JP2016149489A - 放熱シートとその製造方法、及び電子装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】クッション性と絶縁性とを兼ね備えた放熱シートとその製造方法、及び電子部品を提供すること。【解決手段】複数のカーボンナノチューブ4と、複数のカーボンナノチューブ4の各々の先端4aを改質して形成され、各々の先端4aを繋ぐダイヤモンド膜5とを有する放熱シート1による。【選択図】図5
Description
本発明は、放熱シートとその製造方法、及び電子装置に関する。
CPU(Central Processing Unit)や高周波デバイス等の電子部品は、稼働に伴い発熱するとその処理能力が低下したり故障に至ったりする。これらを防ぐため、電子部品には放熱板等の放熱部材が固着されており、その放熱部材を介して熱を外部に放熱している。
放熱を効率的に行うには、電子部品と放熱部材との間にTIM(Thermal Interface Material)を介在させるのが有効である。TIMは、電子部品と放熱部材との間の熱抵抗を低減するものであって、例えば低融点のインジウムや、樹脂に伝熱性フィラーを混合させたもの等がTIMとして用いられる。
しかし、これらのTIMは、銅等を材料とする放熱部材と比較して熱伝導率が低いため、放熱部材と電子部品との間の熱抵抗を下げるには限界がある。
そこで、TIMの代わりにカーボンナノチューブやダイヤモンド基板を用いた放熱シートを用いることが提案されている。これらの放熱シートは熱伝導率が1000W/m・k以上にも達するため、放熱部材と電子部品との間の熱抵抗を下げることができる。
特に、カーボンナノチューブは、高い熱伝導率を持つことに加え、高いクッション性を有しており可撓性に富む。そのため、カーボンナノチューブを利用した放熱シートは、電子部品の熱膨張率が放熱部材のそれと大きく異なったとしても、電子部品と放熱部材との各々の変形に追従できる。
ところで、高周波デバイスの中にはその放熱面に半導体基板が露出しているものがある。そのような高周波デバイスに対してカーボンナノチューブを利用した放熱シートを適用すると、導電性のカーボンナノチューブがその放熱面に接触して高周波デバイスとカーボンナノチューブとの間に意図しない電流が流れるおそれがある。
なお、ダイヤモンド基板は絶縁性であるためこのように電流が流れることはないが、ダイヤモンド基板は剛性が高いため電子部品と放熱部材との熱膨張率の差に追従するのが難しい。
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、クッション性と絶縁性とを兼ね備えた放熱シートとその製造方法、及び電子部品を提供することを目的とする。
以下の開示の一観点によれば、複数のカーボンナノチューブと、複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端を改質して形成され、各々の前記先端を繋ぐダイヤモンド膜とを有する放熱シートが提供される。
また、その開示の他の観点によれば、基板の上に複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端をダイヤモンドに改質することにより、前記先端を繋ぐダイヤモンド膜を形成する工程とを有する放熱シートの製造方法が提供される。
更に、その開示の別の観点によれば、電子部品と、前記電子部品の熱を外部に放熱する放熱部材と、前記電子部品と前記放熱部材との間に介在する放熱シートとを有し、前記放熱シートが、複数のカーボンナノチューブと、複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端を改質して形成され、各々の前記先端を繋ぐダイヤモンド膜とを有する電子装置が提供される。
以下の開示によれば、カーボンナノチューブの先端を改質してダイヤモンド膜を形成する。これにより、カーボンナノチューブに由来したクッション性と、ダイヤモンド膜に由来した絶縁性とを兼ね備えた放熱シートを提供することができる。
以下に、本実施形態について添付図面を参照しながら説明する。
(第1実施形態)
本実施形態では、以下のようにして放熱シートにクッション性と絶縁性とを持たせる。
本実施形態では、以下のようにして放熱シートにクッション性と絶縁性とを持たせる。
図1〜図4は、本実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図である。
まず、図1(a)に示すように、シリコン基板等の基板2の上に真空蒸着法により触媒金属3としてアルミニウム層と鉄層とをこの順に形成する。なお、アルミニウム層の厚さは例えば2nmであり、鉄層の厚さは例えば1nmである。そして、シリコン基板2の温度を450℃に昇温して触媒金属3を微粒子化させる。
なお、触媒金属3の堆積方法は真空蒸着法に限定されず、スパッタ法で触媒金属3を堆積してもよい。
続いて、図1(b)に示すように、触媒金属3を触媒にしながら、熱CVD(Chemical Vapor Deposition)法により触媒金属3の上に複数のカーボンナノチューブ4を成長させる。カーボンナノチューブ4の成長条件は特に限定されない。この例では、触媒金属3を堆積するのに使用したプロセスチャンバを引き続き用い、そのチャンバ内にプロセスガスとしてアセチレンガスを導入すると共に、基板温度を800℃とする。
この成長条件によれば、均一な長さのカーボンナノチューブ4が1cm2当たり少なくとも1012本の密度で50μm〜300μm程度の長さに成長する。
なお、カーボンナノチューブ4の長さの下限を50μmとしたのは、これよりも短いとカーボンナノチューブ4のクッション性が低下するためである。また、カーボンナノチューブ4の長さの上限を300μmとしたのは、これよりも長いと熱がカーボンナノチューブを伝う距離が長くなって放熱効率が低下するためである。
次に、図2(a)に示すように、マイクロ波プラズマCVD装置の不図示のプロセスチャンバ内に基板2を入れた後、基板温度を800℃に維持しながら、そのプロセスチャンバ内に炭化水素ガスを含むプロセスガスを導入する。
本実施形態では、そのプロセスガスとして、水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスに炭化水素ガスとしてメタンが1%の濃度で添加されたガスを使用する。そして、そのプロセスガスを上記のプロセスチャンバ内に100sccm〜1000sccmの流量で導入し、プロセスチャンバ内の圧力を2kPa〜5kPaに維持する。
そして、出力が数百W〜1kWのマイクロ波でそのプロセスガスをプラズマ化してなるプラズマ雰囲気にカーボンナノチューブ4の先端4aを曝す。
これにより、プラズマ化されたプロセスガスがカーボンナノチューブ4の先端4aに衝突して当該先端4aにエネルギが与えられ、先端4aがダイヤモンド結晶に改質される。
ここで、プロセスガスに含まれるアルゴンは水素よりも質量が大きいため、アルゴンとの衝突で先端4aに大きなエネルギを与えることができ、先端4aの改質が促進される。また、カーボンナノチューブ4から弾き飛ばされた炭素原子がプロセスガス中の炭化水素によって補足されるため、改質を更に促進させることもできる。
なお、熱フィラメントCVD法によりカーボンナノチューブ4の先端4aを改質してもよい。
そして、このような改質を更に進めることで先端4aのダイヤモンド結晶を大きくし、図2(b)のように各々のカーボンナノチューブ4の先端4a同士を繋ぐダイヤモンド膜5を形成する。
複数のカーボンナノチューブ4の各々はそのダイヤモンド膜5に対して垂直に延びており、更に各カーボンナノチューブ4はダイヤモンド膜5に直接接続される。
ここまでの工程により、カーボンナノチューブ4とダイヤモンド膜5とを備えた放熱シート1の基本構造が得られる。
その放熱シート1は、カーボンナノチューブ4に由来したクッション性を有すると共に、ダイヤモンド膜5に由来した絶縁性を有する。
なお、ダイヤモンド膜5の膜厚は特に限定されないが、放熱シート1に十分な絶縁性を持たせることができる1μm〜10μm程度の膜厚とし得る。
また、前述のようにカーボンナノチューブ4は、少なくとも1cm2あたり1012本の密度で形成されている。このように高密度であれば、各々のカーボンナノチューブ4の先端4aのダイヤモンド結晶同士が確実に接触し、穴がなく絶縁性が担保されたダイヤモンド膜5を形成できる。
続いて、図3(a)に示すように、ダイヤモンド膜5の上に真空蒸着法等によりニッケル膜6aを500nmの厚さに形成し、その上に金膜6bを350nmの厚さに形成する。更に、金膜6bの上にインジウム膜6cを真空蒸着法等で20μmの厚さに形成して、ニッケル膜6a、金膜6b、及びインジウム膜6cを積層膜6とする。なお、インジウム膜6cとして市販のインジウムシート等を用いてもよい。
その積層膜6におけるニッケル膜6aはダイヤモンド膜5と合金を作り易いので、積層膜6とダイヤモンド膜5との接合強度が高められる。
また、積層膜6における金膜6bは、その上下にあるニッケル膜6aとインジウム膜6cの各々と親和性が良好であるため、ニッケル膜6aとインジウム膜6cとの密着力を高める密着膜として機能する。
続いて、図3(b)に示すように、高周波デバイス等の電子部品7を用意し、その電子部品7の放熱面7aとインジウム膜6cとを対向させる。なお、電子部品7の放熱面7aには半導体基板が露出していることもある。
そして、インジウム膜6cを200℃程度に加熱して溶融させ、電子部品7の放熱面7aとインジウム膜6cとを圧着する。
圧着時の雰囲気は特に限定されないが、この例では水素雰囲気中でこの圧着を行う。これにより、電子部品7とインジウム膜6cの各々の表面の自然酸化膜を水素で還元して除去することができる。
その後、インジウム膜6cを冷却することで、積層膜6を介して放熱シート1に電子部品7を固着する。
続いて、図4(a)に示すように、図3(b)とは上下を反転した状態で基板2を放熱シート1から剥離する。
その後、図4(b)に示すように、先端4aとは反対側のカーボンナノチューブ4の先端4bの上にニッケル膜8aと金膜8bとを真空蒸着法によりこの順に成膜し、更にその上にインジウム膜8cを真空蒸着法で形成し、これらニッケル膜8a、金膜8b、及びインジウム膜8cを積層膜8とする。なお、ニッケル膜8aの厚さは例えば500nmであり、金膜8cの厚さは例えば350nmである。
また、インジウム膜8cとしては市販のインジウムシート等を使用し得る。
なお、積層膜8のニッケル膜8aはカーボンナノチューブ4と合金化して積層膜8とカーボンナノチューブ4との接合強度を向上する機能を有し、金膜8bはニッケル膜8aとインジウム膜8cとの密着強度を向上させる密着膜として機能する。
続いて、図5に示すように、放熱部材9として銅を材料とする放熱板を用意し、その放熱部材9をインジウム膜8cの上に乗せる。そして、水素雰囲気となっているプロセスチャンバ内でインジウム膜8cを200℃に加熱し、その状態で放熱部材9と積層膜8とを圧着する。
その後に、インジウム膜8cを冷却することにより、放熱シート1の上に積層膜8を介して放熱部材9を接合する。
ここまでの工程により、放熱シート1を介して電子部品7と放熱部材9とを接続してなる電子装置10の基本構造が完成する。
その電子装置10においては、電子部品7の熱が熱伝導率の高いカーボンナノチューブ4を通って速やかに放熱部材9に伝わるため、電子部品7の放熱を促すことができる。
以上説明した本実施形態によれば、電子部品7と放熱部品9とが異なる膨張率で膨張しても、放熱シート1のカーボンナノチューブ4がクッション性を有するため、放熱シート1が電子部品7と放熱部材9の各々の膨張に追従できる。
しかも、カーボンナノチューブ4の先端4aに絶縁性のダイヤモンド膜5を形成したため、電子部品7の放熱面7aに半導体基板が露出している場合であっても、電子部品7と放熱シート1との間に意図しない電流が流れることもない。
更に、先端4aとダイヤモンド膜5とが直接接続されており、これらの間に介在するものが何もないため、ダイヤモンド膜5からカーボンナノチューブ4に熱を速やかに伝えることもできる。
なお、各カーボンナノチューブ4の間の隙間を樹脂で充填してもよい。但し、カーボンナノチューブ4の変形を促すと共に、カーボンナノチューブ4の側面から放熱を行うためには、本実施形態のように各カーボンナノチューブ4の間の隙間に樹脂を充填しない方が好ましい。
(第2実施形態)
本実施形態では、以下のようにして二層のダイヤモンド膜を形成する。
本実施形態では、以下のようにして二層のダイヤモンド膜を形成する。
図6〜図8は、第2実施形態に係る電子装置の製造途中の断面図である。
なお、図6〜図8において、第1実施形態におけるのと同じ要素には第1実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
まず、第1実施形態の図1(a)〜図4(a)の工程を行うことにより、図6(a)に示すように、積層膜6を介して放熱シート1が電子部品7に固着された構造を得る。
次に、図6(b)に示すように、マイクロ波プラズマCVD装置の不図示のプロセスチャンバ内において、カーボンナノチューブ4の先端4bにプロセスガスのプラズマを曝すことにより、当該先端4bを改質する。
改質の条件は第1実施形態と同様であり、例えば、基板温度を800℃とし、水素ガスとアルゴンガスとの混合ガスにメタンが1%の濃度で添加されたガスをプロセスチャンバに100sccm〜1000sccmの流量で供給する。また、プロセスチャンバ内の圧力は2kPa〜5kPaとし、マイクロ波のパワーは例えば数百W〜1kWとする。
これにより、図7(a)に示すように、カーボンナノチューブ4の先端4bにダイヤモンド膜15が1μm〜10μm程度の厚さに形成される。
また、複数のカーボンナノチューブ4の各々はそのダイヤモンド膜15に対して垂直に延びており、更に各カーボンナノチューブ4はダイヤモンド膜15に直接接続される。
ここまでの工程により、カーボンナノチューブ4の両端の各々にダイヤモンド膜5、15を形成してなる放熱シート11の基本構造が得られる。
その後、図7(b)に示すように、ダイヤモンド膜15の上に真空蒸着法でニッケル膜8a、金膜8b、及びインジウム膜8cをこの順に形成することにより積層膜8を形成する。
なお、ニッケル膜8aの膜厚は例えば500nmであり、金膜8bの膜厚は例えば350nmである。更に、インジウム膜8cとしては、膜厚が20μmのインジウムシートを用いてもよい。
そして、その積層膜8と放熱部材9とを対向させ、インジウム膜8cを200℃に加熱して溶融させる。
続いて、図8に示すように、溶融したインジウム膜8cに放熱部材9を圧着した後、インジウム膜8cを冷却することにより、放熱シート11の上に積層膜8を介して放熱部材9を接合する。
ここまでの工程により、放熱シート11を介して電子部品7と放熱部材9とを接続してなる電子装置20の基本構造が完成する。
以上説明した本実施形態によれば、カーボンナノチューブ4の両端に二層の絶縁性のダイヤモンド膜5、15を形成するため、ダイヤモンド膜が一層の場合と比較して放熱シート11の絶縁性が高められる。そのため、電子部品7の放熱面7aに半導体基板が露出している場合でも、導電性のカーボンナノチューブ4を介して電子部品7から放熱部材9に意図しない電流が流れるのを効果的に抑制することができる。
(変形例)
上記した第1実施形態では、図5に示したように、積層シート1のダイヤモンド膜5側に電子部品7を設けた。
上記した第1実施形態では、図5に示したように、積層シート1のダイヤモンド膜5側に電子部品7を設けた。
これに代えて、図9に示すように、積層シート1のダイヤモンド膜5側に放熱部材9を設けてもよい。
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
(付記1)複数のカーボンナノチューブと、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端を改質して形成され、各々の前記先端を繋ぐダイヤモンド膜と、
を有することを特徴とする放熱シート。
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端を改質して形成され、各々の前記先端を繋ぐダイヤモンド膜と、
を有することを特徴とする放熱シート。
(付記2) 前記カーボンナノチューブの前記先端とは反対側の先端を改質して形成され、前記反対側の先端を繋ぐ別のダイヤモンド膜を更に有することを特徴とする付記1に記載の放熱シート。
(付記3)前記カーボンナノチューブの前記先端と前記ダイヤモンド膜とが直接接続していることを特徴とする付記1に記載の放熱シート。
(付記4)前記カーボンナノチューブが、前記ダイヤモンド膜に対して垂直に延びていることを特徴とする付記1乃至付記3のいずれかに記載の放熱シート。
(付記5)前記カーボンナノチューブの本数は、1cm2当たり1012本以上であることを特徴とする付記1乃至付記4のいずれかに記載の放熱シート。
(付記6)基板の上に複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端をダイヤモンドに改質することにより、前記先端を繋ぐダイヤモンド膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする放熱シートの製造方法。
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端をダイヤモンドに改質することにより、前記先端を繋ぐダイヤモンド膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする放熱シートの製造方法。
(付記7)前記ダイヤモンド膜を形成する工程の後、前記基板から複数の前記カーボンナノチューブを剥離する工程と、
前記カーボンナノチューブを剥離する工程の後、前記カーボンナノチューブの前記先端とは反対側の先端をダイヤモンドに改質することにより、前記反対側の先端を繋ぐ別のダイヤモンド膜を形成する工程を更に有することを特徴とする付記6に記載の放熱シートの製造方法。
前記カーボンナノチューブを剥離する工程の後、前記カーボンナノチューブの前記先端とは反対側の先端をダイヤモンドに改質することにより、前記反対側の先端を繋ぐ別のダイヤモンド膜を形成する工程を更に有することを特徴とする付記6に記載の放熱シートの製造方法。
(付記8)前記先端をダイヤモンドに改質する工程は、前記先端をプラズマ雰囲気に曝すことにより行われることを特徴とする付記6に記載の放熱シートの製造方法。
(付記9)前記プラズマ雰囲気はアルゴン炭化水素とを含むことを特徴とする付記8に記載の放熱シートの製造方法。
(付記10)電子部品と、
前記電子部品の熱を外部に放熱する放熱部材と、
前記電子部品と前記放熱部材との間に介在する放熱シートとを有し、
前記放熱シートが、
複数のカーボンナノチューブと、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端を改質して形成され、各々の前記先端を繋ぐダイヤモンド膜と、
を有することを特徴とする電子装置。
前記電子部品の熱を外部に放熱する放熱部材と、
前記電子部品と前記放熱部材との間に介在する放熱シートとを有し、
前記放熱シートが、
複数のカーボンナノチューブと、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端を改質して形成され、各々の前記先端を繋ぐダイヤモンド膜と、
を有することを特徴とする電子装置。
1、11…放熱シート、2…基板、3…触媒金属、4…カーボンナノチューブ、4a、4b…先端、5、15…ダイヤモンド膜、6、8…積層膜、6a、8a…ニッケル膜、6b、8b…金膜、6c、8c…インジウム膜、7…電子部品、9…放熱部材、10、20…電子装置。
Claims (5)
- 複数のカーボンナノチューブと、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端を改質して形成され、各々の前記先端を繋ぐダイヤモンド膜と、
を有することを特徴とする放熱シート。 - 前記カーボンナノチューブの前記先端とは反対側の先端を改質して形成され、前記反対側の先端を繋ぐ別のダイヤモンド膜を更に有することを特徴とする請求項1に記載の放熱シート。
- 基板の上に複数のカーボンナノチューブを成長させる工程と、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端をダイヤモンドに改質することにより、前記先端を繋ぐダイヤモンド膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする放熱シートの製造方法。 - 前記先端をダイヤモンドに改質する工程は、前記先端をプラズマ雰囲気に曝すことにより行われることを特徴とする請求項3に記載の放熱シートの製造方法。
- 電子部品と、
前記電子部品の熱を外部に放熱する放熱部材と、
前記電子部品と前記放熱部材との間に介在する放熱シートとを有し、
前記放熱シートが、
複数のカーボンナノチューブと、
複数の前記カーボンナノチューブの各々の先端を改質して形成され、各々の前記先端を繋ぐダイヤモンド膜と、
を有することを特徴とする電子装置。
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---|---|---|---|
JP2015026400A JP2016149489A (ja) | 2015-02-13 | 2015-02-13 | 放熱シートとその製造方法、及び電子装置 |
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Cited By (1)
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JP2022541615A (ja) * | 2019-07-22 | 2022-09-26 | レイセオン カンパニー | 選択的に柔軟な化学蒸着ダイヤモンドその他のヒートスプレッダ |
-
2015
- 2015-02-13 JP JP2015026400A patent/JP2016149489A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP7333461B2 (ja) | 2019-07-22 | 2023-08-24 | レイセオン カンパニー | 選択的に柔軟な化学蒸着ダイヤモンドその他のヒートスプレッダ |
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