JP2016063131A - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導波管110を介して処理室107にマイクロ波の電力を供給する第一の高周波電源104と、整合器114を介して高周波電力を試料台に供給する第二の高周波電源115と、試料台に直流電圧を印加する直流電源117と、磁場生成手段とを備えたプラズマ処理装置において、磁場生成手段は、磁場を生成するコイル111とそれにより生成された磁場の漏洩を防止するコイルケース112を具備し、各種電源(104、115、117)及び整合器114が、コイルケース112の上方に配置される。更に導波管110とそれに近接する電源104との間に、磁場を遮蔽する遮蔽板119が配置される。
【選択図】図7
Description
前記磁場生成手段は、磁場を生成するコイルと前記コイルにより生成された磁場を前記処理室外へ漏洩することを防止する円筒形状のコイルケースを具備し、
前記第一の高周波電源と前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器は、前記コイルケースの上方に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置とする。
前記第一の高周波電源は、前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器より前記導波管の近くに配置され、
前記第一の高周波電源と前記導波管との間には、磁場を遮蔽する遮蔽板が配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置とする。
このことから、エッチング処理中に第一の高周波電源104が落ちる要因として、下コイル111cの電流を大きくした場合にコイルケース112から磁場が漏れ、第一の高周波電源104の内部にある基板の誤動作を誘発していると推定された。即ち、第一の高周波電源104の設置箇所は、電源内にある基板の向きが導波管110寄りになっており、上コイル111aに沿っている磁力線118の影響を受けやすい構造となっている。また、第一の高周波電源104の内部にある基板を覆う蓋の材質はアルミ製であり、コイルケース内の磁力線118から漏れた磁場が、比透磁率が1と低い材質のアルミを突き抜けることで第一の高周波電源104の内部にある基板の誤動作を誘発しているものと推定された。
Claims (6)
- 試料がプラズマ処理される処理室と、マイクロ波を発振する発振器と、導波管を介して前記マイクロ波の電力を前記処理室へ供給する第一の高周波電源と、整合器を介して高周波電力を前記試料を載置する試料台に供給する第二の高周波電源と、前記試料を前記試料台へ静電吸着させるための直流電圧を前記試料台に印加する直流電源と、前記処理室内へ磁場を生成するための磁場生成手段とを備えるプラズマ処理装置において、
前記磁場生成手段は、磁場を生成するコイルと前記コイルにより生成された磁場を前記処理室外へ漏洩することを防止する円筒形状のコイルケースを具備し、
前記第一の高周波電源と前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器は、前記コイルケースの上方に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一の高周波電源と前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器のそれぞれの長辺の方向は、鉛直上方から見て前記導波管の長手方向と平行となるように配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置において、
前記第一の高周波電源は、前記第二の高周波電源と前記直流電源と前記整合器より前記導波管の近くに配置され、
前記第一の高周波電源と前記導波管との間には、磁場を遮蔽する遮蔽板が配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマ処理装置において、
前記遮蔽板は、平板であり材質が鉄であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項3に記載のプラズマ処理装置において、
前記遮蔽板の比透磁率は、250ないし5000の範囲内の値であることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置において、
前記試料は、直径がφ450mm以上のウエハであることを特徴とするプラズマ処理装置。
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---|---|---|---|---|
JPH05190501A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-07-30 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ装置 |
JPH05283195A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | マイクロ波プラズマ発生装置 |
JP2004214609A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-29 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置の処理方法 |
JP2005079603A (ja) * | 2004-09-29 | 2005-03-24 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
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JPH05190501A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-07-30 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ装置 |
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