JP5954776B2

JP5954776B2 - Substrate processing equipment

Info

Publication number: JP5954776B2
Application number: JP2012123433A
Authority: JP
Inventors: 喬太田; 橋詰　彰夫; 彰夫橋詰
Original assignee: Screen Holdings Co Ltd
Current assignee: Screen Holdings Co Ltd
Priority date: 2012-05-30
Filing date: 2012-05-30
Publication date: 2016-07-20
Anticipated expiration: 2032-05-30
Also published as: JP2013251335A

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate, ceramic substrate, solar cell substrate and the like.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献１に記載の枚葉式の基板処理装置は、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持されている基板の下面（裏面）に向けて高温薬液を吐出する薬液吐出ノズルとを備えている。薬液吐出ノズルは、薬液が供給されるノズル孔と、このノズル孔に連続する３つの吐出口とを含む。ノズル孔内に供給された薬液は、回転状態の基板の下面に向けて３つの吐出口から斜めに吐出される。３つの吐出口から吐出された薬液は、それぞれ、基板の中心からの距離が異なる基板の下面内の３つの位置に供給される。基板の下面に当たった薬液は、基板の下面内を広がる。 In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device is used.
A single-wafer type substrate processing apparatus described in Patent Literature 1 includes a spin chuck that horizontally holds and rotates a substrate, and a chemical that discharges a high-temperature chemical toward the lower surface (back surface) of the substrate held by the spin chuck. And a discharge nozzle. The chemical solution discharge nozzle includes a nozzle hole to which a chemical solution is supplied and three discharge ports that are continuous with the nozzle hole. The chemical solution supplied into the nozzle holes is discharged obliquely from the three discharge ports toward the lower surface of the rotating substrate. The chemicals discharged from the three discharge ports are respectively supplied to three positions in the lower surface of the substrate having different distances from the center of the substrate. The chemical that hits the lower surface of the substrate spreads in the lower surface of the substrate.

特開２０１０−１９２８７５号公報JP 2010-192875 A

基板に供給された処理液は、主として基板への熱伝導によって温度が低下する。特許文献１では、吐出口から吐出された薬液が、基板の中心からの距離が一定の位置に供給される。吐出口から吐出された薬液が最初に当たる位置以外の位置には、基板との接触によって温度が低下した薬液が供給されることに加えて、その位置でも薬液の熱が基板に奪われるので、薬液が基板に当たる位置での薬液の温度は、それ以外の位置での薬液の温度よりも高い。したがって、エッチングレートなどの薬液の処理能力が温度に依存する場合には、処理の均一性が低下してしまう。処理の均一性は、基板に作り込まれるデバイスの微細化に伴い更なる改善が求められている。 The temperature of the processing liquid supplied to the substrate decreases mainly due to heat conduction to the substrate. In Patent Document 1, the chemical solution discharged from the discharge port is supplied to a position where the distance from the center of the substrate is constant. In addition to the position where the chemical liquid discharged from the discharge port first hits, the chemical liquid whose temperature has decreased due to contact with the substrate is supplied to the position. The temperature of the chemical solution at the position where the substrate hits the substrate is higher than the temperature of the chemical solution at other positions. Therefore, when the processing capability of the chemical solution such as the etching rate depends on the temperature, the processing uniformity is lowered. The uniformity of processing is required to be further improved along with the miniaturization of devices fabricated on a substrate.

そこで、本発明の目的は、処理液の温度の面内均一性を高めることができる基板処理装置を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of improving the in-plane uniformity of the temperature of the processing liquid.

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を保持して、基板の中央部を通る基板回転軸線（Ａ１）まわりに基板を回転させる基板保持回転手段（４）と、基板の主面に近づくに従って基板の主面の中心（Ｃ１）に近づくように基板の主面に対して傾いた内向き吐出方向（Ｄ１）に処理液を吐出することにより、前記基板保持回転手段に保持されている基板の主面内の位置である中心側着液位置（Ｐｃ）に処理液を着液させる中心側ノズル（６）と、前記中心側ノズルからの処理液の吐出と並行して、基板の主面の中心からの距離が前記中心側着液位置までの距離よりも長い基板の主面内の周縁側着液位置（Ｐｅ）に向けて、基板の主面に近づくに従って基板の主面の中心から遠ざかるように基板の主面に対して傾いた外向き吐出方向に処理液を吐出することにより、前記基板保持回転手段に保持されている基板の主面内の前記周縁側着液位置に処理液を着液させる周縁側ノズル（７）と、前記中心側着液位置が、基板の主面の中心と基板と同軸の円形の中心領域（Ｒｃ）の外周縁との間で移動し、前記周縁側着液位置が、前記中心領域を同軸的に取り囲む環状の周縁領域（Ｒｅ）の内周縁と基板の主面の外周縁との間で移動するように、前記基板回転軸線に交差するノズル移動方向（Ｄ３）に前記中心側ノズルおよび周縁側ノズルを移動させるノズル移動手段（２０）とを含む、基板処理装置（１、２０１）である。基板の主面は、デバイス形成面である基板の表面であってもよいし、非デバイス形成面である基板の裏面（表面とは反対側の面）であってもよい。 In order to achieve the above object, the invention as set forth in claim 1 includes a substrate holding and rotating means (4) for holding the substrate (W) and rotating the substrate about a substrate rotation axis (A1) passing through the central portion of the substrate. The substrate holding rotation is performed by discharging the processing liquid in an inward discharge direction (D1) inclined with respect to the main surface of the substrate so as to approach the center (C1) of the main surface of the substrate as it approaches the main surface of the substrate. A central side nozzle (6) for depositing the processing liquid at a central side liquid deposition position (Pc) which is a position within the main surface of the substrate held by the means, and parallel to the discharge of the processing liquid from the central side nozzle As the distance from the center of the main surface of the substrate approaches the main surface of the substrate toward the peripheral-side liquid landing position (Pe) in the main surface of the substrate that is longer than the distance to the center-side liquid landing position. Inclined outward with respect to the main surface of the board, away from the center of the main surface of the board By ejecting the processing liquid in the ejection direction, the peripheral-side nozzle to Chakueki processing liquid to the peripheral side Chakueki position of the main surface of the substrate held by the substrate holding and rotating means (7), the center The side landing liquid position moves between the center of the main surface of the substrate and the outer peripheral edge of the circular central region (Rc) coaxial with the substrate, and the peripheral liquid landing position coaxially surrounds the central region. The central nozzle and the peripheral nozzle are moved in a nozzle movement direction (D3) intersecting the substrate rotation axis so as to move between the inner peripheral edge of the annular peripheral region (Re) and the outer peripheral edge of the main surface of the substrate. A substrate processing apparatus (1, 201) including a nozzle moving means (20) for movement. The main surface of the substrate may be the surface of the substrate that is the device forming surface, or may be the back surface (surface opposite to the front surface) of the substrate that is the non-device forming surface.

この構成によれば、基板保持回転手段が基板回転軸線まわりに基板を回転させている状態で、中心側ノズルが、基板の主面内の中心側着液位置に向けて処理液を吐出する。これと並行して、周縁側ノズルが、基板の主面の中心からの距離が中心側着液位置までの距離よりも長い基板の主面内の周縁側着液位置に向けて処理液を吐出する。ノズル移動手段は、中心側着液位置を、基板の主面の中心と、基板と同軸の円形の中心領域の外周縁との間で移動させ、周縁側着液位置を、中心領域を同軸的に取り囲む環状の周縁領域の内周縁と、基板の主面の外周縁との間で移動させる。したがって、中心側ノズルから吐出された処理液は、中心領域だけに直接供給され、周縁側ノズルから吐出された処理液は、周縁領域だけに直接供給される。そのため、１つのノズルから吐出された処理液が、基板の主面全域に供給される場合よりも、基板上での処理液の温度を精度よくコントロールできる。これにより、処理液の温度の面内均一性を高めることができる。 According to this configuration, the central nozzle discharges the processing liquid toward the central liquid landing position in the main surface of the substrate while the substrate holding and rotating means rotates the substrate about the substrate rotation axis. In parallel with this, the peripheral nozzle discharges the processing liquid toward the peripheral liquid landing position in the main surface of the substrate whose distance from the center of the main surface of the substrate is longer than the distance to the central liquid landing position. To do. The nozzle moving means moves the center side liquid deposition position between the center of the main surface of the substrate and the outer peripheral edge of a circular central region coaxial with the substrate, and the peripheral side liquid deposition position is coaxial with the central region. Are moved between the inner peripheral edge of the annular peripheral region surrounded by the outer peripheral edge and the outer peripheral edge of the main surface of the substrate. Therefore, the processing liquid discharged from the center side nozzle is directly supplied only to the central region, and the processing liquid discharged from the peripheral side nozzle is directly supplied only to the peripheral region. Therefore, the temperature of the processing liquid on the substrate can be controlled with higher accuracy than when the processing liquid discharged from one nozzle is supplied to the entire main surface of the substrate. Thereby, the in-plane uniformity of the temperature of the processing liquid can be enhanced.

さらに、中心側ノズルは、基板の主面に近づくに従って基板の主面の中心に近づくように基板の主面に対して傾いた内向き吐出方向に処理液を吐出する。中心側ノズルから吐出された処理液は、基板上で遠心力を受けるものの、基板の中心に近づく方向の速度成分を有しているので、直ぐには基板上を外方に移動しない。中心側ノズルから吐出された処理液の熱は、基板に接触した瞬間に熱伝導により基板に移動する。中心側ノズルから吐出された処理液は、吐出されてから暫くの間、中心領域に留まるので、この処理液の熱は、中心領域に伝達される。そのため、中心領域での処理液の温度を精度よくコントロールできると共に、中心側ノズルから吐出された処理液の熱が、中心領域の周囲の領域に伝達されることを抑制または防止できる。これにより、処理液の温度の面内均一性をさらに高めることができる。 Further, the center nozzle discharges the processing liquid in an inward discharge direction inclined with respect to the main surface of the substrate so as to approach the center of the main surface of the substrate as it approaches the main surface of the substrate. Although the processing liquid discharged from the center side nozzle receives a centrifugal force on the substrate, it has a velocity component in a direction approaching the center of the substrate, and therefore does not immediately move outward on the substrate. The heat of the processing liquid discharged from the central nozzle moves to the substrate by heat conduction at the moment of contact with the substrate. Since the processing liquid discharged from the central nozzle stays in the central area for a while after being discharged, the heat of the processing liquid is transmitted to the central area. Therefore, the temperature of the processing liquid in the central area can be controlled with high accuracy, and the heat of the processing liquid discharged from the central nozzle can be suppressed or prevented from being transmitted to the area around the central area. Thereby, the in-plane uniformity of the temperature of the treatment liquid can be further enhanced.

請求項２に記載の発明は、前記ノズル移動手段は、前記中心側着液位置が、基板の主面の中心と基板の主面を基板の径方向に二等分する円形の境界線（Ｌ１）との間で移動し、前記周縁側着液位置が、前記境界線と基板の主面の外周縁との間で移動するように、前記ノズル移動方向に前記中心側ノズルおよび周縁側ノズルを移動させる、請求項１に記載の基板処理装置である。 According to a second aspect of the present invention, in the nozzle moving means, the center side landing position is a circular boundary line (L1) that bisects the center of the main surface of the substrate and the main surface of the substrate in the radial direction of the substrate. And the center side nozzle and the peripheral side nozzle are moved in the nozzle moving direction so that the peripheral side liquid deposition position moves between the boundary line and the outer peripheral edge of the main surface of the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 1, which is moved.

この構成によれば、基板保持回転手段が基板回転軸線まわりに基板を回転させている状態で、ノズル移動手段が、基板の主面の中心と、基板の主面を基板の径方向に二等分する円形の境界線との間で、中心側着液位置を移動させる。さらに、ノズル移動手段は、基板保持回転手段が基板回転軸線まわりに基板を回転させている状態で、境界線と、基板の主面の外周縁との間で、周縁側着液位置を移動させる。これにより、基板の主面が中心側着液位置および周縁側着液位置によって過不足なくスキャン（走査）され、中心側ノズルおよび周縁側ノズルから吐出された処理液が、基板の主面全域に供給される。 According to this configuration, in the state where the substrate holding and rotating means is rotating the substrate about the substrate rotation axis, the nozzle moving means is equal to the center of the main surface of the substrate and the main surface of the substrate in the radial direction of the substrate. The center side liquid deposition position is moved between the divided circular boundary lines. Further, the nozzle moving means moves the peripheral side liquid deposition position between the boundary line and the outer peripheral edge of the main surface of the substrate in a state where the substrate holding and rotating means rotates the substrate around the substrate rotation axis. . As a result, the main surface of the substrate is scanned (scanned) without excess or deficiency by the center side liquid deposition position and the peripheral side liquid deposition position, and the processing liquid discharged from the center side nozzle and the peripheral side nozzle is spread over the entire main surface of the substrate. Supplied.

請求項３に記載の発明は、前記中心側ノズルからの処理液の吐出流量と前記周縁側ノズルからの処理液の吐出流量との比を１：３（前記中心側ノズルからの処理液の吐出流量：前記周縁側ノズルからの処理液の吐出流量）に近づける流量制御手段（３、１３、１５）をさらに含む、請求項２に記載の基板処理装置である。
前述のように、基板の主面は、境界線によって中心領域と周縁領域とに二等分されている。中心領域の半径を「ｒ（基板の半径の１／２に相当）」と定義すると、周縁領域の外周縁の半径は、２ｒ（基板の半径に相当）である。中心領域の面積は、πｒ^２であり、周縁領域の面積は、３πｒ^２（＝４πｒ^２−πｒ^２）である。したがって、中心領域と周縁領域との面積比は、１：３である。 According to a third aspect of the present invention, the ratio of the processing liquid discharge flow rate from the central nozzle and the processing liquid discharge flow rate from the peripheral nozzle is 1: 3 (the processing liquid discharge from the central nozzle). The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a flow rate control means (3, 13, 15) that approaches a flow rate: a discharge flow rate of the processing liquid from the peripheral nozzle.
As described above, the main surface of the substrate is equally divided into the central region and the peripheral region by the boundary line. If the radius of the central region is defined as “r (corresponding to 1/2 of the radius of the substrate)”, the radius of the outer peripheral edge of the peripheral region is 2r (corresponding to the radius of the substrate). The area of the center region is πr ² and the area of the peripheral region is 3πr ² (= 4πr ² −πr ² ). Therefore, the area ratio between the central region and the peripheral region is 1: 3.

流量制御手段は、略１：３の流量比で中心側ノズルおよび周縁側ノズルから処理液を吐出させる。前述のように、中心側ノズルから吐出された処理液は、中心領域だけに直接供給され、周縁側ノズルから吐出された処理液は、周縁領域だけに直接供給される。したがって、中心領域と周縁領域との面積比に等しい流量比で中心領域と周縁領域とに処理液が供給される。そのため、基板の主面全域に均一な流量で処理液が供給される。これにより、処理液の温度の面内均一性をさらに高めることができる。
請求項４記載の発明のように、前記基板処理装置は、前記周縁側ノズルからの処理液の吐出方向を、前記外向き吐出方向と前記内向き吐出方向との間で変更する吐出角度変更手段をさらに含み、前記吐出角度変更手段は、前記周縁側着液位置が基板の主面の外周縁に位置するときに、前記周縁側ノズルからの処理液の吐出方向を前記内向き吐出方向に維持してもよい。 The flow rate control means discharges the processing liquid from the center side nozzle and the peripheral side nozzle at a flow rate ratio of approximately 1: 3. As described above, the processing liquid discharged from the center side nozzle is directly supplied only to the central region, and the processing liquid discharged from the peripheral side nozzle is directly supplied only to the peripheral region. Therefore, the processing liquid is supplied to the central region and the peripheral region at a flow rate ratio equal to the area ratio between the central region and the peripheral region. Therefore, the processing liquid is supplied at a uniform flow rate over the entire main surface of the substrate. Thereby, the in-plane uniformity of the temperature of the treatment liquid can be further enhanced.
According to a fourth aspect of the present invention, the substrate processing apparatus is configured to change the discharge direction of the processing liquid from the peripheral nozzle between the outward discharge direction and the inward discharge direction. The discharge angle changing means maintains the discharge direction of the processing liquid from the peripheral side nozzle in the inward discharge direction when the peripheral side liquid landing position is located on the outer peripheral edge of the main surface of the substrate. May be.

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。 In this section, alphanumeric characters in parentheses represent reference numerals of corresponding components in the embodiments described later, but the scope of the claims is not limited by these reference numerals.

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置に備えられた処理ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of the processing unit with which the substrate processing apparatus concerning a 1st embodiment of the present invention was equipped from the horizontal direction. 処理ユニットの内部を上から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of a processing unit from the top. 中心側ノズルおよび周縁側ノズルから基板への処理液の供給状態について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the supply state of the process liquid from a center side nozzle and a peripheral side nozzle to a board | substrate. 従来のスキャンノズルを用いて基板に処理液を供給したときと、中心側ノズルおよび周縁側ノズルを用いて基板に処理液を供給したときの基板上での処理液の温度分布を示すグラフである。It is a graph which shows the temperature distribution of the process liquid on a board | substrate when a process liquid is supplied to a board | substrate using the conventional scan nozzle, and when a process liquid is supplied to a board | substrate using a center side nozzle and a peripheral side nozzle. . 本発明の第２実施形態に係る中心側ノズルおよび周縁側ノズルの拡大図である。It is an enlarged view of the center side nozzle and peripheral edge nozzle which concern on 2nd Embodiment of this invention. 中心側ノズルおよび周縁側ノズルから基板への処理液の供給状態について説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the supply state of the process liquid from a center side nozzle and a peripheral side nozzle to a board | substrate.

以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１に備えられた処理ユニット２の内部を水平方向から見た模式図である。図２は、処理ユニット２の内部を上から見た模式図である。図３は、中心側ノズル６および周縁側ノズル７から基板Ｗへの処理液の供給状態について説明するための模式図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic view of the inside of a processing unit 2 provided in the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention as seen from the horizontal direction. FIG. 2 is a schematic view of the inside of the processing unit 2 as viewed from above. FIG. 3 is a schematic diagram for explaining the supply state of the processing liquid from the center nozzle 6 and the peripheral nozzle 7 to the substrate W. FIG.

図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、複数の処理ユニット２と、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置３とを含む。
図１に示すように、処理ユニット２は、基板Ｗを水平に保持して基板Ｗの中心Ｃ１を通る鉛直な基板回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック４と、スピンチャック４に保持されている基板Ｗに向けて処理液を吐出する複数の処理液ノズル（リンス液ノズル５、中心側ノズル６、周縁側ノズル７）とを含む。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a plurality of processing units 2 and a control device 3 that controls the operation of the apparatus provided in the substrate processing apparatus 1 and the opening / closing of a valve.
As shown in FIG. 1, the processing unit 2 is held by a spin chuck 4 that holds the substrate W horizontally and rotates it around a vertical substrate rotation axis A 1 that passes through the center C 1 of the substrate W, and the spin chuck 4. A plurality of processing liquid nozzles (rinsing liquid nozzle 5, center side nozzle 6, peripheral edge nozzle 7) that discharge the processing liquid toward the substrate W.

図１に示すように、スピンチャック４は、基板Ｗを水平に保持している状態で基板回転軸線Ａ１まわりに回転可能な円盤状のスピンベース８と、スピンベース８を基板回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ９とを含む。スピンチャック４は、基板Ｗを水平方向に挟んで当該基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着することにより当該基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。図１および図２では、スピンチャック４が挟持式のチャックである場合が示されている。制御装置３は、スピンモータ９を制御することにより、基板回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させる。 As shown in FIG. 1, the spin chuck 4 includes a disc-shaped spin base 8 that can rotate around the substrate rotation axis A1 while holding the substrate W horizontally, and the spin base 8 around the substrate rotation axis A1. A rotating spin motor 9. The spin chuck 4 may be a clamping chuck that holds the substrate W horizontally with the substrate W held in the horizontal direction, or by adsorbing the back surface (lower surface) of the substrate W that is a non-device forming surface. A vacuum chuck that holds the substrate W horizontally may be used. 1 and 2 show a case where the spin chuck 4 is a clamping chuck. The control device 3 controls the spin motor 9 to rotate the substrate W around the substrate rotation axis A1.

図１に示すように、複数の処理液ノズルは、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出するリンス液ノズル５を含む。リンス液ノズル５は、固定された状態で基板Ｗの上面中央部に向けて処理液を吐出する固定ノズルである。リンス液ノズル５は、基板Ｗの上面に対する処理液の着液位置が基板Ｗの上面内で移動するように移動しながら処理液を吐出するスキャンノズルであってもよい。基板処理装置１は、リンス液ノズル５に接続されたリンス液配管１０と、リンス液配管１０に介装されたリンス液バルブ１１とを含む。リンス液バルブ１１が開かれると、リンス液供給源からのリンス液が、リンス液配管１０からリンス液ノズル５に供給され、基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液ノズル５から吐出される。リンス液ノズル５に供給されるリンス液は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水などであってもよい。 As shown in FIG. 1, the plurality of processing liquid nozzles include a rinsing liquid nozzle 5 that discharges a rinsing liquid toward the upper surface of the substrate W. The rinsing liquid nozzle 5 is a fixed nozzle that discharges the processing liquid toward the center of the upper surface of the substrate W in a fixed state. The rinse liquid nozzle 5 may be a scan nozzle that discharges the processing liquid while moving so that the position of the processing liquid landing on the upper surface of the substrate W moves within the upper surface of the substrate W. The substrate processing apparatus 1 includes a rinsing liquid pipe 10 connected to the rinsing liquid nozzle 5 and a rinsing liquid valve 11 interposed in the rinsing liquid pipe 10. When the rinsing liquid valve 11 is opened, the rinsing liquid from the rinsing liquid supply source is supplied from the rinsing liquid pipe 10 to the rinsing liquid nozzle 5 and discharged from the rinsing liquid nozzle 5 toward the center of the upper surface of the substrate W. The rinsing liquid supplied to the rinsing liquid nozzle 5 is pure water (deionized water), carbonated water, electrolytic ionic water, hydrogen water, ozone water, and dilute hydrochloric acid water (for example, about 10 to 100 ppm). It may be.

図１に示すように、複数の処理液ノズルは、さらに、基板Ｗの中心Ｃ１（上面の中心）からの距離が異なる基板Ｗの上面内の複数の位置に向けて薬液を吐出する複数のスキャンノズルを含む。複数のスキャンノズルは、基板Ｗの上面内の中心側着液位置Ｐｃに向けて薬液を吐出する中心側ノズル６と、基板Ｗの上面内の周縁側着液位置Ｐｅに向けて薬液を吐出する周縁側ノズル７とを含む。中心側ノズル６は、複数のスキャンノズルのうちで基板Ｗの中心Ｃ１からの距離が最も短い基板Ｗの上面内の位置（中心側着液位置Ｐｃ）に向けて薬液を吐出するノズルであり、周縁側ノズル７は、複数のスキャンノズルのうちで基板Ｗの中心Ｃ１からの距離が最も長い基板Ｗの上面内の位置（周縁側着液位置Ｐｅ）に向けて薬液を吐出するノズルである。したがって、中心側着液位置Ｐｃは、周縁側着液位置Ｐｅよりも基板Ｗの中心Ｃ１側の位置であり、基板Ｗの中心Ｃ１から中心側着液位置Ｐｃまでの距離は、基板Ｗの中心Ｃ１から周縁側着液位置Ｐｅまでの距離よりも短い。 As shown in FIG. 1, the plurality of processing liquid nozzles further scan a plurality of scans for discharging a chemical solution toward a plurality of positions in the upper surface of the substrate W at different distances from the center C1 (center of the upper surface) of the substrate W Including nozzles. The plurality of scan nozzles discharge the chemical liquid toward the center side nozzle 6 on the upper surface of the substrate W and discharge the chemical liquid toward the peripheral liquid landing position Pe on the upper surface of the substrate W. A peripheral nozzle 7. The center-side nozzle 6 is a nozzle that discharges a chemical solution toward a position (center-side landing position Pc) within the upper surface of the substrate W that has the shortest distance from the center C1 of the substrate W among the plurality of scan nozzles. The peripheral-side nozzle 7 is a nozzle that discharges a chemical solution toward a position (periphery-side landing position Pe) within the upper surface of the substrate W having the longest distance from the center C1 of the substrate W among the plurality of scan nozzles. Accordingly, the center side liquid deposition position Pc is a position closer to the center C1 side of the substrate W than the peripheral side liquid deposition position Pe, and the distance from the center C1 of the substrate W to the center side liquid deposition position Pc is the center of the substrate W. It is shorter than the distance from C1 to the peripheral side liquid landing position Pe.

図１に示すように、基板処理装置１は、中心側ノズル６に接続された中心配管１２と、中心配管１２に介装された流量調整バルブ１３と、周縁側ノズル７に接続された周縁配管１４と、周縁配管１４に介装された流量調整バルブ１５とを含む。基板処理装置１は、さらに、中心配管１２と周縁配管１４とに接続された集合配管１６と、集合配管１６に介装された集合バルブ１７と、集合配管１６に接続された薬液供給装置１８とを含む。 As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 includes a central pipe 12 connected to the central nozzle 6, a flow rate adjustment valve 13 interposed in the central pipe 12, and a peripheral pipe connected to the peripheral nozzle 7. 14 and a flow rate adjustment valve 15 interposed in the peripheral pipe 14. The substrate processing apparatus 1 further includes a collective pipe 16 connected to the central pipe 12 and the peripheral pipe 14, a collective valve 17 interposed in the collective pipe 16, and a chemical supply device 18 connected to the collective pipe 16. including.

図１に示すように、集合バルブ１７が開かれると、薬液供給装置１８内の薬液が、集合配管１６を通じて中心配管１２および周縁配管１４に供給される。集合配管１６から中心配管１２に供給された薬液は、流量調整バルブ１３の開度に対応する流量で、中心側ノズル６に供給される。同様に、集合配管１６から周縁配管１４に供給された薬液は、流量調整バルブ１５の開度に対応する流量で、周縁側ノズル７に供給される。したがって、集合バルブ１７が開かれると、共通の薬液供給源からの薬液、すなわち、種類が同じで、温度が同一の薬液が、中心側ノズル６および周縁側ノズル７に供給される。そして、集合バルブ１７が閉じられると、中心側ノズル６および周縁側ノズル７からの薬液の吐出が停止される。 As shown in FIG. 1, when the collective valve 17 is opened, the chemical solution in the chemical solution supply device 18 is supplied to the central pipe 12 and the peripheral pipe 14 through the collective pipe 16. The chemical solution supplied from the collecting pipe 16 to the central pipe 12 is supplied to the central nozzle 6 at a flow rate corresponding to the opening degree of the flow rate adjusting valve 13. Similarly, the chemical solution supplied from the collecting pipe 16 to the peripheral pipe 14 is supplied to the peripheral nozzle 7 at a flow rate corresponding to the opening degree of the flow rate adjusting valve 15. Therefore, when the collecting valve 17 is opened, the chemical solution from the common chemical solution supply source, that is, the chemical solution of the same type and the same temperature, is supplied to the central nozzle 6 and the peripheral nozzle 7. When the collecting valve 17 is closed, the discharge of the chemical solution from the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 is stopped.

図１に示すように、中心側ノズル６は、基板Ｗの上面に近づくに従って基板Ｗの中心Ｃ１に近づくように基板Ｗの上面に対して傾いており、中心側ノズル６の吐出口６ａから中心側着液位置Ｐｃに向かう内向き吐出方向Ｄ１に薬液を吐出する。周縁側ノズル７は、基板Ｗの上面に近づくに従って基板Ｗの中心Ｃ１から遠ざかるように基板Ｗの上面に対して傾いており、周縁側ノズル７の吐出口７ａから周縁側着液位置Ｐｅに向かう外向き吐出方向Ｄ２に薬液を吐出する。したがって、中心側ノズル６および周縁側ノズル７は、互いに離間する方向に薬液を吐出する。内向き吐出方向Ｄ１は、基板Ｗの回転方向に直交する方向であってもよいし、基板Ｗの回転方向に対して傾いた方向であってもよい。外向き吐出方向Ｄ２についても同様である。 As shown in FIG. 1, the center nozzle 6 is inclined with respect to the upper surface of the substrate W so as to approach the center C 1 of the substrate W as it approaches the upper surface of the substrate W, and is centered from the discharge port 6 a of the center nozzle 6. The chemical solution is discharged in the inward discharge direction D1 toward the side landing position Pc. The peripheral nozzle 7 is inclined with respect to the upper surface of the substrate W so as to be away from the center C1 of the substrate W as it approaches the upper surface of the substrate W, and is directed from the discharge port 7a of the peripheral nozzle 7 toward the peripheral liquid landing position Pe. The chemical solution is discharged in the outward discharge direction D2. Accordingly, the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 discharge the chemical solution in a direction away from each other. The inward discharge direction D1 may be a direction orthogonal to the rotation direction of the substrate W, or may be a direction inclined with respect to the rotation direction of the substrate W. The same applies to the outward discharge direction D2.

薬液供給装置１８から中心側ノズル６および周縁側ノズル７に供給される薬液は、洗浄液であってもよいし、エッチング液であってもよいし、洗浄液およびエッチング液以外の液体であってもよい。具体的には、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液が、中心側ノズル６および周縁側ノズル７に供給されてもよい。また、リンス液が、中心側ノズル６および周縁側ノズル７に供給されてもよい。 The chemical liquid supplied from the chemical liquid supply device 18 to the center nozzle 6 and the peripheral nozzle 7 may be a cleaning liquid, an etching liquid, or a liquid other than the cleaning liquid and the etching liquid. . Specifically, sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, aqueous ammonia, hydrogen peroxide, organic acid (for example, citric acid, oxalic acid, etc.), organic alkali (for example, TMAH: tetramethylammonium hydroxide, etc.), A liquid containing at least one of a surfactant and a corrosion inhibitor may be supplied to the center nozzle 6 and the peripheral nozzle 7. Further, the rinse liquid may be supplied to the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7.

中心側ノズル６および周縁側ノズル７に供給される薬液の温度範囲は、たとえば、２０〜２００℃である。すなわち、中心側ノズル６および周縁側ノズル７に供給される薬液の温度は、室温（２０〜３０℃）であってもよいし、室温よりも高温であってもよい。図１では、薬液供給装置１８が、液温調整装置１９を備えており、室温よりも高温（たとえば、６０〜８０℃）の薬液が、中心側ノズル６および周縁側ノズル７に供給される場合が示されている。 The temperature range of the chemical solution supplied to the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 is, for example, 20 to 200 ° C. That is, the temperature of the chemical solution supplied to the center nozzle 6 and the peripheral nozzle 7 may be room temperature (20 to 30 ° C.) or higher than room temperature. In FIG. 1, the chemical solution supply device 18 includes a liquid temperature adjusting device 19, and a chemical solution having a temperature higher than room temperature (for example, 60 to 80 ° C.) is supplied to the central nozzle 6 and the peripheral nozzle 7. It is shown.

図２に示すように、基板処理装置１は、基板回転軸線Ａ１に交差するノズル移動方向Ｄ３に複数のスキャンノズルを移動させるノズル移動機構２０を含む。ノズル移動機構２０は、複数のスキャンノズルを個別に移動させる個別移動機構であってもよいし、複数のスキャンノズルを一体的に移動させる一体移動機構であってもよい。図１および図２では、ノズル移動機構２０が、一体移動機構である場合が示されている。 As shown in FIG. 2, the substrate processing apparatus 1 includes a nozzle moving mechanism 20 that moves a plurality of scan nozzles in a nozzle moving direction D3 that intersects the substrate rotation axis A1. The nozzle moving mechanism 20 may be an individual moving mechanism that individually moves a plurality of scan nozzles, or may be an integrated moving mechanism that moves a plurality of scan nozzles integrally. 1 and 2 show a case where the nozzle moving mechanism 20 is an integral moving mechanism.

図２に示すように、ノズル移動機構２０は、中心側ノズル６および周縁側ノズル７を保持するノズルアーム２１と、スピンチャック４の周囲で鉛直に延びるノズル回転軸線まわりにノズルアーム２１を回転させる駆動機構２２とを含む。駆動機構２２は、ノズルアーム２１に連結された鉛直な支軸と、支軸と同軸のモータとを含む構成であってもよいし、ノズルアーム２１に連結された鉛直な支軸と、支軸をその中心軸線まわりに回転させる動力を発生するモータと、支軸とモータとを連結する無端環状の伝動部材（たとえば、ベルト）と含む構成であってもよい。 As shown in FIG. 2, the nozzle moving mechanism 20 rotates the nozzle arm 21 that holds the center-side nozzle 6 and the peripheral-side nozzle 7 and the nozzle arm 21 around the nozzle rotation axis that extends vertically around the spin chuck 4. Drive mechanism 22. The drive mechanism 22 may include a vertical support shaft connected to the nozzle arm 21 and a motor coaxial with the support shaft, or a vertical support shaft connected to the nozzle arm 21 and a support shaft. The motor may be configured to include a motor that generates power for rotating the shaft around its center axis, and an endless annular transmission member (for example, a belt) that connects the support shaft and the motor.

図２に示すように、ノズル移動機構２０は、平面視において基板Ｗの上面中央部を通る円弧状の軌跡Ｘ１に沿って中心側ノズル６および周縁側ノズル７を水平に移動させる。ノズル移動方向Ｄ３は、軌跡Ｘ１に沿う水平な方向である。ノズル移動機構２０は、中心側ノズル６および周縁側ノズル７が基板Ｗの上方に位置する処理位置（図２に示す位置）と、中心側ノズル６および周縁側ノズル７が基板Ｗの上方から離れた退避位置との間で、軌跡Ｘ１に沿って中心側ノズル６および周縁側ノズル７を水平に移動させる。中心側着液位置Ｐｃおよび周縁側着液位置Ｐｅは、中心側ノズル６および周縁側ノズル７の移動に伴って基板Ｗの上面内を移動する。中心側着液位置Ｐｃおよび周縁側着液位置Ｐｅは、軌跡Ｘ１上の位置である。 As shown in FIG. 2, the nozzle moving mechanism 20 moves the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 horizontally along an arcuate locus X1 passing through the center of the upper surface of the substrate W in plan view. The nozzle movement direction D3 is a horizontal direction along the locus X1. The nozzle moving mechanism 20 includes a processing position (position shown in FIG. 2) where the center nozzle 6 and the peripheral nozzle 7 are positioned above the substrate W, and the center nozzle 6 and the peripheral nozzle 7 are separated from above the substrate W. The center nozzle 6 and the peripheral nozzle 7 are moved horizontally along the locus X1 between the retracted position. The center side liquid landing position Pc and the peripheral side liquid landing position Pe move in the upper surface of the substrate W as the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 move. The center side liquid landing position Pc and the peripheral side liquid landing position Pe are positions on the locus X1.

図２に示すように、ノズル移動機構２０は、中心側ノズル６を移動させることにより、基板Ｗの中心Ｃ１と、基板Ｗと同軸の円形の中心領域Ｒｃ（境界線Ｌ１の内側の領域）の外周縁との間で、中心側着液位置Ｐｃを移動させる。また、ノズル移動機構２０は、周縁側ノズル７を移動させることにより、中心領域Ｒｃを同軸的に取り囲む円環状の周縁領域Ｒｅ（境界線Ｌ１の外側の領域）の内周縁と、基板Ｗの外周縁（基板Ｗの上面の外周縁）との間で、周縁側着液位置Ｐｅを移動させる。中心領域Ｒｃは、基板Ｗと同軸の円形の境界線Ｌ１によって取り囲まれた円形の領域であり、周縁領域Ｒｅは、境界線Ｌ１から基板Ｗの外周縁までの円環状の領域である。中心領域Ｒｃおよび周縁領域Ｒｅは、境界線Ｌ１に接する互いに異なる領域である。したがって、ノズル移動機構２０は、中心側着液位置Ｐｃおよび周縁側着液位置Ｐｅを互いに異なる領域内で移動させる。 As shown in FIG. 2, the nozzle moving mechanism 20 moves the center side nozzle 6 so that the center C 1 of the substrate W and the circular center region Rc (region inside the boundary line L 1) coaxial with the substrate W are located. The center side liquid deposition position Pc is moved between the outer peripheral edges. In addition, the nozzle moving mechanism 20 moves the peripheral nozzle 7 to move the inner peripheral edge of the annular peripheral region Re (region outside the boundary line L1) coaxially surrounding the central region Rc and the outer periphery of the substrate W. The peripheral side liquid landing position Pe is moved between the peripheral edge (the outer peripheral edge of the upper surface of the substrate W). The central region Rc is a circular region surrounded by a circular boundary line L1 coaxial with the substrate W, and the peripheral region Re is an annular region from the boundary line L1 to the outer peripheral edge of the substrate W. The central region Rc and the peripheral region Re are different regions that are in contact with the boundary line L1. Therefore, the nozzle moving mechanism 20 moves the center-side liquid landing position Pc and the peripheral-side liquid landing position Pe within different regions.

図３に示すように、境界線Ｌ１は、基板Ｗの上面を基板Ｗの径方向に二等分している。したがって、中心領域Ｒｃ（円形の領域）の半径と周縁領域Ｒｅ（円環状の領域）の幅（径方向への長さ）とは、互いに等しい。中心領域Ｒｃの半径を「ｒ（基板Ｗの半径の１／２に相当）」と定義すると、周縁領域Ｒｅの外周縁の半径は、２ｒ（基板Ｗの半径に相当）である。中心領域Ｒｃの面積は、πｒ^２であり、周縁領域Ｒｅの面積は、３πｒ^２（＝４πｒ^２−πｒ^２）である。したがって、中心領域Ｒｃと周縁領域Ｒｅとの面積比は、１：３である。 As shown in FIG. 3, the boundary line L1 bisects the upper surface of the substrate W in the radial direction of the substrate W. Therefore, the radius of the central region Rc (circular region) and the width (length in the radial direction) of the peripheral region Re (annular region) are equal to each other. If the radius of the central region Rc is defined as “r (corresponding to half the radius of the substrate W)”, the radius of the outer peripheral edge of the peripheral region Re is 2r (corresponding to the radius of the substrate W). The area of the central region Rc is πr ² , and the area of the peripheral region Re is 3πr ² (= 4πr ² −πr ² ). Therefore, the area ratio between the central region Rc and the peripheral region Re is 1: 3.

図３に示すように、中心側着液位置Ｐｃから周縁側着液位置Ｐｅまでの距離Ｄは、基板Ｗの半径よりも小さい。図３では、距離Ｄが、基板Ｗの中心Ｃ１から周縁領域Ｒｅの内周縁（境界線Ｌ１）までの距離に等しく、中心領域Ｒｃの外周縁（境界線Ｌ１）から周縁領域Ｒｅの外周縁（基板Ｗの外周縁）までの距離に等しい場合が示されている。したがって、中心側着液位置Ｐｃが基板Ｗの中心Ｃ１上に位置している状態では、周縁側着液位置Ｐｅは、周縁領域Ｒｅの内周縁上に位置している。また、中心側着液位置Ｐｃが中心領域Ｒｃの外周縁上に位置している状態では、周縁側着液位置Ｐｅは、周縁領域Ｒｅの外周縁（基板Ｗの外周縁）上に位置している。たとえば、ノズル移動機構２０が、中心側着液位置Ｐｃを基板Ｗの中心Ｃ１から中心領域Ｒｃの外周縁に移動させると、周縁側着液位置Ｐｅは、周縁領域Ｒｅの内周縁から基板Ｗの外周縁に移動する。 As shown in FIG. 3, the distance D from the center side liquid deposition position Pc to the peripheral side liquid deposition position Pe is smaller than the radius of the substrate W. In FIG. 3, the distance D is equal to the distance from the center C1 of the substrate W to the inner periphery (boundary line L1) of the peripheral region Re, and the outer periphery (boundary line L1) of the central region Rc to the outer peripheral edge of the peripheral region Re ( The case where it is equal to the distance to the outer peripheral edge of the substrate W is shown. Therefore, in a state where the center side liquid deposition position Pc is located on the center C1 of the substrate W, the peripheral side liquid deposition position Pe is located on the inner peripheral edge of the peripheral area Re. Further, in the state where the center side liquid landing position Pc is located on the outer peripheral edge of the central region Rc, the peripheral side liquid landing position Pe is located on the outer peripheral edge (the outer peripheral edge of the substrate W) of the peripheral region Re. Yes. For example, when the nozzle moving mechanism 20 moves the center side liquid deposition position Pc from the center C1 of the substrate W to the outer peripheral edge of the central region Rc, the peripheral side liquid landing position Pe is changed from the inner peripheral edge of the peripheral region Re to the substrate W. Move to the outer periphery.

中心側着液位置Ｐｃが基板Ｗの中心Ｃ１上に配置され、周縁側着液位置Ｐｅが周縁領域Ｒｅの内周縁上に配置される位置は、中心側ノズル６および周縁側ノズル７のセンター位置（図３において実線で示す位置）であり、中心側着液位置Ｐｃが中心領域Ｒｃの外周縁上に配置され、周縁側着液位置Ｐｅが基板Ｗの外周縁上に配置される位置は、中心側ノズル６および周縁側ノズル７のエッジ位置（図３において二点鎖線で示す位置）である。制御装置３は、ノズル移動機構２０を制御することにより、中心側ノズル６および周縁側ノズル７をセンター位置とエッジ位置との間で移動させる。制御装置３が中心側ノズル６および周縁側ノズル７をセンター位置側に移動させると、中心側着液位置Ｐｃおよび周縁側着液位置Ｐｅが、互いに等しい速度で基板Ｗの中心Ｃ１に近づき、制御装置３が中心側ノズル６および周縁側ノズル７をエッジ位置側に移動させると、中心側着液位置Ｐｃおよび周縁側着液位置Ｐｅが、互いに等しい速度で基板Ｗの中心Ｃ１から遠ざかる。 The position where the center side liquid deposition position Pc is disposed on the center C1 of the substrate W and the peripheral side liquid deposition position Pe is disposed on the inner peripheral edge of the peripheral region Re is the center position of the central nozzle 6 and the peripheral nozzle 7. (The position indicated by the solid line in FIG. 3), the position where the center side liquid landing position Pc is disposed on the outer peripheral edge of the central region Rc, and the position where the peripheral side liquid landing position Pe is disposed on the outer peripheral edge of the substrate W is It is an edge position (position shown with a dashed-two dotted line in FIG. 3) of the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7. FIG. The control device 3 controls the nozzle moving mechanism 20 to move the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 between the center position and the edge position. When the control device 3 moves the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 to the center position side, the central side landing position Pc and the peripheral side landing position Pe approach the center C1 of the substrate W at the same speed and control. When the apparatus 3 moves the central nozzle 6 and the peripheral nozzle 7 to the edge position side, the central liquid landing position Pc and the peripheral liquid landing position Pe move away from the center C1 of the substrate W at the same speed.

制御装置３は、スピンチャック４によって基板回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの上面に向けて中心側ノズル６および周縁側ノズル７から薬液を吐出させる。この状態で、制御装置３は、センター位置とエッジ位置との間で中心側ノズル６および周縁側ノズル７を複数回往復させる。これにより、中心領域Ｒｃの全域が中心側着液位置Ｐｃによってスキャン（走査）され、中心側ノズル６から吐出された薬液が中心領域Ｒｃの全域に供給される。同様に、周縁領域Ｒｅの全域が周縁側着液位置Ｐｅによってスキャンされ、周縁側ノズル７から吐出された薬液が周縁領域Ｒｅの全域に供給される。これにより、基板Ｗの上面全域に薬液が供給される（薬液供給工程）。 The control device 3 causes the central side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 to discharge the chemical solution toward the upper surface of the substrate W while rotating the substrate W around the substrate rotation axis A 1 by the spin chuck 4. In this state, the control device 3 reciprocates the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 a plurality of times between the center position and the edge position. As a result, the entire area of the center region Rc is scanned (scanned) by the center side liquid deposition position Pc, and the chemical liquid discharged from the center side nozzle 6 is supplied to the entire area of the center region Rc. Similarly, the entire peripheral area Re is scanned by the peripheral liquid landing position Pe, and the chemical liquid discharged from the peripheral nozzle 7 is supplied to the entire peripheral area Re. Thereby, the chemical solution is supplied to the entire upper surface of the substrate W (chemical solution supply step).

中心側ノズル６への薬液の供給流量を変更する流量調整バルブ１３（図１参照）の開度と、周縁側ノズル７への薬液の供給流量を変更する流量調整バルブ１５（図１参照）の開度とは、制御装置３によって制御される。制御装置３は、流量調整バルブ１３の開度と流量調整バルブ１５の開度とを変更することにより、中心側ノズル６からの薬液の吐出流量と周縁側ノズル７からの薬液の吐出流量との比を１：３（中心側ノズル６からの薬液の吐出流量：周縁側ノズル７からの薬液の吐出流量）に近づけている。したがって、略１：３の流量比で中心領域Ｒｃと周縁領域Ｒｅとに薬液が供給される。前述のように、中心領域Ｒｃと周縁領域Ｒｅとの面積比は、１：３である。したがって、基板Ｗの上面内の各位置には、等しい流量で薬液が供給され、基板Ｗの上面全域に均一な流量で薬液が供給される。 The opening degree of the flow rate adjustment valve 13 (see FIG. 1) for changing the supply flow rate of the chemical liquid to the center side nozzle 6 and the flow rate adjustment valve 15 (see FIG. 1) for changing the supply flow rate of the chemical solution to the peripheral side nozzle 7. The opening degree is controlled by the control device 3. The control device 3 changes the opening degree of the flow rate adjustment valve 13 and the opening degree of the flow rate adjustment valve 15, so that the discharge flow rate of the chemical solution from the central nozzle 6 and the discharge flow rate of the chemical solution from the peripheral nozzle 7 are set. The ratio is close to 1: 3 (discharge flow rate of the chemical solution from the center side nozzle 6: discharge flow rate of the chemical solution from the peripheral side nozzle 7). Therefore, the chemical solution is supplied to the central region Rc and the peripheral region Re at a flow rate ratio of approximately 1: 3. As described above, the area ratio between the central region Rc and the peripheral region Re is 1: 3. Accordingly, the chemical solution is supplied to each position in the upper surface of the substrate W at an equal flow rate, and the chemical solution is supplied to the entire upper surface of the substrate W at a uniform flow rate.

中心側ノズル６から吐出された薬液は、中心側着液位置Ｐｃに着液した後、基板Ｗの回転による遠心力を受ける。しかし、図３に示すように、中心側ノズル６は、基板Ｗの上面に近づくに従って基板Ｗの中心Ｃ１に近づくように、一定の角度で基板Ｗの上面に対して傾いた内向き吐出方向Ｄ１に薬液を吐出する。したがって、中心側ノズル６から吐出された薬液は、直ぐには基板Ｗ上を外方に移動しない。そのため、中心側着液位置Ｐｃが中心領域Ｒｃの外周縁に位置している状態でも、中心側ノズル６から吐出された薬液は、中心領域Ｒｃ内に一定時間滞在した後に周縁領域Ｒｅに移動する。中心側ノズル６から吐出された薬液の熱は、基板Ｗに接触した瞬間に熱伝導により基板Ｗに移動する。そのため、中心側ノズル６から吐出された薬液の熱は、中心領域Ｒｃに移動する。さらに、中心側ノズル６からの薬液の吐出流量が、周縁側ノズル７からの薬液の吐出流量よりも少ないので、薬液から基板Ｗの中央部（中心領域Ｒｃ）に伝達される熱量は、薬液から基板Ｗの周縁部（周縁領域Ｒｅ）に伝達される熱量よりも少ない。 The chemical liquid discharged from the center side nozzle 6 is subjected to centrifugal force due to the rotation of the substrate W after being deposited at the center side liquid deposition position Pc. However, as shown in FIG. 3, the center-side nozzle 6 is inclined inward with respect to the upper surface of the substrate W so as to approach the center C1 of the substrate W as it approaches the upper surface of the substrate W. The chemical solution is discharged. Accordingly, the chemical liquid discharged from the center nozzle 6 does not immediately move outward on the substrate W. Therefore, even when the center side liquid deposition position Pc is located at the outer peripheral edge of the central region Rc, the chemical liquid discharged from the central side nozzle 6 moves to the peripheral region Re after staying in the central region Rc for a certain period of time. . The heat of the chemical solution discharged from the center nozzle 6 moves to the substrate W by heat conduction at the moment when it contacts the substrate W. Therefore, the heat of the chemical solution discharged from the center side nozzle 6 moves to the center region Rc. Further, since the discharge flow rate of the chemical solution from the central nozzle 6 is smaller than the discharge flow rate of the chemical solution from the peripheral nozzle 7, the amount of heat transferred from the chemical solution to the central portion (center region Rc) of the substrate W is from the chemical solution. The amount of heat transferred to the peripheral portion (peripheral region Re) of the substrate W is less.

一方、図３に示すように、周縁側ノズル７は、基板Ｗの上面に近づくに従って基板Ｗの中心Ｃ１から遠ざかるように、一定の角度で基板Ｗの上面に対して傾いた外向き吐出方向Ｄ２に薬液を吐出する。したがって、周縁側ノズル７から吐出された薬液は、周縁側着液位置Ｐｅに着液した後、直ぐに周縁領域Ｒｅ内を外方に移動する。そのため、周縁側ノズル７から吐出された薬液は、殆ど温度が低下していない状態、すなわち、薬液の全ての熱が基板Ｗに奪われていない状態で基板Ｗの外周縁に到達する。周縁側着液位置Ｐｅが周縁領域Ｒｅの内周縁に位置している状態で、周縁側ノズル７から基板Ｗの上面に垂直な方向に薬液を吐出すると、周縁側ノズル７から吐出された薬液が、中心領域Ｒｃに進入してしまう場合がある。したがって、周縁側ノズル７から外向きに薬液を吐出することにより、周縁側ノズル７から吐出された薬液が、中心領域Ｒｃに進入することを抑制または防止できる。そのため、周縁側ノズル７から吐出された薬液の熱は、周縁領域Ｒｅに伝達される。また、中心側ノズル６から中心領域Ｒｃに供給された薬液が、周縁領域Ｒｅに流れるものの、中心領域Ｒｃに供給される薬液の流量が少ないので、中心領域Ｒｃからの薬液によって周縁領域Ｒｅにもたらされる熱的な影響は、無視できるほどに小さい。 On the other hand, as shown in FIG. 3, the peripheral nozzle 7 is an outward discharge direction D2 that is inclined with respect to the upper surface of the substrate W at a certain angle so as to move away from the center C1 of the substrate W as it approaches the upper surface of the substrate W. The chemical solution is discharged. Therefore, the chemical liquid discharged from the peripheral side nozzle 7 moves to the outside in the peripheral region Re immediately after landing on the peripheral side liquid landing position Pe. Therefore, the chemical liquid discharged from the peripheral side nozzle 7 reaches the outer peripheral edge of the substrate W in a state where the temperature is hardly lowered, that is, in a state where all the heat of the chemical liquid is not taken away by the substrate W. When the chemical liquid is discharged from the peripheral nozzle 7 in the direction perpendicular to the upper surface of the substrate W in the state where the peripheral liquid landing position Pe is located at the inner peripheral edge of the peripheral area Re, the chemical liquid discharged from the peripheral nozzle 7 is discharged. In some cases, the center region Rc may be entered. Therefore, by discharging the chemical liquid outward from the peripheral side nozzle 7, it is possible to suppress or prevent the chemical liquid discharged from the peripheral side nozzle 7 from entering the central region Rc. Therefore, the heat of the chemical solution discharged from the peripheral side nozzle 7 is transmitted to the peripheral region Re. Further, although the chemical liquid supplied from the center side nozzle 6 to the central area Rc flows to the peripheral area Re, the flow rate of the chemical liquid supplied to the central area Rc is small, so that the chemical liquid from the central area Rc is brought to the peripheral area Re. The thermal effect is negligible.

このように、中心側ノズル６が内向きに薬液を吐出するので、中心側ノズル６から吐出された薬液は、より長い時間、基板Ｗの中央部に滞在する。したがって、基板Ｗの中央部は、中心側ノズル６から吐出された薬液によって効率的に加熱される。そのため、基板Ｗの中央部に与えられる熱量を維持しつつ、中心側ノズル６からの薬液の吐出流量を低減できる。その一方で、周縁側ノズル７から吐出された薬液は、基板Ｗの中央部に接触しないで周縁部に供給されるので、基板Ｗの周縁部は、液温が低下していない薬液によって効果的に加熱される。さらに、基板Ｗの周縁部は、基板Ｗの中央部よりも面積が広いものの、周縁側ノズル７からの薬液の吐出流量が、中心側ノズル６からの薬液の吐出流量よりも多いので、基板Ｗの各位置に伝達される熱量が均一化される。これにより、基板Ｗの面内全域の温度が均一化されると共に、基板Ｗ上での薬液の温度が、基板Ｗの面内全域で均一化される。 Thus, since the center side nozzle 6 discharges the chemical solution inward, the chemical solution discharged from the center side nozzle 6 stays in the center of the substrate W for a longer time. Accordingly, the central portion of the substrate W is efficiently heated by the chemical solution discharged from the center side nozzle 6. Therefore, the discharge flow rate of the chemical solution from the center side nozzle 6 can be reduced while maintaining the amount of heat given to the central portion of the substrate W. On the other hand, since the chemical solution discharged from the peripheral nozzle 7 is supplied to the peripheral portion without contacting the central portion of the substrate W, the peripheral portion of the substrate W is effective by the chemical solution whose liquid temperature is not lowered. To be heated. Further, although the peripheral portion of the substrate W has a larger area than the central portion of the substrate W, the discharge flow rate of the chemical solution from the peripheral side nozzle 7 is larger than the discharge flow rate of the chemical solution from the center side nozzle 6. The amount of heat transferred to each position is made uniform. As a result, the temperature in the entire area of the substrate W is made uniform, and the temperature of the chemical solution on the substrate W is made uniform in the entire area of the substrate W.

制御装置３は、中心側ノズル６および周縁側ノズル７からの薬液の吐出を開始させてから所定時間が経過した後、中心側ノズル６および周縁側ノズル７からの薬液の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、リンス液バルブ１１（図１参照）を開いて、基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル５からリンス液（たとえば、純水）を吐出させる。リンス液ノズル５から吐出されたリンス液は、基板Ｗの上面全域に供給される（リンス液供給工程）。これにより、基板Ｗ上の薬液が洗い流される。制御装置３は、リンス液ノズル５からのリンス液の吐出を停止させた後、スピンチャック４によって基板Ｗを高回転速度（たとえば、数千ｒｐｍ）で回転させる（乾燥工程）。これにより、基板Ｗ上の液体が基板Ｗの周囲に振り切られ、基板Ｗが乾燥する。 The control device 3 stops the discharge of the chemical solution from the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 after a predetermined time has elapsed after starting the discharge of the chemical solution from the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7. Thereafter, the control device 3 opens the rinsing liquid valve 11 (see FIG. 1), and discharges the rinsing liquid (for example, pure water) from the rinsing liquid nozzle 5 toward the upper surface of the substrate W. The rinsing liquid discharged from the rinsing liquid nozzle 5 is supplied to the entire upper surface of the substrate W (rinsing liquid supply process). Thereby, the chemical solution on the substrate W is washed away. After stopping the discharge of the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle 5, the control device 3 rotates the substrate W at a high rotation speed (for example, several thousand rpm) by the spin chuck 4 (drying process). Thereby, the liquid on the substrate W is shaken off around the substrate W, and the substrate W is dried.

図４は、従来のスキャンノズルを用いて基板Ｗに処理液を供給したときと、中心側ノズル６および周縁側ノズル７を用いて基板Ｗに処理液を供給したときの基板Ｗ上での処理液の温度分布を示すグラフである。
図４の実線の温度分布は、直径３００ｍｍの円板状の基板Ｗをスピンチャック４によって３００ｒｐｍで回転させながら、中心側ノズル６および周縁側ノズル７から基板Ｗの上面に向けて温水（室温よりも高温の純水）を吐出させ、この状態で、中心側ノズル６および周縁側ノズル７をセンター位置とエッジ位置との間で移動させたときの測定値である。図４の一点鎖線の温度分布は、直径３００ｍｍの円板状の基板Ｗをスピンチャック４によって３００ｒｐｍで回転させながら、従来のスキャンノズルから基板Ｗの上面に向けて温水を吐出させ、この状態で、温水の着液位置を基板Ｗの中心Ｃ１と基板Ｗの外周縁との間で移動させたときの測定値である。２つの測定条件は、使用したノズルを除き、同一である。 FIG. 4 shows the processing on the substrate W when the processing liquid is supplied to the substrate W using a conventional scan nozzle and when the processing liquid is supplied to the substrate W using the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7. It is a graph which shows the temperature distribution of a liquid.
The temperature distribution of the solid line in FIG. 4 shows that the disk-shaped substrate W having a diameter of 300 mm is rotated by the spin chuck 4 at 300 rpm, while the hot water (from room temperature) Is a measured value when the center-side nozzle 6 and the peripheral-side nozzle 7 are moved between the center position and the edge position in this state. The temperature distribution of the alternate long and short dash line in FIG. 4 is as follows. While rotating a disk-shaped substrate W having a diameter of 300 mm at 300 rpm by the spin chuck 4, hot water is discharged from the conventional scan nozzle toward the upper surface of the substrate W. This is a measured value when the position where the hot water is deposited is moved between the center C1 of the substrate W and the outer peripheral edge of the substrate W. The two measurement conditions are the same except for the nozzles used.

従来のスキャンノズルを用いた場合、基板Ｗの周縁部に供給される温水には、基板Ｗの中央部によって熱が奪われた温水が含まれている。そのため、図４を見ると分かるように、従来のスキャンノズルを用いた場合には、基板Ｗ上での処理液の温度は、基板Ｗの中央部で最も高く、基板Ｗの中央部から離れるに従って緩やかに減少している。これに対して、中心側ノズル６および周縁側ノズル７を用いた場合は、基板Ｗの周縁部に供給される温水の流量が、基板Ｗの中央部に供給される温水の流量よりも多い上に、周縁側ノズル７から吐出された温水が、基板Ｗの周縁部に直接供給されるので、基板Ｗ上での処理液の温度が、ほぼ一定であり、液温の最大値と液温の最小値との差が、従来のスキャンノズルを用いた場合よりも小さい。したがって、温水の熱が、基板Ｗの全域に効果的に伝達されており、基板Ｗ上での処理液の温度の面内均一性が、従来のスキャンノズルを用いた場合よりもが高い。そのため、中心側ノズル６および周縁側ノズル７を用いることにより、従来のスキャンノズルを用いた場合よりも処理の均一性を高めることができる。 When a conventional scan nozzle is used, the hot water supplied to the peripheral portion of the substrate W includes hot water from which heat has been removed by the central portion of the substrate W. Therefore, as can be seen from FIG. 4, when the conventional scan nozzle is used, the temperature of the processing liquid on the substrate W is highest at the central portion of the substrate W, and as the distance from the central portion of the substrate W increases. It is gradually decreasing. In contrast, when the center nozzle 6 and the peripheral nozzle 7 are used, the flow rate of hot water supplied to the peripheral portion of the substrate W is higher than the flow rate of hot water supplied to the central portion of the substrate W. In addition, since the warm water discharged from the peripheral nozzle 7 is directly supplied to the peripheral portion of the substrate W, the temperature of the processing liquid on the substrate W is substantially constant, and the maximum liquid temperature and the liquid temperature The difference from the minimum value is smaller than when a conventional scan nozzle is used. Therefore, the heat of the hot water is effectively transmitted to the entire area of the substrate W, and the in-plane uniformity of the temperature of the processing liquid on the substrate W is higher than when the conventional scan nozzle is used. Therefore, by using the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7, the processing uniformity can be improved as compared with the case where the conventional scan nozzle is used.

以上のように第１実施形態では、中心側ノズル６から吐出された処理液は、中心領域Ｒｃだけに直接供給され、周縁側ノズル７から吐出された処理液は、周縁領域Ｒｅだけに直接供給される。さらに、中心側ノズル６は、基板Ｗの中心Ｃ１側に傾いた内向き吐出方向Ｄ１に処理液を吐出するので、中心側ノズル６から吐出された処理液は、吐出されてから暫くの間、中心領域Ｒｃに留まる。さらに、周縁側ノズル７は、基板Ｗの外周縁側に傾いた外向き吐出方向Ｄ２に処理液を吐出するので、周縁側ノズル７から吐出された処理液は、周縁領域Ｒｅだけに供給される。中心側ノズル６および周縁側ノズル７から吐出された処理液の熱は、基板Ｗに接触した瞬間に熱伝導により基板Ｗに移動する。そのため、中心側ノズル６から吐出された処理液の熱は、中心領域Ｒｃに移動し、周縁側ノズル７から吐出された処理液の熱は、周縁領域Ｒｅに移動する。さらに、中心領域Ｒｃおよび周縁領域Ｒｅには、中心領域Ｒｃおよび周縁領域Ｒｅの面積比に等しい流量比で処理液が供給される。そのため、等しい流量の処理液が、基板Ｗの上面内の各位置に供給され、基板Ｗによって奪われる処理液の熱量が、基板Ｗの面内全域で均一化される。これにより、処理液の温度の面内均一性を高めることができる。したがって、処理の均一性を高めることができる。 As described above, in the first embodiment, the processing liquid discharged from the center side nozzle 6 is directly supplied only to the central region Rc, and the processing liquid discharged from the peripheral side nozzle 7 is directly supplied only to the peripheral region Re. Is done. Furthermore, since the center side nozzle 6 discharges the processing liquid in the inward discharge direction D1 inclined toward the center C1 side of the substrate W, the processing liquid discharged from the center side nozzle 6 is for a while after being discharged. It remains in the central region Rc. Further, since the peripheral nozzle 7 discharges the processing liquid in the outward discharge direction D2 inclined toward the outer peripheral edge of the substrate W, the processing liquid discharged from the peripheral nozzle 7 is supplied only to the peripheral region Re. The heat of the processing liquid discharged from the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 moves to the substrate W by heat conduction at the moment when it contacts the substrate W. Therefore, the heat of the processing liquid discharged from the center side nozzle 6 moves to the central region Rc, and the heat of the processing liquid discharged from the peripheral side nozzle 7 moves to the peripheral region Re. Further, the processing liquid is supplied to the central region Rc and the peripheral region Re at a flow rate ratio equal to the area ratio of the central region Rc and the peripheral region Re. Therefore, the processing liquid having an equal flow rate is supplied to each position in the upper surface of the substrate W, and the amount of heat of the processing liquid taken away by the substrate W is made uniform throughout the entire surface of the substrate W. Thereby, the in-plane uniformity of the temperature of the processing liquid can be enhanced. Therefore, the uniformity of processing can be improved.

［第２実施形態］
図５は、本発明の第２実施形態に係る中心側ノズル６および周縁側ノズル７の拡大図である。図６は、中心側ノズル６および周縁側ノズル７から基板Ｗへの処理液の供給状態について説明するための模式図である。
図５に示すように、第２実施形態に係る基板処理装置２０１は、第１実施形態に係る基板処理装置１の構成に加えて、周縁側ノズル７からの処理液の吐出角度を変更する吐出角度変更機構２２３を備えている。 [Second Embodiment]
FIG. 5 is an enlarged view of the center side nozzle 6 and the peripheral side nozzle 7 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a supply state of the processing liquid from the center nozzle 6 and the peripheral nozzle 7 to the substrate W.
As shown in FIG. 5, the substrate processing apparatus 201 according to the second embodiment, in addition to the configuration of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment, discharge that changes the discharge angle of the processing liquid from the peripheral side nozzle 7. An angle changing mechanism 223 is provided.

図５に示すように、吐出角度変更機構２２３は、ノズルアーム２１に設けられたスライド溝２２４と、このスライド溝２２４に沿って周縁側ノズル７が移動できるように周縁側ノズル７とノズルアーム２１とを連結する連結ピン２２５と、周縁側ノズル７をスライド溝２２４に沿って移動させる回動機構２２６とを含む。連結ピン２２５および回動機構２２６は、ノズルアーム２１に保持されており、中心側ノズル６および周縁側ノズル７と共に軌跡Ｘ１（図２参照）に沿って移動する。回動機構２２６は、エアシリンダやモータなどのアクチュエータであってもよいし、アクチュエータと、アクチュエータの動力を周縁側ノズル７に伝達する伝達部材とを備えていてもよい。 As shown in FIG. 5, the discharge angle changing mechanism 223 includes a slide groove 224 provided in the nozzle arm 21 and the peripheral nozzle 7 and the nozzle arm 21 so that the peripheral nozzle 7 can move along the slide groove 224. And a rotation mechanism 226 that moves the peripheral side nozzle 7 along the slide groove 224. The connecting pin 225 and the rotation mechanism 226 are held by the nozzle arm 21 and move along the locus X1 (see FIG. 2) together with the central nozzle 6 and the peripheral nozzle 7. The rotation mechanism 226 may be an actuator such as an air cylinder or a motor, or may include an actuator and a transmission member that transmits the power of the actuator to the peripheral nozzle 7.

図５に示すように、周縁側ノズル７は、ノズルアーム２１に対して連結ピン２２５の中心軸線（水平軸線）まわりに回動可能である。回動機構２２６は、内向き姿勢（二点鎖線で示す姿勢）と外向き姿勢（実線で示す姿勢）との間で周縁側ノズル７をスライド溝２２４に沿って移動させる。図６に示すように、内向き姿勢は、周縁側ノズル７が、基板Ｗの上面に近づくに従って基板Ｗの中心Ｃ１に近づくように基板Ｗの上面に対して傾いた内向き吐出方向Ｄ１に薬液を吐出する姿勢である。外向き姿勢は、周縁側ノズル７が、基板Ｗの上面に近づくに従って基板Ｗの中心Ｃ１から遠ざかるように基板Ｗの上面に対して傾いた外向き吐出方向Ｄ２に薬液を吐出する姿勢である。 As shown in FIG. 5, the peripheral side nozzle 7 can rotate around the central axis (horizontal axis) of the connecting pin 225 with respect to the nozzle arm 21. The rotation mechanism 226 moves the peripheral side nozzle 7 along the slide groove 224 between an inward posture (a posture indicated by a two-dot chain line) and an outward posture (a posture indicated by a solid line). As shown in FIG. 6, the inward posture is the chemical solution in the inward discharge direction D 1 inclined with respect to the upper surface of the substrate W so that the peripheral nozzle 7 approaches the center C 1 of the substrate W as it approaches the upper surface of the substrate W. It is a posture which discharges. The outward posture is a posture in which the peripheral nozzle 7 discharges the chemical solution in the outward discharge direction D2 inclined with respect to the upper surface of the substrate W so as to move away from the center C1 of the substrate W as it approaches the upper surface of the substrate W.

図５に示すように、回動機構２２６は、制御装置３に制御される。図６に示すように、中心側着液位置Ｐｃが基板Ｗの中心Ｃ１上に配置され、周縁側着液位置Ｐｅが周縁領域Ｒｅの内周縁上に配置されるセンター位置（実線で示す位置）では、制御装置３は、周縁側ノズル７を外向き姿勢に維持する。その一方で、中心側着液位置Ｐｃが中心領域Ｒｃの外周縁上に配置され、周縁側着液位置Ｐｅが基板Ｗの外周縁上に配置されるエッジ位置（二点鎖線で示す位置）では、制御装置３は、周縁側ノズル７を内向き姿勢に維持する。制御装置３は、さらに、周縁側ノズル７を回動機構２２６によって内向き姿勢と外向き姿勢との間で一定の回転角度で回転させながら、中心側ノズル６および周縁側ノズル７をノズル移動機構２０によってセンター位置とエッジ位置との間で移動させる。 As shown in FIG. 5, the rotation mechanism 226 is controlled by the control device 3. As shown in FIG. 6, the center position (position indicated by a solid line) where the center side liquid deposition position Pc is disposed on the center C1 of the substrate W and the peripheral side liquid deposition position Pe is disposed on the inner peripheral edge of the peripheral area Re. Then, the control device 3 maintains the peripheral nozzle 7 in the outward posture. On the other hand, at the edge position (position indicated by a two-dot chain line) where the center side liquid deposition position Pc is disposed on the outer peripheral edge of the center region Rc and the peripheral side liquid deposition position Pe is disposed on the outer peripheral edge of the substrate W. The control device 3 maintains the peripheral nozzle 7 in an inward posture. Further, the control device 3 rotates the peripheral nozzle 7 by the rotation mechanism 226 at a constant rotation angle between the inward posture and the outward posture, while moving the central nozzle 6 and the peripheral nozzle 7 to the nozzle moving mechanism. 20 to move between the center position and the edge position.

周縁側着液位置Ｐｅが基板Ｗの外周縁付近に位置している状態で、周縁側ノズル７が、外向き吐出方向Ｄ２に処理液を吐出すると、周縁側ノズル７から吐出された処理液が、基板Ｗ上で遠心力を受けることに加えて、基板Ｗの中心Ｃ１から離れる方向の速度成分を有しているので、周縁側着液位置Ｐｅに着液した処理液は、直ぐに基板Ｗの周囲に振り切られる。そのため、処理液が基板Ｗの処理に殆ど寄与しない。その一方で、図６に示すように、周縁側着液位置Ｐｅが基板Ｗの外周縁付近に位置している状態で、周縁側ノズル７が、内向き吐出方向Ｄ１に処理液を吐出すると、周縁側ノズル７から吐出された処理液が、基板Ｗの中心Ｃ１に近づく方向の速度成分を有しているので、周縁側着液位置Ｐｅに着液した処理液は、直ぐには基板Ｗの周囲に排出されない。そのため、処理液を効率的に利用できる。さらに、基板Ｗの周縁部での処理液の滞在時間が増加するので、基板Ｗの周縁部を効率的に加熱できる。 When the peripheral side nozzle 7 discharges the processing liquid in the outward discharge direction D2 in a state where the peripheral side liquid landing position Pe is positioned near the outer peripheral edge of the substrate W, the processing liquid discharged from the peripheral side nozzle 7 is discharged. In addition to receiving the centrifugal force on the substrate W, it has a velocity component in the direction away from the center C1 of the substrate W, so that the processing liquid that has arrived at the peripheral-side landing position Pe immediately Shake off around. For this reason, the processing liquid hardly contributes to the processing of the substrate W. On the other hand, as shown in FIG. 6, when the peripheral side nozzle 7 discharges the processing liquid in the inward discharge direction D 1 in a state where the peripheral side liquid landing position Pe is positioned near the outer peripheral edge of the substrate W, Since the processing liquid discharged from the peripheral nozzle 7 has a velocity component in a direction approaching the center C1 of the substrate W, the processing liquid that has reached the peripheral liquid landing position Pe is immediately around the substrate W. Will not be discharged. Therefore, the processing liquid can be used efficiently. Furthermore, since the residence time of the processing liquid at the peripheral edge of the substrate W is increased, the peripheral edge of the substrate W can be efficiently heated.

［他の実施形態］
本発明の第１および第２実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の第１および第２実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、第１実施形態では、周縁側ノズルは、外向き吐出方向に処理液を吐出する場合について説明したが、周縁側ノズルは、内向き吐出方向に処理液を吐出してもよいし、基板の上面に垂直な垂直方向に処理液を吐出してもよい。 [Other Embodiments]
Although the description of the first and second embodiments of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the contents of the first and second embodiments described above, and various modifications can be made within the scope of the claims. It can be changed.
For example, in the first embodiment, the case where the peripheral nozzle discharges the processing liquid in the outward discharge direction has been described. However, the peripheral nozzle may discharge the processing liquid in the inward discharge direction, or the substrate. The processing liquid may be discharged in a vertical direction perpendicular to the upper surface of the substrate.

また、第１および第２実施形態では、複数のスキャンノズルが、２つのスキャンノズル（中心側ノズルおよび周縁側ノズル）を備えている場合について説明したが、複数のスキャンノズルは、３つ以上のスキャンノズルを備えていてもよい。
具体的には、複数のスキャンノズルは、中心側ノズルおよび周縁側ノズルに加えて、基板の上面の中心からの距離が中心側着液位置までの距離よりも長く、周縁側着液位置までの距離よりも短い基板の上面内の中間着液位置に向けて、中心側ノズルおよび周縁側ノズルからの処理液の吐出と並行して処理液を吐出する中間ノズルを備えていてもよい。この場合、ノズル移動機構は、中間着液位置が、中心領域と周縁領域との間の環状の中間領域の内周縁と中間領域の外周縁との間で移動するように、中心側ノズル、周縁側ノズル、および中間ノズルを移動させる。中間ノズルからの処理液の吐出方向は、内向き吐出方向、外向き吐出方向、および垂直方向のいずれであってもよい。 In the first and second embodiments, the case where the plurality of scan nozzles includes two scan nozzles (center side nozzle and peripheral side nozzle) has been described. However, the plurality of scan nozzles includes three or more scan nozzles. A scan nozzle may be provided.
Specifically, in addition to the center side nozzle and the peripheral side nozzle, the plurality of scan nozzles have a distance from the center of the upper surface of the substrate that is longer than the distance to the central side landing position, An intermediate nozzle that discharges the processing liquid in parallel with the discharge of the processing liquid from the center nozzle and the peripheral nozzle may be provided toward the intermediate liquid deposition position in the upper surface of the substrate shorter than the distance. In this case, the nozzle moving mechanism is arranged so that the intermediate liquid landing position moves between the inner peripheral edge of the annular intermediate region between the central region and the peripheral region and the outer peripheral edge of the intermediate region. The edge nozzle and the intermediate nozzle are moved. The discharge direction of the processing liquid from the intermediate nozzle may be any of an inward discharge direction, an outward discharge direction, and a vertical direction.

また、第１および第２実施形態では、中心側ノズルに処理液を供給する中心配管と、周縁側ノズルに処理液を供給する周縁配管とが、集合配管に接続されており、共通の処理液供給源からの処理液が、中心側ノズルおよび周縁側ノズルに供給される場合について説明した。しかし、中心配管および周縁配管が別々の配管に接続されており、別々の処理液供給源からの処理液が、中心側ノズルおよび周縁側ノズルに供給されてもよい。 In the first and second embodiments, the central pipe for supplying the processing liquid to the central nozzle and the peripheral pipe for supplying the processing liquid to the peripheral nozzle are connected to the collective pipe, and the common processing liquid The case where the processing liquid from the supply source is supplied to the center nozzle and the peripheral nozzle has been described. However, the central pipe and the peripheral pipe may be connected to separate pipes, and the processing liquids from different processing liquid supply sources may be supplied to the central nozzle and the peripheral nozzle.

また、第１および第２実施形態では、ノズル移動機構が、平面視において基板の上面中央部を通る円弧状の軌跡に沿って複数のスキャンノズルを移動させる場合について説明したが、ノズル移動機構は、平面視において基板の上面中央部を通る直線状の軌跡に沿って複数のスキャンノズルを移動させてもよい。
また、第１および第２実施形態では、流量調整バルブの開度に対応する流量で、中心側ノズルおよび周縁側ノズルから処理液が吐出される場合について説明したが、基板の上面内の各位置に均一な流量で処理液が供給されるように、中心配管および周縁配管の流路面積が設定されてもよい。この場合、基板処理装置は、流量調整バルブを備えていなくてもよい。 In the first and second embodiments, the case where the nozzle moving mechanism moves a plurality of scan nozzles along an arcuate locus passing through the center of the upper surface of the substrate in plan view has been described. The plurality of scan nozzles may be moved along a linear trajectory passing through the center of the upper surface of the substrate in plan view.
In the first and second embodiments, the case where the processing liquid is discharged from the center side nozzle and the peripheral side nozzle at a flow rate corresponding to the opening degree of the flow rate adjustment valve has been described. The flow passage areas of the central pipe and the peripheral pipe may be set so that the processing liquid is supplied at a uniform flow rate. In this case, the substrate processing apparatus may not include the flow rate adjustment valve.

また、第１および第２実施形態では、中心領域の半径と周縁領域の幅とが等しく、ノズル移動機構が、中心側着液位置を基板の中心から中心領域の外周縁に移動させると、周縁側着液位置が周縁領域の内周縁から基板の外周縁に移動する場合について説明した。しかし、中心領域の半径と周縁領域の幅とは異なっていてもよい。この場合、基板処理装置は、中心側ノズルおよび周縁側ノズルの一方をノズルアームに対して水平方向にスライドさせるスライド機構をさらに備えていてもよい。 In the first and second embodiments, when the radius of the central region is equal to the width of the peripheral region, and the nozzle moving mechanism moves the central liquid landing position from the center of the substrate to the outer peripheral edge of the central region, The case where the edge side liquid deposition position moves from the inner periphery of the peripheral region to the outer periphery of the substrate has been described. However, the radius of the central region and the width of the peripheral region may be different. In this case, the substrate processing apparatus may further include a slide mechanism that slides one of the center side nozzle and the peripheral side nozzle in the horizontal direction with respect to the nozzle arm.

また、第１および第２実施形態では、中心側ノズルが、基板（基板の上面）に対して傾いている場合について説明したが、中心側ノズルの吐出口（吐出方向）が基板に対して傾いていれば、中心側ノズル自体は、基板に対して垂直であってもよいし、基板に対して外向きに傾いていてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 In the first and second embodiments, the case where the center nozzle is inclined with respect to the substrate (the upper surface of the substrate) has been described. However, the discharge port (discharge direction) of the center nozzle is inclined with respect to the substrate. In this case, the center nozzle itself may be perpendicular to the substrate or may be inclined outward with respect to the substrate.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

１：基板処理装置
３：制御装置（流量制御手段）
４：スピンチャック（基板保持回転手段）
６：中心側ノズル
７：周縁側ノズル
１３：流量調整バルブ（流量制御手段）
１５：流量調整バルブ（流量制御手段）
２０：ノズル移動機構（ノズル移動手段）
２０１：基板処理装置
Ａ１：基板回転軸線
Ｃ１：基板の主面の中心
Ｄ１：内向き吐出方向
Ｄ２：外向き吐出方向
Ｄ３：ノズル移動方向
Ｌ１：境界線
Ｐｃ：中心側着液位置
Ｐｅ：周縁側着液位置
Ｒｃ：中心領域
Ｒｅ：周縁領域
Ｗ：基板 1: Substrate processing device 3: Control device (flow rate control means)
4: Spin chuck (substrate holding and rotating means)
6: Center side nozzle 7: Peripheral side nozzle 13: Flow rate adjusting valve (flow rate control means)
15: Flow rate adjusting valve (flow rate control means)
20: Nozzle moving mechanism (nozzle moving means)
201: Substrate processing apparatus A1: Substrate rotation axis C1: Center of substrate main surface D1: Inward discharge direction D2: Outward discharge direction D3: Nozzle movement direction L1: Boundary line Pc: Center side landing position Pe: Peripheral side Landing position Rc: central region Re: peripheral region W: substrate

Claims

A substrate holding and rotating means for holding the substrate and rotating the substrate around a substrate rotation axis passing through the center of the substrate;
The substrate held by the substrate holding and rotating means by discharging the processing liquid in an inward discharge direction inclined with respect to the main surface of the substrate so as to approach the center of the main surface of the substrate as it approaches the main surface of the substrate. A central nozzle that deposits the treatment liquid at a central liquid deposition position that is a position within the main surface of
In parallel with the discharge of the processing liquid from the center side nozzle, the distance from the center of the main surface of the substrate is toward the peripheral side liquid landing position in the main surface of the substrate that is longer than the distance to the central side liquid landing position. The processing liquid is held in the substrate holding and rotating means by discharging the processing liquid in an outward discharge direction inclined with respect to the main surface of the substrate so as to move away from the center of the main surface of the substrate as it approaches the main surface of the substrate. A peripheral nozzle for landing the treatment liquid on the peripheral liquid landing position in the main surface of the substrate,
The center-side liquid landing position moves between the center of the main surface of the substrate and the outer peripheral edge of a circular central region coaxial with the substrate, and the peripheral-side liquid landing position surrounds the central region coaxially. Nozzle moving means for moving the central side nozzle and the peripheral side nozzle in the nozzle moving direction intersecting the substrate rotation axis so as to move between the inner peripheral edge of the peripheral region of the substrate and the outer peripheral edge of the main surface of the substrate. Including a substrate processing apparatus.

The nozzle moving means moves the center side landing position between the center of the main surface of the substrate and a circular boundary line that bisects the main surface of the substrate in the radial direction of the substrate, The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the central side nozzle and the peripheral side nozzle are moved in the nozzle movement direction so that the liquid position moves between the boundary line and an outer peripheral edge of the main surface of the substrate. .

The ratio of the processing liquid discharge flow rate from the central nozzle to the processing liquid discharge flow rate from the peripheral nozzle is 1: 3 (the processing liquid discharge flow rate from the central nozzle: the processing from the peripheral nozzle). The substrate processing apparatus according to claim 2, further comprising a flow rate control unit that approaches a liquid discharge flow rate).

The substrate processing apparatus further includes a discharge angle changing unit that changes a discharge direction of the processing liquid from the peripheral nozzle between the outward discharge direction and the inward discharge direction,
The discharge angle changing unit maintains the discharge direction of the processing liquid from the peripheral side nozzle in the inward discharge direction when the peripheral side liquid deposition position is located on the outer peripheral edge of the main surface of the substrate. The substrate processing apparatus as described in any one of 1-3.