JP2016072558A - 半導体製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ガス導入部4に沿って抵抗加熱ヒータ5を備える。これにより、ガス導入部4の上下方向の温度分布を抑制し、ガス導入部4の熱疲労破壊を抑制することを可能とする。このようなSiC層製造装置1によれば、ガス導入部4内の温度均一化を図ることができ、ガス導入部4の熱疲労破壊を抑制することを可能にできる。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態について説明する。本実施形態では、半導体製造装置として、炭化珪素(以下、SiCという)にて構成される半導体基板上にSiC層を形成するSiC層製造装置を例に挙げて説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してガス導入部4の回転機構を備えるようにしたものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第1、第2実施形態に対して抵抗加熱ヒータ5の構成を変更したものであり、その他については第1、第2実施形態と同様であるため、第1、第2実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは、第1実施形態に対して抵抗加熱ヒータ5の構成を変更した場合について説明するが、第2実施形態についても同様の構成を適用できる。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第1〜第3実施形態に対してガス導入部4および抵抗加熱ヒータ5の構成を変更したものであり、その他については第1〜第3実施形態と同様であるため、第1〜第3実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは、第3実施形態に対して抵抗加熱ヒータ5の構成を変更した場合について説明するが、第1、第2実施形態についても同様の構成を適用できる。
本発明の第5実施形態について説明する。本実施形態は、第1〜第4実施形態に対してガス導入部4の構成を変更したものであり、その他については第1〜第4実施形態と同様であるため、第1〜第4実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは、第4実施形態に対して抵抗加熱ヒータ5の構成を変更した場合について説明するが、第1〜第3実施形態についても同様の構成を適用できる。
本発明の第6実施形態について説明する。本実施形態は、第1〜第5実施形態に対して半導体基板10の加熱機構を備えたものであり、その他については第1〜第5実施形態と同様であるため、第1〜第5実施形態と異なる部分についてのみ説明する。なお、ここでは、第5実施形態に対して抵抗加熱ヒータ5の構成を変更した場合について説明するが、第1〜第4実施形態についても同様の構成を適用できる。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
3a 供給ガス
4 ガス導入部
4a 拡径部
4b 中央部
5 抵抗加熱ヒータ
6 サセプタ
6a 設置面
7、8 回転機構
9 ヒータ
10 半導体基板
Claims (6)
- 半導体原料ガスを含む供給ガス(3a)が導入されるガス導入口(2a)と排出されるガス排出口(2b)とを有した中空形状の容器(2)と、
前記容器内に配置されると共に前記供給ガスの供給経路の一部を構成し、前記供給ガスのガス入口とガス出口を有する中空部を備え、前記ガス供給経路の上流側から下流側に向かって内径および外径が徐々に広がる断面テーパ状部分を有する筒状部材で構成されたガス導入部(4)と、
前記ガス導入部の外周面に沿って配置された抵抗加熱ヒータ(5)と、
前記抵抗加熱ヒータにて加熱された前記ガス導入部を通じて供給される前記供給ガスが供給され、前記ガス出口に対向配置された半導体基板(10)の設置面(6a)を有するサセプタ(6)と、を有していることを特徴とする半導体製造装置。 - 前記抵抗加熱ヒータは、前記供給ガスの上流から下流に向かって複数に分割していることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
- 前記ガス導入部は、前記供給ガスの供給経路の上流が前記断面テーパ状部分とされ、該断面テーパ状部分よりも前記供給ガスの供給経路の下流側において断面直線状部分とされていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体製造装置。
- 前記ガス導入部は、前記断面テーパ状部分を含む拡径部(4a)に加えて、該拡径部の内側に配置された円錐形状もしくは円錐台形状とされた中央部(4b)を有し、
前記抵抗加熱ヒータは、前記中央部における前記供給ガスの供給経路と反対側にも配置されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体製造装置。 - 前記サセプタのうち前記設置面の反対側には、前記半導体基板を加熱するヒータ(9)が備えられていることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体製造装置。
- 前記ガス導入部と前記抵抗加熱ヒータの少なくとも一方が前記ガス導入部の中心軸を中心として回転させられることで、前記ガス導入部が前記抵抗加熱ヒータに対して相対回転させられることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体製造装置。
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