JP2016143888A - Iii−v族半導体層の堆積方法及び堆積装置 - Google Patents
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Abstract
Description
堆積プロセス中は、プロセスガスの流れ、特にプロセスガスとともにプロセスガス入口領域を通ってプロセスチャンバに供給される搬送ガスの流れが、エッチングガス入口を通ってプロセスチャンバに供給されるパージガスに対して調整されることにより、エッチングガス入口及びエッチングガス入口の上流側に配置されたエッチングガス供給ラインにはプロセスガスが入り込むことはできず、従って、エッチングガス供給ラインの壁がプロセスガスに触れることはない。
洗浄プロセス中は、ガスの流れ、すなわちプロセスガス入口領域を通ってプロセスチャンバに入るパージガスの流れと、エッチングガス入口を通ってプロセスチャンバに入るエッチングガスの流れとが互いに調整されることにより、エッチングガスがプロセスガス入口領域を通ってプロセスガス供給ラインに入り込むことはできない。従って、エッチングガスが、プロセスガス供給ラインの壁に触れることはない。
本発明による装置は、パイプラインシステムを構成する複数のパイプを具備するガス供給システムを有する。それらのパイプは、開放可能なバルブにより閉鎖されている。それらのパイプには、それらのパイプを通して入るプロセスガス、パージガス若しくは搬送ガス、又は、搬送ガス/プロセスガス混合ガスの質量流量を調整するためにマスフローコントローラが設けられる。バルブの開閉及びマスフローコントローラの制御は、電子的な制御装置によりプログラム制御される。
パイプラインシステムは、プロセスガス入口領域とそれぞれのプロセスガスソースとのパイプライン接続、又は、エッチングガス入口とエッチングガスソースとのパイプライン接続を構築する。
特に、プロセスチャンバが円形床を有するように構成されている。プロセスチャンバの中心に、好適にはプロセスチャンバの全高を超えて延在するガス入口部材が配置されている。複数のプロセスガス入口領域が異なる高さで配置されている。3、4、5又はそれ以上のプロセスガス入口領域を互いに重ねて設けることができる。個々のプロセスガス入口領域からそれぞれのプロセスガスが径方向に水平にプロセスチャンバを通って流れる。プロセスチャンバの径方向外縁にはガス出口があり、そこを通って反応生成物及び搬送ガスがプロセスチャンバから出ることができる。
エッチングガスは、プロセスガス入口領域を通してはプロセスチャンバに導入されない。エッチングガスは、プロセスガス入口領域から空間的に離れたエッチングガス入口を通して導入される。エッチングガス入口は、エッチングガスが搬送ガスとともに通過することができる複数の孔を有することができる。エッチングガス入口は、好適にはガス入口部材の周囲に環状に延在する領域に設けられている。このエッチングガス入口領域は、好適にはプロセスチャンバ天井により形成され、特に好適にはプロセスチャンバ天井の少なくとも天井板を保持する固定部材により形成されている。エッチングガスの供給は、好適には、ガス入口部材から空間的に離れているエッチングガス入口部材を通して行われる。エッチングガス入口部材は、複数の孔が形成された環状のエッチングガス入口領域を有する。
エッチングガス入口を形成されたエッチングガス入口領域を通して、搬送ガスにより希釈されたエッチングガスが、鉛直方向に、すなわちプロセスガスの径方向の流れに対して垂直に、プロセスチャンバに導入される。特にエッチングガスは、プロセスガスのフロー方向に対して90°又はそれより小さい角度でプロセスチャンバに導入されるように構成される。好適には、エッチングガスの供給は、プロセスチャンバの低温側から行われる。
ガス入口部材へのプロセスガスの供給は、ガス入口部材の鉛直上方に配置されているガス供給ライン部材に設けられた個別のプロセスガス供給ラインを通して行われる。好適な実施形態においては、ガス供給ライン部材が、エッチングガス供給ラインを有するシース体(鞘状の外部被覆)により取り巻かれている。
エッチングガス供給ラインは、ガス供給ライン部材の周囲に延在する環状のガス分配室に開口する。1又は複数の、好適には等角度分布で配置されたガス通路孔を通って、搬送ガスで希釈されたエッチングガスがガス分配室から出ることができる。これらの孔は圧力障壁として機能する。これらの孔の下流側には、エッチングガス入口領域に繋がるガス通路孔を具備する別の分配室がある。この別の分配室は、補充的なパージガスの流れによりパージされることができる。これに関係するパージガス供給ラインは、さらに別のガス分配室に繋がっている。
本装置を用いてGaNが堆積される。このためにプロセスガスとして、H2搬送ガスで搬送されるNH3と、H2搬送ガスで搬送されるTMGaとが用いられる。堆積プロセス中は、エッチングガス入口を通ってH2が流れる。プロセスチャンバを洗浄するために、プロセスガス入口領域を通ってN2が流れ、エッチングガス入口を通ってN2及びCl2が流れる。半導体層が堆積するとき、エッチングガス入口領域を通って又はそれを構成する孔を通ってパージガスが流れる。パージガスの質量流量は、プロセスガスがエッチングガス入口の孔内に僅かしか拡散できないように選択される。プロセスガスは、最大でもパージガスによりパージされる分配室に到達するだけである。
洗浄プロセス中は、エッチングガスがプロセスガス入口孔の背面に配置されたプロセスガス分配室にまで拡散できないように、パージガスが、プロセスガス入口領域を通ってすなわちここに近接配置して設けられたガス入口部材の孔を通って所定の流速にて流れる。
エッチングガス供給ラインは、好適には1又は複数の圧力障壁を配置されている。圧力障壁がそれに応じた小断面をもつガス通路孔により形成されることにより、ガス通路孔の下流側に比べてガス通路孔の上流側におけるエッチングガス供給ラインに極めて高い圧力が存在することになる。1又は複数のこれらの圧力障壁は、ガス分配室の下流側に配置することができる。これらの圧力障壁は、プロセスチャンバからガス分配室の方向に対する拡散防止バリアとして機能する。
洗浄プロセス中も同様に、プロセスガス入口領域5、6、7及びエッチングガス入口領域9の全てがガスによりパージされる。プロセスガス入口領域5、6、7を通ってN2が流れる。エッチングガス入口領域9を通ってN2とCl2の混合ガスが流れる。
層成長プロセスから洗浄プロセスへの切換及びエッチングガスの開始の前に、バルブ16により搬送ガスがH2からN2へと切り換えられる。その場合先ず、約5〜10%のCl2と約95%のN2からなるガス混合物が、パイプラインシステムを介して、ガス分配レベルに応じて延在する分配室31に供給され、分配室31からエッチングガスが孔10を鉛直方向にプロセスチャンバ1へと流れる。ここでは、全部で96個の孔10を含む分配孔の円が設けられている。この配置は、気密室に正圧のみが存在しかつシステム内に酸化につながる可能性がある寄生的な流れを生じないように選択される。
酸化とエッチングガスの拡散を避けるために、バッフルのような二次的構造、又は、さらに別のガス入口を用いることができる。入口に対して異なる材料を用いることも好適である。従って、ガス供給ライン部材36がインコネル等のステンレス鋼から作製されることが好適である。シース体28は、同じ材料から作製することができる。断熱リング27及びエッチングガス入口部材8については、好適にはセラミック、クォーツを用いることができ、しかしながらステンレス鋼も用いることができる。
洗浄ガスとしてSOCl2も用いることができる。
ガス通路は、プロセスガス入口領域とエッチングガス入口のそれぞれのガス入口が、90°又は90°未満の角度で互いにほぼ合致するように選択される。プロセスガス入口領域5、6、7及びエッチングガス入口9は、互いに異なる材料から作製することができるが、同じ材料グループの材料であって異なる合金から作製することもできる。
プロセスチャンバ1におけるプロセスガスとエッチングガスの空間的分離は、演算により、プロセスガス用のガス入口の極く近傍においてエッチングガスが少なくともLOG10で5のオーダー(すなわち5桁)ほど低減するように設計される。
2 サセプタ
3 ヒーター
4 ガス入口部材
5 プロセスガス入口領域
6 プロセスガス入口領域
7 プロセスガス入口領域
8 固定要素
9 エッチングガス入口
10 ガス通路孔
11 Cl2ソース
12 TMGaソース、制御装置
13 NH3ソース
14 H2ソース
15 N2ソース
16 N2/H2切換バルブ
17 Cl2マスフローコントローラ
18 N2/H2マスフローコントローラ
19 切換バルブ
20 排気ライン
21 供給ライン
22 制御装置
23 フロー方向
24 ガス出口
25 天井板
26 パージガス供給ライン
27 断熱リング
28 シース体
29 エッチングガス供給ライン
29’ エッチングガス供給ライン(分配室、環状ダクト)
30 ガス通路孔
31 分配室(環状室)
32 オーバーフローダクト
33 孔
34 分配室
35 孔
36 ガス供給ライン部材
37 温度ガス供給ライン
38 熱伝導体
Claims (15)
- III−V族半導体層を堆積するための装置であって、プロセスチャンバ(1)と、1又は複数のコーティングされる基板を受容するべく該プロセスチャンバ(1)の床を構成するサセプタ(2)と、該サセプタ(2)をプロセス温度に加熱するためのヒーター(3)と、各々プロセスガスを該プロセスチャンバ(1)へ導入するべく少なくとも第1及び第2のプロセスガス入口領域(5、6、7)を具備するガス入口部材(4)と、を有し、該第1のプロセスガス入口領域(5、7)がプロセスガスとしてV族典型元素の水素化物を供給する水素化物ソース(13)と接続されるとともに該第2のプロセスガス入口領域(6)がプロセスガスとしてIII族典型元素の有機金属化合物を供給する有機金属ソース(12)と接続されており、エッチングガス入口(9)がエッチングガスソース(11)と接続されており、かつ、該水素化物と該有機金属化合物と該エッチングガスとをそれぞれ搬送ガスとともにパイプラインシステム(21)を通して質量流量を制御して該プロセスチャンバ(1)に導入するために、制御装置(22)により切換可能なバルブ(16、19)と調整可能なマスフローコントローラ(17、18)とが設けられている、前記装置において、
前記エッチングガス入口(9)が、前記水素化物及び前記有機金属化合物のフロー方向(23)における前記プロセスガス入口領域(5、6、7)の下流側にて前記プロセスチャンバ(1)に開口し、半導体層の堆積中に前記プロセスガス入口領域(5、6、7)から送出されたプロセスガスが前記エッチングガス入口(9)に入り込めず、かつ、前記プロセスチャンバの洗浄中に前記エッチングガス入口(9)から送出されたエッチングガスが前記プロセスガス入口領域(5、6、7)に入り込めないように、前記制御装置(22)が制御しかつ前記プロセスガス入口領域(5、6、7)及び前記エッチングガス入口(9)が配置されていることを特徴とする、III−V族半導体層の堆積装置。 - 前記プロセスチャンバ(1)が円形床を有し、前記ガス入口部材(4)が該プロセスチャンバ(1)の中心に配置されており、かつ、前記エッチングガス入口(9)が、該ガス入口部材(4)の周囲にあるプロセスチャンバ天井の環状領域に設けられていることを特徴とする請求項1に記載の堆積装置。
- 前記エッチング入口(9)の環状領域が、天井板(25)を固定するための環状の固定部材(8)により形成されていることを特徴とする請求項2に記載の堆積装置。
- 前記プロセスガス入口領域(5、6、7)がガス供給ラインにより供給され、該ガス供給ラインは、前記ガス入口部材(4)の鉛直方向上方に配置されたガス供給ライン部材(36)に形成されており、該ガス供給ライン部材(36)が、エッチングガス供給ライン(29、29’)を形成するシース体(28)により取り巻かれていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の堆積装置。
- 前記エッチングガス供給ライン(29)が、前記ガス供給ライン部材(36)を取り巻く環状ダクト(29’)に開口し、該環状ダクト(29’)はその全周に亘って分布配置された複数のガス通路孔(30)により分配室(31)と接続されており、該ガス通路孔(30)は圧力障壁として作用することを特徴とする請求項4に記載の堆積装置。
- 前記分配室(31)は環状室であり、前記エッチングガス入口(9)を形成するガス通路孔(10)により前記プロセスチャンバ(1)と連通していることを特徴とする請求項5に記載の堆積装置。
- 前記分配室(31)にパージガスを供給するためのパージガス供給ライン(26)を具備することを特徴とする請求項5又は6に記載の堆積装置。
- 前記エッチングガス供給ライン(29)に少なくとも1つの圧力障壁を具備し、該圧力障壁がガス通路孔(30)により形成されていることを特徴とする請求項4〜7のいずれかに記載の堆積装置。
- 前記ガス通路孔(30)である圧力障壁が、前記分配室(31)の下流側に配置されていることを特徴とする請求項8に記載の堆積装置。
- プロセスチャンバ(1)の床を構成するサセプタに受容されたコーティングされる1又は複数の基板上にIII−V族半導体層を堆積するための方法であって、該サセプタ(2)はヒーター(3)によりプロセス温度に加熱され、半導体層の堆積のためにガス入口部材(4)の第1及び第2のプロセスガス入口領域(5、6、7)を通してそれぞれプロセスガスが該プロセスチャンバ(1)に導入され、V族典型元素の水素化物が該第1のプロセスガス入口領域(5、7)を通してそしてIII族典型元素の有機金属化合物が該第2のプロセスガス入口領域を通して該プロセスチャンバ(1)にそれぞれ導入され、かつ、半導体層の堆積後に該プロセスチャンバの洗浄のためにエッチングガスがエッチングガス入口(9)を通して該プロセスチャンバ(1)に導入され、該プロセスガス及び該エッチングガスの質量流量が制御装置(22)により制御されるマスフローコントローラ(17、18)によって調整される、前記方法において、
前記エッチングガスが、前記水素化物及び前記有機金属化合物のフロー方向における前記プロセスガス入口領域(5、6、7)の下流側に配置されたエッチングガス入口(9)を通って前記プロセスチャンバ(1)に供給され、
前記半導体層の堆積中は、前記プロセスガスが前記エッチングガス入口(9)に入り込まないように、前記プロセスガス入口領域(5、6、7)を通って該プロセスチャンバ(1)に流れるガス及び該エッチングガス入口(9)を通って該プロセスチャンバ(1)に流れるパージガスの質量流量が制御され、かつ、
前記プロセスチャンバ(1)の洗浄中は、前記エッチングガスが前記プロセスガス入口領域(5、6、7)の上流側に配置されたガス供給ラインに入り込まないように、前記エッチングガス入口(9)を通って該プロセスチャンバ(1)に流れるエッチングガス及び該プロセスガス入口領域(5、6、7)を通って該プロセスチャンバ(1)に供給されるパージガスの質量流量が制御されることを特徴とする、III−V族半導体層の堆積方法。 - 前記プロセスチャンバ(1)が円形床を有し、前記ガス入口部材(4)が該プロセスチャンバ(1)の中心に配置されており、かつ、前記エッチングガス入口(9)が該ガス入口部材(4)の周囲にあるプロセスチャンバ天井の環状領域に設けられていることを特徴とする請求項10に記載の堆積方法。
- 前記プロセスガス入口領域(5、6、7)がガス供給ラインから供給され、該ガス供給ラインは前記ガス入口部材(4)の鉛直方向上方に配置されたガス供給ライン部材(36)に設けられており、該ガス供給ライン部材(36)は、エッチングガス供給ライン(29、29’)を設けられているシース体(28)により取り巻かれていることを特徴とする請求項10又は11に記載の堆積方法。
- 前記エッチングガス供給ライン(29)が前記ガス供給ライン部材(36)を取り巻いている環状ダクト(29’)に開口し、該環状ダクト(29’) は、該環状ダクト(29’)の全周に亘って分布配置された複数のガス通路孔(30)により分配室(31)と接続されており、該ガス通路孔(30)は圧力障壁として作用することを特徴とする請求項11又は12に記載の堆積方法。
- 前記エッチングガスがCl2であり、洗浄中の前記パージガスがN2であることを特徴とする請求項10〜13のいずれかに記載の堆積方法。
- 前記プロセスガスの元素がV族典型元素及び/又はIII族典型元素を含みかつそれらの元素がNH3及びTMGaであり、かつ、層堆積中の前記パージガスがH2又はN2であることを特徴とする請求項10〜14のいずれかに記載の堆積方法。
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