JP2016070669A - 基板上の液体成分の測定方法および基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
Description
A(λ1)−{A(λ2)+A(λ3)}/2
で求められる。この式の第2項には吸収スペクトルのベースラインの変動が反映されているので、当該成分の吸光度をより精度よく求めることができる。
11 回転テーブル(基板回転手段)
12 処理液供給ノズル(処理液供給手段)
13 光源
14、17 光ファイバー
15、22 投光部(赤外線照射手段)
16 受光部(赤外線受光手段)
18 測光部(測光手段)
19 演算部(演算手段)
21 コーナーキューブ
23 赤外線カメラ
W ウェーハ(基板)
S 処理液
F 処理液膜
IR 赤外線
θ 入射角
θB 偏光角(ブルースター角)
Claims (19)
- 回転する基板上に処理液を供給し、
前記処理液の供給中および/または供給停止後に、前記基板上面に形成された前記処理液の液膜に赤外線を照射して反射光を受光し、所定波長における吸光度から前記処理液膜に含まれる1以上の成分の存在量を測定する、
基板上の液体成分の測定方法。 - 前記吸光度は、前記基板の回転周期より長い測定時間に対して求められる、
請求項1に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記処理液膜に含まれる主要成分すべてについて、それぞれ所定波長における吸光度から存在量を測定し、これを合算することによって前記処理液膜厚を算出する、
請求項1または2に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記吸光度から算出された前記処理液膜厚または他の方法で測定された前記処理液膜厚と、前記処理液膜に含まれる1以上の成分の存在量とから、当該成分の濃度を算出する、
請求項1〜3のいずれか一項に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記基板が、半導体ウェーハ、ガラスウェーハ、結晶ウェーハまたはセラミックウェーハである、
請求項1〜4のいずれか一項に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記基板がシリコン半導体ウェーハである、
請求項5に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記処理液が、基板のエッチング、洗浄、リンス、脱水または乾燥のための処理液である、
請求項1〜6のいずれか一項に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記処理液は、水;オゾン水、ラジカル水、電解イオン水等の機能水;2−プロパノール等の有機溶剤;アンモニア過酸化水素混合液、塩酸過酸化水素混合液、硫酸過酸化水素混合液、硝酸フッ酸混合液、フッ酸、硫酸、リン酸、硝酸、バッファードフッ酸、アンモニア、過酸化水素、塩酸、水酸化テトラメチルアンモニウムおよびこれらと水との混合液;からなる群より選ばれる、
請求項1〜7のいずれか一項に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記存在量が測定される成分がH2Oである、
請求項1〜8のいずれか一項に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記所定波長が1460nm付近のOH基の吸収ピーク波長である、
請求項9に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記処理液が2−プロパノールまたは2−プロパノールと水の混合液である、
請求項9または10に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記赤外線が、少なくとも波長1350〜1720nmの光を含む、
請求項1〜11のいずれか一項に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記存在量が測定される成分の少なくとも1つは、前記処理液を供給する処理の前段階で前記基板上に供給された液体に由来する成分である、
請求項1〜12のいずれか一項に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記処理液が2−プロパノールであり、
前記存在量が測定される成分がH2Oである、
請求項13に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記赤外線は、
前記処理液膜への入射角が、基板上の液体成分の測定時の雰囲気を構成する気体と前記処理液に対する偏光角に等しいかそれに近い角度となるように照射され、
P偏光の光のみを照射し、または、反射光のP偏光成分のみを受光する、
請求項1〜14のいずれか一項に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記赤外線は、前記基板からの1回目の反射光がコーナーキューブによって逆方向へと反射され、前記基板で再度反射した反射光が受光される、
請求項1〜15のいずれか一項に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記反射光を受光する装置が赤外線カメラである、
請求項1〜15に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 前記赤外線は、前記基板の回転の径方向に入射位置を移動させながら照射される、
請求項1〜17のいずれか一項に記載された基板上の液体成分の測定方法。 - 基板を保持して回転させる基板回転手段と、
前記基板上に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記基板に赤外線を照射する赤外線照射手段と、
前記基板からの反射光を受光する赤外線受光手段と、
受光した赤外線を検出する測光手段と、
所定波長における吸光度を求め、該所定波長に対応する所定成分の存在量を算出する演算手段と、
を有する基板処理装置。
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