JP2016132596A - 単結晶製造装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】チャンバの小型化と同時に、単結晶製造中に、チャンバ内部の全域を観察することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバーは、天板部と、底板部と、胴体部を備えており、胴体部は、中空筒形状の石英ガラス製であり、かつ天板部と底板部を連結しており、胴体部の外周に、開閉可能な反射部材が設けられており、かつ、反射部材は、周方向に分割されており、かつチャンバの内部から発せられる熱と光を反射する、単結晶製造装置。
【選択図】図1

Description

本発明は、単結晶製造装置、特に、溶液法によるSiC単結晶製造装置に関する。
単結晶を製造する装置として、チャンバ内に設置された坩堝内の原料溶液に、種結晶を浸漬させて引き上げる装置がある。
特許文献1には、坩堝の外周に加熱手段が配置され、その外周に断熱体、さらにその外周に冷却ジャケットが配置された、チョクラルスキー法によるSi(シリコン)単結晶製造装置が開示される。この冷却ジャケットには、冷却用の気体が流される。
特許文献1に開示される製造装置では、坩堝内のSi溶液に浸漬された種結晶が引き上げられ、Si単結晶が製造される。冷却ジャケットの筐体上面に、引き上げ中のSi単結晶と、坩堝内のSi溶液の状態を確認するための観察窓が配置される。
特開昭63−50391号公報
一方、SiC(シリコンカーバイド)単結晶を製造する装置として、溶液法を用いた装置がある。溶液法においては、チャンバー内に設けられた黒鉛坩堝に原料Si(シリコン)が装入され、加熱コイルで原料Siが溶解され、Si溶液とされる。このSi溶液に黒鉛坩堝からCが溶解され、Si−C溶液とされ、このSi−C溶液に浸漬された種結晶が引き上げられ、SiC単結晶が製造される。
溶液法の場合には、Si溶液に黒鉛坩堝からCが溶解され、Si−C溶液とされる必要があり、かつ、Si−C溶液の液面近傍においては、チョクラルスキー法におけるSi溶液よりも、Si−C溶液の温度が高温とされる必要がある。
Si−C溶液の温度は非常に高温であるため、チャンバに冷却ジャケットが設けられても、その冷却能力は不足する。したがって、坩堝等の熱源からの輻射熱を軽減するため、チャンバの内面は熱源から遠ざけられ、チャンバの大型化を招いていた。
また、チャンバの胴体部が金属製であると、坩堝の外周に配置された加熱手段が誘導加熱コイルである場合、チャンバの胴体部にも渦電流が発生することがあり、その対策も必要であった。
さらに、チャンバの胴体部には、複雑に冷却ジャケットが配置されているため、チャンバ内部を確認する観察窓は、天板部に限って配置されることが多く、チャンバ内部の全域を確認することができなかった。
本発明は、上記課題を解決する単結晶製造装置を提供することを目的とする。
本発明の要旨は、次のとおりである。
〈1〉坩堝と誘導加熱コイルが収容されたチャンバーを備える単結晶製造装置であって、前記チャンバーは、天板部と、底板部と、胴体部を備えており、前記胴体部は、中空筒形状の石英ガラス製であり、かつ前記天板部と前記底板部を連結しており、前記胴体部の外周に、開閉可能な反射部材が設けられており、かつ、前記反射部材は、周方向に分割されており、かつ前記チャンバの内部から発せられる熱と光を反射する、単結晶製造装置。
〈2〉前記反射部材は、外周から内周に向けて積層された複数の電磁鋼板である、〈1〉項に記載の装置。
本発明によれば、チャンバの胴体部を石英ガラス製にすることで、熱源から胴体部内側面を離す必要がなくなり、単結晶製造装置を小型化できると同時に、胴体部の外周に設けた反射部材で、チャンバ内部から発生する熱と光(赤外線)を反射することにより、効率よく原料を加熱することが可能な、単結晶製造装置を提供することができる。さらに、胴体部を石英ガラス製とし、胴体部外周に設けた反射板を開閉式にすることにより、単結晶製造中に、チャンバの内部全域を観察可能な、単結晶製造装置を提供することができる。
本発明に係る単結晶製造装置の概略の一例を示す図である。 図1に示したA方向から本発明の単結晶製造装置を見た図である。 誘導加熱コイルの外周に設置された中空円筒状部材に作用する磁束と、その磁束によって発生する渦電流を示す図である。 誘導加熱コイルの外周に設置された、誘導加熱コイルの軸方向に平行な板状部材に作用する磁束と、その磁束によって発生する渦電流を示す図である。 反射部材を開いたときの本発明に係る単結晶製造装置の斜視図である。
以下、本発明に係る単結晶製造装置の実施形態を、図面を用いて説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明を限定するものではない。例えば、上述したように、本発明は、坩堝内の溶液の温度が非常に高温となるSiC単結晶の製造装置として用いて特に好適であるが、坩堝内の溶液の温度がそれほど高温とならないSi単結晶の製造装置として用いても当然よい。
図1は、本発明に係る単結晶製造装置の概略の一例を示す図である。
本発明の単結晶製造装置100は、坩堝1と、誘導加熱コイル2が、チャンバ3の内部に収納されている。
チャンバ3は、天板部4と底板部5と胴体部6を備える。胴体部6は、天板部4と底板部5を連結し、チャンバ3を構成する。天板部4と底板部5の材質は特に限定されないが、金属製であることが一般的である。胴体部6は中空円筒形状の石英ガラスで製作される。その理由と作用効果は後述する。
誘導加熱コイル2は、坩堝1の周囲に配置される。誘導加熱コイル2には、高周波電源7が接続される。誘導加熱コイル2に高周波電流が流されることにより、坩堝1に装入された原料(図示せず)が溶解され、原料溶液8となる。
原料溶液8は特に限定されないが、SiC単結晶を製造する場合のように、原料溶液8の温度を非常に高くする必要があるときに、本発明は特に有効である。
種結晶ホルダ9が連結された種結晶10は、原料溶液8に浸漬され、引き上げられる。引き上げの際、種結晶ホルダ9は回転されてもよい。また、坩堝1の底部に回転軸11が連結され、坩堝1が回転されてもよい。
上述したように、胴体部6は、中空円筒形状の石英ガラスで製作されている。なお、図1に示した実施形態では、胴体部6は中空円筒形状であるが、これに限られず、中空の筒形状であればよい。例えば、中空楕円筒形状でもよいし、中空である矩形の筒形状でもよい。
金属材料と比べると、石英ガラスは耐熱性が高いため、熱源である、坩堝1誘導加熱コイル2及び原料溶液8から、胴体部6の内側面を離す必要がない。したがって、胴体部6の直径を大きくする必要がなく、チャンバ3の小型化が図れる。特に、SiC単結晶を製造する場合、坩堝1内のSi−C溶液の温度を非常に高くするため、胴体部6は多量の輻射熱を受けることから、胴体部6を石英ガラス製にする利点は特に大きい。
一般に、単結晶の製造には多くの時間を要し、多数の単結晶製造装置が必要となる。したがって、チャンバ3が小型化されることにより、同じ広さの空間に多数の単結晶製造装置が設置可能となることは大きな利点である。
また、胴体部6が石英ガラスで製作されることにより、チャンバ3の内部の全域を観察することができる。特に、坩堝1が回転される場合には、坩堝1に異常が発生していないかを確認することができ、特に、有効である。
胴体部6が金属材料で製作されると、誘導加熱コイル2に高周波電流が流されたときに、胴体部6に渦電流が発生し、胴体部6が加熱される原因となる。しかし、胴体部6が石英ガラスで製作されることにより、渦電流の発生もなくなる。
一方で、胴体部6が石英ガラスで製作されることにより、坩堝1等から発せられる熱及び光(赤外線)がチャンバ3の外部に放出される。
そこで、本発明では、図1に示したように、胴体部6の外周全体が覆われるように、胴体部6の外周に反射部材12が設けられる。
図2は、図1に示したA方向から本発明の単結晶製造装置を見た図である。
反射部材12は、円周方向に20分割され、反射部材12a〜12tとして、胴体部6の外周に設けられる。
反射部材12が中空円筒形状であると、反射部材12に多量の渦電流が発生し、反射部材12が加熱されてしまうが、このように、反射部材12が分割されることにより、反射部材12における渦電流の発生を最小限にすることができる。なお、胴体部6が、中空の矩形の筒形状である場合、反射部材12も、胴体部6の外周形状に沿うように設けられるが、上述した分割の効果は同様である。
図3は、誘導加熱コイルの外周に設置された中空円筒状部材に作用する磁束と、その磁束によって発生する渦電流を示す図である。図4は、誘導加熱コイルの外周に設置された、誘導加熱コイルの軸方向に平行な板状部材に作用する磁束と、その磁束によって発生する渦電流を示す図である。
図3に示したように、誘導加熱コイル2の外周に中空円筒状部材13が設置されると、中空円筒状部材13を横切る磁束14は多く、渦電流15が多量に発生する。一方、図4に示したように、誘導加熱コイル2の外周に設置された、誘導加熱コイル2の軸方向に平行な板状部材16を横切る磁束14は少なく、渦電流15の発生も最小限である。
よって、図2に示した実施形態のように、反射部材12は分割される。図2に示した実施形態では、反射部材12a〜12tのように、反射部材12a〜12tの全周が20分割されているが、これに限られない。図4に示したように、分割数は多いのが理想であるが、少ない分割数でも、発生する渦電流の量が実用上支障がない程度に抑制されていれば、その分割数でよい。
反射部材12a〜12tそれぞれは、外周から内周に向けて複数の薄鋼板が積層されることが好ましい。即ち、反射部材12a〜12tそれぞれは、反射部材12a〜12t全体が描く円の半径方向に複数の薄鋼板が積層されることが好ましい。上述した、円周方向の分割により、渦電流の発生を抑制できる。それに加え、反射部材12a〜12tそれぞれについて、半径方向にも分割すれば、さらに渦電流を抑制できる。渦電流は物体の表面に発生するためである。
反射部材12a〜12tによって、チャンバ3の内部から発生られる熱と光(赤外線)が反射される。この熱と光(赤外線)は、坩堝1、誘導加熱コイル2、及び原料融液8に由来するものである。
この熱と光を効率よく反射させるため、反射部材12a〜12tの内周17に、光沢めっきが施されるか、電解研磨等による鏡面化が施されることが好ましい。反射部材12a〜12tそれぞれが、薄鋼板で積層されている場合には、最内周に位置する薄鋼板の内周側に、光沢めっき又は鏡面化が施されることが好ましい。反射部材12a〜12tそれぞれが、電磁鋼板で積層されている場合には、最内周だけ、鏡面化が施された薄鋼板とすることが好ましい。
図5は、反射部材12を開いたときの本発明に係る単結晶製造装置の斜視図である。
反射部材12は、図5に示したように、開閉することができる。このように開閉可能に取り付ける方法としては、単結晶製造装置100と反射部材12が蝶番で連結されることが挙げられるが、これに限定されない。
反射部材12を、このような構造とすることにより、チャンバ3の内部を観察したいときには、反射部材12を開き、それ以外のときには、反射部材12を閉じ、チャンバ3の内部から発せられる熱と光を、チャンバ3の内部に向かって反射させると同時に、チャンバ3の外部に漏れることを防止する。
これまで説明してきたように、チャンバ3の内部を密閉し、胴体部6の内周を坩堝1等の熱源に近づけ、かつチャンバ3の内部全域を観察可能にする機能を、石英ガラス製の胴体部6にもたせる。一方、チャンバ3の内部からの熱及び光(赤外線)をチャンバ3の内部に反射し、かつチャンバ3の外部に漏れないように遮蔽する機能を、反射部材12にもたせる。このように、それぞれの機能を、石英ガラス製の胴体部6と、反射部材12に分担することで、単結晶製造装置100の小型化と、単結晶製造時にチャンバ3の内部全域を観察することが可能となる。
本発明によれば、単結晶製造装置を小型化できると同時に、単結晶製造中にチャンバ内部全域を観察することができる。したがって、本発明は、産業上の利用可能性が大きい。
1 坩堝
2 誘導加熱コイル
3 チャンバ
4 天板部
5 底板部
6 胴体部
7 高周波電源
8 原料溶液
9 種結晶ホルダ
10 種結晶
11 回転軸
12、12a〜12t 反射部材
13 中空円筒状部材
14 磁束
15 渦電流
16 板状部材
17 内周
100 単結晶製造装置

Claims (2)

  1. 坩堝と誘導加熱コイルが収容されたチャンバを備える単結晶製造装置であって、
    前記チャンバは、天板部と、底板部と、胴体部を備えており、
    前記胴体部は、中空筒形状の石英ガラス製であり、かつ前記天板部と前記底板部を連結しており、
    前記胴体部の外周に、開閉可能な反射部材が設けられており、かつ、
    前記反射部材は、周方向に分割されており、かつ前記チャンバの内部から発せられる熱と光を反射する、単結晶製造装置。
  2. 前記反射部材は、外周から内周に向けて積層された複数の電磁鋼板である、請求項1に記載の装置。
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