JP2016147861A - ビスアミノアルコキシシラン化合物及びケイ素含有膜を堆積するためのその使用法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】式I:R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択される)のビスアミノアルコキシシラン、及びその製造法が本明細書に記載される。
【選択図】なし
Description
本出願は、2015年2月13日に出願された米国仮特許出願第62/115,729号の優先権利益を主張する。この仮出願の開示内容は、参照のためその全体が本明細書に組み込まれる。
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有する少なくとも1種のビスアミノアルコキシシランを含む上記組成物が提供される。式Iを有する例示的ビスアミノアルコキシシラン前駆体化合物としては、特に限定されないが、ビス(tert−ブチルアミノ)メトキシメチルシラン、ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシラン、ビス(cis−2,6−ジメチルピペリジノ)メトキシメチルシラン、及びビス(cis−2,6−ジメチルピペリジノ)エトキシメチルシランが挙げられる。
反応装置中に基材を提供する工程と;及び
式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシランを含む少なくとも1種の前駆体を使用する堆積法により、ケイ素含有膜を少なくとも1つの前記表面上に形成する工程と、を含む上記方法が提供される。
a.反応装置中に基材を提供する工程と;
b.式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体を、反応装置に導入する工程と;
c.反応装置をパージガスでパージする工程と;
d.酸素源を反応装置中に導入する工程と;
e.反応装置をパージガスでパージする工程と;そして
所望の厚さの膜が得られるまで、工程b〜eを繰り返す工程、とを含む上記方法が提供される。
a.反応装置中に基材を提供する工程と;
b.式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体を、反応装置に導入する工程と;
c.酸素源を提供して、酸化ケイ素膜又は炭素ドープ酸化ケイ素膜を、少なくとも1つの表面上に堆積させる工程、とを含む上記方法が提供される。
a.反応装置中に基材を提供する工程と;
b.式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体を、反応装置に導入する工程と;
c.反応装置をパージガスでパージする工程と;
d.窒素含有源を反応装置中に導入する工程と;
e.反応装置をパージガスでパージする工程と;そして
所望の厚さの窒化ケイ素膜又は酸窒化ケイ素膜又は炭酸窒化ケイ素膜が得られるまで、工程b〜eを繰り返すことを含む、上記方法が提供される。
a.反応装置中に基材を提供する工程と;
b.式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体を、反応装置に導入する工程と;
c.窒素含有源を提供する工程、とを含み、
ここで、少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体と窒素含有源は反応して、ケイ素と窒素の両方を含む膜を、少なくとも1つの表面上に堆積させる、上記方法が提供される。
以下の式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体を含む、上記組成物が提供される。
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を使用する堆積法が、本明細書に記載される。
ALD反応装置中に基材を提供する工程と;
式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体を、ALD反応装置に導入する工程と;
少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体を基材上に化学吸着する工程と;
反応しなかった少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体をパージガスを使用してパージする工程と;
窒素含有源を、加熱された基材上の少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体に提供して、吸着された少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体と反応させる工程と;そして
任意選択で、反応しなかった窒素含有源をパージする工程と、
を含むALD堆積法を使用して、形成される。
反応装置中に基材を提供する工程と;
式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体を、反応装置に導入する工程と;
少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体を基材上に化学吸着する工程と;
反応しなかった少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体をパージガスを使用してパージする工程と;
加熱された基材上の少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体に、窒素含有源を提供して、吸着された少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体と反応させる工程と;そして
任意選択で、反応しなかった酸素源をパージする工程と、
を含むALD堆積法を使用して、形成される。
1つ以上の基材を、周囲温度〜約700℃の範囲の温度に加熱され、10Torr以下の圧力に維持されている反応装置中に入れる工程と;
式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体を導入する工程と;
酸素源を反応装置に提供して、少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体と少なくとも部分的に反応させ、そして1つ以上の基材上に膜を堆積させる工程と、を含む。CVD法のある実施態様において、反応装置は、導入工程中、100mTorr〜10Torrの範囲の圧力に維持される。
周囲温度〜約700℃の範囲の温度に加熱され、10Torr以下の圧力に維持されている反応装置中に、1つ以上の基材を入れる工程と;
式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体を導入する工程と;
窒素含有源を反応装置に提供して、少なくとも1種のビスアミノアルコキシシラン前駆体と少なくとも部分的に反応させ、そして1つ以上の基材上にケイ素含有膜を堆積させる工程と、を含む。CVD法のある実施態様において、反応装置は、導入工程中、100mTorr〜10Torrの範囲の圧力に維持される。
a. 第1の前駆体から生成された蒸気に、加熱された基材を接触させて、前記第1の前駆体を前記加熱基材上に化学吸着させる工程と;
b. 吸着しなかった第1の前駆体をパージする工程と;
c. 酸素源を加熱基材上に導入して、吸着された第1の前駆体と反応させる工程と;
d. 反応しなかった酸素源をパージする工程と;
e. 第1の前駆体とは異なる第2の前駆体から生成された蒸気に、加熱された基材を接触させて、前記第2の前駆体を前記加熱基材上に化学吸着させる工程と;
f. 吸着しなかった第2の前駆体をパージする工程と;
g. 酸素源を加熱基材上に導入して、第1及び第2の前駆体と反応させる工程と;
h. 反応しなかった酸素源をパージする工程と、を含む方法であって、
ここで、工程a.〜h.は、所望の厚さに達するまで繰り返される、上記方法。
a. 第1の前駆体から生成された蒸気に、加熱された基材を接触させて、前記第1の前駆体を前記加熱基材上に化学吸着させる工程と;
b. 吸着しなかった第1の前駆体をパージする工程と;
c. 窒素源を加熱基材上に導入して、吸着された第1の前駆体と反応させる工程と;
d. 反応しなかった窒素源をパージする工程と;
e. 第1の前駆体とは異なる第2の前駆体から生成された蒸気に、加熱された基材を接触させて、前記第2の前駆体を前記加熱基材上に化学吸着させる工程と;
f. 吸着しなかった第2の前駆体をパージする工程と;
g. 窒素源を加熱基材上に導入して、吸着された第2の前駆体と反応させる工程と;
h. 反応しなかった窒素源をパージする工程と、を含む、ケイ素含有膜を堆積する方法であって、
ここで、工程a.〜h.は、所望の膜厚に達するまで繰り返される、ケイ素含有膜を堆積させる方法が提供される。
表面特徴を有する基材を、−20℃〜約400℃の範囲の温度に維持されている反応装置中に入れる工程と;
式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体と窒素源とを、反応装置に導入する工程であって、前記少なくとも1つの化合物は窒素源と反応して、表面特徴の少なくとも一部の上に窒化物含有膜を形成する工程と;
前記基材を前記酸素源を用いて、約100℃〜約1000℃の範囲の1つ以上の温度で処理して、前記表面特徴の少なくとも一部の上に膜を形成させる工程と、を含む。別の実施態様において、前記膜は酸素源に曝露され、その間、約100℃〜約1000℃の範囲の温度で紫外線照射にさらされる。この方法の工程は、表面特徴が高品質酸化ケイ素膜で充填されるまで繰り返すことができる。
表面特徴を含む1つ以上の基材を、−20℃〜約400℃の範囲の温度に加熱され100Torr以下の圧力で維持されている反応装置中に入れる工程と;
式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体を導入する工程と;
酸素源を反応装置に提供して、少なくとも1種の化合物と反応させて膜を形成させて、表面特徴の少なくとも一部を被覆する工程と;
約100℃〜約1000℃の範囲の1つ以上の温度で膜をアニーリングして、ケイ素含有膜が表面特徴の少なくとも一部を被覆することを可能にする工程と、を含む。この実施態様の酸素源は、水蒸気、水プラズマ、オゾン、酸素、酸素プラズマ、酸素/ヘリウムプラズマ、酸素/アルゴンプラズマ、窒素酸化物プラズマ、二酸化炭素プラズマ、過酸化水素、有機過酸化物、及びこれらの混合物からなる群から選択される。この方法は、表面特徴がケイ素含有膜で充填されるまで、繰り返すことができる。この実施態様において水蒸気が酸素源として使用される時、基材温度は、好ましくは−20〜100℃、最も好ましくは−10〜80℃である。
表面特徴を有する基材を、−20℃〜約400℃の範囲の温度で維持されている反応装置中に入れる工程と;
式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体と窒素源とを、反応装置中に導入する工程であって、前記少なくとも1種の化合物が窒素源と反応して、表面特徴の少なくとも一部の上に窒化物含有膜を形成する工程と;
基材を窒素源で処理して酸窒化ケイ素膜又は炭素ドープ酸窒化ケイ素膜を形成させて、表面特徴の少なくとも一部を被覆する工程と、を含む。任意選択で、膜は、約100℃〜約1000℃の範囲の温度で紫外線照射にさらして、生じる膜を高密度化することができる。
[ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランの合成]
−30℃に冷却した1.5Lの無水THF中のメチルトリクロロシラン72.0g(481.7mmol)の溶液に、tert−ブチルアミン140.9g(1926.7mmol)を滴下ロートで滴下して加え、その間、反応の内部温度を−30℃に維持した。生じた白色スラリーを、機械攪拌器で攪拌した。生じた濃いスラリーからtert−ブチルアミン塩酸塩を濾別し、追加のヘキサン200mLで洗浄し、加圧して、塩中に捕捉されている可能性のある残りの生成物を抽出した。別の反応で、−30℃の300mLの無水THF中のエタノール22.2g(480.8mmol)の溶液に、ヘキサン中の2.5Mのn−ブチルリチウムの溶液205.0mL(512.5mmol)を滴下して加え、その間、内部温度を−30℃に維持した。nBuLiの添加完了後、反応混合物は透明から明るい黄色懸濁液に変化した。次に、反応混合物を室温に加温し、磁気攪拌棒で攪拌した。一晩攪拌後、リチウムエトキシド反応混合物は、明るい黄色懸濁液から白色スラリーに変化した。次に、リチウムエトキシド反応物を、その場で滴下ロートを用いて、工程1からの濾過された反応混合物に加え、その間、反応を<0℃に維持した。反応はあまり発熱性ではないことが観察されたため、リチウムエトキシドの添加は、かなり迅速に行なった。生じた白色懸濁液を室温に加温し、攪拌した。数時間後、反応混合物は白色懸濁液から黄色そして橙色に変化した。粗反応混合物を中程度フリットから濾過し、塩化リチウムと思われる褐色の固体25.0gを単離した。濾液は琥珀橙色溶液であり、100Torrで油浴温度50℃でロータリーエバポレーターに供して、溶媒を除去した。単離された109.26gの粗物質は、82℃、10Torrで分別蒸留して精製した。51.4gの透明な液体を92.5%アッセイで単離した。熱重量分析(TGA)/示差走査熱量測定(DCS)は、205℃の沸点と2.52%の残留物を示す。安定性試験は、80℃で4日間加熱後に、0.38%の平均純度の上昇を示した。アッセイは、90.18%から90.56%まで上昇した。
[ビス(tert−ブチルアミノ)メトキシメチルシランの合成]
−30℃に冷却した1.5Lの無水THF中のメチルトリクロロシラン72.0g(481.7mmol)の溶液に、tert−ブチルアミン140.9g(1926.7mmol)を滴下ロートで滴下して加え、その間、反応の内部温度を−30℃に維持した。生じた白色スラリーを、機械攪拌器で攪拌した。生じた濃いスラリーからtert−ブチルアミン塩酸塩を濾別し、追加のヘキサン200mLで洗浄し、加圧して、塩中に捕捉されている可能性のある残りの生成物を抽出した。別の反応で、−30℃の300mLの無水THF中のメタノール15.4g(481.7mmol)の溶液に、ヘキサン中の2.5Mのn−ブチルリチウムの溶液202.3mL(505.8mmol)を滴下して加え、その間、内部温度を−30℃に維持した。nBuLiの添加完了後、反応混合物を室温に加温し、磁気攪拌棒で攪拌した。一晩攪拌後、リチウムメトキシド反応混合物を、その場で滴下ロートを用いて、工程1からの濾過された反応混合物に加え、その間、反応を<0℃に維持した。生じた白色懸濁液を室温に加温し、攪拌した。全部で250mLのTHFを加えて、反応が完了するための充分な溶解度を与えた。濾過により、塩化リチウムと思われる21.5gの淡黄色の粉末が得られた。ロータリーエバポレーターにより溶媒を除去して、粗物質122.45gを単離した。75℃、10Torrで充填カラムを使用する真空蒸留により、精製を行なった。78.7gの透明な液体が単離された。試料を安定性とTGA/DSC用に提出した。DSCは、186.6℃の沸点を示す。さらに観察すると、三重測定で80℃で3日間加熱した後、アッセイの平均上昇は0.08%(90.79%から90.87%)であった。
[ビス(tert−ブチルアミノ)イソプロポキシメチルシランの合成]
−30℃に冷却した50mLのヘキサン中のメチルトリクロロシラン3.35g(22.44mmol)の溶液に、tert−ブチルアミン6.56g(89.75mmol)を滴下して加え、その間、反応の内部温度を−30℃に維持した。生じた白色スラリーを、機械攪拌棒で攪拌した。生じた濃いスラリーからtert−ブチルアミン塩酸塩を白色の塩として濾別し、追加のヘキサン20mLで洗浄し、加圧して、塩中に捕捉されている可能性のある残りの生成物を抽出した。別の反応で、−30℃の30mLの無水THF中のイソプロピルアルコール1.35g(22.44mmol)の溶液に、ヘキサン中の2.5Mのn−ブチルリチウムの溶液9.0mL(22.4mmol)を滴下して加え、その間、内部温度を−30℃に維持した。nBuLiの添加完了後、反応混合物を室温に加温し、工程1からの濾過された反応混合物にその場で加えた。生じた白色懸濁液を一晩攪拌後、中程度フリットから濾過し、LiClと思われる白色の固体を単離した。濾液は橙色−黄色溶液であった。240Torr、50℃で蒸留して溶媒を除去した。溶媒を除去すると、さらにLiCl塩が沈殿し、これを0.24gの量で単離した。<1Torr、90℃で、バルブ・ツー・バルブ真空移送を行い、2.67gの透明な液体を単離した。精製された物質について、GC/GC−MSを行なった。TGA/DCSは、212.5℃の沸点と0.70%の残留物を示す。80℃で3日間加熱して行われた安定性試験は、平均純度が90.17%から90.12%まで低下したことを示した。
[ビス(イソプロピルアミノ)tert−ブトキシメチルシランの合成]
ヘキサン20mL中のトリス(イソプロピルアミノ)メチルシラン1.0g(4.6mmol)に、無水tert−ブタノール0.34g(4.6mmol)を加えた。1ヵ月間で、ガスクロマトグラフィー質量スペクトル(GC−MS)は、親ピークが233amuである所望の生成物の証拠を示す。この化合物の安定性は測定しなかった。
[ビス(イソプロピルアミノ)エトキシメチルシランの合成]
ヘキサン20mL中のトリス(イソプロピルアミノ)メチルシラン1.0g(4.6mmol)に、無水エタノール0.21g(4.6mmol)を加えた。GC−MSは、親ピークが204amuである所望の生成物を示す。数日後、反応混合物についてGC−MSとガスクロマトグラフィー(GC)を行うと、最後の分析の時から、2つの新しいピークが生じたことを示した。GC/GC−MSは、混合物が、(保持時間が上昇する順に)148amuの親ピークを有する2部の未解明のピーク、4部のMTES、191amuの親ピークを有する1部のイソプロピルアミノ−ビス−エトキシメチルシラン、2部の所望の生成物、及び10部のトリス(イソプロピルアミノ)メチルシランとして存在することを示す。これは、リガンド交換が起きていること、及びこの化合物が安定ではないことを示す。比較すると、tert−ブチルアミノ基を有する実施例1〜3の化合物は、より安定であり、より良好な前駆体であろう。
[ビス(イソプロピルアミノ)イソプロポキシメチルシランの合成(比較例)]
−20℃のヘキサン1.0L中のトリス(イソプロピルアミノ)メチルシラン145.67g(670mmol)に、無水イソプロピルアルコール40.27g(670mmol)を加えた。1ヵ月間後、GC/GC−MSは、トリス−イソプロポキシ対ビス−イソプロポキシ対置換された1つのイソプロポキシ対トリス(イソプロポキシアミノ)メチルシランの比13対6対43対31を示す。比較例1と同様に、これは、リガンド交換が起きていること、及びこの化合物が安定ではないことを示す。
[イソプロピルアルコールの存在下でのビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランの加水分解]
化合物ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを、実施例1に示すように作成した。1容量部のビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを、イソプロピルアルコール中の水20%の溶液10部と混合した。最初の混合後1時間目に、混合物をGCにより追跡すると、ビス−tert−ブチルアミノエトキシメチルシランの完全な加水分解/縮合が起きたが、ゲル化は起きなかったことを示した。最終的に、混合物は16時間以内にゲル化し、これは、化合物がその加水分解/縮合の速度、次にゲル化の速度のために、FCVD法に適している可能性を示す。ゲル化は、充分な架橋が起きて、自由流動性の液体が固体に変換したことを示し、これは、FCVD前駆体にとって重要な特性である。
[エージング後のビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランスピンコーティング膜とトリス−イソプロピルアミノメチルシラン膜との比較]
化合物ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを、実施例1に示すように作成した。1容量部のビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを、イソプロピルアルコール中の水20%の溶液4部と混合し、周囲条件下で2時間エージング後、ケイ素ウェーハー上で、Laurell WS-400スピンコーターを使用して2000rpmで遠心した。ウェーハーを150℃で10分間熱処理し、フーリエ変換赤外分光法(FTIR)により分析した。この膜は、トリス−イソプロピルアミノメチルシラン膜と同様の堆積されたSi−OH結合を示さなかった。比較用トリス−イソプロピルアミノメチルシラン膜を、次のように作成した:1部のトリス−イソプロピルアミノメチルシランを、イソプロピルアルコール中の水20%の溶液5部と混合した。混合物を周囲条件下で1時間エージング後、ケイ素ウェーハー上で、Laurell WS-400スピンコーターを使用して2000rpmで遠心した。トリス−イソプロピルアミノメチルシラン膜は、そのより高速な加水分解/縮合のために、ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシラン膜より短い時間エージングされた。ウェーハーを150℃で10分間熱処理し、FTIRにより分析すると、膜が完全に架橋したことを示す堆積したSi−OHを示さなかった。この比較の目的は、いずれの膜もSi−OH結合を持たないことを証明することであった。
[イソプロピルアルコールとスルフィノール(Sirfynol)(登録商標)61(3,5−ジメチル−1−ヘキシン−3−ノール)界面活性剤の存在下でのビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランの加水分解]
化合物ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを実施例1に示すように作成した。1容量部のビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを、スルフィノール(登録商標)対イソプロピルアルコールの1:4混合物中の水20%の溶液4部と混合した。混合物を周囲条件下で2時間エージング後、ケイ素ウェーハー上で、Laurell WS-400スピンコーターを使用して2000rpmで遠心した。同様に、1容量部のビス−tert−ブチルアミノエトキシメチルシランを、スルフィノール(登録商標)対イソプロピルアルコールの1:1混合物中の水20%の溶液4部と混合し、2時間エージング後、実施例6で上記したように遠心した。スルフィノール(登録商標)61の添加は、スピン膜の均一性の改善を示さなかった。
[エタノールの存在下でのビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランの加水分解]
化合物ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを実施例1に示すように作成した。1容量部のビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを、エタノール中の水20%の溶液10部と混合した。最初の混合後1時間目に、混合物をGCにより追跡すると、ビス−tert−ブチルアミノエトキシメチルシランの完全な加水分解/縮合が起きたが、ゲル化は起きなかったことを示した。最終的に、混合物は16時間以内にゲル化したことを示し、これは、この化合物がその加水分解/縮合の速度、次にゲル化の速度のために、FCVD法に適している可能性を示す。
[エタノールの存在下でのビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランの加水分解]
化合物ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを、実施例1に示すように作成した。1容量部のビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを、エタノール中の水20%の溶液4部と混合した。最初の混合後1時間目に、混合物をGCにより追跡すると、ビス−tert−ブチルアミノエトキシメチルシランの完全な加水分解/縮合が起きたが、ゲル化は起きなかったことを示した。最終的に、混合物は16時間以内にゲル化し、これは、この化合物がその加水分解/縮合の速度、次にゲル化の速度のために、FCVD法に適している可能性を示す。
[エタノールの存在下でのビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランの加水分解]
化合物ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを実施例1に示すように作成した。1容量部のビス−tert−ブチルアミノエトキシメチルシランを、エチルアルコール中の水20%の溶液4部と混合した。混合物を周囲条件下で2時間エージング後、ケイ素ウェーハー上で、Laurell WS-400スピンコーターを使用して2000rpmで遠心した。生じた膜は白色粉末であり、不均一であった。本例は、アルコールの添加がスピン膜に異なる物理的特性を与えたことを示す。
[イソプロピルアルコールの存在下でのビス(tert−ブチルアミノ)メトキシメチルシランの加水分解]
化合物ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを、実施例2に示すように作成した。1容量部のビス−tert−ブチルアミノメトキシメチルシランを、イソプロピルアルコール中の水20%の溶液10部と混合した。最初の混合後1時間目に、混合物をGCにより追跡すると、ビス−tert−ブチルアミノメトキシメチルシランの完全な加水分解/縮合が起きたことを示したが、ゲル化は示さなかった。最終的に、混合物は16時間以内にゲル化し、これは、化合物がその加水分解/縮合の速度、次にゲル化の速度のために、FCVD法に適している可能性を示す。
[イソプロピルアルコールの存在下でのビス(tert−ブチルアミノ)メトキシメチルシランの加水分解]
化合物ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシランを、実施例2に示すように作成した。1容量部のビス−tert−ブチルアミノメトキシメチルシランを、イソプロピルアルコール中の水20%の溶液4部と混合した。最初の混合後、5分、30分、及び2時間目に、混合物をGCにより追跡して、前駆体の加水分解/縮合の程度を測定すると、多量のビス−tert−ブチルアミノメトキシメチルシランが加水分解/縮合を受けたが、ゲル化は起きなかった証拠を示した。最終的に、混合物は16時間以内にゲル化し、これは、化合物がその加水分解/縮合の速度、次にゲル化の速度のために、FCVD法に適している可能性を示す。
[ビス(tert−ブチルアミノ)メトキシメチルシランを使用する流動性炭素ドープ酸窒化ケイ素膜の堆積]
流動性CVD膜を、中程度の抵抗(8〜12Ωcm)の単一結晶ケイ素ウェーハー基材及びケイ素パターンウェーハー上に堆積した。ある例において、基材は、特に限定されないが、プラズマ処理、熱処理、化学処理、紫外線曝露、電子線曝露、及び/又は膜の1つ以上の特性に影響を与える他の処理などの堆積前処理に曝露してもよい。
Claims (12)
- 式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物。 - R1はメチル基であり;R2及びR4はそれぞれ水素原子であり;R3及びR5はそれぞれtert−ブチル及びtert−ペンチルから選択されるC3〜C10分岐アルキル基であり;そして、R6は、C1〜C3線状アルキル基及びC3〜C5分岐アルキル基から選択される、請求項1に記載のビスアミノアルコキシシラン化合物。
- ビス(tert−ブチルアミノ)メトキシメチルシラン、ビス(tert−ブチルアミノ)エトキシメチルシラン、ビス(tert−ブチルアミノ)イソプロポキシメチルシラン、ビス(cis−2,6−ジメチルピペリジノ)メトキシメチルシラン、及びビス(cis−2,6−ジメチルピペリジノ)エトキシメチルシランからなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1に記載のビスアミノアルコキシシラン化合物。
- 基材の少なくとも1つの表面上にケイ素含有膜を形成する方法であって、
反応装置中に基材を提供する工程;並びに
式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシランを含む、少なくとも1種の前駆体を使用する堆積法により、ケイ素含有膜を前記少なくとも1つの表面上に形成する工程を含む、方法。 - 前記堆積法は、サイクリック化学蒸着(CCVD)、熱化学蒸着、プラズマ強化化学蒸着(PECVD)、高密度PECVD、光子支援CVD、プラズマ光子支援(PPECVD)、低温化学蒸着、化学支援蒸着、熱フィラメント化学蒸着、液体ポリマー前駆体のCVD、低エネルギーCVD(LECVD)、及び流動性化学蒸着からなる群から選択される、請求項4に記載の方法。
- 前記堆積法は、原子層堆積(ALD)、プラズマ強化ALD(PEALD)、及びプラズマ強化サイクリックCVD(PECCVD)法からなる群から選択される、請求項4に記載の方法。
- 前記堆積法は流動性化学蒸着(FCVD)である、請求項5に記載の方法。
- 流動性化学蒸着法で、表面特徴を有する基材の少なくとも一部の上にケイ素含有膜を堆積させる方法であって、
表面特徴を有する基材を、−20℃〜約400℃の範囲の1つ以上の温度に維持されている反応装置中に入れる工程;
式I:
R1Si(NR2R3)(NR4R5)OR6 I
(式中、R1は、水素原子、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、C4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R2、R3、R4及びR5は、それぞれ独立して、水素原子、C4〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C3〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;R6は、C1〜C10線状アルキル基、C3〜C10分岐アルキル基、C3〜C10環状アルキル基、C3〜C10アルケニル基、C2〜C10アルキニル基、及びC4〜C10芳香族炭化水素基から選択され;及び任意選択で、式I中のR2とR3、R4とR5、又はこれらの両方は、一緒に連結されて環を形成することができ;及び任意選択で、式I中のR2とR4は、一緒に連結されてジアミノ基を形成することができる)を有するビスアミノアルコキシシラン化合物を含む少なくとも1種の前駆体と窒素源とを反応装置に導入する工程であって、少なくとも1つの化合物は窒素源と反応して、表面特徴の少なくとも一部の上に窒化物含有膜を形成する工程;
酸素源、窒素含有源、又はこれらの両方から選択される供給源を導入して、基材上のビスアミノアルコキシシラン化合物と反応させて、前記表面特徴の少なくとも一部の上に流動性膜を形成させる工程;
前記流動性膜を酸素源を用いて、約100℃〜約1000℃の範囲の1つ以上の温度で処理して、前記表面特徴の少なくとも一部の上に、固体のケイ素及び酸素含有膜を形成させる工程を含む、方法。 - 前記流動性膜を約100℃〜約1000℃の範囲の1つ以上の温度で紫外線照射にさらすことをさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記酸素源は、水、酸素プラズマ、オゾン、及びこれらの組合せからなる群から選択される、請求項8に記載の方法。
- 前記窒素含有源は、アンモニア、ヒドラジン、モノアルキルヒドラジン、ジアルキルヒドラジン、有機アミン、窒素と水素とを含むプラズマ、アンモニアプラズマ、窒素プラズマ、及び有機アミンプラズマからなる群から選択される、請求項8に記載の方法。
- 前記工程は、前記表面特徴が固体のケイ素及び酸素含有膜で実質的に充填されるまで繰り返される、請求項8に記載の方法。
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