JP2016134390A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 138
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 83
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 135
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 11
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 230000004044 response Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 2
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
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- Weting (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Electrically Driven Valve-Operating Means (AREA)
Abstract
Description
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate, ceramic substrate, solar cell substrate and the like.
特許文献1には、半導体ウエハ等の基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。前記基板処理装置は、基板に供給される処理液を吐出する処理液ノズルと、処理液ノズルへの処理液の供給および供給停止を制御する開閉バルブ(第1薬液バルブ、第2薬液バルブ、リンス液バルブ)と、処理液ノズルに供給される処理液の流量を変更する流量調整バルブとを備えている。流量調整バルブは、流量調整バルブの開度を変更するニードルを移動させるモータを含む電動バルブである。 Patent Document 1 discloses a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates such as semiconductor wafers one by one. The substrate processing apparatus includes a processing liquid nozzle that discharges a processing liquid supplied to a substrate, and an on-off valve that controls supply and stop of supply of the processing liquid to the processing liquid nozzle (first chemical liquid valve, second chemical liquid valve, rinse) A liquid valve) and a flow rate adjusting valve for changing the flow rate of the processing liquid supplied to the processing liquid nozzle. The flow rate adjusting valve is an electric valve including a motor that moves a needle that changes the opening degree of the flow rate adjusting valve.
前記基板処理装置では、開閉バルブと流量調整バルブとが設けられている。可動部品が多いと、コストが増加したりより広いスペースが必要となるだけでなく、基板を汚染させるパーティクルが増加する可能性が高まる。
前記基板処理装置において、開閉バルブを省略して、処理液の供給および供給停止と流量の調整とを流量調整バルブに実行させることが考えられる。しかしながら、この場合、処理液ノズルへの処理液の供給を停止するときに、円錐状の弁体(ニードル)が円錐状の弁座に擦れるので、弁体および弁座の摩耗によりパーティクルが発生してしまう。
In the substrate processing apparatus, an opening / closing valve and a flow rate adjusting valve are provided. Many moving parts not only increase costs and require more space, but also increase the likelihood of particles that contaminate the substrate.
In the substrate processing apparatus, it is conceivable to omit the open / close valve and cause the flow rate adjusting valve to supply and stop the processing liquid and adjust the flow rate. However, in this case, when the supply of the processing liquid to the processing liquid nozzle is stopped, the conical valve body (needle) rubs against the conical valve seat, so that particles are generated due to wear of the valve body and the valve seat. End up.
そこで、本発明の目的の一つは、パーティクルを低減しながら、処理液ノズルへの処理液の供給および供給停止と処理液ノズルに供給される処理液の流量の調整とを一つのバルブで実行できる基板処理装置を提供することである。 Accordingly, one of the objects of the present invention is to perform supply and stop of the treatment liquid to the treatment liquid nozzle and adjustment of the flow rate of the treatment liquid supplied to the treatment liquid nozzle with one valve while reducing particles. It is providing the substrate processing apparatus which can be performed.
前記目的を達成するための請求項1に記載の発明は、基板に供給される処理液を吐出する処理液ノズルと、前記処理液ノズルへの処理液の供給および供給停止と前記処理液ノズルに供給される処理液の流量の調整とを行う電動バルブと、前記電動バルブを制御する制御装置と、を備え、前記電動バルブは、処理液が流入する流入口と、前記流入口に流入した処理液を排出する流出口と、前記流入口と前記流出口との間に配置された開口と、前記開口を介して前記流入口から前記流出口に延びる流路と、前記開口を取り囲む環状の弁座と、が設けられた本体と、前記弁座に接触し、前記流入口から前記流出口への処理液の流通を遮断する閉位置と、前記弁座から離れ、前記開口を介して前記流入口から前記流出口に処理液を流す開位置と、の間で前記本体に対して移動可能な弁体と、前記閉位置と前記開位置との間で前記弁体を移動させ、前記制御装置からの指令に応じて前記閉位置から前記開位置までの任意の位置に前記弁体を位置させる電動アクチュエータと、を含み、前記弁体は、前記開口に挿入された錐体部と、間隔を空けて前記錐体部を取り囲んでおり、前記弁座に対向する環状部と、を含み、前記錐体部は、前記閉位置から前記開位置までのいずれの位置においても前記本体に非接触である錐体状の外周面を含み、前記環状部は、前記閉位置において前記弁座に垂直に押し付けられ、前記閉位置以外の位置において前記弁座から離れる環状先端部を含む、基板処理装置である。 The invention described in claim 1 for achieving the object includes a processing liquid nozzle for discharging a processing liquid supplied to a substrate, supply and stop of supply of the processing liquid to the processing liquid nozzle, and the processing liquid nozzle. An electric valve that adjusts the flow rate of the supplied processing liquid; and a control device that controls the electric valve. The electric valve has an inlet into which the processing liquid flows, and a process that has flowed into the inlet. An outlet for discharging liquid; an opening disposed between the inlet and the outlet; a flow path extending from the inlet to the outlet through the opening; and an annular valve surrounding the opening A main body provided with a seat, a closed position in contact with the valve seat and blocking the flow of the processing liquid from the inlet to the outlet, away from the valve seat, and through the opening, the flow And an open position for flowing the processing liquid from the inlet to the outlet. A valve body movable with respect to the main body, and the valve body is moved between the closed position and the open position, and an arbitrary position from the closed position to the open position according to a command from the control device An electric actuator for positioning the valve body at a position, and the valve body surrounds the cone part with a gap therebetween and is opposed to the valve seat. An annular portion, and the cone portion includes a cone-shaped outer peripheral surface that is not in contact with the main body at any position from the closed position to the open position, and the annular portion is the closed portion. The substrate processing apparatus includes an annular tip portion that is pressed perpendicularly to the valve seat at a position and separates from the valve seat at a position other than the closed position.
この発明によれば、開口に挿入された錐体部と弁座に対向する環状部とが、弁体に設けられている。電動アクチュエータは、制御装置からの指令に応じて閉位置と開位置との間で弁体を移動させる。電動アクチュエータが弁体を移動させると、錐体部および環状部が移動する。
錐体部の移動により、開口の流路面積(錐体部で占有されていない部分の面積)が連続的に変化する。処理液ノズルに供給される処理液の流量は、電動アクチュエータによって自動で調整される。また、電動アクチュエータが閉位置に弁体を位置させると、環状部が弁座に接触し、電動アクチュエータが閉位置以外の位置に弁体を位置させると、環状部が弁座から離れる。処理液ノズルへの処理液の供給および供給停止は、電動アクチュエータによって自動で切り替えられる。したがって、処理液ノズルへの処理液の供給および供給停止と処理液ノズルに供給される処理液の流量の調整とを一つのバルブ(電動バルブ)で実行できる。
According to this invention, the cone part inserted in opening and the annular part which opposes a valve seat are provided in the valve body. The electric actuator moves the valve body between the closed position and the open position in accordance with a command from the control device. When the electric actuator moves the valve body, the cone portion and the annular portion move.
Due to the movement of the cone portion, the flow path area of the opening (the area of the portion not occupied by the cone portion) continuously changes. The flow rate of the processing liquid supplied to the processing liquid nozzle is automatically adjusted by an electric actuator. When the electric actuator positions the valve body in the closed position, the annular portion contacts the valve seat, and when the electric actuator positions the valve body in a position other than the closed position, the annular portion moves away from the valve seat. Supply and stop of the processing liquid to the processing liquid nozzle are automatically switched by an electric actuator. Therefore, the supply and stop of the supply of the treatment liquid to the treatment liquid nozzle and the adjustment of the flow rate of the treatment liquid supplied to the treatment liquid nozzle can be performed with one valve (electric valve).
錐体部の外周面は、閉位置から開位置までのいずれの位置においても本体に非接触である。したがって、弁体の移動により、錐体部が本体に擦れて、パーティクルが発生することはない。また、環状部の環状先端部は、閉位置において弁座に垂直に押し付けられる。したがって、円錐状の弁体を円錐または円筒状の弁座に押し付ける場合と比べて、パーティクルが発生し難い。そのため、流路内で発生するパーティクルを低減でき、基板に供給される処理液の清浄度を高めることができる。 The outer peripheral surface of the cone portion is not in contact with the main body at any position from the closed position to the open position. Therefore, the movement of the valve body does not rub the cone portion against the main body and generate particles. Further, the annular tip portion of the annular portion is pressed perpendicularly to the valve seat in the closed position. Therefore, particles are less likely to be generated than when a conical valve body is pressed against a conical or cylindrical valve seat. Therefore, particles generated in the flow path can be reduced, and the cleanliness of the processing liquid supplied to the substrate can be increased.
請求項2に記載の発明は、前記弁座および環状先端部は、いずれも平坦である、請求項1に記載の基板処理装置である。
この発明によれば、平坦な環状先端部が、平坦な弁座に垂直に押し付けられる。これにより、弁座および環状先端部が面接触する。そのため、弁体および弁座が線接触する場合と比べて、処理液の流通をより確実に遮断できる。さらに、平面同士が垂直に押し付けられるので、円錐状の弁体を円錐または円筒状の弁座に押し付ける場合と比べて、パーティクルが発生し難い。これにより、流路内で発生するパーティクルを低減できる。
The invention according to
According to the invention, the flat annular tip is pressed vertically against the flat valve seat. As a result, the valve seat and the annular tip end come into surface contact. Therefore, compared with the case where the valve body and the valve seat are in line contact, the flow of the treatment liquid can be blocked more reliably. Furthermore, since the planes are pressed vertically, particles are less likely to be generated than when a conical valve body is pressed against a conical or cylindrical valve seat. Thereby, the particle | grains which generate | occur | produce in a flow path can be reduced.
請求項3に記載の発明は、前記環状先端部の内径は、前記開口の直径よりも大きい、請求項1または2に記載の基板処理装置である。
弁体および弁座の接触面積が小さすぎると、十分な密閉性を確保できなくなる。その一方で、弁体および弁座の接触面積が大きすぎると、バルブを閉止させるために大きな圧力が必要となる。そのため、弁体および弁座の接触面積は、十分な密閉性を確保できる範囲内で極力小さいことが好ましい。この発明によれば、環状先端部の内径が開口の直径よりも大きいので、環状先端部の内径が開口の直径以下である場合と比べて、弁座および環状先端部の接触面積を低減できる。したがって、処理液の流通をより確実に遮断しながら、パーティクルを低減できる。
The invention according to
If the contact area between the valve body and the valve seat is too small, sufficient sealing performance cannot be secured. On the other hand, if the contact area between the valve body and the valve seat is too large, a large pressure is required to close the valve. For this reason, the contact area between the valve body and the valve seat is preferably as small as possible within a range in which sufficient sealing performance can be secured. According to the present invention, since the inner diameter of the annular tip is larger than the diameter of the opening, the contact area between the valve seat and the annular tip can be reduced as compared with the case where the inner diameter of the annular tip is equal to or less than the diameter of the opening. Therefore, it is possible to reduce particles while more reliably blocking the flow of the treatment liquid.
請求項4に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記電動バルブを通過する処理液の流量を検出する流量計をさらに含み、前記制御装置は、前記閉位置に位置する前記弁体を、前記開口の縁から前記錐体部までの径方向(錐体部の中心線に直交する方向)の距離が前記環状部から前記弁座までの軸方向(錐体部の中心線に沿う方向)の距離に等しい中間位置を介して、前記中間位置よりも前記開位置側の位置であり、前記電動バルブを通過する処理液の流量の目標値に対応する目標位置に移動させるとき、前記閉位置から前記中間位置までは、一定の移動速度で前記弁体を移動させる第1等速制御を行い、前記中間位置から前記目標位置までは、前記流量計の検出値に基づいて前記弁体を移動させるフィードバック制御を行う、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置である。 According to a fourth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a flow meter that detects a flow rate of the processing liquid that passes through the electric valve, and the control device includes the valve body that is located in the closed position. The distance in the radial direction from the edge of the opening to the cone part (the direction perpendicular to the center line of the cone part) is the axial direction from the annular part to the valve seat (the direction along the center line of the cone part). When moving to the target position corresponding to the target value of the flow rate of the processing liquid passing through the motor-operated valve through the intermediate position equal to the distance, the position closer to the open position than the intermediate position. From the intermediate position to the intermediate position, the first constant speed control is performed to move the valve element at a constant moving speed, and the valve element is moved from the intermediate position to the target position based on the detection value of the flow meter. Feedback control is performed. A substrate processing apparatus of any one.
フィードバック制御の代表例は、比例動作、積分動作、および微分動作を行うPID制御である。フィードバック制御は、PID制御に限らず、比例動作を行う比例制御であってもよいし、比例動作および積分動作を行うPI制御であってもよい。
この発明によれば、弁体が閉位置以外の位置に配置されているとき、流入口に流入した処理液は、環状部と弁座との間の隙間と、錐体部と開口の縁との間の隙間とを通過する。中間位置よりも閉位置側の位置では、環状部と弁座との間の流路面積が、開口の流路面積(錐体部と開口の縁との間により規定される流路面積)よりも小さいため、電動バルブを通過する処理液の流量を律速する。その一方で、中間位置よりも開位置側の位置では、開口の流路面積が、環状部と弁座との間の流路面積よりも小さいため、電動バルブを通過する処理液の流量を律速する。
A typical example of feedback control is PID control that performs proportional operation, integral operation, and differential operation. The feedback control is not limited to PID control, and may be proportional control that performs proportional operation, or PI control that performs proportional and integral operations.
According to the present invention, when the valve body is arranged at a position other than the closed position, the processing liquid that has flowed into the inflow port has a gap between the annular portion and the valve seat, a cone portion, and an edge of the opening. Pass through the gap between. At a position closer to the closed position than the intermediate position, the flow area between the annular portion and the valve seat is larger than the flow area of the opening (the flow area defined by the gap between the cone portion and the opening). Therefore, the flow rate of the processing liquid passing through the electric valve is limited. On the other hand, at the position closer to the open position than the intermediate position, the flow area of the opening is smaller than the flow area between the annular portion and the valve seat. To do.
制御装置は、閉位置から中間位置までは、一定の移動速度で弁体を移動させる第1等速制御を行う。そして、制御装置は、中間位置から目標位置までは、流量計の検出値に基づいて弁体を移動させるフィードバック制御を行う。つまり、目標位置は、開口の流路面積が処理液の流量を律速する範囲にあるので、制御装置は、環状部と弁座との間の流路面積が処理液の流量を律速する範囲の外に弁体を速やかに移動させる。したがって、当初からフィードバック制御を行う場合と比べて、流量の測定値が安定するまでの時間を短縮できる。 The control device performs first constant speed control for moving the valve body at a constant moving speed from the closed position to the intermediate position. Then, the control device performs feedback control for moving the valve body from the intermediate position to the target position based on the detection value of the flow meter. That is, since the target position is in a range where the flow path area of the opening determines the flow rate of the processing liquid, the control device has a range in which the flow path area between the annular portion and the valve seat limits the flow rate of the processing liquid. Quickly move the valve body out. Therefore, compared with the case where feedback control is performed from the beginning, the time until the measured value of the flow rate is stabilized can be shortened.
請求項5に記載の発明は、前記基板処理装置は、前記電動バルブを通過する処理液の流量を検出する流量計をさらに含み、前記制御装置は、前記開口の縁から前記錐体部までの径方向の距離が前記環状部から前記弁座までの軸方向の距離に等しい中間位置よりも前記開位置側に位置する前記弁体を、前記中間位置を介して前記閉位置に移動させるとき、前記中間位置よりも前記開位置側の位置から前記中間位置までは、一定の移動速度で前記弁体を移動させる第2等速制御を行い、前記中間位置から前記閉位置までの少なくとも一部では、前記第2等速制御での前記弁体の移動速度よりも小さい移動速度で前記弁体を移動させる減速制御を行う、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置である。 According to a fifth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus further includes a flow meter that detects a flow rate of the processing liquid that passes through the electric valve, and the control device is provided between an edge of the opening and the cone portion. When moving the valve body located on the open position side from the intermediate position where the radial distance is equal to the axial distance from the annular portion to the valve seat, to the closed position via the intermediate position, From the position on the open position side to the intermediate position with respect to the intermediate position, second constant speed control is performed to move the valve body at a constant moving speed, and at least partly from the intermediate position to the closed position. 5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein deceleration control is performed to move the valve body at a moving speed smaller than a moving speed of the valve body in the second constant speed control. .
この発明によれば、制御装置は、当初の位置(中間位置よりも開位置側の位置)から中間位置までは、一定の移動速度で弁体を移動させる第2等速制御を行う。そして、制御装置は、中間位置から閉位置までの少なくとも一部では、第2等速制御での弁体の移動速度よりも小さい移動速度で弁体を移動させる減速制御を行う。このように、弁体が弁座に接触する直前の移動速度が低下するので、弁体が弁座に接触するときの衝撃を低減でき、弁体と弁座との接触により発生するパーティクルをさらに低減できる。 According to the present invention, the control device performs the second constant speed control that moves the valve body at a constant moving speed from the initial position (position closer to the open position than the intermediate position) to the intermediate position. Then, at least in part from the intermediate position to the closed position, the control device performs deceleration control for moving the valve body at a moving speed smaller than the moving speed of the valve body in the second constant speed control. Thus, since the moving speed immediately before the valve body contacts the valve seat is reduced, the impact when the valve body contacts the valve seat can be reduced, and particles generated by contact between the valve body and the valve seat can be further reduced. Can be reduced.
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1に備えられた処理ユニット2の内部を水平に見た模式図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2に基板Wを搬送する搬送ロボット(図示せず)と、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic view of the inside of a
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of
処理ユニット2は、基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック4と、スピンチャック4に保持されている基板Wに向けて処理液を吐出する処理液ノズル11とを含む。
スピンチャック4は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース6と、スピンベース6の上方で基板Wを水平な姿勢で保持する複数のチャックピン5と、スピンベース6の中央部から下方に延びるスピン軸7と、スピン軸7を回転させることによりスピンベース6およびチャックピン5を回転軸線A1まわりに回転させるスピンモータ8とを含む。スピンチャック4は、複数のチャックピン5を基板Wの周端面に接触させる挟持式のチャックに限らず、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)をスピンベース6の上面に吸着させることにより基板Wを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。
The
The
基板処理装置1は、処理液を処理液ノズル11に導く処理液配管12と、第1薬液を処理液配管12に導く第1配管13と、第2薬液を処理液配管12に導く第2配管16と、純水(脱イオン水:Deionized Water)を処理液配管12に導く第3配管19とを含む。基板処理装置1は、さらに、第1配管13に介装された第1バルブ14と、第1バルブ14を通過する液体の流量を検出する第1流量計15と、第2配管16に介装された第2バルブ17と、第2バルブ17を通過する液体の流量を検出する第2流量計18と、第3配管19に介装された第3バルブ20と、第3バルブ20を通過する液体の流量を検出する第3流量計21とを含む。
The substrate processing apparatus 1 includes a
第1バルブ14、第2バルブ17、および第3バルブ20は、いずれも電動バルブである。制御装置3は、各バルブ14、17、20を開閉させる。制御装置3は、さらに、各バルブ14、17、20の開度を制御することにより、各バルブ14、17、20を通過する液体の流量を変更する。第1流量計15、第2流量計18、および第3流量計21の検出値は、制御装置3に入力される。制御装置3は、各流量計15、16、21の検出値に基づいて流量の測定値を求める。制御装置3は、各流量計15、16、21の検出値に基づいて各バルブ14、17、20の開度を変更することにより、流量の測定値(測定流量値)を流量の目標値(目標流量値)に近づける若しくは一致させる。
The
第1薬液の一例は、アンモニア水である。第2薬液の一例は、過酸化水素水である。各バルブ14、17、20が開かれると、第1バルブ14の開度に対応する流量のアンモニア水と、第2バルブ17の開度に対応する流量の過酸化水素水と、第3バルブ20の開度に対応する流量の純水とが、処理液配管12に供給される。これにより、アンモニア水、過酸化水素水、および水の混合液であるSC−1が、処理液配管12内で生成され、処理液ノズル11から吐出される。また、第1バルブ14および第2バルブ17が閉じられ、第3バルブ20が開かれると、純水が、処理液配管12に供給され、処理液ノズル11から吐出される。
An example of the first chemical solution is ammonia water. An example of the second chemical solution is hydrogen peroxide solution. When each of the
基板Wを処理するとき、制御装置3は、スピンチャック4を制御することにより、基板Wを回転させる。この状態で、制御装置3は、回転している基板Wの上面に向けて処理液ノズル11にSC−1を吐出させる。これにより、薬液の一例であるSC−1が基板Wの上面全域に供給される(薬液供給工程)。
制御装置3は、処理液ノズル11からのSC−1の吐出を停止させた後、リンス液の一例である純水を回転している基板Wに向けて処理液ノズル11に吐出させる。これにより、純水が基板Wの上面全域に供給され、基板Wに付着しているSC−1が洗い流される(リンス液供給工程)。
When processing the substrate W, the
After stopping the discharge of SC-1 from the processing
制御装置3は、処理液ノズル11からの純水の吐出を停止させた後、スピンチャック4に基板Wを高速回転させる。これにより、基板Wに付着している純水が遠心力によって基板Wの周囲に振り切られる。そのため、基板Wから純水が除去され、基板Wが乾燥する(乾燥工程)。
図2は、電動バルブの一例である第1バルブ14について説明するための断面図である。以下では、第1バルブ14について説明する。第2バルブ17および第3バルブ20についての説明は省略するが、第2バルブ17および第3バルブ20は、いずれも第1バルブ14と同等の構成を有している。
The
FIG. 2 is a cross-sectional view for explaining the
図2に示すように、第1バルブ14は、処理液を導く流路30が形成された本体25と、流路30を開閉する弁体31とを含む。第1バルブ14は、さらに、弁体31を軸方向X1(錐体部33の中心線に沿う方向)に移動させる動力を発生する電動モータ23と、電動モータ23の回転を弁体31の直線運動に変換する運動変換機構22と、電動モータ23の回転角を検出する回転角センサ24とを含む。第1バルブ14において処理液に接する部分(接液部)は、薬液に対する耐性を有する合成樹脂(たとえば、フッ素樹脂)で作成されている。流路30の内面30cや弁体31の外面は、接液部に含まれる。
As shown in FIG. 2, the
電動アクチュエータの一例である電動モータ23は、制御装置3によって制御される。図示はしないが、運動変換機構22は、たとえば、軸方向X1に延びる雄ねじと雄ねじを取り囲む雌ねじとを含む。電動モータ23が回転すると、電動モータ23の回転角に応じた移動量で弁体31が軸方向X1に移動する。制御装置3は、回転角センサ24の検出値に基づいて電動モータ23を制御することにより、閉位置(図5に示す位置)から開位置(図7に示す位置)までの任意の位置に弁体31を位置させる。制御装置3は、さらに、電動モータ23の回転速度を制御することにより、弁体31の移動速度を任意の速度に変更する。
An
図2に示すように、本体25は、フィルターでろ過された処理液が流入する流入口26と、流入口26に流入した処理液を排出する流出口29と、流入口26と流出口29との間に配置された円形の開口27と、開口27を介して流入口26から流出口29に延びる流路30と、開口27を同心円状に取り囲む円環状の弁座28とを含む。流路30は、流入口26から下流に延びる上流部30aと、流出口29から上流に延びる下流部30bとを含む。上流部30aおよび下流部30bは、本体25の内部で交差している。開口27は、流路30の内面30cに形成されている。第1配管13は、流入口26に接続された上流配管13aと、流出口29に接続された下流配管13bとを含む。
As shown in FIG. 2, the
図2に示すように、弁体31は、円板部32と、錐体部33と、環状部34とを含む。円板部32と、錐体部33と、環状部34とは、たとえば、一体である。弁体31は、環状部34が弁座28に接触し、流入口26から流出口29への処理液の流通を遮断する閉位置(図5に示す位置)と、環状部34が弁座28から離れ、開口27を介して流入口26から流出口29に処理液を流す開位置(図7に示す位置)と、の間で本体25に対して移動可能である。流入口26から流出口29への処理液の流通は、環状部34と弁座28との接触によって遮断される。流入口26から流出口29に流れる処理液の流量は、錐体部33によって連続的に調整される。
As shown in FIG. 2, the
図2に示すように、円板部32は、本体25に設けられた凹部内に配置されている。円板部32の端面32aは、流路30内に配置されている。環状部34は、円板部32の端面32aから弁座28に向かって延びている。錐体部33は、円板部32の端面32aから開口27に向かって延びている。
図3に示すように、錐体部33は、円板部32から離れるにしたがって外径が連続的に減少する円錐状の外周面33aを含む。錐体部33の外周面33aは、下流に向かって先細りになっている。錐体部33の外周面33aは、軸方向X1に対して一定の傾斜角度で傾いている。錐体部33の先端は、環状部34よりも円板部32から軸方向X1に離れている。錐体部33の先端は、弁座28に対して下流に配置されている。流路30の下流部30bの内面は、錐体部33を同心円状に取り囲む円筒状である。開口27の縁27aは、下流部30bの内面の上流端に相当する。錐体部33は、開口27に挿入されている。
As shown in FIG. 2, the
As shown in FIG. 3, the
図3に示すように、環状部34は、軸方向X1に弁座28に対向する環状先端部34aを含む。環状先端部34aは、たとえば、軸方向X1に直交する平面上に配置された平坦面である。同様に、弁座28は、たとえば、軸方向X1に直交する平面上に配置された平坦面である。環状先端部34aおよび弁座28は、平行に対向している。環状部34の内周面は、径方向Y1(軸方向X1に直交する方向)に間隔を空けて錐体部33の外周面33aを同心円状に取り囲んでいる。円板部32の端面32aと錐体部33の外周面33aと環状部34の内周面とは、錐体部33を取り囲む環状溝35を形成している。
As shown in FIG. 3, the
図3に示すように、環状先端部34aの内径は、たとえば、開口27の直径よりも大きい。錐体部33の最大径(錐体部33の根元の外径)は、たとえば、開口27の直径よりも小さい。したがって、軸方向X1に関して環状先端部34aと等しい位置での錐体部33の外径D1は、開口27の直径よりも小さい。環状先端部34aの幅(環状先端部34aの内縁から環状先端部34aの外縁までの径方向Y1の長さ)は、たとえば、環状部34の高さ(円板部32の端面32aから環状先端部34aまでの軸方向X1の長さ)よりも小さい。環状先端部34aの内径と開口27の直径との差の1/2(開口27の縁27aから環状先端部34aの内端までの、径方向Y1の距離)は、たとえば、環状部34の高さよりも小さく、環状先端部34aの幅よりも小さい。
As shown in FIG. 3, the inner diameter of the
図2に示すように、弁体31が閉位置に配置されると、環状先端部34aの全周が弁座28の全周に押し付けられ、環状部34が弾性変形する。環状部34と錐体部33との間に空間があり、環状部34が錐体部33から離れているので、環状部34の弾性変形が錐体部33によって阻害され難い。環状先端部34aは、弾性変形により弁座28に密着し、弁座28に面接触する。これにより、弁体31と弁座28との間の隙間が密閉される。その一方で、閉位置以外の位置に弁体31が配置されると、環状先端部34aが弁座28から離れ、流入口26に流入した処理液が、流路30の内面30cと弁体31の外面との間を通って流出口29に流れる。
As shown in FIG. 2, when the
図5〜図7に示すように、錐体部33の一部は、閉位置から開位置までのいずれの位置においても開口27内に配置されている。錐体部33の外周面33aは、閉位置から開位置までのいずれの位置においても本体25に非接触である。弁体31が開位置側に移動すると、錐体部33が開口27を占有する面積が連続的に増加する。弁体31が閉位置側に移動すると、錐体部33が開口27を占有する面積が連続的に減少する。これにより、開口27の流路面積(錐体部33で占有されていない部分の面積)が変化し、第1バルブ14を通過する処理液の流量が変更される。
As shown in FIGS. 5 to 7, a part of the
図3に示すように、環状先端部34aから弁座28までの軸方向X1の距離(軸方向距離Da)は、弁体31が開位置に近づくにしたがって増加する。同様に、開口27の縁27aから錐体部33の外周面33aまでの径方向Y1の距離(径方向距離Dr)は、弁体31が開位置に近づくにしたがって増加する。軸方向距離Daの変化の割合は、径方向距離Drの変化の割合よりも大きい。
As shown in FIG. 3, the distance in the axial direction X1 (axial distance Da) from the
径方向距離Drおよび軸方向距離Daが等しい位置は、閉位置と開位置との間の中間位置である。中間位置では、環状部34と弁座28との間の流路面積(軸方向距離Da×環状部34の周長)と、開口27の流路面積(錐体部33で占有されていない部分の面積)とが概ね一致する。
弁体31が閉位置以外の位置に配置されているとき、流入口26に流入した処理液は、環状部34と弁座28との間の隙間と、錐体部33と開口27の縁27aとの間の隙間とを通過する。第1バルブ14を通過する処理液の流量は、環状部34と弁座28との間の流路面積と開口27の流路面積のいずれかによって律速される。
A position where the radial distance Dr and the axial distance Da are equal is an intermediate position between the closed position and the open position. At the intermediate position, the channel area between the
When the
図4に示すように、中間位置よりも閉位置側の位置では、環状部34と弁座28との間の流路面積が、開口27の流路面積よりも小さいため、第1バルブ14を通過する処理液の流量を律速する。その一方で、中間位置よりも開位置側の位置では、開口27の流路面積が、環状部34と弁座28との間の流路面積よりも小さいため、第1バルブ14を通過する処理液の流量を律速する。
As shown in FIG. 4, at the position closer to the closed position than the intermediate position, the flow path area between the
図8は、制御装置3が第1バルブ14を開くときの弁体31の位置の時間的変化を示している。図9は、制御装置3が第1バルブ14を閉じるときの弁体31の位置の時間的変化を示している。
図8において、実線は、実施例であり、一点鎖線は、比較例1であり、二点鎖線は、比較例2である。図8中の目標位置は、第1バルブ14を通過する処理液の流量の目標値に対応する位置である。つまり、弁体31が目標位置に配置されると、第1バルブ14を通過する処理液の流量が流量の目標値に一致する。以下では、目標位置が中間位置よりも開位置側の位置である場合について説明する。
FIG. 8 shows a temporal change in the position of the
In FIG. 8, the solid line is an example, the one-dot chain line is Comparative Example 1, and the two-dot chain line is Comparative Example 2. The target position in FIG. 8 is a position corresponding to the target value of the flow rate of the processing liquid passing through the
図8に示すように、制御装置3は、閉位置から中間位置までは、一定の移動速度で弁体31を移動させる第1等速制御を行う。そして、制御装置3は、中間位置から目標位置までは、第1流量計15の検出値に基づいて弁体31を移動させるPID制御を行う。
第1バルブ14の速応性を高めるために、制御装置3は、第1等速制御において、たとえば最高速度で弁体31を移動させる。また、PID定数は、たとえば、オーバーシュートが発生しないように設定されている。すなわち、PID定数は、弁体31の位置が目標位置を超えず、流量の測定値が流量の目標値を超えないように設定されている。
As shown in FIG. 8, the
In order to increase the quick response of the
図8の一点鎖線(比較例1)は、流量の測定値が流量の目標値を超えるまで等速制御を行い、その後、PID制御を行ったときの弁体31の位置の時間的変化を示している。図8の二点鎖線(比較例2)は、当初から、つまり、閉位置から目標位置までPID制御を行ったときの弁体31の位置の時間的変化を示している。比較例1および比較例2では、オーバーシュートが発生している上に、実施例と比べて、弁体31の位置が安定するまでの時間が長い。したがって、実施例は、比較例1および比較例2と比べて、速応性および安定性が高い。
The one-dot chain line in FIG. 8 (Comparative Example 1) shows a temporal change in the position of the
一方、図9に示すように、制御装置3は、当初の位置(中間位置よりも開位置側の位置)から中間位置までは、一定の移動速度で弁体31を移動させる第2等速制御を行う。そして、制御装置3は、中間位置から閉位置までの少なくとも一部(特に、閉位置の直前の位置から閉位置)までは、第2等速制御での弁体31の移動速度よりも小さい移動速度で弁体31を移動させる減速制御を行う。制御装置3は、弁体31が閉位置に達した後、弁体31を弁座28に押し付ける。
On the other hand, as shown in FIG. 9, the
第1バルブ14の速応性を高めるために、制御装置3は、第2等速制御において、たとえば最高速度で弁体31を移動させる。また、弁体31が弁座28に接触するときの衝撃を低減するために、制御装置3は、減速制御において、第2等速制御のときよりも小さい移動速度で弁体31を移動させる。これにより、弁体31と弁座28との接触により発生するパーティクルが低減される。弁体31の移動速度が小さければ、減速制御は、等速制御であってもよいし、PID制御などのフィードバック制御であってもよい。
In order to increase the quick response of the
以上のように本実施形態では、第1バルブ14を開閉する環状部34と第1バルブ14を通過する処理液の流量を調整する錐体部33とが、弁体31に設けられている。電動モータ23は、制御装置3からの指令に応じて閉位置と開位置との間で弁体31を移動させる。電動モータ23が弁体31を移動させると、錐体部33および環状部34が共に移動する。
As described above, in the present embodiment, the
錐体部33の移動により、開口27の流路面積(錐体部33で占有されていない部分の面積)が連続的に変化する。処理液ノズル11に供給される処理液の流量は、電動モータ23によって自動で調整される。また、電動モータ23が閉位置に弁体31を位置させると、環状部34が弁座28に接触し、電動モータ23が閉位置以外の位置に弁体31を位置させると、環状部34が弁座28から離れる。処理液ノズル11への処理液の供給および供給停止は、電動モータ23によって自動で切り替えられる。したがって、処理液ノズル11への処理液の供給および供給停止と処理液ノズル11に供給される処理液の流量の調整とを一つのバルブ(第1バルブ14)で実行できる。
Due to the movement of the
錐体部33の外周面33aは、閉位置から開位置までのいずれの位置においても本体25に非接触である。したがって、弁体31の移動により、錐体部33が本体25に擦れて、パーティクルが発生することはない。また、環状部34の環状先端部34aは、閉位置において弁座28に垂直に押し付けられる。したがって、円錐状の弁体を円錐または円筒状の弁座に押し付ける場合と比べて、パーティクルが発生し難い。そのため、流路30内で発生するパーティクルを低減でき、基板Wに供給される処理液の清浄度を高めることができる。
The outer
また本実施形態では、平坦な環状先端部34aが、平坦な弁座28に垂直に押し付けられる。これにより、弁座28および環状先端部34aが面接触する。そのため、弁体31および弁座28が線接触する場合と比べて、処理液の流通をより確実に遮断できる。さらに、平面同士が垂直に押し付けられるので、円錐状の弁体を円錐または円筒状の弁座に押し付ける場合と比べて、パーティクルが発生し難い。これにより、流路30内で発生するパーティクルを低減できる。
Further, in the present embodiment, the flat
弁体31および弁座28の接触面積が小さすぎると、十分な密閉性を確保できなくなる。その一方で、弁体31および弁座28の接触面積が大きすぎると、バルブを閉止させるために大きな圧力が必要となる。そのため、弁体31および弁座28の接触面積は、十分な密閉性を確保できる範囲内で極力小さいことが好ましい。本実施形態では、環状先端部34aの内径が開口27の直径よりも大きいので、環状先端部34aの内径が開口27の直径以下である場合と比べて、弁座28および環状先端部34aの接触面積を低減できる。したがって、処理液の流通をより確実に遮断しながら、パーティクルを低減できる。
If the contact area between the
また本実施形態では、弁体31が閉位置以外の位置に配置されているとき、流入口26に流入した処理液は、環状部34と弁座28との間の隙間と、錐体部33と開口27の縁27aとの間の隙間とを通過する。中間位置よりも閉位置側の位置では、環状部34と弁座28との間の流路面積が、開口27の流路面積よりも小さいため、第1バルブ14を通過する処理液の流量を律速する。その一方で、中間位置よりも開位置側の位置では、開口27の流路面積が、環状部34と弁座28との間の流路面積よりも小さいため、第1バルブ14を通過する処理液の流量を律速する。
Further, in the present embodiment, when the
制御装置3は、閉位置から中間位置までは、一定の移動速度で弁体31を移動させる第1等速制御を行う。そして、制御装置3は、中間位置から目標位置までは、第1流量計15の検出値に基づいて弁体31を移動させるフィードバック制御を行う。つまり、目標位置は、開口27の流路面積が処理液の流量を律速する範囲にあるので、制御装置3は、環状部34と弁座28との間の流路面積が処理液の流量を律速する範囲の外に弁体31を速やかに移動させる。したがって、当初からフィードバック制御を行う場合と比べて、流量の測定値が安定するまでの時間を短縮できる。
The
また本実施形態では、制御装置3は、当初の位置(中間位置よりも開位置側の位置)から中間位置までは、一定の移動速度で弁体31を移動させる第2等速制御を行う。そして、制御装置3は、中間位置から閉位置までの全部または一部では、第2等速制御での弁体31の移動速度よりも小さい移動速度で弁体31を移動させる減速制御を行う。このように、弁体31が弁座28に接触する直前の移動速度が低下するので、弁体31が弁座28に接触するときの衝撃を低減でき、弁体31と弁座28との接触により発生するパーティクルをさらに低減できる。
In the present embodiment, the
本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前記実施形態では、流路30がL字状の断面を有している場合について説明したが、流路30の断面形状は、L字に限られない。
前記実施形態では、弁座28が、本体25と一体である場合について説明したが、弁座28は、流路30を形成する他の部分とは別の部品であってもよい。
Although the description of the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the contents of the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention.
For example, in the embodiment, the case where the
In the above-described embodiment, the case where the
前記実施形態では、電動モータ23が回転すると、弁体31は、その中心線まわりに回転せずに直線運動を行う場合について説明したが、運動変換機構22は、弁体31がその中心線まわりに回転しながら直線運動するように、電動モータ23の動力を弁体31に伝達する構成であってもよい。
前記実施形態では、錐体部33が円錐状である場合について説明したが、錐体部33は、角錐状であってもよい。錐体部33が円錐状および角錐状のいずれの場合においても、錐体部33の先端は、点ではなく、錐体部33の軸方向X1に直交する平面であってもよいし、曲面であってもよい。
In the above embodiment, when the
In the above-described embodiment, the case where the
前記実施形態では、弁座28および環状先端部34aが、いずれも平坦な環状面である場合について説明したが、弁座28および環状先端部34aの少なくとも一方は、円弧状の断面を有する環状の曲面であってもよい。
前記実施形態では、環状先端部34aの内径が、開口27の直径よりも大きい場合について説明したが、環状先端部34aの内径は、開口27の直径以下であってもよい。
In the above embodiment, the case where the
In the above embodiment, the case where the inner diameter of the
前記実施形態では、フィードバック制御がPID制御である場合について説明したが、フィードバック制御は、PID制御に限らず、比例動作を行う比例制御であってもよいし、比例動作および積分動作を行うPI制御であってもよい。
前記実施形態では、薬液の一例であるSC−1と、リンス液の一例である純水とが、同じノズル(処理液ノズル11)から吐出される場合について説明したが、薬液およびリンス液は、別々のノズルから吐出されてもよい。薬液は、SC−1以外の液体であってもよい。リンス液は、純水以外の液体であってもよい。
In the embodiment, the case where the feedback control is the PID control has been described. However, the feedback control is not limited to the PID control, and may be a proportional control that performs a proportional operation, or a PI control that performs a proportional operation and an integral operation. It may be.
In the above embodiment, the case where SC-1 as an example of a chemical solution and pure water as an example of a rinse solution are discharged from the same nozzle (treatment liquid nozzle 11) has been described. You may discharge from a separate nozzle. The chemical solution may be a liquid other than SC-1. The rinse liquid may be a liquid other than pure water.
前記実施形態では、基板処理装置1が、円板状の基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1は、多角形の基板Wを処理する装置であってもよい。
前記実施形態では、基板処理装置1が枚葉式の装置である場合について説明したが、基板処理装置1は、複数枚の基板Wを一括して処理するバッチ式の装置であってもよい。
基板処理装置1がバッチ式である場合、基板処理装置1は、処理液を貯留する処理槽と、複数枚の基板Wを保持しながら昇降することにより処理槽内の処理液に複数枚の基板Wを浸漬させるリフターと、処理槽内で処理液を吐出する処理液ノズルと、処理液ノズルへの処理液の供給および供給停止と処理液ノズルに供給される処理液の流量の調整とを行う電動バルブとを含む。
In the embodiment, the case where the substrate processing apparatus 1 is an apparatus that processes a disk-shaped substrate W has been described. However, the substrate processing apparatus 1 may be an apparatus that processes a polygonal substrate W.
In the above-described embodiment, the case where the substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus has been described. However, the substrate processing apparatus 1 may be a batch-type apparatus that collectively processes a plurality of substrates W.
In the case where the substrate processing apparatus 1 is a batch type, the substrate processing apparatus 1 includes a processing tank for storing the processing liquid and a plurality of substrates in the processing liquid in the processing tank by moving up and down while holding the plurality of substrates W. Lifter for immersing W, treatment liquid nozzle for discharging treatment liquid in the treatment tank, supply of treatment liquid to the treatment liquid nozzle, supply stop, and adjustment of flow rate of treatment liquid supplied to the treatment liquid nozzle Including an electric valve.
前述の全ての構成のうちの二つ以上が組み合わされてもよい。同様に、前述の全ての工程のうちの二つ以上が組み合わされてもよい。 Two or more of all the above-described configurations may be combined. Similarly, two or more of all the aforementioned steps may be combined.
1 :基板処理装置
3 :制御装置
4 :スピンチャック
11 :処理液ノズル
12 :処理液配管
13 :第1配管
14 :第1バルブ
15 :第1流量計
22 :運動変換機構
23 :電動モータ
24 :回転角センサ
25 :本体
26 :流入口
27 :開口
27a :開口の縁
28 :弁座
29 :流出口
30 :流路
31 :弁体
32 :円板部
33 :錐体部
33a :外周面
34 :環状部
34a :環状先端部
35 :環状溝
W :基板
X1 :軸方向
Y1 :径方向
1: substrate processing device 3: control device 4: spin chuck 11: processing liquid nozzle 12: processing liquid piping 13: first piping 14: first valve 15: first flow meter 22: motion conversion mechanism 23: electric motor 24: Rotation angle sensor 25: Main body 26: Inlet 27:
Claims (5)
前記電動バルブは、
処理液が流入する流入口と、前記流入口に流入した処理液を排出する流出口と、前記流入口と前記流出口との間に配置された開口と、前記開口を介して前記流入口から前記流出口に延びる流路と、前記開口を取り囲む環状の弁座と、が設けられた本体と、
前記弁座に接触し、前記流入口から前記流出口への処理液の流通を遮断する閉位置と、前記弁座から離れ、前記開口を介して前記流入口から前記流出口に処理液を流す開位置と、の間で前記本体に対して移動可能な弁体と、
前記閉位置と前記開位置との間で前記弁体を移動させ、前記制御装置からの指令に応じて前記閉位置から前記開位置までの任意の位置に前記弁体を位置させる電動アクチュエータと、を含み、
前記弁体は、前記開口に挿入された錐体部と、間隔を空けて前記錐体部を取り囲んでおり、前記弁座に対向する環状部と、を含み、
前記錐体部は、前記閉位置から前記開位置までのいずれの位置においても前記本体に非接触である錐体状の外周面を含み、
前記環状部は、前記閉位置において前記弁座に垂直に押し付けられ、前記閉位置以外の位置において前記弁座から離れる環状先端部を含む、基板処理装置。 A processing liquid nozzle that discharges the processing liquid supplied to the substrate, an electric valve that performs supply and stop of the processing liquid to the processing liquid nozzle, and adjustment of a flow rate of the processing liquid supplied to the processing liquid nozzle; A control device for controlling the electric valve,
The electric valve is
An inflow port into which the processing liquid flows, an outflow port for discharging the processing liquid that has flowed into the inflow port, an opening disposed between the inflow port and the outflow port, and the inflow port through the opening. A main body provided with a flow path extending to the outlet and an annular valve seat surrounding the opening;
A closed position that contacts the valve seat and blocks the flow of the processing liquid from the inlet to the outlet, and leaves the valve seat and allows the processing liquid to flow from the inlet to the outlet through the opening. A valve body movable relative to the body between an open position and
An electric actuator that moves the valve body between the closed position and the open position and positions the valve body at an arbitrary position from the closed position to the open position in accordance with a command from the control device; Including
The valve body includes a cone part inserted into the opening, an annular part that surrounds the cone part with a space therebetween and faces the valve seat,
The cone part includes a cone-shaped outer peripheral surface that is not in contact with the main body at any position from the closed position to the open position;
The substrate processing apparatus, wherein the annular portion includes an annular tip portion that is pressed perpendicularly to the valve seat in the closed position and separates from the valve seat in a position other than the closed position.
前記制御装置は、前記閉位置に位置する前記弁体を、前記開口の縁から前記錐体部までの径方向の距離が前記環状部から前記弁座までの軸方向の距離に等しい中間位置を介して、前記中間位置よりも前記開位置側の位置であり、前記電動バルブを通過する処理液の流量の目標値に対応する目標位置に移動させるとき、前記閉位置から前記中間位置までは、一定の移動速度で前記弁体を移動させる第1等速制御を行い、前記中間位置から前記目標位置までは、前記流量計の検出値に基づいて前記弁体を移動させるフィードバック制御を行う、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus further includes a flow meter for detecting a flow rate of the processing liquid passing through the electric valve,
The control device has an intermediate position in which the radial distance from the edge of the opening to the cone portion is equal to the axial distance from the annular portion to the valve seat. Through the position closer to the open position than the intermediate position, and when moving to the target position corresponding to the target value of the flow rate of the processing liquid passing through the electric valve, from the closed position to the intermediate position, Performing a first constant speed control for moving the valve body at a constant moving speed, and performing a feedback control for moving the valve body from the intermediate position to the target position based on a detection value of the flow meter. Item 4. The substrate processing apparatus according to any one of Items 1 to 3.
前記制御装置は、前記開口の縁から前記錐体部までの径方向の距離が前記環状部から前記弁座までの軸方向の距離に等しい中間位置よりも前記開位置側に位置する前記弁体を、前記中間位置を介して前記閉位置に移動させるとき、前記中間位置よりも前記開位置側の位置から前記中間位置までは、一定の移動速度で前記弁体を移動させる第2等速制御を行い、前記中間位置から前記閉位置までの少なくとも一部では、前記第2等速制御での前記弁体の移動速度よりも小さい移動速度で前記弁体を移動させる減速制御を行う、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus further includes a flow meter for detecting a flow rate of the processing liquid passing through the electric valve,
The control device is configured such that the radial distance from the edge of the opening to the cone portion is located closer to the open position than the intermediate position where the radial distance from the annular portion to the valve seat is equal to the axial direction. Second constant speed control for moving the valve body at a constant moving speed from the position closer to the open position than the intermediate position to the intermediate position when moving the valve body to the closed position via the intermediate position And at least a part from the intermediate position to the closed position, deceleration control is performed to move the valve body at a moving speed smaller than the moving speed of the valve body in the second constant speed control. The substrate processing apparatus as described in any one of 1-4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015005933A JP6512426B2 (en) | 2015-01-15 | 2015-01-15 | Substrate processing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015005933A JP6512426B2 (en) | 2015-01-15 | 2015-01-15 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016134390A true JP2016134390A (en) | 2016-07-25 |
JP6512426B2 JP6512426B2 (en) | 2019-05-15 |
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ID=56434615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015005933A Active JP6512426B2 (en) | 2015-01-15 | 2015-01-15 | Substrate processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6512426B2 (en) |
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JP6512426B2 (en) | 2019-05-15 |
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