JP2016058420A - エピタキシャル成長装置 - Google Patents
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Abstract
Description
ヒータモジュール112は、放射状下方ヒータ群110aが、中央領域用として放射状に円形に棒状ヒータ108が配列され、放射状下方ヒータ群110bが、周囲領域用として前記中央領域用の放射状下方ヒータ群110aの外側に同心円状に棒状ヒータ108が配列されている。
ヒータモジュール22は、放射状下方ヒータ群20aが、中央領域用として放射状に円形に棒状ヒータ18が配列され、放射状下方ヒータ群20bが、周囲領域用として前記中央領域用の放射状下方ヒータ群20aの外側に同心円状に棒状ヒータ18が配列されている。前記棒状ヒータとしてはハロゲンランプの例を示した。
実施例1として、図1に示した直径300mmウェーハ用の枚葉式エピタキシャル成長装置を用い、直径300mmのシリコンウェーハの中心温度を1100℃に加熱したときのウェーハ面内温度分布を測定した。棒状ヒータとしてはハロゲンランプを使用した。測定は、特公平07−058730に記載されている方法で行った。これは、イオン注入によって表面に不純物注入層が形成された拡散ウェーハを用意し、熱拡散後のシート抵抗を測定することによりウェーハの面内温度分布を求める方法である。実施例1では、図1に示す最外周下方反射部材24の傾斜面34の角度Aを15度とし、傾斜面34の長さHを50mmとした。測定結果を図2に示す。図2に示されるように、実施例1の面内最大温度差は1.6℃となった。
比較例1として、図3に示した従来の直径300mmウェーハ用の枚葉式エピタキシャル成長装置100を用い、シリコンウェーハの中心温度を1100℃に加熱したときのウェーハ面内温度分布を実施例1と同様に測定した。棒状ヒータとしてはハロゲンランプを使用した。従来の枚葉式エピタキシャル成長装置100は、図1の傾斜面34が形成されていないこと以外は図1の枚葉式エピタキシャル成長装置10と同様の構成である。比較例1の測定結果を図2に示す。図2に示されるように比較例1の面内最大温度差は7.0℃となった。
Claims (4)
- サセプタに水平に載置されたシリコン単結晶基板の主表面にエピタキシャル層を成長させるエピタキシャル成長装置であって、
前記サセプタの下方に位置し、複数の棒状ヒータが放射状に円形に配列された放射状下方ヒータ群が同心円状に2列以上配置された複数の放射状下方ヒータ群を有するヒータモジュールと、
前記複数の放射状下方ヒータ群の最外側の放射状下方ヒータ群を取り囲む円筒状の最外周下方反射部材と、
を含み、
前記最外周下方反射部材が傾斜面を有し、前記最外側の放射状下方ヒータ群から離れるほど前記円筒状の最外周下方反射部材の直径が増大するように前記傾斜面が形成されてなることを特徴とするエピタキシャル成長装置。 - 前記傾斜面が、前記最外周下方反射部材の縁部に形成されることを特徴とする請求項1記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記最外側の放射状下方ヒータ群と前記最外側の放射状下方ヒータ群に隣接する放射状下方ヒータ群との間に、円筒状の中間反射部材を備えることを特徴とする請求項1又は2記載のエピタキシャル成長装置。
- 前記棒状ヒータがハロゲンランプであることを特徴とする請求項1〜3いずれか1項記載のエピタキシャル成長装置。
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CN111599722A (zh) * | 2020-05-25 | 2020-08-28 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺设备 |
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CN111599722B (zh) * | 2020-05-25 | 2023-04-14 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体工艺设备 |
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JP6210382B2 (ja) | 2017-10-11 |
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