JP2016119753A - 電力変換装置 - Google Patents

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道生 寺倉
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淳 今岡
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Shota Kimura
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Abstract

【課題】結合トランスを用いてコアを小型化して、電力変換回路を小型化する電力変換装置を提供する。【解決手段】複数の電力変換装置1の一次巻線N11、N21と、一次巻線N11、N21に対応する二次巻線N12、N22と、を磁性部201に設け、一次巻線N11、N21それぞれが直列に接続されているトランスT1と、一次巻線N11、N21それぞれに直列接続され、インターリーブ制御に用いられるスイッチ素子S1、S2と、二次巻線N12、N22それぞれを介して得られるエネルギーを用いて、所定の電力を出力する出力部と、を備える電力変換装置1である。【選択図】図1

Description

本発明は、電力を変換する電力変換装置に関する。
従来、フォワード型の電力変換回路のトランスの一次側には、一次巻線に直列にスイッチ素子が接続されている。その場合には、スイッチ素子ひとつに入力電圧が印加されるため、高耐圧のスイッチ素子を使用しなければならない。そこで、一次巻線を複数に分割し、分割した一次巻線を直列に接続するとともに分割した一次巻線それぞれに直列にスイッチ素子を接続することで、印加される電圧を分圧し、低耐圧のスイッチ素子を用いることで、スイッチ素子の小型化と導通損失の低減とをしている。また、トランスの二次側は、分割した一次巻線に対応する出力回路を並列に接続して電流を分流している。出力回路は、分割した一次巻線に対応する二次巻線を含み、スイッチ素子および受動素子などから構成される。このように出力回路を並列に接続することで、スイッチ素子および受動素子に通電時に流れる電流量を抑制している。
さらに、フォワード型の電力変換回路のトランスの二次側に設けられているキャパシタ(平滑用のキャパシタ)を小型化する技術として、インターリーブ制御を適用する技術が知られている。インターリーブ制御を適用してキャパシタを小型化する場合、複数の電力変換回路を並列に接続し、それら電力変換回路が有するトランスそれぞれの励磁する期間をずらすように制御し、キャパシタへ流れる電流リプルを高周波化することにより、キャパシタの容量を小さくして小型化を実現している。
関連する技術として、フォワードコンバータのトランスをフライバックコンバータのリアクタに兼用させる技術が知られている。特許文献1を参照。
特開2002−238256号公報
インターリーブ制御を適用することでキャパシタの小型化はできるが、複数の電力変換回路はそれぞれにトランスを備えなければならないためトランスの体積が増加し、回路全体で考えた場合にキャパシタを小型化した効果はあまり得られない。そこで、インターリーブ制御を適用したフォワード型の電力変換装置において、キャパシタの小型化を維持しつつ、トランスを構成するコア(磁性部)を小型化することが望まれている。
本発明の一側面に係る目的は、トランスを用いて、電力変換装置を小型化することである。
実施の態様の一つである電力変換装置は、トランス、スイッチ素子、出力部を有している。
トランスは、コアに直列に接続された複数の電力変換回路の一次巻線と、一次巻線それぞれに対応する二次巻線と、が設けられている。
スイッチ素子は、一次巻線それぞれに直列接続され、インターリーブ制御に用いられる。
出力部は、二次巻線それぞれを介して得られるエネルギーを用いて、所定の電力を出力する。
実施の態様によれば、結合トランスを用いてコアを小型化して、電力変換装置を小型化することができる。
図1は、電力変換装置の一実施例を示す図である。 図2は、トランスのコア形状の一実施例を示す正面図である。 図3は、トランスの等価回路を示す図である。 図4は、トランスの等価回路を示す図である。 図5は、トランスのコアの他の形状を示す正面図である。 図6は、出力部のリアクトルを結合させた回路の一実施例を示す図である。
以下図面に基づいて実施形態について詳細に説明する。
図1は、電力変換装置の一実施例を示す図である。図1の電力変換装置1は、第1の絶縁型電力変換回路と第2の絶縁型電力変換回路とを有する。第1の絶縁型電力変換回路と第2の絶縁型電力変換回路はトランスT1(結合トランス)、スイッチ素子S1、S2、キャパシタC1、C2、出力部を有している。トランスT1は、第1の絶縁型電力変換回路の一次巻線N11(第1の一次巻線)と、一次巻線N11に対応する二次巻線N12(第1の二次巻線)と、第2の絶縁型電力変換回路の一次巻線N21(第2の一次巻線)と、一次巻線N21に対応する二次巻線N22(第2の二次巻線)と、がコア(磁性部)に巻かれている。一次巻線N11の一方の端子はキャパシタC1の一方の端子と接続され、一次巻線N11の他方の端子はスイッチ素子S1の一方の端子と接続されている。キャパシタC1の他方の端子は、キャパシタC2の一方の端子とスイッチ素子S1の他方の端子と一次巻線N21の一方の端子と接続されている。一次巻線N21の他方の端子はスイッチ素子S2の一方の端子と接続されている。また、スイッチ素子S1の他方の端子はスイッチ素子S2の他方の端子と接続されている。すなわち、一次巻線N11と一次巻線N21が直列に接続され、トランスT1に設けられている。
スイッチ素子S1、S2は、一次巻線N11、N21とそれぞれ直列に接続され、インターリーブ制御に用いられる。インターリーブ制御は、例えば、図1には示されていない制御部によりスイッチ素子S1、S2を交互にオン/オフ制御し、後述する出力部のキャパシタC3へ流れる電流リプルを高周波化することで、キャパシタC3を小型化するために有効な制御である。ここで、スイッチ素子S1、S2は、例えば、MOSFET(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor)を用いることが考えられる。なお、制御部はオン/オフ制御をするためのオン/オフ制御信号を、スイッチ素子S1、S2に出力する。
出力部について説明する。
二次巻線N12の一方の端子は整流素子D1(第1の整流素子)のアノードに接続されている。二次巻線N12の他方の端子は、整流素子D2(第2の整流素子)のアノードとキャパシタC3の他方の端子とに接続されている。整流素子D1のカソードは、整流素子D2のカソードとリアクトルL1の一方の端子とに接続されている。リアクトルL1の他方の端子はキャパシタC3の一方の端子に接続されている。
また、二次巻線N22の一方の端子は整流素子D3(第1の整流素子)のアノードに接続されている。二次巻線N22の他方の端子は、整流素子D4(第2の整流素子)のアノードと、キャパシタC3の他方の端子とに接続されている。整流素子D3のカソードは、整流素子D4のカソードとリアクトルL2の一方の端子とに接続されている。リアクトルL2の他方の端子はキャパシタC3の一方の端子に接続されている。なお、図1ではリアクトルL1、L2をまとめてリアクトル2(破線範囲)と示している。
出力部は、二次巻線N12を介して得られるエネルギーを、整流素子D1、D2、リアクトルL1、キャパシタC3を用いて整流し、所定の電圧で電力を出力する。また、出力部は、二次巻線N22を介して得られるエネルギーを、整流素子D3、D4、リアクトルL2、キャパシタC3を用いて整流して、所定の電圧で電力を出力する。なお、整流素子D1、D2、D3、D4は、例えば、MOSFETなどの半導体スイッチを用いてもよい。
トランスT1について説明をする。
図2に示すトランスT1の構造と、図3、図4に示す等価回路と、を用いて、スイッチ素子S1をオンした場合におけるトランスT1各部の磁束とインダクタンスの関係について説明をする。図2は、トランスのコア形状の一実施例を示す正面図である。図3、図4は、トランスの等価回路を示す図である。
図2に示すトランスT1は、コア201の外側脚部202(第1の脚)に一次巻線N11と二次巻線N12とが巻かれ、外側脚部203(第2の脚)に一次巻線N21と二次巻線N22とが巻かれ、コア201の中央には外側脚部202、203と異なる中央脚部204(第3の脚)が設けられている。なお、トランスT1のコアの形状は対称であることが望ましい。
図2に示したトランスT1各部の磁束を等価回路で表すと、図2の一次巻線N11から発生する磁束φL(主磁束)は、図3に示すように中央脚部204方向の磁束φm11と、外側脚部203方向の磁束φm12と、に分かれる。すなわち、磁束φLは式1により表すことができる。
φL=φm11+φm12 式1
φL :N11i1(Rmo+Rmc)/(Rmo+2RmcRmo)
φm11:N11i1(Rmo/(Rmo+2RmcRmo))
φm12:N11i1(Rmc/(Rmo+2RmcRmo))
11:一次巻線N11の巻数(ターン数)
i1 :一次巻線N11の巻線電流(インダクタ電流)
Rmo:外側脚部の磁気抵抗
Rmc:中央脚部の磁気抵抗
なお、図3からも明らかなように、磁束φm11は一次巻線N11から発生して一次巻線N21に影響を与えない磁束で、磁束φm12は一次巻線N11から発生して一次巻線N21に影響を与える磁束である。
続いて、式1に示した磁束φLをファラデの法則により変換してインダクタンスを求めると、一次巻線N11の自己インダクタンスLは式2で表すことができる。
L=Lm11+Lm12 式2
Lm11:N11 (Rmo/(Rmo+2RmcRmo))
Lm12:N11 (Rmc/(Rmo+2RmcRmo))
なお、励磁インダクタンスLm11は一次巻線N11にのみ関係し、励磁インダクタンスLm12は一次巻線N11から発生して一次巻線N21に関係する。
式2に示した励磁インダクタンスLm11、Lm12の関係を用いて、トランスT1の結合を表すと図4の等価回路となる。
図4に示す等価回路において一次巻線N11に関係する回路は、一次巻線N11に自己インダクタンス(=励磁インダクタンスLm11+励磁インダクタンスLm12)が並列に接続される。そして励磁インダクタンスLm12には、一次巻線N11の一次巻線N21に影響する一次巻線N11’が並列に接続される。
また、一次巻線N21に関係する回路は、一次巻線N21に自己インダクタンスとして、一次巻線N21のみに関係する励磁インダクタンスLm21に直列に一次巻線N21の一次巻線N11に影響する一次巻線N21’が接続される。なお、図4の等価回路においては、説明を簡単にするため、一次巻線N11、N21、二次巻線N12、N22それぞれについて漏れインダクタンスについては考慮していない。すなわち、一次巻線N11で発生した磁束φLは、二次巻線N12にすべて鎖交すると考える。
また、一次巻線N11’と一次巻線N21’とは結合(破線範囲401)を表しており、各相(スイッチ素子S1がオン時の動作(一相)とスイッチ素子S2がオン時の動作(二相))が互いに影響しあう部分である。つまり磁束を共有している部分である。
なお、スイッチ素子S2をオンした場合については、トランスT1のコアの形状は、中央脚部204を中心に対称であるので、説明を省略する。
このような構成のトランスT1に従来と同じようにインターリーブ制御を適用すると、従来のように複数のトランスを用いた場合に比べて、コアの体積を小さくできる。例えば、スイッチ素子S1とスイッチ素子S2のオン/オフ制御信号のオン期間を180度シフトしてインターリーブ制御(デューティ50%)をすると、中央脚部204は外側脚部202、203よりも高い周波数で動作するため、外側脚部202、203それぞれの断面積よりも中央脚部204の断面積を小さくすることができる。また、デューティが50%でない場合にも中央脚部204の断面積を小さくすることができる。
また、トランスT1のコア形状は図2に示した形状以外であっても、図4に示した等価回路により表すことができる形状であればよい。図5のA〜Cに図2に示した形状以外のコアを示す。図5は、トランスのコアの他の形状を示す正面図である。
図5のAに示すコア501は、図2の中央脚部204と異なり、中央脚部が途中から途切れた形状(502、503)をしている。
図5のBに示すコアは、コアを形成する三つの部品504、505、506から構成されている。部品505は一次巻線N11、二次巻線N12、一次巻線N21、二次巻線N22が巻かれている。部品504は突出部507、508、509を有し、部品506は突出部510、511、512を有している。突出部507の先端部と突出部510の先端部は部品505を挟んで向き合い、先端部それぞれは二次巻線N12の外側端より外側に、部品505に接触しないように配置される。突出部509の先端部と突出部512の先端部は部品505を挟んで向き合い、先端部それぞれは二次巻線N22の外側端より外側に、部品505に接触しないように配置される。突出部508の先端部と突出部511の先端部は部品505を挟んで向き合い、先端部それぞれは一次巻線N11と一次巻線N21の間に、部品505に接触しないように配置される。
図5のCに示すコアは、コアを形成する二つの部品513、514から構成されている。部品513は一次巻線N11、二次巻線N12、一次巻線N21、二次巻線N22が巻かれている。部品514は突出部515、516、517を有している。突出部515の先端部は、部品513の二次巻線N12の外側端より外側に、部品513に接触しないように配置される。突出部517の先端部は、部品513の二次巻線N22の外側端より外側に、部品513に接触しないように配置される。突出部516の先端部は、部品513の一次巻線N11と一次巻線N21の間に、部品513に接触しないように配置される。
実施の態様によれば、トランスT1を用いてコアを小型化することにより、電力変換装置を小型化することができる。
変形例について説明する。
図1に示したリアクトル2を小型化する方法について図6を用いて説明する。図6は、出力部のリアクトルを結合させた回路の一実施例を示す図である。図6に示すトランスT1の二次側にある出力部の結合回路601(破線範囲)は、図1に示したリアクトルL1、L2をコア(磁性部)を用いて結合させた回路である。本例では、リアクトルL1に対応するリアクトルNL1と、リアクトルL2に対応するリアクトルNL2と、を結合させることにより、リアクトルNL1およびリアクトルNL2に流れる巻線電流の高周波化を実現させる。また、各相の磁束の一部を互いに影響させることにより磁束の共有化をさせる。その結果、図1に示したリアクトルL1、L2の体積よりも、結合回路601の体積を小さくできる。すなわち、従来の出力部で用いているリアクトルL1、L2の回路より結合回路601を小型化できる。
変形例によれば、結合回路601とトランスT1を小型化することにより、電力変換装置をさらに小型化することができる。
また、本発明は、上記実施の形態に限定されるものでなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変更が可能である。
1 電力変換装置、
2 リアクトル、
201、501 コア(磁性部)、
202、203 外側脚部、
204 中央脚部、
504、505、506、513、514 部品、
507、508、509、510、511、512、515、516、517 突出部、
601 結合回路、
C1、C2、C3 キャパシタ、
D1、D2、D3、D4 整流素子、
L1、L2 リアクトル、
Lm11、Lm12、Lm21 励磁インダクタンス、
N11、N21 一次巻線、
N12、N22 二次巻線、
NL1、NL2 リアクトル、
S1、S2 スイッチ素子、
T1 トランス、

Claims (3)

  1. 複数の電力変換回路の一次巻線と、前記一次巻線に対応する二次巻線と、を磁性部に設け、前記一次巻線それぞれが直列に接続されるトランスと、
    前記一次巻線それぞれに直列接続され、インターリーブ制御に用いられるスイッチ素子と、
    前記二次巻線それぞれを介して得られるエネルギーを用いて、所定の電力を出力する出力部と、
    を備えることを特徴とする電力変換装置。
  2. 請求項1に記載の電力変換装置であって、
    前記出力部は、前記二次巻線の一方の端子にアノードが接続される第1の整流素子と、前記二次巻線の他方の端子にアノードが接続される第2の整流素子と、前記第1の整流素子のカソードと前記第2の整流素子のカソードに一方の端子が接続されるリアクトルと、を有する回路を、前記二次巻線ごとに備え、前記回路それぞれの前記リアクトルの他方の端子がキャパシタの一方の端子に接続され、前記二次巻線それぞれの他方の端子が前記キャパシタの他方の端子に接続され、前記リアクトルそれぞれは磁性部を用いて結合される、
    ことを特徴とする電力変換装置。
  3. 請求項1または請求項2に記載の電力変換装置であって、
    前記電力変換回路は第1の絶縁型電力変換回路と第2の絶縁型電力変換回路とを有し、
    前記第1の絶縁型電力変換回路は第1の一次巻線と第1の二次巻線とを有し、
    前記第2の絶縁型電力変換回路は第2の二次巻線と第2の二次巻線とを有し、
    前記磁性部は前記第1の一次巻線と前記第1の二次巻線とが巻かれる第1の脚と、前記第2の一次巻線と前記第2の二次巻線とが巻かれる第2の脚と、前記第1の脚と前記第2の脚とは異なる第3の脚とを有する、
    ことを特徴とする電力変換装置。
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