JP2016108660A5 - - Google Patents
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Description
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、金属製の基材（１）と、基材（１）上に形成される下地（２）と、下地（２）上に形成されるとともに、互いに異なる材質からなる複数の膜（３１、３２）を交互に積層することで構成された絶縁膜（３）とを備え、下地（２）は、基材（１）上で起こる表面化学反応を用いたコーティング方法以外の方法により形成されており、下地（２）のうち、基材（１）と接触する部位は、アモルファスであり、基材（１）は、ステンレスまたはアルミニウムで形成されており、下地（２）は、シリコン化合物または酸化アルミニウムで形成されていることを特徴とする。
請求項９に記載の発明では、金属製の基材（１）と、基材（１）上に形成される下地（２）と、下地（２）上に形成されるとともに、互いに異なる材質からなる複数の膜（３１、３２）を交互に積層することで構成された絶縁膜（３）とを備えている。そして、下地（２）のうち、基材（１）と接触する部位は、シリコン化合物によって構成されていることを特徴とする。
また、請求項１３に記載の発明では、金属製の基材（１）を用意し、基材（１）の上に下地（２）を形成する。続いて、原子層堆積法によって、下地（２）の上に、互いに異なる材質からなる複数の膜（３１、３２）を交互に積層することで絶縁膜（３）を形成する。そして、下地（２）を形成する工程では、下地（２）のうち基材（１）と接触する部位がシリコン化合物となるように下地（２）を形成し、基材（１）の表面に異物（４）が付着している場合は異物（４）の表面全体を被覆可能な厚さになるように下地（２）を形成することを特徴とする。
Claims (13)
- 金属製の基材（１）と、
前記基材（１）上に形成される下地（２）と、
前記下地（２）上に形成されるとともに、互いに異なる材質からなる複数の膜（３１、３２）を交互に積層することで構成された絶縁膜（３）とを備え、
前記下地（２）は、前記基材（１）上で起こる表面化学反応を用いたコーティング方法以外の方法により形成されており、
前記下地（２）のうち、前記基材（１）と接触する部位は、アモルファスであり、
前記基材（１）は、ステンレスまたはアルミニウムで形成されており、
前記下地（２）は、シリコン化合物または酸化アルミニウムで形成されていることを特徴とするコーティング構造。 - 前記絶縁膜（３）を構成する前記複数の膜（３１、３２）のうち、少なくとも１つの膜（３１）は、アモルファスであることを特徴とする請求項１に記載のコーティング構造。
- 前記下地（２）のうち、前記絶縁膜（３）と接触する部位は、アモルファスであることを特徴とする請求項１または２に記載のコーティング構造。
- 前記絶縁膜（３）のうち、前記下地（２）と接触する部位は、アモルファスであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のコーティング構造。
- 前記下地（２）の厚さ（Ｄ）は、１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載のコーティング構造。
- 前記絶縁膜（３）のうち、前記下地（２）と反対側の最外側部位は、アモルファスであり、かつ、絶縁性を有する材質から構成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載のコーティング構造。
- 前記基材（１）は、ステンレスで形成されており、
前記基材（１）の表面には、クロム、マンガンおよび酸素の少なくとも１つを含有する表面層（２０）が形成されており、
前記表面層（２０）の厚さは、１０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載のコーティング構造。 - 前記絶縁膜（３）は、原子層堆積法によって形成されていることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１つに記載のコーティング構造。
- 金属製の基材（１）と、
前記基材（１）上に形成される下地（２）と、
前記下地（２）上に形成されるとともに、互いに異なる材質からなる複数の膜（３１、３２）を交互に積層することで構成された絶縁膜（３）とを備え、
前記下地（２）のうち、前記基材（１）と接触する部位は、シリコン化合物によって構成されていることを特徴とする熱交換器。 - 前記シリコン化合物は、アモルファスであることを特徴とする請求項９に記載の熱交換器。
- 前記シリコン化合物は、ＳｉＣ、ＳｉＮ、ＳｉＣＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯＮのうちの少なくとも１つであるか、または、複数を含んだ混合物であることを特徴とする請求項９または１０に記載の熱交換器。
- 前記基材（１）は、互いにろう付けされた複数の部材（１１０〜１８０）によって構成されていることを特徴とする請求項９ないし１１のいずれか１つに記載の熱交換器。
- 金属製の基材（１）を用意する工程と、
前記基材（１）の上に下地（２）を形成する工程と、
原子層堆積法によって、前記下地（２）の上に、互いに異なる材質からなる複数の膜（３１、３２）を交互に積層することで絶縁膜（３）を形成する工程と、
を含み、
前記下地（２）を形成する工程では、前記下地（２）のうち前記基材（１）と接触する部位がシリコン化合物となるように前記下地（２）を形成し、前記基材（１）の表面に異物（４）が付着している場合は前記異物（４）の表面全体を被覆可能な厚さになるように前記下地（２）を形成することを特徴とする熱交換器の製造方法。
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