JP2016072447A - トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【課題】放熱性が改善されたトランジスタを提供する。【解決手段】実施形態のトランジスタは、マルチフィンガー電極と、基板と前記基板の上に設けられた半導体動作層とを含む積層体であって、前記マルチフィンガー電極が配設された内部領域と、前記内部領域を取り囲む外部領域と、を有する、積層体と、少なくとも前記外部領域を覆い、かつ前記積層体を構成する層の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有するダイアモンドを含む膜と、を有する。【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、トランジスタに関する。
トランジスタの内部で生じた熱は、発熱領域から半導体基板を介して外部に排出される。
トランジスタの発熱領域は、半導体基板の上部に設けられた積層体の上面側にある場合が多い。たとえば、高周波高出力トランジスタの発熱領域は、積層体の表面近傍に設けられる。しかし、積層体を構成する層の熱伝導率は、金属やダイアモンドに比べて低く放熱性が不十分である。
このため、発熱領域から基板の裏面までの熱抵抗が大きく、基板の裏面の側に金属などの熱伝導体を設けても放熱性が十分ではない。
放熱性が改善されたトランジスタを提供する。
実施形態のトランジスタは、マルチフィンガー電極と、基板と前記基板の上に設けられた半導体動作層とを含む積層体であって、前記マルチフィンガー電極が配設された内部領域と、前記内部領域を取り囲む外部領域と、を有する、積層体と、少なくとも前記外部領域を覆い、かつ前記積層体を構成する層の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有するダイアモンドを含む膜と、を有する。
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。
図1(a)は第1の実施形態にかかるトランジスタの模式平面図、図1(b)はA−A線に沿った模式断面図、である。
トランジスタは、たとえば、HEMT(High Electron Mobility Transistor)やMESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor)などとすることができる。または、トランジスタは、バイポーラトランジスタでもよい。
図1(a)は第1の実施形態にかかるトランジスタの模式平面図、図1(b)はA−A線に沿った模式断面図、である。
トランジスタは、たとえば、HEMT(High Electron Mobility Transistor)やMESFET(Metal Semiconductor Field Effect Transistor)などとすることができる。または、トランジスタは、バイポーラトランジスタでもよい。
図1(a)、(b)において、トランジスタはHEMTであるものとする。電界効果トランジスタ10は、マルチフィンガー電極30と、積層体40と、ダイアモンドを含む膜50と、を有する。
積層体40は、基板41と、基板41の上に設けられた半導体動作層42とを含む。積層体40、マルチフィンガー電極30が配設された内部領域42aと、内部領域42aを取り囲む外部領域42bと、を有する。膜50は、少なくとも外部領域42bを覆い、かつ積層体40を構成する層の熱伝導率よりも高い導電率を有する熱伝導率を有する。
内部領域42aのうち、半導体動作層42に生じた熱の一部は、基板41を下方に向かう第1の熱流F1となり外部に排出される。
他方、半導体動作層で生じた発生熱の他の一部は、ダイアモンドを含む膜50に沿って外方向に広がる。膜50の熱伝導率は、半導体動作層42を構成する層の熱伝導率や基板41の熱伝導率よりも高いので、積層体40内を横方向に広がりつつ下方に向かう第2の熱流F2となる。すなわち、ダイアモンドを含む膜50は、チップ表面に設けられた熱放散板として作用する。
また、HEMTは、内部領域42aの外側に設けられたゲート端子電極62と、内部領域42aの外側に設けられたドレイン端子電極60と、をさらに有することができる。半導体動作層42は、基板41の上に設けられたチャネル層44と、チャネル層44の上に設けられたバリア層(または、電子供給層)46と、を含むことができる。なお、基板41とチャネル層44との間にバッファ層を設けてもよい。
マルチフィンガー電極30は、バリア層46の上に設けられ、ドレイン端子電極60に接続されたフィンガードレイン電極20と、フィンガーソース電極24と、フィンガードレイン電極20とフィンガーソース電極24との間に設けられかつゲート端子電極62に接続されたフィンガーゲート電極28と、を含む。
フィンガーゲート電極28は、バリア層46の表面に設けられたNiなどを有し、ショットキー障壁を形成する。
フィンガーソース電極24とフィンガードレイン電極20とは、バリア層46の表面にこの順に積層されたTi/Al/Ni/Auをそれぞれ有する。さらに、AuやCuを数μm設けてボンディングパッド部を設けることができる。Ti層とバリア層46との間を600〜700℃でアロイ化すると、オーミックコンタクトになるので好ましい。
膜50は、たとえば、ナノ結晶ダイアモンド(NCD:Nanocristalline Diamond)、ナノ多結晶ダイアモンド(NPD:Nano-polycrystalline Diamond)、合成ダイアモンドなどとすることができる。ナノ結晶ダイアモンドは、粒径が数nm〜数百nmのダイアモンド結晶が積み重なった膜からなり、熱伝導率が、たとえば、500〜1500W/m・Kである。また、ナノ結晶ダイアモンドは、たとえば、450〜800℃においてCVD(Chemical Vapor Deposition)法や気相成長法などを用いて形成できる。この場合、原料ガスをメタン、キャリアガスを水素やアルゴンなどとすることができる。
ダイアモンドを含む膜50としてナノ結晶ダイアモンドを形成する場合、成長温度をフィンガーソース電極24とフィンガードレイン電極20のアロイ温度(600〜700℃)以下にすると、電極の劣化や金属拡散が抑制できるのでより好ましい。
図1では、ドレイン端子電極60のワイヤボンディング領域60aと、ゲート端子電極62のワイヤボンディング領域62aと、を除いたチップの表面が膜50で覆われる。
HEMTがGaNを含む窒化物系半導体からなるものとすると、その熱伝導率は、130〜200W/m・Kなどである。すなわち、ナノ結晶ダイアモンドの熱伝導率は、窒化物系半導体の熱伝導率の2.5〜11.5倍である。また、SiCの熱伝導率は、100〜350W/m・Kなどである。すなわち、ナノ結晶ダイアモンドの熱伝導率は、SiCの熱伝導率の1.4〜15倍である。
第1の実施形態では、発生熱の一部は、ダイアモンドを含む膜50により、積層体40の表面を広がりつつ、基板41の下方に向かう第2の熱流F2となり外部に排出される。このため、放熱性を高めることができる。なお、Siの熱伝導率は、149W/m・K近傍である。
図2は、第2の実施形態にかかるトランジスタの模式平面図である。
ダイアモンドを含む膜50は、ドレイン端子電極60およびゲート端子電極62の外側に設けてもよい。膜50のパターニングが必要であるが、端子電極のワイヤボンディング領域を露出させる工程は不要であり、プロセスが簡素になる。フィンガーソース電極24は、バイアホール25を介して、基板の裏面電極に接続される。
ダイアモンドを含む膜50は、ドレイン端子電極60およびゲート端子電極62の外側に設けてもよい。膜50のパターニングが必要であるが、端子電極のワイヤボンディング領域を露出させる工程は不要であり、プロセスが簡素になる。フィンガーソース電極24は、バイアホール25を介して、基板の裏面電極に接続される。
図3(a)は第3の実施形態にかかるトランジスタの模式平面図、図3(b)はB−B線に沿った模式断面図、図3(c)は溝部の変形例の模式断面図、である。
図3(b)に表すように、外部領域42bに設けられた膜50は、積層体40の表面に設けられた溝部70の底面70a、内側面70b、上端面70cを覆うように設けられる。このように凹凸が設けられた膜50は、溝部70の深さL1を溝部70のピッチP70の2分の1にすることにより表面積を2倍にできる。また、溝部70の深さL1を溝部70のピッチP70と同じにすることにより表面積を3倍にできる。
図3(b)に表すように、外部領域42bに設けられた膜50は、積層体40の表面に設けられた溝部70の底面70a、内側面70b、上端面70cを覆うように設けられる。このように凹凸が設けられた膜50は、溝部70の深さL1を溝部70のピッチP70の2分の1にすることにより表面積を2倍にできる。また、溝部70の深さL1を溝部70のピッチP70と同じにすることにより表面積を3倍にできる。
溝部70のピッチP70が大きすぎると、チップ表面に形成できる凹凸の数が少なくなり表面積を増加するのに限界がある。このため、ピッチP70は、たとえば、フィンガーソース電極24の中心と、フィンガードレイン電極20の中心との間隔とするとよい。
溝部70の深さL1を大きくしすぎると、溝部70の底面近傍にCVD工程で原料ガスが入りにくくなる。このため、底面近傍でダイアモンドを含む膜50の厚さが減少し、熱放散性が低下する。このため、深さLIは、ピッチP70の2倍を以下とすることが好ましい。なお、図3(c)に表すように、溝部70の幅が上方に向かって拡幅すると、底面においても所望の膜厚を維持することが容易となる。溝部70は、RIE(Reactive Ion Etching)法などで形成可能である。
すなわち、内部領域42aから外部領域42bに広がる熱流F2aと、基板41の裏面に向かう熱流F2bと、を含む第2の熱流F2が増加し、熱放散性がさらに高まる。なお、図3(a)はダイアモンドを含む膜50を設ける前の模式平面図とする。
図3(a)において、発熱領域は、6つのセル領域がチップの長手方向に配列されて構成される。半導体動作層42は、GaNなどからなるバッファ層(0.1〜2μm)と、バッファ層(図示せず)の上に設けられGaNからなるチャネル層44と、チャネル層44の上に設けられヘテロ接合を形成するAl0.2Ga0.8Nからなるバリア層46と、を含む。チャネル層44の厚さは、たとえば、3〜20nmとする。バリア層46の厚さは、5〜100nmなどとする。
この場合、上端部における膜50の厚さT50を半導体動作層42の厚さ(略0.1μm)以上とすると、2次元的な横方向への熱放散が高まるので好ましい。もし、半導体動作層42の厚さを2μm、膜厚T50を2〜30μm、などとすると、熱流F2が増加し横方向への熱放散を高めることができる。なお、ダイアモンドを含む膜50を厚くすると、応力によりクラックを生じやすい。このため、膜厚T50を30μm以下とすることが好ましい。
本図において、1つのセル領域は、4つのフィンガーゲート電極28を有する。それぞれのフィンガーゲート電極28は、フィンガーソース電極24と、フィンガードレイン電極20と、に挟まれる。それぞれのセル領域のフィンガーゲート電極28は、束ねられてゲート端子電極62に接続される。また、それぞれのセル領域のフィンガードレイン電極20は、束ねられてドレイン端子電極60に接続される。セル領域のゲート端子電極62は、共通に接続されているが、それぞれに独立していてもよい。また、セル領域のドレイン端子電極60は、共通に接続されているが、それぞれに独立していてもよい。
なお、積層体をAlGaAs系半導体とする場合、基板はGaAsなどとすることができる。
図4(a)は第3の実施形態の第1変形例にかかるトランジスタの模式平面図、図4(b)は第3の実施形態の第2変形例にかかるトランジスタの模式平面図、である。
図4(a)に表すように、ダイアモンドを含む膜50は、外部領域42bにおいてチャネル層44の表面に配設されてもよい。また、図4(b)に表すように、ダイアモンドを含む膜50は、外部領域42bにおいてバリア層46の表面に配設されてもよい。この場合、内部領域42aと外部領域42bとの間を、イオン注入法などを用いて電気的に分離することができる。
図4(a)に表すように、ダイアモンドを含む膜50は、外部領域42bにおいてチャネル層44の表面に配設されてもよい。また、図4(b)に表すように、ダイアモンドを含む膜50は、外部領域42bにおいてバリア層46の表面に配設されてもよい。この場合、内部領域42aと外部領域42bとの間を、イオン注入法などを用いて電気的に分離することができる。
図5は、第4の実施形態にかかるトランジスタの模式平面図である。
溝部70は、内部領域42aの長辺に平行である方向に延設されてもよい。また、たとえば、ドレイン端子電極60と、内部領域42aとの間の積層体40の表面に設けることができる。
溝部70は、内部領域42aの長辺に平行である方向に延設されてもよい。また、たとえば、ドレイン端子電極60と、内部領域42aとの間の積層体40の表面に設けることができる。
図6は、モノリシックマイクロ波集積回路の模式平面図である。
第1〜第4の実施形態にかかるトランジスタを多段接続すると、モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC:Microwave Monolithic Integrated Circuit)とすることができる。MMICは、第1段目のHEMTの出力を2分岐し、2つのHEMTの出力を合成する。たとえば、溝部70をそれぞれ覆うように、ダイアモンドを含む膜50を破線で表す領域に設ける。このようにすると、高出力化が容易である。MMICは、トランジスタの集積度が高いので、ダイアモンドを含む膜50により放熱性を改善すると、高周波特性の改善や信頼性の改善が容易となる。
第1〜第4の実施形態にかかるトランジスタを多段接続すると、モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC:Microwave Monolithic Integrated Circuit)とすることができる。MMICは、第1段目のHEMTの出力を2分岐し、2つのHEMTの出力を合成する。たとえば、溝部70をそれぞれ覆うように、ダイアモンドを含む膜50を破線で表す領域に設ける。このようにすると、高出力化が容易である。MMICは、トランジスタの集積度が高いので、ダイアモンドを含む膜50により放熱性を改善すると、高周波特性の改善や信頼性の改善が容易となる。
図7(a)は第5の実施形態にかかるバイポーラトランジスタの模式平面図、図7(b)はC−C線に沿った模式断面図、である。
バイポーラトランジスタは、マルチフィンガー電極130と、積層体140と、ダイアモンドを含む膜150と、を有している。
バイポーラトランジスタは、マルチフィンガー電極130と、積層体140と、ダイアモンドを含む膜150と、を有している。
積層体140は、シリコン基板141と、シリコン基板141の上に設けられた半導体動作層142とを含む。積層体140は、マルチフィンガー電極130が配設される内部領域142aと、内部領域142aを取り囲む外部領域142bと、を有する。ダイアモンドを含む膜150は、少なくとも外部領域142bを覆い、シリコンの熱伝導率よりも高い導電率を有する熱伝導率を有する。
マルチフィンガー電極130は、フィンガーベース電極128と、フィンガーエミッタ電極124と、を含む。また、フィンガーベース電極128は、ベース端子電極162に接続される。フィンガーエミッタ電極124は、エミッタ端子電極164に接続される。
半導体動作層142は、シリコン基板141に設けられたコレクタエピタキシャル層144と、ベース層145と、ベースコンタクト層146と、エミッタ層147と、を含む。シリコン基板141は、コレクタ端子電極に接続することができる。フィンガーベース電極128の開口部と、フィンガーエミッタ電極124の開口部と、が設けられた絶縁層149を覆うようにダイアモンドを含む膜150が設けられる。バイポーラトランジスタは、コレクタエピタキシャル層144の近傍が発熱領域となる。膜150により放熱性を改善し、信頼性を高めることができる。
第1〜第5の実施形態によれば、半導体動作層の表面に設けられたダイアモンドを含む膜により、半導体動作層内で生じた熱がダイアモンドを腹膜に沿って2次元的に広がりつつ、半導体動作層および基板を通り外部に排出される。このため、トランジスタの放熱性が改善され、信頼性が高められる。このようなトランジスタは、マイクロ波通信機器やレーダー装置に広く用いることができる。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
10 電界効果トランジスタ、20 フィンガードレイン電極、24 フィンガーソース電極、28 フィンガーゲート電極、30 マルチフィンガー電極、40 積層体、41 基板、42 半導体動作層、42a 内部領域、42b 外部領域、44 チャネル層、46 バリア層、50 ダイアモンドを含む膜、60 ドレイン端子電極、62 ゲート端子電極、70 溝部
Claims (6)
- マルチフィンガー電極と、
基板と前記基板の上に設けられた半導体動作層とを含む積層体であって、前記マルチフィンガー電極が配設された内部領域と、前記内部領域を取り囲む外部領域と、を有する、積層体と、
少なくとも前記外部領域を覆い、かつ前記積層体を構成する層の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有するダイアモンドを含む膜と、
を備えたトランジスタ。 - 前記外部領域の表面には溝部が設けられ、
前記膜は、前記溝部の底面と、内側面と、上端面と、を連続して覆う請求項1記載のトランジスタ。 - 前記膜は、前記マルチフィンガー電極および前記内部領域をさらに覆う請求項1または2に記載のトランジスタ。
- 前記内部領域の外側に設けられたゲート端子電極と、
前記内部領域の外側に設けられたドレイン端子電極と、
をさらに備え、
前記半導体動作層は、前記基板の上に設けられたチャネル層と、前記チャネル層の上に設けられたバリア層と、を含み、
前記マルチフィンガー電極は、前記バリア層の上に設けられ、前記ドレイン端子に接続されたフィンガードレイン電極と、フィンガーソース電極と、前記フィンガードレイン電極と前記フィンガーソース電極との間に設けられかつ前記ゲート端子電極に接続されたフィンガーゲート電極と、を含む、請求項1〜3のいずれか1つに記載のトランジスタ。 - 前記ソースフィンガー電極は、前記バリア層の表面から前記基板の裏面に貫通する導電領域を有する請求項4記載のトランジスタ。
- 前記膜は、ナノ結晶ダイアモンドまたはナノ多結晶ダイアモンドである請求項1〜5のいずれか1つに記載のトランジスタ。
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JP2017228966A (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 株式会社東芝 | 高周波半導体増幅器 |
JP2019537269A (ja) * | 2016-11-26 | 2019-12-19 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 相互接続領域の上の集積回路ナノ粒子熱配路構造 |
JP2020502787A (ja) * | 2016-11-26 | 2020-01-23 | 日本テキサス・インスツルメンツ合同会社 | 相互接続領域における集積回路ナノ粒子熱配路構造 |
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JP7021826B2 (ja) | 2016-11-26 | 2022-02-17 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 相互接続領域の上の集積回路ナノ粒子熱配路構造 |
JP7045018B2 (ja) | 2016-11-26 | 2022-03-31 | テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド | 相互接続領域における集積回路ナノ粒子熱配路構造 |
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