JP6674679B2 - Substrate holding / rotating apparatus, substrate processing apparatus having the same, and substrate processing method - Google Patents

Substrate holding / rotating apparatus, substrate processing apparatus having the same, and substrate processing method Download PDF

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Description

この発明は、基板保持回転装置およびそれを備えた基板処理装置、ならびに基板処理方法に関する。保持対象または処理対象の基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate holding / rotating device, a substrate processing apparatus including the same, and a substrate processing method. The substrate to be held or processed includes, for example, a semiconductor wafer, a liquid crystal display substrate, a plasma display substrate, an FED (Field Emission Display) substrate, an optical disk substrate, a magnetic disk substrate, a magneto-optical disk substrate, Photomask substrates, ceramic substrates, solar cell substrates and the like are included.

特許文献1は、鉛直方向に沿う回転軸線のまわりに回転可能な回転台と、回転台を前記回転軸線回りに回転させる回転駆動ユニットと、回転台に配設され、基板を回転台表面から所定間隔を隔てて水平に位置決めする複数本(たとえば4本)の保持ピンとを備えた、回転式の基板保持回転装置を開示している。
複数本の保持ピンは、回転台に対して不動の固定ピンと、回転台に対して可動の可動ピンとを含む。可動ピンは、その中心軸線と同軸の回転軸線まわりに回転可能に設けられ、基板の周端縁に当接するための当接部を有している。当接部の回転により、当接部は、回転軸線から離れた遠い開放位置と、回転軸線に近づいた保持位置との間で変位する。当接部の回転軸には、ピン駆動用磁石が結合されている。
Patent Literature 1 discloses a rotary table that is rotatable around a rotation axis along a vertical direction, a rotary drive unit that rotates the rotary table about the rotation axis, and a rotating table that is provided on the rotary table and moves a substrate from a surface of the rotary table to a predetermined position. A rotary substrate holding and rotating device including a plurality of (for example, four) holding pins that are horizontally positioned at intervals is disclosed.
The plurality of holding pins include a fixed pin that is immovable with respect to the turntable and a movable pin that is movable with respect to the turntable. The movable pin is provided rotatably about a rotation axis coaxial with its center axis, and has a contact portion for contacting a peripheral edge of the substrate. Due to the rotation of the contact portion, the contact portion is displaced between an open position far away from the rotation axis and a holding position near the rotation axis. A pin driving magnet is connected to the rotating shaft of the contact portion.

可動ピンの開閉の切換えは、回転台の下方に配置された昇降磁石を用いて行われる(磁石切換え方式)。昇降磁石には、磁石昇降ユニットが結合されている。昇降磁石が所定の下位置にあるとき、昇降磁石がピン駆動用磁石に対向しないので、可動ピンには、当該可動ピンをその保持位置へと付勢する外力が働かない。そのため、昇降磁石が下位置にあるとき、可動ピンはその開放位置に保持されることになる。一方、昇降磁石が所定の上位置にあるとき、昇降磁石とピン駆動用磁石との間の磁気吸引力によって可動ピンがその保持位置に保持される。   Switching of the open / close state of the movable pin is performed using a lifting magnet arranged below the turntable (magnet switching method). A magnet lifting unit is connected to the lifting magnet. When the elevating magnet is at the predetermined lower position, the elevating magnet does not face the pin driving magnet, so that no external force acts on the movable pin to bias the movable pin toward the holding position. Therefore, when the lifting magnet is at the lower position, the movable pin is held at its open position. On the other hand, when the lifting magnet is at the predetermined upper position, the movable pin is held at the holding position by the magnetic attraction between the lifting magnet and the pin driving magnet.

特開2013−229552号公報JP 2013-229552 A

そして、上記の基板保持回転装置は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の基板処理装置に備えられており、基板保持回転装置によって回転させられている基板の上面に、処理液ノズルから処理液(洗浄薬液)が供給される。基板の上面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の上面の全域および基板の周端面が液処理される。また、基板処理の種類によっては、基板の下面の周縁部をも液処理したい場合もある。   The above-described substrate holding / rotating device is provided in a single-wafer-type substrate processing device that processes substrates one by one. The upper surface of the substrate rotated by the substrate holding / rotating device is processed by a processing liquid nozzle. A liquid (cleaning liquid) is supplied. The processing liquid supplied to the upper surface of the substrate flows toward the peripheral portion of the substrate under the centrifugal force due to the rotation of the substrate. As a result, the entire upper surface of the substrate and the peripheral end surface of the substrate are subjected to the liquid treatment. Also, depending on the type of substrate processing, there may be a case where it is desired to perform liquid processing on the peripheral edge of the lower surface of the substrate.

ところが、特許文献1に記載の構成では、液処理の間、複数本(たとえば4本)の保持ピンによって基板を終始接触支持しているため、基板の周端面における保持ピンの複数箇所の当接位置において処理液が回り込まず、基板の周縁部(基板の周端面および基板の下面の周縁部)に洗浄残りが生じるおそれがある。基板を回転させている間に基板の接触支持位置を変化させれば、基板の周縁部を洗浄残りなく洗浄できるが、そのような接触支持位置の変化を実現するためには、基板の処理中において、回転中の回転台に設けられている複数本の保持ピンのうち一部の保持ピンのみを選択的に開く必要がある。しかしながら、上記特許文献1に記載の磁石切換え方式の基板保持回転装置では、可動ピンの開閉を切り替えるための昇降磁石は非回転に設けられているから、回転中の回転台に設けられている複数本の保持ピンのうち一部の保持ピンのみを選択的に開くことはできない。仮に、上記特許文献1において回転台の回転中に昇降磁石を下位置に配置して、2つの可動ピンの双方を開状態とすれば、回転状態にある回転台から基板から離脱するおそれがある。   However, in the configuration described in Patent Document 1, since the substrate is always in contact and supported by a plurality of (for example, four) holding pins during the liquid processing, a plurality of contact points of the holding pins on the peripheral end surface of the substrate. The processing liquid does not flow around at the position, and there is a possibility that the cleaning residue may be generated at the peripheral edge of the substrate (the peripheral edge of the substrate and the peripheral edge of the lower surface of the substrate). If the contact support position of the substrate is changed while the substrate is being rotated, the peripheral portion of the substrate can be washed without any remaining cleaning.However, in order to realize such a change in the contact support position, it is necessary to process the substrate during processing. In the above, it is necessary to selectively open only some of the plurality of holding pins provided on the rotating turntable. However, in the magnet switching type substrate holding / rotating device described in Patent Document 1, since the lifting magnet for switching the opening and closing of the movable pin is provided non-rotatably, a plurality of magnets provided on the rotating turntable are provided. It is not possible to selectively open only some of the holding pins of the book. If the lifting magnet is arranged at the lower position during rotation of the turntable and both the movable pins are opened in the above-mentioned Patent Document 1, there is a possibility that the turntable may be separated from the turntable in the rotating state. .

そこで、この発明の一の目的は、基板を良好に支持して回転させることでき、かつ基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能な磁石切換え方式の基板保持回転装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a magnet-switching-type substrate holding apparatus that can favorably rotate a substrate while supporting the substrate, and change the position of the contact support of the substrate by a movable pin during the rotation of the substrate. It is to provide a rotating device.
It is another object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of processing the peripheral portion of a substrate satisfactorily without remaining processing.

前記の目的を達成するための請求項1に記載の発明は、回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンとを含み、前記複数本の可動ピンは、少なくとも3本の可動ピンを含む第1の可動ピン群と、前記第1の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも3本の可動ピンを含む第2の可動ピン群とを含み、各可動ピンの前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の一方に付勢する付勢ユニットと、各第1の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有する第1の駆動用磁石と、各第2の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し、前記第1の駆動用磁石とは逆の磁極方向を有する第2の駆動用磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第1の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第1の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の他方に付勢する第1の移動磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第2の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第2の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記他方に付勢する第2の移動磁石と、前記第1の移動磁石および前記回転台を、前記第1の移動磁石が前記第1の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第1の位置と、前記第1の移動磁石が前記第1の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第2の位置との間で相対移動させる第1の相対移動ユニットと、前記第1の移動磁石および前記回転台の相対移動と独立して、前記第2の移動磁石および前記回転台を、前記第2の移動磁石が前記第2の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第3の位置と、前記第2の移動磁石が前記第2の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第4の位置との間で相対移動させる第2の相対移動ユニットとをさらに含む、基板保持回転装置を提供する。 The invention according to claim 1 for achieving the above object has a rotating table, a rotation drive unit configured to rotate the rotating table around a rotation axis extending in a vertical direction, and a plurality of modules configured to horizontally support the substrate. A movable pin having a support portion movably provided between an open position distant from the rotation axis and a holding position close to the rotation axis; and a movable pin provided to rotate the movable pin of the plurality of comprises a first movable pin group comprising at least three movable pins, provided separately from the first movable pin group, A second movable pin group including at least three movable pins, an urging unit for urging the support portion of each movable pin to one of the open position and the holding position, and a first movable pin Installed corresponding to the group A first driving magnet having a magnetic pole direction that is equal to each other in a direction perpendicular to the axis along the rotation axis, and a first driving magnet mounted corresponding to each second movable pin group, and a direction perpendicular to the axis along the rotation axis; A second driving magnet having a magnetic pole direction opposite to that of the first driving magnet, and a first driving magnet provided in a non-rotational state and in a direction orthogonal to an axis along the rotation axis. A magnetic pole direction that gives a repulsive force or an attractive force between the first movable pin group and the support portion of the first movable pin group. A first moving magnet that is energized, and a magnetic pole direction that is provided in a non-rotating state and provides a repulsive force or an attractive force between the second driving magnet and a direction perpendicular to an axis along the rotation axis. The repulsive force The second movable magnet that urges the support portion of the second movable pin group to the other of the open position and the holding position by the attraction force, and the first movable magnet and the turntable. A first position at which the first moving magnet applies the repulsive force or the attractive force between the first moving magnet and the first driving magnet, and a first position at which the first moving magnet is connected to the first driving magnet. A first relative movement unit that relatively moves between a repulsion force and a second position that does not provide the suction force, and independently of the relative movement of the first movement magnet and the turntable, A second movable magnet and the rotary table, a third position at which the second movable magnet applies the repulsive force or the attractive force between the second movable magnet and the second driving magnet; Applies the repulsive force and the attractive force to the second driving magnet. A second relative movement unit for relatively moving the substrate holding apparatus to a fourth position.

この構成によれば、回転台には複数本の可動ピンが設けられており、各可動ピンは、開放位置と保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有している。各可動ピンの支持部は、付勢ユニットによって開放位置および保持位置の一方に付勢されている。
複数本の可動ピンは、第1の可動ピン群と、第2の可動ピン群とを含む。第1の可動ピン群に対応して取り付けられた第1の駆動用磁石の磁極方向は、回転台の径方向に関し互いに等しく、第2の可動ピン群に対応して取り付けられた第2の駆動用磁石の磁極方向は、第1の駆動用磁石の磁極方向とは逆で、かつ回転台の径方向に関し互いに等しい。
According to this configuration, the rotary table is provided with a plurality of movable pins, and each movable pin has a support portion movably provided between the open position and the holding position. The support of each movable pin is urged by the urging unit to one of the open position and the holding position.
The plurality of movable pins include a first movable pin group and a second movable pin group. The directions of the magnetic poles of the first driving magnets attached to the first movable pin group are equal to each other in the radial direction of the turntable, and the second driving magnets attached to the second movable pin group. The magnetic pole directions of the driving magnet are opposite to the magnetic pole directions of the first driving magnet, and are equal to each other in the radial direction of the turntable.

また、第1の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有する第1の移動磁石が非回転状態で設けられている。第1の移動磁石および回転台の相対位置は、第1の相対移動ユニットによって、第1の移動磁石が第1の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与える第1の位置と、第1の移動磁石が第1の駆動用磁石との間に反発力および吸引力を与えない第2の位置との間で相対移動させられる。   In addition, a first moving magnet having a magnetic pole direction that gives a repulsive force or an attractive force to the first driving magnet is provided in a non-rotating state. The first relative position of the first moving magnet and the rotary table is a first position at which the first moving magnet applies a repulsive force or an attractive force to the first driving magnet by the first relative moving unit; The first moving magnet is relatively moved between the first moving magnet and a second position where no repulsive force and no attractive force is applied to the first driving magnet.

さらに、第2の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有する第2の移動磁石が非回転状態で設けられている。第2の移動磁石および回転台の相対位置は、第2の相対移動ユニットによって、第2の移動磁石が第2の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与える第3の位置と、第2の移動磁石が第2の駆動用磁石との間に反発力および吸引力を与えない第4の位置との間で相対移動させられる。   Further, a second moving magnet having a magnetic pole direction that gives a repulsive force or an attractive force between the second moving magnet and the second driving magnet is provided in a non-rotating state. The relative position of the second moving magnet and the rotary table includes a third position at which the second moving magnet applies a repulsive force or an attractive force to the second driving magnet by the second relative moving unit; The second moving magnet is relatively moved between the second moving magnet and a fourth position where no repulsive force and no attractive force are applied between the second moving magnet and the second driving magnet.

回転台の回転状態で、第1の移動磁石を第1の位置に配置させかつ第2の移動磁石を第4の位置に配置させることにより、移動磁石(第1の移動磁石)からの反発力または吸引力が、第1の可動ピン群に対応する駆動用磁石である第1の駆動用磁石のみに与えられる。当該反発力または当該吸引力により、第1の可動ピン群の支持部は、付勢ユニットによる付勢力に抗って開放位置および保持位置の他方に付勢される。この状態では、第1の可動ピン群の支持部は開放位置および保持位置の他方に付勢されており、第2の可動ピン群の支持部は開放位置および保持位置の一方に付勢されている。すなわち、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群(第1および第2の可動ピン群の一方)に含まれる少なくとも3本の可動ピンによって支持される。   By disposing the first moving magnet at the first position and the second moving magnet at the fourth position while the turntable is rotating, the repulsive force from the moving magnet (first moving magnet) is obtained. Alternatively, the attraction force is applied only to the first driving magnet that is the driving magnet corresponding to the first movable pin group. The support portion of the first movable pin group is urged to the other of the open position and the holding position against the urging force of the urging unit by the repulsion force or the suction force. In this state, the support of the first movable pin group is urged to the other of the open position and the holding position, and the support of the second movable pin group is urged to one of the open position and the hold position. I have. That is, the substrate is supported by at least three movable pins included in the movable pin group (one of the first and second movable pin groups) whose support portion is biased to the holding position.

一方、回転台の回転状態で、第1の移動磁石を第2の位置に配置させかつ第2の移動磁石を第3の位置に配置させることにより、移動磁石(第2の移動磁石)からの反発力または吸引力が、第2の可動ピン群に対応する駆動用磁石である第2の駆動用磁石のみに与えられる。当該反発力または当該吸引力により、第2の可動ピン群の支持部は、付勢ユニットによる付勢力に抗って開放位置および保持位置の他方に付勢される。この状態では、第1の可動ピン群の支持部は開放位置および保持位置の一方に付勢されており、第2の可動ピン群の支持部は開放位置および保持位置の他方に付勢されている。すなわち、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群(第1および第2の可動ピン群の他方)に含まれる少なくとも3本の可動ピンによって支持される。   On the other hand, by disposing the first moving magnet at the second position and disposing the second moving magnet at the third position in the rotating state of the turntable, the moving magnet (second moving magnet) The repulsive force or the attractive force is applied only to the second driving magnet that is the driving magnet corresponding to the second movable pin group. The support portion of the second movable pin group is urged to the other of the open position and the holding position against the urging force of the urging unit by the repulsion force or the suction force. In this state, the support portion of the first movable pin group is urged to one of the open position and the holding position, and the support portion of the second movable pin group is urged to the other of the open position and the hold position. I have. That is, the substrate is supported by at least three movable pins included in the movable pin group (the other of the first and second movable pin groups) whose support portion is biased to the holding position.

このように、基板の回転状態において、第1の移動磁石および回転台の相対位置、ならびに第2の移動磁石および回転台の相対位置をそれぞれ相対移動させることにより、3本以上の可動ピンを含む第1の可動ピン群によって基板が支持されている状態と、3本以上の可動ピンを含む第2の可動ピン群によって基板が支持されている状態との間で遷移することができる。   As described above, when the substrate is rotated, the relative positions of the first movable magnet and the rotary table and the relative positions of the second movable magnet and the rotary table are relatively moved, thereby including three or more movable pins. A transition can be made between a state where the substrate is supported by the first movable pin group and a state where the substrate is supported by the second movable pin group including three or more movable pins.

以上により、基板を良好に支持して回転させることできると共に、基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能な磁石切換え方式の基板保持回転装置を提供できる。
請求項2に記載の発明は、前記第1および第2の移動磁石は、それぞれ、当該第1および第2の移動磁石が前記第1または第3の位置にありかつ前記回転台の回転状態において、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な前記回転軸線と同軸の円環状の磁界発生領域を形成する、請求項1記載の基板保持回転装置である。
As described above, it is possible to provide a magnet switching type substrate holding and rotating device that can favorably rotate the substrate while rotating the substrate and change the position of the contact support of the substrate by the movable pins during the rotation of the substrate.
According to a second aspect of the present invention, the first and second moving magnets are located at the first or third position and the rotating table is in a rotating state, respectively. 2. The substrate holding and rotating device according to claim 1, wherein an annular magnetic field generating region coaxial with the rotation axis is formed through which each movable pin that rotates with the rotation of the turntable can pass.

この構成によれば、第1の移動磁石によって形成される磁界発生領域および第2の移動磁石によって形成される磁界発生領域がそれぞれ円環状をなしているので、回転台の回転状態において全ての可動ピンに対応する駆動用磁石(第1の駆動用磁石および第2の駆動用磁石)が同時に磁界発生領域を通過する。したがって、第1の移動磁石を第1の位置に配置した状態で、第1の可動ピン群に含まれる全ての可動ピンに対応する第1の駆動用磁石との間で反発力または吸引力を与えることができる。また、第2の移動磁石を第3の位置に配置した状態で、第2の可動ピン群に含まれる全ての可動ピンに対応する第2の駆動用磁石との間で反発力または吸引力を与えることができる。   According to this configuration, since the magnetic field generation region formed by the first moving magnet and the magnetic field generation region formed by the second moving magnet are each formed in an annular shape, all movable regions can be rotated in the rotating state of the turntable. The driving magnets corresponding to the pins (the first driving magnet and the second driving magnet) simultaneously pass through the magnetic field generation region. Therefore, in a state where the first moving magnet is arranged at the first position, a repulsive force or an attractive force is generated between the first moving magnet and the first driving magnets corresponding to all the movable pins included in the first movable pin group. Can be given. Further, in a state where the second movable magnet is arranged at the third position, a repulsive force or an attractive force is generated between the second movable magnet and the second driving magnets corresponding to all the movable pins included in the second movable pin group. Can be given.

請求項3に記載の発明は、前記第1および第2の移動磁石は、それぞれ、互いに同数の複数個設けられており、前記複数の第1の移動磁石および前記複数の第2の移動磁石は、平面視で、前記回転台の周方向に関し交互に、かつ全体として前記回転軸線と同軸の円環状をなすように配置されている、請求項2に記載の基板保持回転装置である。
この構成によれば、複数の第1の移動磁石および複数の第2の移動磁石は、回転台の周方向に関し交互に配置されている。また、複数の第1の移動磁石および複数の第2の移動磁石は、全体として前記回転軸線と同軸の円環状をなすように配置されている。この場合、個々の種類の移動磁石(第1の移動磁石または第2の移動磁石)に着目すれば、当該移動磁石は、回転軸線の同軸円周上において回転台の周方向に間欠的に配置されている。この場合でも、回転台の回転速度如何および/または各開放磁石の周方向長さ如何により、磁界発生領域を円環状に設けることは可能である。
In the invention according to claim 3, the first and second moving magnets are provided in the same number each, and the plurality of first moving magnets and the plurality of second moving magnets are respectively provided. 3. The substrate holding and rotating device according to claim 2, wherein the substrate holding and rotating devices are arranged alternately in a circumferential direction of the turntable in a plan view and so as to form an annular shape coaxial with the rotation axis as a whole.
According to this configuration, the plurality of first moving magnets and the plurality of second moving magnets are alternately arranged in the circumferential direction of the turntable. In addition, the plurality of first moving magnets and the plurality of second moving magnets are arranged so as to form an annular shape that is coaxial with the rotation axis as a whole. In this case, focusing on each type of moving magnet (the first moving magnet or the second moving magnet), the moving magnet is intermittently arranged in the circumferential direction of the turntable on the coaxial circumference of the rotation axis. Have been. Even in this case, the magnetic field generation region can be provided in an annular shape depending on the rotation speed of the turntable and / or the circumferential length of each open magnet.

請求項4に記載の発明は、前記第1の可動ピン群は、前記第2の可動ピン群と同数の前記可動ピンを含み、前記第1および第2の可動ピン群は前記回転台の周方向に関し交互に、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように配置されており、前記第1および第2の移動磁石は、それぞれ、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されている、請求項3に記載の基板保持回転装置である。   According to a fourth aspect of the present invention, the first movable pin group includes the same number of the movable pins as the second movable pin group, and the first and second movable pin groups are arranged around the rotary table. A plurality of movable pins included in each movable pin group are alternately arranged in the direction and are arranged at equal intervals, and the first and second movable magnets are included in each movable pin group, respectively. 4. The substrate holding and rotating device according to claim 3, wherein the same number as the number of the movable pins is arranged at equal intervals in a circumferential direction of the rotary table.

この構成によれば、第1および第2の可動ピン群が回転台の周方向に関し交互に配置されており、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように設けられているので、3つ以上の第1の可動ピン群によって基板が支持されている状態および3つ以上の第2の可動ピン群によって基板が支持されている状態とのそれぞれにおいて、各可動ピン群によって基板を良好に支持できる。   According to this configuration, the first and second movable pin groups are alternately arranged in the circumferential direction of the turntable, and the plurality of movable pins included in each movable pin group are provided at equal intervals. Therefore, in each of the state where the substrate is supported by three or more first movable pin groups and the state where the substrate is supported by three or more second movable pin groups, each movable pin The group can favorably support the substrate.

また、第1および第2の移動磁石が、それぞれ、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されているので、回転台の非回転状態においても、第1および第2の移動磁石が、それぞれ第1および第2の可動ピン群に対応する駆動用磁石との間で反発力または吸引力を与えることができる。
請求項5に記載の発明は、前記第1の移動磁石および前記第2の移動磁石は、前記回転軸線と同軸で平面視二重円環状に配置されている、請求項2に記載の基板保持回転装置である。
Further, since the first and second movable magnets are arranged at the same number as the number of the movable pins included in each movable pin group and at equal intervals in the circumferential direction of the rotary table, respectively, Also in the state, the first and second movable magnets can apply a repulsive force or an attractive force to the driving magnets corresponding to the first and second movable pin groups, respectively.
The invention according to claim 5 is the substrate holding device according to claim 2, wherein the first moving magnet and the second moving magnet are arranged coaxially with the rotation axis and in a double annular shape in plan view. It is a rotating device.

この構成によれば、円環状の第1の移動磁石および円環状の第2の移動磁石を用いるので、回転台の回転状態において、磁界発生領域を確実に環状に設けることができる。
請求項6に記載の発明は、前記付勢ユニットは、前記第1の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えることにより、前記第1の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記一方に付勢するための第1の付勢用磁石と、前記第2の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えることにより、前記第2の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記一方に付勢するための第2の付勢用磁石とを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。
According to this configuration, since the first annular moving magnet and the second annular moving magnet are used, the magnetic field generation region can be reliably provided in an annular shape in the rotating state of the turntable.
In the invention according to claim 6, the biasing unit opens the support portion of the first movable pin group by applying a repulsive force or an attractive force between the biasing unit and the first driving magnet. The second movable pin by applying a repulsive force or an attractive force between a first urging magnet for urging the one of the position and the holding position and the second driving magnet. group of the support portion the open position and the holding position the second including a biasing magnet for biasing said one of the substrate holding and rotating according to any one of claims 1 to 5 Device.

この構成によれば、第1の付勢用磁石および第2の付勢用磁石によって、各可動ピンの支持部が開放位置および保持位置の一方に付勢される。これにより、各可動ピンの支持部を開放位置および保持位置の一方に付勢する構成を簡単に実現できる。
請求項7に記載の発明は、前記第1および第2の付勢用磁石は、前記回転台に対して相対移動不能に設けられている、請求項6に記載の基板保持回転装置である。
According to this configuration, the support portion of each movable pin is urged to one of the open position and the holding position by the first urging magnet and the second urging magnet. This makes it possible to easily realize a configuration in which the support portion of each movable pin is biased to one of the open position and the holding position.
The invention according to claim 7 is the substrate holding and rotating device according to claim 6, wherein the first and second urging magnets are provided so as not to be movable relative to the turntable.

この構成によれば、各可動ピンの支持部を開放位置および保持位置の一方に常時付勢しておくことが可能である。
請求項8に記載の発明は、前記回転台と前記複数本の可動ピンによる基板保持位置との間に配置され、下位置と、下位置よりも上方において前記可動ピンによって支持されている基板の下面に接近した接近位置との間で前記回転台に対して相対的に上下動可能であり前記回転台とともに前記回転軸線まわりに回転するように前記回転台に取り付けられた保護ディスクをさらに含み、前記第1および第2の付勢用磁石は、前記保護ディスクに同伴上下動可能に設けられている、請求項6に記載の基板保持回転装置である。
According to this configuration, the support portion of each movable pin can be constantly biased to one of the open position and the holding position.
The invention according to claim 8, wherein the substrate is disposed between the turntable and the substrate holding position by the plurality of movable pins, and is supported by the movable pins at a lower position and above the lower position . And a protection disk attached to the turntable so as to be movable up and down relative to the turntable between an approach position close to the lower surface of the turntable and to rotate around the rotation axis with the turntable. 7. The substrate holding and rotating device according to claim 6, wherein the first and second urging magnets are provided on the protection disk so as to be movable up and down.

この構成によれば、保護ディスクを上下動させることにより、第1および第2の付勢用磁石を上下動させることができる。そのため、保護ディスク上下動用の昇降ユニットの他に、第1および第2の付勢用磁石を別途設ける必要がなく、これにより、装置構成の簡素化やコストダウンを図ることができる。
請求項9に記載の発明は、前記開放位置および前記保持位置の前記一方は、前記保持位置であり、前記開放位置および前記保持位置の前記他方は、前記開放位置である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。
According to this configuration, the first and second urging magnets can be moved up and down by moving the protection disk up and down. Therefore, it is not necessary to separately provide the first and second urging magnets in addition to the lifting / lowering unit for vertically moving the protection disk, thereby simplifying the apparatus configuration and reducing the cost.
The invention according to claim 9, wherein the one of the open position and the holding position is the holding position, and the other of the opening position and the holding position is the opening position. The substrate holding and rotating device according to any one of the above.

この構成によれば、各可動ピンの支持部は、付勢ユニットによって保持位置に付勢されている。回転台の回転状態で、第1の移動磁石を第1の位置に配置させかつ第2の移動磁石を第4の位置に配置させることにより、移動磁石(第1の移動磁石)からの反発力または吸引力が、第1の可動ピン群に対応する駆動用磁石である第1の駆動用磁石のみに与えられる。当該反発力または当該吸引力により、第1の可動ピン群の支持部は、付勢ユニットによる付勢力に抗って開放位置に付勢される。この状態では、第1の可動ピン群の支持部は開放位置に付勢されており、第2の可動ピン群の支持部は保持位置に付勢されている。すなわち、基板は、第2の可動ピン群に含まれる少なくとも3本の可動ピンによって支持される。   According to this configuration, the support portion of each movable pin is urged to the holding position by the urging unit. By disposing the first moving magnet at the first position and the second moving magnet at the fourth position while the turntable is rotating, the repulsive force from the moving magnet (first moving magnet) is obtained. Alternatively, the attraction force is applied only to the first driving magnet that is the driving magnet corresponding to the first movable pin group. The support portion of the first movable pin group is urged to the open position by the repulsion force or the suction force against the urging force of the urging unit. In this state, the support of the first movable pin group is urged to the open position, and the support of the second movable pin group is urged to the holding position. That is, the substrate is supported by at least three movable pins included in the second movable pin group.

一方、回転台の回転状態で、第1の移動磁石を第2の位置に配置させかつ第2の移動磁石を第3の位置に配置させることにより、移動磁石(第2の移動磁石)からの反発力または吸引力が、第2の可動ピン群に対応する駆動用磁石である第2の駆動用磁石のみに与えられる。当該反発力または当該吸引力により、第2の可動ピン群の支持部は、付勢ユニットによる付勢力に抗って開放位置に付勢される。この状態では、第1の可動ピン群の支持部は保持位置に付勢されており、第2の可動ピン群の支持部は開放位置に付勢されている。すなわち、基板は、第1の可動ピン群に含まれる少なくとも3本の可動ピンによって支持される。   On the other hand, by disposing the first moving magnet at the second position and disposing the second moving magnet at the third position in the rotating state of the turntable, the moving magnet (second moving magnet) The repulsive force or the attractive force is applied only to the second driving magnet that is the driving magnet corresponding to the second movable pin group. The support portion of the second movable pin group is urged to the open position by the repulsion force or the suction force against the urging force of the urging unit. In this state, the support of the first movable pin group is biased to the holding position, and the support of the second movable pin group is biased to the open position. That is, the substrate is supported by at least three movable pins included in the first movable pin group.

請求項10に記載の発明は、前記回転台と前記複数本の可動ピンによる基板保持位置との間に配置され、下位置と、下位置よりも上方において前記可動ピンによって支持されている基板の下面に接近した接近位置との間で前記回転台に対して相対的に上下動可能であり前記回転台とともに前記回転軸線まわりに回転するように前記回転台に取り付けられた保護ディスクと前記保護ディスクに取り付けられた第1の浮上用磁石と、非回転状態で設けられ、前記第1の浮上用磁石に対して反発力を与える第2の浮上用磁石と、前記第1の移動磁石および前記回転台の相対移動ならびに前記第2の移動磁石および前記回転台の相対移動のそれぞれと独立して、前記第1の浮上用磁石と前記第2の浮上用磁石との間の距離が変化するように前記第2の浮上用磁石および前記回転台を相対移動させる第3の相対移動ユニットとを含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板保持回転装置である。 The invention according to claim 10, wherein the substrate is disposed between the turntable and the substrate holding position by the plurality of movable pins, and is supported by the movable pin at a lower position and above the lower position . A protection disk attached to the turntable so as to be movable up and down relative to the turntable between an approaching position approaching the lower surface of the turntable and rotating about the rotation axis together with the turntable; A first levitation magnet attached to a disk, a second levitation magnet provided in a non-rotating state and applying a repulsive force to the first levitation magnet, the first moving magnet and the Independently of the relative movement of the turntable and the relative movement of the second moving magnet and the turntable, the distance between the first levitation magnet and the second levitation magnet changes. The second And a third relative movement unit for the levitation magnets and the turntable relative movement, a substrate holding and rotating apparatus according to any one of claims 1 to 9.

この構成によれば、第2の浮上用磁石および回転台の相対移動を、第1の移動磁石および前記回転台の相対移動ならびに第2の移動磁石および回転台の相対移動のそれぞれと独立して行う。これにより、保護ディスクの上下位置によらずに、第1の移動磁石および回転台の相対移動動作や、第2の移動磁石および回転台の相対移動動作を行うことができる。   According to this configuration, the relative movement of the second levitation magnet and the rotary table is independent of each of the relative movement of the first movable magnet and the rotary table and the relative movement of the second movable magnet and the rotary table. Do. Thereby, the relative movement operation of the first moving magnet and the turntable and the relative movement operation of the second movement magnet and the turntable can be performed regardless of the vertical position of the protection disk.

前記の目的を達成するための請求項11に記載の発明は、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板保持回転装置と、前記基板保持回転装置に保持されている基板の上面に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む、基板処理装置である。
この構成によれば、処理液供給ユニットから処理液が基板の主面に供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。この発明では、基板の回転中に、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることが可能である。そのため、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。
According to an eleventh aspect of the present invention, there is provided a substrate holding / rotating device according to any one of the first to tenth aspects, and an upper surface of a substrate held by the substrate holding / rotating device. On the other hand, a substrate processing apparatus includes a processing liquid supply unit that supplies a processing liquid.
According to this configuration, the processing liquid is supplied from the processing liquid supply unit to the main surface of the substrate. The processing liquid supplied to the main surface of the substrate flows toward the peripheral portion of the substrate under the centrifugal force due to the rotation of the substrate. Thereby, the peripheral portion of the substrate is liquid-processed with the processing liquid. According to the present invention, it is possible to change the contact support position of the substrate by the movable pin during the rotation of the substrate. Therefore, the peripheral portion of the substrate can be satisfactorily processed without any remaining processing.

請求項12に記載の発明は、前記回転駆動ユニット、前記処理液供給ユニット、前記第1の相対移動ユニットおよび前記第2の相対移動ユニットを制御する制御ユニットをさらに含み、前記制御ユニットは、前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第1の位置に配置すると共に前記第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第4の位置に配置する第1の磁石配置工程と、第1の磁石配置工程の非実行時において、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第3の位置に配置すると共に前記第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第2の位置に配置する第2の磁石配置工程とを実行する、請求項11に記載の基板処理装置である。 The invention according to claim 12, wherein the rotary drive unit, the processing liquid supply unit further includes a control unit for controlling said first relative movement unit and the second relative movement unit, wherein the control unit A turntable rotating step of rotating the turntable about the rotation axis, a processing liquid supply step of supplying a processing liquid to a substrate rotating with the rotation of the turntable, the turntable rotation step and the processing In parallel with the liquid supply step, the relative position of the first moving magnet and the rotary table is arranged at the first position, and the relative position of the second moving magnet and the rotary table is changed to the fourth position. A first magnet arranging step for disposing the second movable magnet and the rotator in parallel with the turntable rotating step and the processing liquid supplying step when the first magnet arranging step is not performed. A second magnet arranging step of arranging a relative position of a table at the third position and arranging a relative position of the first moving magnet and the rotary table at the second position. 4. The substrate processing apparatus according to item 1.

この構成によれば、回転状態にある基板の主面に処理液が供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。
また、回転台の回転および処理液の供給に並行して、第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を第1の位置に配置すると共に第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を第4の位置に配置する(第1の磁石配置工程)。これにより、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群(第1および第2の可動ピン群の一方)に含まれる少なくとも3本の可動ピンによって支持される。
According to this configuration, the processing liquid is supplied to the main surface of the rotating substrate. The processing liquid supplied to the main surface of the substrate flows toward the peripheral portion of the substrate under the centrifugal force due to the rotation of the substrate. Thereby, the peripheral portion of the substrate is liquid-processed with the processing liquid.
Further, in parallel with the rotation of the turntable and the supply of the processing liquid, the relative positions of the first moving magnet and the turntable are arranged at the first position, and the relative positions of the second movable magnet and the turntable are changed. Arrange at the fourth position (first magnet arrangement step). Thus, the substrate is supported by at least three movable pins included in the movable pin group (one of the first and second movable pin groups) whose support portion is biased to the holding position.

さらに、回転台の回転および処理液の供給に並行して、第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を第2の位置に配置すると共に第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を第3の位置に配置する(第2の磁石配置工程)。これにより、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群(第1および第2の可動ピン群の他方)に含まれる少なくとも3本の可動ピンによって支持される。   Further, in parallel with the rotation of the turntable and the supply of the processing liquid, the relative positions of the first moving magnet and the turntable are arranged at the second position, and the relative positions of the second movable magnet and the turntable are changed. It is arranged at a third position (second magnet arrangement step). Accordingly, the substrate is supported by at least three movable pins included in the movable pin group (the other of the first and second movable pin groups) whose support portion is biased to the holding position.

したがって、基板を回転させながら基板の主面に処理液を供給する処理液供給工程において、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板の周縁部の全域に処理液を供給することが可能であり、これにより、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。
前記の目的を達成するための請求項13に記載の発明は、回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンとを含み、前記複数本の可動ピンは、少なくとも3本の可動ピンを含む第1の可動ピン群と、前記第1の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも3本の可動ピンを含む第2の可動ピン群とを含み、各可動ピンの前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の一方に付勢する付勢ユニットと、各第1の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有する第1の駆動用磁石と、各第2の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し、前記第1の駆動用磁石とは逆の磁極方向を有する第2の駆動用磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第1の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第1の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の他方に付勢する第1の移動磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第2の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第2の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記他方に付勢する第2の移動磁石と、前記第1の移動磁石および前記回転台を、前記第1の移動磁石が前記第1の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第1の位置と、前記第1の移動磁石が前記第1の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第2の位置との間で相対移動させる第1の相対移動ユニットと、前記第1の移動磁石および前記回転台の相対移動と独立して、前記第2の移動磁石および前記回転台を、前記第2の移動磁石が前記第2の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第3の位置と、前記第2の移動磁石が前記第2の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第4の位置との間で相対移動させる第2の相対移動ユニットとをさらに含む、基板保持回転装置と、前記基板保持回転装置に保持されている基板に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第1の位置に配置すると共に前記第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第4の位置に配置する第1の磁石配置工程と、前記第1の磁石配置工程の非実行時において、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第3の位置に配置すると共に前記第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第2の位置に配置する第2の磁石配置工程とを含む、基板処理方法を提供する。
Therefore, in the processing liquid supply step of supplying the processing liquid to the main surface of the substrate while rotating the substrate, the contact support position of the substrate by the movable pin can be changed. Therefore, the processing liquid can be supplied to the entire area of the peripheral portion of the substrate, whereby the peripheral portion of the substrate can be satisfactorily processed without any remaining processing.
The invention according to claim 13 for achieving the above object is characterized in that a turntable, a rotary drive unit for rotating the turntable around a rotation axis along a vertical direction, and a plurality of components for horizontally supporting the substrate. A movable pin having a support portion movably provided between an open position distant from the rotation axis and a holding position close to the rotation axis; and a movable pin provided to rotate the movable pin of the plurality of comprises a first movable pin group comprising at least three movable pins, provided separately from the first movable pin group, A second movable pin group including at least three movable pins, an urging unit for urging the support portion of each movable pin to one of the open position and the holding position, and a first movable pin Attached to the group A first driving magnet having the same magnetic pole direction with respect to a direction orthogonal to the axis along the rotation axis, and a direction perpendicular to the axis along the rotation axis, which is mounted corresponding to each of the second movable pin groups. A second driving magnet having a magnetic pole direction opposite to that of the first driving magnet, and the first driving magnet provided in a non-rotating state and perpendicular to an axis along the rotation axis. A magnetic pole direction that gives a repulsive force or an attractive force between the first movable pin group and the support portion of the first movable pin group at the other of the open position and the holding position by the repulsive force or the attractive force. A first moving magnet to be energized, and a magnetic pole direction provided in a non-rotating state and providing a repulsive force or an attractive force between the first driving magnet and the second driving magnet in a direction perpendicular to an axis along the rotation axis. The repulsive force Or a second moving magnet that urges the support portion of the second movable pin group to the other of the open position and the holding position by the attraction force, the first moving magnet and the turntable. A first position at which the first moving magnet applies the repulsive force or the attractive force between the first moving magnet and the first driving magnet, and wherein the first moving magnet is A first relative movement unit that relatively moves between the repulsive force and a second position that does not provide the suction force, and independently of the relative movement of the first moving magnet and the turntable, A third position where the second moving magnet applies the repulsive force or the attractive force between the second moving magnet and the second driving magnet; A magnet generates the repulsive force and the attractive force between the magnet and the second driving magnet. A substrate holding / rotating device, further comprising a second relative moving unit for relatively moving the substrate holding / rotating device to a fourth position not to be provided, and a process of supplying a processing liquid to the substrate held by the substrate holding / rotating device the substrate processing method performed in a substrate processing apparatus including a liquid supply unit, a turntable rotating step of rotating the front Symbol turntable about said axis of rotation, and rotates with the rotation of the turntable A relative position of the first moving magnet and the rotary table is arranged at the first position in parallel with the processing liquid supply step of supplying the processing liquid to the substrate, the turntable rotating step and the processing liquid supply step. A first magnet arranging step of arranging the relative positions of the second moving magnet and the turntable at the fourth position, and a step of rotating the turntable during the non-execution of the first magnet arranging step. And before In parallel with the processing liquid supply step, the relative position of the second moving magnet and the rotary table is arranged at the third position, and the relative position of the first moving magnet and the rotary table is changed to the second position. And a second magnet arrangement step of arranging the substrate at a position.

この方法によれば、回転状態にある基板の主面に処理液が供給される。基板の主面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力を受けて基板の周縁部に向けて流れる。これにより、基板の周縁部が処理液により液処理される。
また、回転台の回転および処理液の供給に並行して、第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を第1の位置に配置すると共に第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を第4の位置に配置する(第1の磁石配置工程)。これにより、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群(第1および第2の可動ピン群の一方)に含まれる少なくとも3本の可動ピンによって支持される。
According to this method, the processing liquid is supplied to the main surface of the substrate in a rotating state. The processing liquid supplied to the main surface of the substrate flows toward the peripheral portion of the substrate under the centrifugal force due to the rotation of the substrate. Thereby, the peripheral portion of the substrate is liquid-processed with the processing liquid.
Further, in parallel with the rotation of the turntable and the supply of the processing liquid, the relative positions of the first moving magnet and the turntable are arranged at the first position, and the relative positions of the second movable magnet and the turntable are changed. Arrange at the fourth position (first magnet arrangement step). Thus, the substrate is supported by at least three movable pins included in the movable pin group (one of the first and second movable pin groups) whose support portion is biased to the holding position.

さらに、回転台の回転および処理液の供給に並行して、第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を第2の位置に配置すると共に第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を第3の位置に配置する(第2の磁石配置工程)。これにより、基板は、支持部が保持位置に付勢される可動ピン群(第1および第2の可動ピン群の他方)に含まれる少なくとも3本の可動ピンによって支持される。   Further, in parallel with the rotation of the turntable and the supply of the processing liquid, the relative positions of the first moving magnet and the turntable are arranged at the second position, and the relative positions of the second movable magnet and the turntable are changed. It is arranged at a third position (second magnet arrangement step). Accordingly, the substrate is supported by at least three movable pins included in the movable pin group (the other of the first and second movable pin groups) whose support portion is biased to the holding position.

したがって、基板を回転させながら基板の主面に処理液を供給する処理液供給工程において、可動ピンによる基板の接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板の周縁部の全域に処理液を供給することが可能であり、これにより、基板の周縁部を、処理残りなく良好に処理することができる。   Therefore, in the processing liquid supply step of supplying the processing liquid to the main surface of the substrate while rotating the substrate, the contact support position of the substrate by the movable pin can be changed. Therefore, the processing liquid can be supplied to the entire area of the peripheral portion of the substrate, whereby the peripheral portion of the substrate can be satisfactorily processed without any remaining processing.

図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。FIG. 1 is an illustrative plan view for explaining an internal layout of the substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図2は、前記基板処理装置に備えられた処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。FIG. 2 is an illustrative sectional view for explaining a configuration example of a processing unit provided in the substrate processing apparatus. 図3は、前記基板処理装置に備えられたスピンチャックの、より具体的な構成を説明するための平面図である。FIG. 3 is a plan view for explaining a more specific configuration of the spin chuck provided in the substrate processing apparatus. 図4は、図3の構成の底面図である。FIG. 4 is a bottom view of the configuration of FIG. 図5は、図3の切断面線V−Vから見た断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV of FIG. 3. 図6は、図5の構成の一部を拡大して示す拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged sectional view showing a part of the configuration of FIG. 5 in an enlarged manner. 図7は、スピンチャックに備えられた可動ピンの近傍の構成を拡大して示す断面図である。FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing a configuration near a movable pin provided in a spin chuck. 図8A−8Bは、第1の開放永久磁石の昇降動作に伴う、第1の可動ピン群に含まれる可動ピンの状態を示す模式的な図である。FIGS. 8A to 8B are schematic diagrams showing states of movable pins included in a first movable pin group in association with an elevating operation of a first open permanent magnet. 図9A−9Bは、第2の開放永久磁石の昇降動作に伴う、第2の可動ピン群に含まれる可動ピンの状態を示す模式的な図である。9A and 9B are schematic diagrams illustrating states of movable pins included in a second movable pin group in association with a lifting operation of the second open permanent magnet. 図10A−10Bは、第1の可動ピン群および第2の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。10A to 10B are schematic diagrams illustrating states of a first movable pin group and a second movable pin group. 図11A−11Bは、第1の可動ピン群および第2の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。11A and 11B are schematic diagrams illustrating states of a first movable pin group and a second movable pin group. 図12A−12Bは、第1の可動ピン群および第2の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。12A to 12B are schematic diagrams illustrating states of a first movable pin group and a second movable pin group. 図13A−13Bは、第1の可動ピン群および第2の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。13A to 13B are schematic diagrams illustrating states of a first movable pin group and a second movable pin group. 図14A−14Bは、第1の可動ピン群および第2の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。FIGS. 14A and 14B are schematic diagrams illustrating states of a first movable pin group and a second movable pin group. 図15A−15Bは、第1の可動ピン群および第2の可動ピン群の状態を示す模式的な図である。FIGS. 15A and 15B are schematic diagrams illustrating states of a first movable pin group and a second movable pin group. 図16は、前記基板処理装置の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。FIG. 16 is a block diagram for explaining an electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus. 図17は、前記基板処理装置によって実行される処理液処理の一例を説明するための流れ図である。FIG. 17 is a flowchart for explaining an example of the processing liquid processing performed by the substrate processing apparatus. 図18は、前記処理液処理を説明するためのタイムチャートである。FIG. 18 is a time chart for explaining the treatment liquid treatment. 図19A−19Bは、前記処理液処理の一例を説明するための図解的な図である。19A to 19B are schematic views for explaining an example of the processing liquid processing. 図19C−19Dは、図19Bに続く工程を説明するための図解的な図である。19C to 19D are schematic views for illustrating a step following the step shown in FIG. 19B. 図19E−19Fは、図19Dに続く工程を説明するための模式的な図である。19E to 19F are schematic views for explaining a step following FIG. 19D. 図19Gは、図19Fに続く工程を説明するための図解的な図である。FIG. 19G is an illustrative view showing a step following FIG. 19F. 図19Hは、図19Gに続く工程を説明するための図解的な図である。FIG. 19H is an illustrative view showing a step following FIG. 19G. 図19I−19Jは、図19Hに続く工程を説明するための模式的な図である。19I to 19J are schematic diagrams for explaining a step following FIG. 19H. 図19Kは、図19Jに続く工程を説明するための模式的な図である。FIG. 19K is a schematic view for explaining a step following FIG. 19J. 図20A−20Bは、可動ピンが保持位置にあるとき、および可動ピンが開放位置にあるときのそれぞれにおける、処理液の回り込み状態を示す図である。FIGS. 20A-20B are diagrams illustrating the state of wraparound of the processing liquid when the movable pin is at the holding position and when the movable pin is at the open position. 図20Cは、基板の周縁部における、処理液および不活性ガスの流れを示す断面図である。FIG. 20C is a cross-sectional view illustrating the flow of the processing liquid and the inert gas in the peripheral portion of the substrate. 図21は、本発明の第2の実施形態に係る処理ユニットの構成例を説明するための図解的な断面図である。FIG. 21 is an illustrative sectional view for explaining a configuration example of a processing unit according to the second embodiment of the present invention. 図22は、前記処理ユニットに備えられたスピンチャックの円環状のカバーの構成例を説明するための断面図である。FIG. 22 is a cross-sectional view for explaining a configuration example of an annular cover of a spin chuck provided in the processing unit. 図23は、前記スピンチャックの、より具体的な構成を説明するための平面図である。FIG. 23 is a plan view for explaining a more specific configuration of the spin chuck. 図24A−24Bは、保護ディスクの昇降動作に伴う、第1の可動ピン群に含まれる可動ピンの状態を示す模式的な図である。FIGS. 24A to 24B are schematic diagrams showing states of movable pins included in a first movable pin group in association with a lifting and lowering operation of a protection disk. 図25A−25Bは、保護ディスクの昇降動作に伴う、第2の可動ピン群に含まれる可動ピンの状態を示す模式的な図である。FIGS. 25A to 25B are schematic diagrams illustrating states of movable pins included in a second movable pin group in association with a lifting operation of the protection disk. 図26は、前記基板処理装置によって実行される処理液処理の一例を説明するための流れ図である。FIG. 26 is a flowchart illustrating an example of a processing liquid process performed by the substrate processing apparatus. 図27Aは、前記基板処理装置によって実行される処理液処理の一例を説明するための図解的な図である。FIG. 27A is an illustrative view for explaining an example of the processing liquid processing performed by the substrate processing apparatus. 図27Bは、図27Aに続く工程を説明するための図解的な図である。FIG. 27B is an illustrative view showing a step following FIG. 27A. 図27Cは、図27Bに続く工程を説明するための図解的な図である。FIG. 27C is an illustrative view for explaining a step following FIG. 27B. 図27Dは、図27Cに続く工程を説明するための図解的な図である。FIG. 27D is an illustrative view showing a step following FIG. 27C. 図27Eは、図27Dに続く工程を説明するための模式的な図である。FIG. 27E is a schematic diagram for explaining a step following the step shown in FIG. 27D. 図27Fは、図27Eに続く工程を説明するための模式的な図である。FIG. 27F is a schematic diagram for explaining a step following the step shown in FIG. 27E. 図27Gは、図27Fに続く工程を説明するための図解的な図である。FIG. 27G is an illustrative view showing a step following FIG. 27F. 図27Hは、図27Gに続く工程を説明するための図解的な図である。FIG. 27H is an illustrative view showing a step following FIG. 27G. 図27Iは、図27Hに続く工程を説明するための模式的な図である。FIG. 27I is a schematic diagram for explaining a step following the step shown in FIG. 27H. 図27Jは、図27Iに続く工程を説明するための模式的な図である。FIG. 27J is a schematic view for explaining the step following FIG. 27I. 図27Kは、図27Jに続く工程を説明するための模式的な図である。FIG. 27K is a schematic view for explaining a step following FIG. 27J.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハ(半導体基板)からなる円板状の基板Wを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、複数のキャリアCを保持するロードポートLPと、基板Wの姿勢を上下反転させる反転ユニットTUと、基板Wを処理する複数の処理ユニット2とを含む。ロードポートLPおよび処理ユニット2は、水平方向に間隔を空けて配置されている。反転ユニットTUは、ロードポートLPと処理ユニット2との間で搬送される基板Wの搬送経路上に配置されている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is an illustrative plan view for explaining an internal layout of a substrate processing apparatus 1 according to one embodiment of the present invention.
The substrate processing apparatus 1 is a single-wafer processing apparatus that processes a disk-shaped substrate W made of a semiconductor wafer (semiconductor substrate) one by one with a processing liquid or a processing gas. The substrate processing apparatus 1 includes a load port LP for holding a plurality of carriers C, a reversing unit TU for reversing the posture of the substrate W, and a plurality of processing units 2 for processing the substrate W. The load port LP and the processing unit 2 are arranged at intervals in the horizontal direction. The reversing unit TU is arranged on a transport path of the substrate W transported between the load port LP and the processing unit 2.

基板処理装置1は、図1に示すように、さらに、ロードポートLPと反転ユニットTUとの間に配置されたインデクサロボットIRと、反転ユニットTUと処理ユニット2との間に配置されたセンターロボットCRと、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御ユニット3とを含む。インデクサロボットIRは、ロードポートLPに保持されているキャリアCから反転ユニットTUに複数枚の基板Wを一枚ずつ搬送し、反転ユニットTUからロードポートLPに保持されているキャリアCに複数枚の基板Wを一枚ずつ搬送する。同様に、センターロボットCRは、反転ユニットTUから処理ユニット2に複数枚の基板Wを一枚ずつ搬送し、処理ユニット2から反転ユニットTUに複数枚の基板Wを一枚ずつ搬送する。センターロボットCRは、さらに、複数の処理ユニット2の間で基板Wを搬送する。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 further includes an indexer robot IR disposed between the load port LP and the reversing unit TU, and a center robot disposed between the reversing unit TU and the processing unit 2. It includes a CR and a control unit 3 that controls the operation of the apparatus provided in the substrate processing apparatus 1 and the opening and closing of valves. The indexer robot IR transports a plurality of substrates W one by one from the carrier C held in the load port LP to the reversing unit TU, and transfers a plurality of substrates W from the reversing unit TU to the carrier C held in the load port LP. The substrates W are transported one by one. Similarly, the center robot CR transports a plurality of substrates W one by one from the reversing unit TU to the processing unit 2 and transports a plurality of substrates W one by one from the processing unit 2 to the reversing unit TU. The center robot CR further transports the substrate W between the plurality of processing units 2.

インデクサロボットIRは、基板Wを水平に支持するハンドH1を備えている。インデクサロボットIRは、ハンドH1を水平に移動させる。さらに、インデクサロボットIRは、ハンドH1を昇降させ、当該ハンドH1を鉛直軸線まわりに回転させる。同様に、センターロボットCRは、基板Wを水平に支持するハンドH2を備えている。センターロボットCRは、ハンドH2を水平に移動させる。さらに、センターロボットCRは、ハンドH2を昇降させ、当該ハンドH2を鉛直軸線まわりに回転させる。   The indexer robot IR includes a hand H1 that horizontally supports the substrate W. The indexer robot IR moves the hand H1 horizontally. Further, the indexer robot IR raises and lowers the hand H1, and rotates the hand H1 about a vertical axis. Similarly, the center robot CR includes a hand H2 that horizontally supports the substrate W. The center robot CR moves the hand H2 horizontally. Further, the center robot CR raises and lowers the hand H2, and rotates the hand H2 around a vertical axis.

キャリアCには、デバイス形成面である基板Wの表面Waが上に向けられた状態(上向き姿勢)で基板Wが収容されている。制御ユニット3は、インデクサロボットIRによって、表面Wa(図2等参照)が上向きの状態でキャリアCから反転ユニットTUに基板Wを搬送させる。そして、制御ユニット3は、反転ユニットTUによって、基板Wを反転させる。これにより、基板Wの裏面Wb(図2等参照)が上に向けられる。その後、制御ユニット3は、センターロボットCRによって、裏面Wbが上向きの状態で反転ユニットTUから処理ユニット2に基板Wを搬送させる。そして、制御ユニット3は、処理ユニット2によって基板Wの裏面Wbを処理させる。   The carrier W is accommodated in the carrier C with the surface Wa of the substrate W, which is the device formation surface, facing upward (upward posture). The control unit 3 causes the indexer robot IR to transfer the substrate W from the carrier C to the reversing unit TU with the front surface Wa (see FIG. 2 and the like) facing upward. Then, the control unit 3 reverses the substrate W by the reversing unit TU. Thereby, the back surface Wb (see FIG. 2 and the like) of the substrate W is turned upward. Thereafter, the control unit 3 causes the center robot CR to transfer the substrate W from the reversing unit TU to the processing unit 2 with the back surface Wb facing upward. Then, the control unit 3 causes the processing unit 2 to process the back surface Wb of the substrate W.

基板Wの裏面Wbが処理された後は、制御ユニット3は、センターロボットCRによって、裏面Wbが上向きの状態で処理ユニット2から反転ユニットTUに基板Wを搬送させる。そして、制御ユニット3は、反転ユニットTUによって基板Wを反転させる。これにより、基板Wの表面Waが上に向けられる。その後、制御ユニット3は、インデクサロボットIRによって、表面Waが上向きの状態で反転ユニットTUからキャリアCに基板Wを搬送させる。これにより、処理済みの基板WがキャリアCに収容される。制御ユニット3は、インデクサロボットIR等にこの一連動作を繰り返し実行させることにより、複数枚の基板Wを一枚ずつ処理させる。   After the rear surface Wb of the substrate W is processed, the control unit 3 causes the center robot CR to transport the substrate W from the processing unit 2 to the reversing unit TU with the rear surface Wb facing upward. Then, the control unit 3 reverses the substrate W by the reversing unit TU. Thereby, the surface Wa of the substrate W is directed upward. After that, the control unit 3 causes the indexer robot IR to transfer the substrate W from the reversing unit TU to the carrier C with the front surface Wa facing upward. Thus, the processed substrate W is stored in the carrier C. The control unit 3 causes the indexer robot IR and the like to repeatedly execute the series of operations, thereby processing a plurality of substrates W one by one.

図2は、基板処理装置1に備えられた処理ユニット2の構成例を説明するための図解的な断面図である。図3は、基板処理装置1に備えられたスピンチャック5の、より具体的な構成を説明するための平面図である。図4は、図3の構成の底面図である。図5は、図3の切断面線V−Vから見た断面図である。図6は、図5の構成の一部を拡大して示す拡大断面図である。図7は、スピンチャック5に備えられた可動ピン110の近傍の構成を拡大して示す断面図である。   FIG. 2 is an illustrative sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 2 provided in the substrate processing apparatus 1. FIG. 3 is a plan view for explaining a more specific configuration of the spin chuck 5 provided in the substrate processing apparatus 1. FIG. 4 is a bottom view of the configuration of FIG. FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line VV of FIG. 3. FIG. 6 is an enlarged sectional view showing a part of the configuration of FIG. 5 in an enlarged manner. FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing the configuration near the movable pin 110 provided in the spin chuck 5.

図2に示すように、処理ユニット2は、内部空間を有する箱形の処理チャンバー4と、処理チャンバー4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持回転装置)5と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面(裏面(一方主面)Wb)に向けて、薬液(処理液)の一例としてのオゾン含有フッ酸溶液(以下、FOMという)を供給するための薬液供給ユニット(処理液供給ユニット)7と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面にリンス液(処理液)としての水を供給するための水供給ユニット(処理液供給ユニット)8と、基板Wの上面に接触して当該上面をスクラブ洗浄するための洗浄ブラシ10と、洗浄ブラシ10を駆動するための洗浄ブラシ駆動ユニット11と、スピンチャック5に保持されている基板Wの下面(表面(他方主面)Wa)に保護気体としての不活性ガスを供給するための保護気体供給ユニット12と、スピンチャック5を取り囲む筒状の処理カップ(図示しない)とを含む。   As shown in FIG. 2, the processing unit 2 includes a box-shaped processing chamber 4 having an internal space, and a single substrate W held in the processing chamber 4 in a horizontal posture. A spin chuck (substrate holding / rotating device) 5 for rotating the substrate W around the rotation axis A1 and a chemical solution (processing) toward an upper surface (back surface (one main surface) Wb) of the substrate W held by the spin chuck 5. A liquid supply unit (treatment liquid supply unit) 7 for supplying an ozone-containing hydrofluoric acid solution (hereinafter, referred to as FOM) as an example of a liquid (liquid), and a rinsing liquid ( A water supply unit (treatment liquid supply unit) 8 for supplying water as a treatment liquid, a cleaning brush 10 for contacting the upper surface of the substrate W and scrubbing the upper surface, and driving the cleaning brush 10 And a protective gas supply unit 12 for supplying an inert gas as a protective gas to the lower surface (the front surface (the other main surface) Wa) of the substrate W held by the spin chuck 5. , A cylindrical processing cup (not shown) surrounding the spin chuck 5.

図2に示すように、処理チャンバー4は、箱状の隔壁(図示しない)と、隔壁の上部から隔壁内(処理チャンバー4内に相当)に清浄空気を送る送風ユニットとしてのFFU(ファン・フィルタ・ユニット。図示しない)と、隔壁の下部から処理チャンバー4内の気体を排出する排気装置(図示しない)とを含む。FFUおよび排気装置により、処理チャンバー4内にダウンフロー(下降流)が形成される。   As shown in FIG. 2, the processing chamber 4 includes a box-shaped partition (not shown) and an FFU (fan / filter) serving as a blowing unit that sends clean air from above the partition into the partition (corresponding to the inside of the processing chamber 4). A unit (not shown) and an exhaust device (not shown) for discharging gas in the processing chamber 4 from below the partition. A downflow (downflow) is formed in the processing chamber 4 by the FFU and the exhaust device.

図2に示すように、スピンチャック5は、鉛直方向に沿う回転軸線A1のまわりに回転可能な回転台107を備えている。回転台107の回転中心の下面にボス109を介して回転軸108が結合されている。回転軸108は、中空軸であって、鉛直方向に沿って延びており、回転駆動ユニット103からの駆動力を受けて、回転軸線A1まわりに回転するように構成されている。回転駆動ユニット103は、たとえば、回転軸108を駆動軸とする電動モータであってもよい。   As shown in FIG. 2, the spin chuck 5 includes a turntable 107 rotatable around a rotation axis A1 along the vertical direction. A rotation shaft 108 is coupled to the lower surface of the rotation center of the turntable 107 via a boss 109. The rotation shaft 108 is a hollow shaft, extends in the vertical direction, and is configured to rotate around the rotation axis A1 by receiving a driving force from the rotation drive unit 103. The rotation drive unit 103 may be, for example, an electric motor having the rotation shaft 108 as a drive shaft.

図2に示すように、スピンチャック5は、さらに、回転台107の上面の周縁部に周方向に沿ってほぼ等間隔を開けて設けられた複数本(この実施形態では6本)の可動ピン110を備えている。各可動ピン110は、ほぼ水平な上面を有する回転台107から一定の間隔を開けた上方の基板保持高さにおいて、基板Wを水平に保持するように構成されている。すなわち、スピンチャック5に備えられる保持ピンは、全て可動ピン110である。   As shown in FIG. 2, the spin chuck 5 further includes a plurality of (six in this embodiment) movable pins provided on the periphery of the upper surface of the turntable 107 at substantially equal intervals along the circumferential direction. 110 is provided. Each of the movable pins 110 is configured to horizontally hold the substrate W at a substrate holding height above a rotating table 107 having a substantially horizontal upper surface and at a fixed interval. That is, all the holding pins provided in the spin chuck 5 are the movable pins 110.

回転台107は、水平面に沿った円盤状に形成されていて、回転軸108に結合されたボス109に結合されている。
図3に示すように、各可動ピン110は、回転台107の上面の周縁部に周方向に沿って等間隔に配置されている。6本の可動ピン110は、互いに隣り合わない3本の可動ピン110ごとに、対応する駆動用永久磁石156A,156Bの磁極方向が共通する一つの群に設定されている。換言すると、6本の可動ピン110は、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110と、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110とを含む。第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110に対応する第1の駆動用永久磁石156Aの磁極方向と、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110に対応する第2の駆動用永久磁石156Bの磁極方向とは、回転軸線A3に直交する方向に関し互いに異なっている。第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110と、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110とは、回転台107の周方向に関し交互に配置されている。第1の可動ピン群111に着目すれば、3本の可動ピン110は等間隔(120°間隔)に配置されている。また、第2の可動ピン群112に着目すれば、3本の可動ピン110は等間隔(120°間隔)に配置されている。
The turntable 107 is formed in a disk shape along a horizontal plane, and is connected to a boss 109 connected to a rotation shaft 108.
As shown in FIG. 3, the movable pins 110 are arranged at equal intervals along the circumferential direction on the peripheral edge of the upper surface of the turntable 107. The six movable pins 110 are set in one group in which the magnetic pole directions of the corresponding drive permanent magnets 156A and 156B are common to each of the three movable pins 110 that are not adjacent to each other. In other words, the six movable pins 110 include three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 and three movable pins 110 included in the second movable pin group 112. Corresponding to the magnetic pole direction of the first driving permanent magnet 156A corresponding to the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, and to the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 The magnetic pole direction of the second driving permanent magnet 156B is different from each other in a direction orthogonal to the rotation axis A3. The movable pins 110 included in the first movable pin group 111 and the movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are alternately arranged in the circumferential direction of the turntable 107. Focusing on the first movable pin group 111, the three movable pins 110 are arranged at equal intervals (120 ° intervals). Focusing on the second movable pin group 112, the three movable pins 110 are arranged at equal intervals (120 ° intervals).

各可動ピン110は、回転台107に結合された下軸部151と、下軸部151の上端に一体的に形成された上軸部(支持部)152とを含み、下軸部151および上軸部152がそれぞれ円柱形状に形成されている。上軸部152は、下軸部151の中心軸線から偏心して設けられている。下軸部151の上端と上軸部152の下端との間をつなぐ表面は、上軸部152から下軸部151の周面に向かって下降するテーパ面153を形成している。   Each movable pin 110 includes a lower shaft portion 151 coupled to the turntable 107 and an upper shaft portion (support portion) 152 integrally formed on the upper end of the lower shaft portion 151. The shaft portions 152 are each formed in a columnar shape. The upper shaft 152 is provided eccentrically from the center axis of the lower shaft 151. The surface connecting the upper end of the lower shaft 151 and the lower end of the upper shaft 152 forms a tapered surface 153 that descends from the upper shaft 152 toward the peripheral surface of the lower shaft 151.

図7に示すように、各可動ピン110は、下軸部151がその中心軸線と同軸の回転軸線A3まわりに回転可能であるように回転台107に結合されている。より詳細には、下軸部151の下端部には、回転台107に対して軸受け154を介して支持された支持軸155が設けられている。支持軸155の下端には、駆動用永久磁石(第1および第2の駆動用磁石)156A,156Bを保持した磁石保持部材157が結合されている。駆動用永久磁石156A,156Bは、たとえば、磁極方向を可動ピン110の回転軸線A3に対して直交する方向に向けて配置されている。第1の駆動用永久磁石156Aは、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110に対応する駆動用永久磁石である。第2の駆動用永久磁石156Bは、第2の可動ピン群111に含まれる可動ピン110に対応する駆動用永久磁石である。第1の駆動用永久磁石156Aおよび第2の駆動用永久磁石156Bは、当該駆動用永久磁石156A,156Bに対応する可動ピン110に外力が付与されていない状態で、回転軸線A3に直交する方向(回転軸線に沿う軸線に直交する方向)に関し互いに逆向きの等しい磁極方向を有するように設けられている。第1の駆動用永久磁石156Aおよび第2の駆動用永久磁石156Aは、回転台107の周方向に関し交互に配置されている。   As shown in FIG. 7, each movable pin 110 is coupled to the turntable 107 such that the lower shaft portion 151 can rotate around a rotation axis A3 coaxial with its central axis. More specifically, a support shaft 155 is provided at the lower end of the lower shaft 151 and is supported by the turntable 107 via a bearing 154. A magnet holding member 157 holding driving permanent magnets (first and second driving magnets) 156A and 156B is coupled to a lower end of the support shaft 155. The drive permanent magnets 156A and 156B are arranged, for example, with the magnetic pole direction oriented in a direction orthogonal to the rotation axis A3 of the movable pin 110. The first driving permanent magnet 156A is a driving permanent magnet corresponding to the movable pin 110 included in the first movable pin group 111. The second driving permanent magnet 156B is a driving permanent magnet corresponding to the movable pin 110 included in the second movable pin group 111. The first driving permanent magnet 156A and the second driving permanent magnet 156B are in a direction orthogonal to the rotation axis A3 in a state where no external force is applied to the movable pins 110 corresponding to the driving permanent magnets 156A, 156B. They are provided so as to have equal magnetic pole directions opposite to each other with respect to (a direction orthogonal to an axis along the rotation axis). The first drive permanent magnets 156A and the second drive permanent magnets 156A are alternately arranged in the circumferential direction of the turntable 107.

回転台107には、可動ピン110の数と同数の閉塞永久磁石121,122が設けられている。閉塞永久磁石121,122は、可動ピン110に1対1対応で設けられており、対応する可動ピン110に隣接して配置されている。この実施形態では、図3および図4に示すように、閉塞永久磁石121,122は、対応する可動ピン110の周囲において、可動ピン110の平面視での中心位置よりも、回転軸線A1から離反する方向に寄って配置されている。各閉塞永久磁石121,122は、対応する磁石保持部材157に隣接して設けられた磁石保持部材123に収容されている。   The turntable 107 is provided with the same number of closed permanent magnets 121 and 122 as the number of the movable pins 110. The closed permanent magnets 121 and 122 are provided in one-to-one correspondence with the movable pins 110, and are arranged adjacent to the corresponding movable pins 110. In this embodiment, as shown in FIGS. 3 and 4, the closed permanent magnets 121 and 122 are further away from the rotation axis A1 around the corresponding movable pin 110 than the center position of the movable pin 110 in plan view. It is arranged in the direction to be. Each of the closed permanent magnets 121 and 122 is housed in a magnet holding member 123 provided adjacent to the corresponding magnet holding member 157.

複数の閉塞永久磁石121,122は、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110に対応する3つの第1の閉塞永久磁石(第1の付勢用磁石)121と、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110に対応する3つの第2の閉塞永久磁石(第2の付勢用磁石)122とを含む。換言すると、第1の閉塞永久磁石121は、第1の駆動用永久磁石156Aに対応し、第2の閉塞永久磁石122は、第2の駆動用永久磁石156Bに対応している。第1の閉塞永久磁石121および第2の駆動用永久磁石156Aは、回転台107の周方向に関し交互に配置されている。第1の閉塞永久磁石121および第2の閉塞永久磁石122は回転台107に対して昇降不能に設けられている。   The plurality of closed permanent magnets 121 and 122 include three first closed permanent magnets (first urging magnets) 121 corresponding to the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, and a second closed permanent magnet 121. And three second closed permanent magnets (second biasing magnets) 122 corresponding to the three movable pins 110 included in the two movable pin groups 112. In other words, the first closing permanent magnet 121 corresponds to the first driving permanent magnet 156A, and the second closing permanent magnet 122 corresponds to the second driving permanent magnet 156B. The first closing permanent magnets 121 and the second driving permanent magnets 156A are alternately arranged in the circumferential direction of the turntable 107. The first closed permanent magnet 121 and the second closed permanent magnet 122 are provided so as to be unable to move up and down with respect to the turntable 107.

前述のように、第1の駆動用永久磁石156Aおよび第2の駆動用永久磁石156Bは、回転軸線A3に直交する方向に関し互いに逆向きの等しい磁極方向を有するように設けられている。第1の閉塞永久磁石121および第2の閉塞永久磁石122は、対応する駆動用永久磁石156A,156Bに磁力を付与して、対応する可動ピン110の上軸部152を保持位置に付勢するために設けられている。したがって、第1の閉塞永久磁石121および第2の閉塞永久磁石122も、回転軸線A3に直交する方向に関し互いに逆向きの等しい磁極方向を有するように設けられている。   As described above, the first driving permanent magnet 156A and the second driving permanent magnet 156B are provided so as to have the same magnetic pole directions that are opposite to each other with respect to the direction orthogonal to the rotation axis A3. The first closing permanent magnet 121 and the second closing permanent magnet 122 apply a magnetic force to the corresponding driving permanent magnets 156A, 156B to urge the upper shaft 152 of the corresponding movable pin 110 to the holding position. It is provided for. Therefore, the first closed permanent magnet 121 and the second closed permanent magnet 122 are also provided so as to have the same magnetic pole direction opposite to each other with respect to the direction orthogonal to the rotation axis A3.

第1の駆動用永久磁石156Aは、第1の閉塞永久磁石121からの吸引磁力を受け、上軸部152を回転軸線A1に近づいた保持位置へと移動させている。つまり、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110の上軸部152は、第1の閉塞永久磁石121の吸引磁力により保持位置へと付勢されている。
第2の駆動用永久磁石156Bは、第2の閉塞永久磁石122からの吸引磁力を受け、上軸部152を回転軸線A1に近づいた保持位置へと移動させている。つまり、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110の上軸部152は、第2の閉塞永久磁石122の吸引磁力により保持位置へと付勢されている。したがって、駆動用永久磁石156A,156Bが次に述べる開放永久磁石125,127からの吸引磁力を受けないときには、回転軸線A1から離れた保持位置に可動ピン110が位置している。
The first driving permanent magnet 156A receives the attractive magnetic force from the first closing permanent magnet 121, and moves the upper shaft 152 to a holding position closer to the rotation axis A1. That is, the upper shaft 152 of the movable pin 110 included in the first movable pin group 111 is urged to the holding position by the attractive magnetic force of the first closed permanent magnet 121.
The second driving permanent magnet 156B receives the attractive magnetic force from the second closing permanent magnet 122, and moves the upper shaft 152 to the holding position closer to the rotation axis A1. That is, the upper shaft 152 of the movable pin 110 included in the second movable pin group 112 is urged to the holding position by the attractive magnetic force of the second closed permanent magnet 122. Therefore, when the drive permanent magnets 156A and 156B do not receive the attractive magnetic force from the open permanent magnets 125 and 127 described below, the movable pin 110 is located at a holding position away from the rotation axis A1.

図2に示すように、回転台107の下方には、第1の開放永久磁石(第1の昇降磁石)125および第2の開放永久磁石(第2の昇降磁石)127が設けられている。第1の開放永久磁石125および第2の開放永久磁石127の磁極方向は、ともに上下方向に沿う方向であるが互いに逆向きである。第1の開放永久磁石125の上面がたとえばN極である場合には、第2の開放永久磁石127の上面は逆極性のS極を有している。   As shown in FIG. 2, below the turntable 107, a first open permanent magnet (first elevating magnet) 125 and a second open permanent magnet (second elevating magnet) 127 are provided. The magnetic pole directions of the first open permanent magnet 125 and the second open permanent magnet 127 are both along the vertical direction but opposite to each other. When the upper surface of the first open permanent magnet 125 is, for example, an N pole, the upper surface of the second open permanent magnet 127 has an S pole of the opposite polarity.

この実施形態では、第1の開放永久磁石125および第2の開放永久磁石127はそれぞれ3つずつ(可動ピン群111,112に含まれる可動ピン110の数と同数)設けられている。3つの第1の駆動用永久磁石156Aおよび3つの第2の駆動用永久磁石156Aは、平面視で、回転台107の周方向に関し交互に配置されている。
3つの第1の開放永久磁石125は、回転軸線A1を中心とする円弧状をなし、互いに共通の高さ位置でかつ回転台107の周方向に間隔を空けて配置されている。3つの第1の開放永久磁石125は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線A1と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。各第1の開放永久磁石125は、回転軸線A1に直交する平面(水平面)に沿って配置されている。
In this embodiment, three first open permanent magnets 125 and two second open permanent magnets 127 are provided (the same number as the number of movable pins 110 included in the movable pin groups 111 and 112). The three first driving permanent magnets 156A and the three second driving permanent magnets 156A are alternately arranged in the circumferential direction of the turntable 107 in plan view.
The three first open permanent magnets 125 have an arc shape centered on the rotation axis A1, and are arranged at common height positions and at intervals in the circumferential direction of the turntable 107. The three first open permanent magnets 125 have the same specifications as each other, and are arranged at regular intervals in the circumferential direction on a circumference coaxial with the rotation axis A1. Each first open permanent magnet 125 is disposed along a plane (horizontal plane) orthogonal to the rotation axis A1.

第1の開放永久磁石125は、回転軸線A1と同軸の円環状に形成されていて、回転軸線A1に直交する平面(水平面)に沿って配置されている。第1の開放永久磁石125は、より具体的には、回転軸線A1に対して、後述する第1の浮上用磁石160よりも遠く、かつ駆動用永久磁石156A,156Bよりも近い位置に配置されている。
各第1の開放永久磁石125の周方向長さ(角度)は、約60°である。各第1の開放永久磁石125の周方向長さ(角度)を約60°とした理由は、後述するように基板Wを液処理速度(たとえば約500rpm)で回転させたときに、回転台107の回転に伴って回転する駆動用永久磁石156A,156Bが通過する環状領域に、全周環状の磁界発生領域129A(図13A参照)を形成するように設定したものである。
The first open permanent magnet 125 is formed in an annular shape coaxial with the rotation axis A1, and is arranged along a plane (horizontal plane) orthogonal to the rotation axis A1. More specifically, the first open permanent magnet 125 is disposed at a position farther from the rotation axis A1 than a first levitation magnet 160 described later and closer than the drive permanent magnets 156A and 156B. ing.
The circumferential length (angle) of each first open permanent magnet 125 is about 60 °. The reason that the circumferential length (angle) of each of the first open permanent magnets 125 is about 60 ° is that when the substrate W is rotated at a liquid processing speed (for example, about 500 rpm) as described later, the turntable 107 is rotated. The magnetic field generating region 129A (see FIG. 13A) having an annular shape is formed in an annular region through which the driving permanent magnets 156A and 156B that rotate with the rotation of the motor pass.

第1の開放永久磁石125には、当該複数の第1の開放永久磁石125を一括して昇降させる第1の昇降ユニット(第1の相対移動ユニット)126が連結されている。第1の昇降ユニット126は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、第1の昇降ユニット126が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、第1の昇降ユニット126は第1の開放永久磁石125を個別に昇降させるようにしてもよい。   The first open permanent magnet 125 is connected to a first lifting / lowering unit (first relative moving unit) 126 for lifting and lowering the plurality of first open permanent magnets 125 collectively. The first elevating unit 126 has, for example, a configuration including a cylinder provided to be able to expand and contract in the up-down direction, and is supported by the cylinder. Further, the first elevating unit 126 may be configured using an electric motor. Further, the first lifting unit 126 may raise and lower the first open permanent magnet 125 individually.

第1の開放永久磁石125は、第1の駆動用永久磁石156Aとの間に吸引磁力を発生させ、当該吸引磁力により、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110の上軸部152を、開放位置へと付勢するための磁石である。第1の開放永久磁石125が、磁極が第1の駆動用永久磁石156Aに対して上下方向に接近する上位置(第1の位置。図8Bおよび図19A参照)に配置され、かつ、第1の開放永久磁石125が第1の駆動用永久磁石156Aに横方向に対向する状態では、第1の開放永久磁石125と第1の駆動用永久磁石156Aとの間に磁力(吸引磁力)が作用する。   The first open permanent magnet 125 generates an attractive magnetic force between itself and the first driving permanent magnet 156A, and the upper magnetic portion 152 of the movable pin 110 included in the first movable pin group 111 is generated by the attractive magnetic force. To the open position. The first open permanent magnet 125 is disposed at an upper position (first position; see FIG. 8B and FIG. 19A) where the magnetic pole approaches the first driving permanent magnet 156A vertically. In the state where the open permanent magnet 125 is laterally opposed to the first drive permanent magnet 156A, a magnetic force (attraction magnetic force) acts between the first open permanent magnet 125 and the first drive permanent magnet 156A. I do.

3つの第2の開放永久磁石127は、回転軸線A1を中心とする円弧状をなし、互いに共通の高さ位置でかつ回転台107の周方向に間隔を空けて配置されている。3つの第2の開放永久磁石127は、互いに等しい諸元を有しており、回転軸線A1と同軸の円周上において周方向に等間隔を空けて配置されている。各第2の開放永久磁石127は、回転軸線A1に直交する平面(水平面)に沿って配置されている。   The three second open permanent magnets 127 have an arc shape centered on the rotation axis A1, and are arranged at a common height position and at intervals in the circumferential direction of the turntable 107. The three second open permanent magnets 127 have the same specifications as each other, and are arranged at equal intervals in the circumferential direction on a circumference coaxial with the rotation axis A1. Each second open permanent magnet 127 is arranged along a plane (horizontal plane) orthogonal to the rotation axis A1.

第2の開放永久磁石127は、回転軸線A1と同軸の円環状に形成されていて、回転軸線A1に直交する平面(水平面)に沿って配置されている。第2の開放永久磁石127は、より具体的には、回転軸線A1に対して、後述する第1の浮上用磁石160よりも遠く、かつ駆動用永久磁石156A,156Bよりも近い位置に配置されている。
各第2の開放永久磁石127の周方向長さ(角度)は、約60°である。各第2の開放永久磁石127の周方向長さ(角度)を約60°とした理由は、後述するように基板Wを液処理速度(たとえば約500rpm)で回転させたときに、回転台107の回転に伴って回転する駆動用永久磁石156A,156Bが通過する環状領域に、全周環状の磁界発生領域129B(図13B参照)を形成するように設定したものである。
The second open permanent magnet 127 is formed in an annular shape coaxial with the rotation axis A1, and is arranged along a plane (horizontal plane) orthogonal to the rotation axis A1. More specifically, the second open permanent magnet 127 is arranged at a position farther from the rotation axis A1 than a first levitation magnet 160 described later and closer than the drive permanent magnets 156A and 156B. ing.
The circumferential length (angle) of each second open permanent magnet 127 is about 60 °. The reason why the circumferential length (angle) of each of the second open permanent magnets 127 is about 60 ° is that when the substrate W is rotated at a liquid processing speed (for example, about 500 rpm) as described later, the turntable 107 is rotated. The magnetic field generating region 129B (see FIG. 13B) is formed in an annular region in which the driving permanent magnets 156A and 156B that rotate with the rotation of.

第2の開放永久磁石127には、当該複数の第2の開放永久磁石127を一括して昇降させる第2の昇降ユニット(第2の相対移動ユニット)128が連結されている。第2の昇降ユニット128は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、第2の昇降ユニット128が、電動モータを用いて構成されていてもよい。また、第2の昇降ユニット128は第2の開放永久磁石127を個別に昇降させるようにしてもよい。   The second open permanent magnet 127 is connected to a second lifting / lowering unit (second relative moving unit) 128 for lifting and lowering the plurality of second open permanent magnets 127 collectively. The second elevating unit 128 is configured to include, for example, a cylinder provided to be able to expand and contract in the vertical direction, and is supported by the cylinder. Further, the second lifting unit 128 may be configured using an electric motor. Further, the second lifting unit 128 may raise and lower the second open permanent magnet 127 individually.

第2の開放永久磁石127は、第2の駆動用永久磁石156Bとの間に吸引磁力を発生させ、当該吸引磁力により、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110の上軸部152を、開放位置へと付勢するための磁石である。第2の開放永久磁石127が、磁極が第2の駆動用永久磁石156Bに対して上下方向に接近する上位置(第3の位置。図9Bおよび図19A参照)に配置され、かつ、第2の開放永久磁石127が第2の駆動用永久磁石156Bに横方向に対向する状態では、第2の開放永久磁石127と第2の駆動用永久磁石156Bとの間に磁力(吸引磁力)が作用する。   The second open permanent magnet 127 generates an attractive magnetic force between itself and the second drive permanent magnet 156B, and the upper magnetic portion 152 of the movable pin 110 included in the second movable pin group 112 is generated by the attractive magnetic force. To the open position. The second open permanent magnet 127 is disposed at an upper position (third position; see FIG. 9B and FIG. 19A) where the magnetic pole approaches the second drive permanent magnet 156B in the up-down direction. In the state where the open permanent magnet 127 is laterally opposed to the second drive permanent magnet 156B, a magnetic force (attraction magnetic force) acts between the second open permanent magnet 127 and the second drive permanent magnet 156B. I do.

第1の開放永久磁石125および第2の開放永久磁石127をそれぞれ第1の昇降ユニット126および第2の昇降ユニット128を用いて昇降させる。そのため、第1の開放永久磁石125および第2の開放永久磁石127を互いに独立して行うことができる。
図2に示すように、スピンチャック5は、さらに、回転台107の上面と可動ピン110による基板保持高さとの間に配置された保護ディスク115を備えている。保護ディスク115は、回転台107に対して上下動可能に結合されており、回転台107の上面に近い下位置と、当該下位置よりも上方において可動ピン110に保持された基板Wの下面に微小間隔を開けて接近した接近位置との間で移動可能である。保護ディスク115は、基板Wよりも僅かに大径の大きさを有する円盤状の部材であって、可動ピン110に対応する位置には当該可動ピン110を回避するための切り欠き116が形成されている。
The first open permanent magnet 125 and the second open permanent magnet 127 are moved up and down using the first elevating unit 126 and the second elevating unit 128, respectively. Therefore, the first open permanent magnet 125 and the second open permanent magnet 127 can be formed independently of each other.
As shown in FIG. 2, the spin chuck 5 further includes a protection disk 115 disposed between the upper surface of the turntable 107 and the substrate holding height of the movable pin 110. The protection disk 115 is vertically movably coupled to the turntable 107, and is attached to a lower position near the upper surface of the turntable 107 and a lower surface of the substrate W held by the movable pins 110 above the lower position. It is possible to move between a close position and a close position with a small interval. The protection disk 115 is a disk-shaped member having a diameter slightly larger than the substrate W, and a notch 116 for avoiding the movable pin 110 is formed at a position corresponding to the movable pin 110. ing.

回転軸108は、中空軸であって、その内部に、不活性ガス供給管170が挿通されている。不活性ガス供給管170の下端には不活性ガス供給源からの、保護気体の一例としての不活性ガスを導く不活性ガス供給路172が結合されている。不活性ガス供給路172に導かれる不活性ガスとして、CDA(低湿度の清浄空気)や窒素ガス等の不活性ガスを例示できる。不活性ガス供給路172の途中には、不活性ガスバルブ173および不活性ガス流量調整バルブ174が介装されている。不活性ガスバルブ173は、不活性ガス供給路172を開閉する。不活性ガスバルブ173を開くことによって、不活性ガス供給管170へと不活性ガスが送り込まれる。この不活性ガスは、後述する構成によって、保護ディスク115と基板Wの下面との間の空間に供給される。このように、不活性ガス供給管170、不活性ガス供給路172および不活性ガスバルブ173などによって、前述の保護気体供給ユニット12が構成されている。   The rotating shaft 108 is a hollow shaft, into which an inert gas supply pipe 170 is inserted. The lower end of the inert gas supply pipe 170 is connected to an inert gas supply passage 172 for leading an inert gas as an example of a protective gas from an inert gas supply source. Examples of the inert gas guided to the inert gas supply path 172 include an inert gas such as CDA (clean air with low humidity) and nitrogen gas. An inert gas valve 173 and an inert gas flow control valve 174 are provided in the middle of the inert gas supply path 172. The inert gas valve 173 opens and closes the inert gas supply path 172. By opening the inert gas valve 173, the inert gas is sent into the inert gas supply pipe 170. This inert gas is supplied to a space between the protection disk 115 and the lower surface of the substrate W by a configuration described later. As described above, the above-described protective gas supply unit 12 is configured by the inert gas supply pipe 170, the inert gas supply path 172, the inert gas valve 173, and the like.

保護ディスク115は、基板Wと同程度の大きさを有するほぼ円盤状の部材である。保護ディスク115の周縁部には、可動ピン110に対応する位置に、可動ピン110の外周面から一定の間隔を確保して当該可動ピン110を縁取るように切り欠き116が形成されている。保護ディスク115の中央領域には、ボス109に対応した円形の開口が形成されている。   The protection disk 115 is a substantially disk-shaped member having the same size as the substrate W. A notch 116 is formed at a position corresponding to the movable pin 110 at a position corresponding to the movable pin 110 at a peripheral edge of the protection disk 115 so as to border the movable pin 110 at a constant interval from the outer peripheral surface of the movable pin 110. A circular opening corresponding to the boss 109 is formed in the central area of the protection disk 115.

図3および図5に示すように、ボス109よりも回転軸線A1から遠い位置には、保護ディスク115の下面に、回転軸線A1と平行に鉛直方向に延びたガイド軸117が結合されている。ガイド軸117は、この実施形態では、保護ディスク115の周方向に等間隔を開けた3箇所に配置されている。より具体的には、回転軸線A1から見て、1本おきの可動ピン110に対応する角度位置に3本のガイド軸117がそれぞれ配置されている。ガイド軸117は、回転台107の対応箇所に設けられたリニア軸受け118と結合されており、このリニア軸受け118によって案内されながら、鉛直方向、すなわち回転軸線A1に平行な方向へ移動可能である。したがって、ガイド軸117およびリニア軸受け118は、保護ディスク115を回転軸線A1に平行な上下方向に沿って案内する案内ユニット119を構成している。   As shown in FIGS. 3 and 5, a guide shaft 117 extending in the vertical direction parallel to the rotation axis A1 is coupled to the lower surface of the protection disk 115 at a position farther from the rotation axis A1 than the boss 109. In this embodiment, the guide shafts 117 are arranged at three places at equal intervals in the circumferential direction of the protection disk 115. More specifically, three guide shafts 117 are arranged at angular positions corresponding to every other movable pin 110 when viewed from the rotation axis A1. The guide shaft 117 is connected to a linear bearing 118 provided at a position corresponding to the turntable 107, and is movable in a vertical direction, that is, a direction parallel to the rotation axis A1 while being guided by the linear bearing 118. Therefore, the guide shaft 117 and the linear bearing 118 constitute a guide unit 119 that guides the protection disk 115 along the vertical direction parallel to the rotation axis A1.

ガイド軸117は、リニア軸受け118を貫通しており、その下端に、外向きに突出したフランジ120を備えている。フランジ120がリニア軸受け118の下端に当接することにより、ガイド軸117の上方への移動、すなわち保護ディスク115の上方への移動が規制される。すなわち、フランジ120は、保護ディスク115の上方への移動を規制する規制部材である。   The guide shaft 117 penetrates the linear bearing 118, and has a flange 120 projecting outward at the lower end thereof. By the flange 120 abutting on the lower end of the linear bearing 118, the upward movement of the guide shaft 117, that is, the upward movement of the protection disk 115 is regulated. That is, the flange 120 is a regulating member that regulates the upward movement of the protection disk 115.

ガイド軸117よりも回転軸線A1から遠い外方であって、かつ可動ピン110よりも回転軸線A1に近い内方の位置には、第1の浮上用磁石160を保持した磁石保持部材161が、保護ディスク115の下面に固定されている。第1の浮上用磁石160は、この実施形態では、磁極方向を上下方向に向けて磁石保持部材161に保持されている。たとえば、第1の浮上用磁石160は、下側にS極を有し、上側にN極を有するように磁石保持部材161に固定されていてもよい。磁石保持部材161は、この実施形態では、周方向に等間隔を開けて6箇所に設けられている。より具体的には、回転軸線A1から見て、隣り合う可動ピン110の間(この実施形態では中間)に対応する角度位置に、各磁石保持部材161が配置されている。さらに、回転軸線A1からみて6個の磁石保持部材161によって分割(この実施形態では等分)される6個の角度領域のうち、一つおきの角度領域内(この実施形態では当該角度領域の中央位置)に、3本のガイド軸117がそれぞれ配置されている。   A magnet holding member 161 holding the first levitation magnet 160 is located at an outer position farther from the rotation axis A1 than the guide shaft 117 and closer to the rotation axis A1 than the movable pin 110. It is fixed to the lower surface of the protection disk 115. In this embodiment, the first levitation magnet 160 is held by the magnet holding member 161 with the magnetic pole direction oriented in the vertical direction. For example, the first levitation magnet 160 may be fixed to the magnet holding member 161 so as to have an S pole on the lower side and an N pole on the upper side. In this embodiment, the magnet holding members 161 are provided at six locations at equal intervals in the circumferential direction. More specifically, each magnet holding member 161 is disposed at an angular position corresponding to a space between adjacent movable pins 110 (in the present embodiment, at the middle) when viewed from the rotation axis A1. Further, among the six angle regions divided (equally divided in this embodiment) by the six magnet holding members 161 as viewed from the rotation axis A1, every other angle region (in this embodiment, the angle region At the (center position), three guide shafts 117 are respectively arranged.

図4に示すように、回転台107には、6個の磁石保持部材161に対応する6箇所に、貫通孔162が形成されている。各貫通孔162は、対応する磁石保持部材161をそれぞれ回転軸線A1と平行な鉛直方向に挿通させることができるように形成されている。保護ディスク115が下位置にあるとき、磁石保持部材161は貫通孔162を挿通して回転台107の下面よりも下方に突出しており、第1の浮上用磁石160は、回転台107の下面よりも下方に位置している。   As shown in FIG. 4, through holes 162 are formed in the rotary table 107 at six locations corresponding to the six magnet holding members 161. Each through hole 162 is formed so that the corresponding magnet holding member 161 can be inserted in a vertical direction parallel to the rotation axis A1. When the protection disk 115 is at the lower position, the magnet holding member 161 passes through the through hole 162 and protrudes below the lower surface of the turntable 107, and the first levitation magnet 160 moves from the lower surface of the turntable 107. Is also located below.

回転台107の下方には、保護ディスク115を浮上させるための第2の浮上用磁石129が設けられている。第2の浮上用磁石129は、回転軸線A1と同軸の円環状に形成されていて、回転軸線A1に直交する平面(水平面)に沿って配置されている。第2の浮上用磁石129は、回転軸線A1に対して、第1および第2の開放永久磁石125,127よりも近い位置に配置されている。つまり、平面視において、第1および第2の開放永久磁石125,127よりも内径側に位置している。また、第2の浮上用磁石129は、第1の浮上用磁石160よりも低い位置に配置されている。第2の浮上用磁石129の磁極方向は、この実施形態では、水平方向、すなわち回転台107の回転半径方向に沿っている。第1の浮上用磁石160が下面にS極を有する場合には、第2の浮上用磁石129は、回転半径方向内方に同じ磁極、すなわちS極をリング状に有するように構成される。   Below the turntable 107, a second floating magnet 129 for floating the protection disk 115 is provided. The second levitation magnet 129 is formed in an annular shape coaxial with the rotation axis A1, and is arranged along a plane (horizontal plane) orthogonal to the rotation axis A1. The second levitation magnet 129 is located closer to the rotation axis A1 than the first and second open permanent magnets 125 and 127 are. That is, in plan view, it is located on the inner diameter side of the first and second open permanent magnets 125 and 127. Further, the second levitation magnet 129 is disposed at a position lower than the first levitation magnet 160. In this embodiment, the magnetic pole direction of the second levitation magnet 129 is in the horizontal direction, that is, along the radius of rotation of the turntable 107. When the first levitation magnet 160 has an S pole on the lower surface, the second levitation magnet 129 is configured to have the same magnetic pole, that is, the S pole in a ring shape inside in the rotation radial direction.

第2の浮上用磁石129には、当該第2の浮上用磁石129を昇降させる第3の昇降ユニット(第3の相対移動ユニット)130が連結されている。第3の昇降ユニット130は、たとえば、上下方向に伸縮可能に設けられたシリンダを含む構成であり、当該シリンダによって支持されている。また、第3の昇降ユニット130が、電動モータを用いて構成されていてもよい。   The third lifting unit (third relative moving unit) 130 for lifting and lowering the second lifting magnet 129 is connected to the second lifting magnet 129. The third elevating unit 130 is configured to include, for example, a cylinder provided to be able to expand and contract in the vertical direction, and is supported by the cylinder. Further, the third lifting unit 130 may be configured using an electric motor.

第2の浮上用磁石129が上位置(図19B参照)にあるとき、第2の浮上用磁石129と第1の浮上用磁石160との間に反発磁力が働き、第1の浮上用磁石160は、上向きの外力を受ける。それによって、保護ディスク115は、第1の浮上用磁石160を保持している磁石保持部材161から上向きの力を受けて、基板Wの下面に接近した接近位置に保持される。   When the second levitation magnet 129 is in the upper position (see FIG. 19B), a repulsive magnetic force acts between the second levitation magnet 129 and the first levitation magnet 160, and the first levitation magnet 160 Receives an upward external force. Accordingly, the protection disk 115 receives an upward force from the magnet holding member 161 holding the first levitation magnet 160, and is held at an approach position close to the lower surface of the substrate W.

第2の浮上用磁石129が、上位置から下方に離間する下位置(図19A参照)に配置された状態では、第2の浮上用磁石129と第1の浮上用磁石160との間の反発磁力は小さく、そのため、保護ディスク115は、自重によって回転台107の上面に近い下位置に保持される。
そのため、第2の浮上用磁石129が下位置にあるとき、保護ディスク115は回転台107の上面に近い下位置にあり、可動ピン110はその開放位置に保持されることになる。この状態では、スピンチャック5に対して基板Wを搬入および搬出するセンターロボットCRは、そのハンドH2を保護ディスク115と基板Wの下面との間の空間に進入させることができる。
In a state where the second levitation magnet 129 is disposed at a lower position (see FIG. 19A) that is separated downward from the upper position, repulsion between the second levitation magnet 129 and the first levitation magnet 160 is performed. Since the magnetic force is small, the protection disk 115 is held at a lower position near the upper surface of the turntable 107 by its own weight.
Therefore, when the second levitation magnet 129 is at the lower position, the protection disk 115 is at the lower position near the upper surface of the turntable 107, and the movable pin 110 is held at its open position. In this state, the center robot CR that carries the substrate W in and out of the spin chuck 5 can make the hand H2 enter the space between the protection disk 115 and the lower surface of the substrate W.

この実施形態では、保護ディスク115昇降の専用の昇降ユニット(第3の昇降ユニット130)を設けている。そのため、第2の浮上用磁石129の昇降動作を、第1の開放永久磁石125の昇降動作および第2の開放永久磁石127の昇降動作のそれぞれと独立して行うことができる。このことはすなわち、保護ディスク115の上下位置によらずに、第1の開放永久磁石125の昇降動作および第2の開放永久磁石127の昇降動作を実現できることを意味する。   In this embodiment, a dedicated lifting unit (third lifting unit 130) for lifting and lowering the protection disk 115 is provided. Therefore, the lifting operation of the second floating magnet 129 can be performed independently of the lifting operation of the first open permanent magnet 125 and the lifting operation of the second open permanent magnet 127, respectively. This means that the raising and lowering operation of the first open permanent magnet 125 and the raising and lowering operation of the second open permanent magnet 127 can be realized regardless of the vertical position of the protection disk 115.

図6に拡大して示すように、回転軸108の上端に結合されたボス109は、不活性ガス供給管170の上端部を支持するための軸受けユニット175を保持している。軸受けユニット175は、ボス109に形成された凹所176に嵌め込まれて固定されたスペーサ177と、スペーサ177と不活性ガス供給管170との間に配置された軸受け178と、同じくスペーサ177と不活性ガス供給管170との間において軸受け178よりも上方に設けられた磁性流体軸受け179とを備えている。   As shown in an enlarged manner in FIG. 6, the boss 109 connected to the upper end of the rotating shaft 108 holds a bearing unit 175 for supporting the upper end of the inert gas supply pipe 170. The bearing unit 175 includes a spacer 177 fitted and fixed in a recess 176 formed in the boss 109, a bearing 178 disposed between the spacer 177 and the inert gas supply pipe 170, and a spacer 177. A magnetic fluid bearing 179 is provided between the active gas supply pipe 170 and the bearing 178.

図5に示すように、ボス109は、水平面に沿って外方に突出したフランジ181を一体的に有しており、このフランジ181に回転台107が結合されている。さらに、フランジ181には、回転台107の内周縁部を挟み込むように前述のスペーサ177が固定されていて、このスペーサ177に、カバー184が結合されている。カバー184は、ほぼ円盤状に形成されており、不活性ガス供給管170の上端を露出させるための開口を中央に有し、この開口を底面とした凹所185がその上面に形成されている。凹所185は、水平な底面と、その底面の周縁から外方に向かって斜め上方に立ち上がった倒立円錐面状の傾斜面183とを有している。凹所185の底面には、整流部材186が結合されている。整流部材186は、回転軸線A1のまわりに周方向に沿って間隔を開けて離散的に配置された複数個(たとえば4個)の脚部187を有し、この脚部187によって凹所185の底面から間隔をあけて配置された底面188を有している。底面188の周縁部から、外方に向かって斜め上方へと延びた倒立円錐面からなる傾斜面189が形成されている。   As shown in FIG. 5, the boss 109 integrally has a flange 181 that protrudes outward along a horizontal plane, and the turntable 107 is coupled to the flange 181. Further, the above-described spacer 177 is fixed to the flange 181 so as to sandwich the inner peripheral edge of the turntable 107, and the cover 184 is coupled to the spacer 177. The cover 184 is formed in a substantially disk shape, has an opening in the center for exposing the upper end of the inert gas supply pipe 170, and a recess 185 having the opening as a bottom surface is formed on the upper surface thereof. . The recess 185 has a horizontal bottom surface and an inverted conical inclined surface 183 that rises obliquely upward outward from the periphery of the bottom surface. A rectifying member 186 is connected to the bottom surface of the recess 185. The flow regulating member 186 has a plurality of (for example, four) legs 187 discretely arranged at intervals along the circumferential direction around the rotation axis A1. It has a bottom surface 188 spaced from the bottom surface. From the peripheral edge of the bottom surface 188, an inclined surface 189 formed of an inverted conical surface extending obliquely upward and outward is formed.

図5および図6に示すように、カバー184の上面外周縁には外向きにフランジ184aが形成されている。このフランジ184aは、保護ディスク115の内周縁に形成された段差部115aと整合するようになっている。すなわち、保護ディスク115が基板Wの下面に接近した接近位置にあるとき、フランジ184aと段差部115aとが合わさり、カバー184の上面と保護ディスク115の上面とが同一平面内に位置して、平坦な不活性ガス流路を形成する。   As shown in FIGS. 5 and 6, a flange 184 a is formed outward on the outer peripheral edge of the upper surface of the cover 184. The flange 184a is adapted to be aligned with a step 115a formed on the inner peripheral edge of the protection disk 115. That is, when the protection disk 115 is in an approaching position close to the lower surface of the substrate W, the flange 184a and the step portion 115a are engaged with each other, so that the upper surface of the cover 184 and the upper surface of the protection disk 115 are located on the same plane, and The inert gas flow path is formed.

このような構成により、不活性ガス供給管170の上端から流出する不活性ガスは、カバー184の凹所185内において整流部材186の底面188によって区画された空間に出る。この不活性ガスは、さらに、凹所185の傾斜面183および整流部材186の傾斜面189によって区画された放射状の流路182を介して、回転軸線A1から離れる放射方向に向かって吹き出されることになる。この不活性ガスは、保護ディスク115と可動ピン110によって保持された基板Wの下面との間の空間に不活性ガスの気流を形成し、当該空間から基板Wの回転半径方向外方へ向かって吹き出す。   With such a configuration, the inert gas flowing out from the upper end of the inert gas supply pipe 170 exits into the space defined by the bottom surface 188 of the rectifying member 186 in the recess 185 of the cover 184. The inert gas is further blown out in a radial direction away from the rotation axis A1 via a radial flow path 182 defined by the inclined surface 183 of the recess 185 and the inclined surface 189 of the rectifying member 186. become. This inert gas forms an air flow of the inert gas in a space between the protective disk 115 and the lower surface of the substrate W held by the movable pins 110, and flows outward from the space in the radial direction of rotation of the substrate W. Blow out.

図5に示すように、保護ディスク115の上面の周縁部および保護ディスク115の周端は、円環状の円環カバー191によって保護されている。円環カバー191は、上面の周縁部から径方向外方に向けて水平方向に張り出す円環板部192と、円環板部192の周端から垂下する円筒部193とを含む。円環板部192の外周は、回転台107の周端よりも外方に位置している。円環板部192および円筒部193は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。円環板部192の内周の、可動ピン110に対応する位置には、該可動ピン110を回避するための切り欠き194が形成されている。切り欠き194は、可動ピン110の外周面から一定の間隔を確保して当該可動ピン110を縁取るように形成されている。円環板部192および円筒部193は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。   As shown in FIG. 5, the peripheral edge of the upper surface of the protection disk 115 and the peripheral end of the protection disk 115 are protected by an annular cover 191. The annular cover 191 includes an annular plate portion 192 that protrudes radially outward from a peripheral edge of the upper surface in the horizontal direction, and a cylindrical portion 193 that hangs down from a peripheral end of the annular plate portion 192. The outer periphery of the annular plate portion 192 is located outside the peripheral end of the turntable 107. The annular plate portion 192 and the cylindrical portion 193 are integrally formed using, for example, a resin material having chemical resistance. A cutout 194 for avoiding the movable pin 110 is formed at a position corresponding to the movable pin 110 on the inner periphery of the annular plate portion 192. The notch 194 is formed so as to border the movable pin 110 at a certain interval from the outer peripheral surface of the movable pin 110. The annular plate portion 192 and the cylindrical portion 193 are integrally formed using, for example, a resin material having chemical resistance.

円環カバー191の円環板部192は、可動ピン110によって保持された基板Wの周縁部において不活性ガスの流路を絞る絞り部190(図20C参照)を上面に有している。この絞り部190によって、円環カバー191と基板Wの下面との間の空間から外方に吹き出される不活性ガス流の流速が高速になるので、基板Wの上面の処理液(薬液やリンス液)が基板Wの下面の周縁部よりも内側に進入することを確実に回避または抑制することができる。   The annular plate portion 192 of the annular cover 191 has, on its upper surface, a throttle portion 190 (see FIG. 20C) for narrowing the flow path of the inert gas at the periphery of the substrate W held by the movable pins 110. Since the flow rate of the inert gas flow blown outward from the space between the annular cover 191 and the lower surface of the substrate W is increased by the constricted portion 190, the processing liquid (chemical solution or rinse) on the upper surface of the substrate W is increased. Liquid) can be reliably prevented or suppressed from entering inside the peripheral edge of the lower surface of the substrate W.

図2に示すように、薬液供給ユニット13は、FOM(薬液)を基板Wの上面に向けて吐出する薬液ノズル6と、薬液ノズル6が先端部に取り付けられたノズルアーム21と、ノズルアーム21を移動させることにより、薬液ノズル6を移動させるノズル移動ユニット22とを含む。
薬液ノズル6は、たとえば、連続流の状態でFOMを吐出するストレートノズルであり、たとえば基板Wの上面に垂直な方向にFOMを吐出する垂直姿勢でノズルアーム21に取り付けられている。ノズルアーム21は水平方向に延びており、スピンチャック5の周囲で鉛直方向に延びる所定の揺動軸線(図示しない)まわりに旋回可能に設けられている。
As shown in FIG. 2, the chemical solution supply unit 13 includes a chemical solution nozzle 6 for discharging FOM (chemical solution) toward the upper surface of the substrate W, a nozzle arm 21 having the chemical solution nozzle 6 attached to a tip portion, and a nozzle arm 21. And a nozzle moving unit 22 that moves the chemical solution nozzle 6 by moving the nozzle.
The chemical liquid nozzle 6 is, for example, a straight nozzle that discharges the FOM in a continuous flow state, and is attached to the nozzle arm 21 in a vertical posture that discharges the FOM in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate W, for example. The nozzle arm 21 extends in the horizontal direction, and is provided to be rotatable around a predetermined swing axis (not shown) extending in the vertical direction around the spin chuck 5.

薬液供給ユニット13は、薬液ノズル6にFOMを案内する薬液配管14と、薬液配管14を開閉する薬液バルブ15とを含む。薬液バルブ15が開かれると、FOM供給源からのFOMが、薬液配管14から薬液ノズル6に供給される。これにより、FOMが、薬液ノズル6から吐出される。
ノズル移動ユニット22は、揺動軸線まわりにノズルアーム21を旋回させることにより、平面視で基板Wの上面中央部を通る軌跡に沿って薬液ノズル6を水平に移動させる。ノズル移動ユニット22は、薬液ノズル6から吐出されたFOMが基板Wの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル6が平面視でスピンチャック5の周囲に設定されたホーム位置との間で、薬液ノズル6を水平に移動させる。さらに、ノズル移動ユニット22は、薬液ノズル6から吐出されたFOMが基板Wの上面中央部に着液する中央位置と、薬液ノズル6から吐出されたFOMが基板Wの上面周縁部に着液する周縁位置との間で、薬液ノズル6を水平に移動させる。中央位置および周縁位置は、いずれも処理位置である。
The chemical supply unit 13 includes a chemical pipe 14 that guides the FOM to the chemical nozzle 6, and a chemical valve 15 that opens and closes the chemical pipe 14. When the chemical solution valve 15 is opened, the FOM from the FOM supply source is supplied from the chemical solution pipe 14 to the chemical solution nozzle 6. Thereby, the FOM is discharged from the chemical liquid nozzle 6.
The nozzle moving unit 22 horizontally moves the chemical liquid nozzle 6 along a trajectory passing through the center of the upper surface of the substrate W in plan view by rotating the nozzle arm 21 about the swing axis. The nozzle moving unit 22 moves between the processing position where the FOM discharged from the chemical liquid nozzle 6 lands on the upper surface of the substrate W and the home position where the chemical liquid nozzle 6 is set around the spin chuck 5 in plan view. The chemical liquid nozzle 6 is moved horizontally. Further, the nozzle moving unit 22 is configured such that the FOM discharged from the chemical solution nozzle 6 lands on the central portion of the upper surface of the substrate W, and the FOM discharged from the chemical solution nozzle 6 lands on the peripheral portion of the upper surface of the substrate W. The chemical liquid nozzle 6 is moved horizontally between the peripheral position. The center position and the peripheral position are both processing positions.

なお、薬液ノズル6は、吐出口が基板Wの上面の所定位置(たとえば中央部)に向けて固定的に配置された固定ノズルであってもよい。
図2に示すように、水供給ユニット8は水ノズル41を含む。水ノズル41は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック5の上方で、その吐出口を基板Wの上面の中央部に向けて固定的に配置されている。水ノズル41には、水供給源からの水が供給される水配管42が接続されている。水配管42の途中部には、水ノズル41からの水の供給/供給停止を切り換えるための水バルブ43が介装されている。水バルブ43が開かれると、水配管42から水ノズル41に供給された連続流の水が、水ノズル41の下端に設定された吐出口から吐出される。また、水バルブ43が閉じられると、水配管42から水ノズル41への水の供給が停止される。水は、たとえば脱イオン水(DIW)である。DIWに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度(たとえば、10ppm〜100ppm程度)の塩酸水のいずれかであってもよい。
In addition, the chemical liquid nozzle 6 may be a fixed nozzle whose discharge port is fixedly arranged toward a predetermined position (for example, the center) on the upper surface of the substrate W.
As shown in FIG. 2, the water supply unit 8 includes a water nozzle 41. The water nozzle 41 is, for example, a straight nozzle that discharges a liquid in a continuous flow state, and is fixedly disposed above the spin chuck 5 with its discharge port facing the center of the upper surface of the substrate W. A water pipe 42 to which water from a water supply source is supplied is connected to the water nozzle 41. A water valve 43 for switching supply / stop of water supply from the water nozzle 41 is provided at an intermediate portion of the water pipe 42. When the water valve 43 is opened, the continuous flow of water supplied from the water pipe 42 to the water nozzle 41 is discharged from a discharge port set at the lower end of the water nozzle 41. When the water valve 43 is closed, the supply of water from the water pipe 42 to the water nozzle 41 is stopped. The water is, for example, deionized water (DIW). Not limited to DIW, it may be any of carbonated water, electrolytic ionic water, hydrogen water, ozone water, and hydrochloric acid water having a diluted concentration (for example, about 10 ppm to 100 ppm).

なお、水ノズル41は、それぞれ、スピンチャック5に対して固定的に配置されている必要はなく、たとえば、スピンチャック5の上方において水平面内で揺動可能なアームに取り付けられて、このアームの揺動により基板Wの上面における水の着液位置がスキャンされる、いわゆるスキャンノズルの形態が採用されてもよい。
洗浄ブラシ10は、たとえばPVA(ポリビニルアルコール)からなるスポンジ状のスクラブ部材であり、円柱状をなしている。洗浄ブラシ10は、その下面に、平坦状の洗浄面10aを有している。洗浄面10aが、基板Wの上面と接触する接触面として機能する。
The water nozzles 41 do not need to be fixedly arranged with respect to the spin chuck 5, for example, are attached to an arm that can swing in a horizontal plane above the spin chuck 5, and A so-called scan nozzle configuration may be adopted in which the liquid landing position on the upper surface of the substrate W is scanned by the swing.
The cleaning brush 10 is a sponge-like scrub member made of, for example, PVA (polyvinyl alcohol), and has a columnar shape. The cleaning brush 10 has a flat cleaning surface 10a on its lower surface. The cleaning surface 10a functions as a contact surface that contacts the upper surface of the substrate W.

洗浄ブラシ駆動ユニット11は、洗浄ブラシ10を先端部に保持する揺動アーム47と、揺動アーム47を駆動するためのアーム駆動ユニット48とを含む。アーム駆動ユニット48は、揺動アーム47を、鉛直方向に延びる揺動軸線A2回りに揺動させたり、揺動アーム47を上下動させたりすることができるように構成されている。この構成により、基板Wがスピンチャック5に保持されて回転しているときに、洗浄ブラシ10を、基板Wの上方の位置と、スピンチャック5の側方に設定されたホーム位置との間で水平に移動させることができる。   The cleaning brush drive unit 11 includes a swing arm 47 that holds the cleaning brush 10 at the tip, and an arm drive unit 48 that drives the swing arm 47. The arm drive unit 48 is configured to be able to swing the swing arm 47 around a swing axis A2 extending in the vertical direction, and to move the swing arm 47 up and down. With this configuration, when the substrate W is rotating while being held by the spin chuck 5, the cleaning brush 10 is moved between a position above the substrate W and a home position set on the side of the spin chuck 5. It can be moved horizontally.

さらに、洗浄ブラシ10の洗浄面10aを基板Wの上面(裏面Wb)に押し付け、洗浄ブラシ10の押付け位置を、基板Wの中央部と、基板Wの周縁部との間で基板Wの半径方向に移動(スキャン)させることもできる。
このスクラブ洗浄の際に、水ノズル41から水(たとえば純水(deionized water:脱
イオン水))が供給されることによって、基板Wの裏面Wbの異物が取れやすくなり、また、洗浄ブラシ10によって擦り落とされた異物を基板W外へと排出することができる。
Further, the cleaning surface 10a of the cleaning brush 10 is pressed against the upper surface (back surface Wb) of the substrate W, and the pressing position of the cleaning brush 10 is set between the central portion of the substrate W and the peripheral portion of the substrate W in the radial direction of the substrate W. Can be moved (scanned).
At the time of this scrub cleaning, water (for example, deionized water) is supplied from the water nozzle 41, so that foreign matter on the back surface Wb of the substrate W can be easily removed. The rubbed foreign matter can be discharged out of the substrate W.

図7を参照して前述したように、可動ピン110は、回転軸線A2から偏心した位置に上軸部152を有している。すなわち、上軸部152の中心軸線Bは回転軸線A2からずれている。したがって、下軸部151の回転により、上軸部152は、(中心軸線Bが)回転軸線A1から離れた遠い開放位置(後述する図8Aおよび図9A参照)と、中心軸線Bが)回転軸線A1に近づいた保持位置(後述する図8Bおよび図9B参照)との間で変位することになる。可動ピン110の上軸部152は、ばね等の弾性押圧部材(図示しない)の弾性押圧力によって開放位置へと付勢されている。可動ピン110が開放位置に位置する状態では、基板Wの周端面と所定のギャップが形成される。   As described above with reference to FIG. 7, the movable pin 110 has the upper shaft portion 152 at a position eccentric from the rotation axis A2. That is, the center axis B of the upper shaft portion 152 is shifted from the rotation axis A2. Accordingly, the rotation of the lower shaft portion 151 causes the upper shaft portion 152 to move to the far open position (see FIGS. 8A and 9A to be described later) apart from the rotation axis A1 (to the center axis B) and the rotation axis to the center axis B. It will be displaced between the holding position approaching A1 (see FIGS. 8B and 9B described later). The upper shaft 152 of the movable pin 110 is urged to the open position by an elastic pressing force of an elastic pressing member (not shown) such as a spring. When the movable pin 110 is located at the open position, a predetermined gap is formed between the movable pin 110 and the peripheral end surface of the substrate W.

図8A,8Bは、第1の開放永久磁石125の昇降動作に伴う、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110の状態を示す模式的な図である。図9A,9Bは、第2の開放永久磁石127の昇降動作に伴う、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110の状態を示す模式的な図である。図8Aでは、第1の開放永久磁石125が下位置(第2の位置)にある状態を示し、図8Bでは、第1の開放永久磁石125が上位置にある状態を示す。図9Aでは、第2の開放永久磁石127が下位置にある状態を示し、図8Bでは、第2の開放永久磁石127が上位置にある状態を示す。   FIGS. 8A and 8B are schematic diagrams showing states of the movable pins 110 included in the first movable pin group 111 with the elevating operation of the first open permanent magnet 125. FIGS. 9A and 9B are schematic diagrams illustrating states of the movable pins 110 included in the second movable pin group 112 in association with the elevating operation of the second open permanent magnet 127. FIG. 8A shows a state where the first open permanent magnet 125 is at the lower position (second position), and FIG. 8B shows a state where the first open permanent magnet 125 is at the upper position. FIG. 9A shows a state in which the second open permanent magnet 127 is in the lower position, and FIG. 8B shows a state in which the second open permanent magnet 127 is in the upper position.

第1の開放永久磁石125と第1の駆動用永久磁石156Aとの角度位置が揃った状態であっても、図8Aに示すように、第1の開放永久磁石125が下位置にある状態では、第1の開放永久磁石125からの磁力が第1の駆動用永久磁石156Aに作用しない。そのため、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110は保持位置に位置している。この状態で、第1の駆動用永久磁石156Aは、たとえばN極が回転台107の径方向の内方に向き、かつS極が回転台107の径方向の外方に向くように配置されている。   Even if the angular positions of the first open permanent magnet 125 and the first drive permanent magnet 156A are aligned, as shown in FIG. 8A, in a state where the first open permanent magnet 125 is at the lower position. The magnetic force from the first open permanent magnet 125 does not act on the first drive permanent magnet 156A. Therefore, the movable pins 110 included in the first movable pin group 111 are located at the holding positions. In this state, the first driving permanent magnet 156A is disposed such that, for example, the N pole faces radially inward of the turntable 107 and the S pole faces radially outward of the turntable 107. I have.

図8Aに示す状態から、第1の開放永久磁石125を上昇させ、上位置に配置する。第1の開放永久磁石125の上面が第1の駆動用永久磁石156Aに接近することにより、第1の駆動用永久磁石156Aに吸引磁力が発生し、第1の駆動用永久磁石156Aと第1の開放永久磁石125との間に吸引力が発生する。第1の開放永久磁石125が上位置に配置された状態において、第1の駆動用永久磁石156Aに働く吸引磁力の大きさは、第1の閉塞永久磁石121からの吸引磁力(付勢力)を大きく上回っており、これにより、上軸部152が回転軸線A1に近づいた保持位置から、回転軸線A1(図2参照)から離反した開放位置へと移動する。これにより、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110が開放位置へと付勢される。この状態では、図8Bに示すように、第1の駆動用永久磁石156Aは、たとえばS極が回転台107の径方向の内方に向き、かつN極が回転台107の径方向の外方に向くように配置されている。   From the state shown in FIG. 8A, the first open permanent magnet 125 is raised and arranged at the upper position. When the upper surface of the first open permanent magnet 125 approaches the first drive permanent magnet 156A, an attraction magnetic force is generated in the first drive permanent magnet 156A, and the first drive permanent magnet 156A and the first drive permanent magnet 156A are connected to each other. Between the open permanent magnet 125 and the open permanent magnet 125. In a state where the first open permanent magnet 125 is arranged at the upper position, the magnitude of the attracting magnetic force acting on the first driving permanent magnet 156A depends on the attracting magnetic force (biasing force) from the first closing permanent magnet 121. As a result, the upper shaft 152 moves from the holding position approaching the rotation axis A1 to the open position separated from the rotation axis A1 (see FIG. 2). Thereby, the movable pins 110 included in the first movable pin group 111 are urged to the open position. In this state, as shown in FIG. 8B, the first driving permanent magnet 156A has, for example, an S pole facing inward in the radial direction of the turntable 107 and an N pole pointing outward in the radial direction of the turntable 107. It is arranged to face.

第2の開放永久磁石127と第2の駆動用永久磁石156Bとの角度位置が揃った状態であっても、図9Aに示すように、第2の開放永久磁石127が下位置(第4の位置)にある状態では、第2の開放永久磁石127からの磁力が第2の駆動用永久磁石156Bに作用しない。そのため、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110は保持位置に位置している。この状態で、第2の駆動用永久磁石156Bは、たとえばS極が回転台107の径方向の内方に向き、かつN極が回転台107の径方向の外方に向くように配置されている。   Even if the angular positions of the second open permanent magnet 127 and the second drive permanent magnet 156B are aligned, as shown in FIG. 9A, the second open permanent magnet 127 is in the lower position (fourth permanent magnet 156B). Position), the magnetic force from the second open permanent magnet 127 does not act on the second drive permanent magnet 156B. Therefore, the movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are located at the holding position. In this state, the second driving permanent magnet 156B is disposed such that, for example, the S pole faces radially inward of the turntable 107 and the N pole faces radially outward of the turntable 107. I have.

図9Aに示す状態から、第2の開放永久磁石127を上昇させ、上位置に配置する。第2の開放永久磁石127の上面が第2の駆動用永久磁石156Bに接近することにより、第2の駆動用永久磁石156Bに吸引磁力が発生し、第2の駆動用永久磁石156Bと第2の開放永久磁石127との間に吸引力が発生する。第2の開放永久磁石127が上位置に配置された状態において、第2の駆動用永久磁石156Bに働く吸引磁力の大きさは、第2の閉塞永久磁石122からの吸引磁力(付勢力)を大きく上回っており、これにより、上軸部152が回転軸線A1に近づいた保持位置から、回転軸線A1(図2参照)から離反した開放位置へと移動する。これにより、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110が開放位置へと付勢される。この状態では、図9Bに示すように、第2の駆動用永久磁石156Bは、たとえばN極が回転台107の径方向の内方に向き、かつS極が回転台107の径方向の外方に向くように配置されている。   From the state shown in FIG. 9A, the second open permanent magnet 127 is raised and arranged at the upper position. When the upper surface of the second open permanent magnet 127 approaches the second drive permanent magnet 156B, an attraction magnetic force is generated in the second drive permanent magnet 156B, and the second drive permanent magnet 156B and the second drive permanent magnet 156B are connected to each other. Between the open permanent magnet 127 and the open permanent magnet 127. In a state where the second open permanent magnet 127 is arranged at the upper position, the magnitude of the attracting magnetic force acting on the second driving permanent magnet 156B depends on the attracting magnetic force (biasing force) from the second closing permanent magnet 122. As a result, the upper shaft 152 moves from the holding position approaching the rotation axis A1 to the open position separated from the rotation axis A1 (see FIG. 2). Thereby, the movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are urged to the open position. In this state, as shown in FIG. 9B, the second driving permanent magnet 156B has, for example, an N-pole pointing inward in the radial direction of the turntable 107 and an S-pole pointing outward in the radial direction of the turntable 107. It is arranged to face.

図10A〜図15Bは、第1の可動ピン群111および第2の可動ピン群112の状態を示す模式的な図である。図10A,11A,12A,13A,14A,15Aには、駆動用永久磁石156A,156B、開放永久磁石125,127および開放永久磁石125,127の状態を示し、図10B,11B,12B,13B,14B,15Bには、各可動ピン110の開閉状況を示す。   FIGS. 10A to 15B are schematic diagrams showing states of the first movable pin group 111 and the second movable pin group 112. FIG. 10A, 11A, 12A, 13A, 14A, and 15A show the states of the driving permanent magnets 156A and 156B, the open permanent magnets 125 and 127, and the open permanent magnets 125 and 127, respectively. 14B and 15B show the open / closed state of each movable pin 110.

図10A,10Bには、第1および第2の開放永久磁石125,127が共に上位置にある状態を示し、図11A,11Bには、第1および第2の開放永久磁石125,127が共に下位置にある状態を示す。図12A〜13Bには、第1の開放永久磁石125が上位置にありかつ第2の開放永久磁石127が下位置にある状態が示されているが、図12A,12Bは回転台107の非回転状態であり、図13A,13Bは、回転台107の回転状態である。図14A〜15Bには、第2の開放永久磁石127が上位置にありかつ第1の開放永久磁石125が下位置にある状態が示されているが、図14A,14Bは回転台107の非回転状態であり、図15A,15Bは、回転台107の回転状態である。   10A and 10B show a state where the first and second open permanent magnets 125 and 127 are both in the upper position, and FIGS. 11A and 11B show a state where the first and second open permanent magnets 125 and 127 are both Shows the state at the lower position. 12A to 13B show a state in which the first open permanent magnet 125 is in the upper position and the second open permanent magnet 127 is in the lower position. FIGS. 13A and 13B show the rotating state of the turntable 107. FIG. 14A and 15B show a state in which the second open permanent magnet 127 is in the upper position and the first open permanent magnet 125 is in the lower position. FIGS. 15A and 15B show the rotating state of the turntable 107. FIG.

開放永久磁石125,127は、回転台107の周方向に60°の等間隔で配置されている。また、可動ピン110も60°等間隔で配置されている。したがって、図10B,11B,12B,13B,14B,15Bに示すように、各第1の開放永久磁石125と各第1の駆動用永久磁石156Aとの角度位置が揃い(互いに対向し)、かつ各第2の開放永久磁石127と、各第2の駆動用永久磁石156Bとの角度位置が揃う(互いに対向する)対向状態を作り出すことができる。   The open permanent magnets 125 and 127 are arranged at equal intervals of 60 ° in the circumferential direction of the turntable 107. The movable pins 110 are also arranged at regular intervals of 60 °. Therefore, as shown in FIGS. 10B, 11B, 12B, 13B, 14B, and 15B, the angular positions of the first open permanent magnets 125 and the first drive permanent magnets 156A are aligned (facing each other), and An opposed state can be created in which the angular positions of each second open permanent magnet 127 and each second drive permanent magnet 156B are aligned (opposed to each other).

この対向状態において、図10A,10Bに示すように、第1および第2の開放永久磁石125,127を共に上位置に配置した状態では、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110、および第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110のいずれも、すなわち6本の可動ピン110の全てが開放位置(open)に配置されている。   In this opposed state, as shown in FIGS. 10A and 10B, when the first and second open permanent magnets 125 and 127 are both arranged at the upper position, three movable pins included in the first movable pin group 111 are moved. Each of the pins 110 and the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112, that is, all of the six movable pins 110 are arranged at the open position (open).

前記の対向状態において、図11A,11Bに示すように、第1および第2の開放永久磁石125,127を共に下位置に配置した状態では、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110、および第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110のいずれも、すなわち6本の可動ピン110の全てが保持位置(close)に配置されている。   In the facing state, as shown in FIGS. 11A and 11B, when the first and second open permanent magnets 125 and 127 are both arranged at the lower position, three of the three movable pins 111 included in the first movable pin group 111 are disposed. Each of the movable pins 110 and the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112, that is, all of the six movable pins 110 are arranged at the holding position (close).

前記の対向状態において、図12A,12Bに示すように、第1の開放永久磁石125を上位置に配置しかつ第2の開放永久磁石127を下位置に配置した状態では、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110は開放位置(open)に配置され、かつ第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110は保持位置(close)に配置される。   In the facing state, as shown in FIGS. 12A and 12B, in a state where the first open permanent magnet 125 is disposed at the upper position and the second open permanent magnet 127 is disposed at the lower position, the first movable pin is disposed. The three movable pins 110 included in the group 111 are arranged at an open position (open), and the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are arranged at a holding position (close).

図12A,12Bの状態から、回転台107を回転させた状態を考える。回転台107の回転速度は、液処理速度(たとえば約500rpm)とする。回転台107の回転状態では、回転台107の回転に伴って回転する駆動用永久磁石156A,156Bが通過する環状領域に、磁界発生領域129A(図13A参照)が形成される。この磁界発生領域129Aの周方向長さ(角度)は、対応する第1の開放永久磁石125の周方向長さ(角度)よりも長くなる。第1の開放永久磁石125の周方向長さ(角度)が60°であり、しかも、第1の開放永久磁石125が回転台107の周方向に3つ設けられているので、基板Wを液処理速度(たとえば約500rpm)で回転方向Drに向けて回転させたときには、回転台107の回転に伴って回転する駆動用永久磁石156A,156Bが通過する環状領域に、図13A,13Bに示すように、全周環状の磁界発生領域129A(図13A参照)が形成される。   12A and 12B, a state in which the turntable 107 is rotated will be considered. The rotation speed of the turntable 107 is set to a liquid processing speed (for example, about 500 rpm). In the rotating state of the turntable 107, a magnetic field generation area 129A (see FIG. 13A) is formed in an annular area through which the drive permanent magnets 156A and 156B that rotate as the turntable 107 rotates. The circumferential length (angle) of the magnetic field generation region 129A is longer than the corresponding circumferential length (angle) of the first open permanent magnet 125. Since the length (angle) of the first open permanent magnet 125 in the circumferential direction is 60 ° and the three first open permanent magnets 125 are provided in the circumferential direction of the turntable 107, the substrate W When rotated in the rotation direction Dr at a processing speed (for example, about 500 rpm), as shown in FIGS. 13A and 13B, the annular regions through which the driving permanent magnets 156A and 156B rotate with the rotation of the turntable 107 pass. Then, an all-circular annular magnetic field generation region 129A (see FIG. 13A) is formed.

磁界発生領域129A(図13A参照)が全周環状をなしているので、回転台107の回転姿勢によらずに、第1の開放永久磁石125からの吸引磁力が第1の駆動用永久磁石156Aに作用する。そのため、回転台107の回転状態において、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110は開放位置(open)に配置される。第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110は、無論保持位置(close)に配置される。このとき、基板Wは、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって支持され、良好に回転される。   Since the magnetic field generation region 129A (see FIG. 13A) forms a full-circular ring, the attractive magnetic force from the first open permanent magnet 125 causes the first driving permanent magnet 156A to be independent of the rotating posture of the turntable 107. Act on. Therefore, in the rotating state of the turntable 107, the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 are arranged at the open position (open). The three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are, of course, arranged at a holding position (close). At this time, the substrate W is supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 and is rotated well.

前記の対向状態において、図14A,14Bに示すように、第2の開放永久磁石127を上位置に配置しかつ第1の開放永久磁石125を下位置に配置した状態では、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110は開放位置(open)に配置され、かつ第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110は保持位置(close)に配置される。   In the facing state, as shown in FIGS. 14A and 14B, in a state where the second open permanent magnet 127 is disposed at the upper position and the first open permanent magnet 125 is disposed at the lower position, the second movable pin is disposed. The three movable pins 110 included in the group 112 are arranged at the open position (open), and the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 are arranged at the holding position (close).

図14A,14Bの状態から、回転台107を回転させた状態を考える。回転台107の回転速度は、液処理速度(たとえば約500rpm)とする。回転台107の回転状態では、回転台107の回転に伴って回転する駆動用永久磁石156A,156Bが通過する環状領域に、磁界発生領域129B(図15A参照)が形成される。この磁界発生領域129Bの周方向長さ(角度)は、対応する第2の開放永久磁石127の周方向長さ(角度)よりも長くなる。第2の開放永久磁石127の周方向長さ(角度)が60°であり、しかも、第2の開放永久磁石127が回転台107の周方向に3つ設けられているので、基板Wを液処理速度(たとえば約500rpm)で回転方向Drに向けて回転させたときには、回転台107の回転に伴って回転する駆動用永久磁石156A,156Bが通過する環状領域に、図15A,15Bに示すように、全周環状の磁界発生領域129B(図15A参照)が形成される。   14A and 14B, a state in which the turntable 107 is rotated will be considered. The rotation speed of the turntable 107 is set to a liquid processing speed (for example, about 500 rpm). In the rotating state of the turntable 107, a magnetic field generation area 129B (see FIG. 15A) is formed in an annular area through which the driving permanent magnets 156A and 156B that rotate as the turntable 107 rotates. The circumferential length (angle) of the magnetic field generation region 129B is longer than the circumferential length (angle) of the corresponding second open permanent magnet 127. Since the length (angle) in the circumferential direction of the second open permanent magnet 127 is 60 °, and the three second open permanent magnets 127 are provided in the circumferential direction of the turntable 107, the substrate W When rotated in the rotation direction Dr at a processing speed (for example, about 500 rpm), as shown in FIGS. 15A and 15B, an annular area through which the driving permanent magnets 156A and 156B that rotate with the rotation of the turntable 107 passes. Then, an all-circular annular magnetic field generation region 129B (see FIG. 15A) is formed.

磁界発生領域129B(図15A参照)が全周環状をなしているので、回転台107の回転姿勢によらずに、第2の開放永久磁石127からの吸引磁力が第2の駆動用永久磁石156Bに作用する。そのため、回転台107の回転状態において、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110は開放位置(open)に配置される。第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110は、無論保持位置(close)に配置される。このとき、基板Wは、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって支持され、良好に回転される。   Since the magnetic field generation region 129B (see FIG. 15A) forms a full-circular ring, the attractive magnetic force from the second open permanent magnet 127 causes the second driving permanent magnet 156B to be independent of the rotation posture of the turntable 107. Act on. Therefore, in the rotating state of the turntable 107, the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are arranged at the open position (open). The three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 are, of course, arranged at holding positions (close). At this time, the substrate W is supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 and is rotated well.

このように、基板Wの回転状態において、制御ユニット3が、第1の昇降ユニット126および第2の昇降ユニット128を制御して、第1の開放永久磁石125を上位置に配置しかつ第2の開放永久磁石127を下位置に配置した状態(図13A,13B参照)と、第2の開放永久磁石127を上位置に配置しかつ第1の開放永久磁石125を下位置に配置した状態(図15A,15B参照)とを切り換えることにより、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態と、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態とを切り換えることができる。   As described above, in the rotating state of the substrate W, the control unit 3 controls the first elevating unit 126 and the second elevating unit 128 to dispose the first open permanent magnet 125 at the upper position, and (See FIGS. 13A and 13B) and a state in which the second open permanent magnet 127 is located in the upper position and the first open permanent magnet 125 is located in the lower position (see FIGS. 13A and 13B). 15A and 15B), the substrate W is in contact with and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, and is included in the second movable pin group 112. The state in which the substrate W is in contact with and supported by the three movable pins 110 can be switched.

図16は、基板処理装置1の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御ユニット3は、予め定められたプログラムに従って、回転駆動ユニット103、ノズル移動ユニット22、アーム駆動ユニット48、第1〜第3の昇降ユニット126,128,130等の動作を制御する。さらに、制御ユニット3は、薬液バルブ15、水バルブ43、不活性ガスバルブ173、不活性ガス流量調整バルブ174等の開閉動作等を制御する。
FIG. 16 is a block diagram for explaining an electrical configuration of a main part of the substrate processing apparatus 1.
The control unit 3 controls the operations of the rotary drive unit 103, the nozzle moving unit 22, the arm drive unit 48, the first to third elevating units 126, 128, and 130 according to a predetermined program. Further, the control unit 3 controls opening and closing operations of the chemical liquid valve 15, the water valve 43, the inert gas valve 173, the inert gas flow control valve 174, and the like.

図17は、処理ユニット2によって実行される処理液処理としての洗浄処理の一例を説明するための流れ図である。図18は、処理液処理を説明するためのタイムチャートである。図19A〜19Kは、前記処理液処理の一例を説明するための図解的な図である。図20A,20Bは、可動ピン110が保持位置にあるとき、および可動ピン110が開放位置にあるときのそれぞれにおける、処理液の回り込み状態を示す図である。図20Cは、基板Wの周縁部における、処理液および不活性ガスの流れを示す断面図である。   FIG. 17 is a flowchart illustrating an example of a cleaning process as a processing liquid process performed by the processing unit 2. FIG. 18 is a time chart for explaining the processing liquid processing. 19A to 19K are schematic views for explaining an example of the processing liquid processing. FIGS. 20A and 20B are diagrams showing the state in which the processing liquid wraps around when the movable pin 110 is at the holding position and when the movable pin 110 is at the open position. FIG. 20C is a cross-sectional view illustrating the flow of the processing liquid and the inert gas in the peripheral portion of the substrate W.

この処理液処理について、図1、図2〜図7、図17および図18を参照しながら説明する。また、図19A〜19Kおよび図20A〜20Cについては適宜参照する。
処理ユニット2は、たとえば、アニール装置や成膜装置等の前処理装置で処理された後の基板W(以下、「未洗浄基板」という場合がある。)Wを処理対象としている。基板Wの一例として円形のシリコン基板を挙げることができる。処理ユニット2は、たとえば、基板Wにおける表面Wa(他方主面。デバイス形成面)と反対側の裏面Wb(一方主面。デバイス非形成面)を洗浄する。
This treatment liquid treatment will be described with reference to FIGS. 1, 2 to 7, 17 and 18. 19A to 19K and FIGS. 20A to 20C are appropriately referred to.
The processing unit 2 targets a substrate W (hereinafter, may be referred to as an “uncleaned substrate”) W after being processed by a preprocessing device such as an annealing device or a film forming device. An example of the substrate W is a circular silicon substrate. The processing unit 2 cleans, for example, the back surface Wb (one main surface; non-device forming surface) of the substrate W opposite to the front surface Wa (the other main surface; device forming surface).

未洗浄基板Wが収容されたキャリアCは、前処理装置から基板処理装置1に搬送され、ロードポートLPに載置される。キャリアCには、基板Wの表面Waを上に向けた状態で基板Wが収容されている。制御ユニット3は、インデクサロボットIRによって、表面Waが上向きの状態でキャリアCから反転ユニットTUに基板Wを搬送させる。そして、制御ユニット3は、搬送されてきた基板Wを、反転ユニットTUによって反転させる(S1:基板反転)。これにより、基板Wの裏面Wbが上に向けられる。その後、制御ユニット3は、センターロボットCRのハンドH2によって、反転ユニットTUから基板Wを取り出し、その裏面Wbを上方に向けた状態で処理ユニット2内に搬入させる(ステップS2)。   The carrier C containing the uncleaned substrate W is transported from the pre-processing apparatus to the substrate processing apparatus 1 and placed on the load port LP. The substrate W is accommodated in the carrier C with the surface Wa of the substrate W facing upward. The control unit 3 causes the indexer robot IR to transfer the substrate W from the carrier C to the reversing unit TU with the front surface Wa facing upward. Then, the control unit 3 reverses the transported substrate W by the reversing unit TU (S1: substrate reversal). Thereby, the back surface Wb of the substrate W is turned upward. Thereafter, the control unit 3 takes out the substrate W from the reversing unit TU by the hand H2 of the center robot CR, and carries the substrate W into the processing unit 2 with its back surface Wb facing upward (step S2).

基板Wの搬入に先立って、薬液ノズル6は、スピンチャック5の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。また、洗浄ブラシ10も、スピンチャック5の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。各第1の開放永久磁石125と各第1の駆動用永久磁石156Aとの角度位置が互いに対向し、かつ各第2の開放永久磁石127と、各第2の駆動用永久磁石156Bとの角度位置が互いに対向する対向状態となるように、回転台107の回転方向姿勢が決められている。また、第1の開放永久磁石125および第2の開放永久磁石127はともに上位置に配置されている。このとき、図10A,10Bに示す状態となる。この状態では、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110、および第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110のいずれも、すなわち6本の可動ピン110の全てが開放位置に配置されている。   Prior to loading of the substrate W, the chemical solution nozzle 6 is retracted to a home position set on the side of the spin chuck 5. The cleaning brush 10 is also retracted to a home position set on the side of the spin chuck 5. The angular positions of each first open permanent magnet 125 and each first drive permanent magnet 156A are opposed to each other, and the angle between each second open permanent magnet 127 and each second drive permanent magnet 156B. The rotation direction posture of the turntable 107 is determined so that the positions are opposed to each other. Further, the first open permanent magnet 125 and the second open permanent magnet 127 are both arranged at the upper position. At this time, the state shown in FIGS. 10A and 10B is obtained. In this state, each of the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 and the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112, that is, the six movable pins 110 All are located in open positions.

また、第2の浮上用磁石129が下位置に配置されており、そのため第2の浮上用磁石129が回転台107から下方に大きく離れているので、第2の浮上用磁石129と第1の浮上用磁石160との間に働く反発磁力は小さい。そのため、保護ディスク115は回転台107の上面に近接した下位置に位置している。よって、可動ピン110による基板保持高さと保護ディスク115の上面との間には、センターロボットCRのハンドH2が入り込むことができる十分な空間が確保されている。   Further, since the second levitation magnet 129 is disposed at the lower position, and thus the second levitation magnet 129 is largely separated from the turntable 107 downward, the second levitation magnet 129 and the first The repulsive magnetic force acting between the levitation magnet 160 and the levitation magnet 160 is small. Therefore, the protection disk 115 is located at a lower position close to the upper surface of the turntable 107. Therefore, between the substrate holding height of the movable pin 110 and the upper surface of the protection disk 115, a sufficient space for the hand H2 of the center robot CR to enter is secured.

センターロボットCRのハンドH2は、可動ピン110の上端よりも高い位置で基板Wを保持した状態で当該基板Wをスピンチャック5の上方まで搬送する。その後、センターロボットCRのハンドH2は、図19Aに示すように、回転台107の上面に向かって下降する。
次いで、制御ユニット3は、第1および第2の昇降ユニット126,128を制御して、第1の開放永久磁石125および第2の開放永久磁石127を下位置に向けて下降し、下位置のまま保持する(ステップS3)。このとき、図10A,10Bに示す状態となる。したがって、それによって、全ての可動ピン110が開放位置から保持位置へと駆動されて、その保持位置に保持される。これにより、6本の可動ピン110によって基板Wが握持される。基板Wは、その表面Waを下方に向け、かつその裏面Wbを上方に向けた状態でスピンチャック5に保持される。
The hand H2 of the center robot CR transports the substrate W above the spin chuck 5 while holding the substrate W at a position higher than the upper end of the movable pin 110. Thereafter, the hand H2 of the center robot CR descends toward the upper surface of the turntable 107 as shown in FIG. 19A.
Next, the control unit 3 controls the first and second elevating units 126 and 128 to lower the first open permanent magnet 125 and the second open permanent magnet 127 toward the lower position, and move the lower and upper positions to the lower position. It is kept as it is (step S3). At this time, the state shown in FIGS. 10A and 10B is obtained. Therefore, thereby, all the movable pins 110 are driven from the open position to the holding position, and are held at the holding position. Thereby, the substrate W is gripped by the six movable pins 110. The substrate W is held by the spin chuck 5 with its front surface Wa facing downward and its back surface Wb facing upward.

その後、センターロボットCRのハンドH2は、可動ピン110の間を通ってスピンチャック5の側方へと退避していく。
また、制御ユニット3は、第3の昇降ユニット130を制御して、図19Bに示すように、第2の浮上用磁石129を上位置に向けて上昇させる。それらの浮上用磁石129,160の間の距離が縮まり、それに応じて、それらの間に働く反発磁力が大きくなる。この反発磁力によって、保護ディスク115が回転台107の上面から基板Wに向かって浮上する。そして、第1の開放永久磁石125が上位置に達すると、保護ディスク115が基板Wの表面Wa(下面)に微小間隔を開けて接近した接近位置に達し、ガイド軸117の下端に形成されたフランジ120がリニア軸受け118に当接する。これにより、保護ディスク115は、前記接近位置に保持されることになる。この状態で、制御ユニット3は不活性ガスバルブ173を開き、図19Bに示すように、不活性ガスの供給を開始する(S4:不活性ガス供給開始)。供給された不活性ガスは、不活性ガス供給管170の上端から吐出され、整流部材186等の働きによって、接近位置にある保護ディスク115と基板Wの表面Wa(下面)との間の狭空間に向かって、回転軸線A1を中心とした放射状に吹き出される。
Thereafter, the hand H2 of the center robot CR retreats to the side of the spin chuck 5 through the space between the movable pins 110.
Further, the control unit 3 controls the third lifting unit 130 to raise the second levitation magnet 129 toward the upper position as shown in FIG. 19B. The distance between the levitating magnets 129 and 160 is reduced, and accordingly, the repulsive force acting between them is increased. The repulsive magnetic force causes the protection disk 115 to float from the upper surface of the turntable 107 toward the substrate W. Then, when the first open permanent magnet 125 reaches the upper position, the protection disk 115 reaches the approach position where the protective disk 115 approaches the surface Wa (lower surface) of the substrate W at a small interval, and is formed at the lower end of the guide shaft 117. The flange 120 contacts the linear bearing 118. Thus, the protection disk 115 is held at the approach position. In this state, the control unit 3 opens the inert gas valve 173 and starts the supply of the inert gas as shown in FIG. 19B (S4: start of supply of the inert gas). The supplied inert gas is discharged from the upper end of the inert gas supply pipe 170, and a narrow space between the protection disk 115 at the approaching position and the front surface Wa (lower surface) of the substrate W by the function of the rectifying member 186 and the like. Is radially blown around the rotation axis A1.

その後、制御ユニット3は、回転駆動ユニット103を制御して、回転台107の回転を開始し(回転台回転工程)、これによって、図19Cに示すように基板Wを回転軸線A1まわりに回転させる(ステップS5)。基板Wの回転速度は、予め定める液処理速度(300〜1500rpmの範囲内で、たとえば500rpm)まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。   Thereafter, the control unit 3 controls the rotation drive unit 103 to start rotating the turntable 107 (turntable rotation step), thereby rotating the substrate W around the rotation axis A1 as shown in FIG. 19C. (Step S5). The rotation speed of the substrate W is increased to a predetermined liquid processing speed (for example, 500 rpm within a range of 300 to 1500 rpm), and is maintained at that liquid processing speed.

基板Wの回転速度が液処理速度に達した後、制御ユニット3は、図19Cに示すようにFOMを基板Wの裏面Wbに供給するFOM供給工程(処理液供給工程。ステップS6)を行う。FOM供給工程(S6)では、制御ユニット3は、ノズル移動ユニット22を制御することにより、薬液ノズル6をホーム位置から中央位置に移動させる。これにより、薬液ノズル6が基板Wの中央部の上方に配置される。薬液ノズル6が基板Wの上方に配置された後、制御ユニット3は、薬液バルブ15を開くことにより、薬液ノズル6の吐出口からFOMが吐出され、基板Wの裏面Wbの中央部に着液する。基板Wの裏面Wbの中央部に供給されたFOMは、基板Wの回転による遠心力を受けて、基板Wの裏面Wbを周縁部に向けて放射状に広がる。そのため、基板Wの裏面Wbの全域にFOMが行き渡らせることができる。   After the rotation speed of the substrate W reaches the liquid processing speed, the control unit 3 performs a FOM supply step (a processing liquid supply step; step S6) of supplying the FOM to the back surface Wb of the substrate W as shown in FIG. In the FOM supply step (S6), the control unit 3 controls the nozzle moving unit 22 to move the chemical liquid nozzle 6 from the home position to the center position. Thereby, the chemical liquid nozzle 6 is arranged above the central portion of the substrate W. After the chemical liquid nozzle 6 is disposed above the substrate W, the control unit 3 opens the chemical liquid valve 15 to discharge the FOM from the discharge port of the chemical liquid nozzle 6 and immerse the liquid in the central portion of the back surface Wb of the substrate W. I do. The FOM supplied to the central portion of the back surface Wb of the substrate W receives the centrifugal force due to the rotation of the substrate W and radially spreads the back surface Wb of the substrate W toward the peripheral portion. Therefore, the FOM can be spread over the entire area of the back surface Wb of the substrate W.

FOM供給工程(S6)では、FOMに含まれるオゾンの酸化作用により、シリコン基板である基板Wの裏面Wbにシリコン酸化膜が形成される。また、FOMに含まれるフッ酸の酸化膜エッチング作用により、基板Wの裏面Wbに形成されている傷(欠け、凹み等)が除去され、また、基板Wの裏面Wbから異物(パーティクル、不純物、当該基板Wの裏面Wbの剥れ等)も除去される。   In the FOM supply step (S6), a silicon oxide film is formed on the back surface Wb of the substrate W, which is a silicon substrate, by the oxidizing action of ozone contained in the FOM. In addition, due to the oxide film etching action of hydrofluoric acid contained in the FOM, scratches (chips, dents, etc.) formed on the back surface Wb of the substrate W are removed, and foreign matter (particles, impurities, The back surface Wb of the substrate W is also removed.

FOM供給工程(T6)において、不活性ガス供給管170の上端から吐出された不活性ガスは、整流部材186等の働きによって、接近位置にある保護ディスク115と基板Wの表面Wa(下面)との間の狭空間に向かって、回転軸線A1を中心とした放射状に吹き出される。この不活性ガスは、図20Cに示すように、さらに、保護ディスク115の周縁部に配置された円環カバー191の円環板部192に形成された絞り部190(第1の段部190aおよび第2の段部190b)と基板Wの周縁部との間に形成されるオリフィスによって加速され、基板Wの側方に高速の吹き出し気流を形成する。この実施形態では、保護ディスク115を用いた基板Wの表面Wa(下面)に対する不活性ガスの供給により、基板Wの表面Wa(下面)への処理液(薬液やリンス液)の回り込みを完全に防止するのではなく、基板Wの表面Wa(下面)の周縁領域(基板Wの周端から1.0mm程度の微小範囲)のみ処理液をあえて回り込ませ、当該表面Wa(下面)の周縁領域を洗浄している。そして、高速の吹き出し気流を形成することにより、その回り込み量を精度良く制御している。この回り込み量は、基板Wの上面への処理液の供給流量、基板Wの下面への不活性ガスの供給流量、基板Wの回転速度等に依存している。   In the FOM supply step (T6), the inert gas discharged from the upper end of the inert gas supply pipe 170 causes the protective disk 115 and the front surface Wa (lower surface) of the substrate W to approach each other by the function of the rectifying member 186 and the like. Is radially blown around the rotation axis A1. As shown in FIG. 20C, the inert gas is further supplied to a throttle 190 (first step 190a and a first step 190a) formed on an annular plate 192 of an annular cover 191 arranged on the peripheral edge of the protection disk 115. It is accelerated by an orifice formed between the second step portion 190b) and the peripheral portion of the substrate W, and forms a high-speed blown air stream on the side of the substrate W. In this embodiment, the supply of the inert gas to the surface Wa (lower surface) of the substrate W using the protection disk 115 completely prevents the processing liquid (chemical solution or rinsing liquid) from flowing to the surface Wa (lower surface) of the substrate W. Instead of preventing the processing liquid, the processing liquid is allowed to flow only in the peripheral region of the front surface Wa (lower surface) of the substrate W (a minute range of about 1.0 mm from the peripheral end of the substrate W), and the peripheral region of the front surface Wa (lower surface) is removed. Has been washed. Then, by forming a high-speed blown airflow, the amount of wraparound is accurately controlled. The wraparound amount depends on the supply flow rate of the processing liquid to the upper surface of the substrate W, the supply flow rate of the inert gas to the lower surface of the substrate W, the rotation speed of the substrate W, and the like.

また、FOM供給工程(S6)では、当該工程の実行中に、基板Wを3本の可動ピン110で支持する。さらに、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態と、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態とを切り換える。
具体的には、FOMの吐出開始から所定の期間が経過すると、制御ユニット3は、第1の昇降ユニット126を制御して、図19Dに示すように、それまで下位置にあった第1の開放永久磁石125を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第1の開放永久磁石125を上位置に配置しかつ第2の開放永久磁石127を下位置に配置した状態(図13A,13B参照)となり、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。これにより、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる(第1の磁石配置工程)。
In the FOM supply step (S6), the substrate W is supported by the three movable pins 110 during the execution of the step. Further, the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, and the substrate W is controlled by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112. Switch to the state of contact support.
Specifically, when a predetermined period has elapsed from the start of the FOM discharge, the control unit 3 controls the first lifting / lowering unit 126, and as shown in FIG. The open permanent magnet 125 is raised toward the upper position and held at the upper position. Thereby, the first open permanent magnet 125 is arranged at the upper position and the second open permanent magnet 127 is arranged at the lower position (see FIGS. 13A and 13B), and is included in the first movable pin group 111. The three movable pins 110 are arranged at the open position from the previous holding position. Thus, the substrate W is brought into contact with and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 (first magnet arrangement step).

第1の開放永久磁石125の上昇から所定の期間(たとえば10秒間)が経過すると、制御ユニット3は、第1の昇降ユニット126を制御して、図19Cに示すように、第1の開放永久磁石125を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、第1の開放永久磁石125および第2の開放永久磁石127をともに下位置に配置した状態となり、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110が開放位置へと復帰し、これにより、再び、合計6本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる。   When a predetermined period (for example, 10 seconds) elapses from the rising of the first open permanent magnet 125, the control unit 3 controls the first elevating unit 126, and as shown in FIG. The magnet 125 is lowered toward the lower position and held at the lower position. As a result, the first open permanent magnet 125 and the second open permanent magnet 127 are both located at the lower position, and the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 return to the open position. Thus, the substrate W is again brought into a state in which the substrate W is contacted and supported by the six movable pins 110 in total.

第1の開放永久磁石125の下降から所定の期間(たとえば3秒間)が経過すると、制御ユニット3は、第2の昇降ユニット128を制御して、図19Eに示すように、それまで下位置にあった第2の開放永久磁石127を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第2の開放永久磁石127を上位置に配置しかつ第1の開放永久磁石125を下位置に配置した状態(図15A,15B参照)となり、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。これにより、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる(第2の磁石配置工程)。   When a predetermined period (for example, 3 seconds) has elapsed since the lowering of the first open permanent magnet 125, the control unit 3 controls the second lifting / lowering unit 128 to move to the lower position as shown in FIG. 19E. The second permanent magnet 127 is moved upward to the upper position and held at the upper position. Thus, the state where the second open permanent magnet 127 is arranged at the upper position and the first open permanent magnet 125 is arranged at the lower position (see FIGS. 15A and 15B) is included in the second movable pin group 112. The three movable pins 110 are arranged at the open position from the previous holding position. As a result, the substrate W is brought into contact with and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 (second magnet arrangement step).

第2の開放永久磁石127の上昇から所定の期間(たとえば10秒間)が経過すると、制御ユニット3は、第2の昇降ユニット128を制御して、第2の開放永久磁石127を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、第1の開放永久磁石125および第2の開放永久磁石127をともに下位置に配置した状態となり、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110が開放位置へと復帰し、これにより、再び、合計6本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる。   When a predetermined period (for example, 10 seconds) elapses from the rising of the second open permanent magnet 127, the control unit 3 controls the second elevating unit 128 to turn the second open permanent magnet 127 to the lower position. Down and hold it in the lower position. Thereby, the first open permanent magnet 125 and the second open permanent magnet 127 are both located at the lower position, and the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 return to the open position. Thus, the substrate W is again brought into a state in which the substrate W is contacted and supported by the six movable pins 110 in total.

このように、第1の可動ピン群111のみによる基板Wの接触支持している状態と、第2の可動ピン群112のみによる基板Wの接触支持している状態とを切り換えることにより、FOM供給工程(S6)において、回転状態にある基板の基板Wの周縁部における可動ピン110の接触支持位置を変化させることができる。
基板Wにおける可動ピン110の所期の支持位置(周方向の6か所)におけるFOMの回り込みについて検討する。可動ピン110が保持位置に位置する状態では、基板Wの上面に供給されたFOMは、図20Aに示すように、基板Wの周端面に接触する上軸部152と干渉する。そのため、所期の支持位置(周方向の6か所)において可動ピン110が保持位置に位置する状態では、基板Wの上面に供給されたFOMを基板Wの周端面を介して基板Wの下面の周縁領域に回り込ませることはできない。
As described above, by switching between the state in which only the first movable pin group 111 supports and contacts the substrate W and the state in which only the second movable pin group 112 supports and contacts the substrate W, the FOM supply is performed. In the step (S6), the contact support position of the movable pin 110 at the peripheral edge of the substrate W in the rotating state can be changed.
The wraparound of the FOM at the intended support positions (six places in the circumferential direction) of the movable pin 110 on the substrate W will be examined. In a state where the movable pin 110 is located at the holding position, the FOM supplied to the upper surface of the substrate W interferes with the upper shaft 152 that contacts the peripheral end surface of the substrate W as shown in FIG. Therefore, in a state where the movable pin 110 is located at the holding position at the intended support position (six positions in the circumferential direction), the FOM supplied to the upper surface of the substrate W is transferred to the lower surface of the substrate W via the peripheral end surface of the substrate W. Cannot be wrapped around the peripheral region of.

一方、可動ピン110が開放位置に位置する状態では、図20Bに示すように、基板Wの周端面と所定のギャップが形成されている。このギャップを介して基板Wの上面に供給されたFOMを基板Wの周端面を介して基板Wの下面の周縁領域に回り込ませることができる。
FOMの吐出開始から所定の期間が経過すると、FOM供給工程(S6)が終了する。具体的には、制御ユニット3は、薬液バルブ15を閉じて、薬液ノズル6からのFOMの吐出を停止させる。また、制御ユニット3は、薬液ノズル6を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、薬液ノズル6が基板Wの上方から退避させられる。
On the other hand, when the movable pin 110 is located at the open position, a predetermined gap is formed between the movable pin 110 and the peripheral end surface of the substrate W, as shown in FIG. 20B. The FOM supplied to the upper surface of the substrate W through the gap can be routed to the peripheral region of the lower surface of the substrate W via the peripheral end surface of the substrate W.
When a predetermined period has elapsed from the start of FOM discharge, the FOM supply step (S6) ends. Specifically, the control unit 3 closes the chemical solution valve 15 and stops the discharge of the FOM from the chemical solution nozzle 6. Further, the control unit 3 moves the chemical liquid nozzle 6 from the center position to the home position. Thereby, the chemical liquid nozzle 6 is retracted from above the substrate W.

FOM供給工程(S6)における前述の説明では、第1の可動ピン群111のみによる基板Wの支持と、第2の可動ピン群112のみによる基板Wの支持とを、1回ずつ行う場合を説明したが、FOM供給工程(S6)において、これらの可動ピン群111,112の一方による支持を複数回行うようにしてもよい。
FOM供給工程(S6)の終了に引き続いて、リンス液である水が基板Wの裏面Wbに供給開始される(S7;リンス工程。処理液供給工程)。
In the above description in the FOM supply step (S6), the case where the substrate W is supported only by the first movable pin group 111 and the substrate W is supported only by the second movable pin group 112 once is described. However, in the FOM supply step (S6), support by one of these movable pin groups 111 and 112 may be performed a plurality of times.
Subsequent to the end of the FOM supply step (S6), supply of water as a rinsing liquid to the back surface Wb of the substrate W is started (S7; rinsing step; processing liquid supply step).

具体的には、制御ユニット3は、水バルブ43を開いて、図19Fに示すように、基板Wの裏面Wbの中央部に向けて水ノズル41から水を吐出させる。水ノズル41から吐出された水は、FOMによって覆われている基板Wの裏面Wbの中央部に着液する。基板Wの裏面Wbの中央部に着液した水は、基板Wの回転による遠心力を受けて基板Wの裏面Wb上を基板Wの周縁部に向けて流れ、基板Wの裏面Wbの全域へと広がる。そのため、基板W上のFOMが、水によって外方に押し流され、基板Wの周囲に排出される。これにより、基板Wの裏面Wbに付着したFOMが水に置換される。   Specifically, the control unit 3 opens the water valve 43 and causes the water nozzle 41 to discharge water toward the center of the back surface Wb of the substrate W, as shown in FIG. 19F. The water discharged from the water nozzle 41 lands on the center of the back surface Wb of the substrate W covered by the FOM. The water that has reached the center of the back surface Wb of the substrate W flows on the back surface Wb of the substrate W toward the peripheral portion of the substrate W under the centrifugal force due to the rotation of the substrate W, and reaches the entire area of the back surface Wb of the substrate W. And spread. Therefore, the FOM on the substrate W is flushed outward by the water and discharged to the periphery of the substrate W. As a result, the FOM attached to the back surface Wb of the substrate W is replaced with water.

また、リンス工程(S7)では、当該工程の実行中に、基板Wを3本の可動ピン110で支持する。さらに、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態と、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態とを切り換える。
具体的には、水の吐出開始から所定の期間が経過すると、制御ユニット3は、第1の昇降ユニット126を制御して、図19Gに示すように、それまで下位置にあった第1の開放永久磁石125を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる(第1の磁石配置工程)。
In the rinsing step (S7), the substrate W is supported by the three movable pins 110 during the execution of the step. Further, the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, and the substrate W is controlled by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112. Switch to the state of contact support.
Specifically, when a predetermined period has elapsed from the start of water discharge, the control unit 3 controls the first lifting / lowering unit 126, and as shown in FIG. The open permanent magnet 125 is raised toward the upper position and held at the upper position. Thus, the substrate W is brought into contact with and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 (first magnet arrangement step).

第1の開放永久磁石125の上昇から所定の期間(たとえば10秒間)が経過すると、制御ユニット3は、第1の昇降ユニット126を制御して、図19Fに示すように、第1の開放永久磁石125を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、再び、合計6本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる。
第1の開放永久磁石125の下降から所定の期間(たとえば3秒間)が経過すると、制御ユニット3は、第2の昇降ユニット128を制御して、図19Hに示すように、それまで下位置にあった第2の開放永久磁石127を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる(第2の磁石配置工程)。
When a predetermined period (for example, 10 seconds) elapses from the rising of the first open permanent magnet 125, the control unit 3 controls the first elevating unit 126, and as shown in FIG. 19F, the first open permanent magnet. The magnet 125 is lowered toward the lower position and held at the lower position. As a result, the substrate W is brought into contact with the movable pins 110 again by a total of six pins.
When a predetermined period (for example, 3 seconds) has elapsed since the lowering of the first open permanent magnet 125, the control unit 3 controls the second elevating unit 128 to move the lower unit to the lower position as shown in FIG. 19H. The second permanent magnet 127 is moved upward to the upper position and held at the upper position. As a result, the substrate W is brought into contact with and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 (second magnet arrangement step).

第2の開放永久磁石127の上昇から所定の期間(たとえば10秒間)が経過すると、制御ユニット3は、第2の昇降ユニット128を制御して、開放永久磁石127を下位置に向けて下降させ、当該下位置に保持する。これにより、再び、合計6本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる。
このように、第1の可動ピン群111のみによる基板Wの接触支持している状態と、第2の可動ピン群112のみによる基板Wの接触支持している状態とを切り換えることにより、リンス工程(S7)において、回転状態にある基板の基板Wの周縁部における可動ピン110の接触支持位置を変化させることができる。
When a predetermined period (for example, 10 seconds) elapses from the rise of the second open permanent magnet 127, the control unit 3 controls the second elevating unit 128 to lower the open permanent magnet 127 toward the lower position. , In the lower position. As a result, the substrate W is brought into contact with the movable pins 110 again by a total of six pins.
As described above, by switching between the state in which only the first movable pin group 111 is in contact and supporting the substrate W and the state in which only the second movable pin group 112 is in contact with and supporting the substrate W, the rinsing step is performed. In (S7), the contact support position of the movable pin 110 at the periphery of the substrate W in the rotating state can be changed.

基板Wにおける可動ピン110の所期の支持位置(周方向の6か所)における水の回り込みについて検討する。可動ピン110が保持位置に位置する状態では、基板Wの上面に供給された水は、図20Aに示すように、基板Wの周端面に接触する上軸部152と干渉する。そのため、所期の支持位置(周方向の6か所)において可動ピン110が保持位置に位置する状態では、基板Wの上面に供給された水を基板Wの周端面を介して基板Wの下面の周縁領域に回り込ませることはできない。   Consideration of water spillage at desired support positions (six circumferential positions) of the movable pins 110 on the substrate W will be described. In the state where the movable pin 110 is located at the holding position, the water supplied to the upper surface of the substrate W interferes with the upper shaft 152 that contacts the peripheral end surface of the substrate W as shown in FIG. Therefore, when the movable pin 110 is located at the holding position at the intended support position (six places in the circumferential direction), the water supplied to the upper surface of the substrate W is transferred to the lower surface of the substrate W via the peripheral end surface of the substrate W. Cannot be wrapped around the peripheral region of.

一方、可動ピン110が開放位置に位置する状態では、図20Bに示すように、基板Wの周端面と所定のギャップが形成されている。このギャップを介して基板Wの上面に供給された水を基板Wの周端面を介して基板Wの下面の周縁領域に回り込ませることができる。これにより、基板Wの周端面や基板Wの下面の周縁領域に付着したFOMを洗い流すことができる。   On the other hand, when the movable pin 110 is located at the open position, a predetermined gap is formed between the movable pin 110 and the peripheral end surface of the substrate W, as shown in FIG. 20B. The water supplied to the upper surface of the substrate W through the gap can flow to the peripheral region on the lower surface of the substrate W via the peripheral end surface of the substrate W. Thereby, the FOM attached to the peripheral end surface of the substrate W and the peripheral region on the lower surface of the substrate W can be washed away.

リンス工程(S7)における前述の説明では、第1の可動ピン群111のみによる基板Wの支持と、第2の可動ピン群112のみによる基板Wの支持とを、1回ずつ行う場合を説明したが、リンス工程(S7)において、これらの可動ピン群111,112の一方による支持を複数回行うようにしてもよい。
水の吐出開始から、所定の期間が経過すると、制御ユニット3は、アーム駆動ユニット48を制御して、図19Fに示すように、洗浄ブラシ10による基板Wの裏面Wbのスクラブ洗浄を実行する(S8:ブラシ洗浄工程。処理液供給工程)。これにより、基板Wの裏面Wbに対して、水を供給しながら洗浄ブラシ10によるスクラブ洗浄が行われる。具体的には、制御ユニット3は、アーム駆動ユニット48を制御して、揺動アーム47を揺動軸線A2周りに揺動させて、洗浄ブラシ10をホーム位置から基板Wの上方へ配置させるとともに、洗浄ブラシ10を降下させて、洗浄ブラシ10の洗浄面10aを基板Wの裏面Wbに押し付ける。そして、制御ユニット3は、図19Gに示すようにアーム駆動ユニット48を制御して、洗浄ブラシ10の押付け位置を、基板Wの中央部と、基板Wの周縁部との間で移動(スキャン)させる。これにより、洗浄ブラシ10の押付け位置が基板Wの裏面Wbの全域を走査し、基板Wの裏面Wbの全域が洗浄ブラシ10によりスクラブされる。ブラシ洗浄工程(S8)では、FOM供給工程(S6)で剥離された異物が、洗浄ブラシ10によるスクラブによりにより掻き取られる。そして、洗浄ブラシ10により掻き取られた異物は、水により洗い流される。これにより、剥離された異物を基板Wの裏面Wbから除去できる。
In the above description of the rinsing step (S7), the case where the support of the substrate W by only the first movable pin group 111 and the support of the substrate W by only the second movable pin group 112 are performed once is described. However, in the rinsing step (S7), support by one of these movable pin groups 111 and 112 may be performed a plurality of times.
After a predetermined period has elapsed from the start of water discharge, the control unit 3 controls the arm drive unit 48 to execute scrub cleaning of the back surface Wb of the substrate W by the cleaning brush 10 as shown in FIG. 19F ( S8: Brush cleaning step, treatment liquid supply step). Thus, scrub cleaning by the cleaning brush 10 is performed on the back surface Wb of the substrate W while supplying water. Specifically, the control unit 3 controls the arm drive unit 48 to swing the swing arm 47 around the swing axis A2, thereby disposing the cleaning brush 10 from the home position to above the substrate W. Then, the cleaning brush 10 is lowered, and the cleaning surface 10a of the cleaning brush 10 is pressed against the back surface Wb of the substrate W. Then, the control unit 3 controls the arm drive unit 48 as shown in FIG. 19G to move (scan) the pressing position of the cleaning brush 10 between the central portion of the substrate W and the peripheral portion of the substrate W. Let it. Thus, the pressing position of the cleaning brush 10 scans the entire area of the rear surface Wb of the substrate W, and the entire area of the rear surface Wb of the substrate W is scrubbed by the cleaning brush 10. In the brush cleaning step (S8), the foreign matter separated in the FOM supply step (S6) is scraped off by scrubbing with the cleaning brush 10. The foreign matter scraped off by the cleaning brush 10 is washed away with water. Thereby, the separated foreign matter can be removed from the back surface Wb of the substrate W.

洗浄ブラシ10の往動が予め定める回数(たとえば4回)行われた後、制御ユニット3は、アーム駆動ユニット48を制御して、洗浄ブラシ10をスピンチャック5の上方からホーム位置に戻す。これにより、ブラシ洗浄工程(S8)は終了する。また、制御ユニット3は、水バルブ43を開いたままの状態に維持する。これにより、リンス液である水が基板Wの裏面Wbに供給され、洗浄ブラシ10により掻き取られた異物が基板W外に排出される(図19I参照。S9:最終リンス工程。処理液供給工程)。   After the cleaning brush 10 has been moved forward a predetermined number of times (for example, four times), the control unit 3 controls the arm driving unit 48 to return the cleaning brush 10 to the home position from above the spin chuck 5. Thus, the brush cleaning step (S8) ends. Further, the control unit 3 keeps the water valve 43 open. As a result, water as a rinsing liquid is supplied to the back surface Wb of the substrate W, and foreign matter scraped by the cleaning brush 10 is discharged out of the substrate W (see FIG. 19I. S9: final rinsing step; processing liquid supply step). ).

また、リンス工程(S7)において説明した、第1の可動ピン群111のみによる基板Wの支持、および第2の可動ピン群112のみによる基板Wの支持、1回ずつ行う場合を説明したが、このような支持は、リンス工程(S7)、ブラシ洗浄工程(S8)および最終リンス工程(S9)の少なくとも一工程で行われればよい。無論3つ全ての工程で行っても良いし、これらの工程のうち2つの工程で行うようにしてもよい。   In addition, the case where the substrate W is supported only by the first movable pin group 111 and the substrate W is supported only by the second movable pin group 112, which has been described in the rinsing step (S7), once, is described. Such support may be performed in at least one of the rinsing step (S7), the brush cleaning step (S8), and the final rinsing step (S9). Of course, it may be performed in all three steps, or may be performed in two of these steps.

水の供給開始から所定の期間が経過すると、制御ユニット3は、水バルブ43を閉じて、水ノズル41からの水の吐出を停止させる。また、制御ユニット3は、保護液バルブ45を閉じて、不活性ガス供給管170からの不活性ガスの吐出を停止させる。また、制御ユニット3は、第1の昇降ユニット126を制御して、第1の開放永久磁石125を下位置まで下降させる。これ以降は、基板Wは6本の可動ピン110によって挟持され、これにより基板Wが強固に保持される。   When a predetermined period has elapsed from the start of water supply, the control unit 3 closes the water valve 43 and stops the discharge of water from the water nozzle 41. Further, the control unit 3 closes the protective liquid valve 45 and stops the discharge of the inert gas from the inert gas supply pipe 170. Further, the control unit 3 controls the first elevating unit 126 to lower the first open permanent magnet 125 to the lower position. Thereafter, the substrate W is sandwiched by the six movable pins 110, whereby the substrate W is firmly held.

次に、基板Wを乾燥させるスピンドライ工程(ステップS10)が行われる。具体的には、制御ユニット3は、回転駆動ユニット17を制御することにより、図19Jに示すように、FOM供給工程(S6)から最終リンス工程(S9)までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから液体が除去され、基板Wが乾燥する。このとき、基板Wは6本の可動ピン110で把持されているので、基板Wを強固に保持しながら高速回転させることができる。   Next, a spin drying step (Step S10) of drying the substrate W is performed. Specifically, as shown in FIG. 19J, the control unit 3 controls the rotation drive unit 17 so that the drying rotation speed is higher than the rotation speed from the FOM supply step (S6) to the final rinsing step (S9). (For example, several thousand rpm), and the substrate W is rotated at a drying rotation speed. Accordingly, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W. Thus, the liquid is removed from the substrate W, and the substrate W is dried. At this time, since the substrate W is held by the six movable pins 110, the substrate W can be rotated at high speed while firmly holding it.

そして、基板Wの高速回転が開始されてから所定の期間が経過すると、制御ユニット3は、回転駆動ユニット17を制御することにより、スピンチャック5による基板Wの回転を停止させる(ステップS11)。
その後、制御ユニット3は、第3の昇降ユニット130を制御することにより、第2の浮上用磁石129を下方位置へと下降させる(ステップS12)。これにより、第2の浮上用磁石129と第1の浮上用磁石160との間の距離が広がり、それらの間の磁気反発力が減少していく。それに伴い、保護ディスク115は、回転台107の上面に向かって降下していく。これにより、保護ディスク115の上面と基板Wの表面Wa(下面)との間には、センターロボットCRのハンドH2を進入させることができるだけの空間が確保される。
Then, when a predetermined period has elapsed since the start of the high-speed rotation of the substrate W, the control unit 3 controls the rotation drive unit 17 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5 (step S11).
Thereafter, the control unit 3 controls the third lifting unit 130 to lower the second levitation magnet 129 to the lower position (step S12). As a result, the distance between the second levitation magnet 129 and the first levitation magnet 160 increases, and the magnetic repulsion between them decreases. Accordingly, the protection disk 115 descends toward the upper surface of the turntable 107. Accordingly, a space is secured between the upper surface of the protection disk 115 and the surface Wa (lower surface) of the substrate W so that the hand H2 of the center robot CR can enter.

また、制御ユニット3は、第1および第2の昇降ユニット126,128を制御して、第1の開放永久磁石125および第2の開放永久磁石127をそれぞれ上位置へと上昇させ、上位置で保持させる。これにより、6本の可動ピン110の全てが開放位置に配置され、これによって、基板Wの握持が解除される。
次に、処理チャンバー4内から基板Wが搬出される(ステップS13)。具体的には、制御ユニット3は、全てのノズル等がスピンチャック5の上方から退避している状態で、センターロボットCRを制御し、図19Kに示すように、ハンドH2を保護ディスク115と基板Wの表面Wa(下面)との間に確保された空間に進入させる。そして、ハンドH2は、可動ピン110に保持されている基板Wをすくい取り、その後に、スピンチャック5の側方へと退避する。これにより、洗浄処理済みの基板Wが処理チャンバー4から搬出される。
Further, the control unit 3 controls the first and second elevating units 126 and 128 to raise the first open permanent magnet 125 and the second open permanent magnet 127 to the upper position, respectively, and to move the permanent magnets to the upper position. Hold. As a result, all of the six movable pins 110 are arranged at the open position, whereby the grip of the substrate W is released.
Next, the substrate W is carried out of the processing chamber 4 (Step S13). Specifically, the control unit 3 controls the center robot CR in a state where all the nozzles and the like are retracted from above the spin chuck 5, and moves the hand H2 to the protection disk 115 and the substrate as shown in FIG. It is caused to enter the space secured between the W and the front surface Wa (lower surface). Then, the hand H2 scoops up the substrate W held by the movable pins 110, and then retreats to the side of the spin chuck 5. As a result, the substrate W after the cleaning processing is carried out of the processing chamber 4.

制御ユニット3は、センターロボットCRのハンドH2によって、洗浄処理済みの基板Wを反転ユニットTUに搬送させる。そして、制御ユニット3は、搬送されてきた基板Wを、反転ユニットTUによって反転させる(ステップS14)。これにより、基板Wの表面Waが上に向けられる。その後、制御ユニット3は、インデクサロボットIRのハンドH1によって、反転ユニットTUから基板Wを取り出し、洗浄処理済みの基板Wを、その表面Waを上に向けた状態でキャリアCに収容する。洗浄処理済みの基板Wが収容されたキャリアCは、基板処理装置1から、露光装置等の後処理装置に向けて搬送される。   The control unit 3 causes the hand H2 of the center robot CR to transport the cleaned substrate W to the reversing unit TU. Then, the control unit 3 reverses the transported substrate W by the reversing unit TU (step S14). Thereby, the surface Wa of the substrate W is directed upward. Thereafter, the control unit 3 takes out the substrate W from the reversing unit TU by the hand H1 of the indexer robot IR, and stores the cleaned substrate W in the carrier C with its front surface Wa facing upward. The carrier C containing the cleaned substrate W is transported from the substrate processing apparatus 1 to a post-processing apparatus such as an exposure apparatus.

以上により、この実施形態によれば、回転台107の回転および処理液の供給(図11のS6〜S9)に並行して、基板Wを3本の可動ピン110で支持し、さらに、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態と、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態とを切り換える。2つの可動ピン群111,112によって基板Wを持ち換えることができ、これにより、基板Wにおける可動ピン110による接触支持位置を変化させることができる。そのため、基板Wの周縁部の全域に処理液(FOM、水)を供給することが可能であり、これにより、基板Wの周縁部を、処理液を用いて処理残りなく良好に処理することができる。   As described above, according to this embodiment, the substrate W is supported by the three movable pins 110 in parallel with the rotation of the turntable 107 and the supply of the processing liquid (S6 to S9 in FIG. 11). The state in which the substrate W is in contact with and supported by the three movable pins 110 included in the movable pin group 111 of the first embodiment, and the state in which the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112. Switch between active and inactive states. The substrate W can be exchanged by the two movable pin groups 111 and 112, whereby the contact support position of the movable pin 110 on the substrate W can be changed. Therefore, the processing liquid (FOM, water) can be supplied to the whole area of the peripheral portion of the substrate W, whereby the peripheral portion of the substrate W can be satisfactorily processed using the processing liquid without any remaining processing. it can.

また、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1は、次に述べる2つの点で、特開2008−135750号公報に開示された基板処理装置と相違している。
1つ目の点について説明する。特開2008−135750号公報では、磁石(磁石152bおよび磁石162b)が上下方向に沿う磁極方向を有している。また、磁石(磁石152bおよび磁石162b)と、第1ピン(第1ピン122,124,126)および第2ピン(第2ピン132,134,136)とがカム機構を介して連結されている。すなわち、第1ピンおよび第2ピンを開閉駆動させるための構成が非常に複雑である。
Further, the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention is different from the substrate processing apparatus disclosed in JP-A-2008-135750 in the following two points.
The first point will be described. In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-135750, magnets (magnets 152b and 162b) have magnetic pole directions along the vertical direction. Further, magnets (magnets 152b and 162b) are connected to first pins (first pins 122, 124, 126) and second pins (second pins 132, 134, 136) via a cam mechanism. . That is, the configuration for opening and closing the first pin and the second pin is very complicated.

これに対し、第1の実施形態では、第1の駆動用永久磁石156Aおよび第2の駆動用永久磁石156Bが、回転軸線A1に沿う軸線に直交する方向に関し磁極方向を有している。また、第1の駆動用永久磁石156Aおよび第2の駆動用永久磁石156Bが可動ピン110の支持軸155に固定されている。そのため、可動ピン110を開閉駆動させるための構成を簡単な構成で実現できる。   On the other hand, in the first embodiment, the first driving permanent magnet 156A and the second driving permanent magnet 156B have a magnetic pole direction in a direction orthogonal to an axis along the rotation axis A1. Further, the first driving permanent magnet 156A and the second driving permanent magnet 156B are fixed to the support shaft 155 of the movable pin 110. Therefore, a configuration for driving the movable pin 110 to open and close can be realized with a simple configuration.

2つ目の点について説明する。特開2008−135750号公報では、磁石(磁石152bおよび磁石162b)がそれぞれ環状をなしている。そのため、磁石152bおよび磁石162bを2重環状に設ける必要があり、そのため、基板処理装置1が径方向に大型化するおそれがある。これに対し、第1の実施形態では、第1の駆動用永久磁石156Aおよび第2の駆動用永久磁石156Bが、周方向に交互に配置されている。そのため、基板処理装置1を径方向にコンパクト化させることができる。   The second point will be described. In Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-135750, the magnets (magnets 152b and 162b) each have an annular shape. Therefore, it is necessary to provide the magnet 152b and the magnet 162b in a double annular shape, which may cause the substrate processing apparatus 1 to be enlarged in the radial direction. On the other hand, in the first embodiment, the first driving permanent magnets 156A and the second driving permanent magnets 156B are alternately arranged in the circumferential direction. Therefore, the substrate processing apparatus 1 can be made compact in the radial direction.

図21は、本発明の第2の実施形態に係る処理ユニット202の構成例を説明するための図解的な断面図である。図22は、処理ユニット202に備えられたスピンチャック205の円環状のカバー291の構成例を説明するための断面図である。図23は、スピンチャック205の、より具体的な構成を説明するための平面図である。図21は、図23の切断面線XXI−XXIから見た図である。   FIG. 21 is an illustrative cross-sectional view for explaining a configuration example of the processing unit 202 according to the second embodiment of the present invention. FIG. 22 is a cross-sectional view for explaining a configuration example of the annular cover 291 of the spin chuck 205 provided in the processing unit 202. FIG. 23 is a plan view for explaining a more specific configuration of the spin chuck 205. FIG. 21 is a view as viewed from the section line XXI-XXI in FIG.

第2の実施形態において、第1の実施形態に示された各部に対応する部分には、図1〜図20Cの場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
第2の実施形態に係る処理ユニット202は、基板保持回転装置としてスピンチャック205を備えている。第2の実施形態に係るスピンチャック205が第1の実施形態に係るスピンチャック5と相違する点は、付勢用磁石(第1および第2の付勢用磁石)としての開閉切換え永久磁石210A,210Bを保護ディスク115と同伴昇降可能に設けた点にある。また、第3の昇降ユニット130による保護ディスク115の昇降動作に伴って、これにより、開閉切換え永久磁石210A,210Bを昇降させている。さらに、開閉切換え永久磁石210A,210Bは、可動ピン110を保持位置および開放位置の一方または他方に付勢する構成ではなく、保持位置への付勢状態と開放位置への付勢状態とを切り換えるための磁石である。つまり、第3の昇降ユニット130により保護ディスク115を昇降させることにより、可動ピン110の開閉を切り換え可能な構成が採用されている。
In the second embodiment, portions corresponding to the respective portions shown in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as in FIGS. 1 to 20C, and description thereof will be omitted.
The processing unit 202 according to the second embodiment includes a spin chuck 205 as a substrate holding and rotating device. The spin chuck 205 according to the second embodiment is different from the spin chuck 5 according to the first embodiment in that an opening / closing switching permanent magnet 210A as an urging magnet (first and second urging magnets) is provided. , 210B are provided so as to be able to move up and down together with the protection disk 115. In addition, the opening and closing switching permanent magnets 210A and 210B are moved up and down by the operation of moving the protection disk 115 up and down by the third elevating unit 130. Further, the open / close switching permanent magnets 210A and 210B do not bias the movable pin 110 to one or the other of the holding position and the opening position, but switch between the biasing state to the holding position and the biasing state to the opening position. For the magnet. That is, a configuration is employed in which the opening and closing of the movable pin 110 can be switched by raising and lowering the protection disk 115 by the third lifting unit 130.

より、具体的には、円環カバー291が保護ディスク115に固定されており、開閉切換え永久磁石210A,210Bは、円環カバー291の内部に埋設されている。
円環状の円環カバー291は、円環状の円環カバー191は、保護ディスク115の上面の周縁部および保護ディスク115の周端を保護している。円環状の円環カバー291は、ボルト等の締結部材を含む固定ユニット203を介して、保護ディスク115の外周部に取り付けられている。保護ディスク115の上面の周縁部および保護ディスク115の周端にされている。円環カバー291は、上面の周縁部から径方向外方に向けて水平方向に張り出す円環板部292と、円環板部292の周端から垂下する円筒部293とを含む。円環板部292の外周は、回転台107の周端よりも外方に位置している。円環板部292および円筒部293は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。円環板部292の内周の、可動ピン110に対応する位置には、該可動ピン110を回避するための切り欠き294(図23参照)が形成されている。切り欠き294は、可動ピン110の外周面から一定の間隔を確保して当該可動ピン110を縁取るように形成されている。円環板部292および円筒部293は、たとえば、耐薬性を有する樹脂材料を用いて一体に形成されている。
More specifically, the annular cover 291 is fixed to the protection disk 115, and the open / close switching permanent magnets 210A and 210B are embedded inside the annular cover 291.
The annular ring cover 291 protects the peripheral edge of the upper surface of the protection disk 115 and the peripheral edge of the protection disk 115. The annular cover 291 is attached to the outer periphery of the protection disk 115 via a fixing unit 203 including a fastening member such as a bolt. The peripheral edge of the upper surface of the protection disk 115 and the peripheral edge of the protection disk 115. The annular cover 291 includes an annular plate portion 292 that protrudes radially outward from the peripheral edge of the upper surface in the horizontal direction, and a cylindrical portion 293 that hangs down from the peripheral end of the annular plate portion 292. The outer periphery of the annular plate portion 292 is located outside the peripheral end of the turntable 107. The annular plate portion 292 and the cylindrical portion 293 are integrally formed using, for example, a resin material having chemical resistance. A notch 294 (see FIG. 23) for avoiding the movable pin 110 is formed at a position corresponding to the movable pin 110 on the inner periphery of the annular plate portion 292. The notch 294 is formed so as to border the movable pin 110 at a certain interval from the outer peripheral surface of the movable pin 110. The annular plate portion 292 and the cylindrical portion 293 are integrally formed using, for example, a resin material having chemical resistance.

円環カバー291の円環板部192は、可動ピン110によって保持された基板Wの周縁部において不活性ガスの流路を絞る絞り部290(図20Cの絞り部190と同様)を上面に有している。この絞り部290によって、円環カバー291と基板Wの下面との間の空間から外方に吹き出される不活性ガス流の流速が高速になるので、基板Wの上面の処理液(薬液やリンス液)が基板Wの下面の周縁部よりも内側に進入することを確実に回避または抑制することができる。   The annular plate portion 192 of the annular cover 291 has, on its upper surface, a throttle portion 290 (similar to the throttle portion 190 in FIG. 20C) for narrowing the flow path of the inert gas at the periphery of the substrate W held by the movable pins 110. doing. Since the flow rate of the inert gas flow blown outward from the space between the annular cover 291 and the lower surface of the substrate W is increased by the constricted portion 290, the processing liquid (chemical solution or rinse) on the upper surface of the substrate W is increased. Liquid) can be reliably prevented or suppressed from entering inside the peripheral edge of the lower surface of the substrate W.

円筒部293には、可動ピン110の個数と同数(この実施形態では6個)の開閉切換え永久磁石210A,210Bが埋設されている。複数の開閉切換え永久磁石210A,210Bは、周方向に間隔を空けて配置されている。各開閉切換え永久磁石210A,210Bは、棒状をなしており、上下方向に延びた状態で円筒部293に埋設されている。開閉切換え永久磁石は、第1の開閉切換え永久磁石(第1の付勢用磁石)210Aと、第1の開閉切換え永久磁石210Aと極性が上下方向に反対にされた第2の開閉切換え永久磁石(第2の付勢用磁石)210Bとを含む。第1の開閉切換え永久磁石210Aは、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110を駆動するための永久磁石であり、第2の開閉切換え永久磁石210Bは、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110を駆動するための永久磁石である。すなわち、複数の開閉切換え永久磁石210A,210Bは等間隔に配置されている。また、第1の開閉切換え永久磁石210Aと第2の開閉切換え永久磁石210Bとは周方向に交互に配置されている。この実施形態では、第1の開閉切換え永久磁石210Aは、N極性を示すN極部211が上端側に形成され、S極性を示すS極部212が下端側に形成されている。   In the cylindrical portion 293, the same number (six in this embodiment) of open / close switching permanent magnets 210A and 210B as the number of the movable pins 110 are embedded. The plurality of open / close switching permanent magnets 210A and 210B are arranged at intervals in the circumferential direction. Each of the open / close switching permanent magnets 210A and 210B has a rod shape, and is embedded in the cylindrical portion 293 so as to extend vertically. The open / close switching permanent magnet includes a first opening / closing switching permanent magnet (first urging magnet) 210A, and a second opening / closing switching permanent magnet whose polarity is opposite to that of the first opening / closing switching permanent magnet 210A in the vertical direction. (A second biasing magnet) 210B. The first open / close switching permanent magnet 210A is a permanent magnet for driving the movable pin 110 included in the first movable pin group 111, and the second open / close switching permanent magnet 210B is a second movable pin group 112. Is a permanent magnet for driving the movable pin 110 included in the above. That is, the plurality of open / close switching permanent magnets 210A and 210B are arranged at equal intervals. The first opening / closing switching permanent magnets 210A and the second opening / closing switching permanent magnets 210B are alternately arranged in the circumferential direction. In this embodiment, the first open / close switching permanent magnet 210A has an N-pole portion 211 indicating N polarity formed on the upper end side, and an S-pole portion 212 indicating S polarity formed on the lower end side.

図24A,24Bは、保護ディスク115の昇降動作に伴う、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110の状態を示す模式的な図である。図25A,25Bは、保護ディスク115の昇降動作に伴う、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110の状態を示す模式的な図である。図24A,25Aでは、保護ディスク115が接近位置(つまり、上位置)にある状態を示し、図24B,25Bでは、保護ディスク115が下位置にある状態を示す。   FIGS. 24A and 24B are schematic diagrams showing states of the movable pins 110 included in the first movable pin group 111 as the protection disk 115 moves up and down. FIGS. 25A and 25B are schematic diagrams showing states of the movable pins 110 included in the second movable pin group 112 as the protection disk 115 moves up and down. FIGS. 24A and 25A show a state where the protection disk 115 is at the approach position (that is, the upper position), and FIGS. 24B and 25B show a state where the protection disk 115 is at the lower position.

第1の開閉切換え永久磁石210Aは、図24A,24Bに示すように、保護ディスク115が接近位置にある状態で上端側のN極部211が第1の駆動用永久磁石156Aに接近し、保護ディスク115が下位置にある状態で下端側のS極部212が第1の駆動用永久磁石156Aに接近するように配置されている。
第2の開閉切換え永久磁石210Bは、図25A,25Bに示すように、保護ディスク115が接近位置にある状態で上端側のS極部212が第2の駆動用永久磁石156Bに接近し、保護ディスク115が下位置にある状態で下端側のN極部211が第2の駆動用永久磁石156Bに接近するように配置されている。
As shown in FIGS. 24A and 24B, the first open / close switching permanent magnet 210A has the protection disk 115 in the approaching position, and the N pole portion 211 on the upper end side approaches the first driving permanent magnet 156A, thereby protecting the first opening permanent magnet 156A. When the disk 115 is in the lower position, the S pole portion 212 at the lower end is disposed so as to approach the first driving permanent magnet 156A.
As shown in FIGS. 25A and 25B, the second opening / closing switching permanent magnet 210B allows the S pole portion 212 on the upper end side to approach the second drive permanent magnet 156B when the protection disk 115 is in the approaching position, thereby protecting the second drive permanent magnet 156B. When the disk 115 is at the lower position, the N pole portion 211 at the lower end is arranged so as to approach the second driving permanent magnet 156B.

第1の実施形態において前述のように、第2の浮上用磁石129が上位置(図19B、図24Bおよび図25B参照)にあるとき、第2の浮上用磁石129と第1の浮上用磁石160との間に生じる反発磁力の働きによって、保護ディスク115は、基板Wの下面に接近した接近位置に保持される。これに対し、第2の浮上用磁石129が、上位置から下方に離間する下位置(図19A、図24Aおよび図25A参照)にあるときには、第2の浮上用磁石129と第1の浮上用磁石160との間の反発磁力は小さく、そのため、保護ディスク115は、自重によって回転台107の上面に近い下位置に保持される。   As described above in the first embodiment, when the second levitation magnet 129 is at the upper position (see FIGS. 19B, 24B, and 25B), the second levitation magnet 129 and the first levitation magnet The protection disk 115 is held at an approach position close to the lower surface of the substrate W by the action of the repulsive magnetic force generated between the protection disk 115 and the substrate W. On the other hand, when the second levitation magnet 129 is at the lower position (see FIGS. 19A, 24A, and 25A) separated downward from the upper position, the second levitation magnet 129 and the first levitation magnet The repulsive magnetic force between the magnet 160 and the magnet 160 is small. Therefore, the protection disk 115 is held at a lower position near the upper surface of the turntable 107 by its own weight.

保護ディスク115が下位置にある状態では、図24Aに示すように、第1の開閉切換え永久磁石210Aの上端側のN極部211が、第1の駆動用永久磁石156Aに接近する。この状態では、第1の開閉切換え永久磁石210Aのうち、N極部211からの磁力のみが第1の駆動用永久磁石156Aに作用し、S極部212からの磁力は第1の駆動用永久磁石156Aに作用しない。そのため、第1の開閉切換え永久磁石210Aからの磁力を受けて、第1の駆動用永久磁石156Aは、図24Aに示すように、N極が回転台107の径方向の内方に向きかつS極が回転台107の径方向の外方に向く姿勢に配置される。この状態では、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110の上軸部152が回転軸線A1(図21参照)から離反した遠い開放位置に位置している。   When the protection disk 115 is in the lower position, as shown in FIG. 24A, the N pole portion 211 on the upper end side of the first open / close switching permanent magnet 210A approaches the first drive permanent magnet 156A. In this state, of the first opening / closing switching permanent magnet 210A, only the magnetic force from the N pole portion 211 acts on the first driving permanent magnet 156A, and the magnetic force from the S pole portion 212 becomes the first driving permanent magnet. It does not act on the magnet 156A. Therefore, the first driving permanent magnet 156A receives the magnetic force from the first opening / closing switching permanent magnet 210A, and as shown in FIG. 24A, the N pole faces inward in the radial direction of the turntable 107 and S The poles are arranged in a posture facing radially outward of the turntable 107. In this state, the upper shaft portion 152 of the movable pin 110 included in the first movable pin group 111 is located at a far open position away from the rotation axis A1 (see FIG. 21).

また、この状態(保護ディスク115が下位置にある状態)では、図25Aに示すように、第2の開閉切換え永久磁石210Bの上端側のS極部212が、第2の駆動用永久磁石156Bに接近する。この状態では、第2の開閉切換え永久磁石210Bのうち、S極部212からの磁力のみが第2の駆動用永久磁石156Bに作用し、N極部211からの磁力は第2の駆動用永久磁石156Bに作用しない。そのため、第2の開閉切換え永久磁石210Bからの磁力を受けて、第2の駆動用永久磁石156Bは、図25Aに示すように、S極が回転台107の径方向の内方に向きかつN極が回転台107の径方向の外方に向く姿勢に配置される。この状態では、この状態では、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110の上軸部152が回転軸線A1(図21参照)から離反した遠い開放位置に位置している。   In this state (the state where the protection disk 115 is at the lower position), as shown in FIG. 25A, the S pole portion 212 on the upper end side of the second opening / closing switching permanent magnet 210B is moved to the second driving permanent magnet 156B. Approach. In this state, of the second opening / closing switching permanent magnet 210B, only the magnetic force from the S pole portion 212 acts on the second driving permanent magnet 156B, and the magnetic force from the N pole portion 211 becomes the second driving permanent magnet. Does not act on magnet 156B. Therefore, the second driving permanent magnet 156B receives the magnetic force from the second opening / closing switching permanent magnet 210B, and as shown in FIG. 25A, the S pole faces inward in the radial direction of the turntable 107 and N The poles are arranged in a posture facing radially outward of the turntable 107. In this state, in this state, the upper shaft portion 152 of the movable pin 110 included in the second movable pin group 112 is located at a far open position away from the rotation axis A1 (see FIG. 21).

図24Aおよび図25Aに示す状態から、第2の浮上用磁石129(図21参照)を上昇させ、保護ディスク115を浮上させる。保護ディスク115の浮上に伴って、第1および第2の開閉切換え永久磁石210A,210Bも上昇する。
そして、保護ディスク115が接近位置に配置された状態では、図24Bに示すように、第1の開閉切換え永久磁石210Aの下端側のS極部212が、第1の駆動用永久磁石156Aに接近する。この状態では、第1の開閉切換え永久磁石210Aのうち、S極部212からの磁力のみが第1の駆動用永久磁石156Aに作用し、N極部211からの磁力は第1の駆動用永久磁石156Aに作用しない。そのため、第1の開閉切換え永久磁石210Aからの磁力を受けて、第1の駆動用永久磁石156Aは、図24Bに示すように、S極が回転台107の径方向の内方に向きかつN極が回転台107の径方向の外方に向く姿勢になる。この状態では、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110の上軸部152が、開放位置よりも回転軸線A1に近づいた保持位置へと移動する。その結果、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110が、保持位置へと付勢される。
From the state shown in FIGS. 24A and 25A, the second levitation magnet 129 (see FIG. 21) is raised, and the protection disk 115 is levitated. As the protection disk 115 floats, the first and second open / close switching permanent magnets 210A and 210B also rise.
Then, in a state where the protection disk 115 is located at the approach position, as shown in FIG. 24B, the S pole portion 212 on the lower end side of the first open / close switching permanent magnet 210A approaches the first drive permanent magnet 156A. I do. In this state, of the first opening / closing switching permanent magnet 210A, only the magnetic force from the S pole portion 212 acts on the first driving permanent magnet 156A, and the magnetic force from the N pole portion 211 becomes the first driving permanent magnet. It does not act on the magnet 156A. Therefore, the first driving permanent magnet 156A receives the magnetic force from the first opening / closing switching permanent magnet 210A, and as shown in FIG. 24B, the S pole faces inward in the radial direction of the turntable 107 and N The poles are oriented so as to face outward in the radial direction of the turntable 107. In this state, the upper shaft 152 of the movable pin 110 included in the first movable pin group 111 moves to a holding position closer to the rotation axis A1 than the open position. As a result, the movable pins 110 included in the first movable pin group 111 are urged to the holding position.

また、この状態(保護ディスク115が接近位置に配置された状態)では、図25Bに示すように、第2の開閉切換え永久磁石210Bの下端側のN極部211が、第2の駆動用永久磁石156Bに接近する。この状態では、第2の開閉切換え永久磁石210Bのうち、N極部211からの磁力のみが第2の駆動用永久磁石156Bに作用し、S極部212からの磁力は第2の駆動用永久磁石156Bに作用しない。そのため、第2の開閉切換え永久磁石210Bからの磁力を受けて、第2の駆動用永久磁石156Bは、図25Bに示すように、N極が回転台107の径方向の内方に向きかつS極が回転台107の径方向の外方に向く姿勢になる。この状態では、第2の可動ピン群111に含まれる可動ピン110の上軸部152が、開放位置よりも回転軸線A1に近づいた保持位置へと移動する。その結果、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110が、保持位置へと付勢される。   In this state (the state in which the protection disk 115 is located at the approach position), as shown in FIG. 25B, the N pole portion 211 on the lower end side of the second opening / closing switching permanent magnet 210B is driven by the second drive permanent magnet. It approaches the magnet 156B. In this state, of the second opening / closing switching permanent magnet 210B, only the magnetic force from the N pole portion 211 acts on the second driving permanent magnet 156B, and the magnetic force from the S pole portion 212 becomes the second driving permanent magnet. Does not act on magnet 156B. Therefore, receiving the magnetic force from the second opening / closing switching permanent magnet 210B, the second driving permanent magnet 156B has the N pole directed inward in the radial direction of the turntable 107 and the S pole as shown in FIG. 25B. The poles are oriented so as to face outward in the radial direction of the turntable 107. In this state, the upper shaft 152 of the movable pin 110 included in the second movable pin group 111 moves to a holding position closer to the rotation axis A1 than the open position. As a result, the movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are urged to the holding position.

第2実施形態に係る処理ユニット202においても、図17および図18に示す処理液処理(たとえば洗浄処理)と同等の処理が実行される。図27は、図17は、処理ユニット2によって実行される処理液処理としての洗浄処理の一例を説明するための流れ図である。
この処理液処理について、図21、図23、図24A,24B、図25A,25Bおよび図26を参照しながら、また、図27A〜27Kについては適宜参照する。
Also in the processing unit 202 according to the second embodiment, processing equivalent to the processing liquid processing (for example, cleaning processing) shown in FIGS. 17 and 18 is executed. FIG. 27 is a flowchart illustrating an example of a cleaning process as a processing liquid process performed by the processing unit 2.
This processing solution processing will be described with reference to FIGS. 21, 23, 24A, 24B, 25A, 25B, and 26, and FIGS. 27A to 27K as appropriate.

処理ユニット202は、シリコン基板等の円形の未洗浄基板について、表面Wa(他方主面。デバイス形成面)と反対側の裏面Wb(一方主面。デバイス非形成面)を洗浄する。
基板Wは、反転ユニットTUによって反転させられた後(T1:基板反転)、センターロボットCRのハンドH2によって、裏面Wbを上方に向けた状態で処理ユニット2内に搬入させられる(ステップT2)。ステップT1,T2の工程は、それぞれ、図17に示すステップS1,S2と同等の工程であるので、説明を省略する。
The processing unit 202 cleans the back surface Wb (one main surface; non-device-formed surface) opposite to the front surface Wa (the other main surface; the device-formed surface) of a circular uncleaned substrate such as a silicon substrate.
After the substrate W is reversed by the reversing unit TU (T1: substrate reversal), it is carried into the processing unit 2 by the hand H2 of the center robot CR with the back surface Wb facing upward (step T2). Steps T1 and T2 are the same as steps S1 and S2 shown in FIG. 17, respectively, and thus description thereof will be omitted.

基板Wの搬入前の状態では、第2の浮上用磁石129が下位置に配置されており、そのため第2の浮上用磁石129が回転台107から下方に大きく離れているので、第2の浮上用磁石129と第1の浮上用磁石160との間に働く反発磁力は小さい。そのため、保護ディスク115は回転台107の上面に近接した下位置に位置している。よって、可動ピン110による基板保持高さと保護ディスク115の上面との間には、センターロボットCRのハンドH2が入り込むことができる十分な空間が確保されている。   Before the loading of the substrate W, the second levitation magnet 129 is located at the lower position, and thus the second levitation magnet 129 is largely separated from the turntable 107 downward. The repulsive force acting between the magnet 129 and the first levitation magnet 160 is small. Therefore, the protection disk 115 is located at a lower position close to the upper surface of the turntable 107. Therefore, between the substrate holding height of the movable pin 110 and the upper surface of the protection disk 115, a sufficient space for the hand H2 of the center robot CR to enter is secured.

また、保護ディスク115が下位置に位置しているので、第1の開閉切換え永久磁石210Aの上端側のN極部211が第1の駆動用永久磁石156Aに接近し、かつ第2の開閉切換え永久磁石210Bの上端側のS極部212が第2の駆動用永久磁石156Bに接近している。この状態では、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110、および第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110のいずれも、すなわち6本の可動ピン110の全てが開放位置に配置されている。   Further, since the protection disk 115 is located at the lower position, the N pole portion 211 on the upper end side of the first opening / closing switching permanent magnet 210A approaches the first driving permanent magnet 156A, and the second opening / closing switching. The south pole 212 on the upper end side of the permanent magnet 210B is close to the second driving permanent magnet 156B. In this state, each of the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 and the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112, that is, the six movable pins 110 All are located in open positions.

センターロボットCRのハンドH2は、可動ピン110の上端よりも高い位置で基板Wを保持した状態で当該基板Wをスピンチャック5の上方まで搬送する。その後、センターロボットCRのハンドH2は、図27Aに示すように、回転台107の上面に向かって下降する。これにより、開放位置にある6本の可動ピン110に基板Wが引き渡される。その後、センターロボットCRのハンドH2は、可動ピン110の間を通ってスピンチャック5の側方へと退避していく。   The hand H2 of the center robot CR transports the substrate W above the spin chuck 5 while holding the substrate W at a position higher than the upper end of the movable pin 110. Thereafter, the hand H2 of the center robot CR descends toward the upper surface of the turntable 107 as shown in FIG. 27A. As a result, the substrate W is delivered to the six movable pins 110 at the open position. Thereafter, the hand H2 of the center robot CR retreats to the side of the spin chuck 5 through the space between the movable pins 110.

制御ユニット3は、第3の昇降ユニット130を制御して、図27Bに示すように、第2の浮上用磁石129を上位置に向けて上昇させる。それらの浮上用磁石129,160の間の距離が縮まり、それに応じて、それらの間に働く反発磁力が大きくなる。この反発磁力によって、保護ディスク115が回転台107の上面から基板Wに向かって浮上する。そして、第1の開放永久磁石125が上位置に達すると、保護ディスク115が基板Wの表面Wa(下面)に微小間隔を開けて接近した接近位置に達し、ガイド軸117の下端に形成されたフランジ120がリニア軸受け118に当接する。これにより、保護ディスク115は、前記接近位置に保持されることになる。   The control unit 3 controls the third lifting unit 130 to raise the second levitation magnet 129 toward the upper position, as shown in FIG. 27B. The distance between the levitating magnets 129 and 160 is reduced, and accordingly, the repulsive force acting between them is increased. The repulsive magnetic force causes the protection disk 115 to float from the upper surface of the turntable 107 toward the substrate W. Then, when the first open permanent magnet 125 reaches the upper position, the protection disk 115 reaches the approach position where the protective disk 115 approaches the surface Wa (lower surface) of the substrate W at a small interval, and is formed at the lower end of the guide shaft 117. The flange 120 contacts the linear bearing 118. Thus, the protection disk 115 is held at the approach position.

保護ディスク115の下位置から接近位置への上昇に伴って、第1の開閉切換え永久磁石210Aの上端側のN極部211が第1の駆動用永久磁石156Aから離反し、代わりに、第1の開閉切換え永久磁石210Aの下端側のS極部212が第1の駆動用永久磁石156Aに接近する。また、保護ディスク115の下位置から接近位置への上昇に伴って、第2の開閉切換え永久磁石210Bの上端側のS極部212が第2の駆動用永久磁石156Bから離反し、代わりに、第2の開閉切換え永久磁石210Bの下端側のN極部211が第2の駆動用永久磁石156Bに接近する。それによって、全ての可動ピン110が開放位置から保持位置へと駆動されて、その保持位置に保持される。これにより、6本の可動ピン110によって基板Wが握持され、基板Wは、その表面Waを下方に向け、かつその裏面Wbを上方に向けた状態でスピンチャック5に保持される。   As the protection disk 115 rises from the lower position to the approach position, the N pole portion 211 on the upper end side of the first opening / closing switching permanent magnet 210A separates from the first driving permanent magnet 156A, and The S pole 212 on the lower end side of the open / close switching permanent magnet 210A approaches the first driving permanent magnet 156A. Further, as the protection disk 115 rises from the lower position to the approaching position, the S pole portion 212 on the upper end side of the second opening / closing switching permanent magnet 210B separates from the second driving permanent magnet 156B. The N pole portion 211 on the lower end side of the second opening / closing switching permanent magnet 210B approaches the second driving permanent magnet 156B. Thereby, all the movable pins 110 are driven from the open position to the holding position, and are held at the holding position. As a result, the substrate W is gripped by the six movable pins 110, and the substrate W is held by the spin chuck 5 with its front surface Wa facing downward and its rear surface Wb facing upward.

次いで、制御ユニット3は不活性ガスバルブ173を開き、図27Bに示すように、不活性ガスの供給を開始する(T4:不活性ガス供給開始)。その後、制御ユニット3は、回転駆動ユニット103を制御して、回転台107の回転を開始し(回転台回転工程)、これによって、図27Cに示すように基板Wを回転軸線A1まわりに回転させる(ステップT5)。ステップT4,T5の工程は、それぞれ、図17に示すステップS4,S5と同等の工程であるので、説明を省略する。   Next, the control unit 3 opens the inert gas valve 173 and starts the supply of the inert gas as shown in FIG. 27B (T4: start of supply of the inert gas). Thereafter, the control unit 3 controls the rotation drive unit 103 to start rotating the turntable 107 (turntable rotation step), thereby rotating the substrate W around the rotation axis A1 as shown in FIG. 27C. (Step T5). Steps T4 and T5 are the same as steps S4 and S5 shown in FIG. 17, respectively, and thus description thereof will be omitted.

基板Wの回転速度が液処理速度に達した後、制御ユニット3は、FOMを、基板Wの裏面Wbに供給するFOM供給工程(処理液供給工程。ステップT6)を行う。ステップT6は、基板Wの裏面WbにFOMを供給しながら、第1の可動ピン群111のみによる基板Wの支持と、第2の可動ピン群112のみによる基板Wの支持とを1回または複数回ずつ行う点で、図17に示すステップT6と共通している。   After the rotation speed of the substrate W reaches the liquid processing speed, the control unit 3 performs a FOM supply step (a processing liquid supply step; step T6) of supplying the FOM to the back surface Wb of the substrate W. In step T6, the supporting of the substrate W by only the first movable pin group 111 and the supporting of the substrate W by only the second movable pin group 112 are performed once or more while supplying the FOM to the back surface Wb of the substrate W. This is common to step T6 shown in FIG.

FOM供給工程(T6)は、図27C〜27Eに示すように、第1の実施形態に係るFOM供給工程(S6)と同等の工程である。FOM供給工程(T6)では、そのうちの一部の期間において、基板Wを6本の可動ピン110ではなく3本の可動ピン110で支持する。さらに、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態と、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態とが切り換えられる。   The FOM supply step (T6) is a step equivalent to the FOM supply step (S6) according to the first embodiment, as shown in FIGS. 27C to 27E. In the FOM supply step (T6), the substrate W is supported not by the six movable pins 110 but by the three movable pins 110 during a part of the period. Further, the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, and the substrate W is controlled by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112. The state of contact support is switched.

具体的には、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持する際には、制御ユニット3は、第1の昇降ユニット126を制御して、図27Dに示すように、それまで下位置にあった第1の開放永久磁石125を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に配置する。第1の開放永久磁石125の上昇に伴って、第1の開放永久磁石125の上面が第1の駆動用永久磁石156Aに接近する。これにより、第1の駆動用永久磁石156Aに吸引磁力が発生し、第1の駆動用永久磁石156Aと第1の開放永久磁石125との間に吸引力が発生する。第1の開放永久磁石125が上位置に配置された状態において、第1の駆動用永久磁石156Aに働く吸引磁力の大きさは、第1の開閉切換え永久磁石210Aの下端側のS極部212からの吸引力を大きく上回っており、これにより、上軸部152が回転軸線A1に近づいた保持位置から、回転軸線A1(図2参照)から離反した開放位置へと移動する。これにより、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。その結果、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる(第1の磁石配置工程)。   Specifically, when the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112, the control unit 3 controls the first elevating unit 126 to As shown in (1), the first open permanent magnet 125 which has been at the lower position is raised toward the upper position, and is disposed at the upper position. As the first permanent magnet 125 rises, the upper surface of the first permanent magnet 125 approaches the first driving permanent magnet 156A. Thereby, an attractive magnetic force is generated in the first drive permanent magnet 156A, and an attractive force is generated between the first drive permanent magnet 156A and the first open permanent magnet 125. In the state where the first open permanent magnet 125 is arranged at the upper position, the magnitude of the attractive magnetic force acting on the first drive permanent magnet 156A is determined by the S pole portion 212 on the lower end side of the first open / close switching permanent magnet 210A. Thus, the upper shaft 152 moves from the holding position close to the rotation axis A1 to the open position separated from the rotation axis A1 (see FIG. 2). Thereby, the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 are arranged from the holding position up to that point to the open position. As a result, the substrate W is brought into contact with and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 (first magnet arrangement step).

また、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持する際には、制御ユニット3は、第2の昇降ユニット128を制御して、図27Eに示すように、それまで下位置にあった第2の開放永久磁石127を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に配置する。第2の開放永久磁石127の上昇に伴って、第2の開放永久磁石127の上面が第2の駆動用永久磁石156Bに接近する。これにより、第2の駆動用永久磁石156Bに吸引磁力が発生し、第2の駆動用永久磁石156Bと第2の開放永久磁石127との間に吸引力が発生する。第2の開放永久磁石127が上位置に配置された状態において、第2の駆動用永久磁石156Bに働く吸引磁力の大きさは、第2の開閉切換え永久磁石210Bの下端側のN極部211からの吸引力を大きく上回っており、これにより、上軸部152が回転軸線A1に近づいた保持位置から、回転軸線A1(図2参照)から離反した開放位置へと移動する。これにより、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。その結果、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる(第2の磁石配置工程)
FOMの吐出開始から所定の期間が経過すると、FOM供給工程(T6)が終了する。具体的には、制御ユニット3は、薬液バルブ15を閉じて、薬液ノズル6からのFOMの吐出を停止させる。また、制御ユニット3は、薬液ノズル6を中央位置からホーム位置に移動させる。これにより、薬液ノズル6が基板Wの上方から退避させられる。
Further, when the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, the control unit 3 controls the second elevating unit 128, as shown in FIG. 27E. Then, the second open permanent magnet 127 which has been at the lower position is raised toward the upper position, and is disposed at the upper position. As the second open permanent magnet 127 rises, the upper surface of the second open permanent magnet 127 approaches the second drive permanent magnet 156B. Thereby, an attractive magnetic force is generated in the second drive permanent magnet 156B, and an attractive force is generated between the second drive permanent magnet 156B and the second open permanent magnet 127. In a state where the second open permanent magnet 127 is arranged at the upper position, the magnitude of the attractive magnetic force acting on the second drive permanent magnet 156B is determined by the N pole portion 211 on the lower end side of the second open / close switching permanent magnet 210B. Thus, the upper shaft 152 moves from the holding position close to the rotation axis A1 to the open position separated from the rotation axis A1 (see FIG. 2). As a result, the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are arranged at the open position from the previous holding position. As a result, the substrate W is brought into contact with and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 (second magnet arrangement step).
When a predetermined period has elapsed from the start of FOM discharge, the FOM supply step (T6) ends. Specifically, the control unit 3 closes the chemical solution valve 15 and stops the discharge of the FOM from the chemical solution nozzle 6. Further, the control unit 3 moves the chemical liquid nozzle 6 from the center position to the home position. Thereby, the chemical liquid nozzle 6 is retracted from above the substrate W.

FOM供給工程(T6)の終了に引き続いて、リンス液である水が基板Wの裏面Wbに供給開始される(T7;リンス工程。処理液供給工程)。
リンス工程(T7)、ブラシ洗浄工程(T8)および最終リンス工程(T9)は、図27F〜27Iに示すように、それぞれ、第1の実施形態に係る、リンス工程(S7)、ブラシ洗浄工程(S8)および最終リンス工程(S9)と同等の工程である。リンス工程(T7)では、そのうちの一部の期間において、基板Wを6本の可動ピン110ではなく3本の可動ピン110で支持する。さらに、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態と、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態とが切り換えられる。
Subsequent to the end of the FOM supply step (T6), supply of water as a rinsing liquid to the back surface Wb of the substrate W is started (T7; rinsing step; processing liquid supply step).
As shown in FIGS. 27F to 27I, the rinsing step (T7), the brush cleaning step (T8), and the final rinsing step (T9) respectively include the rinsing step (S7) and the brush cleaning step ( S8) and a final rinsing step (S9). In the rinsing step (T7), the substrate W is supported not by the six movable pins 110 but by the three movable pins 110 during a part of the period. Further, the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, and the substrate W is controlled by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112. The state of contact support is switched.

具体的には、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持する際には、制御ユニット3は、第1の昇降ユニット126を制御して、図27Dに示すように、それまで下位置にあった第1の開放永久磁石125を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に配置する。第1の開放永久磁石125の上昇に伴って、第1の開放永久磁石125の上面が第1の駆動用永久磁石156Aに接近する。これにより、第1の駆動用永久磁石156Aに吸引磁力が発生し、第1の駆動用永久磁石156Aと第1の開放永久磁石125との間に吸引力が発生する。第1の開放永久磁石125が上位置に配置された状態において、第1の駆動用永久磁石156Aに働く吸引磁力の大きさは、第1の開閉切換え永久磁石210Aの下端側のS極部212からの吸引力を大きく上回っており、これにより、上軸部152が回転軸線A1に近づいた保持位置から、回転軸線A1(図2参照)から離反した開放位置へと移動する。これにより、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。その結果、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる(第1の磁石配置工程)。   Specifically, when the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112, the control unit 3 controls the first elevating unit 126 to As shown in (1), the first open permanent magnet 125 which has been at the lower position is raised toward the upper position, and is disposed at the upper position. As the first permanent magnet 125 rises, the upper surface of the first permanent magnet 125 approaches the first driving permanent magnet 156A. Thereby, an attractive magnetic force is generated in the first drive permanent magnet 156A, and an attractive force is generated between the first drive permanent magnet 156A and the first open permanent magnet 125. In the state where the first open permanent magnet 125 is arranged at the upper position, the magnitude of the attracting magnetic force acting on the first drive permanent magnet 156A is determined by the S pole portion 212 on the lower end side of the first open / close switching permanent magnet 210A. Thus, the upper shaft 152 moves from the holding position close to the rotation axis A1 to the open position separated from the rotation axis A1 (see FIG. 2). Thereby, the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 are arranged from the holding position up to that point to the open position. As a result, the substrate W is brought into contact with and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 (first magnet arrangement step).

また、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持する際には、制御ユニット3は、第2の昇降ユニット128を制御して、図27Eに示すように、それまで下位置にあった第2の開放永久磁石127を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に配置する。第2の開放永久磁石127の上昇に伴って、第2の開放永久磁石127の上面が第2の駆動用永久磁石156Bに接近する。これにより、第2の駆動用永久磁石156Bに吸引磁力が発生し、第2の駆動用永久磁石156Bと第2の開放永久磁石127との間に吸引力が発生する。第2の開放永久磁石127が上位置に配置された状態において、第2の駆動用永久磁石156Bに働く吸引磁力の大きさは、第2の開閉切換え永久磁石210Bの下端側のN極部211からの吸引力を大きく上回っており、これにより、上軸部152が回転軸線A1に近づいた保持位置から、回転軸線A1(図2参照)から離反した開放位置へと移動する。これにより、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。その結果、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる(第2の磁石配置工程)
リンス工程(T7)は、第1の実施形態に係るリンス工程(S7)と同等の工程であり、リンス工程(S7)の場合と同様に、当該工程の実行中に、基板Wを3本の可動ピン110で支持する。さらに、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態と、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持している状態とを切り換える。
Further, when the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, the control unit 3 controls the second elevating unit 128, as shown in FIG. 27E. Then, the second open permanent magnet 127 which has been at the lower position is raised toward the upper position, and is disposed at the upper position. As the second open permanent magnet 127 rises, the upper surface of the second open permanent magnet 127 approaches the second drive permanent magnet 156B. Thereby, an attractive magnetic force is generated in the second drive permanent magnet 156B, and an attractive force is generated between the second drive permanent magnet 156B and the second open permanent magnet 127. In a state where the second open permanent magnet 127 is arranged at the upper position, the magnitude of the attractive magnetic force acting on the second drive permanent magnet 156B is determined by the N pole portion 211 on the lower end side of the second open / close switching permanent magnet 210B. Thus, the upper shaft 152 moves from the holding position close to the rotation axis A1 to the open position separated from the rotation axis A1 (see FIG. 2). As a result, the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 are arranged at the open position from the previous holding position. As a result, the substrate W is brought into contact with and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 (second magnet arrangement step).
The rinsing step (T7) is a step equivalent to the rinsing step (S7) according to the first embodiment. Like the rinsing step (S7), during the execution of the step, three substrates W are removed. It is supported by a movable pin 110. Further, the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, and the substrate W is controlled by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112. Switch to the state of contact support.

具体的には、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持する際には、制御ユニット3は、第1の昇降ユニット126を制御して、図27Gに示すように、それまで下位置にあった第1の開放永久磁石125を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第1の開放永久磁石125を上位置に配置しかつ第2の開放永久磁石127を下位置に配置した状態(図13A,13B参照)となり、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。これにより、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる(第1の磁石配置工程)。   Specifically, when the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112, the control unit 3 controls the first elevating unit 126 to As shown in (1), the first open permanent magnet 125, which has been at the lower position, is raised toward the upper position and held at the upper position. Thereby, the first open permanent magnet 125 is arranged at the upper position and the second open permanent magnet 127 is arranged at the lower position (see FIGS. 13A and 13B), and is included in the first movable pin group 111. The three movable pins 110 are arranged at the open position from the previous holding position. Thus, the substrate W is brought into contact with and supported by the three movable pins 110 included in the second movable pin group 112 (first magnet arrangement step).

また、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wを接触支持する際には、制御ユニット3は、第2の昇降ユニット128を制御して、図27Hに示すように、それまで下位置にあった第2の開放永久磁石127を上位置に向けて上昇させ、当該上位置に保持する。これにより、第2の開放永久磁石127を上位置に配置しかつ第1の開放永久磁石125を下位置に配置した状態(図15A,15B参照)となり、第2の可動ピン群112に含まれる3本の可動ピン110がそれまでの保持位置から開放位置に配置される。これにより、第1の可動ピン群111に含まれる3本の可動ピン110によって基板Wが接触支持されている状態になる(第2の磁石配置工程)
リンス液の吐出開始から所定の期間が経過すると、次に、基板Wを乾燥させるスピンドライ工程(ステップT10)が行われる。具体的には、制御ユニット3は、回転駆動ユニット17を制御することにより、図27Jに示すように、FOM供給工程(T6)から最終リンス工程(T9)までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度(たとえば数千rpm)まで基板Wを加速させ、乾燥回転速度で基板Wを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板W上の液体に加わり、基板Wに付着している液体が基板Wの周囲に振り切られる。このようにして、基板Wから液体が除去され、基板Wが乾燥する。このとき、基板Wは6本の可動ピン110で把持されているので、基板Wを強固に保持しながら高速回転させることができる。この実施形態では、保護ディスク115が接近位置に配置された状態のまま、スピンドライ工程(T10)が実行される。
Further, when the substrate W is contacted and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111, the control unit 3 controls the second elevating unit 128, as shown in FIG. 27H. Then, the second open permanent magnet 127, which has been at the lower position, is raised toward the upper position and held at the upper position. Thus, the state where the second open permanent magnet 127 is arranged at the upper position and the first open permanent magnet 125 is arranged at the lower position (see FIGS. 15A and 15B) is included in the second movable pin group 112. The three movable pins 110 are arranged at the open position from the previous holding position. Thus, the substrate W is brought into contact with and supported by the three movable pins 110 included in the first movable pin group 111 (second magnet arrangement step).
After a predetermined period has elapsed from the start of the rinsing liquid ejection, a spin drying step (Step T10) for drying the substrate W is performed. Specifically, the control unit 3 controls the rotation drive unit 17 so that the drying rotation speed is higher than the rotation speed from the FOM supply step (T6) to the final rinsing step (T9) as shown in FIG. 27J. (For example, several thousand rpm), and the substrate W is rotated at a drying rotation speed. Accordingly, a large centrifugal force is applied to the liquid on the substrate W, and the liquid adhering to the substrate W is shaken off around the substrate W. Thus, the liquid is removed from the substrate W, and the substrate W is dried. At this time, since the substrate W is held by the six movable pins 110, the substrate W can be rotated at high speed while firmly holding it. In this embodiment, the spin-drying step (T10) is performed while the protection disk 115 is located at the approach position.

そして、基板Wの高速回転が開始されてから所定の期間が経過すると、制御ユニット3は、回転駆動ユニット17を制御することにより、スピンチャック5による基板Wの回転を停止させる(ステップT11)。
そして、制御ユニット3は、第3の昇降ユニット130を制御することにより、第2の浮上用磁石129を下方位置へと下降させる(ステップT12)。これにより、第2の浮上用磁石129と第1の浮上用磁石160との間の距離が広がり、それらの間の磁気反発力が減少していく。それに伴い、保護ディスク115は、回転台107の上面に向かって降下していく。これにより、保護ディスク115の上面と基板Wの表面Wa(下面)との間には、センターロボットCRのハンドH2を進入させることができるだけの空間が確保される。
Then, when a predetermined period has elapsed since the start of the high-speed rotation of the substrate W, the control unit 3 controls the rotation drive unit 17 to stop the rotation of the substrate W by the spin chuck 5 (step T11).
Then, the control unit 3 controls the third lifting unit 130 to lower the second levitation magnet 129 to the lower position (step T12). As a result, the distance between the second levitation magnet 129 and the first levitation magnet 160 increases, and the magnetic repulsion between them decreases. Accordingly, the protection disk 115 descends toward the upper surface of the turntable 107. Accordingly, a space is secured between the upper surface of the protection disk 115 and the surface Wa (lower surface) of the substrate W so that the hand H2 of the center robot CR can enter.

また、保護ディスク115の接近位置から下位置への下降に伴って、第1の開閉切換え永久磁石210Aの下端側のS極部212が第1の駆動用永久磁石156Aから離反し、代わりに、第1の開閉切換え永久磁石210Aの上端側のN極部211が第1の駆動用永久磁石156Aに接近する。また、保護ディスク115の接近位置から下位置への上昇に伴って、第2の開閉切換え永久磁石210Bの上端側のN極部211が第2の駆動用永久磁石156Bから離反し、代わりに、第2の開閉切換え永久磁石210Bの上端側のS極部212が第2の駆動用永久磁石156Bに接近する。それによって、全ての可動ピン110が保持位置から開放位置へと駆動されて、その開放位置に保持される。これにより、基板Wの握持が解除される。   Further, as the protection disk 115 descends from the approach position to the lower position, the S pole portion 212 on the lower end side of the first open / close switching permanent magnet 210A separates from the first drive permanent magnet 156A, and instead, The N pole portion 211 on the upper end side of the first opening / closing switching permanent magnet 210A approaches the first driving permanent magnet 156A. Further, as the protection disk 115 rises from the approaching position to the lower position, the N pole portion 211 on the upper end side of the second opening / closing switching permanent magnet 210B separates from the second driving permanent magnet 156B. The S pole portion 212 on the upper end side of the second opening / closing switching permanent magnet 210B approaches the second driving permanent magnet 156B. Thereby, all the movable pins 110 are driven from the holding position to the opening position, and are held at the opening position. Thereby, the grip of the substrate W is released.

次に、処理チャンバー4内から基板Wが搬出され(図27K参照。ステップT13)、搬出された基板Wは、反転ユニットTUによって反転させられる(ステップT14)。ステップT13,T14の工程は、それぞれ、図17に示すステップS13,S14と同等の工程であるので、説明を省略する。その後、洗浄処理済みの基板Wは、その表面Waを上に向けた状態でキャリアCに収容され、基板処理装置1から、露光装置等の後処理装置に向けて搬送される。   Next, the substrate W is unloaded from the processing chamber 4 (see FIG. 27K, step T13), and the unloaded substrate W is inverted by the reversing unit TU (step T14). Steps T13 and T14 are the same as steps S13 and S14 shown in FIG. 17, respectively, and thus description thereof will be omitted. Thereafter, the substrate W having been subjected to the cleaning process is accommodated in the carrier C with its surface Wa facing upward, and is conveyed from the substrate processing apparatus 1 to a post-processing apparatus such as an exposure apparatus.

以上により、第2の実施形態によれば、第1の実施形態に関連して説明した作用効果に加えて次のような作用効果を奏する。
すなわち、第1および第2の開閉切換え永久磁石210A,210Bが、保護ディスク115に同伴昇降可能に設けられている。そのため、第3の昇降ユニット130による保護ディスク115の昇降動作に伴って、開閉切換え永久磁石210A,210Bを昇降させている。これにより、第1および第2の開閉切換え永久磁石210A,210Bの駆動用の昇降ユニットを別途設ける必要がなく、これにより、装置構成の簡素化やコストダウンを図ることができる。
As described above, according to the second embodiment, the following operation and effect can be obtained in addition to the operation and effect described in relation to the first embodiment.
That is, the first and second open / close switching permanent magnets 210 </ b> A and 210 </ b> B are provided on the protection disk 115 so as to be able to move up and down. Therefore, the opening and closing switching permanent magnets 210A and 210B are moved up and down with the operation of moving the protection disk 115 up and down by the third elevating unit 130. Thus, there is no need to separately provide an elevating unit for driving the first and second opening / closing switching permanent magnets 210A and 210B, thereby simplifying the device configuration and reducing costs.

また、可動ピン110は、回転処理時(ステップT5〜ステップT11)にのみ保持位置にあればよく、常時保持位置にある必要はない。また、回転処理時(ステップT5〜ステップT11)には、保護ディスク115が接近位置にある。すなわち、保護ディスク115が接近位置にあるときのみ可動ピン110が保持位置にある必要があり、保護ディスク115が下位置にあるときには、可動ピン110が開放位置にあってもよい。そのため、この実施形態では、保護ディスク115が接近位置にあるときには、開閉切換え永久磁石210A,210Bの働きにより全ての可動ピン110を保持位置に保持し、保護ディスク115が下位置にあるときには、開閉切換え永久磁石210A,210Bの働きにより全ての可動ピン110を開放位置に保持している。これにより、保護ディスク115の機能を損なうことなく、可動ピン110を良好に開閉させることができる。   The movable pin 110 only needs to be in the holding position only during the rotation process (steps T5 to T11), and does not need to be always in the holding position. During the rotation process (steps T5 to T11), the protection disk 115 is at the approach position. That is, the movable pin 110 needs to be at the holding position only when the protection disk 115 is at the approach position, and the movable pin 110 may be at the open position when the protection disk 115 is at the lower position. Therefore, in this embodiment, when the protection disk 115 is at the approach position, all the movable pins 110 are held at the holding position by the action of the open / close switching permanent magnets 210A and 210B, and when the protection disk 115 is at the lower position, All movable pins 110 are held in the open position by the function of the switching permanent magnets 210A and 210B. Thereby, the movable pin 110 can be opened and closed favorably without impairing the function of the protection disk 115.

また、1つの開閉切換え永久磁石210A,210B(第1の開閉切換え永久磁石210Aまたは第2の開閉切換え永久磁石210B)の上下動によって、対応する可動ピン110の開動作だけでなく、当該可動ピン110の閉動作をも行っている。これにより、ピン開放用の磁石とピン閉塞用の磁石とを個別に設ける場合と比較して、ピン開閉のための磁石の個数の低減を図ることができる。   Further, the vertical movement of one of the open / close switching permanent magnets 210A and 210B (the first opening / closing switching permanent magnet 210A or the second opening / closing switching permanent magnet 210B) causes not only the opening operation of the corresponding movable pin 110 but also the movable pin. The closing operation of 110 is also performed. Thereby, the number of magnets for opening and closing the pins can be reduced as compared with the case where the pin opening magnets and the pin closing magnets are separately provided.

また、第2の実施形態の処理液処理例において、FOM供給工程(T6)およびリンス工程(T7)において、基板Wに薬液(FOM)を供給しながら、第1の可動ピン群111のみによる基板Wの支持と、第2の可動ピン群112のみによる基板Wの支持とを1回または複数回ずつ行っている。しかしながら、第2の実施形態において、このような基板の持ち換えを行なわなくてもよい。   Further, in the processing liquid processing example of the second embodiment, in the FOM supply step (T6) and the rinsing step (T7), the substrate W is supplied only by the first movable pin group 111 while supplying the chemical liquid (FOM) to the substrate W. The support of W and the support of the substrate W by only the second movable pin group 112 are performed once or plural times. However, in the second embodiment, such a change of the substrate need not be performed.

前述のようにこの第2の実施形態では、第3の昇降ユニット130により保護ディスク115を昇降させることにより、可動ピン110の開閉を切り換えることができる。そのため、基板処理において、2つの可動ピン群111,112による基板Wの持ち換えを行わない場合には、開放永久磁石125,127および閉塞永久磁石121,122の構成を廃止してもよい。この場合、当然に、第1および第2の昇降ユニット126,128の構成も廃止される。   As described above, in the second embodiment, the opening and closing of the movable pin 110 can be switched by raising and lowering the protection disk 115 by the third lifting unit 130. Therefore, when the substrate W is not switched by the two movable pin groups 111 and 112 in the substrate processing, the configurations of the open permanent magnets 125 and 127 and the closed permanent magnets 121 and 122 may be omitted. In this case, the configurations of the first and second elevating units 126 and 128 are naturally abolished.

すなわち、1つの昇降ユニット(第3の昇降ユニット130)だけで、保護ディスク115の昇降動作と可動ピン110の開閉動作との双方を行うことができ、これにより、部品点数を省略して、基板処理装置1のコストダウンを図ることができる。
また、この第2実施形態では、第1の駆動用永久磁石156Aの磁極方向と、第2の駆動用永久磁石156Bの磁極方向とは、回転軸線に直交する方向に関し互いに異なっていため、上下方向に関し磁極方向が互いに反対にされた第1および第2の開閉切換え永久磁石210A,210Bを設けた。しかしながら、第2の実施形態において、第1の駆動用永久磁石156Aの磁極方向と、第2の駆動用永久磁石156Bの磁極方向とを、回転軸線に直交する方向に関し揃えてもよく、この場合には、第1および第2の開閉切換え永久磁石210A,210Bも上下方向に関し揃えることができる。
That is, both the lifting operation of the protection disk 115 and the opening / closing operation of the movable pin 110 can be performed by only one lifting unit (third lifting unit 130). The cost of the processing apparatus 1 can be reduced.
Further, in the second embodiment, the magnetic pole direction of the first driving permanent magnet 156A and the magnetic pole direction of the second driving permanent magnet 156B are different from each other in a direction orthogonal to the rotation axis. The first and second open / close switching permanent magnets 210A and 210B whose magnetic pole directions are opposite to each other are provided. However, in the second embodiment, the magnetic pole direction of the first driving permanent magnet 156A and the magnetic pole direction of the second driving permanent magnet 156B may be aligned in a direction orthogonal to the rotation axis. In addition, the first and second open / close switching permanent magnets 210A and 210B can also be aligned in the vertical direction.

また、第2の実施形態において、保護ディスク115に一体昇降可能に設けられている磁石が、可動ピン110の開放および閉塞を切り換えるための開閉切換え永久磁石210A,210Bでなくてもよく、可動ピン110の開放動作および閉塞動作のいずれか一方を行うものであればよい。
以上、この発明の2つの実施形態について説明したが、本願発明はさらに他の形態で実施することもできる。
Further, in the second embodiment, the magnet provided so as to be able to move up and down integrally with the protection disk 115 does not have to be the open / close switching permanent magnets 210A and 210B for switching between opening and closing of the movable pin 110. What is necessary is just to perform any one of the opening operation and the closing operation of 110.
The two embodiments of the present invention have been described above, but the present invention can be embodied in other forms.

たとえば、第1および第2の実施形態において、第1の開放永久磁石125および第2の開放永久磁石127をそれぞれ回転軸線A1と同軸の平面視で二重円環状に設けることもできる。この場合、第1および2の昇降永久磁石の一方が、第1および2の昇降永久磁石の他方の外周を取り囲むように配置される。また、この場合、各第1および2の昇降永久磁石は、周方向に間欠状に設けられていてもよい。   For example, in the first and second embodiments, the first open permanent magnet 125 and the second open permanent magnet 127 may be respectively provided in a double annular shape in a plan view coaxial with the rotation axis A1. In this case, one of the first and second elevating permanent magnets is disposed so as to surround the other outer circumference of the first and second elevating permanent magnets. In this case, each of the first and second elevating permanent magnets may be provided intermittently in the circumferential direction.

また、第1および第2の実施形態において、第1および第2の開放永久磁石125,127の磁極方向が上下方向に沿っているとして説明したが、第1の開放永久磁石125の磁極方向が、可動ピン110の回転軸線A3に対して直交する方向であってもよい。
また、第1および第2の実施形態において、第1の開放永久磁石125と第1の駆動用永久磁石156Aとの間に生じる吸引磁力、および第2の開放永久磁石127と駆動用永久磁石156Bとの間に生じる吸引磁力により駆動用永久磁石156A,156Bを駆動させるものとして説明したが、第1の開放永久磁石125と第1の駆動用永久磁石156Aとの間に生じる反発磁力および/または第2の開放永久磁石127と駆動用永久磁石156Bとの間に生じる反発磁力により駆動用永久磁石156A,156Bを駆動させるようにしてもよい。
In the first and second embodiments, the description has been made assuming that the magnetic pole directions of the first and second open permanent magnets 125 and 127 are along the vertical direction. Alternatively, the direction may be orthogonal to the rotation axis A3 of the movable pin 110.
In the first and second embodiments, the attraction magnetic force generated between the first open permanent magnet 125 and the first drive permanent magnet 156A, and the second open permanent magnet 127 and the drive permanent magnet 156B Although the driving permanent magnets 156A and 156B are driven by the attractive magnetic force generated between the first permanent magnet 125 and the first driving permanent magnet 156A, the repulsive magnetic force generated between the first open permanent magnet 125 and the first driving permanent magnet 156A has been described. The driving permanent magnets 156A and 156B may be driven by a repulsive magnetic force generated between the second open permanent magnet 127 and the driving permanent magnet 156B.

また、第1および第2の実施形態において、駆動用永久磁石156A,156Bを保持位置に付勢する付勢ユニットとして第1および第2の閉塞永久磁石121,122を設けたが、第1および第2の閉塞永久磁石121,122に代えて、駆動用永久磁石156A,156Bを保持位置に付勢するばね等の弾性押圧ユニットを設けるようにしてもよい。
また、第1および第2の実施形態において、可動ピン110の個数を6個としたが、6個以上とすることもできる。この場合、可動ピン110の個数が偶数個であれば、第1の可動ピン群111に含まれる可動ピン110の個数と、第2の可動ピン群112に含まれる可動ピン110の個数と互いに同数とすることができ、レイアウトの観点から望ましい。たとえば、可動ピン110の個数を8個とする場合、各可動ピン群111,112に含まれる可動ピンの個数が4つになるが、この場合、第1の開放永久磁石125の個数も、可動ピン110の個数と同数の4つである。
In the first and second embodiments, the first and second closing permanent magnets 121 and 122 are provided as urging units for urging the driving permanent magnets 156A and 156B to the holding position. Instead of the second closing permanent magnets 121 and 122, an elastic pressing unit such as a spring for urging the driving permanent magnets 156A and 156B to the holding position may be provided.
Further, in the first and second embodiments, the number of the movable pins 110 is six, but may be six or more. In this case, if the number of the movable pins 110 is an even number, the number of the movable pins 110 included in the first movable pin group 111 is equal to the number of the movable pins 110 included in the second movable pin group 112. Which is desirable from a layout point of view. For example, when the number of the movable pins 110 is eight, the number of the movable pins included in each of the movable pin groups 111 and 112 becomes four. In this case, the number of the first open permanent magnets 125 also becomes movable. There are four of the same number as the number of pins 110.

また、第1および第2の実施形態において、開放永久磁石125,127を、回転台107に対して昇降可能に設けられた昇降磁石とし、閉塞永久磁石121,122を、回転台107に対して昇降不能に設けられた付勢磁石として説明したが、この逆の構成を採用してもよい。回転台107に対して昇降可能に設けられた昇降磁石を開放用の磁石とし、回転台107に対して昇降不能に設けられた付勢磁石を閉塞用の磁石としてもよい。   In the first and second embodiments, the open permanent magnets 125 and 127 are lifting magnets provided to be able to move up and down with respect to the turntable 107, and the closed permanent magnets 121 and 122 are moved with respect to the turntable 107. Although the description has been given as the urging magnet provided so as not to be able to ascend or descend, the reverse configuration may be adopted. An elevating magnet provided to be able to move up and down with respect to the turntable 107 may be used as an opening magnet, and an urging magnet provided so as not to move up and down with respect to the turntable 107 may be used as a closing magnet.

たとえば、処理対象面が、基板Wの裏面(デバイス非形成面)Wbであるとして説明したが、基板Wの表面(デバイス形成面)Waを処理対象面としてもよい。この場合、反転ユニットTUを廃止することもできる。
また、第1および第2の実施形態において、一連の処理液処理が、異物の除去に限られず、金属の除去、膜中に埋設された不純物の除去を目的とするものであってもよい。また、一連の処理液処理が、洗浄処理ではなくエッチング処理であってもよい。
For example, although the processing target surface is described as the back surface (device non-forming surface) Wb of the substrate W, the surface (device forming surface) Wa of the substrate W may be the processing target surface. In this case, the reversing unit TU can be eliminated.
Further, in the first and second embodiments, the series of processing liquid processing is not limited to the removal of foreign substances, but may be for the purpose of removing metal and removing impurities embedded in a film. Further, a series of processing liquid processing may be etching processing instead of cleaning processing.

また、第1および第2の実施形態において、基板Wに供給される薬液としてFOMを用いたが、薬液は、たとえば、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸(たとえばクエン酸、蓚酸など)、有機アルカリ(たとえば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど)、有機溶剤(たとえば、IPA:イソプロピルアルコールなど)、および界面活性剤、腐食防止剤の少なくとも1つを含む液である。   Further, in the first and second embodiments, FOM is used as the chemical solution supplied to the substrate W, but the chemical solution may be, for example, sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, aqueous ammonia, aqueous hydrogen peroxide, At least one of an organic acid (eg, citric acid, oxalic acid, etc.), an organic alkali (eg, TMAH: tetramethylammonium hydroxide, etc.), an organic solvent (eg, IPA: isopropyl alcohol, etc.), a surfactant, and a corrosion inhibitor It is a liquid containing.

基板Wに供給される薬液として、より好ましくは、DHF(希釈フッ酸)、BHF(バファードフッ酸)、SC1(NHOHおよびHを含む液)、FPM(HFおよびHを含む液)等を用いることができる。すなわち、FOM供給工程(S6,T6)に代えて、これらの薬液うちの1つを含む薬液を基板Wの処理対象面に供給する薬液供給工程を実行することができ、この薬液供給工程において使用される薬液として、DHF、BHF、SC1、FPM等を用いることができる。これらの液が薬液として用いられる場合、基板Wの処理対象面はベアシリコンである必要はなく、基板Wの処理対象面が、酸化膜(たとえばシリコン酸化膜)および/または窒化膜(たとえばシリコン窒化膜)を含んでいてもよい。 More preferably, the chemical supplied to the substrate W is DHF (dilute hydrofluoric acid), BHF (buffered hydrofluoric acid), SC1 (a solution containing NH 4 OH and H 2 O 2 ), and FPM (HF and H 2 O 2) . Containing liquid) can be used. In other words, instead of the FOM supply step (S6, T6), a chemical supply step of supplying a chemical containing one of these chemicals to the surface to be processed of the substrate W can be executed. DHF, BHF, SC1, FPM, or the like can be used as the chemical solution to be used. When these liquids are used as chemicals, the surface of the substrate W to be processed does not need to be bare silicon, and the surface of the substrate W to be processed is an oxide film (eg, a silicon oxide film) and / or a nitride film (eg, a silicon nitride film). Film).

また、第1および第2の実施形態において、前述の各処理液処理からブラシ洗浄工程(S8,T8)を廃止することもできる。この場合最終リンス工程(S9)を行う必要性がないから、最終リンス工程(S9)を併せて廃止することもできる。
また、処理対象面が、基板Wの上面であるとして説明したが、基板Wの下面を処理対象面としてもよい。この場合、基板Wの下面に処理液を供給するのであるが、基板Wの周縁部における基板支持位置において基板Wの下面から基板Wの上面への回り込みを許容することにより、基板Wの周縁部を、処理液を用いて処理残りなく良好に処理することができる。
Further, in the first and second embodiments, the brush cleaning step (S8, T8) can be eliminated from the above-described processing liquid processing. In this case, since there is no need to perform the final rinsing step (S9), the final rinsing step (S9) can be omitted together.
Further, although the processing target surface is described as the upper surface of the substrate W, the lower surface of the substrate W may be the processing target surface. In this case, the processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate W. By allowing the wraparound from the lower surface of the substrate W to the upper surface of the substrate W at the substrate supporting position at the peripheral portion of the substrate W, the processing liquid is supplied. Can be satisfactorily treated using a treatment liquid without remaining treatment.

また、基板処理装置1が円板状の半導体基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1は、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
Also, the case where the substrate processing apparatus 1 is an apparatus for processing a disk-shaped semiconductor substrate has been described, but the substrate processing apparatus 1 is an apparatus for processing a polygonal substrate such as a glass substrate for a liquid crystal display device. Is also good.
In addition, various design changes can be made within the scope of the matters described in the claims.

1 :基板処理装置
5 :スピンチャック
107 :回転台
110 :可動ピン
111 :第1の可動ピン群
112 :第2の可動ピン群
115 :保護ディスク
121 :第1の閉塞永久磁石
122 :第2の閉塞永久磁石
125 :第1の開放永久磁石
126 :第1の昇降ユニット
127 :第2の開放永久磁石
128 :第2の昇降ユニット
130 :第3の昇降ユニット
156A :第1の駆動用永久磁石
156B :第2の駆動用永久磁石
205 :スピンチャック
210A :第1の開閉切換え永久磁石
210B :第2の開閉切換え永久磁石
1: substrate processing apparatus 5: spin chuck 107: turntable 110: movable pin 111: first movable pin group 112: second movable pin group 115: protective disk 121: first closed permanent magnet 122: second Closed permanent magnet 125: first open permanent magnet 126: first elevating unit 127: second open permanent magnet 128: second elevating unit 130: third elevating unit 156A: first driving permanent magnet 156B : Second drive permanent magnet 205: spin chuck 210A: first open / close switching permanent magnet 210B: second open / close switching permanent magnet

Claims (13)

回転台と、
前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、
基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンとを含み、
前記複数本の可動ピンは、少なくとも3本の可動ピンを含む第1の可動ピン群と、前記第1の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも3本の可動ピンを含む第2の可動ピン群とを含み、
各可動ピンの前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の一方に付勢する付勢ユニットと、
各第1の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有する第1の駆動用磁石と、
各第2の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し、前記第1の駆動用磁石とは逆の磁極方向を有する第2の駆動用磁石と、
非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第1の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第1の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の他方に付勢する第1の移動磁石と、
非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第2の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第2の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記他方に付勢する第2の移動磁石と、
前記第1の移動磁石および前記回転台を、前記第1の移動磁石が前記第1の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第1の位置と、前記第1の移動磁石が前記第1の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第2の位置との間で相対移動させる第1の相対移動ユニットと、
前記第1の移動磁石および前記回転台の相対移動と独立して、前記第2の移動磁石および前記回転台を、前記第2の移動磁石が前記第2の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第3の位置と、前記第2の移動磁石が前記第2の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第4の位置との間で相対移動させる第2の相対移動ユニットとをさらに含む、基板保持回転装置。
Turntable,
A rotation drive unit that rotates the turntable around a rotation axis along the vertical direction,
A plurality of movable pins for horizontally supporting the substrate, comprising a supporting portion movably provided between an open position far away from the rotation axis and a holding position close to the rotation axis. A movable pin provided to rotate about the rotation axis together with the turntable,
Said plurality of movable pins, a first movable pin group comprising at least three movable pins, provided separately from the first movable pin group, the second movable pin comprising at least three movable pins Group and
An urging unit for urging the support portion of each movable pin to one of the open position and the holding position;
A first driving magnet attached to each first movable pin group and having the same magnetic pole direction with respect to a direction orthogonal to an axis along the rotation axis;
A second driving magnet attached to each second movable pin group and having a magnetic pole direction opposite to the first driving magnet with respect to a direction orthogonal to an axis along the rotation axis;
A magnetic pole direction that is provided in a non-rotating state and that applies a repulsive force or an attractive force between the first driving magnet and a direction perpendicular to an axis along the rotation axis, and the repulsive force or the attractive force A first movable magnet for urging the support of the first movable pin group to the other of the open position and the holding position by a force;
A magnetic pole direction that is provided in a non-rotating state and that provides a repulsive force or an attractive force between the second driving magnet and a direction perpendicular to an axis along the rotation axis; A second moving magnet for urging the support portion of the second movable pin group toward the other of the open position and the holding position by a force;
A first position in which the first moving magnet applies the repulsive force or the attractive force between the first moving magnet and the first driving magnet; A first relative movement unit that causes a magnet to relatively move between the first driving magnet and a second position that does not provide the repulsive force and the attractive force between the first driving magnet and the first driving magnet;
Independently of the relative movement of the first moving magnet and the rotary table, the second moving magnet and the rotary table move the repulsion between the second moving magnet and the second driving magnet. Between a third position at which the force or the attraction force is applied and a fourth position at which the second moving magnet does not apply the repulsive force and the attraction force to the second driving magnet. And a second relative moving unit for moving the substrate.
前記第1および第2の移動磁石は、それぞれ、当該第1および第2の移動磁石が前記第1または第3の位置にありかつ前記回転台の回転状態において、前記回転台の回転に伴って回転する各可動ピンが通過可能な前記回転軸線と同軸の円環状の磁界発生領域を形成する、請求項1記載の基板保持回転装置。   The first and second moving magnets are respectively associated with the rotation of the turntable when the first and second move magnets are at the first or third position and the turntable is rotating. 2. The substrate holding and rotating device according to claim 1, wherein an annular magnetic field generating region coaxial with the rotation axis is formed, through which each of the rotating movable pins can pass. 前記第1および第2の移動磁石は、それぞれ、互いに同数の複数個設けられており、
前記複数の第1の移動磁石および前記複数の第2の移動磁石は、平面視で、前記回転台の周方向に関し交互に、かつ全体として前記回転軸線と同軸の円環状をなすように配置されている、請求項2に記載の基板保持回転装置。
Each of the first and second moving magnets is provided in a plurality of the same number as each other,
The plurality of first moving magnets and the plurality of second moving magnets are arranged alternately with respect to a circumferential direction of the turntable in plan view, and are arranged so as to form an annular shape coaxial with the rotation axis as a whole. The substrate holding and rotating device according to claim 2, wherein:
前記第1の可動ピン群は、前記第2の可動ピン群と同数の前記可動ピンを含み、前記第1および第2の可動ピン群は前記回転台の周方向に関し交互に、かつ各可動ピン群に含まれる複数本の可動ピンが等間隔となるように配置されており、前記第1および第2の移動磁石は、それぞれ、各可動ピン群に含まれる前記可動ピンの数と同数、前記回転台の周方向に等間隔に配置されている、請求項3に記載の基板保持回転装置。   The first movable pin group includes the same number of the movable pins as the second movable pin group, and the first and second movable pin groups are alternately arranged in the circumferential direction of the turntable and each movable pin is The plurality of movable pins included in the group are arranged so as to be at equal intervals, and the first and second movable magnets are respectively equal in number to the number of movable pins included in each movable pin group. 4. The substrate holding and rotating device according to claim 3, wherein the substrate holding and rotating device is arranged at equal intervals in a circumferential direction of the turntable. 前記第1の移動磁石および前記第2の移動磁石は、前記回転軸線と同軸で平面視二重円環状に配置されている、請求項2に記載の基板保持回転装置。   The substrate holding and rotating device according to claim 2, wherein the first moving magnet and the second moving magnet are coaxial with the rotation axis and arranged in a double annular shape in plan view. 前記付勢ユニットは、
前記第1の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えることにより、前記第1の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記一方に付勢するための第1の付勢用磁石と、
前記第2の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えることにより、前記第2の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記一方に付勢するための第2の付勢用磁石とを含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
The urging unit includes:
A second force for urging the support portion of the first movable pin group to the one of the open position and the holding position by applying a repulsive force or an attractive force to the first drive magnet; A biasing magnet of 1;
A second force for urging the support portion of the second movable pin group to the one of the open position and the holding position by applying a repulsive force or an attractive force to the second drive magnet; including a 2 biasing magnet, a substrate holding and rotating device according to any one of claims 1 to 5.
前記第1および第2の付勢用磁石は、前記回転台に対して相対移動不能に設けられている、請求項6に記載の基板保持回転装置。   The substrate holding and rotating device according to claim 6, wherein the first and second urging magnets are provided so as not to be relatively movable with respect to the turntable. 前記回転台と前記複数本の可動ピンによる基板保持位置との間に配置され、下位置と、下位置よりも上方において前記可動ピンによって支持されている基板の下面に接近した接近位置との間で前記回転台に対して相対的に上下動可能であり前記回転台とともに前記回転軸線まわりに回転するように前記回転台に取り付けられた保護ディスクをさらに含み、
前記第1および第2の付勢用磁石は、前記保護ディスクに同伴上下動可能に設けられている、請求項6に記載の基板保持回転装置。
Wherein arranged between the turntable and the substrate holding position by the movable pin of the plurality of the lower position, at the upper than the lower position, the proximity position close to the lower surface of the substrate supported by said movable pin A protective disk attached to the turntable so as to be movable up and down relative to the turntable and to rotate about the rotation axis together with the turntable,
The substrate holding and rotating device according to claim 6, wherein the first and second urging magnets are provided on the protection disk so as to be movable up and down.
前記開放位置および前記保持位置の前記一方は、前記保持位置であり、
前記開放位置および前記保持位置の前記他方は、前記開放位置である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
The one of the open position and the holding position is the holding position,
The substrate holding and rotating device according to claim 1, wherein the other of the open position and the holding position is the open position.
前記回転台と前記複数本の可動ピンによる基板保持位置との間に配置され、下位置と、下位置よりも上方において前記可動ピンによって支持されている基板の下面に接近した接近位置との間で前記回転台に対して相対的に上下動可能であり前記回転台とともに前記回転軸線まわりに回転するように前記回転台に取り付けられた保護ディスクと、
前記保護ディスクに取り付けられた第1の浮上用磁石と、
非回転状態で設けられ、前記第1の浮上用磁石に対して反発力を与える第2の浮上用磁石と、
前記第1の移動磁石および前記回転台の相対移動ならびに前記第2の移動磁石および前記回転台の相対移動のそれぞれと独立して、前記第1の浮上用磁石と前記第2の浮上用磁石との間の距離が変化するように前記第2の浮上用磁石および前記回転台を相対移動させる第3の相対移動ユニットとを含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板保持回転装置。
Wherein arranged between the turntable and the substrate holding position by the movable pin of the plurality of the lower position, at the upper than the lower position, the proximity position close to the lower surface of the substrate supported by said movable pin A protection disk attached to the turntable so as to be movable up and down relative to the turntable and to rotate about the rotation axis together with the turntable;
A first levitation magnet attached to the protection disk;
A second levitation magnet that is provided in a non-rotating state and applies a repulsive force to the first levitation magnet;
Independently of the relative movement of the first moving magnet and the rotary table and the relative movement of the second moving magnet and the rotary table, the first floating magnet and the second floating magnet The substrate holding rotation according to any one of claims 1 to 9, further comprising: a third relative movement unit configured to relatively move the second levitation magnet and the turntable such that a distance between the second levitation magnet and the rotation table changes. apparatus.
請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板保持回転装置と、
前記基板保持回転装置に保持されている基板の主面に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む、基板処理装置。
A substrate holding and rotating device according to any one of claims 1 to 10,
A substrate processing apparatus, comprising: a processing liquid supply unit configured to supply a processing liquid to a main surface of a substrate held by the substrate holding and rotating device.
前記回転駆動ユニット、前記処理液供給ユニット、前記第1の相対移動ユニットおよび前記第2の相対移動ユニットを制御する制御ユニットをさらに含み、
前記制御ユニットは、
前記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、
前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第1の位置に配置すると共に前記第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第4の位置に配置する第1の磁石配置工程と、
前記第1の磁石配置工程の非実行時において、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第3の位置に配置すると共に前記第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第2の位置に配置する第2の磁石配置工程とを実行する、請求項11に記載の基板処理装置。
Wherein the rotation driving unit, wherein the processing liquid supply unit, further a control unit for controlling said first relative movement unit and the second relative movement unit,
The control unit includes:
A turntable rotating step of rotating the turntable about the rotation axis,
A processing liquid supply step of supplying a processing liquid to the substrate that is rotating with the rotation of the turntable,
In parallel with the turntable rotating step and the processing liquid supply step, the relative positions of the first moving magnet and the turntable are arranged at the first position, and the second moving magnet and the turntable are A first magnet arranging step of arranging a relative position at the fourth position;
When the first magnet arrangement step is not performed, the relative positions of the second moving magnet and the turntable are arranged at the third position in parallel with the turntable rotation step and the processing liquid supply step. And a second magnet arranging step of arranging the relative positions of the first moving magnet and the rotary table at the second position.
回転台と、前記回転台を、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転させる回転駆動ユニットと、基板を水平に支持するための複数本の可動ピンであって、前記回転軸線から離れた遠い開放位置と前記回転軸線に近づいた保持位置との間で移動可能に設けられた支持部を有し、前記回転台と共に前記回転軸線まわりに回転するように設けられた可動ピンとを含み、前記複数本の可動ピンは、少なくとも3本の可動ピンを含む第1の可動ピン群と、前記第1の可動ピン群とは別に設けられ、少なくとも3本の可動ピンを含む第2の可動ピン群とを含み、各可動ピンの前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の一方に付勢する付勢ユニットと、各第1の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し互いに等しい磁極方向を有する第1の駆動用磁石と、各第2の可動ピン群に対応して取り付けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し、前記第1の駆動用磁石とは逆の磁極方向を有する第2の駆動用磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第1の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第1の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の他方に付勢する第1の移動磁石と、非回転状態で設けられ、前記回転軸線に沿う軸線に直交する方向に関し前記第2の駆動用磁石との間に反発力または吸引力を与えるような磁極方向を有し、当該反発力または当該吸引力により、前記第2の可動ピン群の前記支持部を前記開放位置および前記保持位置の前記他方に付勢する第2の移動磁石と、前記第1の移動磁石および前記回転台を、前記第1の移動磁石が前記第1の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第1の位置と、前記第1の移動磁石が前記第1の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第2の位置との間で相対移動させる第1の相対移動ユニットと、前記第1の移動磁石および前記回転台の相対移動と独立して、前記第2の移動磁石および前記回転台を、前記第2の移動磁石が前記第2の駆動用磁石との間に前記反発力または前記吸引力を与える第3の位置と、前記第2の移動磁石が前記第2の駆動用磁石との間に前記反発力および前記吸引力を与えない第4の位置との間で相対移動させる第2の相対移動ユニットとをさらに含む、基板保持回転装置と、前記基板保持回転装置に保持されている基板に対し、処理液を供給する処理液供給ユニットとを含む基板処理装置において実行される基板処理方法であって、
記回転台を前記回転軸線まわりに回転させる回転台回転工程と、
前記回転台の回転に伴って回転している基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第1の位置に配置すると共に前記第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第4の位置に配置する第1の磁石配置工程と、
前記第1の磁石配置工程の非実行時において、前記回転台回転工程および前記処理液供給工程に並行して、前記第2の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第3の位置に配置すると共に前記第1の移動磁石および前記回転台の相対位置を前記第2の位置に配置する第2の磁石配置工程とを含む、基板処理方法。
A turntable, a rotary drive unit for rotating the turntable about a rotation axis along a vertical direction, and a plurality of movable pins for horizontally supporting a substrate, and a far open position distant from the rotation axis And a supporting portion movably provided between a holding position approaching the rotation axis, and a movable pin provided to rotate about the rotation axis together with the turntable. The movable pin includes a first movable pin group including at least three movable pins, and a second movable pin group provided separately from the first movable pin group and including at least three movable pins. A biasing unit for biasing the support portion of each movable pin to one of the open position and the holding position, and a mounting unit corresponding to each first movable pin group, which is orthogonal to an axis along the rotation axis. Direction to each other A first driving magnet having a new magnetic pole direction, and a first driving magnet mounted in correspondence with each of the second movable pin groups and having a direction opposite to the first driving magnet with respect to a direction orthogonal to an axis along the rotation axis. A second driving magnet having a magnetic pole direction, and a repulsive force or an attractive force provided between the first driving magnet with respect to a direction perpendicular to an axis along the rotation axis and provided in a non-rotating state. A first moving magnet having a magnetic pole direction and urging the support portion of the first movable pin group to the other of the open position and the holding position by the repulsive force or the attractive force; In the direction perpendicular to the axis along the rotation axis has a magnetic pole direction to give a repulsive force or attractive force with the second drive magnet, by the repulsive force or the attractive force, The support of the second movable pin group A second moving magnet that urges the portion to the other of the open position and the holding position; the first moving magnet and the turntable; and the first moving magnet and the first driving magnet. And a second position at which the first moving magnet does not apply the repulsive force and the attractive force between the first moving magnet and the first driving magnet. A first relative moving unit for relatively moving the second moving magnet and the rotating table independently of the relative movement of the first moving magnet and the rotating table. A third position at which a magnet applies the repulsive force or the attraction force to the second driving magnet; and a second position at which the second moving magnet moves between the second driving magnet and the second driving magnet. A second relative movement for relatively moving between a fourth position where the suction force is not applied; A substrate holding method, further comprising a substrate holding and rotating device, and a processing liquid supply unit for supplying a processing liquid to the substrate held by the substrate holding and rotating device. So,
A turntable rotating step of rotating the front Symbol turntable about said axis of rotation,
A processing liquid supply step of supplying a processing liquid to the substrate that is rotating with the rotation of the turntable,
In parallel with the turntable rotating step and the processing liquid supply step, the relative positions of the first moving magnet and the turntable are arranged at the first position, and the second moving magnet and the turntable are A first magnet arranging step of arranging a relative position at the fourth position;
When the first magnet arrangement step is not performed, the relative positions of the second moving magnet and the turntable are arranged at the third position in parallel with the turntable rotation step and the processing liquid supply step. And a second magnet arranging step of arranging the relative positions of the first moving magnet and the turntable at the second position.
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