JP2016058680A - レーザユニット - Google Patents

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Abstract

【課題】冷却能力を確保しつつ、サイズの小型化を図ることができるレーザユニットを提供する。
【解決手段】レーザユニットは、ペルチェ素子10、レーザモジュール20、及びカバー部30を備える。ペルチェ素子10は、第1基板12と第2基板13とに熱電変換材11が挟まれて構成される。レーザモジュール20は、第1基板12の一面12aにベアチップ実装された複数の半導体チップ21〜23と、各半導体チップ21〜23から照射される各レーザ光のうち所定の波長の光を選択的に透過または反射させる波長選択素子24、25と、を有する。カバー部30は容器状をなしており、波長選択素子24、25で合成されたレーザ光を平行光として外部に出射するコリメートレンズ32を有する。また、カバー部30は、第1基板12の一面12aに固定されることで中空部31にレーザモジュール20を封止する。
【選択図】図2

Description

本発明は、レーザモジュールがペルチェ素子によって冷却されるように構成されたレーザユニットに関する。
従来より、複数のレーザ光源及び複数のミラーを備えた画像表示装置が、例えば特許文献1で提案されている。具体的には、複数のレーザ光源及び複数のミラーが筐体に収容されていると共に、各レーザ光源の合成光が筐体の外部に出射される構成が提案されている。
特開2013−250539号公報
ここで、レーザ光源は熱に弱いので、上記従来の技術では各レーザ光源を冷却する必要がある。そこで、冷却手段として、冷却能力が高いペルチェ素子を用いることが考えられる。しかし、ペルチェ素子自身での発熱量が大きいので、当該ペルチェ素子のための大型の冷却機構が必要になる。このため、ペルチェ素子及び冷却機構を含んだレーザユニット全体のサイズが大きくなってしまうという問題がある。
また、画像表示装置の筐体とペルチェ素子は別部品であるので、筐体とペルチェ素子との境界で熱抵抗が発生し、ペルチェ素子の冷却効率が低下してしまうという問題がある。
本発明は上記点に鑑み、冷却能力を確保しつつ、サイズの小型化を図ることができるレーザユニットを提供することを目的とする。
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、第1基板(12)と、第2基板(13)と、第1基板(12)と第2基板(13)とに挟まれた熱電変換材(11)と、を有するペルチェ素子(10)を備えている。
また、第1基板(12)のうち熱電変換材(11)とは反対側の一面(12a)にベアチップ実装されていると共に各々が異なる波長のレーザ光を照射する複数の半導体チップ(21〜23)と、複数の半導体チップ(21〜23)から照射される各レーザ光のうち所定の波長の光を選択的に透過または反射させることにより各レーザ光を合成する波長選択素子(24、25)と、を有するレーザモジュール(20)を備えている。
さらに、容器状をなしており、波長選択素子(24、25)で合成されたレーザ光を平行光として外部に出射するコリメートレンズ(32)を有し、第1基板(12)の一面(12a)に固定されることで中空部分である中空部(31)にレーザモジュール(20)を封止するカバー部(30)を備えていることを特徴とする。
これによると、レーザモジュール(20)の各半導体チップ(21〜23)をペルチェ素子(10)によって直接冷却することができ、レーザモジュール(20)を冷却するための冷却能力を確保することができる。また、各半導体チップ(21〜23)がペルチェ素子(10)によって直接冷却されるので、ペルチェ素子(10)の冷却容量を低減することができる。このため、ペルチェ素子(10)そのもののサイズを小型化することができ、ペルチェ素子(10)を冷却するための冷却機構を小型化することができる。したがって、レーザユニットの冷却能力を確保しつつ、小型化を図ることができる。
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
本発明の一実施形態に係るレーザユニットの平面図である。 図1のII−II断面図である。 カバー部の天井を省略したレーザユニットの平面図である。
以下、本発明の一実施形態について図を参照して説明する。本実施形態に係るレーザユニットは車両に搭載されるものであり、例えばレーザHUDディスプレイ、ピコプロジェクタ、プロジェクタとして用いられるものである。
図1、図2、及び図3に示されるように、レーザユニットは、ペルチェ素子10、レーザモジュール20、及びカバー部30を備えて構成されている。
ペルチェ素子10は、レーザモジュール20を冷却するための熱電変換素子である。図2に示されるように、ペルチェ素子10は、熱電変換材11、第1基板12、及び第2基板13を有している。
熱電変換材11は、異なる金属が接合された回路に電流が流れると、一方の接合部で吸熱が起こり、他方の接合部で発熱が起こる、いわゆるペルチェ効果が得られるように構成された部品である。
例えば、N型の熱電半導体とP型の熱電半導体とが第1の電極の上に配置されて直列接続されており、N型の熱電半導体が第2の電極と第1の電極とで挟まれ、P型の熱電半導体が第3の電極と第1の電極とで挟まれた構成になっている。このような構成において、第2の電極からN型の熱電半導体、第1の電極、P型の熱電半導体、及び第3の電極に電流が流されることで第1の電極で吸熱が起こり、第2及び第3の電極で放熱が起こる。
第1基板12及び第2基板13は、熱電変換材11を挟む部品である。第1基板12は、例えば上記の熱電変換材11の構成において第1の電極に接触するように熱電変換材11に一体化されている。すなわち、第1基板12は吸熱の役割を果たす基板である。一方、第2基板13は、第2及び第3の電極に接するように熱電変換材11に一体化されている。すなわち、第2基板13は放熱の役割を果たす基板である。
第1基板12及び第2基板13は、例えばセラミック基板として構成されている。第1基板12は、例えば複数のセラミック基板が積層されて焼成されることにより構成されている。第1基板12は、各セラミック基板の貼り合わせ部に設けられた図示しない配線パターンと、熱電変換材11とは反対側の一面12aに設けられ配線パターンに電気的に繋がった複数のパッド12bを有している。各パッド12bは、熱電変換材11及びレーザモジュール20にそれぞれ電気的に接続されている。
レーザモジュール20は、外部からの画像描画指令に従ってレーザ光を照射するように構成されている。具体的には、図2及び図3に示されるように、レーザモジュール20は、第1〜第3半導体チップ21〜23及び第1、第2波長選択素子24、25を備えて構成されている。
第1〜第3半導体チップ21〜23は、それぞれ異なる波長のレーザ光を照射する光源である。各半導体チップ21〜23は、第1基板12の一面12aにそれぞれベアチップ実装されている。つまり、各半導体チップ21〜23は、チップの状態のまま第1基板12の一面12aに実装されている。
第1半導体チップ21は、特定の波長として青色のレーザ光を照射するように形成されている。第2半導体チップ22は、第1半導体チップ21とは異なる波長のレーザ光として緑色のレーザ光を照射するように構成されている。第3半導体チップ23は、第1半導体チップ21及び第2半導体チップ22とは異なる波長のレーザ光として赤色のレーザ光を照射するように構成されている。
そして、各半導体チップ21〜23は、第1基板12の配線パターンに電気的に接続されている。そして、各半導体チップ21〜23は、外部から入力される信号に従ってそれぞれレーザ光を照射する。
第1、第2波長選択素子24、25は、各半導体チップ21〜23から照射される各レーザ光のうち所定の波長の光を選択的に透過または反射させることにより各レーザ光を合成するものである。各波長選択素子24、25は、例えば板状の母材に形成された薄膜によってレーザ光を選択的に反射または透過させるフィルタとして構成されている。
第1波長選択素子24は、第1半導体チップ21から照射された青色のレーザ光を透過すると共に、第2半導体チップ22から照射された緑色のレーザ光を反射させる。つまり、第1波長選択素子24は、青色と緑色のレーザ光を合成する。
第2波長選択素子25は、第2波長選択素子25からの青色及び緑色のレーザ光を透過すると共に、第3半導体チップ23から照射された赤色のレーザ光を反射させる。このように、第2波長選択素子25は、青色、緑色、赤色のレーザ光を合成する。第2波長選択素子25で合成されたレーザ光が外部に出射されることとなる。
カバー部30は、レーザモジュール20を封止するための部品である。カバー部30は容器状をなしており、開口端が第1基板12に固定されている。カバー部30はセラミックスで構成されている。この場合、例えば、カバー部30の開口端と第1基板12の一面12aにそれぞれ設けられたメタルリッドが抵抗溶接されることでカバー部30は第1基板12に固定されている。これにより、カバー部30は、中空部分である中空部31にレーザモジュール20を封止する。なお、カバー部30は金属で構成されていても良い。
本実施形態では、中空部31は、真空または窒素で満たされている。これにより、レーザモジュール20が外部の影響を受けないので、レーザモジュール20の信頼性を確保することができる。
また、カバー部30は、コリメートレンズ32を有している。コリメートレンズ32は、各波長選択素子24、25で合成されたレーザ光を平行光としてカバー部30の外部に出射するためのレンズである。コリメートレンズ32は、カバー部30の側壁に設けられた貫通孔33からレーザ光を出射するように、図示しない低融点ガラスを介して内壁に固定されている。
なお、第1半導体チップ21の光路上に、第1波長選択素子24、第2波長選択素子25、及びコリメートレンズ32が配置されている。したがって、第2波長選択素子25は、第1波長選択素子24からの青色及び緑色のレーザ光を透過すると共に、第3半導体チップ23から照射された赤色のレーザ光を反射させてレーザ光をコリメートレンズ32に導く。
以上説明したように、本実施形態では、ペルチェ素子10を構成する吸熱用の第1基板12にレーザモジュール20の各半導体チップ21〜23がベアチップ実装されているので、各半導体チップ21〜23をペルチェ素子10によって直接冷却することができる。したがって、レーザモジュール20を冷却するための冷却能力を確保することができる。
また、各半導体チップ21〜23がペルチェ素子10によって直接冷却されるので、ペルチェ素子10の冷却容量を大きくする必要がない。このため、ペルチェ素子10の冷却容量を低減することができ、ひいてはペルチェ素子10そのもののサイズを小型化することができる。これに伴い、ペルチェ素子10の放熱用の第2基板13を冷却するための図示しない冷却機構を小型化することができる。したがって、レーザユニットの冷却能力を確保しつつ、小型化を図ることができる。
さらに、レーザユニットは車両に搭載される。車両ではエンジンやモータ等の動力が始動してから数秒間で画像を表示させる必要があり、そのような状況においてペルチェ素子10の冷却能力を充分に発揮させることができる。
(他の実施形態)
上記の実施形態で示されたレーザユニットの構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、レーザモジュール20の構成は上記に限られず、各半導体チップ21〜23の配置位置についても上記で示された配置位置に限られない。第1半導体チップ21と第3半導体チップ23の配置位置が逆転していても良い。この場合、各波長選択素子24、25の配置位置を半導体チップに対応させれば良い。さらに、レーザ光は、赤色、緑色、青色に限られず、他の色が用いられても構わない。波長選択素子は各半導体チップ21〜23に対応して設けられていても良い。
上記の実施形態では、中空部31は、真空または窒素で満たされているが、これは中空部31の封止方法の一例である。したがって、中空部31は真空または窒素以外の他の気体等で満たされていても良い。
上記の実施形態では、ペルチェ素子10を構成する第1基板12としてセラミック基板が用いられていたが、これは第1基板12の一例である。例えば、第1基板12は、CuやAl等の金属製の基板として構成されていても良い。この場合、レーザモジュール20と第1基板12の金属母体との絶縁を図るために、第1基板12の一面12aに絶縁膜を設ければ良い。なお、絶縁膜の表面が第1基板12の一面12aに対応することとなる。
上記の実施形態では、第1基板12は複数のパッド12bを有していたが、これは外部との電気的な接続方法の一例である。したがって、例えばペルチェ素子10やレーザモジュール20に接続されたリード線等によって外部との電気的な接続が行われても良い。
上記の実施形態では、レーザユニットは車両に搭載されるが、これはレーザユニットの適用例の一例である。したがって、レーザユニットは車両以外で用いられても良い。
10 ペルチェ素子
11 熱電変換材
12、13 基板
12a 一面
20 レーザモジュール
21〜23 半導体チップ
24、25 波長選択素子
30 カバー部
31 中空部
32 コリメートレンズ

Claims (6)

  1. 第1基板(12)と、第2基板(13)と、前記第1基板(12)と前記第2基板(13)とに挟まれた熱電変換材(11)と、を有するペルチェ素子(10)と、
    前記第1基板(12)のうち前記熱電変換材(11)とは反対側の一面(12a)にベアチップ実装されていると共に各々が異なる波長のレーザ光を照射する複数の半導体チップ(21〜23)と、前記複数の半導体チップ(21〜23)から照射される各レーザ光のうち所定の波長の光を選択的に透過または反射させることにより各レーザ光を合成する波長選択素子(24、25)と、を有するレーザモジュール(20)と、
    容器状をなしており、前記波長選択素子(24、25)で合成されたレーザ光を平行光として外部に出射するコリメートレンズ(32)を有し、前記第1基板(12)の前記一面(12a)に固定されることで中空部分である中空部(31)に前記レーザモジュール(20)を封止するカバー部(30)と、
    を備えていることを特徴とするレーザユニット。
  2. 前記中空部(31)は、真空または窒素で満たされていることを特徴とする請求項1に記載のレーザユニット。
  3. 前記第1基板(12)は、セラミック基板として構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザユニット。
  4. 前記第1基板(12)は、金属製の基板として構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のレーザユニット。
  5. 前記第1基板(12)は、前記複数の半導体チップ(21〜23)に電気的に接続された複数のパッド(12b)を前記一面(12a)に有していることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載のレーザユニット。
  6. 車両に搭載されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載のレーザユニット。
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