CN112885713A - 改善膜质的方法和显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种改善膜质的方法和显示面板。改善膜质的方法包括：设定多组工艺参数，制作形成多组膜层；采用红外光谱表征每组所述膜层的H的悬挂键含量；根据每组所述膜层的H的悬挂键含量调整所述膜层的工艺参数，以得到最优工艺参数。与现有技术相比，本发明实施例有助于改善膜质的稳定性，提升显示面板的品质和良率。

Description

改善膜质的方法和显示面板
技术领域
本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种改善膜质的方法和显示面板。
背景技术
随着显示技术的不断发展，显示面板的应用范围越来越广泛，人们对显示面板的要求也越来越高。进一步提升显示面板的品质始终是面板生产厂商不断追求的目标。然而，由于现有的显示面板中的膜层在制作过程中存在缺陷，制作完成的显示面板在后续屏体进行高温等信赖性测试时，极易产生不良显示的现象，导致显示面板失效。
发明内容
本发明实施例提供一种改善膜质的方法和显示面板，以改善膜质的稳定性，提升显示面板的品质和良率。
为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：
一种改善膜质的方法，包括：
设定多组工艺参数，制作形成多组膜层；
采用红外光谱表征每组所述膜层的H的悬挂键含量；
根据每组所述膜层的H的悬挂键含量调整所述膜层的工艺参数，以得到最优工艺参数。
从上述技术方案可以看出，本发明实施例通过膜质的进行分析表征从而对膜层进行评价，得出不同膜层的膜质稳定性的品质；并以此为基础，有方向性的调节工艺参数，以期得到最优工艺参数，改善膜质的稳定性。该方法大大提升了改善膜质的工艺周期、成本和可靠性。
可选地，所述H的悬挂键含量包括：所述膜层的红外光谱中H的悬挂键的峰面积；和/或，所述膜层的红外光谱中H悬挂键的峰面积与主价键的峰面积的比值。其中，峰面积和峰面积的比值均能够体现H的悬挂键的含量，且准确度较高，在实际应用中，可以根据实际需求选择采用峰面积和/或峰面积的比值来对膜质进行分析评价。
可选地，所述H的悬挂键包括Si-H键、N-H键和O-H键中的至少一种。其中，H的悬挂键的类型与膜层的材料相关。可选地，所述膜层为无机膜层；例如，所述膜层的材料包括：氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。具体地，若膜层的材料为氮化硅，H的悬挂键包括Si-H键和N-H键；若膜层的材料为氧化硅，H的悬挂键包括Si-H键和O-H键；若膜层的材料为氮氧化硅，H的悬挂键包括Si-H键、O-H键和N-H键。
可选地，所述多组膜层采用等离子体化学气相沉积工艺形成；可选地，所述多组膜层采用低温等离子体化学气相沉积工艺形成，以适用于显示面板的薄膜封装层和阵列层的应用。
可选地，对于等离子体化学气相沉积工艺，所述工艺参数包括：温度、气体流量、电源功率、压力和上下电极间距中的至少一种。
可选地，制作形成多组膜层，包括：在衬底上直接制作所述膜层，形成单膜层样品。这样设置，一方面，能够避免其他膜层中的物质对红外光谱造成干扰；另一方面，由于本发明实施例采用红外光谱来表征膜层的膜质，无需对成品进行可靠性试验来表征膜质的品质，因此，本发明实施例避免了通过制作成品的方式来验证工艺参数是否合适，从而有利于降低研发成本，提升研发效率。
可选地，所述衬底的材料为含有硅的材料。其中，硅对红外光是全透，不会对红外光谱造成干扰。
可选地，所述膜层为显示面板的薄膜封装层和显示面板的阵列层中的至少一种。
可选地，在得到最优工艺参数之后，还包括：
在显示面板的制作过程中，采用所述最优工艺参数制作所述显示面板中的相应膜层；
采用水蒸气透过率法验证所述最优工艺参数下的所述显示面板的性能。
从上述技术方案可以看出，本发明实施例首先采用通过红外光谱作为评价手段快速、有方向性地调节工艺参数，改善膜质性质；然后通过水蒸气透过率法等信赖性测试手段验证最优的工艺参数是否可靠，大大提升了改善膜质的工艺周期、成本和可靠性。
相应地，本发明还提供了一种显示面板，包括：阵列层和薄膜封装层，所述阵列层和/或所述薄膜封装层中的膜层采用最优工艺参数形成；其中，所述最优工艺参数根据红外光谱表征的膜层中H的悬挂键的含量进行调整。
本发明实施例通过设置多组工艺参数来调节膜层中H的含量，并采用红外光谱来表征和分析膜层中的H的含量。进一步地，本发明实施例通过膜质的分析表征对膜层进行评价，得出不同膜层的膜质稳定性的品质；并以此为基础，有方向性的调节工艺参数，以期得到最优工艺参数，改善膜质的稳定性。另外，本发明实施例可以采用红外光谱表征膜质稳定性来代替对成品进行水蒸气透过率法(Water Vapor Transmission Rate，WVTR)。与水蒸气透过率法相比，采用红外光谱进行表征的时间短、效率高，且结果可靠性高，大大降低了改善膜质的工艺周期和成本。在显示面板的制作过程中，采用该最优的工艺参数，有利于减少膜层中的H的含量，从而有利于避免器件失效、边缘彩纹和气泡产生等现象，提升显示面板的品质和良率。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种改善膜质的方法的流程示意图；
图2为本发明实施例提供的一种氮化硅膜层的红外光谱的示意图；
图3为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种改善膜质的方法的流程示意图；
图5为本发明实施例提供的另一种氮化硅膜层的红外光谱的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
正如背景技术所述，现有的显示面板存在进行高温等信赖性测试时，极易产生不良显示的现象，导致显示面板失效的问题。经发明人研究发现，出现该问题的原因如下：
显示面板由许多无机膜层和/或有机膜层堆叠而成。其中，无机膜层多采用低温等离子体化学气相沉积(Plasma Chemical Vapor Deposition，PECVD)方式成膜。然而，低温的沉积方式使无机膜层中含有大量未解离的H，因此，在后续显示面板进行高温等信赖性测试时，极易使具有还原性的H从中释放出来，从而导致以下三方面的问题：
第一方面，当显示面板中的薄膜晶体管的类型为氧化物半导体型(IGZO)时，其膜层结构中包含氧化物层，未解离的H会还原氧化物，使其变为金属，从而导致薄膜晶体管一直导电、无法关闭，即器件失效，从而造成显示面板显示不良或失效的现象。
第二方面，在高温高湿环境，且环境中大量存在的未解离的H时，显示面板中的氮化硅膜层容易水解变成氧化硅，且氧化硅膜层的厚度比氮化硅膜层的厚度大，使得显示面板的膜层厚度均匀性较差。进一步地，由于显示面板的边缘区域受到高温高湿环境的影响较大，使得显示面板的边缘厚度大于中间厚度，产生边缘彩纹的现象。
第三方面，当显示面板内的未解离的H变成氢气后，氢气在显示面板内容易形成气泡。
综上所述，由于显示面板的膜层中存在大量未解离的H(H的悬挂键)，并在高温高湿等信赖性测试过程中被释放，从而导致了显示面板的显示不良和失效等问题。
有鉴于此，本发明实施例提供了一种改善膜质的方法。图1为本发明实施例提供的一种改善膜质的方法的流程示意图。参见图1，改善膜质的方法包括以下步骤：
S110、设定多组工艺参数，制作形成多组膜层。
其中，多组膜层和多组膜层对应的工艺参数构成对照试验，在不同的工艺参数条件下形成的膜层的膜质不同，H的悬挂键的含量不同。膜层的工艺类型有多种，根据工艺类型的不同，工艺参数的选取也不同。示例性地，制作膜层采用的工艺为等离子体化学气相沉积工艺，借助微波或射频等使含有膜层成分原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在衬底上沉积出所期望的膜层。
相应地，等离子体化学气相沉积工艺的工艺参数包括：温度、气体流量、电源功率、压力和上下电极间距中的至少一种。其中，温度的高低对等离子体的活性起到了重要的作用，升高温度会提升等离子体的活性，相反降低温度会降低等离子体的活性。然而，对于特定的产品，在被沉积膜层的器件的耐温较低时，需要设定等离子体化学气相沉积工艺为低温PECVD，例如，温度范围设定为80℃～480℃。
由等离子体化学气相沉积工艺的工作原理可知，需要提供含有膜层成分原子的气体，因此需要向腔室内传送气体，传送气体的速度即气体流量。气体流量又可以分为送入的气体流量和抽出的气体流量，气体流量能够影响腔室内的化学反应速度、反应条件等。根据膜层材料不同，所采用的气体种类也不相同。示例性地，膜层的材料为氮化硅(SiNx)，气体包含甲硅烷(SiH4)、氨气(NH3)、氢气(H2)和氮气(N2)等；膜层的材料为氧化硅(SiOx)，气体包含甲硅烷(SiH4)、氢气(H2)、笑气(N2O)和氮气(N2)等；膜层的材料为氮氧化硅(SiON)，气体包含甲硅烷(SiH4)、氨气(NH3)、氢气(H2)、笑气(N2O)和氮气(N2)等。
电源功率是指提供气体电离的微波或射频的功率，电源功率主要影响气体电离的速度。压力是指腔室内的压力，压力能够影响形成等离子体的形成和活力。
S120、采用红外光谱表征每组膜层的H的悬挂键含量。
其中，红外光谱是由于分子(化学键)的振动能级跃迁而产生的，当分子(化学键)吸收一定波长的红外光的能量时，就发生振动能级的跃迁，因此检测红外线被吸收的情况可得到分子(化学键)的红外吸收光谱。红外光吸收光谱可以通过傅里叶变换红外光谱仪(Fourier Transform infrared spectroscopy，FTIR)得到。即红外光谱能够表征分子(化学键)的含量，例如，H的悬挂键的含量。根据膜层材料不同，其含有的H的悬挂键的类型也不同，示例性地，对于无机材料，H的悬挂键包括Si-H键、N-H键和O-H键中的至少一种。
示例性地，图2为本发明实施例提供的一种氮化硅膜层的红外光谱的示意图。参见图2，横坐标表示波数，纵坐标表示吸光度。对于膜层的材料为氮化硅(SiNx)的情况，主价键为Si-N键，H的悬挂键包括Si-H键和N-H键。从图2中可以看出，N-H键(伸缩)波数在3350cm-1左右，Si-H键(伸缩)波数在2150cm-1左右，N-H键(弯曲)波数在1170cm-1左右，Si-N键(伸缩)波数在860cm-1左右。吸光度越高，表明相应的价键含量越高，其中，H的悬挂键的含量越多，表征膜层能够释放的H越多，膜质的稳定性越差。也就是说，本发明实施例可以通过红外光谱来评价膜层的膜质。
在其他实施例中，若膜层的材料为氧化硅(SiOx)，主价键为Si-O键，H的悬挂键包括Si-H键和O-H键。若膜层的材料为氮氧化硅(SiON)，主价键为Si-O-N键，H的悬挂键包括Si-H键、O-H键和N-H键。
继续参见图2，H的悬挂键含量的表征方式有多种，例如，H的悬挂键含量可以表示为H的悬挂键的峰面积；又如，H的悬挂键含量可以表示为H悬挂键的峰面积与主价键的峰面积的比值。其中，峰面积可以通过吸光度在波数方向上积分得到。
S130、根据每组膜层的H的悬挂键含量调整膜层的工艺参数，以得到最优工艺参数。
其中，由于每组膜层对应的工艺参数不同，因此每组膜层的H的悬挂键的含量不同，膜质的稳定性不同。对多组膜层进行分析比较，从中挑选膜质稳定性较好的膜层，以及与其对应的工艺参数，有助于有方向性地调节制作膜层的工艺参数，从而得到最优的工艺参数。例如，可以结合对H的悬挂键的峰面积，以及对H的悬挂键的峰面积与主价键的峰面积的比值两方面的限定，用作最优的工艺参数选取的标准。具体地，若膜层的红外光谱中H的悬挂键的峰面积小于某一数值，以及H的悬挂键的峰面积与主价键的峰面积的比值小于某一数值，则该膜层对应的工艺参数为最优的工艺参数。
本发明实施例通过设置多组工艺参数来调节膜层中H的含量，并采用红外光谱来表征和分析膜层中的H的含量。进一步地，本发明实施例通过膜质的分析表征对膜层进行评价，得出不同膜层的膜质稳定性的品质；并以此为基础，有方向性的调节工艺参数，以期得到最优工艺参数，改善膜质的稳定性。另外，本发明实施例可以采用红外光谱表征膜质稳定性来代替对成品进行水蒸气透过率法(Water Vapor Transmission Rate，WVTR)等可靠性验证。与水蒸气透过率法相比，采用红外光谱进行表征的时间短、效率高，且结果可靠性高，大大降低了改善膜质的工艺周期和成本。在显示面板的制作过程中，采用该最优的工艺参数，有利于减少膜层中的H的含量，从而有利于避免器件失效、边缘彩纹和气泡产生等现象，提升显示面板的品质和良率。
在上述各实施例中，可选地，在S110中，在衬底上直接制作膜层，形成单膜层的样品。其中，衬底与显示面板中的基底不同，显示面板的基底上设置有多种膜层结构，基底以及其他的膜层结构中的化学键会对试验的膜层的红外光谱产生干扰。本发明实施例直接在衬底上制作待试验的膜层，一方面，能够避免其他膜层中的物质对红外光谱造成干扰；另一方面，由于本发明实施例采用红外光谱来表征膜层的膜质，无需对成品进行可靠性试验来表征膜质的品质，因此，本发明实施例避免了通过制作成品的方式来验证工艺参数是否合适，从而有利于降低研发成本，提升研发效率。
进一步地，衬底的材料为含有硅的材料。其中，硅对红外光全透，不会对红外光谱造成干扰。优选地，衬底为硅片，硅片不会对红外光谱造成干扰，使得测试结果更加准确，膜质改善的效果更好。
本发明实施例所提供的改善膜质的方法可以适用于多种产品。可选地，针对显示面板，膜层为显示面板的薄膜封装层和显示面板的阵列层中的至少一种。下面进行具体说明，显示面板包括阵列排布的像素，像素包括像素电路和OLED器件。图3为本发明实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图。参见图3，显示面板包括基底100，设置于基底100上的阵列层200、OLED器件300和薄膜封装层400。其中，阵列层200设置有薄膜晶体管TFT和电容C等，薄膜晶体管TFT和电容C构成像素电路，像素电路与OLED器件300的阳极通过过孔连接，以实现对OLED的驱动。薄膜封装层400用于封装OLED器件300和阵列层200，以保护OLED器件300和封装层不被外界的水氧侵蚀，起到保护、缓冲和绝缘等作用。
示例性地，基底100的材料为聚酰亚胺(Polyimide，简写为PI)。阵列层200包括依次层叠设置的缓冲层(包括缓冲层210和缓冲层220)、有源层230、栅极绝缘层240、第一金属层250、中间层260、第二金属层270、层间绝缘层(包括层间绝缘层280和层间绝缘层290)、第三金属层2A0和平坦化层2B0等膜层。在第一金属层250上形成薄膜晶体管TFT的栅极和电容C的第一极板，在第二金属层270形成电容C的第二极板；在第三金属层2A0上形成薄膜晶体管TFT的源极和漏极、电源连接线和数据线等。
缓冲层包括层叠设置的氮化硅层(缓冲层210)和氧化硅层(缓冲层220)，栅极绝缘层240为氧化硅层，中间层260为氮化硅层，层间绝缘层包括层叠设置的氮化硅层(层间绝缘层280)和氧化硅层(层间绝缘层290)。薄膜封装层400包括层叠设置的无机膜层(包括膜层410和膜层430)和有机膜层(膜层420)，无机膜层例如可以是氮化硅、氮氧化硅和氧化硅等。因此，显示面板的阵列层200中的缓冲层、栅极绝缘层240、中间层260和层间绝缘层等膜层，均可以采用本发明实施例所提供的改善膜质的方法来改善膜质的稳定性，进而提升显示面板的品质和良率。以及，显示面板的薄膜封装层400中的无机膜层，也可以采用本发明实施例所提供的改善膜质的方法来改善膜质的稳定性，进而提升封装效果，提升显示面板的品质和良率。
由于基底100多采用PI材料，且PI材料的Tg点比较低，在基底100上制作阵列层200中的相关膜层时，通常采用低温PECVD的成膜方式，温度设定在250℃～480℃。OLED器件300的发光材料的Tg点也比较低，在OLED器件300上制作薄膜封装层400中的相关膜层时，通常也采用低温PECVD的成膜方式，温度设定在80℃～100℃。低温PECVD使氮化硅、氮氧化硅和氧化硅等无机物含有大量未解离的H，因此，在后续显示面板进行高温等信赖性测试时，极易使具有还原性的H从中释放出来，导致显示面板的显示不良和失效等问题。且由于薄膜封装层400采用的PECVD的温度更低，因此，在现有技术中，薄膜封装层400的膜质更差；相应地，采用本发明实施例的改善膜质的方法，对薄膜封装层400的改善效果更好。
在上述各实施例的基础上，可选地，在S130之后，还包括对显示面板的可靠性验证。图4为本发明实施例提供的另一种改善膜质的方法的流程示意图。参见图4，改善膜质的方法包括以下步骤：
S110、设定多组工艺参数，制作形成多组膜层。
S120、采用红外光谱表征每组膜层的H的悬挂键含量。
S130、根据每组膜层的H的悬挂键含量调整膜层的工艺参数，以得到最优工艺参数。
S140、采用最优工艺参数制作显示面板中的相应膜层，以制作显示面板。
其中，相应膜层可以是缓冲层、栅极绝缘层、中间层和层间绝缘层等膜层，也可以是薄膜封装层中的无机膜层。本领域技术人员可以理解，针对不同的膜层，最优的工艺参数不同，在实际应用中，需要根据不同的膜层分别进行试验。
S150、采用水蒸气透过率法验证最优工艺参数下的显示面板的性能。
其中，水蒸气透过率法是指采用高温高湿炉等对显示面板进行的老化测试。
本发明实施例仅需要对最优的工艺参数下的膜层进行显示面板的制作，进而进行水蒸气透过率法进行验证，无需针对不同的工艺参数制作显示面板，然后对所有工艺参数下的显示面板进行水蒸气透过率法进行验证。因此，与现有技术相比，本发明实施例大大减少了试验的周期和成本。综上所述，本发明实施例首先采用通过红外光谱作为评价手段快速、有方向性地调节工艺参数，改善膜质性质；然后通过水蒸气透过率法等信赖性测试手段验证最优的工艺参数是否可靠，从而在降低工艺周期和成本的基础上，提升了本发明实施例改善膜质的方法的可靠性。
在上述各实施例的基础上，以膜层为薄膜封装层为例，对本发明实施例提供的改善膜质的方法的效果进行说明。图5为本发明实施例提供的另一种氮化硅膜层的红外光谱的示意图。参见图5，横坐标表示波数，纵坐标表示吸光度；曲线111-85表示实验编号为111，温度参数为85℃；曲线114-85表示实验编号为114，温度参数为85℃；曲线114-90表示实验编号为114，温度参数为92℃。膜层的材料为氮化硅(SiNx)，N-H键(伸缩)波数在3350cm-1左右，Si-H键(伸缩)波数在2150cm-1左右，N-H键(弯曲)波数在1170cm-1左右，Si-N键波数在860cm-1左右。测试条件和测试结果见表1。
表1
Figure BDA0002924058130000121
由表1可以看出，温度为90℃，实验编号为144，计算N-H键(伸缩)在波数为3427cm-1～3226cm-1的峰面积为3.093；N-H键(弯曲)在波数为1257cm-1～1089cm-1的峰面积为7.024；Si-H键(伸缩)在波数为2300cm-1～2005cm-1的峰面积为17.564。进行搭载LTPO的显示面板进行水蒸气透过率法的信赖性测试。其中，LTPO为Low Temperature PolycrystallineOxide的简称，中文为低温多晶氧化物，LTPO＝LTPS+IGZO，即在同一个像素中集成LTPS和IGZO两种薄膜晶体管的结构。验证的测试条件为85℃/85％，即温度85℃，湿度为85％，在该验证条件下，持续384h后，通过点灯确认，未见显示面板的IGZO薄膜晶体管失效及封装失效。
类似地，温度为85℃，实验编号为144，计算N-H键(伸缩)在波数为3427cm-1～3226cm-1的峰面积为3.406；N-H键(弯曲)在波数为1257cm-1～1089cm-1的峰面积为7.427；Si-H键(伸缩)在波数为2300cm-1～2005cm-1的峰面积为17.550。进行搭载的显示面板进行水蒸气透过率法的信赖性测试，验证的测试条件为85℃/85％，持续192h后，通过点灯确认，未见显示面板的IGZO薄膜晶体管失效及封装失效。
类似地，温度为85℃，实验编号为111，计算N-H键(伸缩)在波数为3427cm-1～3226cm-1的峰面积为3.589；N-H键(弯曲)在波数为1257cm-1～1089cm-1的峰面积为8.655；Si-H键(伸缩)在波数为2300cm-1～2005cm-1的峰面积为19.776。进行搭载的显示面板进行水蒸气透过率法的信赖性测试，验证的测试条件为85℃/85％，持续24h后，通过点灯确认，未见显示面板的IGZO薄膜晶体管失效及封装失效。
分析表1中的数据可以得出，N-H键(伸缩)和N-H键(弯曲)的含量越高，信赖性测试的结果越差，因此，验证了本发明实施例采用红外光谱进行膜质表征的准确性和可靠性。再者，对于氮化硅，限定N-H键(弯曲)的峰面积小于或等于7.024、N-H键(伸缩)的峰面积小于或等于3.093，Si-H键的峰面积小于或等于17.564，其膜质较好。
进一步地，限定A[Si-H键(伸缩)]/A[Si-N键(伸缩)]的比例小于或等于0.174，限定A[N-H键(弯曲)]/A[Si-N键(伸缩)]的比例小于或等于0.0696，其膜质较好。其中，A[Si-H键(伸缩)]为Si-H键(伸缩)的峰面积，A[N-H键(弯曲)]为N-H键(弯曲)的峰面积，A[Si-N键(伸缩)]为Si-N键(伸缩)的峰面积。
本发明实施例还提供了一种显示面板，显示面板包括：阵列层和薄膜封装层，阵列层和/或薄膜封装层中的膜层采用最优工艺参数形成；其中，最优工艺参数根据本发明任意实施例所提供的改善膜质的方法得到，具备相应的有益效果。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种改善膜质的方法，其特征在于，包括：
设定多组工艺参数，制作形成多组膜层；
采用红外光谱表征每组所述膜层的H的悬挂键含量；
根据每组所述膜层的H的悬挂键含量调整所述膜层的工艺参数，以得到最优工艺参数。
2.根据权利要求1所述的改善膜质的方法，其特征在于，所述H的悬挂键含量包括：
所述膜层的红外光谱中H的悬挂键的峰面积；
和/或，所述膜层的红外光谱中H悬挂键的峰面积与主价键的峰面积的比值。
3.根据权利要求1所述的改善膜质的方法，其特征在于，所述H的悬挂键包括Si-H键、N-H键和O-H键中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的改善膜质的方法，其特征在于，所述膜层为无机膜层；
可选地，所述膜层的材料包括：氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的改善膜质的方法，其特征在于，所述多组膜层采用等离子体化学气相沉积工艺形成；
可选地，所述多组膜层采用低温等离子体化学气相沉积工艺形成。
6.根据权利要求5所述的改善膜质的方法，其特征在于，所述工艺参数包括：温度、气体流量、电源功率、压力和上下电极间距中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的改善膜质的方法，其特征在于，制作形成多组膜层，包括：
在衬底上直接制作所述膜层，形成单膜层样品；
可选地，所述衬底的材料为含硅的材料。
8.根据权利要求1所述的改善膜质的方法，其特征在于，所述膜层为显示面板的薄膜封装层和显示面板的阵列层中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的改善膜质的方法，其特征在于，在得到最优工艺参数之后，还包括：
在显示面板的制作过程中，采用所述最优工艺参数制作所述显示面板中的相应膜层；
采用水蒸气透过率法验证所述最优工艺参数下的所述显示面板的性能。
10.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列层和薄膜封装层，所述阵列层和/或所述薄膜封装层中的膜层采用最优工艺参数形成；其中，所述最优工艺参数根据红外光谱表征的膜层中H的悬挂键的含量进行调整。
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