
加工送り手段40は、チャックテーブル10と加工手段20とをX軸方向に相対移動させるものである。例えば、加工送り手段40は、X軸方向に延在される図示しないボールネジやパルスモータ等の駆動源を有しており、チャックテーブル10を支持する図示しないX軸移動基台をX軸方向に移動させる。なお、開口部2aには、X軸移動基台を覆うカバー部材41と、カバー部材41の前後にX軸方向に延在する蛇腹部材42とが配設されている。
割り出し送り手段50は、チャックテーブル10と切削手段20とをY軸方向に相対移動させるものである。例えば、割り出し送り手段50は、Y軸方向に延在された一対のガイドレール51と、ガイドレール51と平行に配設されたボールネジ52と、ボールネジ52に螺合された図示しないナットに固定され、ガイドレール51にスライド自在に配設されたY軸移動基台53と、ボールネジ52を回転させる図示しないパルスモータとを備えている。割り出し送り手段50は、パルスモータによりボールネジ52を回転させることにより、切り込み送り手段60を支持するY軸移動基台53をY軸方向に移動させる。
切り込み送り手段60は、チャックテーブル10の保持面11と直交するZ軸方向に切削手段20を移動させるものである。例えば、切り込み送り手段60は、Z軸方向に延在され、Y軸移動基台53に固定された一対のガイドレール61と、ガイドレール61と平行に配設されたボールネジ62と、ボールネジ62に螺合された図示しないナットに固定され、ガイドレール61にスライド自在に配設されたZ軸移動基台63と、ボールネジ62を回転させるパルスモータ64とを備えている。切り込み送り手段60は、パルスモータ64によりボールネジ62を回転させることにより、切削手段20を支持するZ軸移動基台63をZ軸方向に移動させる。
アライメント手段70Aは、図3に示すように、チャックテーブル10に保持されたウェーハWを撮像し、加工すべき領域、すなわち、分割予定ラインLを検出するものである。デバイスDには、分割予定ラインLを検出するためのキーパターンKPが形成されている。キーパターンKPは、例えば十字形状を成しており、デバイスDの所定位置に1個設定されている。アライメント手段70Aは、光学系71と、撮像手段72と、画像処理手段73と、表示手段74とを備えている。
光学系71は、チャックテーブル10に保持されたウェーハWの表面WSの光学像を取得するものである。光学系71は、撮像手段72と一体に構成され、割り出し送り手段50及び切り込み送り手段60を介して門型フレーム30に固定されている。光学系71は、ウェーハWに対して所定位置に設定され、入射された光を結像して撮像手段72に光学像を形成する。例えば、光学像の倍率は、1倍程度である。
撮像手段72は、光学系71が取得したウェーハWの光学像を撮像するものであり、例えば、CCD(Charge Coupled Device)イメージセンサを用いたカメラ等である。撮像手段72は、光学像を光電変換して画像データを画像処理手段73に出力する。
画像処理手段73は、撮像手段72から画像データが入力されて画像処理をするものである。画像処理手段73は、入力された画像データに基づいて、低倍率画像P1から所定の領域を拡大処理して高倍率画像P2を取得する。画像処理手段73は、図示しない画像処理エンジンと、低倍率画像取得手段731と、高倍率画像取得手段732と、記憶手段733とを備えている。画像処理エンジンは、撮像手段72から出力された画像データに対して、明るさ調整やコントラスト調整等の画像処理を行う。
低倍率画像取得手段731は、低倍率画像P1を取得するものである。低倍率画像取得手段731は、画像処理エンジンから出力された画像データ(低倍率画像データ)を取得する。低倍率画像データは、例えば、倍率の変更を伴わない画像データである。
高倍率画像取得手段732は、拡大手段732aを備え、高倍率画像P2を取得するものである。拡大手段732aは、低倍率画像取得手段731から出力された低倍率画像データにおける所定領域の解像度を高くする。例えば、拡大手段732aは、低倍率画像データにおいてキーパターンKPが含まれる狭小領域Gを取得し、狭小領域Gに対してサブピクセル処理を行う。例えば、拡大手段732aは、1画素を1/10に分解して0.1画素単位の高解像度の画像データ(高倍率画像データ)を取得する。
記憶手段733は、低倍率画像データ及び高倍率画像データを記憶するものである。また、記憶手段733は、パターンマッチング用のキーパターンの画像データ等を記憶している。
表示手段74は、例えばタッチパネルであり、装置本体2の所定位置に配設されている。表示手段74は、画像処理手段73により処理された画像を表示したり、オペレータが加工条件等を入力したりするものである。例えば、表示手段74は、その表示画面Vに表示領域V1,V2を有している。表示領域V1は、低倍率画像P1を表示する領域であり、表示画面Vの左半分程度を占めている。表示領域V2は、高倍率画像P2を表示する領域であり、表示画面Vの右半分程度を占めている。
制御手段80は、加工装置1Aの各構成要素を制御するものである。例えば、制御手段80は、加工送り手段40、割り出し送り手段50及び切り込み送り手段60のパルスモータを駆動する図示しない駆動回路に接続され、駆動回路を制御してチャックテーブル10のX軸方向の位置や、加工手段20のY軸方向及びZ軸方向の位置を決定する。制御手段80は、上述した画像処理手段73を含んで構成されている。
次に、アライメント手段70Aの動作例について説明する。図4は、実施形態1に係るアライメント手段の動作例を示すフローチャートである。この例では、チャックテーブル10の保持部12により環状フレームFの切欠き部Faが保持され、ウェーハWは、デイバスDの配列方向がX,Y軸方向に設定されていることを前提として説明する。
先ず、ウェーハWの所定領域を撮像する(ステップS1)。例えば、制御手段80は、加工送り手段40、割り出し送り手段50及び切り込み送り手段60を制御し、光学系71をウェーハWの撮像領域E1,E2上の所定位置に設定する。ここで、撮像領域E1と撮像領域E2は、X軸方向における同一直線上に位置している。撮像手段72は、光学系71により結像された光学像を光電変換して撮像領域E1,E2の画像データを画像処理エンジンに出力する。
次に、低倍率画像P1を取得する(ステップS2)。例えば、画像処理エンジンは、撮像領域E1,E2の画像データに対して明るさ調整やコントラスト調整等の画像処理を行って低倍率画像取得手段731に画像データを出力する。低倍率画像取得手段731は、画像処理エンジンから出力された画像データを低倍率画像データとして取得する。低倍率画像取得手段731は、低倍率画像データを高倍率画像取得手段732に出力すると共に記憶手段733に記憶する。
次に、高倍率画像P2を取得する(ステップS3)。例えば、高倍率画像取得手段732は、撮像領域E1,E2の低倍率画像データが入力され、撮像領域E1,E2においてキーパターンKPが含まれる狭小領域Gの低倍率画像データを取得する。例えば、高倍率画像取得手段732は、記憶手段733を参照し、パターンマッチング用のキーパターンの画像データに基づいて、撮像領域E1,E2の低倍率画像データに含まれるキーパターンKPをパターンマッチングにより検出し、検出されたキーパターンKPから所定の範囲を狭小領域Gとする。例えば、高倍率画像取得手段732は、キーパターンKPの中心位置KPcからX軸方向及びY軸方向に所定の長さで規定される矩形の範囲を狭小領域Gとする。高倍率画像取得手段732は、拡大手段732aにより、低倍率画像データの狭小領域Gに対してサブピクセル処理を行って高解像度の画像データ(高倍率画像データ)を取得して記憶手段733に記憶する。
次に、ウェーハWの角度調整を行う(ステップS4)。例えば、制御手段80は、記憶手段733を参照し、撮像領域E1,E2の狭小領域Gにおける高倍率画像データを取得する。そして、制御手段80は、撮像領域E1のキーパターンKPのY座標と、撮像領域E2のキーパターンKPのY座標とが一致するように、チャックテーブル10を回転させて角度調整を行う。例えば、制御手段80は、撮像領域E1,E2のキーパターンKPにおける所定の角部のY座標同士が一致するように、チャックテーブル10を回転させて角度調整を行う。また、制御手段80は、記憶手段733を参照し、撮像領域E1,E2の低倍率画像データを取得し、表示領域V1に撮像領域E1又はE2の低倍率画像P1を表示させ、低倍率画像P1のキーパターンKPが含まれる狭小領域Gを拡大して高倍率画像P2を表示領域V2に表示させる。
次に、ウェーハWの分割予定ラインLを検出する(ステップS5)。例えば、制御手段80は、高倍率画像データのキーパターンKPに基づいて分割予定ラインLを検出する。例えば、キーパターンKPと分割予定ラインLの中心線との距離は、予めオペレータにより設定されている。制御手段80は、オペレータにより設定された距離だけキーパターンKPからY軸方向に離間した位置を分割予定ラインLと決定する。
以上のように、実施形態1に係る加工装置1Aによれば、光学系71及び撮像手段72をそれぞれ1つずつ用いて撮像した画像を処理し、低倍率画像P1及び高倍率画像P2を取得するものである。これにより、低倍率画像P1及び高倍率画像P2を取得する際に、高倍率用と低倍率用に光学系71及び撮像手段72をそれぞれ2つずつ配設する必要がないので、光学系71及び撮像手段72のコストを削減できると共に、光学系71及び撮像手段72のメンテナンス工数を減らすことができる。さらに、低倍率画像P1及び高倍率画像P2を取得する際に、光学系71を位置付ける軸動作を1回で済ませることができ、軸動作を低減することができる。
〔実施形態2〕
次に、実施形態2に係る加工装置について説明する。図5は、実施形態2に係るアライメント手段の構成例を示すブロック図である。図5に示すアライメント手段70Bは、低倍率画像取得手段731が画像圧縮手段731aを備える点で、実施形態1に係るアライメント手段70Aと異なる。
画像圧縮手段731aは、低倍率画像データを圧縮するものであり、例えばJPEG(Joint Photograph Experts Group)やGIF(Graphics Interchange Format)等の方法を用いて低倍率画像データを数分の1程度に圧縮する。
アライメント手段70Bの動作例について説明する。図6は、実施形態2に係るアライメント手段の動作例を示すフローチャートである。この例では、チャックテーブル10の保持部12により環状フレームFの切欠き部Faが保持され、ウェーハWは、デイバスDの配列方向がX,Y軸方向に設定されていることを前提として説明する。
先ず、ウェーハWの所定領域、例えば、撮像領域E1,E2を撮像する(ステップS11)。次に、低倍率画像P1を圧縮する(ステップS12)。例えば、画像圧縮手段731aは、画像処理エンジンから出力された画像データを数分の1程度に圧縮して第1の低倍率画像データを取得して記憶手段733に記憶する。また、画像圧縮手段731aは、第1の低倍率画像データよりも低い圧縮率で圧縮された第2の低倍率画像データ、又は、圧縮していない低倍率画像データを取得し、取得した第2の低倍率画像データ、又は、圧縮していない低倍率画像データを高倍率画像取得手段732に出力する。
高倍率画像取得手段732は、第2の低倍率画像データ、又は、圧縮していない低倍率画像データに基づき、高倍率画像データを取得して記憶手段733に記憶する(ステップS13)。制御手段80は、高倍率画像データのキーパターンKPに基づいてウェーハWの角度調整を行う(ステップS14)。角度調整後、制御手段80は、高倍率画像データのキーパターンKPに基づいてウェーハWの分割予定ラインLを検出する(ステップS15)。
以上のように、実施形態2に係る加工装置1Bによれば、実施形態1の効果を有すると共に、画像圧縮手段731aにより低倍率画像データを圧縮するので、記憶手段733の記憶容量を削減できる。また、低い圧縮率又は圧縮前の低倍率画像データを用いて高倍率画像データを取得するので、高倍率画像データの画質が低下することを抑制できる。
〔変形例〕
高倍率画像データを取得する際に、サブピクセル処理を行う例を説明したが、これに限定されない。例えば、最近傍法、バイリニア補間、バイキュービック補間などを用いて高倍率画像データを取得してもよい。
1A,1B 加工装置
10 チャックテーブル
20 加工手段
40 加工送り手段
50 割り出し送り手段
60 切り込み送り手段
70A,70B アライメント手段
71 光学系
72 撮像手段
E1,E2 撮像領域
KP キーパターン
L 分割予定ライン
P1 低倍率画像
P2 高倍率画像
V 表示画面
V1,V2 表示領域
W ウェーハ
WS 表面

Claims (2)

  1. 被加工物を保持面で保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物を撮像して加工すべき領域を検出するアライメント手段と、を備える加工装置であって、
    該アライメント手段は、
    光学像を取得する光学系と、
    該光学系が取得した光学像を撮像する撮像手段と、
    該撮像手段で撮像した画像を処理し、低倍率画像と高倍率画像を取得する画像処理手段と、
    処理後の画像を表示する表示手段と、を備え、
    該画像処理手段は、
    該低倍率画像から所定の領域を拡大処理し、該高倍率画像を取得することを特徴とする加工装置。
  2. 該画像処理手段は、
    撮像した画像データを圧縮処理して該低倍率画像とし、
    該画像データの圧縮処理をしない又は該低倍率画像より低い圧縮率の圧縮処理により該高倍率画像を取得することを特徴とする請求項1記載の加工装置。
JP2015035688A 2015-02-25 2015-02-25 加工装置 Pending JP2016157870A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015035688A JP2016157870A (ja) 2015-02-25 2015-02-25 加工装置
TW105100547A TW201642335A (zh) 2015-02-25 2016-01-08 加工裝置
KR1020160011487A KR20160103921A (ko) 2015-02-25 2016-01-29 가공 장치
CN201610090290.2A CN105914174A (zh) 2015-02-25 2016-02-18 加工装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015035688A JP2016157870A (ja) 2015-02-25 2015-02-25 加工装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016157870A true JP2016157870A (ja) 2016-09-01

Family

ID=56744431

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015035688A Pending JP2016157870A (ja) 2015-02-25 2015-02-25 加工装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2016157870A (ja)
KR (1) KR20160103921A (ja)
CN (1) CN105914174A (ja)
TW (1) TW201642335A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190041410A (ko) * 2017-10-12 2019-04-22 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP2020017654A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 株式会社ディスコ アライメント方法
JP2020017653A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 株式会社ディスコ アライメント方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110328560A (zh) * 2019-07-31 2019-10-15 上海建桥学院 一种加工复杂球形曲面壳体的机械臂系统和方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1083944A (ja) * 1996-09-05 1998-03-31 Canon Inc 画像表示方法および半導体製造装置
JP2000115605A (ja) * 1998-10-07 2000-04-21 Olympus Optical Co Ltd ディジタルカメラ
JP2001292369A (ja) * 2000-02-04 2001-10-19 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡システム
JP2005166991A (ja) * 2003-12-03 2005-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd アライメント装置及び加工装置
JP2011044863A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Olympus Corp 撮像端末、表示端末、表示方法、及び撮像システム

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4381755B2 (ja) 2003-09-09 2009-12-09 株式会社ディスコ 切削装置
JP2012118448A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Sony Corp 画像処理方法、画像処理装置及び画像処理プログラム

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1083944A (ja) * 1996-09-05 1998-03-31 Canon Inc 画像表示方法および半導体製造装置
JP2000115605A (ja) * 1998-10-07 2000-04-21 Olympus Optical Co Ltd ディジタルカメラ
JP2001292369A (ja) * 2000-02-04 2001-10-19 Olympus Optical Co Ltd 顕微鏡システム
JP2005166991A (ja) * 2003-12-03 2005-06-23 Disco Abrasive Syst Ltd アライメント装置及び加工装置
JP2011044863A (ja) * 2009-08-20 2011-03-03 Olympus Corp 撮像端末、表示端末、表示方法、及び撮像システム

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190041410A (ko) * 2017-10-12 2019-04-22 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
KR102550937B1 (ko) 2017-10-12 2023-07-03 가부시기가이샤 디스코 웨이퍼의 가공 방법
JP2020017654A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 株式会社ディスコ アライメント方法
JP2020017653A (ja) * 2018-07-26 2020-01-30 株式会社ディスコ アライメント方法
JP7088771B2 (ja) 2018-07-26 2022-06-21 株式会社ディスコ アライメント方法
JP7208732B2 (ja) 2018-07-26 2023-01-19 株式会社ディスコ アライメント方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201642335A (zh) 2016-12-01
KR20160103921A (ko) 2016-09-02
CN105914174A (zh) 2016-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9265186B2 (en) Camera system for aligning components of a PCB
US9374936B2 (en) Workpiece mounting apparatus
JP2016157870A (ja) 加工装置
CN1652029A (zh) 一种双面光刻机底面套刻对准方法
WO2015045475A1 (ja) アライメント方法並びにアライメント装置
US11633872B2 (en) Processing apparatus
TWI627492B (zh) 焦點調節方法及其作業裝置
TWI811408B (zh) 對準方法
JP6571116B2 (ja) 検査支援装置
WO2016117017A1 (ja) 検査支援装置および検査支援方法
JP7219879B2 (ja) 補助方法及び補助装置
CN112213328A (zh) 晶片检查装置
JP7088771B2 (ja) アライメント方法
KR100950939B1 (ko) 다축 비젼 고속가공기
CN113199135B (zh) 一种sic晶圆隐形加工方法
JP6703463B2 (ja) 調整方法及び装置
US11217466B2 (en) Wafer processing method and cutting apparatus
CN115122515A (zh) 加工装置
JP2006078303A (ja) 測定装置の制御方法
JP7222733B2 (ja) アライメント方法
JP2844409B2 (ja) 半導体位置決め方法
CN206433095U (zh) Ccd校正装置
JP2009139155A (ja) 検査システム、画像検査装置及びその制御方法
JP6998231B2 (ja) 加工装置
JP2000269306A (ja) 半導体装置の製造装置及び製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171225

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180904

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181002

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190326