JP2016115464A - 銀ペーストおよびその利用 - Google Patents
銀ペーストおよびその利用 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016115464A JP2016115464A JP2014251737A JP2014251737A JP2016115464A JP 2016115464 A JP2016115464 A JP 2016115464A JP 2014251737 A JP2014251737 A JP 2014251737A JP 2014251737 A JP2014251737 A JP 2014251737A JP 2016115464 A JP2016115464 A JP 2016115464A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver paste
- silver
- mass
- solvent
- fine particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 120
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 119
- 239000004332 silver Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 31
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims abstract description 18
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims abstract description 18
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 claims description 15
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 12
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 11
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N Caprylic acid Natural products CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical group CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BEFDCLMNVWHSGT-UHFFFAOYSA-N ethenylcyclopentane Chemical compound C=CC1CCCC1 BEFDCLMNVWHSGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N n-hexanoic acid Natural products CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004334 sorbic acid Substances 0.000 claims description 5
- 235000010199 sorbic acid Nutrition 0.000 claims description 5
- 229940075582 sorbic acid Drugs 0.000 claims description 5
- 125000005313 fatty acid group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 abstract description 44
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 38
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 37
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 28
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- -1 Ethylene glycol monoalkyl ethers Chemical class 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 9
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 8
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N anhydrous diethylene glycol Natural products OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 125000002467 phosphate group Chemical group [H]OP(=O)(O[H])O[*] 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol monomethyl ether acetate Natural products COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N heptanoic acid Chemical compound CCCCCCC(O)=O MNWFXJYAOYHMED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N nonanoic acid Chemical compound CCCCCCCCC(O)=O FBUKVWPVBMHYJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- RYNQKSJRFHJZTK-UHFFFAOYSA-N (3-methoxy-3-methylbutyl) acetate Chemical compound COC(C)(C)CCOC(C)=O RYNQKSJRFHJZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- QYGBYAQGBVHMDD-XQRVVYSFSA-N (z)-2-cyano-3-thiophen-2-ylprop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(\C#N)=C/C1=CC=CS1 QYGBYAQGBVHMDD-XQRVVYSFSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxypropane Chemical compound CCOCC(C)OCC VPBZZPOGZPKYKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 1,2-dimethoxypropane Chemical compound COCC(C)OC LEEANUDEDHYDTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 1-(1-butoxypropan-2-yloxy)propan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)OCC(C)O CUVLMZNMSPJDON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 1-benzothiophene-2-carboxamide Chemical compound C1=CC=C2SC(C(=O)N)=CC2=C1 GYSCBCSGKXNZRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCOCC(C)OC(C)=O FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxypropoxy)propane Chemical compound CCOCC(C)OCC(C)OCC ZIKLJUUTSQYGQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JONNRYNDZVEZFH-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)COC(C)COC(C)=O JONNRYNDZVEZFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIYRHXBYLQWDQS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)-1-methoxypropane Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC MIYRHXBYLQWDQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)=O CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)=O DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOC(C)=O NQBXSWAWVZHKBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 3-oxo-n-[2-(trifluoromethyl)phenyl]butanamide Chemical compound CC(=O)CC(=O)NC1=CC=CC=C1C(F)(F)F VATRWWPJWVCZTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000132023 Bellis perennis Species 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005633 Chrysanthemum balsamita Nutrition 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N Decanoic acid Natural products CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229960001138 acetylsalicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000113 methacrylic resin Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 150000003014 phosphoric acid esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000004437 phosphorous atom Chemical group 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003378 silver Chemical group 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Conductive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
Description
一般に、銀ペーストに含まれる銀微粒子は粒径が小さく比表面積が大きい。このため、凝集を生じ易い傾向にある。特にナノメートルサイズの銀微粒子を使用する場合には、微粒子の凝集(偏在化)によってペーストの粘度が増加し、流動性が著しく損なわれることがある。かかる場合、当該ペーストの取扱性や作業性が低下して、塗工性(印刷適性)が低下することがあり得る。
そこで、ペースト中の銀微粒子の分散安定性を向上するために、従来、種々の分散剤が用いられている(例えば特許文献1)。また、特許文献2には、銀微粒子の表面を脂肪酸で修飾することで、溶媒中の銀微粒子の分散性を向上し得ることが記載されている。その他、特許文献3〜5にも上記用途に使用し得る銀ペーストが開示されている。
しかしながら、本発明者らの検討によれば、上記特許文献に記載の技術では高濃度分散系において分散性が不安定になる場合があった。
また、本明細書において「水に不溶な分散剤」とは、20℃・大気圧の環境下で、水8mLを含有する密閉容器内に分散剤2mLを添加して1分間振とう撹拌した後においてなお、水と分散剤との界面が視認される(換言すれば、水と分散剤とが混ざり合わずに2層分離している)ことをいう。
また、本明細書において「リン酸系分散剤」とは、構造中に少なくとも1つのリン酸基を有する分散剤をいう。
ここに開示される銀ペーストは、銀(Ag)粉末と、溶解度パラメータ(SP値)が、7(cal/cm3)0.5以上10(cal/cm3)0.5以下である溶媒と、リン酸系分散剤と、を含んでいる。かかる銀ペーストは、例えば上記溶媒中に銀(Ag)粉末と上記リン酸系分散剤とその他の任意成分とを分散または溶解させることで調製し得る。
以下、各構成成分について順に説明する。
Ag粉末は、例えば太陽電池の電極形成において、塗膜(導体膜)に電気伝導性や放熱性を持たせるための成分である。あるいは、電子材料の接合において、被接合部材間を接合する接合材(接合部)として機能する成分である。ここに開示される技術では、Ag粉末として、銀微粒子の表面が脂肪酸で修飾されているものを用いる。換言すれば、Ag粉末を構成する銀微粒子は、銀を含むコア部と、当該コア部の少なくとも一部の表面に形成された修飾部であって脂肪酸を含む修飾部と、から構成されている。
なお、本明細書において「Ag粉末」とは、上記コア部を構成する金属が銀(Ag)を主体とする微粒子の集合体をいい、典型的にはコア部が銀のみから成る微粒子の集合体であるが、例えばコア部が銀を主体とする合金や銀以外の不純物を微量含むものであっても全体として銀を主体とする微粒子の集合体であればここでいうAg粉末に包含され得る。
一好適例では、Ag粉末の平均粒径が、ナノメートルサイズ(1〜1000nm)であって、典型的には5〜500nm、例えば10〜100nmである。平均粒径を1nm以上(好ましくは5nm以上、特には10nm以上)とすることで、ペーストの分散安定性を一層向上することができ、ペースト塗工時の取扱性や作業性を向上することができる。その結果、銀微粒子が焼結してなる塗膜を緻密化することができる。また平均粒径が1000nm以下(好ましくは500nm以下、特には100nm以下)であると、平滑性に優れかつ均質な塗膜を実現することができる。さらには、焼成時の温度を低め(例えば500℃以下、好ましくは300℃以下)に設定できる効果もある。これにより、焼成に起因する熱収縮(熱応力による歪み)を抑えることができ、一層高い機能性(例えば、電気伝導性、熱伝導性、接合性のうち少なくとも1つ)を実現することができる。加えて、線幅が狭いファインラインの精密な形成をも好適に実現することができる。
なお、本明細書において「平均粒径」とは、一般的な粒度分布測定装置を用いて、レーザー回折・光散乱法で測定した体積基準の粒度分布において、微粒子側から累積50%に相当する粒子径(50%体積平均粒径。D50やメジアン径ともいう。)をいう。
一好適例では、脂肪酸が、炭素数が2〜10の直鎖状あるいは分岐状のカルボン酸である。具体例として、炭素数が2の酢酸;炭素数が3のプロピオン酸、マロン酸、乳酸;炭素数が4のブタン酸、リンゴ酸;炭素数が6のソルビン酸、ヘキサン酸;炭素数が7のヘプタン酸;炭素数が8のオクタン酸;炭素数が9のノナン酸、アセチルサリチル酸;炭素数が10のデカン酸;およびそれらの塩等が例示される。なかでも、銀微粒子の凝集を高度に防止する観点からは、炭素数が5以上であるとよい。また、焼成温度を低温化する観点からは、炭素数が7以下であるとよい。両者を高いレベルで両立する観点からは、特に炭素数が6のソルビン酸やヘキサン酸が好ましい。
なお、Ag粉末の表面が脂肪酸で被覆されているか否か、あるいは脂肪酸の種類については、例えば、ガスクロマトグラフィー(Gas Chromatography)質量分析法等によって把握することができる。
溶媒は、ここに開示される銀ペーストの固形分(主にAg粉末とリン酸系分散剤)を溶解または分散させて、当該銀ペーストを塗工に適した流動性に調整するための必須成分である。ペーストを塗工に適した流動性に調整することで、取扱性や作業性、成形性を向上させることができ、均質な塗膜をより安定的に形成することが可能となる。
溶媒としては、溶媒の溶解度パラメータ(SP値)が凡そ7(cal/cm3)0.5以上、例えば7.5(cal/cm3)0.5以上であって、凡そ10(cal/cm3)0.5以下、例えば8(cal/cm3)0.5以下のものを用いる。なお、SP値は溶質と溶媒の「混ざり易さ」の尺度となる値である。本発明者らの検討によれば、銀微粒子として(1)脂肪酸で表面修飾されている銀微粒子を、および/または、分散剤として(3)水に不溶なリン酸系分散剤を含む場合に、上記SP値の溶媒を用いることで、銀ペースト中の銀微粒子の凝集を高度に抑制することができる。
(2−a)エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル類。
(2−b)エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル等のエチレングリコールジアルキルエーテル類。
(2−c)プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類。
(2−d)プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類。
(2−e)ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエーテル類。
(2−f)ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等のジエチレングリコールジアルキルエーテル類。
(2−g)ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテル類。
(2−h)ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールエチルメチルエーテル等のジプロピレングリコールジアルキルエーテル類。
(2−i)トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールモノブチルエーテル等のトリエチレングリコールモノアルキルエーテル類。
(2−j)エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類。
(2−k)プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類。
(2−l)ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類。
(2−m)ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類。
(2−n)3−メトキシブチルアセテート、3−メチル−3−メトキシブチルアセテート、1−メトキシ−2−プロピルアセテート等のその他のアセテート類。
(2−o)ヘプタン、オクタン、トルエン、キシレン、ベンゼン、シクロヘキサン等の炭化水素。
かかる有機溶媒は、1種を単独で用いても、2種以上を混合して用いても良い。なかでも、エーテル系溶媒やアセテート系溶媒が好ましい。
リン酸系分散剤は、銀ペースト中における銀微粒子の凝集を防止し、分散安定性を維持向上させるための必須成分である。本発明者らの検討によれば、リン酸基は銀微粒子への配位性(リン原子(P)が酸素原子(O)を介して銀原子(Ag)と相互作用する力)が強いため、かかるリン酸基を備える分散剤(リン酸系分散剤)を用いることで、銀ペーストの分散安定性を安定的により良く高めることができる。
リン酸系分散剤としては、構造中に少なくとも1つのリン酸基を有し、且つ水に不溶なものであればよい。一好適例として、リン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸、およびこれらの塩が挙げられる。なかでも、より高い分散安定性を実現する観点からは、末端にリン酸基を有する直鎖状のリン酸エステルが好ましい。
また、他の一好適例では、リン酸系分散剤のアミン価が10mg KOH/g以下、例えば5mg KOH/g以下である。リン酸系分散剤が実質的にアミン価を含まないことにより、銀微粒子とリン酸系分散剤との界面をより安定化することができ、銀ペーストの分散安定性を一層高めることができる。
一好適例では、ベヒクル成分全体(すなわち溶媒とリン酸系分散剤とその他の任意成分の合計質量、例えば溶媒とリン酸系分散剤の合計質量)を100質量%としたときに、リン酸系分散剤の比率が10質量%以上(典型的には10〜90質量%、好ましくは10〜50質量%、より好ましくは10〜20質量%、例えば15〜20質量%)であるとよい。これにより、銀ペーストの分散安定性を一層高めることができる。
なお、本明細書において「粘度」とは、液温が25℃の状態において、一般的なレオメータを用いてせん断速度1000s−1の条件で測定した値をいう。その他の具体的な測定条件については、後述する実施例に示すものとする。
そして、本発明者らの検討によれば、かかる作用効果は、例えば溶媒として上記(1)上記SP値の範囲を満たさない溶媒を用いた場合や、分散剤として上記(3)水に不溶のリン酸系分散剤にかえて「水に可溶なリン酸系分散剤」あるいは「リン酸系以外の分散剤(例えばアミン系分散剤)」を用いた場合には実現することができない。すなわち、分散安定性に優れ、且つ緻密性の高い塗膜を形成可能な銀ペーストを調製する観点において、ここに開示される(1)〜(3)の組合せはより有利であるといえる。
一例として、電極形成に際しては、上記銀ペーストを基板の表面に塗工して乾燥・焼成することにより、基板上に塗膜(導体膜)を形成することができる。
あるいは、他の一例として、例えば電子材料の接合に際しては、一の被接合部材(電子材料)に上記銀ペーストを塗工して、その上に他の一の被接合部材(電子材料)を配置して乾燥・焼成することにより、被接合部材間が塗膜(接合部)を介して接合されてなる接合体を作製することができる。
また、焼成においては、銀ペースト中のAg粉末が十分に焼結されるよう、焼成温度や焼成時間を適宜調整する。焼成温度は、使用するベヒクル(主には溶媒と分散剤)が燃え抜ける温度より高く(例えば200〜1000℃に)設定する。一好適な態様では、比較的低温、例えば500℃以下(例えば300℃以下)に設定する。これにより、焼成時の熱収縮(熱応力による歪み)を最小限に抑えることができる。また、焼成時間は、通常凡そ0.1〜5時間程度(典型的には0.5〜2時間)とするとよい。また、焼成雰囲気は、大気雰囲気でもよく、あるいは銀の酸化を防止する観点から不活性ガス雰囲気(すなわち、酸素および炭化水素ガスを実質的に含まない雰囲気)とすることもできる。典型的な雰囲気ガスとしては、窒素ガス、アルゴンやヘリウム等の希ガスが挙げられる。
図1は、一実施形態に係る太陽電池の構造を模式的に示す断面図である。ここには、結晶性シリコンを半導体基板として利用する太陽電池、いわゆる結晶シリコン系太陽電池であって、片面受光タイプの太陽電池(単セル)10を示している。
かかる太陽電池10は、大まかに、p型シリコン基板(Siウエハ:p型結晶シリコンからなるp−Si層)11の受光面(図1では上面)側にpn接合形成により形成されたn−Si層(n+層)16を備え、n−Si層16上には酸化チタンや、二酸化ケイ素、窒化シリコンから成る反射防止膜14と、銀(Ag)からなる表面電極(受光面電極)12とを備えている。また、p型シリコン基板(p−Si層)11の裏面(図1では下面)側には、受光面電極12と同様に銀(Ag)から成る裏面側外部接続用電極22と、いわゆる裏面電界(BSF;Back Surface Field)効果を奏するアルミニウム電極(裏面電極)20と、アルミニウムがp−Si層11に拡散することで形成されるp+層(BSF層)24とを備えている。
図2は、一実施形態に係るセラミック電子デバイスの構造を模式的に示す断面図である。ここには、セラミック電子材料を含む少なくとも二つの電子材料が相互に接合されてなるセラミック電子デバイス30(典型的にはパワーデバイス)を示している。
かかるセラミック電子デバイス30は、大まかに、銅(Cu)等の熱伝導性の高い材料で構成された放熱板32の上に、接合部33を介してセラミック製の絶縁基板(配線基板)34が備えられている。そして、セラミック絶縁基板(配線基板)34の表面には、接合部35を介して金属(例えば銅(Cu))による回路の配線パターン36が描かれており、この配線パターン36の上にはさらに接合部37を介して半導体素子38(例えばシリコン(Si)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)、砒化ガリウム(GaAs)、ダイヤモンド(C)、ゲルマニウム(Ge)あるいは、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor:IGBT)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、ダイオード等)が配置され、これら半導体素子38は使用用途に応じて互いに(あるいは電極と)結線されている。
上記電子材料同士の接合には、ここに開示される銀ペーストが用いることができる。具体的には、上述の銀ペーストを一の被接合部材(電子材料)の表面に塗工し、その上から他方の被接合部材(電子材料)を重ね合わせ、かかる積層体を焼成して当該銀ペーストに含まれる銀を焼結させることで、接合部33,35,37を形成することができる。
HAAKE社製の回転振動型レオメータMARSIIを用いて、上記得られたペーストの粘度を測定した。測定条件は以下の通りである。代表値として、せん断速度10s−1と1000s−1のときの粘度(Pa・s)を表4に示す。
・測定モード:せん断速度依存性測定
・センサー :パラレルプレート(φ20mm)
・測定温度 :25℃
・ギャップ :0.1mm
・せん断速度:0.1〜1000s−1
また、スクリーン印刷などの実使用雰囲気で想定されるせん断速度1000s−1のときの粘度から、ペーストの分散安定性を評価した。結果を表4に示す。なお、一般には粘度が低いほど分散安定性が良好であり、作業性(印刷性)に優れているといえる。
表4では、せん断速度1000s−1のときの粘度が0.1Pa・s以下のものを「◎」、0.1Pa・sより大きく1.0Pa・s以下のものを「○」、1.0Pa・sより大きいものを「×」と表している。なお、例1ではせん断速度1000s−1のときの粘度が1.0Pa・s以下であったが、ダイラタント流体となっていたため分散安定性が不良(×)と判断した。
(1)脂肪酸(例えば、ヘキサン酸(H)やソルビン酸(S))で表面修飾されている銀微粒子;
(2)溶解度パラメータ(SP値)が、7〜10(cal/cm3)0.5である溶媒(例えば、アセテート系溶媒(B)やエーテル系溶媒(D));
(3)リン酸系分散剤(例えばDISPERBYK(登録商標)-111(nP));
を含む例では、銀微粒子が高濃度に含まれる場合(ここでは80〜95質量%の比率で含まれる場合)であっても粘度が低く、分散安定性が良好であった。
上記調製した銀ペーストを市販のシリコン基板上にスクリーン印刷した。これを大気雰囲気において300℃で1時間焼成し、シリコン基板の表面に塗膜を形成した。得られた複合体の印刷面を走査型電子顕微鏡(Scanning Electron Microscope:SEM)で観察し、緻密性を評価した。一例として、例30に係るSEM観察画像を図3に示す。図3において(a)は1000倍の観察画像、(b)は5000倍の観察画像、(c)は1万倍の観察画像を表している。
上記調製した銀ペーストを□5mm×5mmの無酸素銅箔に塗工し、その上から□20mm×20mmの無酸素銅箔に貼り付けて、大気雰囲気・無加圧条件において250℃で1時間焼成した。得られた試験片について、デイジ社製の万能型ボンドテスター4000plusを用いてせん断強度を測定した。
これらの結果は、ここに開示される発明の技術的意義を裏付けるものである。
11 p型シリコン基板(p−Si層)
12 表面電極(受光面電極)
14 反射防止膜
16 n−Si層(n+層)
20 アルミニウム電極(裏面電極)
22 外部接続用電極
24 p+層(BSF層)
30 セラミック電子デバイス
32 放熱板
33 接合部
34 セラミック絶縁基板(配線基板)
35 接合部
36 配線パターン
37 接合部
38 半導体素子
Claims (7)
- 以下の(1)〜(3)の成分:
(1)脂肪酸で表面修飾されているAg粉末;
(2)溶解度パラメータ(SP値)が、7(cal/cm3)0.5以上10(cal/cm3)0.5以下である溶媒;
(3)水に不溶なリン酸系分散剤;
を含む、銀ペースト。 - 前記(1)〜(3)の成分の合計を100質量%としたときに、前記Ag粉末の質量比率が80質量%以上95質量%以下である、請求項1に記載の銀ペースト。
- 前記溶媒が、アセテート系溶媒および/またはエーテル系溶媒である、請求項1または2に記載の銀ペースト。
- 25℃の環境下において、レオメータを用いてせん断速度1000s−1で測定される粘度が1.0Pa・s以下である、請求項1から3のいずれか1項に記載の銀ペースト。
- 前記脂肪酸が、ヘキサン酸および/またはソルビン酸である、請求項1から4のいずれか1項に記載の銀ペースト。
- 電子材料を接合するために用いられる、請求項1から5のいずれか1項に記載の銀ペースト。
- 太陽電池の電極を形成するために用いられる、請求項1から5のいずれか1項に記載の銀ペースト。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014251737A JP6280497B2 (ja) | 2014-12-12 | 2014-12-12 | 銀ペーストおよびその利用 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014251737A JP6280497B2 (ja) | 2014-12-12 | 2014-12-12 | 銀ペーストおよびその利用 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016115464A true JP2016115464A (ja) | 2016-06-23 |
JP6280497B2 JP6280497B2 (ja) | 2018-02-14 |
Family
ID=56142031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014251737A Active JP6280497B2 (ja) | 2014-12-12 | 2014-12-12 | 銀ペーストおよびその利用 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6280497B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021001798A (ja) * | 2019-06-21 | 2021-01-07 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性粉末の評価方法 |
JP2021042310A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 凸版印刷株式会社 | メタリック塗液及び被塗工物 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009120949A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-06-04 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 微小銀粒子含有組成物、その製造方法、微小銀粒子の製造方法および微小銀粒子を有するペースト |
JP2011021271A (ja) * | 2008-12-26 | 2011-02-03 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 微小銀粒子粉末とその製造方法および該粉末を使用した銀ペーストとその利用方法 |
JP2011178839A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Dainippon Toryo Co Ltd | 無機蛍光体分散液の製造方法、無機蛍光体分散液を有するコーティング組成物及びインクジェット用インク |
WO2013108408A1 (ja) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 接合材およびそれを用いた接合方法 |
JP2014055332A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Nippon Handa Kk | 加熱焼結性金属微粒子の製造方法、ペースト状金属微粒子組成物、固形状金属または固形状金属合金の製造方法、金属製部材の接合方法、プリント配線板の製造方法および電気回路接続用バンプの製造方法 |
-
2014
- 2014-12-12 JP JP2014251737A patent/JP6280497B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009120949A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-06-04 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 微小銀粒子含有組成物、その製造方法、微小銀粒子の製造方法および微小銀粒子を有するペースト |
US20100243967A1 (en) * | 2007-10-24 | 2010-09-30 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Composition containing fine silver particles, production method thereof, method for producing fine silver particles, and paste having fine silver particles |
JP2011021271A (ja) * | 2008-12-26 | 2011-02-03 | Dowa Electronics Materials Co Ltd | 微小銀粒子粉末とその製造方法および該粉末を使用した銀ペーストとその利用方法 |
US20110253949A1 (en) * | 2008-12-26 | 2011-10-20 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Fine silver particle powder, method for manufacturing the same, silver paste using the powder, and method of use of the paste |
JP2011178839A (ja) * | 2010-02-26 | 2011-09-15 | Dainippon Toryo Co Ltd | 無機蛍光体分散液の製造方法、無機蛍光体分散液を有するコーティング組成物及びインクジェット用インク |
WO2013108408A1 (ja) * | 2012-01-20 | 2013-07-25 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 接合材およびそれを用いた接合方法 |
US20150028085A1 (en) * | 2012-01-20 | 2015-01-29 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Bonding material and bonding method in which said bonding material is used |
JP2014055332A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-03-27 | Nippon Handa Kk | 加熱焼結性金属微粒子の製造方法、ペースト状金属微粒子組成物、固形状金属または固形状金属合金の製造方法、金属製部材の接合方法、プリント配線板の製造方法および電気回路接続用バンプの製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021001798A (ja) * | 2019-06-21 | 2021-01-07 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性粉末の評価方法 |
JP7322540B2 (ja) | 2019-06-21 | 2023-08-08 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電性粉末の評価方法 |
JP2021042310A (ja) * | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 凸版印刷株式会社 | メタリック塗液及び被塗工物 |
JP7388069B2 (ja) | 2019-09-11 | 2023-11-29 | Toppanホールディングス株式会社 | メタリック塗液及び被塗工物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6280497B2 (ja) | 2018-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6279691B2 (ja) | 導電体の接続構造及びその製造方法、導電性組成物並びに電子部品モジュール | |
TWI705998B (zh) | 導電性組成物及使用該導電性組成物的電子組件 | |
CN105321711B (zh) | 导电浆料 | |
TWI716639B (zh) | 接合材料及使用其之接合方法 | |
JP7302478B2 (ja) | 熱電変換モジュールの製造方法、熱電変換モジュール及び熱電変換モジュール用接合材 | |
JP6462715B2 (ja) | 電子部品の導電性接合体及びこれを用いた半導体装置、並びに導電性接合体の製造方法 | |
TW201505737A (zh) | 接合材及使用其之接合方法 | |
WO2019093427A1 (ja) | 接合体の製造方法及び接合材 | |
WO2020032161A1 (ja) | 接合用組成物、並びに導電体の接合構造及びその製造方法 | |
JP2016525495A (ja) | 焼結が難しい貴金属表面および非貴金属表面上に酸化銀が被覆された焼結ペースト | |
TW201926365A (zh) | 導電性漿料、電子零件、及層積陶瓷電容器 | |
JP6280497B2 (ja) | 銀ペーストおよびその利用 | |
JPWO2016152214A1 (ja) | 銅粉及びそれを含む導電性組成物 | |
TWI785319B (zh) | 加壓接合用組合物、以及導電體之接合構造及其製造方法 | |
JP2014210947A (ja) | 金属ナノ粒子材料、それを含有する接合材料、およびそれを用いた半導体装置 | |
TW201911989A (zh) | 金屬接合積層體的製造方法 | |
JP6722679B2 (ja) | 導電性ペースト | |
JP2013149566A (ja) | 導電性組成物及び接合体の製造方法 | |
JP2017172029A (ja) | Niナノ粒子を用いた接合材料及び接合構造体 | |
JP2017143202A (ja) | 内部電極用ペーストとその製造方法、及び積層セラミックコンデンサ | |
JP6947280B2 (ja) | 銀ペースト及びその製造方法並びに接合体の製造方法 | |
TWI841606B (zh) | 接合體及半導體裝置的製造方法以及接合用銅糊 | |
JP7487011B2 (ja) | 接合材、接合材の製造方法及び接合方法 | |
JP2021138991A (ja) | 接合材、接合材の製造方法及び接合方法 | |
JP2020164894A (ja) | 接合材、接合材の製造方法、接合方法、半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160722 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170803 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180119 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6280497 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |