JP2016063518A - 整合器 - Google Patents
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Abstract
Description
RFin端子からRFout端子に向かって進む高周波電力(進行波:Pf)は、方向性結合器11で検出され、FORWARD端子に出力される。RFout端子からRFin端子に向かって進む高周波電力(反射波:Pr)は、方向性結合器11で検出され、REFLECT端子に出力される。また、RFin端子からRFout端子に向かって進む高周波電力Pfは、REFLECT端子では検出されず、もし検出されても僅かである。同様に、RFout端子からRFin端子に向かって進む高周波電力Prは、FORWARD端子では検出されず、もし検出されても僅かである。
Γ=r・exp(j・θ) (j:虚数単位)・・・(数1)
整合回路30は、負荷となるプラズマ処理装置3の入力インピーダンスが変動する範囲によって回路構成が決まるが、ここでは、π型の整合回路を例にして説明する。この整合回路30は、可変容量コンデンサ31、可変容量コンデンサ32、及び固定インダクタンス33の3つの整合素子で構成されている。インダクタンスの定数を変更するよりもコンデンサ容量を変更する方が容易であるため、本例では、コンデンサの容量を変更する回路を例にして説明する。
VC1(n)=VC1(n-1)+real(Γ(n))*S1・・・(数2)
VC2(n)=VC2(n-1)−imag(Γ(n))*S2・・・(数3)
ここでreal( )は( )内の複素数の実部を示し、imag( )は( )内の複素数の虚部を示す。S1とS2は係数であり、コンデンサ容量を更新する量を決める。
進行波と反射波とを検出する方向性結合器と、
キャパシタンス又はインダクタンスの可変素子を有する整合回路と、
前記方向性結合器で検出した進行波と反射波とに基づき、反射係数を算出し、該反射係数を用いて、前記可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスの更新値を算出する制御部と、
前記反射係数と、前記反射係数をスミスチャート上で回転させる回転係数とを対応付けて記憶する記憶部とを備え、
前記制御部は、前記進行波と反射波とに基づき反射係数を算出し、該算出した反射係数に対応する回転係数を前記記憶部から取得し、前記算出した反射係数と前記取得した回転係数とに基づき、前記可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスの更新値を算出することを特徴とする整合器。
Γ=U+j*V・・・(数4)
V=+0.1*VC2−1・・・(数6)
(数5)と(数6)を行列式で表現すると、(数7)になる。
U=−0.1/√2*VC1+1/√2・・・・・・・・・・・・・(数8)
V=+0.1/√2*VC1+0.1*VC2−1/√2−1・・・(数9)
(数8)と(数9)を行列式で表現すると、(数10)になる。
VC1(n)=VC1(n-1)+U(n)*S1・・・(数13)
VC2(n)=VC2(n-1)−V(n)*S2・・・(数14)
VC1(n)=VC1(n-1)+real(Γ(n)*rot1)・・・(数15)
VC2(n)=VC2(n-1)−imag(Γ(n)*rot2)・・・(数16)
rot1=r1*exp(j*sh1)=α1+j*β1・・・(数17)
rot2=r2*exp(j*sh2)=α2+j*β2・・・(数18)
このように、sh1とsh2は、VC1を一定としVC2を変化させたとき、又は、VC2を一定としVC1を変化させたときに、スミスチャートにおける反射係数Γの軌跡が、スミスチャートの実軸又は虚軸に対して平行に近づくように、設定される。
VC1(n)=VC1(n-1)+(U(n)*α1−V(n)*β1)・・・(数19)
VC2(n)=VC2(n-1)−(U(n)*β2+V(n)*α2)・・・(数20)
(1)まず、背景技術の(数13)と(数14)を用いてVC1とVC2の一方のみを変化させたときの、各領域における反射係数Γの軌跡を求める。例えば、VC1のみを変化させたときの図6Aと、VC2のみを変化させたときの図6Bを求める。
(2)次に、(1)で求めた各領域における反射係数Γの軌跡が、複素平面であるスミスチャートの実軸又は虚軸に対して平行になるように、各領域における回転係数rot1及びrot2を設定する。
(a)進行波と反射波とに基づき反射係数を算出し、該算出した反射係数に対応する回転係数を取得し、前記算出した反射係数と前記取得した回転係数とに基づき、可変素子のキャパシタンスを算出し更新するよう構成したので、整合器の収束時間を速くすることができる。
(b)スミスチャート上の複数の領域に応じた反射係数と回転係数を、記憶するよう構成したので、反射係数が大きい場合にも、整合器の収束時間を速くすることができる。
第1の構成は、
進行波と反射波とを検出する方向性結合器と、
キャパシタンス又はインダクタンスの可変素子を有する整合回路と、
前記方向性結合器で検出した進行波と反射波とに基づき、反射係数を算出し、該反射係数を用いて、前記可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスの更新値を算出する制御部と、
前記反射係数と、前記反射係数をスミスチャート上で回転させる回転係数とを対応付けて記憶する記憶部とを備え、
前記制御部は、前記進行波と反射波とに基づき反射係数を算出し、該算出した反射係数に対応する回転係数を前記記憶部から取得し、前記算出した反射係数と前記取得した回転係数とに基づき、前記可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスの更新値を算出することを特徴とする整合器。
前記記憶部は、スミスチャート上の複数の領域に対応して、前記反射係数と前記回転係数を記憶することを特徴とする整合器。
前記整合回路は、前記可変素子として、第1の可変素子と第2の可変素子とを有し、
前記回転係数は、前記第1の可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスを一定とし、前記第2の可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスを変化させたときに、スミスチャートにおける反射係数Γの軌跡が、スミスチャートの実軸又は虚軸に対して平行に近づくように設定されていることを特徴とする整合器。
前記整合回路は、前記可変素子として、第1の可変素子と第2の可変素子とを有し、
前記制御部は、前記算出した反射係数と前記取得した回転係数とを掛け合わせ、該掛け合わせた結果の実部に基づき、前記第1の可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスの更新値を算出し、前記掛け合わせた結果の虚部に基づき、前記第2の可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスの更新値を算出することを特徴とする整合器。
Claims (3)
- 進行波と反射波とを検出する方向性結合器と、
キャパシタンス又はインダクタンスの可変素子を有する整合回路と、
前記方向性結合器で検出した進行波と反射波とに基づき、反射係数を算出し、該反射係数を用いて、前記可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスの更新値を算出する制御部と、
前記反射係数と、前記反射係数をスミスチャート上で回転させる回転係数とを対応付けて記憶する記憶部とを備え、
前記制御部は、前記進行波と反射波とに基づき反射係数を算出し、該算出した反射係数に対応する回転係数を前記記憶部から取得し、前記算出した反射係数と前記取得した回転係数とに基づき、前記可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスの更新値を算出することを特徴とする整合器。 - 請求項1に記載された整合器であって、
前記記憶部は、スミスチャート上の複数の領域に対応して、前記反射係数と前記回転係数を記憶することを特徴とする整合器。 - 請求項1に記載された整合器であって、
前記整合回路は、前記可変素子として、第1の可変素子と第2の可変素子とを有し、
前記回転係数は、前記第1の可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスを一定とし、前記第2の可変素子のキャパシタンス又はインダクタンスを変化させたときに、スミスチャートにおける反射係数Γの軌跡が、スミスチャートの実軸又は虚軸に対して平行に近づくように設定されていることを特徴とする整合器。
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2014
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