JP2016152237A - Ptzt圧電体膜及びその圧電体膜形成用液組成物の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Pb、Ta、Zr及びTiを含有するペロブスカイト構造の金属酸化物からなり、金属酸化物が炭素を含有し、炭素の含有量が80〜800質量ppmであるPTZT圧電体膜である。圧電体膜形成用液組成物は、Taアルコキシド、Zrアルコキシド、β−ジケトン類及びジオールを還流し、還流して得られた第1合成液にTiアルコキシドを添加して再び還流し、再び還流して得られた第2合成液にPb化合物を添加して更に還流し、更に還流して得られた第3合成液から溶媒を除去した後、アルコールで希釈して製造される。Taアルコキシド、Zrアルコキシド及びTiアルコキシドを合計した量を1モルとするとき、この合計量に対してジオールを7〜11モル、β−ジケトン類を1.5〜3.0モルとなる割合でそれぞれ含む。
【選択図】なし
Description
本発明のPTZT圧電体膜は、チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)等のPb含有のペロブスカイト構造を有する金属酸化物にTaがドープされた、かつ炭素を平均値で80〜800質量ppm含有するPTZT圧電体膜である。炭素の含有量が80質量ppm未満ではPTZT圧電体膜における焼成界面近傍に炭素原子が不足するとともに、リーク電流が十分抑制できないことにより、PTZT圧電体膜が経時的劣化が早まる。この結果、PTZT圧電体膜の平均破壊時間が短くなる。また800質量ppmを超えると結晶性が劣化するため、PTZT圧電体膜の圧電特性が悪化する。炭素の含有量の好ましい範囲は100〜300質量ppmである。また圧電体膜中のTa原子の割合は、Zr原子とTi原子を合計した金属原子に対して、0<Ta≦0.04の範囲にあることが好ましい。圧電体膜中のTa原子の割合が0.04を超えるように、後述する液組成物を調製すると、調製時及び保存時に溶液が沈殿し易くなる。好ましい圧電体膜中のTa原子の割合は0.01〜0.03の範囲である。またTaを全く含有しないと、PTZT圧電体膜の圧電特性を向上させることが困難になる。
(1) 第1合成液の調製工程
第1合成液の調製工程では、Taアルコキシド、Zrアルコキシド、β−ジケトン類及びジオールを還流してTaアルコキシドとZrアルコキシドをジオールと反応させることにより第1合成液を調製する。具体的には、Taアルコキシド及びZrアルコキシドを、成膜後のPTZT圧電体膜中で上記所定の金属原子比を与える割合になるように秤量する。秤量したTaアルコキシド及びZrアルコキシドをβ−ジケトン類とジオールとともに反応容器内に投入して混合し、好ましくは窒素雰囲気中、130〜175℃の温度で0.5〜3時間還流して合成液を調製する。
第2合成液の調製工程では、第1合成液の温度を維持しながら、反応容器内のこの合成液にTiアルコキシドを添加して、好ましくは窒素雰囲気中、0.5〜5時間再び還流して反応させることにより第2合成液を調製する。Tiアルコキシドとしては、チタンテトラエトキシド:Ti(OEt)4、チタンテトライソプロポキシド:Ti(OiPr) 4、チタンテトラn−ブトキシド:Ti(OnBu) 4、チタンテトライソブトキシド:Ti(OiBu) 4、チタンテトラt−ブトキシド:Ti(OtBu) 4、チタンジメトキシジイソプロポキシド:Ti(OMe)2(OiPr) 2等のアルコキシドが挙げられる。第1合成液の調製工程の後の第2合成液の調製工程でTiアルコキシドを添加するのはTaアルコキシドとZrアルコキシドを反応させ複合アルコキシド化させることにより保存安定性を高め沈殿の生成を抑制するためである。
第3合成液の調製工程では、第2合成液を室温下で放冷することにより室温まで冷却し、反応容器内のこの合成液にPb化合物を添加して更に還流して反応させることにより第3合成液を調製する。Pb化合物としては、酢酸鉛:Pb(OAc)2等の酢酸塩や、鉛ジイソプロポキシド:Pb(OiPr) 2等のアルコキシドが挙げられる。第2合成液の調製工程の後の第3合成液の調製工程でPb化合物を添加するのは安定化したTa、Zr、Tiを含有する液組成物と酢酸鉛を反応させることにより複合アルコキシドを合成し沈殿を抑制するためである。
第4合成液の調製工程では、第3合成液から溶媒を除去した後、アルコールで希釈することにより第4合成液を調製する。溶媒は、例えば常圧蒸留や減圧蒸留の方法により合成液から除去して、本発明のPTZT圧電体膜形成用液組成物が調製される。アルコールとしては、エタノール、n−ブタノール、n−オクタノール等が挙げられる。希釈した後の液組成物の濃度は酸化物濃度で10〜35質量%、好ましくは20〜25質量%である。液組成物の濃度をこの範囲にするのは、下限値未満では十分な膜厚が得られにくく、一方、上限値を超えるとクラックが発生しやすくなるからである。液組成物中に占めるPTZT前駆体の濃度における酸化物濃度とは、液組成物に含まれる全ての金属原子が目的の酸化物になったと仮定して算出した、液組成物100質量%に占める金属酸化物の濃度をいう。
本発明のPTZT圧電体膜形成用液組成物中のジオールは、Taアルコキシド、Zrアルコキシド及びTiアルコキシドを合計した量を1モルとするとき、その合計量に対して7〜11モルとなるように添加する。ジオールの添加量が7モル未満ではPTZT圧電体膜中の炭素含有量が80質量ppm未満となり、11モルを超えるとPTZT圧電体膜中の炭素含有量が200ppmを超える。また本発明のPTZT圧電体膜形成用液組成物中のβ−ジケトン類(安定化剤)は、上記合計量に対して1.5〜3.0モルとなるように添加する。β−ジケトン類の添加量が1.5モル未満では沈殿が生成し、3.0モルを超えて添加しても効果は変わらない。
上記方法で製造されたPTZT圧電体膜形成用液組成物を用いてPTZT圧電体膜を形成する方法について説明する。この形成方法は、ゾルゲル法による圧電体膜の形成方法であり、原料溶液に、上述のTaがドープされ、炭素を含有したPTZT圧電体膜形成用液組成物を使用する。
先ず、ジルコニウムブトキシド(Zr源)、タンタルペンタエトキシド(Ta源)、アセチルアセトン(β−ジケトン類)、プロピレングリコール(ジオール)を反応容器内に投入して混合し、窒素雰囲気中、150℃の温度で0.5時間還流して合成液を調製した。得られた合成液に、チタンイソプロポキシド(Ti源)、アセチルアセトンを添加し、再び150℃の温度で0.5時間還流した後、室温まで冷却した。得られた合成液に、酢酸鉛三水和物(Pb源)を添加し、更に150℃の温度で1時間還流を行った。酢酸鉛三水和物を添加して得られた合成液100質量%中に占めるPTZT前駆体の濃度が、酸化物濃度で35質量%になるように減圧蒸留を行って不要な溶媒を除去した。脱溶媒後にエタノールで希釈を行い酸化物濃度で15質量%まで希釈を行った。希釈後の合成液(PTZT圧電体膜形成用液組成物)の組成がPTZT(112/2/52/48)となるように、ジルコニウムブトキシド、タンタルペンタエトキシド、チタンイソプロポキシド及び酢酸鉛三水和物をそれぞれ秤量して混合した。またジルコニウムブトキシド、タンタルペンタエトキシド及びチタンイソプロポキシドを合計した量を1モルとするとき、合計量に対してアセチルアセトン(β−ジケトン類)を2モルとなる割合で、また合計量に対してプロピレングリコール(ジオール)を7モルとなる割合で液組成物に含有させた。
原料の配合を以下の表1のように変更した以外は、実施例1と同様にして実施例2〜8のPTZT圧電体膜形成用液組成物を調製し、実施例1と同様にして実施例2〜8のPTZT圧電体膜を得た。
ジルコニウムブトキシド、タンタルペンタエトキシド及びチタンイソプロポキシドを合計した量を1モルとするとき、合計量に対してプロピレングリコール(ジオール)を6モルとなる割合で液組成物に含有させた。それ以外は、実施例4と同じPTZT圧電体膜形成用液組成物を用意した。このPTZT圧電体膜形成用液組成物1000μLをスピンコータ上にセットされた実施例1と同じ4インチサイズのシリコン基板の最上層のPZT膜(配向制御膜)上に滴下し、実施例1と同様にスピンコーティングを行った。スピンコーティング後、塗膜であるPTZT前駆体膜(ゲル膜)を大気中75℃のホットプレートで2分間仮焼成を行った。その後、365nmの紫外線をPTZT前駆体膜に5分間照射し、RTAを用いて酸素雰囲気中で昇温速度50℃/秒で700℃まで昇温し、その温度で酸素雰囲気下で1分間保持することによりPTZT前駆体膜を焼成した。更にこの操作を19回繰り返してPTZT圧電体膜を得た。
原料の配合を以下の表1のように変更した以外は、実施例1と同様にして比較例2及び3のPTZT圧電体膜形成用液組成物を調製し、実施例1と同様にして比較例2及び3のPTZT圧電体膜を得た。
実施例1〜8及び比較例1〜3で得られた圧電体膜について、膜厚、膜組成、膜中の炭素の含有量、膜中のZr原子とTi原子を合計した金属原子に対するTa原子の割合、圧電定数、平均破壊時間、(100)面における配向度を以下に示す方法でそれぞれ評価した。これらの結果を以下の表2に示す。
(100)面配向度(%)=[(100)面の強度/{(100)面の強度+(110)面の強度+(111)面の強度}]×100
Claims (5)
- Pb、Ta、Zr及びTiを含有するペロブスカイト構造の金属酸化物からなり、前記金属酸化物が更に炭素を含有し、前記炭素の含有量が80〜800質量ppmであるPTZT圧電体膜。
- Zr原子とTi原子を合計した金属原子に対するTa原子の割合が0<Ta≦0.04の範囲にある請求項1記載のPTZT圧電体膜。
- Taアルコキシド、Zrアルコキシド、β−ジケトン類及びジオールを還流して前記TaアルコキシドとZrアルコキシドを前記ジオールと反応させて第1合成液を調製する工程と、
前記第1合成液にTiアルコキシドを添加して再び還流して反応させて第2合成液を調製する工程と、
前記第2合成液にPb化合物を添加して更に還流して反応させて第3合成液を調製する工程と、
前記第3合成液から溶媒を除去した後、アルコールで希釈して第4合成液を調製する工程とを含み、
前記Taアルコキシド、Zrアルコキシド及びTiアルコキシドを合計した量を1モルとするとき、前記合計量に対して前記ジオールを7〜11モルとなる割合で、前記β−ジケトン類を1.5〜3.0モルとなる割合でそれぞれ含む
ことを特徴とするPTZT圧電体膜形成用液組成物の製造方法。 - 請求項3記載の方法により製造されたPTZT圧電体膜形成用液組成物を基板の配向制御膜上に塗布し乾燥することによりPTZT前駆体膜を形成する工程と、
前記PTZT前駆体膜を仮焼する工程と、
前記仮焼されたPTZT前駆体膜を焼成する工程と
を含むPTZT圧電体膜の形成方法。 - 請求項1又は2記載のPTZT圧電体膜を有する電子部品。
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