JP2016149184A - 透明導電膜付き基材、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子デバイス - Google Patents

透明導電膜付き基材、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2016149184A
JP2016149184A JP2013126922A JP2013126922A JP2016149184A JP 2016149184 A JP2016149184 A JP 2016149184A JP 2013126922 A JP2013126922 A JP 2013126922A JP 2013126922 A JP2013126922 A JP 2013126922A JP 2016149184 A JP2016149184 A JP 2016149184A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
transparent conductive
substrate
organic
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2013126922A
Other languages
English (en)
Inventor
太佑 松井
Tasuke Matsui
太佑 松井
辻本 光
Hikari Tsujimoto
光 辻本
忠政 明彦
Akihiko Tadamasa
明彦 忠政
絵理 安原
eri Yasuhara
絵理 安原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority to JP2013126922A priority Critical patent/JP2016149184A/ja
Priority to PCT/JP2014/002712 priority patent/WO2014203455A1/ja
Publication of JP2016149184A publication Critical patent/JP2016149184A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/22Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by the presence of two or more layers which are next to each other and are fibrous, filamentary, formed of particles or foamed
    • B32B5/24Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by the presence of two or more layers which are next to each other and are fibrous, filamentary, formed of particles or foamed one layer being a fibrous or filamentary layer
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/81Electrodes
    • H10K30/82Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2262/00Composition or structural features of fibres which form a fibrous or filamentary layer or are present as additives
    • B32B2262/10Inorganic fibres
    • B32B2262/103Metal fibres
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202Conductive
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/412Transparent
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/20Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

【課題】より高い信頼性を有する透明導電膜付き基材を提供する。
【解決手段】本発明の透明導電膜付き基材1は、基材11と、基材11上に配置された透明導電膜12と、を備える。透明導電膜12は、−N−C(=O)−基を含む化合物を用いて作製された、金属からなる導電性繊維121を含む。透明導電膜12において、1cm2中に含まれる−N−C(=O)−基は、2.2×10-9mol以下である。
【選択図】図2

Description

本発明は、透明導電膜付き基材と、これを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子デバイスとに関する。
従来、一般的な有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機ELという)素子は、一対の電極で挟持された有機発光層が透明な基材上に形成されたものであり、有機発光層からの光は、一方の電極を透過して基材側から取り出される。この種の有機EL素子において、基材側の電極の材料として、導電性及び透光性を有するものが用いられ、インジウムスズ酸化物(以下、ITOという)が広く用いられる。しかし、ITOを材料として用いた電極は、曲げや物理的な応力に対して脆弱で壊れやすい。また、ITOを用いた電極の導電性を向上させるためには、高い蒸着温度及び/又は高いアニール温度が必要となる。したがって、ITOを用いた電極には、プロセスコストが上昇するという問題、及び、耐熱温度の低い樹脂基材上では高い導電性を得ることができないという問題があった。
そこで、ITOに代えて、複数の金属細線を含む透明導電膜を電極として用いた技術が知られている(例えば、特許文献1参照)。この種の透明導電膜付き基材の構成例について、図6を参照して説明する。透明導電膜付き基材100は、透光性を有する基材101と、この基材101上に形成される透明導電膜102とを備える。また、透明導電膜102は、細線状の複数の導電性繊維1021と、バインダとしての樹脂1022とを含む。複数の導電性繊維1021は、樹脂1022によって、基材101上に接着されている。
このような透明導電膜付き基材100は、複数の導電性繊維1021を含む透明導電膜102を基材101上に備えることにより、所望の電気的、光学的及び機械的特性を有する。
透明導電膜付き基材100に含まれる導電性繊維1021として、例えば金属ナノワイヤが用いられる。金属ナノワイヤの製法としては、特許文献1及び非特許文献1,2に記載されているように、ポリオール法、バイオテンプレート法、及び、界面活性剤や種結晶を利用する方法等が一般的に知られている。
特表2009−505358号公報
Xinling Tang and Masaharu Tsuji, "Syntheses of Silver Nanowires in Liquid Phase", Nanowires Science and Technology, Nicoleta Lupu (Ed.) in TEK Webbook, Chapter 2, pp. 25−42 (2010). "A Conversation with Prof. Angela Belcher:Leader in Biotemplated Nanomaterials", ACS Nano 2008, Vol. 2, No. 8, 1508−1513
導電性繊維を含む透明導電膜付き基材は、上記のとおり有機EL素子の電極に用いられる等、様々な電子デバイスの電極として有用である。したがって、電子デバイスの信頼性を向上させるためにも、透明導電膜付き基材には更なる信頼性の向上が求められている。
そこで、本発明は、より高い信頼性を有する透明導電膜付き基材を提供することを目的とする。
本発明の透明導電膜付き基材は、
基材と、
前記基材上に配置された透明導電膜と、
を備え、
前記透明導電膜は、−N−C(=O)−基を含む化合物を用いて作製された、金属からなる導電性繊維を含み、
前記透明導電膜において、1cm2中に含まれる−N−C(=O)−基が2.2×10-9mol以下である。
本発明によれば、高い信頼性を有する透明導電膜付き基材を提供できる。
ITO膜に含まれる水分量と、銀ナノワイヤを含む透明導電膜に含まれる水分量とを比較した結果を示すグラフである。 本発明の実施の形態1における透明導電膜付き基材の断面図である。 本発明の実施の形態2における有機EL素子の断面図である。 実施例1及び比較例1の有機EL素子を25℃、20mA/cm2の直流電流で駆動させた時の輝度劣化曲線を示すグラフである。 実施例1〜7及び比較例1〜3の有機EL素子について、−N−C(=O)−基の量と輝度半減寿命との関係を示すグラフである。 従来の透明導電膜付き基材の構成例を示す断面図である。
本発明者らは、「背景技術」の欄において記載した、導電性繊維を含む従来の透明導電膜付き基材について、鋭意研究により、次のような問題があることを見出した。
導電性繊維としては、例えば金属ナノワイヤを用いることができる。上述のとおり、金属ナノワイヤの製法としては、ポリオール法、バイオテンプレート法、及び、界面活性剤や種結晶を利用する方法等が一般的に知られている。しかし、生産性を考慮すると、現状実用化されている方法はポリオール法のみである。
ポリオール法で金属ナノワイヤを作製する場合、金属ナノワイヤの形状安定剤として、ポリビニルピロリドンに代表される、−N−C(=O)−基を含む化合物を使用する必要がある。しかしながら、−N−C(=O)−基は水と強固に水素結合を形成するため、−N−C(=O)−基を含む化合物は非常に水分を吸着しやすい。その結果、ポリオール法で作製された金属ナノワイヤを含む透明導電膜付き基材も、水分を含みやすいという問題を有する。
本発明者らは、さらなる鋭意検討の結果、透明導電膜付き基材の透明導電膜上に塗布型の有機層(塗布プロセスで作製される有機層)を形成した場合に、この問題が顕著に現れることも見出した。有機EL素子及び太陽電池に代表される電子デバイスに透明導電膜付き基材を適用する場合、導電性繊維を含む透明導電膜付き基材上に正孔注入層や電荷の均一性を向上させる導電性ポリマー層などの有機層を形成することが一般的である。この場合、導電性繊維を含む透明導電膜と電極との短絡の原因となる、導電性繊維に起因する凹凸を平滑化するために、塗布型の有機層が形成される。塗布型の有機層の作製に用いられる材料には、溶媒として、水だけでなくレベリング性を向上させるための高沸点有機溶剤も含まれている。水に加えて高沸点有機溶剤も溶媒として含まれることが、上記問題が顕著に現れる一因と考えられることも、本発明者らの検討によって明らかとなった。このことを、図1に示すグラフを参照しながら具体的に説明する。
図1に示すグラフは、ITO膜に含まれる水分量と、銀ナノワイヤを含む透明導電膜に含まれる水分量とを比較した結果を示している。ガラス板(基材)の上にITO膜を配置したサンプルA1(ガラス板/ITO)と、ガラス板(基材)の上にポリオール法で作製された銀ナノワイヤを含む透明導電膜を配置したサンプルB1(ガラス板/銀ナノワイヤを含む透明導電膜)とを用意して、それらに含まれる水分量を比較した。次に、それら2つのサンプルに対し、ITO膜上及び銀ナノワイヤを含む透明導電膜上に、それぞれ、有機EL素子の正孔注入層(HIL(Hole Injection Layer))に一般的に用いられているポリチオフェン系の高分子材料を、高沸点有機溶剤のプロピレングリコール、イソプロピルアルコール(IPA)及び水の混合溶媒に2重量%含有させたもの(Plextronics社製 Plexcore AQ-1100)を塗布して、サンプルA2(ガラス板/ITO/HIL)及びサンプルB2(ガラス板/銀ナノワイヤを含む透明導電膜/HIL)を作製した。サンプルA2及びB2についても、それらに含まれる水分量を比較した。水分量は、昇温脱離ガス分析(TDS(Thermal Desorption Spectroscopy))によって測定された。具体的には、以下の手順で測定が行われた。
(1)各サンプルを1cm2に切り出す。
(2)切り出されたサンプルを、真空中で脱水が安定するまで約1時間程度放置する(表面付着水の除去)。
(3)160℃に昇温し、1時間で脱離した水分量を測定する。
なお、ここで用いられた各サンプルの透明導電膜は、後述の比較例1と同じ方法によって作製されたものである。
HIL塗布前、すなわち塗布型の有機層がITO膜上及び銀ナノワイヤを含む透明導電膜上にそれぞれ設けられる前のサンプルA1とサンプルB1とを比較すると、含まれる水分量はほとんど同じである。HIL塗布後、すなわち塗布型の有機層がITO膜上及び銀ナノワイヤを含む透明導電膜上にそれぞれ設けられた後のサンプルA2及びサンプルB2は、それぞれサンプルA1及びサンプルB1と比較して水分量が大きく変化した。しかし、サンプルB1に対するサンプルB2の水分量の増加は、サンプルA1に対するサンプルA2の水分量の増加と比較して、著しく大きかった。このように、銀ナノワイヤを含む透明導電膜による水分の吸着は、その上に有機層を形成した際に顕著に増加することが確認される。次に、この現象を分析する。−N−C(=O)−基は大きな極性を有するので、水だけでなく高沸点有機溶剤も引き付ける。単に−N−C(=O)−基と水との吸着が原因であるならば、HIL塗布前においても、銀ナノワイヤを含む透明導電膜付き基材(サンプルB1)と、ITO膜付き基材(サンプルA1)との間で、水分量に大きな差が生じるはずである。しかし、図1に示す結果から、水の吸着のみが原因でないと考えられる。上記のとおり、有機層の形成に用いられる塗布剤の溶媒は、高沸点有機溶剤(例えば、プロピレングリコール)と水とを含む混合溶媒である。−N−C(=O)−基には、高沸点有機溶剤が先に吸着し、その高沸点有機溶剤に水が吸着すると考えられる。
なお、プロピレングリコールに限らず、一般的な高沸点溶媒は、一分子内に水酸基をはじめとした水素結合可能な官能基を複数もっているため、これらの官能基に水分が吸着し同様の問題が発生すると考えられる。
以上のような問題点を有する透明導電膜付き基材を、例えば電子デバイスの電極に適用した場合、電極に含まれる水分の影響によって電子デバイスの寿命が短くなり、電子デバイスの信頼性が低下する。そこで、本発明者らは、このような新たに見出された問題を解決する手段として、本発明に到達するに至った。
本発明の第1の態様は、
基材と、
前記基材上に配置された透明導電膜と、
を備え、
前記透明導電膜は、−N−C(=O)−基を含む化合物を用いて作製された、金属からなる導電性繊維を含み、
前記透明導電膜において、1cm2中に含まれる−N−C(=O)−基が2.2×10-9mol以下である、
透明導電膜付き基材を提供する。
第1の態様に係る透明導電膜付き基材では、透明導電膜に含まれる導電性繊維が−N−C(=O)−基を含む化合物を用いて作製されたものである。それにも関わらず、透明導電膜において、1cm2中に含まれる−N−C(=O)−基が2.2×10-9mol以下に抑えられている。したがって、たとえ透明導電膜上に塗布型の有機層が形成された場合であっても、透明導電膜に吸着する水の量を少なく抑えることが可能である。その結果、例えば第1の態様に係る透明導電膜付き基材を電子デバイスの電極に適用した場合であっても、電子デバイスの信頼性を低下させることがなくなる。
本発明の第2の態様は、第1の態様において、
前記透明導電膜において、1cm2中に含まれる−N−C(=O)−基が1.2×10-9mol以下である、
透明導電膜付き基材を提供する。
第2の態様に係る透明導電膜付き基材によれば、たとえ透明導電膜上に塗布型の有機層が形成された場合であっても、透明導電膜に吸着する水の量をより少なく抑えることが可能である。その結果、例えば第2の態様に係る透明導電膜付き基材を電子デバイスの電極に適用した場合であっても、電子デバイスの信頼性の低下をより確実に抑えることができる。
本発明の第3の態様は、第1又は第2の態様において、
前記化合物が、ポリビニルピロリドンである、
透明導電膜付き基材を提供する。
第3の態様に係る透明導電膜付き基材は、ポリビニルピロリドンを形状安定剤として用いて作製された導電性繊維を含んでいる。この導電性繊維は分散安定性が非常に高く、長時間放置しても凝集・沈殿の生じない導電性繊維分散溶液を得ることができる。そのため、これを用いて作製された透明導電膜は、導電性繊維の分散性が高く、高い透明性を得ることができる。
本発明の第4の態様は、第1又は第2の態様において、
前記化合物が、アクリルアミド誘導体又はアクリルアミドである、
透明導電膜付き基材を提供する。
第4の態様に係る透明導電膜付き基材は、アクリルアミド誘導体又はアクリルアミドを形状安定剤として用いた導電性繊維を含んでいる。この導電性繊維は分散安定性が非常に高く、長時間放置しても凝集・沈殿の生じない導電性繊維分散溶液を得ることができる。そのため、これを用いて作製された透明導電膜は、導電性繊維の分散性が高く、高い透明性を得ることができる。
本発明の第5の態様は、
第1〜第4の態様の何れか1つの態様の透明導電膜付き基材と、
前記透明導電膜付き基材の透明導電膜と対向して配置された電極と、
前記透明導電膜と前記電極との間であって、かつ前記透明導電膜上に配置された、発光層を含む有機層と、
を備えた、有機EL素子を提供する。
第5の態様に係る有機EL素子は、透明電極として、第1〜第4の態様の何れか1つの態様の透明導電膜付き基材を備えている。この透明導電膜付き基材は、透明導電膜上に塗布型の有機層が形成された場合であっても、透明導電膜に吸着する水の量を少なく抑えることが可能である。したがって、第5の態様に係る有機EL素子によれば、透明電極に含まれる水を原因とする信頼性の低下が抑制されるので、高い信頼性が確保できる。
本発明の第6の態様は、
第1〜第4の態様の何れか1つの態様の透明導電膜付き基材と、
前記透明導電膜付き基材の透明導電膜と対向して配置された電極と、
前記透明導電膜と前記電極との間であって、かつ前記透明導電膜上に配置された機能層と、
を備えた、電子デバイスを提供する。
第6の態様に係る電子デバイスは、第1〜第4の態様の何れか1つの態様の透明導電膜付き基材を備えている。この透明導電膜付き基材は、透明導電膜上に塗布型の機能層が形成された場合であっても、透明導電膜に吸着する水の量を少なく抑えることが可能である。したがって、第6の態様に係る電子デバイスによれば、透明導電膜に含まれる水を原因とする信頼性の低下が抑制されるので、高い信頼性が確保できる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
[透明導電膜付き基材]
[全体構成]
図2は、本発明の実施の形態1における透明導電膜付き基材の一例を示す断面図である。図2に示すように、本実施の形態の透明導電膜付き基材1は、基材11上に透明導電膜12が配置されることによって形成されている。透明導電膜12は、金属からなる導電性繊維121と、樹脂成分122とを含んでいる。樹脂成分122は、基材11と導電性繊維121との接着性を向上させるために、少なくとも1種のバインダ樹脂を含んでいてもよい。
[基材11]
基材11は、その形状、構造及び大きさ等については特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができる。基材11の形状としては、例えば平板状、シート状、フィルム状等が挙げられる。基材11の構造としては、例えば単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、適宜選択することができる。基材11の材料についても特に制限はなく、無機材料及び有機材料のいずれであっても好適に用いることができる。基材11を形成する無機材料としては、例えば、ガラス、石英、シリコーンなどが挙げられる。基材11を形成する有機材料としては、例えば、トリアセチルセルロース(TAC)等のアセテート系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリノルボルネン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂及びポリアクリル系樹脂などが挙げられる。これらは、1種を単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
[透明導電膜12]
透明導電膜12は、導電性繊維121及び樹脂成分122を含有する材料(透明導電膜形成用材料)を用いて形成することができる。また、以下に説明するように、導電性繊維121は−N−C(=O)−基を含む化合物を用いて作製されたものであるが、透明導電膜12において1cm2中に含まれる−N−C(=O)−基は、2.2×10-9mol以下、望ましくは1.2×10-9mol以下に抑えられている。
[導電性繊維121]
導電性繊維121としては、金属ナノワイヤ等の金属極細繊維が好適に用いられる。金属極細繊維を用いることにより、導電性繊維121の相互の接点が多くなるので高い導電性を得ることができる。導電性繊維121には、−N−C(=O)−基を含む化合物を用いてポリオール法によって作製されたものが用いられる。−N−C(=O)−基を含む化合物としては、ポリビニルピロリドン、あるいは、アクリルアミド誘導体又はアクリルアミドが挙げられる。これらの化合物は、通常、導電性繊維121の形状安定剤として用いられる。なお、導電性繊維121の製造方法は、−N−C(=O)−基を含む化合物を用いた合成であればよく、その他の具体的な製造方法は特に制限されない。例えば、公知の方法で製造された銀ナノワイヤを用いることができる。公知の方法としては、非特許文献1の「Xinling Tang and Masaharu Tsuji, “Syntheses of Silver Nanowires in Liquid Phase”, Nanowires Science and Technology, Nicoleta Lupu (Ed.) in TEK Webbook, Chapter 2, pp. 25−42 (2010)」及び特表2009−505358号公報等に記載されている製造方法を挙げることができる。
非特許文献1にも記載されているように、−N−C(=O)−基を含む化合物を用いてポリオール法によって作製された導電性繊維は、その断面形状が五角形であるという特徴を有する。なお、−N−C(=O)−基を含む化合物を用いてポリオール法によって作製された導電性繊維を含む透明導電膜に対し、後述のような当該化合物を除去する処理を施した場合、透明導電膜に含まれる−N−C(=O)−基の濃度を限りなく0に近づけることが可能である。しかし、その場合でも、ガスクロマトグラフィーによって検出可能な程度の、微量な−N−C(=O)−基が透明導電膜に残存すると考えられる。
導電性繊維121の平均直径は、透明性の観点から100nm以下であることが望ましく、導電性の観点から10nm以上であることが望ましい。平均直径が100nm以下であれば光透過率の低下を抑えることができるため望ましい。平均直径が10nm以上であれば導電体としての機能を有意に発現でき、また平均直径がより大きい方が、導電性が向上するため望ましい。よって、平均直径は、より望ましくは20〜100nmであり、40〜100nmであることが最も望ましい。また導電性繊維121の平均長さは、導電性の観点から1μm以上であることが望ましく、凝集による透明性への影響から100μm以下であることが望ましい。より望ましくは1〜50μmであり、3〜50μmであることが最も望ましい。導電性繊維121の平均直径及び平均長さは、SEMやTEMを用いて十分な数の導電性繊維121について電子顕微鏡写真を撮影し、個々の導電性繊維121の像の計測値の算術平均から求めることができる。導電性繊維121の長さは、本来直線状に伸ばした状態で求めるべきであるが、現実には屈曲している場合が多いため、電子顕微鏡写真から画像解析装置を用いて導電性繊維121の投影径及び投影面積を算出し、円柱体を仮定して算出する(長さ=投影面積/投影径)ものとする。計測対象の導電性繊維121の数は、少なくとも100個以上が望ましく、300個以上の導電性繊維121を計測するのがより望ましい。また、導電性繊維121のアスペクト比(平均長さ/平均直径)は、10以上10000以下が望ましい。
[樹脂成分122]
樹脂成分122としては、例えば、セルロース樹脂(メチルセルロース樹脂等)、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、アクリル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ジアクリルフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、及び、その他の熱可塑性樹脂、並びに、これらの樹脂を構成する単量体の2種以上の共重合体等を挙げることができる。
[透明導電膜12の製造方法]
透明導電膜12は、塗布法によって形成される。具体的には、導電性繊維121、樹脂成分122及び溶媒を含む溶液(透明導電膜形成用材料)を準備し、この透明導電膜形成用材料を基材11上に塗布することによって形成される。なお、塗布法としては、例えば、スピンコート法、スプレーコート法、ダイコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法等を挙げることができる。
次に、塗膜を乾燥させて得られた膜に対し、その膜に含まれる−N−C(=O)−基を含む化合物を除去する処理を施す。この処理によって、透明導電膜12の形成後に、その透明導電膜12中に含まれる−N−C(=O)−基の濃度を、2.2×10-9mol/cm2以下まで減少させることができる。このとき、望ましくは、透明導電膜12中に含まれる−N−C(=O)−基の濃度を1.2×10-9mol/cm2以下まで減少させる。具体的な除去方法としては、例えば、光照射による除去方法、加熱による除去方法、及び、除去対象の化合物を溶出可能な溶剤を用いて除去する方法、が挙げられる。
光照射による除去方法では、例えば、エキシマランプ等で紫外線を照射し、−N−C(=O)−基を含む化合物の結合を切断・分解することで、当該化合物を除去することができる。
加熱による除去方法では、−N−C(=O)−基を含む化合物のガラス転移温度(Tg)以上の温度(例えば化合物がポリビニルピロリドンであれば、150〜180℃)に加温することで、当該化合物を除去することができる。
溶剤を用いる方法では、除去対象の化合物が溶解する溶剤(例えば化合物がポリビニルピロリドンであれば、クロロホルム、水及びメタノール等の極性の高い溶剤)に数分程度浸漬することで、除去することができる。
なお、透明導電膜12は、図2に示すように基材1の表面の全部(片面全面)に形成してもよいし、基材1の表面の一部に形成してもよい。また、透明導電膜12は、例えばエッチング等によりパターニングされて適宜の形状とすることができる。すなわち透明導電膜12の平面視形状は、例えば、矩形状、矩形状以外の多角形状、円形状等を挙げることができる。
[透明導電膜形成用材料]
透明導電膜形成用材料は、上記の導電性繊維、樹脂成分及び溶媒を配合することによって調製できる。透明導電膜形成用材料における導電性繊維の配合量は、例えば透明導電膜付き基材1を、電子デバイス、特に有機EL素子の透明電極に用いる場合、透明導電膜12の形成後にその透明導電膜12中に導電性繊維が0.01〜90質量%含有されるように調整しておくことが好ましい。透明導電膜12における導電性繊維の含有量は、0.1〜30質量%であることがより好ましく、0.5〜10質量%であることが最も好ましい。
[透明導電膜形成用材料に用いられる溶媒]
透明導電膜形成用材料に用いられる溶媒には、例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール(IPA)等のアルコール類;メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類;ハロゲン化炭化水素類;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類、あるいはこれらの混合物を用いることができる。また溶媒としては、上記の有機溶剤の他に、水を用いる場合もあり、有機溶剤と水を組み合わせて用いる場合もある。溶媒の量は、固形分を均一に溶解又は分散させることができ、透明導電膜形成用材料を調製した後の保存時に凝集しにくく、かつ、基材11への塗布時に希薄すぎない濃度となるように適宜調節するものである。この条件が満たされる範囲内で溶媒の使用量をできるだけ少なくして高濃度の透明導電膜形成用材料を調製し、容量をとらない状態で保存し、使用時に必要分を取り出して塗布作業に適した濃度に溶媒で希釈することが好ましい。固形分と溶媒との合計量を100質量部としたとき、全固形分0.1〜50質量部に対して、溶媒の量を50〜99.9質量部に設定することが好ましく、より好ましくは、全固形分0.5〜30重量部に対して、溶媒を70〜99.5質量部とすることである。全固形分と溶媒との配合比をこのような範囲とすることにより、特に分散安定性に優れ、長期保存に適した透明導電膜形成用材料を得ることができる。
本実施の形態の透明導電膜付き基材1は、透明導電膜12に含まれる導電性繊維121が−N−C(=O)−基を含む化合物を用いて作製されたものであるにも関わらず、透明導電膜12において、1cm2中に含まれる−N−C(=O)−基が2.2×10-9mol以下に抑えられている。したがって、たとえ透明導電膜12上に塗布型の有機層が形成された場合であっても、透明導電膜12に吸着する水の量を少なく抑えることが可能である。
(実施の形態2)
[有機EL素子]
[全体構成]
図3は、本発明の実施の形態2における有機EL素子の一例を示す断面図である。有機EL素子2は、透明基材21と、透明基材21上に配置された透明導電膜22と、透明導電膜22上に配置された、発光層23と、発光層23上に配置された電極24とを含む積層体を備えている。透明導電膜22は、有機EL素子2の透明電極として機能する。透明基材21には、実施の形態1で説明した透明導電膜付き基材1(図2参照)の基材11のうち、透光性を有する基材を用いることができる。透明導電膜22には、実施の形態1で説明した透明導電膜付き基材1(図2参照)の透明導電膜12を用いることができる。すなわち、有機EL素子2には、実施の形態1で説明した透明導電膜付き基材1が透明電極に用いられている。
本実施の形態では、透明導電膜22と電極24との間に配置される有機層として発光層23のみが設けられている例を示しているが、発光層23以外の他の有機機能層がさらに設けられていてもよい。すなわち、発光層23と他の有機機能層とによって有機層が構成されていてもよい。透明導電膜22と接して配置される有機層は、塗布型、すなわち塗布プロセスで作製された有機層であることが望ましい。
透明導電膜22が陽極である場合には、透明導電膜22と発光層23との間に、透明導電膜22側から正孔注入層(ホール注入層)及び正孔輸送層(ホール輸送層)(図示省略)がこの順に設けられていてもよい。この場合、電極24は陰極となる。発光層23と電極24との間に、発光層23側から電子輸送層及び電子注入層(いずれも図示省略)がこの順に設けられていてもよい。
逆に、透明導電膜22が陰極である場合には、透明導電膜22と発光層23との間に、透明導電膜22側から電子注入層及び電子輸送層がこの順に設けられていてもよい。この場合、電極24は陽極となる。発光層23と電極24との間に、発光層23側から正孔輸送層及び正孔注入層(いずれも図示省略)がこの順に設けられていてもよい。
有機EL素子2には、透明導電膜22、発光層23及び電極24を含む積層体の全体を覆う封止キャップ25と、封止キャップ25を透明基材21に貼り付けて封止するシール剤26とがさらに設けられている。なお、図示省略しているが、透明導電膜22及び電極24の一部は、封止キャップ25の内部から外部に引き出されている。
[発光層23]
発光層23の材料としては、例えば、アルミキノリノール錯体(トリス(8−ヒドロキノリン)アルミニウム)、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体等、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、色素体、金属錯体系発光材料を高分子化したもの等や、アントラセン、ナフタレン、ピレン、テトラセン、コロネン、ペリレン、フタロペリレン、ナフタロペリレン、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、クマリン、オキサジアゾール、ビスベンゾキサゾリン、ビススチリル、シクロペンタジエン、キノリン金属錯体、トリス(8−ヒドロキシキノリナート)アルミニウム錯体、トリス(4−メチル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、トリス(5−フェニル−8−キノリナート)アルミニウム錯体、アミノキノリン金属錯体、ベンゾキノリン金属錯体、トリ−(p−ターフェニル−4−イル)アミン、ピラン、キナクリドン、ルブレン、及びこれらの誘導体、あるいは、1−アリール−2,5−ジ(2−チエニル)ピロール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、及びこれらの発光性化合物からなる基を分子の一部分に有する化合物等が挙げられる。また、上記化合物に代表される蛍光色素由来の化合物のみならず、いわゆる燐光発光材料、例えばイリジウム錯体、オスミウム錯体、白金錯体、ユーロピウム錯体等の発光材料、又はそれらを分子内に有する化合物若しくは高分子も好適に用いることができる。これらの材料は、必要に応じて、適宜選択して用いることができる。発光層23は、塗布法(例えば、スピンコート法、スプレーコート法、ダイコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法等)のような湿式プロセスによって成膜することが望ましい。ただし、発光層23の成膜方法は、塗布法に限らず、例えば、真空蒸着法、転写法等の乾式プロセスによって発光層23を成膜してもよい。
図3に示された発光層23は、透明導電膜22の表面の一部に形成されているが、透明導電膜22の表面の全部に形成されていてもよい。発光層23は、透明導電膜22の外周を超えて透明基材21の表面上にも形成されていてもよい。また、発光層23の平面視形状としては、例えば、矩形状、矩形状以外の多角形状、円形状等を挙げることができる。
[電子注入層]
電子注入層の材料は、例えば、フッ化リチウムやフッ化マグネシウム等の金属フッ化物、及び、塩化ナトリウムや塩化マグネシウム等に代表される金属塩化物等の金属ハロゲン化物や、チタン、亜鉛、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム等の酸化物等を用いることができる。これらの材料の場合、電子注入層は、真空蒸着法により形成することができる。また、電子注入層の材料は、例えば、電子注入を促進させるドーパント(アルカリ金属等)を混合した有機半導体材料を用いることができる。このような材料の場合、電子注入層は、塗布法により形成することができる。
[電子輸送層]
電子輸送層の材料は、電子輸送性を有する化合物の群から選定することができる。この種の化合物としては、Alq3等の電子輸送性材料として知られる金属錯体や、フェナントロリン誘導体、ピリジン誘導体、テトラジン誘導体、オキサジアゾール誘導体等のヘテロ環を有する化合物等が挙げられるが、この限りではなく、一般に知られる任意の電子輸送材料を用いることが可能である。
[正孔輸送層]
正孔輸送層の材料としては、LUMO(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)準位が小さい低分子材料や高分子材料を用いることができる。例えば、ポリビニルカルバゾール(PVCz)や、ポリピリジン、ポリアニリン等の側鎖や主鎖に芳香族アミンを有するポリアリーレン誘導体等の芳香族アミンを含むポリマー等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。なお、正孔輸送層の材料としては、例えば、N,N−ジフェニル−N,N−ビス−3−メチル−フェニル−1,1−ジフェニル−4,4−ジアミン、4,4’−ビス[N−(ナフチル)−N−フェニル−アミノ]ビフェニル(α−NPD)、N,N’−ビス(3−メチルフェニル)−(1,1’−ビフェニル)−4,4’−ジアミン(TPD)、2−TNATA、4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(MTDATA)、4,4’−N,N’−ジカルバゾールビフェニル(CBP)、スピロ−NPD、スピロ−TPD、スピロ−TAD、TNB等を用いることが可能である。
[正孔注入層]
正孔注入層の材料としては、例えば、チオフェン、トリフェニルメタン、ヒドラゾリン、アミールアミン、アニリン、ヒドラゾン、スチルベン、トリフェニルアミン等を含む有機材料が挙げられる。例えば、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレンジオキシチオフェン:ポリスチレンスルホネート(PEDOT:PSS)、TPD等の芳香族アミン誘導体等で、これらの材料を単独で用いてもよいし、2種類以上の材料を組み合わせて用いてもよい。このような正孔注入層は、塗布法(スピンコート法、スプレーコート法、ダイコート法、グラビア印刷法等)のような湿式プロセスによって成膜することができる。
[電極24]
電極24の材料としては、電極24が陰極である場合は、仕事関数の小さい金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる材料を用いることが好ましく、LUMO準位との差が大きくなりすぎないように仕事関数が1.9eV以上5eV以下のものを用いることが好ましい。具体的には、例えば、アルミニウム、銀、マグネシウム、金、銅、クロム、モリブデン、パラジウム、錫等、及びこれらと他の金属との合金、例えばマグネシウム−銀混合物、マグネシウム−インジウム混合物、アルミニウム−リチウム合金を挙げることができる。また、金属、金属酸化物等、及びこれらと他の金属との混合物、例えば、酸化アルミニウムからなる薄膜とアルミニウムからなる薄膜との積層膜なども使用可能である。また、発光層23から放射される光に対する反射率が高く、かつ抵抗率の低い金属が望ましく、アルミニウムや銀が望ましい。図3に示す電極24は、光反射性を有するものであるが、光透過性を有するものでもよい。また、電極24が陽極である場合は、その材料としては、仕事関数の大きい金属を用いることが好ましく、HOMO(Highest Occupied Molecular Orbital)準位との差が大きくなりすぎないように仕事関数が4eV以上6eV以下のものを用いることが好ましい。
なお、正孔注入層の膜厚は10〜200nm、正孔輸送層の膜厚は10〜60nm、発光層の膜厚は10〜80nm、電子輸送層の膜厚は10〜60nm、電子注入層の膜厚は0.5〜60nm、有機発光層3全体の膜厚は80〜460nmと設定することができるが、これに限定されるものではない。
[封止キャップ25]
封止キャップ25としては、ガラス製のように透明性を有するもののほか、内面が光反射性を有するもの等を用いることができる。また、封止キャップ25の内面には、吸水剤が貼り付けてられていてもよい。
[シール剤26]
シール剤26としては、紫外線硬化樹脂製のもの等を用いることができる。
[有機EL素子2の製法]
透明基材21及び透明導電膜23には、実施の形態1の透明導電膜付き基材1(図2参照)を利用できる。すなわち、この透明導電膜付き基材1の透明導電膜12上に、発光層23と、必要に応じて設けられる電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層及び/又は正孔注入層とを形成する。これらの層は、一般的な有機EL素子を製造する際に用いられている公知の方法を用いて作製できる。
次に、外気を遮断した雰囲気下において、透明導電膜22、発光層23及び電極24を含む積層体の全体を覆うように、封止キャップ25をシール剤26で透明基材21に貼り付けて封止することによって、図3に示す有機EL素子2を製造することができる。
本実施の形態の有機EL素子2は、実施の形態1の透明導電膜付き基材1を透明電極として利用している。透明導電膜付き基材1は、透明導電膜12上に塗布型の有機層が形成された場合であっても、透明導電膜12に吸着する水の量を少なく抑えることが可能である。したがって、有機EL素子2によれば、電極に含まれる水を原因とする信頼性の低下が抑制されるので、高い信頼性が確保できる。
本実施の形態の有機EL素子2は、例えば、照明用として用いたり、他の用途に用いたりすることができる。なお、本実施の形態では、実施の形態1で説明した透明導電膜付き基材1を備えた有機EL素子について説明したが、この透明導電膜付き基材を他の電子デバイスに適用することも可能である。この場合、透明導電膜付き基材の透明導電膜に対向する電極を配置し、この電極と透明導電膜との間であって、かつ透明導電膜上に、適用する電子デバイスに応じて必要な機能を備えた機能層を配置するとよい。例えば、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、太陽電池、タッチパネル及び電子ペーパー等の実施が可能である。透明導電膜に接して配置される機能層は、塗布型、すなわち塗布プロセスで作製された機能層であることが望ましい。
以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。
(実施例1)
公知論文「Materials Chemistry and Physics vol.114 p333-338“Preparation of Ag nanorods with high yield by polyol process”」に基づいて、形状安定剤としてポリビニルピロリドンを用いて、導電性繊維である銀ナノワイヤ(平均直径50nm、平均長さ20μm)を合成した。具体的には、エチレングリコール6mLに、硝酸銀0.052mol/L、ポリビニルピロリドン0.067mol/Lとなるように調整し溶解させた混合溶液に、0.0006mol/Lの濃度となるように塩化鉄(III)を加え、150℃で1時間加熱することで導電性繊維である銀ナノワイヤ(平均直径50nm、平均長さ20μm)を合成した。
次に、この銀ナノワイヤを水に分散させることによって、固形分3.0質量%の銀ナノワイヤ分散液を調製した。また、樹脂成分としてメチルセルロース樹脂(シグマアルドリッチ社製「M7140」)を用いた。金属ナノワイヤ分散液100質量部と、メチルセルロース樹脂3質量部と、水200質量部とを配合することによって、透明導電膜形成用材料を調製した。
基材としてガラス板(BK7、40mm×40mm×0.7mm)を用いた。このガラス板の表面に、上記の透明導電膜形成用材料を膜厚が100nmとなるようにスピンコーターによって塗布した。この塗膜を、常温(23℃)で3分間乾燥させた後、120℃で5分間加熱することによって、透明導電膜付き基材を作製した。この透明導電膜付き基材の透明導電膜の不要部分をエッチングにより除去してパターニングした。その後、透明導電膜に対して、エキシマランプ(エム・ディ・コム製 MEIRH−M−1−152−H−P)を0.15mWで5分間照射して、透明導電膜中のポリビニルピロリドンの除去を行った。
次に、透明導電膜付き基材の透明導電膜の表面に、スピンコーターを用いて、Plexcore AQ−1100(Plextronics製)を成膜し、厚さ100nmの正孔注入層を形成した。
次に、正孔注入層の表面に、N,N−ジフェニル−N,N−ビス−3−メチル−フェニル−1,1−ジフェニル−4,4−ジアミン((株)同仁化学研究所製)を真空蒸着して、厚さ50nmの正孔輸送層を形成した。
次に、正孔輸送層の表面に、アルミキノリノール錯体(トリス(8−ヒドロキノリン)アルミニウム:(株)同仁化学研究所製)を真空蒸着して、厚さ50nmの発光層を形成した。
次に、発光層3の表面に、アルミニウムを真空蒸着することによって、厚さ150nmの電極を形成した。この電極は、その外周が透明導電膜の外周よりも内側に位置するように形成された。
その後、基材、透明導電膜(陽極)、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電極(陰極)で構成された積層体を、露点−80℃以下のドライ窒素雰囲気のグローブボックスに、大気に暴露することなく搬送した。一方、ガラス製の封止キャップの内面に吸水剤(ダイニック(株)製)を貼り付けると共に、この封止キャップの開口縁に紫外線硬化樹脂製のシール剤を塗布しておいた。そして、グローブボックス内において、透明導電膜、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電極の全体を覆うように封止キャップをシール剤で透明基材に貼り付けた。その後、紫外線照射によりシール剤を硬化させて封止することによって、図3に示した有機EL素子2に対して、透明導電膜22と発光層23との間に正孔注入層及び正孔輸送層がさらに設けられた構造を有する有機EL素子を製造した。
(実施例2)
透明導電膜に対するエキシマランプの照射時間を10分とした以外は、実施例1と同様に有機EL素子を製造した。
(実施例3)
透明導電膜に対するエキシマランプの照射時間を15分とした以外は、実施例1と同様に有機EL素子を製造した。
(実施例4)
透明導電膜に対し、エキシマランプの照射の代わりに、アルゴンプラズマ(サムコ製、PC−300)を300Wで1分間照射したこと以外は、実施例1と同様に有機EL素子を製造した。
(実施例5)
透明導電膜に対するエキシマランプの照射時間を3.5分とした以外は、実施例1と同様に有機EL素子を製造した。
(実施例6)
透明導電膜に対するエキシマランプの照射時間を4分とした以外は、実施例1と同様に有機EL素子を製造した。
(実施例7)
透明導電膜に対するエキシマランプの照射時間を4.5分とした以外は、実施例1と同様に有機EL素子を製造した。
(比較例1)
透明導電膜に対してエキシマランプを照射しなかったこと以外は、実施例1と同様に有機EL素子を製造した。
(比較例2)
透明導電膜に対するエキシマランプの照射時間を1分とした以外は、実施例1と同様に有機EL素子を製造した。
(比較例3)
透明導電膜に対するエキシマランプの照射時間を3分とした以外は、実施例1と同様に有機EL素子を製造した。
(輝度半減寿命試験)
有機EL素子について、25℃、20mA/cm2の直流電流で駆動させたときの経過時間に対する相対輝度をコニカミノルタ製輝度計CS−2000Aを用いて測定した。相対輝度が50%になった時の時間を寿命とした。なお、実施例1及び比較例1については、図4に輝度劣化曲線(経過時間に対する相対輝度の変化を示すグラフ)を示す。また、得られた結果を表1及び図5に示す。
(−N−C(=O)−基の定量)
実施例1〜7及び比較例1〜3の有機EL素子の透明導電膜と同じ方法で別途作製した透明導電膜を1cm×1cmの大きさに切り取り、クロロホルムを用いてポリビニルピロリドンを溶出させた。ポリビニルピロリドンを溶出させた溶液に対してFT−IR測定を行い、ポリビニルピロリドンに特有の1672nm付近のピーク強度を測定した。さらに、濃度既知のポリビニルピロリドン溶液に対して同様にFT−IR測定を行って検量線を作成し、透明導電膜2の1cm2に含まれるポリビニルピロリドン量を定量した。ポリビニルピロリドンの繰り返し単位構造の分子量が111であることから、定量されたポリビニルピロリドン量から−N−C(=O)−基の量を計算により求めた。得られた結果を表1及び図5に示す。
Figure 2016149184
表1から明らかなように、実施例1〜7の有機EL素子では、輝度半減寿命の向上が確認された。これら実施例1〜7の有機EL素子の中でも、透明導電膜中の−N−C(=O)−基が1.2×10-9mol/cm2以下である実施例1〜4の有機EL素子は、より長い輝度半減寿命を有していた。これに対して、比較例1〜3の有機EL素子では、透明導電膜中の−N−C(=O)−基の増加にともない、寿命の悪化が確認された。
本発明の透明導電膜付き基材は、電子デバイスの電極として有用である。例えば、有機EL素子、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、太陽電池、タッチパネル、電子ペーパー用の電極として有用である。
1 透明導電膜付き基材
11 基材
12 透明導電膜
121 導電性繊維
122 樹脂成分
2 有機EL素子
21 透明基材
22 透明導電膜
23 発光層(有機層)
24 電極
25 封止キャップ
26 シール剤

Claims (6)

  1. 基材と、
    前記基材上に配置された透明導電膜と、
    を備え、
    前記透明導電膜は、−N−C(=O)−基を含む化合物を用いて作製された、金属からなる導電性繊維を含み、
    前記透明導電膜において、1cm2中に含まれる−N−C(=O)−基が2.2×10-9mol以下である、
    透明導電膜付き基材。
  2. 前記透明導電膜において、1cm2中に含まれる−N−C(=O)−基が1.2×10-9mol以下である、
    請求項1に記載の透明導電膜付き基材。
  3. 前記化合物が、ポリビニルピロリドンである、
    請求項1又は2に記載の透明導電膜付き基材。
  4. 前記化合物が、アクリルアミド誘導体又はアクリルアミドである、
    請求項1又は2に記載の透明導電膜付き基材。
  5. 請求項1〜4の何れか1項に記載の透明導電膜付き基材と、
    前記透明導電膜付き基材の透明導電膜と対向して配置された電極と、
    前記透明導電膜と前記電極との間であって、かつ前記透明導電膜上に配置された、発光層を含む有機層と、
    を備えた、有機エレクトロルミネッセンス素子。
  6. 請求項1〜4の何れか1項に記載の透明導電膜付き基材と、
    前記透明導電膜付き基材の透明導電膜と対向して配置された電極と、
    前記透明導電膜と前記電極との間であって、かつ前記透明導電膜上に配置された機能層と、
    を備えた、電子デバイス。
JP2013126922A 2013-06-17 2013-06-17 透明導電膜付き基材、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子デバイス Pending JP2016149184A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013126922A JP2016149184A (ja) 2013-06-17 2013-06-17 透明導電膜付き基材、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子デバイス
PCT/JP2014/002712 WO2014203455A1 (ja) 2013-06-17 2014-05-23 透明導電膜、透明導電膜付き基材、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子デバイス

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013126922A JP2016149184A (ja) 2013-06-17 2013-06-17 透明導電膜付き基材、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子デバイス

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2016149184A true JP2016149184A (ja) 2016-08-18

Family

ID=52104209

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013126922A Pending JP2016149184A (ja) 2013-06-17 2013-06-17 透明導電膜付き基材、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子デバイス

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2016149184A (ja)
WO (1) WO2014203455A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109638167B (zh) * 2019-01-14 2022-08-09 暨南大学 一种8-羟基喹啉金属配合物钙钛矿型太阳能电池及其制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101888343B1 (ko) * 2010-12-17 2018-08-13 세이코 피엠씨 가부시키가이샤 은 나노와이어의 제조방법 및 은 나노와이어 성장 제어제
JP2012216535A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Mitsubishi Chemicals Corp 金属ナノワイヤー含有透明導電膜及びその塗布液

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014203455A1 (ja) 2014-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6676530B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5887540B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012190659A (ja) 透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2017056682A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスパネル
US20190044091A1 (en) Organic electroluminescence panel and method for manufacturing the same
WO2012075171A1 (en) Organic electronic device with composite electrode
TWI487158B (zh) 有機el元件及其製造方法
JP2021007074A (ja) 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法
JP2012009225A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2013161682A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5903644B2 (ja) 透明導電層付き基材及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2014203455A1 (ja) 透明導電膜、透明導電膜付き基材、有機エレクトロルミネッセンス素子及び電子デバイス
JPH05271652A (ja) 有機薄膜el素子
JP2014111335A (ja) 導電層付き基材、電気素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2013089501A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2012117812A1 (ja) 透明導電膜、透明導電膜付き基材、及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015118863A (ja) 発光素子及びそれを用いた照明装置
JP2014116200A (ja) 導電層付き基材、電気素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2017202082A1 (zh) 有机发光二极管器件及其制备方法、阵列基板、显示装置
CN103855316A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
JP2012174607A (ja) 有機elデバイス
JP5319977B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2010033794A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
WO2012114619A1 (ja) 有機elデバイス
JP2013127899A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子