JP2016072472A - Multilayer circuit board, and method for manufacturing multilayer circuit board - Google Patents

Multilayer circuit board, and method for manufacturing multilayer circuit board Download PDF

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JP2016072472A JP2014201454A JP2014201454A JP2016072472A JP 2016072472 A JP2016072472 A JP 2016072472A JP 2014201454 A JP2014201454 A JP 2014201454A JP 2014201454 A JP2014201454 A JP 2014201454A JP 2016072472 A JP2016072472 A JP 2016072472A
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和太 伊藤
Kazuhiro Ito
和太 伊藤
丸山 豊太郎
Toyotaro Maruyama
豊太郎 丸山
光男 武谷
Mitsuo Takeya
光男 武谷
孝幸 馬塲
Takayuki Baba
孝幸 馬塲
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer circuit board excellent in reflow heat resistance and a method for manufacturing the same.SOLUTION: A multilayer circuit board includes: a multilayer substrate 500 which has such a multilayer structure that an insulating layer 30 and a circuit layer 20 are alternately laminated, whose the outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is the circuit layer 20; a plating film 40 provided on the surface of the circuit layer 20; and an insulating resin layer 200 which is provided on a surface in an opposite side to the circuit layer 20 of the plating film 40. The insulating resin layer 200 is formed of a resin composition containing a thermosetting resin, and a guanidine derivative having a guanidine structural unit in a molecular structure. The guanidine structural unit is a guanidine group represented by the following formula (1).SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は多層回路基板、および多層回路基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a multilayer circuit board and a method for manufacturing the multilayer circuit board.

近年、電子機器の高機能化等の要求に伴い、電子部品の高密度集積化、更には高密度実装化等が進んでおり、これらに使用される高密度実装対応のプリント配線板等は、従来にも増して、小型化および高密度化が進んでいる。このプリント配線板の高密度化への対応として、ビルドアップ方式による多層プリント配線板が多く採用されている(特許文献1等)。   In recent years, with the demand for higher functionality of electronic devices, etc., high-density integration of electronic components, and further high-density mounting, etc. are progressing. Compared to the conventional technology, miniaturization and high density are progressing. As a countermeasure for increasing the density of this printed wiring board, a multilayer printed wiring board by a build-up method is often employed (Patent Document 1 etc.).

ビルドアップ方式による多層プリント配線板の絶縁層には、通常、熱硬化性樹脂組成物が用いられる。信頼性等を考慮し、絶縁層には、低熱膨張率で、ガラス転移温度の高い樹脂組成物が求められている。そして、上記絶縁層には、今後のさらなる微細配線化、小型化に伴って、吸湿後の信頼性の向上が要求されている。   A thermosetting resin composition is usually used for the insulating layer of the multilayer printed wiring board by the build-up method. In consideration of reliability and the like, a resin composition having a low coefficient of thermal expansion and a high glass transition temperature is required for the insulating layer. And the said insulating layer is requested | required for the improvement of the reliability after moisture absorption with the further further miniaturization wiring and size reduction in the future.

こうした要求を満たすべく、絶縁層を形成する樹脂組成物について、これまでに種々の検討がなされている(特許文献2等)。   In order to satisfy these requirements, various studies have been made on resin compositions for forming an insulating layer (Patent Document 2, etc.).

特開平07−106767号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 07-106767 特開2010−77262号公報JP 2010-77262 A

しかしながら、従来の絶縁層を含むこれまでの多層プリント配線板には、回路層と絶縁層との間の密着性という観点において、依然として、改善の余地を有していることを知見した。具体的には、本発明者らは、従来の絶縁層を含む多層プリント配線板を用いて複数回の半田リフロー処理を実施した場合には、絶縁層と回路層とが剥離(デラミネーション)してしまう可能性があることを見出した。このように、従来の絶縁層を含む多層プリント配線板は、半田リフロー処理後の耐熱性、すなわちリフロー耐熱性という点において改善の余地を有していた。   However, it has been found that conventional multilayer printed wiring boards including conventional insulating layers still have room for improvement in terms of adhesion between the circuit layer and the insulating layer. Specifically, the present inventors have peeled (delaminated) the insulating layer from the circuit layer when a plurality of solder reflow processes are performed using a multilayer printed wiring board including a conventional insulating layer. It was found that there is a possibility that. Thus, the conventional multilayer printed wiring board including the insulating layer has room for improvement in terms of heat resistance after the solder reflow process, that is, reflow heat resistance.

以上を踏まえ、本発明は、リフロー耐熱性に優れた多層回路基板、およびその製造方法を提供することを課題とする。   Based on the above, an object of the present invention is to provide a multilayer circuit board excellent in reflow heat resistance and a method for manufacturing the same.

本発明によれば、絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材と、
前記回路層の表面に設けられためっき膜と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、
熱硬化性樹脂と、
分子構造中にグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体と、を含む樹脂組成物により形成され、
前記グアニジン構造単位が、下記式(1)に示されるグアニジン基である、多層回路基板が提供される。
According to the present invention, the multilayer base material has a multilayer structure in which insulating layers and circuit layers are alternately stacked, and the outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is a circuit layer;
A plating film provided on the surface of the circuit layer;
An insulating resin layer provided on a surface opposite to the circuit layer of the plating film,
The insulating resin layer is
A thermosetting resin;
A guanidine derivative having a guanidine structural unit in the molecular structure, and a resin composition comprising
There is provided a multilayer circuit board in which the guanidine structural unit is a guanidine group represented by the following formula (1).

Figure 2016072472
Figure 2016072472

さらに、本発明によれば、絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材と、
前記回路層の表面に設けられためっき膜と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂および珪灰石を含む樹脂組成物により形成された、多層回路基板が提供される。
Furthermore, according to the present invention, the multilayer base material has a multilayer structure in which insulating layers and circuit layers are alternately laminated, and the outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is a circuit layer;
A plating film provided on the surface of the circuit layer;
An insulating resin layer provided on a surface opposite to the circuit layer of the plating film,
A multilayer circuit board is provided in which the insulating resin layer is formed of a resin composition containing a thermosetting resin and wollastonite.

さらに、本発明によれば、絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材を準備する工程と、
前記回路層の表面にめっき膜を形成する工程と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に、絶縁樹脂層を形成する工程と
を含み、
前記絶縁樹脂層が、
熱硬化性樹脂と、
分子構造中にグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体と、を含む樹脂組成物により形成され、
前記グアニジン構造単位が、下記式(1)に示されるグアニジン基である、多層回路基板の製造方法が提供される。
Furthermore, according to the present invention, a step of preparing a multilayer base material having a multilayer structure in which insulating layers and circuit layers are alternately laminated, wherein the outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is a circuit layer; ,
Forming a plating film on the surface of the circuit layer;
Forming an insulating resin layer on a surface of the plating film opposite to the circuit layer,
The insulating resin layer is
A thermosetting resin;
A guanidine derivative having a guanidine structural unit in the molecular structure, and a resin composition comprising
There is provided a method for producing a multilayer circuit board, wherein the guanidine structural unit is a guanidine group represented by the following formula (1).

Figure 2016072472
Figure 2016072472

さらに、本発明によれば、絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材を準備する工程と、
前記回路層の表面にめっき膜を設ける工程と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に、絶縁樹脂層を形成する工程と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂および珪灰石を含む樹脂組成物により形成される、多層回路基板の製造方法が提供される。
Furthermore, according to the present invention, a step of preparing a multilayer base material having a multilayer structure in which insulating layers and circuit layers are alternately laminated, wherein the outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is a circuit layer; ,
Providing a plating film on the surface of the circuit layer;
A step of forming an insulating resin layer on the surface of the plating film opposite to the circuit layer,
There is provided a method for producing a multilayer circuit board, wherein the insulating resin layer is formed of a resin composition containing a thermosetting resin and wollastonite.

本発明によれば、リフロー耐熱性に優れた多層回路基板、およびその製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the multilayer circuit board excellent in reflow heat resistance, and its manufacturing method can be provided.

本実施形態に係る多層回路基板の一例を示す模式図である。It is a mimetic diagram showing an example of a multilayer circuit board concerning this embodiment. 本実施形態に係る多層回路基板の製造方法の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the manufacturing method of the multilayer circuit board which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る多層回路基板の製造方法の一例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows an example of the manufacturing method of the multilayer circuit board which concerns on this embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In all the drawings, the same reference numerals are given to the same components, and the description will be omitted as appropriate.

<多層回路基板1000>
図1は、本実施形態に係る多層回路基板1000の一例を示す模式図である。
図1に示すように、本実施形態に係る多層回路基板1000は、絶縁層30および回路層20が交互に積層した多層構造を有し、多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層20である多層基材500と、回路層20の表面に設けられためっき膜40と、めっき膜40の回路層20とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層200とを備えたものである。
<Multilayer circuit board 1000>
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of a multilayer circuit board 1000 according to the present embodiment.
As shown in FIG. 1, a multilayer circuit board 1000 according to this embodiment has a multilayer structure in which insulating layers 30 and circuit layers 20 are alternately stacked, and the outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is a circuit. A multilayer substrate 500 that is the layer 20, a plating film 40 provided on the surface of the circuit layer 20, and an insulating resin layer 200 provided on the surface of the plating film 40 opposite to the circuit layer 20 It is.

そして、本実施形態に係る多層回路基板1000には、図1に示すように、当該多層回路基板1000を貫通する第1の貫通ビア300が設けられ、第1の貫通ビア300の側壁にスルーホールめっき50が形成されている。また、図1に示すように、めっき膜40は、第1の貫通ビア300の側壁を覆うスルーホールめっき50と連続一体に形成されている。さらに、本実施形態に係る多層回路基板1000は、絶縁樹脂層200の回路層20とは反対側の面に設けられた金属層60を備え、多層基材500には、当該多層基材500を貫通する第2の貫通ビア100が設けられている。この第2の貫通ビア100は絶縁樹脂層200の回路層20側の面の一部が、当該第2の貫通ビア100から見て露出するように設けられている。   As shown in FIG. 1, the multilayer circuit board 1000 according to the present embodiment is provided with a first through via 300 that penetrates the multilayer circuit board 1000, and a through hole is formed in the side wall of the first through via 300. A plating 50 is formed. As shown in FIG. 1, the plating film 40 is formed integrally with a through-hole plating 50 that covers the side wall of the first through via 300. Furthermore, the multilayer circuit board 1000 according to the present embodiment includes a metal layer 60 provided on the surface of the insulating resin layer 200 opposite to the circuit layer 20, and the multilayer substrate 500 includes the multilayer substrate 500. A second through via 100 is provided to penetrate therethrough. The second through via 100 is provided such that a part of the surface of the insulating resin layer 200 on the circuit layer 20 side is exposed when viewed from the second through via 100.

ここで、めっき膜40や、スルーホールめっき50の表面は、たとえば、エッチングにより表面に凹凸形状を形成したり、さらに、シランカップリング剤やシラン化合物、アミン化合物などを用いて化学的に表面処理されたものであること、が好ましい。こうすることで、従来の多層回路基板と比べて、絶縁樹脂層200とめっき膜40との密着性を向上させることができる。ここで、めっき膜40や、スルーホールめっき50を形成する材料は、たとえば、銅及び/又は銅系合金、アルミ及び/又はアルミ系合金、鉄及び/又は鉄系合金、銀及び/又は銀系合金、金及び/又は金系合金、亜鉛及び/又は亜鉛系合金、ニッケル及び/又はニッケル系合金、錫及び/又は錫系合金等の金属箔などを用いることができる。   Here, the surface of the plating film 40 or the through-hole plating 50 is formed by, for example, forming an uneven shape on the surface by etching, or further chemically surface-treating using a silane coupling agent, a silane compound, an amine compound, or the like. It is preferable that By doing so, the adhesion between the insulating resin layer 200 and the plating film 40 can be improved as compared with the conventional multilayer circuit board. Here, the material for forming the plating film 40 and the through-hole plating 50 is, for example, copper and / or a copper-based alloy, aluminum and / or an aluminum-based alloy, iron and / or an iron-based alloy, silver and / or a silver-based material. Metal foils such as alloys, gold and / or gold alloys, zinc and / or zinc alloys, nickel and / or nickel alloys, tin and / or tin alloys can be used.

本実施形態に係る絶縁樹脂層200の厚さは、多層回路基板1000の電気的接続信頼性を向上させる観点から、5μm以上300μm以下であることが好ましく、10μm以上250μm以下であるとさらに好ましい。なお、本実施形態に係る絶縁樹脂層200を形成する樹脂組成物の詳細については、後述する。   The thickness of the insulating resin layer 200 according to the present embodiment is preferably 5 μm or more and 300 μm or less, and more preferably 10 μm or more and 250 μm or less, from the viewpoint of improving the electrical connection reliability of the multilayer circuit board 1000. In addition, the detail of the resin composition which forms the insulating resin layer 200 which concerns on this embodiment is mentioned later.

本実施形態においては、絶縁樹脂層200を形成する樹脂組成物の配合組成に係る各種因子を高度に制御することによって、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性をより一層優れたものとすることができる。   In the present embodiment, various factors such as dielectric characteristics, mechanical and electrical connection reliability under high temperature and high humidity are controlled by highly controlling various factors related to the composition of the resin composition forming the insulating resin layer 200. The characteristics can be further improved.

<多層回路基板1000の製造方法>
図2および図3を参照して、本実施形態に係る多層回路基板1000の製造方法について説明する。
まず、図2(a)に示すコア層10を準備する。次に、図2(b)に示すように、準備したコア層10の両面に対して、絶縁層30および回路層20を交互に積層し、加熱、加圧することにより多層構造を形成する。このとき、上記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層20となるように、絶縁層30および回路層20を積層する。本実施形態に係る製造方法においては、このようにして、多層基材500を作製する。
なお、上述した多層構造を形成する際に加熱する温度は、最高到達温度が165℃以上250℃以下であることが好ましく、最高到達温度が175℃以上200℃以下であるとさらに好ましい。そして、加圧する圧力は、0.5MPa以上5MPa以下が好ましく、1MPa以上4MPa以下であるとさらに好ましい。
<Method for Manufacturing Multilayer Circuit Board 1000>
With reference to FIG. 2 and FIG. 3, the manufacturing method of the multilayer circuit board 1000 which concerns on this embodiment is demonstrated.
First, the core layer 10 shown in FIG. Next, as shown in FIG. 2B, the insulating layer 30 and the circuit layer 20 are alternately laminated on both surfaces of the prepared core layer 10, and a multilayer structure is formed by heating and pressing. At this time, the insulating layer 30 and the circuit layer 20 are laminated so that the outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure becomes the circuit layer 20. In the manufacturing method according to the present embodiment, the multilayer substrate 500 is manufactured in this manner.
In addition, as for the temperature heated when forming the multilayered structure mentioned above, it is preferable that the highest attained temperature is 165 degreeC or more and 250 degrees C or less, and it is further more preferable that the highest attained temperature is 175 degreeC or more and 200 degrees C or less. The pressure applied is preferably 0.5 MPa or more and 5 MPa or less, and more preferably 1 MPa or more and 4 MPa or less.

上述したコア層10は、たとえば、上述した絶縁樹脂層200を形成する樹脂組成物を基材に含浸させてなるものである。これにより、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れたプリント配線板を製造するのに好適なコア層10を得ることができる。そして、上述した基材としては、たとえば、ガラス織布、ガラス不織布等のガラス繊維基材、ポリアミド樹脂繊維、芳香族ポリアミド樹脂繊維、全芳香族ポリアミド樹脂繊維等のポリアミド系樹脂繊維、ポリエステル樹脂繊維、芳香族ポリエステル樹脂繊維、全芳香族ポリエステル樹脂繊維等のポリエステル系樹脂繊維、ポリイミド樹脂繊維、フッ素樹脂繊維等を主成分とする織布または不織布で構成される合成繊維基材、クラフト紙、コットンリンター紙、リンターとクラフトパルプの混抄紙等を主成分とする紙基材等の有機繊維基材等が挙げられる。これらの中でもガラス繊維基材が好ましい。これにより、コア層10の強度が向上し、吸水率を下げることができ、また熱膨張係数を小さくすることができる。   The core layer 10 described above is formed, for example, by impregnating a base material with the resin composition that forms the insulating resin layer 200 described above. Thereby, the core layer 10 suitable for manufacturing a printed wiring board excellent in various characteristics such as dielectric properties, mechanical and electrical connection reliability under high temperature and high humidity can be obtained. Examples of the base material described above include glass fiber base materials such as glass woven fabric and glass nonwoven fabric, polyamide resin fibers, aromatic polyamide resin fibers, polyamide resin fibers such as wholly aromatic polyamide resin fibers, and polyester resin fibers. Synthetic fiber base materials composed of woven or non-woven fabrics mainly composed of polyester resin fibers such as aromatic polyester resin fibers and wholly aromatic polyester resin fibers, polyimide resin fibers and fluororesin fibers, kraft paper, cotton Examples thereof include organic fiber base materials such as paper base materials mainly composed of linter paper, mixed paper of linter and kraft pulp, and the like. Among these, a glass fiber base material is preferable. Thereby, the intensity | strength of the core layer 10 improves, a water absorption can be lowered | hung, and a thermal expansion coefficient can be made small.

そして、ガラス繊維基材を構成するガラスとしては、例えば、Eガラス、Cガラス、Aガラス、Sガラス、Dガラス、NEガラス、Tガラス、Hガラス等が挙げられる。これらの中でもEガラス、Tガラス、または、Sガラスが好ましい。これにより、ガラス繊維基材の高弾性化を達成することができ、熱膨張係数も小さくすることができる。   And as glass which comprises a glass fiber base material, E glass, C glass, A glass, S glass, D glass, NE glass, T glass, H glass etc. are mentioned, for example. Among these, E glass, T glass, or S glass is preferable. Thereby, the high elasticity of a glass fiber base material can be achieved and a thermal expansion coefficient can also be made small.

なお、上述したコア層10を製造する方法は、例えば、エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂ワニスを調製し、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより塗布する方法、スプレーにより吹き付ける方法等が挙げられる。これらの中でも、基材を樹脂ワニスに浸漬する方法が好ましい。これにより、基材に対する樹脂組成物の含浸性を向上させることができる。なお、基材を樹脂ワニスに浸漬する場合、通常の含浸塗布設備を使用することができる。なお、樹脂ワニスに用いられる溶媒は、樹脂組成物中の樹脂成分に対して良好な溶解性を示すことが望ましいが、悪影響を及ぼさない範囲で貧溶媒を使用しても構わない。良好な溶解性を示す溶媒は、例えばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セロソルブ系、カルビトール系等が挙げられる。樹脂ワニスの固形分は、前記樹脂組成物の固形分50〜80重量%が好ましく、特に60〜78重量%が好ましい。これにより、樹脂ワニスの基材への含浸性を更に向上できる。基材に樹脂組成物を含浸させる所定温度、例えば90〜220℃等で乾燥させることによりコア層10を得ることが出来る。   In addition, the method of manufacturing the core layer 10 mentioned above prepares the resin varnish using an epoxy resin composition, for example, the method of immersing a base material in the resin varnish, the method of apply | coating with various coaters, the method of spraying by a spray, etc. Is mentioned. Among these, the method of immersing the base material in the resin varnish is preferable. Thereby, the impregnation property of the resin composition with respect to a base material can be improved. In addition, when a base material is immersed in a resin varnish, a normal impregnation coating equipment can be used. In addition, although it is desirable that the solvent used for the resin varnish exhibits good solubility with respect to the resin component in the resin composition, a poor solvent may be used as long as it does not have an adverse effect. Examples of the solvent exhibiting good solubility include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, ethylene glycol, cellosolve, and carbitol. The solid content of the resin varnish is preferably 50 to 80% by weight, particularly preferably 60 to 78% by weight, based on the resin composition. Thereby, the impregnation property to the base material of a resin varnish can further be improved. The core layer 10 can be obtained by drying at a predetermined temperature for impregnating the substrate with the resin composition, for example, 90 to 220 ° C.

次に、図2(c)に示すように、多層基材500に対して、当該多層基材500を貫通するように、第2の貫通ビア100を形成する。次いで、図2(d)に示すように、めっき膜40を形成する。そして、形成しためっき膜40の表面は、たとえば、上述したように、化学的に表面処理されたものであることが好ましい。ここで、第2の貫通ビア100は、後述する絶縁樹脂層200を設けた時に、前記絶縁樹脂層の前記回路層側の面の一部が、前記第2の貫通ビアの開口表面に露出するように設けられる。上記めっき膜40を形成する材料は、たとえば、銅及び/又は銅系合金、アルミ及び/又はアルミ系合金、鉄及び/又は鉄系合金、銀及び/又は銀系合金、金及び/又は金系合金、亜鉛及び/又は亜鉛系合金、ニッケル及び/又はニッケル系合金、錫及び/又は錫系合金等の金属箔などを用いることができる。また、めっき膜40の厚みは、取り扱い性を良好にする観点から、たとえば、10μm以上200μm以下とすることが好ましい。   Next, as illustrated in FIG. 2C, the second through via 100 is formed so as to penetrate the multilayer substrate 500 with respect to the multilayer substrate 500. Next, as shown in FIG. 2D, a plating film 40 is formed. And it is preferable that the surface of the formed plating film 40 is chemically surface-treated as mentioned above, for example. Here, in the second through via 100, when an insulating resin layer 200 described later is provided, a part of the surface of the insulating resin layer on the circuit layer side is exposed to the opening surface of the second through via. It is provided as follows. The material for forming the plating film 40 is, for example, copper and / or a copper-based alloy, aluminum and / or an aluminum-based alloy, iron and / or an iron-based alloy, silver and / or a silver-based alloy, gold and / or a gold-based material. Metal foils such as alloys, zinc and / or zinc-based alloys, nickel and / or nickel-based alloys, tin and / or tin-based alloys can be used. Moreover, it is preferable that the thickness of the plating film 40 shall be 10 micrometers or more and 200 micrometers or less from a viewpoint of making handleability favorable.

次いで、図2(e)に示すように、第2の貫通ビア100を穴埋め材で充填し、第2の貫通ビア100を設けかつ穴埋め材で充填した多層基材500に形成しためっき膜40を覆うように、絶縁樹脂層200を形成する。また同時に、形成した絶縁樹脂層200の上記めっき膜40とは反対側の面に金属層60を形成する。   Next, as shown in FIG. 2E, the plated film 40 formed on the multilayer base material 500 in which the second through via 100 is filled with the hole filling material, the second through via 100 is provided and filled with the hole filling material is formed. An insulating resin layer 200 is formed so as to cover it. At the same time, a metal layer 60 is formed on the surface of the formed insulating resin layer 200 opposite to the plating film 40.

次に、図3(f)に示すように、多層基材500、めっき膜40、絶縁樹脂層200および最外層に形成した金属層60を貫通するように、たとえば、ドリル等を用いて第1の貫通ビア300を形成する。次いで、図3(g)に示すように、最外層に形成した金属層60および第1の貫通ビア300の側面を覆うようにスルーホールめっき50を形成する。形成したスルーホールめっき50の表面は、たとえば、上述したように、化学的に表面処理されたものであることが好ましい。このスルーホールめっき50は、回路層20の表面および第2の貫通ビア100の側面を覆うように形成しためっき膜40と連続一体に形成されている。そして、スルーホールめっき50を形成する材料は、上述しためっき膜40を形成する材料と同じものを使用することができる。   Next, as shown in FIG. 3 (f), for example, a first drill is used so as to penetrate through the multilayer substrate 500, the plating film 40, the insulating resin layer 200, and the metal layer 60 formed in the outermost layer. The through via 300 is formed. Next, as illustrated in FIG. 3G, the through-hole plating 50 is formed so as to cover the metal layer 60 formed in the outermost layer and the side surfaces of the first through via 300. It is preferable that the surface of the formed through-hole plating 50 is chemically surface-treated as described above, for example. The through-hole plating 50 is formed integrally with a plating film 40 formed so as to cover the surface of the circuit layer 20 and the side surface of the second through via 100. And the material which forms the through-hole plating 50 can use the same material as the material which forms the plating film 40 mentioned above.

次いで、ドリル等によりビア400を形成する。次いで、ビア400の側壁にめっき膜を形成する(図示せず)。こうすることで、図1に示す本実施形態に係る多層回路基板1000を得ることができる。   Next, the via 400 is formed by a drill or the like. Next, a plating film is formed on the sidewall of the via 400 (not shown). By doing so, the multilayer circuit board 1000 according to the present embodiment shown in FIG. 1 can be obtained.

ここで、半田リフロー処理時には、相当量の水蒸気が発生する。そして、半田リフロー処理時に発生した水蒸気の圧は、多層回路基板1000における絶縁樹脂層200とめっき膜40との界面領域に加わることになる。   Here, a considerable amount of water vapor is generated during the solder reflow process. The water vapor pressure generated during the solder reflow process is applied to the interface region between the insulating resin layer 200 and the plating film 40 in the multilayer circuit board 1000.

従来の多層回路基板においては、上述した半田リフロー処理時に発生した水蒸気圧が絶縁層とめっき膜の剥離駆動力となり、剥離(デラミネーション)が生じていたものと考えられる。また、従来の多層回路基板においても、絶縁樹脂層とめっき膜の密着性を向上させるために、めっき膜の表面を化学処理することがある。しかしながら、めっき膜の表面を化学的に表面処理した場合においても、従来の多層回路基板における絶縁樹脂層とめっき膜との密着強度は、上述した剥離駆動力により発生する剥離(デラミネーション)を抑制するためには、不十分であった。   In the conventional multilayer circuit board, it is considered that the water vapor pressure generated during the above-described solder reflow processing becomes a peeling driving force between the insulating layer and the plating film, and peeling (delamination) occurs. Also, in the conventional multilayer circuit board, the surface of the plating film may be chemically treated in order to improve the adhesion between the insulating resin layer and the plating film. However, even when the surface of the plating film is chemically treated, the adhesion strength between the insulating resin layer and the plating film in the conventional multilayer circuit board suppresses the peeling (delamination) caused by the peeling driving force described above. It was not enough to do.

一方、本実施形態に係る多層回路基板1000は、絶縁樹脂層200を、熱硬化性樹脂とともに、分子構造中に下記式(1)に示されるグアニジン基をグアニジン構造単位として有するグアニジン誘導体、または珪灰石を含む樹脂組成物により形成する。こうすることで、従来の多層回路基板と比べて、絶縁樹脂層200とめっき膜40との密着性を向上させることができる。そのため、多層回路基板1000の製造プロセスにおいて熱履歴を加えた後においても、絶縁樹脂層200とめっき膜40との密着性を十分に保持することができる。すなわち、本実施形態によれば、熱硬化性樹脂とともに、上述した特定の成分を含む樹脂組成物により絶縁樹脂層200を形成しているため、リフロー耐熱性に優れた多層回路基板1000を実現することができる。   On the other hand, the multilayer circuit board 1000 according to the present embodiment includes an insulating resin layer 200, a thermosetting resin, a guanidine derivative having a guanidine group represented by the following formula (1) in the molecular structure as a guanidine structural unit, or silica ash It forms with the resin composition containing a stone. By doing so, the adhesion between the insulating resin layer 200 and the plating film 40 can be improved as compared with the conventional multilayer circuit board. Therefore, the adhesion between the insulating resin layer 200 and the plating film 40 can be sufficiently maintained even after a thermal history is applied in the manufacturing process of the multilayer circuit board 1000. That is, according to this embodiment, since the insulating resin layer 200 is formed from the resin composition containing the specific component described above together with the thermosetting resin, the multilayer circuit board 1000 having excellent reflow heat resistance is realized. be able to.

以下、本実施形態に係る絶縁樹脂層200を形成する樹脂組成物(以下、「絶縁層組成物」という。)について、詳細に説明する。   Hereinafter, the resin composition (hereinafter referred to as “insulating layer composition”) that forms the insulating resin layer 200 according to the present embodiment will be described in detail.

絶縁樹脂層200は、熱硬化性樹脂とともに、分子構造中に下記式(1)に示されるグアニジン基をグアニジン構造単位として有するグアニジン誘導体、または珪灰石を含む絶縁層組成物により形成する。こうすることで、多層回路基板1000をリフロー耐熱性に優れたものとすることができる。この理由としては、上述した分子構造中に下記式(1)に示されるグアニジン基をグアニジン構造単位として有するグアニジン誘導体や、珪灰石(ウォラストナイト)は、いずれも、熱硬化性樹脂を含む絶縁層組成物の硬化性と密着性を向上させることができる材料であることが挙げられる。   The insulating resin layer 200 is formed of a thermosetting resin and an insulating layer composition containing a guanidine derivative having a guanidine group represented by the following formula (1) as a guanidine structural unit in the molecular structure, or wollastonite. By doing so, the multilayer circuit board 1000 can be made excellent in reflow heat resistance. This is because the guanidine derivative having a guanidine group represented by the following formula (1) as a guanidine structural unit and wollastonite (wollastonite) in the above-described molecular structure both include a thermosetting resin. It is mentioned that it is a material which can improve the sclerosis | hardenability and adhesiveness of a layer composition.

Figure 2016072472
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グアニジン誘導体は、分子構造中に上記式(1)に示されるグアニジン基をグアニジン構造単位として有するものであり、下記式(2)で示される官能基をグアニジン構造単位として有するものであるのが、下記一般式(3)により表される化合物であるとより一層好ましい。   The guanidine derivative has a guanidine group represented by the above formula (1) in the molecular structure as a guanidine structural unit, and has a functional group represented by the following formula (2) as a guanidine structural unit. It is still more preferable that it is a compound represented by following General formula (3).

Figure 2016072472
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Figure 2016072472
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(一般式(3)中、Aは置換または無置換の芳香環である。) (In General Formula (3), A is a substituted or unsubstituted aromatic ring.)

一般的に、グアニジンは、柔軟性および熱安定性に優れた樹脂組成物の原料であるとされている。そのため、本実施形態のように特定のグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体を、熱硬化性樹脂とともに絶縁層組成物中に含ませた場合、架橋密度が高くなり、ガラス転移温度が上昇するため、耐久性、耐熱性および断熱性に優れた絶縁樹脂層200を形成することができる。これにより、上記熱硬化性樹脂とともに特定のグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体を含む絶縁樹脂層200を備えた多層回路基板1000は、リフロー耐熱性に優れたものとすることができる。   In general, guanidine is considered to be a raw material for resin compositions having excellent flexibility and thermal stability. Therefore, when a guanidine derivative having a specific guanidine structural unit as in this embodiment is included in the insulating layer composition together with the thermosetting resin, the crosslink density is increased and the glass transition temperature is increased. Insulating resin layer 200 having excellent properties, heat resistance and heat insulation can be formed. Thereby, the multilayer circuit board 1000 provided with the insulating resin layer 200 including a guanidine derivative having a specific guanidine structural unit together with the thermosetting resin can be excellent in reflow heat resistance.

グアニジン誘導体としては、たとえば、1−o−トリルビグアニドやジシアンジアミドなどが挙げられる。中でも、一般式(3)により表される1−o−トリルビグアニドが好ましい。   Examples of the guanidine derivative include 1-o-tolylbiguanide and dicyandiamide. Among these, 1-o-tolylbiguanide represented by the general formula (3) is preferable.

珪灰石(ウォラストナイト)は、珪酸カルシウムを主成分として含む鉱物である。その形状は、針状、板状または繊維状である。そして、珪灰石(ウォラストナイト)は、結晶水をほとんど持たず、熱分解し難い材料である。すなわち、珪灰石(ウォラストナイト)は、熱分解性をほとんど有さない鉱物である。また、珪灰石(ウォラストナイト)は、耐熱性に優れた材料でもある。さらに、珪灰石(ウォラストナイト)を絶縁層組成物中に含ませた場合、当該絶縁層組成物の耐久性を向上させることが可能である。そのため、本実施形態のように珪灰石(ウォラストナイト)を、熱硬化性樹脂とともに絶縁層組成物中に含ませた場合、耐久性、耐熱性および断熱性に優れた絶縁樹脂層200を形成することができる。これにより、上記熱硬化性樹脂とともに珪灰石(ウォラストナイト)を含む絶縁樹脂層200を備えた多層回路基板1000は、リフロー耐熱性に優れたものとすることができる。   Wollastonite (wollastonite) is a mineral containing calcium silicate as a main component. The shape is needle-like, plate-like or fibrous. And wollastonite (wollastonite) is a material that hardly has crystal water and is difficult to be thermally decomposed. That is, wollastonite (wollastonite) is a mineral having almost no thermal decomposability. Wollastonite is also a material with excellent heat resistance. Furthermore, when wollastonite (wollastonite) is included in the insulating layer composition, the durability of the insulating layer composition can be improved. Therefore, when the wollastonite (wollastonite) is included in the insulating layer composition together with the thermosetting resin as in this embodiment, the insulating resin layer 200 having excellent durability, heat resistance, and heat insulating properties is formed. can do. Thereby, the multilayer circuit board 1000 provided with the insulating resin layer 200 containing wollastonite (wollastonite) together with the thermosetting resin can be excellent in reflow heat resistance.

分子構造中に下記式(1)に示されるグアニジン基をグアニジン構造単位として有するグアニジン誘導体の含有量は、絶縁層組成物の全固形分量を100質量%としたとき、0.03質量%以上10質量%以下であることが好ましく、0.03質量%以上5質量%以下であるとさらに好ましい。こうすることで、絶縁樹脂層200のリフロー耐熱性をより一層優れたものとすることができる。   The content of the guanidine derivative having a guanidine group represented by the following formula (1) in the molecular structure as a guanidine structural unit is 0.03% by mass or more and 10% by mass when the total solid content of the insulating layer composition is 100% by mass. The content is preferably not more than mass%, more preferably not less than 0.03 mass% and not more than 5 mass%. By doing so, the reflow heat resistance of the insulating resin layer 200 can be further improved.

珪灰石(ウォラストナイト)の含有量は、絶縁層組成物の全固形分量を100質量%としたとき、1質量%以上40質量%以下であることが好ましく、2質量%以上20質量%以下であるとさらに好ましい。こうすることで、絶縁樹脂層200のリフロー耐熱性をより一層優れたものとすることができる。   The content of wollastonite (wollastonite) is preferably 1% by mass or more and 40% by mass or less, preferably 2% by mass or more and 20% by mass or less, when the total solid content of the insulating layer composition is 100% by mass. Is more preferable. By doing so, the reflow heat resistance of the insulating resin layer 200 can be further improved.

熱硬化性樹脂の含有量は、絶縁層組成物の全固形分量を100質量%としたとき、10質量%以上70質量%以下であることが好ましく、20質量%以上50質量%以下であるとさらに好ましい。こうすることで、絶縁樹脂層200とめっき膜40との密着性をより一層優れたものとすることができる。   The content of the thermosetting resin is preferably 10% by mass or more and 70% by mass or less, and 20% by mass or more and 50% by mass or less, when the total solid content of the insulating layer composition is 100% by mass. Further preferred. By doing so, the adhesion between the insulating resin layer 200 and the plating film 40 can be further improved.

絶縁樹脂層200を形成する絶縁層組成物中には、260℃でのリフロー耐熱性をより一層向上させる観点から、ビスフェノールA型ノボラック化合物を含むことが好ましい。   The insulating layer composition forming the insulating resin layer 200 preferably contains a bisphenol A type novolak compound from the viewpoint of further improving the reflow heat resistance at 260 ° C.

ビスフェノールA型ノボラック化合物の含有量は、絶縁層組成物の全固形分量を100質量%としたとき、2質量%以上40質量%以下であることが好ましく、5質量%以上20質量%以下であるとさらに好ましい。こうすることで、リフロー耐熱性に優れた絶縁樹脂層200を実現することができる。   The content of the bisphenol A type novolak compound is preferably 2% by mass or more and 40% by mass or less, preferably 5% by mass or more and 20% by mass or less, when the total solid content of the insulating layer composition is 100% by mass. And more preferred. By doing so, the insulating resin layer 200 having excellent reflow heat resistance can be realized.

絶縁樹脂層200を形成する絶縁層組成物に含まれる熱硬化性樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂が挙げられる。このエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールE型エポキシ樹脂、ビスフェノールM型エポキシ樹脂、ビスフェノールP型エポキシ樹脂、ビスフェノールZ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂などのアリールアルキレン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、アントラセン型エポキシ樹脂、フェノキシ型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ノルボルネン型エポキシ樹脂、アダマンタン型エポキシ樹脂、テトラフェノール基エタンノボラック型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂などのエポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用することもできる。   Examples of the thermosetting resin contained in the insulating layer composition that forms the insulating resin layer 200 include an epoxy resin. As this epoxy resin, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol E type epoxy resin, bisphenol M type epoxy resin, bisphenol P type epoxy resin, bisphenol Z type epoxy resin, etc. Bisphenol type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, novolac type epoxy resin such as cresol novolak type epoxy resin, arylalkylene type epoxy resin such as biphenyl type epoxy resin and biphenyl aralkyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, anthracene type epoxy Resin, phenoxy type epoxy resin, brominated epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, norbornene type epoxy resin, adamant Emission type epoxy resins, tetraphenol group ethane novolak type epoxy resins, such as epoxy resins and fluorene type epoxy resins. One of these can be used alone, or two or more can be used in combination.

エポキシ樹脂の含有量は、とくに限定されないが、絶縁層組成物全体の15質量%以上80質量%以下であることが好ましい。さらに好ましくは25質量%以上50質量%以下である。   Although content of an epoxy resin is not specifically limited, It is preferable that they are 15 mass% or more and 80 mass% or less of the whole insulating layer composition. More preferably, it is 25 mass% or more and 50 mass% or less.

また、絶縁層組成物には、メラミン樹脂、ユリア樹脂、シアネートエステル樹脂などのエポキシ樹脂以外の熱硬化性樹脂を含んでいてもよい。シアネート樹脂の種類としては、とくに限定されないが、例えばノボラック型シアネート樹脂、ビスフェノールA型シアネート樹脂、ビスフェノールE型シアネート樹脂、テトラメチルビスフェノールF型シアネート樹脂などのビスフェノール型シアネート樹脂などを挙げることができる。   The insulating layer composition may contain a thermosetting resin other than an epoxy resin such as a melamine resin, a urea resin, or a cyanate ester resin. Although it does not specifically limit as a kind of cyanate resin, For example, bisphenol-type cyanate resin, such as a novolak-type cyanate resin, a bisphenol A-type cyanate resin, a bisphenol E-type cyanate resin, a tetramethylbisphenol F-type cyanate resin, etc. can be mentioned.

絶縁層組成物は、無機充填材を含むことが好ましい。この無機充填材としては、例えばタルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラスなどのケイ酸塩、酸化チタン、アルミナ、二酸化ケイ素、シリカ、溶融シリカなどの酸化物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイトなどの炭酸塩、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウムなどの水酸化物、硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウムなどの硫酸塩または亜硫酸塩、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウムなどのホウ酸塩、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素などの窒化物、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどのチタン酸塩などを挙げることができる。これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用することもできる。これらの中でも、とくに水酸化アルミニウムが好ましい。   The insulating layer composition preferably contains an inorganic filler. Examples of the inorganic filler include silicates such as talc, fired clay, unfired clay, mica, and glass, oxides such as titanium oxide, alumina, silicon dioxide, silica, and fused silica, calcium carbonate, magnesium carbonate, hydro Carbonates such as talcite, hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium hydroxide, sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate, calcium sulfite, zinc borate, barium metaborate, boric acid Examples thereof include borates such as aluminum, calcium borate and sodium borate, nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride and carbon nitride, titanates such as strontium titanate and barium titanate. One of these can be used alone, or two or more can be used in combination. Among these, aluminum hydroxide is particularly preferable.

また、無機充填材は、とくに限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いることもできるし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いることもできる。さらに平均粒子径が単分散および/または、多分散の無機充填材を1種類または2種類以上を併用することもできる。   The inorganic filler is not particularly limited, and an inorganic filler having a monodispersed average particle diameter can be used, and an inorganic filler having a polydispersed average particle diameter can also be used. Furthermore, one or two or more inorganic fillers having an average particle size of monodisperse and / or polydisperse can be used in combination.

無機充填材の含有量は、とくに限定されないが、絶縁層組成物全体の2質量%以上70質量%以下が好ましく、とくに5質量%以上60質量%以下が好ましい。含有量が上記範囲内であると、とくに低熱膨張、低吸水とすることができる。   Although content of an inorganic filler is not specifically limited, 2 mass% or more and 70 mass% or less of the whole insulating layer composition are preferable, and 5 mass% or more and 60 mass% or less are especially preferable. When the content is within the above range, particularly low thermal expansion and low water absorption can be achieved.

絶縁層組成物は、カップリング剤をさらに含んでいてもよい。絶縁層組成物に対してカップリング剤を配合することにより、熱硬化性樹脂と、無機充填材との界面の濡れ性を向上させることができる。これにより、耐熱性、とくに吸湿後の半田耐熱性を改良することができる。   The insulating layer composition may further contain a coupling agent. By blending a coupling agent with the insulating layer composition, the wettability of the interface between the thermosetting resin and the inorganic filler can be improved. Thereby, heat resistance, especially solder heat resistance after moisture absorption can be improved.

カップリング剤としては、たとえば、エポキシシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、ビニルシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、シリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。これらは、単独あるいは2種以上組み合わせて使用することができる。
これにより、無機充填材の界面との濡れ性を高くすることができ、それによって耐熱性をより向上させることできる。
Examples of the coupling agent include epoxy silane coupling agents, amino silane coupling agents, cationic silane coupling agents, silane coupling agents such as vinyl silane coupling agents, titanate coupling agents, silicone oil type coupling agents, and the like. Is mentioned. These can be used alone or in combination of two or more.
Thereby, the wettability with the interface of an inorganic filler can be made high, and thereby heat resistance can be improved more.

絶縁層組成物は、さらにフェノール系硬化剤を使用することができる。フェノール系硬化剤としてはフェノールノボラック樹脂、アルキルフェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ザイロック型フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、ポリビニルフェノール類など公知慣用のものを単独あるいは2種以上組み合わせて使用することができる。   The insulating layer composition can further use a phenolic curing agent. As the phenolic curing agent, known or commonly used phenol novolac resins, alkylphenol novolac resins, dicyclopentadiene type phenol resins, zylock type phenol resins, terpene modified phenol resins, polyvinylphenols, etc. may be used alone or in combination. Can do.

絶縁層組成物には、必要に応じて硬化触媒を用いてもよい。硬化触媒としては公知の物を用いることが出来る。例えばナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト(II)、トリスアセチルアセトナートコバルト(III)などの有機金属塩、トリエチルアミン、トリブチルアミン、ジアザビシクロ[2.2.2]オクタンなどの3級アミン類、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2,4−ジエチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシイミダゾールなどのイミダゾール類、フェノール、ビスフェノールA、ノニルフェノールなどのフェノール化合物、酢酸、安息香酸、サリチル酸、パラトルエンスルホン酸などの有機酸など、またはこの混合物が挙げられる。硬化触媒として、これらの中の誘導体も含めて1種類を単独で用いることもできるし、これらの誘導体も含めて2種類以上を併用することもできる。   A curing catalyst may be used for the insulating layer composition as necessary. A well-known thing can be used as a curing catalyst. For example, organic metal salts such as zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin octylate, cobalt octylate, bisacetylacetonate cobalt (II), trisacetylacetonate cobalt (III), triethylamine, tributylamine, diazabicyclo [2.2 .2] Tertiary amines such as octane, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2,4-diethylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4 -Imidazoles such as methyl-5-hydroxyimidazole and 2-phenyl-4,5-dihydroxyimidazole, phenol compounds such as phenol, bisphenol A and nonylphenol, acetic acid, benzoic acid, salicylic acid, p-toluenesulfonic acid, etc. Such as an acid, or a mixture thereof. As the curing catalyst, one kind including these derivatives can be used alone, or two or more kinds including these derivatives can be used in combination.

絶縁層組成物は、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリスチレン樹脂などの熱可塑性樹脂、スチレン−ブタジエン共重合体、スチレン−イソプレン共重合体などのポリスチレン系熱可塑性エラストマー、ポリオレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系エラストマー、ポリエステル系エラストマーなどの熱可塑性エラストマー、ポリブタジエン、エポキシ変性ポリブタジエン、アクリル変性ポリブタジエン、メタクリル変性ポリブタジエンなどのジエン系エラストマーを併用してもよい。これらの中でも、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂等の耐熱性の高分子樹脂が好ましい。これによって、ビルドアップ材の厚み均一性に優れ、配線基板として、耐熱性、および微細配線の絶縁性に優れる。また、この絶縁層組成物には、必要に応じて、顔料、染料、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、難燃剤、イオン捕捉剤などの上記成分以外の添加物を添加してもよい。   Insulating layer composition is made of thermoplastic resin such as phenoxy resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyamide resin, polyphenylene oxide resin, polyethersulfone resin, polyester resin, polyethylene resin, polystyrene resin, styrene-butadiene copolymer, styrene -Polystyrene thermoplastic elastomers such as isoprene copolymers, thermoplastic elastomers such as polyolefin thermoplastic elastomers, polyamide elastomers, and polyester elastomers, and diene elastomers such as polybutadiene, epoxy-modified polybutadiene, acrylic-modified polybutadiene, and methacryl-modified polybutadiene. May be used in combination. Among these, heat-resistant polymer resins such as phenoxy resin, polyimide resin, polyamideimide resin, polyamide resin, polyphenylene oxide resin, and polyethersulfone resin are preferable. Thereby, the thickness uniformity of the build-up material is excellent, and as a wiring board, the heat resistance and the insulating property of fine wiring are excellent. In addition, if necessary, additives other than the above components such as pigments, dyes, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbers, foaming agents, antioxidants, flame retardants, and ion scavengers may be added to the insulating layer composition. Things may be added.

なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。本発明は、これに限定されるものではなく、多層回路基板1000を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。   It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention. The present invention is not limited to this, and each part of the multilayer circuit board 1000 can be replaced with any structure that can exhibit the same function. Moreover, arbitrary components may be added.

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
また、上記実施形態では、多層回路基板1000を貫通する第1の貫通ビア300が設けられた貫通基板である場合を例に挙げて説明したが、絶縁層30および回路層20が交互に積層した多層構造を有し、多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層20である多層基材500と、回路層20の表面に設けられためっき膜40と、めっき膜40の回路層20とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層200とを備えたものであれば、
コア層10の片面または両面に対して、絶縁層30と回路層20とを交互に積層し、たとえば、レーザを用いて形成された非貫通状態にあるビアにめっきを施すことにより層間を導通接続した多層回路基板1000、すなわちビルドアップ基板であってもよい。この場合においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, these are the illustrations of this invention, Various structures other than the above are also employable.
In the above embodiment, the case where the first through via 300 penetrating the multilayer circuit board 1000 is used as an example has been described, but the insulating layers 30 and the circuit layers 20 are alternately stacked. A multilayer substrate 500 having a multilayer structure, and the outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is the circuit layer 20, a plating film 40 provided on the surface of the circuit layer 20, and a circuit layer of the plating film 40 20 is provided with an insulating resin layer 200 provided on the opposite side of the surface,
Insulating layers 30 and circuit layers 20 are alternately stacked on one side or both sides of core layer 10, and the layers are electrically connected by, for example, plating a non-penetrating via formed using a laser. The multilayer circuit board 1000 may be a build-up board. Even in this case, the same effect as the above embodiment can be obtained.

次に、本発明の実施例について説明する。   Next, examples of the present invention will be described.

各実施例及び比較例で用いた原料成分を下記に示した。特に記載しない限り、以下に記載の「%」は「質量%」を示す。   The raw material components used in each example and comparative example are shown below. Unless otherwise specified, “%” described below indicates “mass%”.

(熱硬化性樹脂(A))
・ビスフェノールA型エポキシ樹脂(三菱化学社製、jER828)
・臭素化エポキシ樹脂(ダウ・ケミカル社製、DER530)
(Thermosetting resin (A))
・ Bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, jER828)
・ Brominated epoxy resin (Der Chemical Co., DER530)

(グアニジン誘導体(B))
・1−o−トリルビグアニド(大内新興化学工業社製、ノクセラーBG)
(Guanidine derivative (B))
1-o-tolyl biguanide (Ouchi Shinsei Chemical Co., Ltd., Noxeller BG)

(珪灰石(C))
・ウォラストナイト(キンセイマテック社製、FPWシリーズ)
(Wollastonite (C))
・ Wollastonite (manufactured by Kinsei Matec, FPW series)

(その他の添加剤)
・フェノールノボラック樹脂(住友ベークライト社製、PR−51470)
・ビスフェノールA型ノボラック化合物(DIC社製、LF−4871)
・触媒:2−フェニル−4−メチルイミダゾール(四国化成工業社製、2P4MZ)
・シランカップリング剤:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン社製、SILQUEST A−187)
・水酸化アルミニウム
(Other additives)
Phenol novolac resin (Sumitomo Bakelite, PR-51470)
・ Bisphenol A type novolak compound (manufactured by DIC, LF-4871)
Catalyst: 2-phenyl-4-methylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., 2P4MZ)
Silane coupling agent: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane (Momentive Performance Materials Japan, SILQUEST A-187)
・ Aluminum hydroxide

(実施例および比較例)
以下の表1に示す配合量に従って各成分を配合した実施例1〜4および比較例1〜2の絶縁層組成物を用いて形成した絶縁樹脂層を含む、図1に示す多層回路基板を作製した。絶縁樹脂層の厚みは、いずれも80μmとした。
(Examples and Comparative Examples)
A multilayer circuit board shown in FIG. 1 including the insulating resin layers formed using the insulating layer compositions of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2 in which the respective components are blended according to the blending amounts shown in Table 1 below is prepared. did. The thickness of each insulating resin layer was 80 μm.

得られた各多層回路基板について、下記に示す評価を行った。   Each multilayer circuit board obtained was evaluated as follows.

(評価項目)
吸湿リフロー:得られた多層回路基板を、IPC/JEDECのJ−STD−20に準拠して、温度40℃、湿度90%で96時間前処理した後に、260℃リフロー炉を通し、多層回路基板の膨れの有無を評価した。下記表1に記載した符号は、以下の通りである。
○:5回以上繰り返した場合においても、多層回路基板の膨れは発生しなかった。
×:5回繰り返す前に、多層回路基板の膨れが発生した。
(Evaluation item)
Moisture absorption reflow: The obtained multilayer circuit board was pretreated at a temperature of 40 ° C. and a humidity of 90% for 96 hours in accordance with IPC / JEDEC J-STD-20, and then passed through a 260 ° C. reflow furnace to obtain a multilayer circuit board. The presence or absence of blistering was evaluated. The symbols described in Table 1 below are as follows.
◯: No swelling of the multilayer circuit board occurred even when repeated 5 times or more.
X: Swelling of the multilayer circuit board occurred before repeating 5 times.

Figure 2016072472
Figure 2016072472

各実施例で得られた多層回路基板は、いずれもリフロー耐熱性に優れたものであった。一方、比較例の多層回路基板は、リフロー耐熱性という点において良好な結果を得ることができなかった。   The multilayer circuit boards obtained in each example were all excellent in reflow heat resistance. On the other hand, the multilayer circuit board of the comparative example could not obtain good results in terms of reflow heat resistance.

10 コア層
20 回路層
30 絶縁層
40 めっき膜
50 スルーホールめっき
60 金属層
100 第2の貫通ビア
200 絶縁樹脂層
300 第1の貫通ビア
400 ビア
500 多層基材
1000 多層回路基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Core layer 20 Circuit layer 30 Insulating layer 40 Plating film 50 Through-hole plating 60 Metal layer 100 2nd through-via 200 Insulating resin layer 300 1st through-via 400 Via 500 Multilayer base material 1000 Multilayer circuit board

Claims (14)

絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材と、
前記回路層の表面に設けられためっき膜と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、
熱硬化性樹脂と、
分子構造中にグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体と、を含む樹脂組成物により形成され、
前記グアニジン構造単位が、下記式(1)に示されるグアニジン基である、多層回路基板。
Figure 2016072472
A multilayer base material having a multilayer structure in which insulating layers and circuit layers are alternately laminated, and an outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is a circuit layer;
A plating film provided on the surface of the circuit layer;
An insulating resin layer provided on a surface opposite to the circuit layer of the plating film,
The insulating resin layer is
A thermosetting resin;
A guanidine derivative having a guanidine structural unit in the molecular structure, and a resin composition comprising
The multilayer circuit board whose said guanidine structural unit is a guanidine group shown by following formula (1).
Figure 2016072472
請求項1に記載の多層回路基板であって、
前記グアニジン構造単位が、下記式(2)で示される官能基である、多層回路基板。
Figure 2016072472
The multilayer circuit board according to claim 1,
The multilayer circuit board whose said guanidine structural unit is a functional group shown by following formula (2).
Figure 2016072472
請求項1または2に記載の多層回路基板であって、
前記グアニジン誘導体が、下記一般式(3)により表される化合物である、多層回路基板。
Figure 2016072472
(一般式(3)中、Aは置換または無置換の芳香環である。)
The multilayer circuit board according to claim 1 or 2,
A multilayer circuit board, wherein the guanidine derivative is a compound represented by the following general formula (3).
Figure 2016072472
(In General Formula (3), A is a substituted or unsubstituted aromatic ring.)
請求項1乃至3いずれかに記載の多層回路基板であって、
前記絶縁樹脂層が、さらに、ビスフェノールA型ノボラック化合物を含む前記樹脂組成物により形成された、多層回路基板。
A multilayer circuit board according to any one of claims 1 to 3,
The multilayer circuit board in which the said insulating resin layer was further formed with the said resin composition containing a bisphenol A type novolak compound.
絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材と、
前記回路層の表面に設けられためっき膜と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に設けられた絶縁樹脂層と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂および珪灰石を含む樹脂組成物により形成された、多層回路基板。
A multilayer base material having a multilayer structure in which insulating layers and circuit layers are alternately laminated, and an outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is a circuit layer;
A plating film provided on the surface of the circuit layer;
An insulating resin layer provided on a surface opposite to the circuit layer of the plating film,
A multilayer circuit board in which the insulating resin layer is formed of a resin composition containing a thermosetting resin and wollastonite.
請求項1乃至5いずれかに記載の多層回路基板であって、
当該多層回路基板には、当該多層回路基板を貫通する第1の貫通ビアが設けられ、
前記第1の貫通ビアの側壁にスルーホールめっきが形成されている、多層回路基板。
A multilayer circuit board according to any one of claims 1 to 5,
The multilayer circuit board is provided with a first through via that penetrates the multilayer circuit board,
A multilayer circuit board, wherein through-hole plating is formed on a side wall of the first through via.
請求項6に記載の多層回路基板であって、
前記めっき膜は、前記第1の貫通ビアの側壁を覆う前記スルーホールめっきと連続一体に形成されている、多層回路基板。
The multilayer circuit board according to claim 6, wherein
The multi-layer circuit board, wherein the plating film is formed integrally with the through-hole plating that covers the side wall of the first through via.
請求項1乃至7いずれかに記載の多層回路基板であって、
前記絶縁樹脂層の前記回路層とは反対側の面に設けられた金属層
を備え、
前記多層基材には、前記多層基材を貫通する第2の貫通ビアが設けられている、多層回路基板。
A multilayer circuit board according to any one of claims 1 to 7,
A metal layer provided on the surface of the insulating resin layer opposite to the circuit layer,
The multilayer circuit board, wherein the multilayer substrate is provided with a second through via penetrating the multilayer substrate.
請求項1乃至8いずれかに記載の多層回路基板であって、
前記絶縁樹脂層の前記回路層側の面の一部が、前記第2の貫通ビアの開口周縁部と接している、多層回路基板。
A multilayer circuit board according to any one of claims 1 to 8,
A multilayer circuit board, wherein a part of the surface on the circuit layer side of the insulating resin layer is in contact with an opening peripheral edge of the second through via.
絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材を準備する工程と、
前記回路層の表面にめっき膜を形成する工程と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に、絶縁樹脂層を形成する工程と
を含み、
前記絶縁樹脂層が、
熱硬化性樹脂と、
分子構造中にグアニジン構造単位を有するグアニジン誘導体と、を含む樹脂組成物により形成され、
前記グアニジン構造単位が、下記式(1)に示されるグアニジン基である、多層回路基板の製造方法。
Figure 2016072472
A step of preparing a multilayer base material having a multilayer structure in which insulating layers and circuit layers are alternately laminated, and wherein an outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is a circuit layer;
Forming a plating film on the surface of the circuit layer;
Forming an insulating resin layer on a surface of the plating film opposite to the circuit layer,
The insulating resin layer is
A thermosetting resin;
A guanidine derivative having a guanidine structural unit in the molecular structure, and a resin composition comprising
The manufacturing method of a multilayer circuit board whose said guanidine structural unit is a guanidine group shown by following formula (1).
Figure 2016072472
請求項10に記載の多層回路基板の製造方法であって、
前記グアニジン構造単位が、下記式(2)で示される官能基である、多層回路基板の製造方法。
Figure 2016072472
A method of manufacturing a multilayer circuit board according to claim 10,
The manufacturing method of a multilayer circuit board whose said guanidine structural unit is a functional group shown by following formula (2).
Figure 2016072472
請求項10または11に記載の多層回路基板の製造方法であって、
前記グアニジン誘導体が、下記一般式(3)により表される化合物である、多層回路基板の製造方法。
Figure 2016072472
(一般式(3)中、Aは置換または無置換の芳香環である。)
A method for producing a multilayer circuit board according to claim 10 or 11,
The manufacturing method of a multilayer circuit board whose said guanidine derivative is a compound represented by following General formula (3).
Figure 2016072472
(In General Formula (3), A is a substituted or unsubstituted aromatic ring.)
請求項10乃至12いずれかに記載の多層回路基板の製造方法であって、
前記絶縁樹脂層が、さらに、ビスフェノールA型ノボラック化合物を含む前記樹脂組成物により形成され、多層回路基板の製造方法。
A method for manufacturing a multilayer circuit board according to any one of claims 10 to 12,
The method for manufacturing a multilayer circuit board, wherein the insulating resin layer is further formed of the resin composition containing a bisphenol A type novolak compound.
絶縁層および回路層が交互に積層した多層構造を有し、前記多層構造の少なくとも一方の面を構成する最外層が回路層である多層基材を準備する工程と、
前記回路層の表面にめっき膜を設ける工程と、
前記めっき膜の前記回路層とは反対側の面に、絶縁樹脂層を形成する工程と
を備え、
前記絶縁樹脂層が、熱硬化性樹脂および珪灰石を含む樹脂組成物により形成される、多層回路基板の製造方法。
A step of preparing a multilayer base material having a multilayer structure in which insulating layers and circuit layers are alternately laminated, and wherein an outermost layer constituting at least one surface of the multilayer structure is a circuit layer;
Providing a plating film on the surface of the circuit layer;
A step of forming an insulating resin layer on the surface of the plating film opposite to the circuit layer,
A method for producing a multilayer circuit board, wherein the insulating resin layer is formed of a resin composition containing a thermosetting resin and wollastonite.
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