JP2016058741A - 半導体片の製造方法 - Google Patents
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請求項2は、前記第1の強度においては、エッチングガスに含まれる溝の側壁を保護する保護膜形成用のガスの流量が第1の流量であり、前記第2の強度においては、前記保護膜形成用のガスの流量が、前記第1の流量よりも少ない第2の流量である、請求項1に記載の半導体片の製造方法。
請求項3は、前記第1の強度においては、エッチングガスに含まれるエッチング用のガスの流量が第1の流量であり、前記第2の強度においては、前記エッチング用のガスの流量が、前記第1の流量よりも多い第2の流量である、請求項1または2に記載の半導体片の製造方法。
請求項4は、前記第1の強度を有する異方性ドライエッチングと、前記第2の強度を有する等方性ドライエッチングで前記表面側の溝を形成する、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項5は、前記表面側の溝の幅を、前記改質領域の幅よりも広く形成する、請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項6は、前記改質領域は、基板の厚み方向に複数の改質痕が予め定められた間隔で形成され、前記表面側の溝の深さは、当該間隔よりも深い、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項7は、前記改質領域は、基板の厚み方向に複数の改質痕が予め定められた間隔で形成され、前記表面側の溝の底部と、当該底部に一番近い前記改質痕との間隔は前記予め定められた間隔よりも狭い、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項8は、前記改質領域は、基板の厚み方向に複数の改質痕が予め定められた間隔で形成され、前記基板の表面に一番近い改質痕は、前記表面側の溝の底部に一致する、請求項1ないし7いずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項4によれば、異方性ドライエッチングのみで表面側の溝を形成する場合と比較し、基板の分割に伴う亀裂が伸展する位置が、表面側の溝から外れることを抑制できる溝形状を形成しやすい。
請求項5によれば、表面側の溝の幅が改質領域の幅よりも狭い場合と比較し、基板の分割に伴う亀裂が伸展する位置が、表面側の溝から外れることを抑制できる。
請求項6によれば、基板の厚み方向に形成する改質痕の数を低減しやすくなる。
請求項7によれば、表面側の溝の底部と、底部に一番近い改質痕との間隔が、改質痕同士の間隔と同じ場合と比較し、亀裂が伸展する位置が、表面側の溝から外れることを抑制できる。
請求項8によれば、基板の表面に一番近い改質痕を表面側の溝の底部から離間させる場合と比較し、亀裂を表面側の溝の底部に一致させることができる。
120:切断領域
130:レジストパターン
140、140A、140B、140C:微細溝
160:ダイシング用テープ
170:レーザ光
190:エキスパンド用テープ
210:半導体チップ
300〜306、310〜316:改質領域
320〜324、330〜334:改質領域
340〜348、350〜356:改質領域
360、370、380、390:改質領域
500、500A、500B、500C、500D:微細溝
510、560:第1の溝部分
520、530、540、550:第2の溝部分
700、800:フォトレジスト
710、810:開口
720、830、850:保護膜
請求項2は、前記第1の強度においては、エッチングガスに含まれる溝の側壁を保護する保護膜形成用のガスの流量が第1の流量であり、前記第2の強度においては、前記保護膜形成用のガスの流量が、前記第1の流量よりも少ない第2の流量である、請求項1に記載の半導体片の製造方法。
請求項3は、前記第1の強度においては、エッチングガスに含まれるエッチング用のガスの流量が第1の流量であり、前記第2の強度においては、前記エッチング用のガスの流量が、前記第1の流量よりも多い第2の流量である、請求項1または2に記載の半導体片の製造方法。
請求項4は、前記第1の強度を有する異方性ドライエッチングと、前記第2の強度を有する等方性ドライエッチングで前記表面側の溝を形成する、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項5は、前記表面側の溝の幅を、前記改質領域の幅よりも広く形成する、請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項6は、前記改質領域は、基板の厚み方向に複数の改質痕が予め定められた間隔で形成され、前記表面側の溝の深さは、当該間隔よりも深い、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項7は、前記改質領域は、基板の厚み方向に複数の改質痕が予め定められた間隔で形成され、前記表面側の溝の底部と、当該底部に一番近い前記改質痕との間隔は前記予め定められた間隔よりも狭い、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項8は、前記改質領域は、基板の厚み方向に複数の改質痕が予め定められた間隔で形成され、前記基板の表面に一番近い改質痕は、前記表面側の溝の底部に一致する、請求項1ないし7いずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
請求項9は、基板の表面から切断領域に沿って、第1の強度のエッチングで第1の溝部分を形成し、前記第1の強度よりも溝の側壁方向へのエッチング強度が強い第2の強度に切り替えて、前記第1の溝部分の下方に連通する第2の溝部分を形成し、前記切断領域に沿って前記基板の内部にレーザを照射して、前記切断領域に沿った改質領域を前記基板の内部に形成し、前記基板に応力を加え、前記切断領域に沿って前記基板を分割する、半導体片の製造方法。
請求項4によれば、異方性ドライエッチングのみで表面側の溝を形成する場合と比較し、基板の分割に伴う亀裂が伸展する位置が、表面側の溝から外れることを抑制できる溝形状を形成しやすい。
請求項5によれば、表面側の溝の幅が改質領域の幅よりも狭い場合と比較し、基板の分割に伴う亀裂が伸展する位置が、表面側の溝から外れることを抑制できる。
請求項6によれば、基板の厚み方向に形成する改質痕の数を低減しやすくなる。
請求項7によれば、表面側の溝の底部と、底部に一番近い改質痕との間隔が、改質痕同士の間隔と同じ場合と比較し、亀裂が伸展する位置が、表面側の溝から外れることを抑制できる。
請求項8によれば、基板の表面に一番近い改質痕を表面側の溝の底部から離間させる場合と比較し、亀裂を表面側の溝の底部に一致させることができる。
Claims (8)
- 基板の表面から、切断領域に沿ってエッチングで表面側の溝を形成する工程と、
前記切断領域に沿って前記基板の内部にレーザを照射して、前記切断領域に沿った改質領域を前記基板の内部に形成する工程と、
前記基板に応力を加え、前記切断領域に沿って前記基板を分割する工程と、を備え、
前記表面側の溝の形成途中で、溝の側壁方向へのエッチング強度を第1の強度から当該第1の強度よりも強い第2の強度に切り替えて、前記表面側の溝の形成する半導体片の製造方法。 - 前記第1の強度においては、エッチングガスに含まれる溝の側壁を保護する保護膜形成用のガスの流量が第1の流量であり、
前記第2の強度においては、前記保護膜形成用のガスの流量が、前記第1の流量よりも少ない第2の流量である、請求項1に記載の半導体片の製造方法。 - 前記第1の強度においては、エッチングガスに含まれるエッチング用のガスの流量が第1の流量であり、
前記第2の強度においては、前記エッチング用のガスの流量が、前記第1の流量よりも多い第2の流量である、請求項1または2に記載の半導体片の製造方法。 - 前記第1の強度を有する異方性ドライエッチングと、前記第2の強度を有する等方性ドライエッチングで前記表面側の溝を形成する、請求項1ないし3のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
- 前記表面側の溝の幅を、前記改質領域の幅よりも広く形成する、請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
- 前記改質領域は、基板の厚み方向に複数の改質痕が予め定められた間隔で形成され、前記表面側の溝の深さは、当該間隔よりも深い、請求項1ないし5のいずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
- 前記改質領域は、基板の厚み方向に複数の改質痕が予め定められた間隔で形成され、前記表面側の溝の底部と、当該底部に一番近い前記改質痕との間隔は前記予め定められた間隔よりも狭い、請求項1ないし6いずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
- 前記改質領域は、基板の厚み方向に複数の改質痕が予め定められた間隔で形成され、前記基板の表面に一番近い改質痕は、前記表面側の溝の底部に一致する、請求項1ないし7いずれか1つに記載の半導体片の製造方法。
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