JP7312304B2 - SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD - Google Patents
SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD Download PDFInfo
- Publication number
- JP7312304B2 JP7312304B2 JP2022134478A JP2022134478A JP7312304B2 JP 7312304 B2 JP7312304 B2 JP 7312304B2 JP 2022134478 A JP2022134478 A JP 2022134478A JP 2022134478 A JP2022134478 A JP 2022134478A JP 7312304 B2 JP7312304 B2 JP 7312304B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- pipe
- flow path
- adjustment valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
本発明は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
半導体装置、及び液晶表示装置のような基板を含む装置の製造工程では、基板を処理する基板処理装置が用いられていた。基板は、例えば、半導体ウエハ、又は液晶表示装置用ガラス基板である。 2. Description of the Related Art A substrate processing apparatus for processing a substrate has been used in a manufacturing process of a device including a substrate such as a semiconductor device and a liquid crystal display device. The substrate is, for example, a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device.
特許文献1には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。特許文献1に記載の基板処理装置は、スピンチャックと、処理液供給装置とを備える。スピンチャックは、基板を回転させる。処理液供給装置は、スピンチャックに保持されている基板に処理液を供給する。処理液供給装置は、ノズルと、供給配管と、バルブとを含む。ノズルは、基板に向けて処理液を吐出する。供給配管は、ノズルに処理液を供給する。バルブは、供送配管に設けられる。処理液は、ノズルから吐出されることで、基板に供給される。バルブは、弁体と弁座とを有する。弁体が弁座に接触することによりバルブが閉じられ、弁体が弁座から離れることによりバルブが開かれる。
Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-200002 discloses a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one. A substrate processing apparatus disclosed in
しかし、バルブが閉じられた後、バルブとノズルとの間に処理液が残っていることがあった。この場合、基板処理装置が基板の処理を行っていない状態で、バルブとノズルとの間に存在する処理液がノズルから垂れ落ちることがあった。 However, after the valve was closed, some processing liquid remained between the valve and the nozzle. In this case, the processing liquid existing between the valve and the nozzle sometimes drips from the nozzle while the substrate processing apparatus is not processing the substrate.
本発明は、基板処理装置が基板の処理を行っていない状態で、ノズルから処理液が垂れ落ちることを抑制できる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing dripping of a processing liquid from a nozzle while the substrate processing apparatus is not processing a substrate.
本発明の第1の局面によれば、基板処理装置は、ノズルから基板に処理液を供給することで前記基板を処理する。基板処理装置は、送液配管と、供給配管と、戻り配管と、調整バルブと、制御部とを備える。送液配管は、前記処理液を案内する。供給配管は、前記送液配管によって案内された前記処理液を前記ノズルに案内する。戻り配管は、前記送液配管によって案内された前記処理液を前記供給配管とは異なる経路に沿って案内する。調整バルブは、前記戻り配管に設けられる。制御部は、前記調整バルブを制御する。前記制御部は、前記調整バルブの開度が所定開度よりも小さい場合に、前記調整バルブの開度を調整することにより前記供給配管に供給される前記処理液の流量を調整する。前記制御部は、前記調整バルブの開度を前記所定開度以上にすることにより前記供給配管への前記処理液の供給を停止する。 According to the first aspect of the present invention, the substrate processing apparatus processes the substrate by supplying the processing liquid to the substrate from the nozzle. A substrate processing apparatus includes a liquid sending pipe, a supply pipe, a return pipe, an adjustment valve, and a controller. The liquid feeding pipe guides the processing liquid. A supply pipe guides the processing liquid guided by the liquid-sending pipe to the nozzle. The return pipe guides the processing liquid guided by the liquid-sending pipe along a path different from that of the supply pipe. A regulating valve is provided in the return line. A control unit controls the adjustment valve. The controller adjusts the flow rate of the processing liquid supplied to the supply pipe by adjusting the opening of the adjustment valve when the opening of the adjustment valve is smaller than a predetermined opening. The control unit stops the supply of the processing liquid to the supply pipe by setting the opening of the adjustment valve to the predetermined opening or more.
本発明の基板処理装置において、前記処理液の流路は、分岐部と、第1流路と、第2流路と、第3流路とを有する。分岐部は、前記送液配管、前記供給配管、及び前記戻り配管の分岐点である。第1流路は、前記分岐部に対して前記送液配管側に位置する。第2流路は、前記分岐部に対して前記供給配管側に位置する。第3流路は、前記分岐部に対して前記戻り配管側に位置する。第1角度が第2角度よりも大きい。前記第1角度は、前記分岐部から前記第1流路へ向かう第1方向と、前記分岐部から第3流路へ向かう第3方向とがなす角度を示す。前記第2角度は、前記第1方向と、前記分岐部から前記第2流路へ向かう第2方向とがなす角度を示す。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the processing liquid flow path has a branching portion, a first flow path, a second flow path, and a third flow path. A branch part is a branch point of the liquid-sending pipe, the supply pipe, and the return pipe. The first flow path is located on the liquid feeding pipe side with respect to the branching portion. The second flow path is located on the supply pipe side with respect to the branch portion. A third flow path is positioned on the return pipe side with respect to the branching portion. The first angle is greater than the second angle. The first angle is an angle formed by a first direction from the branch portion toward the first flow channel and a third direction from the branch portion toward the third flow channel. The second angle is an angle formed by the first direction and the second direction from the branch portion to the second flow path.
本発明の基板処理装置は、絞り部をさらに備える。絞り部は、前記第1流路に設けられる。 The substrate processing apparatus of the present invention further includes a throttle section. A narrowed portion is provided in the first flow path.
本発明の基板処理装置において、前記第3流路の上流部の径は、前記第1流路のうち前記絞り部の下流に位置する部分の径以上の大きさを有する。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the diameter of the upstream portion of the third flow path is equal to or greater than the diameter of the portion of the first flow path located downstream of the narrowed portion.
本発明の基板処理装置において、前記調整バルブの開度が前記所定開度以上の場合において、前記調整バルブの開度が一定の値に固定されると、前記供給配管内の前記処理液の滞留端部位置が一定の位置に保持される。 In the substrate processing apparatus of the present invention, when the opening degree of the adjustment valve is equal to or greater than the predetermined opening degree, if the opening degree of the adjustment valve is fixed at a constant value, the processing liquid remains in the supply pipe. The end position is held in a fixed position.
本発明の基板処理装置において、前記調整バルブの開度が前記所定開度以上の一定の値で固定された場合、前記調整バルブの固定された開度が大きい程、前記滞留端部位置が高い位置で保持される。 In the substrate processing apparatus of the present invention, when the opening of the adjustment valve is fixed at a constant value equal to or greater than the predetermined opening, the larger the fixed opening of the adjustment valve, the higher the retention end position. held in position.
本発明の基板処理装置は、循環配管をさらに備える。循環配管には、前記処理液が循環する。前記循環配管を流れる前記処理液が前記送液配管に供給される。 The substrate processing apparatus of the present invention further includes a circulation pipe. The processing liquid circulates in the circulation pipe. The processing liquid flowing through the circulation pipe is supplied to the liquid-sending pipe.
本発明の基板処理装置において、前記戻り配管によって案内された前記処理液が、前記循環配管に供給される。 In the substrate processing apparatus of the present invention, the processing liquid guided by the return pipe is supplied to the circulation pipe.
本発明の第2の局面によれば、基板処理方法は、ノズルから基板に処理液を供給することで前記基板を処理する方法である。基板処理方法は、前記処理液の流路に設けられた調整バルブの開度を変更する工程を備える。前記処理液の流路は、送液配管と、供給配管と、戻り配管とによって形成される。送液配管は、前記処理液を案内する。供給配管は、前記送液配管によって案内された前記処理液を前記ノズルに案内する。戻り配管は、前記送液配管によって案内された前記処理液を前記供給配管とは異なる経路に沿って案内する。前記調整バルブは、前記戻り配管に設けられる。前記調整バルブの開度を変更する工程において、前記調整バルブの開度が所定開度よりも小さい場合に、前記調整バルブの開度を調整することにより前記供給配管に供給される前記処理液の流量を調整する。前記調整バルブの開度を変更する工程において、前記調整バルブの開度を前記所定開度以上にすることにより前記供給配管への前記処理液の供給を停止する。 According to a second aspect of the present invention, a substrate processing method is a method for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate from a nozzle. The substrate processing method includes the step of changing the opening degree of an adjustment valve provided in the flow path of the processing liquid. The processing liquid flow path is formed by a liquid sending pipe, a supply pipe, and a return pipe. The liquid feeding pipe guides the processing liquid. A supply pipe guides the processing liquid guided by the liquid-sending pipe to the nozzle. The return pipe guides the processing liquid guided by the liquid-sending pipe along a path different from that of the supply pipe. The regulating valve is provided on the return line. In the step of changing the opening degree of the adjustment valve, when the opening degree of the adjustment valve is smaller than a predetermined opening degree, the processing liquid supplied to the supply pipe is reduced by adjusting the opening degree of the adjustment valve. Adjust the flow rate. In the step of changing the opening degree of the adjustment valve, the supply of the processing liquid to the supply pipe is stopped by setting the opening degree of the adjustment valve to the predetermined opening degree or more.
本発明の基板処理装置、及び基板処理方法によれば、基板処理装置が基板の処理を行っていない状態で、ノズルから処理液が垂れ落ちることを抑制できる。 According to the substrate processing apparatus and the substrate processing method of the present invention, it is possible to prevent the processing liquid from dripping from the nozzle while the substrate processing apparatus is not processing the substrate.
本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
図1を参照して、本発明の実施形態に係る基板処理装置100について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る基板処理装置100の構成を模式的に示す平面図である。
A
図1に示すように、基板処理装置100は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
As shown in FIG. 1, the
基板Wは、例えば、シリコンウエハ、樹脂基板、又は、ガラス・石英基板である。本実施形態では、基板Wとして、円板状の半導体基板が例示されている。しかし、基板Wの形状は特に限定されない。基板Wは、例えば、矩形状に形成されていてもよい。 The substrate W is, for example, a silicon wafer, a resin substrate, or a glass/quartz substrate. In this embodiment, as the substrate W, a disk-shaped semiconductor substrate is exemplified. However, the shape of the substrate W is not particularly limited. The substrate W may be formed, for example, in a rectangular shape.
基板処理装置100は、複数のロードポートLPと、複数の処理ユニット1と、記憶部2と、制御部3とを備える。
A
ロードポートLPは、基板Wを収容したキャリアCを保持する。処理ユニット1は、ロードポートLPから搬送された基板Wを処理流体で処理する。処理流体は、例えば、処理液、又は処理ガスを示す。
The load port LP holds a carrier C containing substrates W therein. The
記憶部2は、ROM(Read Only Memory)、及びRAM(Random Access Memory)のような主記憶装置(例えば、半導体メモリー)を含み、補助記憶装置(例えば、ハードディスクドライブ)をさらに含んでもよい。主記憶装置、及び/又は,補助記憶装置は、制御部3によって実行される種々のコンピュータープログラムを記憶する。
The storage unit 2 includes a main storage device (eg, semiconductor memory) such as ROM (Read Only Memory) and RAM (Random Access Memory), and may further include an auxiliary storage device (eg, hard disk drive). The main memory and/or auxiliary memory store various computer programs executed by the
制御部3は、CPU(Central Processing Unit)及びMPU(Micro Processing Unit)のようなプロセッサーを含む。制御部3は、基板処理装置100の各要素を制御する。
The
基板処理装置100は、搬送ロボットをさらに備える。搬送ロボットは、ロードポートLPと処理ユニット1との間で基板Wを搬送する。搬送ロボットは、インデクサロボットIRと、センターロボットCRとを含む。インデクサロボットIRは、ロードポートLPとセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送する。センターロボットCRは、インデクサロボットIRと処理ユニット1との間で基板Wを搬送する。インデクサロボットIR、及びセンターロボットCRの各々は、基板Wを支持するハンドを含む。
The
基板処理装置100は、複数の流体ボックス4と、薬液キャビネット5とをさらに備える。複数の流体ボックス4と、処理ユニット1とは、基板処理装置100の筐体100aの内部に配置されている。薬液キャビネット5は、基板処理装置100の筐体100aの外部に配置されている。薬液キャビネット5は、基板処理装置100の側方に配置されていてもよい。また、薬液キャビネット5は、基板処理装置100が設置されるクリーンルームの下(地下)に配置されていてもよい。
The
複数の処理ユニット1は、上下に積層された塔Uを構成する。塔Uは複数設けられる。複数の塔Uは、平面視においてセンターロボットCRを取り囲むように配置される。
A plurality of
本実施形態では、塔Uには、3つの処理ユニット1が積層される。また、塔Uは4つ設けられる。なお、塔Uを構成する処理ユニット1の個数は特に限定されない。また、塔Uの個数も特に限定されない。
In this embodiment, the tower U is stacked with three
複数の流体ボックス4は、それぞれ、複数の塔Uと対応する。薬液キャビネット5内の薬液は、流体ボックス4を介して、流体ボックス4と対応する塔Uに供給される。その結果、塔Uに含まれる全ての処理ユニット1に対して薬液が供給される。
A plurality of
図2を参照して、処理ユニット1について説明する。図2は、処理ユニット1の構成を模式的に示す側面図である。
The
図2に示すように、処理ユニット1は、チャンバー6と、スピンチャック10と、カップ14とを含む。
As shown in FIG. 2 , processing
チャンバー6は、隔壁8と、シャッター9と、FFU7(ファン・フィルタ・ユニット)とを含む。隔壁8は、中空の形状を有する。隔壁8には搬送口が設けられる。シャッター9は、搬送口を開閉する。FFU7は、クリーンエアーのダウンフローをチャンバー6内に形成する。クリーンエアーは、フィルターによってろ過された空気である。
センターロボットCRは、搬送口を通じてチャンバー6に基板Wを搬入し、搬送口を通じてチャンバー6から基板Wを搬出する。
The center robot CR loads the substrate W into the
スピンチャック10は、チャンバー6内に配置される。スピンチャック10は、基板Wを水平に保持しつつ、回転軸A1回りに回転させる。回転軸A1は、基板Wの中央部を通る鉛直な軸である。
A
スピンチャック10は、複数のチャックピン11と、スピンベース12と、スピンモータ13と、カップ14と、カップ昇降ユニット15とを含む。
The
スピンベース12は、円板状の部材である。複数のチャックピン11は、スピンベース12上で基板Wを水平な姿勢で保持する。スピンモータ13は、複数のチャックピン11を回転させることにより、回転軸A1回りに基板Wを回転させる。
The
本実施形態のスピンチャック10は、複数のチャックピン11を基板Wの外周面に接触させる挟持式のチャックである。しかし、本発明はこれに限定されない。スピンチャック10は、バキューム式のチャックでもよい。バキューム式のチャックは、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)をスピンベース12の上面に吸着させることにより、基板Wを水平に保持する。
The
カップ14は、基板Wから排出された処理液を受け止める。カップ14は、傾斜部14aと、案内部14bと、液受部14cとを含む。傾斜部14aは、回転軸A1に向かって斜め上に延びる筒状の部材である。傾斜部14aは、基板W及びスピンベース12よりも大きい内径を有する円環状の上端を含む。傾斜部14aの上端は、カップ14の上端に相当する。カップ14の上端は、平面視で基板W及びスピンベース12を取り囲んでいる。案内部14bは、傾斜部14aの下端部(外端部)から下方に延びる円筒状の部材である。液受部14cは、案内部14bの下部に位置し、上向きに開いた環状の溝を形成する。
The
カップ昇降ユニット15は、上昇位置と、下降位置との間でカップ14を昇降させる。カップ14が上昇位置に位置するとき、カップ14の上端が、スピンチャック10よりも上方に位置する。カップ14が下降位置に位置するとき、カップ14の上端が、スピンチャック10よりも下方に位置する。
The
基板Wに処理液が供給されるとき、カップ14は上昇位置に位置する。基板Wから外方に飛散した処理液は、傾斜部14aによって受け止められた後、案内部14bを介して液受部14c内に集められる。
When the processing liquid is supplied to the substrate W, the
処理ユニット1は、リンス液ノズル16と、リンス液配管17と、リンス液バルブ18とをさらに含む。リンス液ノズル16は、スピンチャック10に保持されている基板Wに向けてリンス液を吐出する。リンス液ノズル16は、リンス液配管17に接続されている。リンス液配管17には、リンス液バルブ18が介装されている。
The
リンス液バルブ18が開かれると、リンス液配管17からリンス液ノズル16にリンス液が供給される。そして、リンス液がリンス液ノズル16から吐出される。リンス液は、例えば、純水(脱イオン水:Deionized Water)である。リンス液は、純水に限定されず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、及び/又は、希釈濃度の塩酸水であってもよい。希釈濃度は、例えば、10ppm以上、100ppm以下の濃度である。
When the rinse
処理ユニット1は、薬液ノズル21と、ノズル移動ユニット22とをさらに含む。薬液ノズル21は、スピンチャック10に保持されている基板Wに向けて薬液を吐出する。ノズル移動ユニット22は、処理位置と退避位置との間で薬液ノズル21を移動させる。処理位置は、薬液ノズル21が基板Wに向けて薬液を吐出する位置を示す。退避位置は、薬液ノズル21が基板Wから離間した位置を示す。ノズル移動ユニット22は、例えば、揺動軸線A2回りに薬液ノズル21を旋回させることで薬液ノズル21を移動させる。揺動軸線A2は、カップ14の周辺に位置する鉛直な軸である。
基板処理装置100は、薬液供給装置30をさらに備える。薬液供給装置30は、処理ユニット1の薬液ノズル21に薬液を供給する。薬液ノズル21に供給される薬液は、例えば、イソプロピルアルコール(isopropyl alcohol:IPA)を含む。
The
薬液は、本発明の処理液の一例である。薬液ノズル21は、本発明のノズルの一例である。
A chemical solution is an example of the treatment liquid of the present invention. The chemical
図3を参照して、基板処理装置100によって実行される基板Wに対する処理の一例について説明する。図3は、基板処理装置100によって実行される基板Wに対する処理の一例を示すフロー図である。
With reference to FIG. 3, an example of the processing of the substrate W performed by the
図3に示すように、ステップS1において、制御部3は、基板Wをチャンバー6内に搬送する搬送処理を行う。以下では、搬送処理の手順について説明する。
As shown in FIG. 3 , in step S<b>1 , the
まず、薬液ノズル21が基板Wの上方から退避している状態で、センターロボットCRが基板Wをハンドで支持しつつ、ハンドをチャンバー6内に進入させる。そして、センターロボットCRは、ハンドで支持されている基板Wをスピンチャック10上に置く。その結果、基板Wがスピンチャック10上に搬送される。
First, while the
基板Wがスピンチャック10上に搬送されると、チャックピン11が基板Wを把持する。そして、スピンモータ13がチャックピン11を回転させる。その結果、基板Wが回転する。基板Wが回転すると、処理がステップS2に移行する。
When the substrate W is transferred onto the
ステップS2において、制御部3は、基板Wに対して薬液を供給する薬液供給処理を行う。以下では、薬液供給処理の手順について説明する。
In step S<b>2 , the
まず、ノズル移動ユニット22が、薬液ノズル21を処理位置に移動させる。そして、カップ昇降ユニット15が、カップ14を上昇位置まで上昇させる。そして、薬液供給装置30が薬液ノズル21への薬液の供給を開始する。その結果、薬液ノズル21が基板Wに向けて薬液を吐出する。
First, the
薬液ノズル21が薬液を吐出しているとき、ノズル移動ユニット22は、薬液ノズル21を中央処理位置と外周処理位置との間で移動させてもよい。中央処理位置は、薬液ノズル21から吐出された薬液が基板Wの上面中央部に着液する位置を示す。外周処理位置は、薬液ノズル21から吐出された薬液が基板Wの上面外周部に着液する位置を示す。また、薬液ノズル21が薬液を吐出しているとき、ノズル移動ユニット22は、薬液の着液位置が基板Wの上面中央部に位置するように薬液ノズル21を静止させてもよい。
While the chemical
薬液ノズル21から吐出された薬液は、基板Wの上面に着液した後、回転中の基板Wの上面に沿いつつ、基板Wの外方に向かって流れる。その結果、薬液の液膜が、基板Wの上面全域を覆うように形成される。
The chemical solution discharged from the
特に、ノズル移動ユニット22が薬液ノズル21を中央処理位置と外周処理位置との間で移動させる場合は、基板Wの上面全域が薬液の着液位置で走査される。従って、薬液を基板Wの上面全域に均一に供給することが可能である。
In particular, when the
薬液ノズル21への薬液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、薬液ノズル21への薬液の供給が停止される。そして、ノズル移動ユニット22が薬液ノズル21を退避位置に移動させる。薬液ノズル21が退避位置に到達すると、処理がステップS3に移行する。
After a predetermined time has elapsed since the supply of the chemical solution to the
ステップS3において、制御部3は、基板Wに対してリンス液の一例である純水を供給するリンス液供給処理を行う。以下では、リンス液供給処理の手順について説明する。
In step S<b>3 , the
まず、リンス液バルブ18が開かれて、リンス液ノズル16が純水の吐出を開始する。基板Wの上面に着液した純水は、回転中の基板Wの上面に沿いつつ、基板Wの外方に向かって流れる。基板W上の薬液は、リンス液ノズル16から吐出された純水によって洗い流される。その結果、純水の液膜が基板Wの上面全域に形成される。
First, the rinse
リンス液バルブ18が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ18が閉じられて、基板Wへの純水の吐出が停止される。基板Wへの純水の吐出が停止されると、処理がステップS4に移行する。
After a predetermined period of time has passed since the rinse
ステップS4において、制御部3は、基板Wの回転によって基板Wを乾燥させる乾燥処理を行う。以下では、乾燥処理の手順について説明する。
In step S4, the
まず、スピンモータ13が基板Wを、薬液供給処理時の基板Wの回転速度、及びリンス液供給処理時の基板Wの回転速度よりも大きい回転速度(例えば、数千rpm)で高速回転させる。その結果、基板Wから液体が除去されるので、基板Wが乾燥する。
First, the
基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ13が基板Wの回転を停止させる。基板Wの回転が停止すると、処理がステップS5に移行する。
The
ステップS5において、制御部3は、基板Wをチャンバー6から搬出する搬出処理を行う。以下では、搬出処理の手順について説明する。
In step S<b>5 , the
まず、カップ昇降ユニット15が、カップ14を下位置まで下降させる。そして、センターロボットCRが、ハンドをチャンバー6内に進入させる。そして、複数のチャックピン11が基板Wの把持を解除する。
First, the
複数のチャックピン11が基板Wの把持を解除した後、センターロボットCRは、スピンチャック10上の基板Wをハンドで支持する。そして、センターロボットCRは、ハンドで基板Wを支持しつつ、ハンドをチャンバー6の内部から退避させる。その結果、処理済みの基板Wがチャンバー6から搬出される。
After the multiple chuck pins 11 release the grip of the substrate W, the center robot CR supports the substrate W on the
処理済みの基板Wがチャンバー6から搬出されると、ステップS5に示す搬出処理が終了する。
When the processed substrate W is unloaded from the
ステップS1からステップS5に示す処理が繰り返されることで、基板処理装置100に搬送された複数の基板Wが一枚ずつ処理される。
A plurality of substrates W transported to the
次に、図4を参照して、薬液供給装置30について説明する。図4は、薬液供給装置30の構成を示す模式図である。
Next, the chemical
薬液供給装置30は、複数設けられる。複数の薬液供給装置30は、それぞれ、複数の塔U(図1参照)と対応する。薬液供給装置30は、対応する塔Uを構成する全ての処理ユニット1に対して薬液を供給する。
A plurality of chemical
本実施形態では、1つの塔Uは、3つの処理ユニット1で構成される。従って、1つの薬液供給装置30が、3つの処理ユニット1に薬液を供給する。
In this embodiment, one tower U is composed of three
図4に示すように、薬液供給装置30は、供給タンク31と、循環配管32と、循環ポンプ33と、循環フィルター34と、循環ヒータ35とを含む。
As shown in FIG. 4 , the chemical
供給タンク31は、薬液を貯留する。循環配管32は、管状の部材である。循環配管32内には、薬液が循環する循環路が形成される。循環配管32は、上流側端部32aと、下流側端部32bとを有する。循環配管32は、供給タンク31に連通する。具体的には、循環配管32の上流側端部32aと、下流側端部32bとが供給タンク31に連通する。
The
循環ポンプ33は、供給タンク31内の薬液を循環配管32に送る。循環ポンプ33が作動すると、供給タンク31内の薬液が循環配管32の上流側端部32aに送られる。上流側端部32aに送られた薬液は、循環配管32内を搬送されて、下流側端部32bから供給タンク31に排出される。循環ポンプ33が作動し続けることで、上流側端部32aから下流側端部32bに向かって、循環配管32内に薬液が流れ続ける。その結果、薬液が循環配管32を循環する。
The circulation pump 33 sends the chemical solution in the
循環フィルター34は、循環配管32を循環する薬液から、パーティクルのような異物を除去する。循環ヒータ35は、薬液を加熱することで、薬液の温度を調整する。循環ヒータ35は、薬液の温度を、例えば、室温よりも高い一定の温度(例えば、60℃)に保持する。循環配管32を循環する薬液の温度は、循環ヒータ35により一定の温度に保持される。
The
循環ポンプ33、循環フィルター34、及び循環ヒータ35は、循環配管32に設置される。
A circulation pump 33 , a
供給タンク31、循環ポンプ33、循環フィルター34、及び循環ヒータ35は、薬液キャビネット5内に設置される。
A
循環ポンプ33に代えて、加圧装置を設けてもよい。加圧装置は、供給タンク31内の気圧を上昇させることにより、供給タンク31内の薬液を循環配管32に送り出す。
A pressure device may be provided instead of the circulation pump 33 . The pressurizing device sends out the chemical liquid in the
薬液供給装置30は、複数の供給機構40をさらに備える。本実施形態では、3つの供給機構40が設けられる。
The chemical
複数の供給機構40の各々は、循環配管32に連通する。複数の供給機構40の各々には、循環配管32を循環する薬液が供給される。
Each of the
複数の供給機構40は、複数の処理ユニット1と対応する。供給機構40は、対応する処理ユニット1に薬液を供給する。処理ユニット1に供給された薬液は、薬液ノズル21から吐出される。
A plurality of
薬液供給装置30は、回収タンク51と、回収配管52と、回収ポンプ53と、回収フィルター54とをさらに有する。
The
回収タンク51は、複数の供給機構40の各々と連通する。回収タンク51は、薬液ノズル21から吐出されること無く複数の供給機構40の各々を通過した薬液を収容する。
The
回収配管52は、管状の部材である。回収配管52は、回収タンク51内の薬液を供給タンク31へ案内する。回収配管52は、上流側端部52aと、下流側端部52bとを含む。上流側端部52aは、回収タンク51に連通する。下流側端部52bは、供給タンク31に連通する。
The
回収ポンプ53は、回収配管52に設置される。回収ポンプ53は、回収配管52を通じて、回収タンク51内の薬液を供給タンク31へ圧送する。回収フィルター54は、回収配管52に設置される。回収フィルター54は、回収配管52を流れる薬液から異物を除去する。
A
次に、図5を参照して、供給機構40について説明する。図5は、供給機構40の構成を示す模式図である。
Next, the
図5に示すように、供給機構40は、送液配管41と、分岐部42と、供給配管43と、戻り配管44とを有する。送液配管41、供給配管43、及び戻り配管44は、分岐部42を介して互いに連通する。
As shown in FIG. 5 , the
送液配管41は、管状の部材である。送液配管41は、循環配管32を循環する薬液を循環配管32の外部に案内する。送液配管41は、上流側端部41aと、下流側端部41bとを含む。上流側端部41aは、循環配管32に連通する。
The liquid-sending
供給配管43は、管状の部材である。供給配管43は、送液配管41により案内された薬液を薬液ノズル21に案内する。供給配管43は、上流側端部43aと、下流側端部43bとを含む。上流側端部43aは、分岐部42を介して送液配管41の下流側端部41bと連通する。下流側端部43bは、薬液ノズル21に連通する。
The
戻り配管44は、管状の部材である。戻り配管44は、送液配管41によって案内された処理液を供給配管43とは異なる経路に沿って案内する。本実施形態では、戻り配管44は、薬液を回収タンク51に案内する。戻り配管44は、上流側端部44aと、下流側端部44bとを含む。上流側端部44aは、分岐部42を介して送液配管41の下流側端部41b、及び供給配管43の上流側端部43aの各々と連通する。下流側端部44bは、回収タンク51に連通する。
The
供給機構40は、流量計45と、介装部材46と、調整バルブ47とをさらに有する。
The
流量計45は、送液配管41を流れる薬液の流量を検出する。流量計45は、送液配管41に設置される。薬液の流量は、詳細には、送液配管41内の所定位置を流れる単位時間当たりの薬液の量を示す。
The
介装部材46は、分岐部42に配置される。介装部材46は、中空の部材である。介装部材46は、送液配管41と、供給配管43と、戻り配管44との間に介装される。送液配管41、供給配管43、及び戻り配管44は、介装部材46を介して互いに連通される。
The interposed
調整バルブ47は、戻り配管44に設置される。調整バルブ47は、開度を変更可能である。開度は、調整バルブ47が開いている程度を示す。調整バルブ47の開度が小さくなる程、調整バルブ47が開いている程度が小さくなる。
A regulating
調整バルブ47は、モータのような駆動源を含み、駆動源の動力により開度を変更する。図1に示す制御部3は、駆動源を操作することで、調整バルブ47の開度を制御する。
The
次に、図4及び図5を参照して、薬液供給装置30内の薬液の流れについて説明する。
Next, the flow of the chemical solution in the chemical
図4及び図5に示すように、循環配管32を循環する薬液は、循環配管32から送液配管41に流入すると、送液配管41により分岐部42へ案内される。分岐部42から供給配管43へ供給された薬液は、薬液ノズル21から吐出される。分岐部42から戻り配管44へ供給された薬液は、戻り配管44から回収タンク51へ排出される。回収タンク51へ排出された薬液は、回収配管52を通じて供給タンク31に供給される。供給タンク31に供給された薬液は、循環配管32を循環する。
As shown in FIGS. 4 and 5 , when the chemical liquid circulating in the
次に、図6を参照して、介装部材46について説明する。図6は、介装部材46の切断端面図である。
Next, the interposing
図6に示すように、介装部材46は、第1部材46aと、第2部材46bと、第3部材46cとを有する。第1部材46a、第2部材46b、及び第3部材46cは、中空の部材であり、互いに連通する。第1部材46a、第2部材46b、及び第3部材46cが互いに連通する空所が、分岐部42を構成する。
As shown in FIG. 6, the interposed
第1部材46a、及び第3部材46cは、分岐部42から互いに反対方向に突出する。第2部材46bは、分岐部42から、第1部材46a、及び第3部材46cの各々に対して垂直な方向に突出する。
The
第1部材46aは、第1開口部4Aを有する。第1開口部4Aは、第1部材46aの内部と外部とを連通する。第1開口部4Aには、送液配管41の下流側端部41bが連結される。
The
第2部材46bは、第2開口部4Bを有する。第2開口部4Bは、第2部材46bの内部と外部とを連通する。第2開口部4Bには、供給配管43の上流側端部43aが連結される。
The
第3部材46cは、第3開口部4Cを有する。第3開口部4Cは、第3部材46cの内部と外部とを連通する。第3開口部4Cには、戻り配管44の上流側端部44aが連結される。
The
送液配管41を流れる薬液は、第1開口部4Aを介して介装部材46の内部に供給される。介装部材46の内部の薬液は、第2開口部4Bを介して供給配管43に供給される。介装部材46の内部の薬液は、第3開口部4Cを介して戻り配管44に供給される。
The chemical liquid flowing through the liquid-sending
薬液の流路は、分岐部42と、第1流路R1と、第2流路R2と、第3流路R3とを有する。分岐部42は、送液配管41、供給配管43、及び戻り配管44の分岐点である。第1流路R1は、分岐部42に対して送液配管41側に位置する薬液の流路を示す。第1流路R1は、分岐部42と送液配管41の上流側端部41a(図5参照)との間に位置する。第2流路R2は、分岐部42に対して供給配管43側に位置する薬液の流路を示す。第2流路R2は、分岐部42と供給配管43の下流側端部43bとの間に位置する。第3流路R3は、分岐部42に対して戻り配管44側に位置する薬液の流路を示す。第3流路R3は、分岐部42と戻り配管44の下流側端部44bとの間に位置する。
The chemical liquid flow path has a
供給機構40は、絞り部46dをさらに有する。絞り部46dは、第1流路R1に配置される。絞り部46dは、第1流路R1の流路面積を絞るオリフィスとして機能する。流路面積は、薬液が流れる方向に対して垂直な薬液の流路の断面の面積である。
The
本実施形態では、絞り部46dは、介装部材46の第1部材46aに形成される。絞り部46dは、分岐部42と対向する。絞り部46dは分岐部42に向けて薬液を噴出する。本実施形態では、絞り部46dは、分岐部42の近傍に位置する。従って、薬液は、絞り部46dから噴出した直後に、分岐部42に流れ込む。
In this embodiment, the narrowed
図6は、第1方向Q1と、第2方向Q2と、第3方向Q3とを示す。 FIG. 6 shows a first direction Q1, a second direction Q2 and a third direction Q3.
第1方向Q1は、分岐部42から第1流路R1へ向かう方向を示す。第2方向Q2は、分岐部42から第2流路R2へ向かう方向を示す。第3方向Q3は、分岐部42から第3流路R3へ向かう方向を示す。
A first direction Q1 indicates a direction from the
図6は、第1角度θ1と、第2角度θ2とをさらに示す。第1角度θ1は、第1方向Q1と第3方向Q3とがなす角度を示す。第1角度θ1は、詳細には、第1方向Q1と第3方向Q3とがなす角度のうち、小さい方の角度を示す。第2角度θ2は、第1方向Q1と第2方向Q2とがなす角度を示す。第2角度θ2は、詳細には、第1方向Q1と第2方向Q2とがなす角度のうち、小さい方の角度を示す。 FIG. 6 further shows the first angle θ1 and the second angle θ2. A first angle θ1 indicates an angle formed by the first direction Q1 and the third direction Q3. Specifically, the first angle θ1 indicates the smaller angle of the angles formed by the first direction Q1 and the third direction Q3. A second angle θ2 indicates an angle formed by the first direction Q1 and the second direction Q2. Specifically, the second angle θ2 indicates the smaller angle of the angles formed by the first direction Q1 and the second direction Q2.
第1角度θ1は、第2角度θ2よりも大きい(第1角度θ1>第2角度θ2)。すなわち、第3流路R3の方が第2流路R2よりも第1流路R1に対して屈曲していない。従って、第1流路R1から分岐部42に流れる薬液は、主に第3流路R3へ案内される。言い換えれば、絞り部46dは、第3流路R3に向けて薬液を噴出する。
The first angle θ1 is greater than the second angle θ2 (first angle θ1>second angle θ2). That is, the third flow path R3 is less curved with respect to the first flow path R1 than the second flow path R2. Therefore, the chemical liquid flowing from the first flow path R1 to the
本実施形態では、第1角度θ1は角度180度であり、第2角度θ2は角度90度である。 In this embodiment, the first angle θ1 is 180 degrees and the second angle θ2 is 90 degrees.
図7を参照して、薬液の圧力について説明する。図7は、薬液の圧力を示す模式図である。 The pressure of the chemical will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic diagram showing the pressure of the chemical solution.
図7は、第1圧力P1と、第2圧力P2と、第3圧力P3とを示す。第1圧力P1は、第1流路R1のうち絞り部46dよりも上流の領域に位置する薬液の圧力を示す。第2圧力P2は、分岐部42に位置する薬液の圧力を示す。第3圧力P3は、第2流路R2に位置する薬液の圧力を示す。
FIG. 7 shows a first pressure P1, a second pressure P2 and a third pressure P3. The first pressure P1 indicates the pressure of the chemical solution located upstream of the narrowed
図7は、第1移動方向X1と、第1移動速度V1とをさらに示す。第1移動方向X1は、第1流路R1内において絞り部46dの上流を流れている薬液の移動方向を示す。第1移動速度V1は、第1流路R1内において絞り部46dの上流を流れている薬液の移動速度を示す。
FIG. 7 further shows the first movement direction X1 and the first movement speed V1. The first moving direction X1 indicates the moving direction of the chemical liquid flowing upstream of the narrowed
図7は、第2移動方向X2と、第2移動速度V2とをさらに示す。第2移動方向X2は、薬液が第1流路R1から分岐部42に流れ込むときの薬液の移動方向を示す。第2移動方向X2は、図6に示す第1方向Q1の反対方向である。第2移動速度V2は、薬液が第1流路R1から分岐部42に流れ込むときの薬液の移動速度を示す。
FIG. 7 further shows a second movement direction X2 and a second movement speed V2. The second movement direction X2 indicates the movement direction of the chemical liquid when it flows from the first flow path R1 into the
本実施形態では、絞り部46dから噴出した薬液は、第1流路R1から分岐部42に流れ込む際、第2移動方向X2に向かいつつ第2移動速度V2で移動している。
In the present embodiment, when the chemical liquid ejected from the narrowed
図7に示すように、絞り部46dの流路面積は、絞り部46dの上流の流路面積よりも小さい。従って、ベルヌーイの定理により、絞り部46dでは、絞り部46dの上流に比べて、薬液の移動速度が増加すると共に、薬液の圧力が減少する。その結果、絞り部46dで加速されると共に減圧された薬液が、絞り部46dから噴出する。
As shown in FIG. 7, the channel area of the
絞り部46dで加速されると共に減圧された薬液が絞り部46dから噴出するので、第2移動速度V2が第1移動速度V1よりも大きくなる(第2移動速度V2>第1移動速度V1)。また、第2圧力P2が第1圧力P1よりも小さくなる(第2圧力P2<第1圧力P1)。
Since the chemical liquid, which is accelerated and decompressed by the narrowed
図5に示す調整バルブ47の開度が変更されることで、第2圧力P2が変更される。調整バルブ47の開度が小さくなる程、第3流路R3のうち調整バルブ47が位置する場所の流路面積が小さくなる。その結果、調整バルブ47を通過する単位時間当たりの薬液の量が少なくなるので、第2圧力P2が大きくなる。
The second pressure P2 is changed by changing the opening degree of the
なお、調整バルブ47の開度の変更は、図1に示す制御部3により行われる。
In addition, the change of the opening degree of the
図7は、第1径D1と、第2径D2と、第3径D3と、第4径D4と、第5径D5とを示す。第1径D1は、第1流路R1のうち絞り部46dの上流に位置する部分の径を示す。第2径D2は、絞り部46dの径を示す。第3径D3は、第1流路R1のうち絞り部46dの下流に位置する部分の径を示す。第4径D4は、第3流路R3の上流部の径を示す。第3流路R3の上流部は、第3流路R3のうち分岐部42の近傍を示す。第5径D5は、第2流路R2の上流部の径を示す。第2流路R2の上流部は、第2流路R2のうち分岐部42の近傍を示す。
FIG. 7 shows a first diameter D1, a second diameter D2, a third diameter D3, a fourth diameter D4 and a fifth diameter D5. The first diameter D1 indicates the diameter of the portion of the first flow path R1 located upstream of the narrowed
第1径D1は、第2径D2よりも大きい(第1径D1>第2径D2)。第3径D3は、第2径D2よりも大きい(第3径D3>第2径D2)。第4径D4は、第3径D3以上の大きさを有する(第4径D4≧第3径D3)。第4径D4は、第5径D5以上の大きさを有する(第4径D4≧第5径D5)。なお、第4径D4と第5径D5との大小関係は特に限定されない。第4径D4が第5径D5よりも小さくてもよい。 The first diameter D1 is larger than the second diameter D2 (first diameter D1>second diameter D2). The third diameter D3 is larger than the second diameter D2 (third diameter D3>second diameter D2). The fourth diameter D4 is greater than or equal to the third diameter D3 (fourth diameter D4≧third diameter D3). The fourth diameter D4 is greater than or equal to the fifth diameter D5 (fourth diameter D4≧fifth diameter D5). Note that the size relationship between the fourth diameter D4 and the fifth diameter D5 is not particularly limited. The fourth diameter D4 may be smaller than the fifth diameter D5.
次に、図7から図9を参照して、調整バルブ47の開度と、薬液ノズル21からの薬液の吐出量との関係について説明する。図8は、薬液ノズル21から薬液が吐出されている状態を示す模式図である。
Next, the relationship between the opening degree of the
図9は、調整バルブ47の開度と、薬液ノズル21からの薬液の吐出量との関係を示す第1グラフG1である。第1グラフG1において、横軸は、調整バルブ47の開度を示す。第1グラフG1において、縦軸は、薬液ノズル21からの薬液の吐出量を示す。薬液の吐出量は、詳細には、単位時間当たりの薬液の吐出量を示す。
FIG. 9 is a first graph G1 showing the relationship between the opening degree of the
図7から図9に示すように、制御部3が、調整バルブ47の開度を調整して、第2圧力P2を第3圧力P3よりも大きくすることで、第2圧力P2と第3圧力P3との圧力差により(第2圧力P2>第3圧力P3)、吸引力F1が発生する。吸引力F1は、第1流路R1から分岐部42に供給された薬液を第2流路R2に吸引する力を示す。調整バルブ47の開度が小さい程、吸引力F1が大きくなる。
As shown in FIGS. 7 to 9, the
本実施形態では、図6に示すように第1角度θ1は、第2角度θ2よりも大きい(θ1>θ2)。従って、吸引力F1が発生していない状態では、第1流路R1から分岐部42に流れる薬液は、主に第3流路R3へ案内される。しかし、吸引力F1が発生することで、分岐部42から第3流路R3へ流れようとする薬液が第2流路R2に引き込まれる。第2流路R2に引き込まれた薬液は、薬液ノズル21に供給される。その結果、薬液ノズル21から薬液が吐出される。
In this embodiment, as shown in FIG. 6, the first angle θ1 is larger than the second angle θ2 (θ1>θ2). Therefore, in a state where the suction force F1 is not generated, the chemical liquid flowing from the first flow path R1 to the
調整バルブ47の開度が最小開度J0の場合、調整バルブ47が閉じられず、開いている。この場合、調整バルブ47は、僅かに開いている。この場合、第1流路R1から分岐部42に供給された薬液は、主に第2流路R2を介して薬液ノズル21に供給される。その結果、薬液ノズル21から薬液が吐出される。また、この場合、薬液ノズル21からの薬液の吐出量が、最大吐出量Hになる。また、この場合、回収タンク51には僅かな量の薬液が供給され、又は、回収タンク51に薬液が供給されない。
When the opening degree of the
なお、調整バルブ47の開度が最小開度J0の場合に、調整バルブ47が閉じられてもよい。この場合、第1流路R1から分岐部42に供給された薬液の全てが、第2流路R2を介して薬液ノズル21に供給される。この場合、回収タンク51には薬液が供給されない。
Note that the
調整バルブ47の開度が所定開度J1以上の場合、第2流路R2に薬液を引き込める程度の吸引力F1が発生しない。従って、第1流路R1から分岐部42に供給された薬液の全てが、第3流路R3を介して回収タンク51に供給される。その結果、薬液ノズル21から薬液が吐出されない。
When the opening degree of the
所定開度J1は、薬液ノズル21から薬液が吐出されないときの調整バルブ47の開度の最小値を示す。
The predetermined degree of opening J1 indicates the minimum value of the degree of opening of the
調整バルブ47の開度が最小開度J0よりも大きく、かつ、所定開度J1よりも小さい場合、第1流路R1から分岐部42に供給された薬液の一部が第2流路R2に流れ、分岐部42に供給された薬液の他の一部が第3流路R3に流れる。その結果、薬液ノズル21から薬液が吐出されつつ、回収タンク51に薬液が供給される。
When the opening degree of the
調整バルブ47の開度が最小開度J0よりも大きく、かつ、所定開度J1よりも小さい場合、調整バルブ47の開度が小さくなる程、薬液ノズル21からの薬液の吐出量が多くなる。言い換えれば、この場合、調整バルブ47の開度が小さくなる程、回収タンク51に供給される薬液の量が少なくなる。従って、調整バルブ47の開度を調整することで、薬液ノズル21からの薬液の吐出量を調整することができる。
When the opening degree of the
次に、図7、図10及び図11を参照して、調整バルブ47の開度と、薬液の滞留端部位置Zとの関係について説明する。薬液の滞留端部位置Zは、第2流路R2に滞留している薬液の薬液ノズル21側の端部位置を示す。
Next, referring to FIGS. 7, 10 and 11, the relationship between the degree of opening of the
図10は、薬液ノズル21からの薬液の吐出が停止されている状態を示す模式図である。図11は、調整バルブ47の開度と、薬液の滞留端部位置Zとの関係を示す第2グラフG2である。第2グラフG2において、横軸は調整バルブ47の開度を示し、縦軸は薬液の滞留端部位置Zを示す。
FIG. 10 is a schematic diagram showing a state in which ejection of the chemical solution from the
図7、図10及び図11に示すように、制御部3が、調整バルブ47の開度を調整して、第2圧力P2を第3圧力P3よりも小さくすることで、第2圧力P2と第3圧力P3との圧力差により(第2圧力P2<第3圧力P3)、引込力F2が発生する。引込力F2は、第2流路R2内の薬液を分岐部42に引き込む力を示す。調整バルブ47の開度が大きくなる程、引込力F2が大きくなる。
As shown in FIGS. 7, 10 and 11, the
引込力F2が発生することで、サックバックが生じる。サックバックは、第2流路R2内の薬液の全部又は一部が引込力F2により分岐部42に引き込まれることを示す。その結果、薬液ノズル21から薬液が吐出されることが停止される。
Suckback occurs due to the generation of the pulling force F2. Suck back indicates that all or part of the chemical liquid in the second flow path R2 is drawn into the
サックバックにより第2流路R2から分岐部42に流れた薬液は、絞り部46dから噴出される薬液の流れXに巻き込まれることで、第3流路R3に供給される(アスピレート効果)。そして、第3流路R3に供給された薬液は、回収タンク51に供給される。
The chemical liquid that has flowed from the second flow path R2 to the
本実施形態では、調整バルブ47の開度が所定開度J1以上の場合、引込力F2が発生する。その結果、薬液ノズル21から薬液が吐出されることが停止される。
In this embodiment, when the opening degree of the
調整バルブ47の開度が所定開度J1以上の場合において、調整バルブ47の開度が一定の値に固定されると、薬液の滞留端部位置Zが一定の位置に保持される。この場合、引込力F2と、第2流路R2内の薬液の重量とが釣り合うことで、薬液の滞留端部位置Zが一定の位置に保持される。その結果、第2流路R2内の薬液が引込力F2により支持されるので、第2流路R2内の薬液が薬液ノズル21から垂れ落ちることが抑制される。
When the opening degree of the adjusting
調整バルブ47の開度が所定開度J1以上の一定の値で固定された場合、調整バルブ47の固定された開度が大きい程、滞留端部位置Zが高い位置で保持される。
When the opening of the regulating
滞留端部位置Zが高くなる程、滞留端部位置Zが分岐部42に近づく。滞留端部位置Zが低くなる程、滞留端部位置Zが薬液ノズル21に近づく。
The higher the staying end position Z is, the closer the staying end position Z is to the
以上、図7から図11を参照して説明したように、制御部3は、調整バルブ47の開度を、第1の開度、及び第2の開度のうちのいずれかの開度に切り換え可能である。
As described above with reference to FIGS. 7 to 11, the
第1の開度は、所定開度J1よりも小さい開度を示す。この場合、送液配管41によって案内された薬液の全部又は一部が供給配管43に供給される。その結果、薬液ノズル21から薬液が吐出される。
The first opening indicates an opening smaller than the predetermined opening J1. In this case, all or part of the chemical solution guided by the
第2の開度は、所定開度J1以上の開度を示す。この場合、供給配管43内の薬液の全部又は一部が、アスピレート効果により戻り配管44に供給される。また、この場合、供給配管43内の薬液に対して引込力F2が作用する。従って、制御部3は、調整バルブ47の開度を所定開度J1以上の一定の値で固定することで、基板処理装置100が不使用のときでも、供給配管43内の薬液に対して引込力F2を作用させ続けることができる。その結果、基板処理装置100が不使用の状態で、薬液ノズル21から薬液が垂れ落ちることを抑制できる。
The second degree of opening indicates the degree of opening equal to or greater than the predetermined degree of opening J1. In this case, all or part of the chemical solution in the
基板処理装置100が不使用の状態は、基板処理装置100が基板Wの処理を行っていない状態を示す。基板処理装置100が使用されている状態は、基板処理装置100が基板Wの処理を行っている状態を示す。
A state in which the
また、調整バルブ47の開度が第1の開度のとき、薬液ノズル21から薬液が吐出される。調整バルブ47の開度が第2の開度のとき、薬液ノズル21から薬液が吐出されない。従って、薬液ノズル21の上流にバルブを設けなくても、薬液ノズル21から薬液を吐出させるか否かを制御することができる。その結果、薬液ノズル21の上流でのバルブの開閉動作によるパーティクルが発生することを抑制できるので、薬液ノズル21から吐出された薬液中のパーティクルを低減することができる。薬液ノズル21の上流は、送液配管41、及び供給配管43を示す。
Further, when the opening degree of the
基板処理装置100が使用された後、不使用の状態になった場合において、供給配管43内に薬液が滞留していないと、供給配管43内が冷えると共に空気に触れることで供給配管43内に結露が生じることがある。そして、供給配管43内に結露が生じた後、基板処理装置100の使用が再開されると、結露により生じた水が不純物として薬液に混ざるので、不具合が発生するおそれがある。しかし、本実施形態では、調整バルブ47の開度が所定開度J1以上の場合において、調整バルブ47の開度が一定の値に固定されると、供給配管43内の薬液の滞留端部位置Zが一定の位置に保持される。従って、基板処理装置100が不使用の状態で、供給配管43内に薬液を滞留させることができる。その結果、供給配管43内に結露が生じることを抑制できるので、基板処理装置100の使用の再開後に、不具合が発生することを抑制できる。
When the
また、基板処理装置100の不使用時に供給配管43内に薬液を滞留させることで、基板処理装置100の使用の再開後に、薬液ノズル21から薬液を迅速に吐出することができる。また、供給配管43内の薬液の滞留端部位置Zを変更することで、薬液ノズル21から薬液の吐出が開始されるタイミングを調整することができる。
Further, by causing the chemical solution to stay in the
以上、図面(図1~図11)を参照しながら本発明の実施形態について説明した。但し、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である(例えば、(1)~(7))。また、上記の実施形態に開示されている複数の構成要素を適宜組み合わせることによって、種々の発明の形成が可能である。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。図面は、理解しやすくするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の個数等は、図面作成の都合から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings (FIGS. 1 to 11). However, the present invention is not limited to the above embodiments, and can be implemented in various aspects without departing from the scope of the invention (eg, (1) to (7)). Further, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments. For example, some components may be omitted from all components shown in the embodiments. In order to facilitate understanding, the drawings mainly show each component schematically, and the number of each component shown in the figure may differ from the actual number for convenience of drawing preparation. Also, each component shown in the above embodiment is an example and is not particularly limited, and various modifications are possible within a range that does not substantially deviate from the effects of the present invention.
(1)図12は、供給機構40の変形例を示す図である。図12に示すように、供給機構40の変形例は、流量計45が供給配管43に設けられている点が本実施形態の基板処理装置100と異なる。
(1) FIG. 12 is a diagram showing a modification of the
(2)本実施形態では、供給タンク31に薬液が貯留される。しかし、本発明はこれに限定されない。供給タンク31にリンス液が貯留されてもよい。すなわち、図5及び図12において、リンス液が送液配管41、供給配管43、及び戻り配管44を流れ、薬液ノズル21がリンス液ノズル16であってもよい。この場合、リンス液は、本発明の処理液の二例である。また、リンス液ノズル16は、本発明のノズルの二例である。
(2) In this embodiment, the chemical liquid is stored in the
また、本発明の処理液は、薬液、及びリンス液に限定されず、基板処理装置100において、基板Wを処理するために使用される液体であればよい。
Moreover, the processing liquid of the present invention is not limited to the chemical liquid and the rinse liquid, and may be any liquid that is used to process the substrate W in the
(3)図5及び図12に示す流量計45を設けなくても基板処理装置100が機能する場合は、流量計45を設けなくてもよい。
(3) If the
(4)図10に示す絞り部46dを設けなくても、アスピレート効果を生じさせることができる十分に速い薬液の第2移動速度V2(図7参照)を確保できる場合には、絞り部46dを設けなくてもよい。その結果、基板処理装置100の装置構成を簡素化することができる。
(4) If the second movement speed V2 (see FIG. 7) of the chemical solution that is sufficiently fast enough to produce the aspirate effect can be ensured without providing the
なお、本実施形態、及び本実施形態の変形例のように絞り部46dを設けた場合は、第1移動速度V1がアスピレート効果を生じさせるのに不十分な速さであっても、絞り部46dにより薬液の第2移動速度V2を第1移動速度V1よりも速くできる。従って、アスピレート効果を効果的に生じさせることができる。
It should be noted that when the
(5)本実施形態、及び本実施形態の変形例において、送液配管41に第1流路R1を開閉する第1開閉バブルが設けられてもよい。この場合、例えば、基板処理装置100が不使用のときに第1開閉バルブが閉じられ、基板処理装置100が使用されるときに第1開閉バルブが開かれる。また、供給配管43に第2流路R2を開閉する第2開閉バルブが設けられてもよい。この場合、例えば、基板処理装置100が不使用のときに第2開閉バルブが閉じられ、基板処理装置100が使用されるときに第2開閉バルブが開かれる。しかし、本実施形態、及び本実施形態の変形例のように、第1開閉バルブ及び第2開閉バブルが設けられない方が、パーティクルを効果的に抑制することができる点で有利である。
(5) In the present embodiment and the modified example of the present embodiment, a first opening/closing bubble that opens and closes the first flow path R1 may be provided in the
(6)図4、図5及び図12に示すように、本実施形態、及び本実施形態の変形例では、戻り配管44から排出された薬液は、回収タンク51及び回収配管52を介して供給タンク31に供給される。しかし、本発明はこれに限定されない。戻り配管44が回収タンク51に直接に連通され、戻り配管44から排出された薬液が回収タンク51に供給されてもよい。また、戻り配管44が循環配管32に直接に連通され、戻り配管44から排出された薬液が循環配管32に供給されてもよい。この場合、戻り配管44内の薬液の圧力よりも循環配管32内の薬液の圧力の方が低いことが、戻り配管44内の薬液を循環配管32に戻すための条件となる。
(6) As shown in FIGS. 4, 5 and 12, in this embodiment and the modification of this embodiment, the chemical liquid discharged from the
(7)本実施形態、及び本実施形態の変形例において、処理ユニット1は、対向部材23(図12参照)をさらに含んでいてもよい。対向部材(遮断板)23は、基板Wの上面に対して対向配置可能である。対向部材23のうち基板Wの上面と対向する面の寸法は、例えば、基板Wの上面の寸法よりも大きい。薬液ノズル21は、基板Wの上面に対して対向部材23の中央部から間隔を空けて対向する。
(7) In this embodiment and the modification of this embodiment, the
本発明は、基板処理装置、及び基板処理方法の分野に利用可能である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used in the fields of substrate processing apparatuses and substrate processing methods.
3 制御部
21 薬液ノズル(ノズル)
32 循環配管
41 送液配管
42 分岐部
43 供給配管
44 戻り配管
46d 絞り部
47 調整バルブ
100 基板処理装置
D3 第3径(第3流路の上流部の径)
D4 第4径(第1流路のうち絞り部の下流に位置する部分の径)
J1 所定開度
Q1 第1方向
Q2 第2方向
Q3 第3方向
R1 第1流路
R2 第2流路
R3 第3流路
W 基板
Z 滞留端部位置
θ1 第1角度
θ2 第2角度
3
32
D4 fourth diameter (diameter of the portion of the first flow path located downstream of the restrictor)
J1 Predetermined degree of opening Q1 First direction Q2 Second direction Q3 Third direction R1 First channel R2 Second channel R3 Third channel W Substrate Z Retention end position θ1 First angle θ2 Second angle
Claims (9)
前記処理液を案内する送液配管と、
前記送液配管によって案内された前記処理液を前記ノズルに案内する供給配管と、
前記送液配管によって案内された前記処理液を前記供給配管とは異なる経路に沿って案内する戻り配管と、
前記戻り配管に設けられる調整バルブと、
前記調整バルブを制御する制御部と
を備え、
前記制御部は、前記調整バルブの開度が所定開度よりも小さい場合に、前記調整バルブの開度を調整することにより前記供給配管に供給される前記処理液の流量を調整し、
前記制御部は、前記調整バルブの開度を前記所定開度以上にすることにより前記供給配管への前記処理液の供給を停止する、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate from a nozzle,
a liquid feeding pipe that guides the processing liquid;
a supply pipe that guides the processing liquid guided by the liquid supply pipe to the nozzle;
a return pipe that guides the processing liquid guided by the liquid supply pipe along a path different from that of the supply pipe;
a regulating valve provided in the return pipe;
a control unit that controls the adjustment valve,
The control unit adjusts the flow rate of the processing liquid supplied to the supply pipe by adjusting the opening degree of the adjustment valve when the opening degree of the adjustment valve is smaller than a predetermined opening degree,
The substrate processing apparatus, wherein the control unit stops the supply of the processing liquid to the supply pipe by setting the opening degree of the adjustment valve to the predetermined opening degree or more.
前記送液配管、前記供給配管、及び前記戻り配管の分岐点である分岐部と、
前記分岐部に対して前記送液配管側に位置する第1流路と、
前記分岐部に対して前記供給配管側に位置する第2流路と、
前記分岐部に対して前記戻り配管側に位置する第3流路と
を有し、
第1角度が第2角度よりも大きく、
前記第1角度は、前記分岐部から前記第1流路へ向かう第1方向と、前記分岐部から第3流路へ向かう第3方向とがなす角度を示し、
前記第2角度は、前記第1方向と、前記分岐部から前記第2流路へ向かう第2方向とがなす角度を示す、請求項1に記載の基板処理装置。 The flow path for the treatment liquid is
a branching portion that is a branching point of the liquid feeding pipe, the supply pipe, and the return pipe;
a first flow path located on the side of the liquid sending pipe with respect to the branch;
a second flow path positioned on the supply pipe side with respect to the branching portion;
a third flow path located on the return pipe side with respect to the branch,
the first angle is greater than the second angle,
The first angle is an angle formed by a first direction from the branch portion toward the first flow channel and a third direction from the branch portion toward the third flow channel,
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said second angle is an angle between said first direction and a second direction from said branch portion toward said second flow path.
前記循環配管を流れる前記処理液が前記送液配管に供給される、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理装置。 further comprising a circulation pipe through which the treatment liquid circulates;
7. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said processing liquid flowing through said circulation pipe is supplied to said liquid-sending pipe.
前記処理液の流路に設けられた調整バルブの開度を変更する工程を備え、
前記処理液の流路は、
前記処理液を案内する送液配管と、
前記送液配管によって案内された前記処理液を前記ノズルに案内する供給配管と、
前記送液配管によって案内された前記処理液を前記供給配管とは異なる経路に沿って案内する戻り配管と
によって形成され、
前記調整バルブは、前記戻り配管に設けられ、
前記調整バルブの開度を変更する工程において、前記調整バルブの開度が所定開度よりも小さい場合に、前記調整バルブの開度を調整することにより前記供給配管に供給される前記処理液の流量を調整し、
前記調整バルブの開度を変更する工程において、前記調整バルブの開度を前記所定開度以上にすることにより前記供給配管への前記処理液の供給を停止する、基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate from a nozzle,
A step of changing the opening degree of an adjustment valve provided in the flow path of the processing liquid,
The flow path for the treatment liquid is
a liquid feeding pipe that guides the processing liquid;
a supply pipe that guides the processing liquid guided by the liquid supply pipe to the nozzle;
and a return pipe that guides the processing liquid guided by the liquid supply pipe along a path different from that of the supply pipe,
The adjustment valve is provided in the return pipe,
In the step of changing the opening degree of the adjustment valve, when the opening degree of the adjustment valve is smaller than a predetermined opening degree, the processing liquid supplied to the supply pipe is reduced by adjusting the opening degree of the adjustment valve. adjust the flow rate,
The substrate processing method, wherein in the step of changing the opening degree of the adjustment valve, the supply of the processing liquid to the supply pipe is stopped by setting the opening degree of the adjustment valve to the predetermined opening degree or more.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022134478A JP7312304B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-25 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018177249A JP7132054B2 (en) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
JP2022134478A JP7312304B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-25 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018177249A Division JP7132054B2 (en) | 2018-09-21 | 2018-09-21 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022162115A JP2022162115A (en) | 2022-10-21 |
JP7312304B2 true JP7312304B2 (en) | 2023-07-20 |
Family
ID=87201061
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022134478A Active JP7312304B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-25 | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7312304B2 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004179289A (en) | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Treatment-liquid feeder to substrate |
JP2009222189A (en) | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Diaphragm valve and substrate processing device having the same |
JP2016063074A (en) | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus |
JP2018137367A (en) | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus |
JP2018137419A (en) | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AT407385B (en) * | 1997-09-18 | 2001-02-26 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | ARRANGEMENT TO PREVENT THE DRIP OF LIQUIDS FROM PIPES |
-
2022
- 2022-08-25 JP JP2022134478A patent/JP7312304B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004179289A (en) | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Treatment-liquid feeder to substrate |
JP2009222189A (en) | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Diaphragm valve and substrate processing device having the same |
JP2016063074A (en) | 2014-09-18 | 2016-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus |
JP2018137367A (en) | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus |
JP2018137419A (en) | 2017-02-22 | 2018-08-30 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2022162115A (en) | 2022-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7132054B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
KR102142189B1 (en) | Chemical liquid preparation method, chemical liquid preparation device, and substrate processing device | |
JP6330998B2 (en) | Substrate processing equipment | |
TWI635556B (en) | Substrate processing method | |
JP6817860B2 (en) | Substrate processing equipment and substrate processing method | |
KR101897318B1 (en) | Substrate processing apparatus | |
TW201841692A (en) | Processing liquid supply device, substrate processing device, and processing liquid supply method a processing liquid supply device that supplies a processing liquid to a plurality of processing units | |
CN110047776B (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TW201841689A (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2010129809A (en) | Substrate processing method, and substrate processing apparatus | |
CN108630571B (en) | Processing liquid supply device, substrate processing device, and processing liquid supply method | |
TW202100255A (en) | Unit for supplying liquid, apparatus and method for treating substrate having the unit | |
JP7312304B2 (en) | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD | |
KR101939905B1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
WO2023127493A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP7176936B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
KR102001735B1 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
TWI856465B (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220825 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230622 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230627 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230707 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7312304 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |