JP2016151504A - ガス検知装置及びガス検知方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(付記1)
ヒータ及び検知電極を有する半導体ガスセンサと、
前記ヒータと前記検知電極との間の抵抗値を測定する抵抗測定手段と、
前記ヒータへの通電を制御し、クリーニング時に前記抵抗測定手段が測定した前記抵抗値の変化から前記半導体ガスセンサの汚染の程度を検知し、前記汚染の程度と前回のクリーニングの完了時刻からの経過時間とに基づいて算出したクリーニングの予定時刻にクリーニングを行い、前記予定時刻の前記クリーニング後の測定時刻に前記抵抗測定手段が測定した前記抵抗値からガス濃度を算出する制御手段と
を備えたことを特徴とする、ガス検知装置。
(付記2)
前記制御手段は、前記クリーニング時に前記抵抗測定手段が測定した前記抵抗値が安定化するまでの時間を測定して前記汚染の程度を検知することを特徴とする、付記1記載のガス検知装置。
(付記3)
前記制御手段は、前記抵抗値が安定化するまでの前記時間と前記経過時間とに基づいて前記半導体ガスセンサの汚染速度を算出し、前記汚染速度から前記クリーニングの前記予定時刻を算出することを特徴とする、付記2記載のガス検知装置。
(付記4)
前記制御手段は、前記測定時刻に第1の電流を前記ヒータに供給し、前記クリーニングの前記予定時刻に前記第1の電流より大きな第2の電流を前記ヒータに供給することを特徴とする、付記1乃至3のいずれか1項記載のガス検知装置。
(付記5)
前記制御手段は、前記第2の電流を前記ヒータに供給する前記クリーニングの2つの連続した予定時刻の間に、複数の測定時刻で前記第1の電流を前記ヒータに供給することを特徴とする、付記4記載のガス検知装置。
(付記6)
前記抵抗測定手段は、一定時間間隔で前記半導体ガスセンサの前記抵抗値を測定し、
前記制御手段は、前記抵抗値の時間変化率がある一定値以下になった時点で、前記クリーニングが完了時刻を検知することを特徴とする、付記1乃至5のいずれか1項記載のガス検知装置。
(付記7)
前記抵抗測定手段は、前記前記検知電極と電源とに接続された入力を有するアナログ/デジタル変換器を有することを特徴とする、付記1乃至6のいずれか1項記載のガス検知装置。
(付記8)
前記半導体ガスセンサは、金属酸化物半導体センサであることを特徴とする、付記1乃至7のいずれか1項記載のガス検知装置。
(付記9)
半導体ガスセンサのヒータと検知電極との間の抵抗値を測定し、
マイクロコンピュータが、前記ヒータへの通電を制御し、クリーニング時に測定した前記抵抗値の変化から前記半導体ガスセンサの汚染の程度を検知し、前記汚染の程度と前回のクリーニングの完了時刻からの経過時間とに基づいて算出したクリーニングの予定時刻にクリーニングを行い、前記予定時刻の前記クリーニング後の測定時刻に測定された前記抵抗値からガス濃度を算出する
ことを特徴とする、ガス検知方法。
(付記10)
前記マイクロコンピュータが、前記クリーニング時に測定した前記抵抗値が安定化するまでの時間を測定して前記汚染の程度を検知することを特徴とする、付記9記載のガス検知方法。
(付記11)
前記マイクロコンピュータが、前記抵抗値が安定化するまでの前記時間と前記経過時間とに基づいて前記半導体ガスセンサの汚染速度を算出し、前記汚染速度から前記クリーニングの前記予定時刻を算出することを特徴とする、付記10記載のガス検知方法。
(付記12)
前記マイクロコンピュータが、前記測定時刻に第1の電流を前記ヒータに供給し、前記クリーニングの前記予定時刻に前記第1の電流より大きな第2の電流を前記ヒータに供給するように制御回路を制御することを特徴とする、付記9乃至11のいずれか1項記載のガス検知方法。
(付記13)
前記マイクロコンピュータが、前記第2の電流を前記ヒータに供給する前記クリーニングの2つの連続した予定時刻の間に、複数の測定時刻で前記第1の電流を前記ヒータに供給するように制御回路を制御することを特徴とする、付記12記載のガス検知方法。
(付記14)
一定時間間隔で前記半導体ガスセンサの前記抵抗値を測定し、
前記マイクロコンピュータが、前記抵抗値の時間変化率がある一定値以下になった時点で、前記クリーニングが完了時刻を検知することを特徴とする、付記9乃至13のいずれか1項記載のガス検知方法。
(付記15)
前記前記検知電極と電源とに接続された入力を有するアナログ/デジタル変換器が、前記抵抗値を測定することを特徴とする、付記9乃至14のいずれか1項記載のガス検知方法。
(付記16)
前記半導体ガスセンサは、金属酸化物半導体センサであることを特徴とする、付記9乃至15のいずれか1項記載のガス検知方法。
11 マイコン
12 ADC
13 制御回路
14 金属酸化物半導体センサ
110 CPU
111 メモリ
141 ヒータ
142 検知電極
Claims (5)
- ヒータ及び検知電極を有する半導体ガスセンサと、
前記ヒータと前記検知電極との間の抵抗値を測定する抵抗測定手段と、
前記ヒータへの通電を制御し、クリーニング時に前記抵抗測定手段が測定した前記抵抗値の変化から前記半導体ガスセンサの汚染の程度を検知し、前記汚染の程度と前回のクリーニングの完了時刻からの経過時間とに基づいて算出したクリーニングの予定時刻にクリーニングを行い、前記予定時刻の前記クリーニング後の測定時刻に前記抵抗測定手段が測定した前記抵抗値からガス濃度を算出する制御手段と
を備えたことを特徴とする、ガス検知装置。 - 前記制御手段は、前記クリーニング時に前記抵抗測定手段が測定した前記抵抗値が安定化するまでの時間を測定して前記汚染の程度を検知することを特徴とする、請求項1記載のガス検知装置。
- 前記制御手段は、前記抵抗値が安定化するまでの前記時間と前記経過時間とに基づいて前記半導体ガスセンサの汚染速度を算出し、前記汚染速度から前記クリーニングの前記予定時刻を算出することを特徴とする、請求項2記載のガス検知装置。
- 前記制御手段は、前記測定時刻に第1の電流を前記ヒータに供給し、前記クリーニングの前記予定時刻に前記第1の電流より大きな第2の電流を前記ヒータに供給することを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項記載のガス検知装置。
- 半導体ガスセンサのヒータと検知電極との間の抵抗値を測定し、
マイクロコンピュータが、前記ヒータへの通電を制御し、クリーニング時に測定した前記抵抗値の変化から前記半導体ガスセンサの汚染の程度を検知し、前記汚染の程度と前回のクリーニングの完了時刻からの経過時間とに基づいて算出したクリーニングの予定時刻にクリーニングを行い、前記予定時刻の前記クリーニング後の測定時刻に測定された前記抵抗値からガス濃度を算出する
ことを特徴とする、ガス検知方法。
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JP2015029597A JP6451391B2 (ja) | 2015-02-18 | 2015-02-18 | ガス検知装置及びガス検知方法 |
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2015
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