JP2016057068A - パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】疑似欠陥の検出を抑制したパターンの欠陥検査を自動で行い得るようにする。
【解決手段】パターンを撮影する撮像装置1と、撮像装置1で撮影された検査画像の欠陥を検出するために、該検査画像と比較される比較画像のパターンエッジからの距離に応じて該比較画像を複数の領域に区分けし、検査画像の輝度値と比較画像の輝度値との差分出力から欠陥を検出するための欠陥検出閾値を上記領域毎に変化させ得るようにした画像処理装置2と、を備えたものである。
【選択図】図1
【解決手段】パターンを撮影する撮像装置1と、撮像装置1で撮影された検査画像の欠陥を検出するために、該検査画像と比較される比較画像のパターンエッジからの距離に応じて該比較画像を複数の領域に区分けし、検査画像の輝度値と比較画像の輝度値との差分出力から欠陥を検出するための欠陥検出閾値を上記領域毎に変化させ得るようにした画像処理装置2と、を備えたものである。
【選択図】図1
Description
本発明は、パターンの欠陥を検査するためのパターン欠陥検査装置に関し、特に疑似欠陥の検出を抑制したパターンの欠陥検査を自動で行い得るようにするパターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法に係るものである。
各種パターンの輝度比較検査による欠陥検出画像処理においては、パターンエッジ部のような画像の輝度変化が大きい領域では、検査画像と比較画像との微小な位置ずれや寸法誤差等に起因する疑似欠陥が多発していた。
従来のパターン欠陥検査装置は、上記疑似欠陥の検出量を低減するために、基板の表面画像を取得する一方、該取得画像に対応するレイアウトデータを取得して両画像を重ね合せ、該重ね合せ画像に基づいて欠陥検査領域を設定し、該設定された欠陥検査領域に基づいて検査画像を取得し、該検査画像と基準画像(比較画像)とを比較し、両画像の差異に基づいて欠陥を検出するものとなっていた(例えば、特許文献1参照)。
しかし、このような従来のパターン欠陥検査装置においては、欠陥検査領域の設定及び領域毎の欠陥検出感度の設定は、表示部に表示された上記重ね合せ画像に対してユーザが手動で行うものであったため、欠陥検査が煩雑なものとなっていた。
そこで、本発明は、このような問題点に対処し、疑似欠陥の検出を抑制したパターンの欠陥検査を自動で行い得るようにするパターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明によるパターン欠陥検査装置は、パターンを撮影する撮像装置と、前記撮像装置で撮影された検査画像の欠陥を検出するために、該検査画像と比較される比較画像のパターンエッジからの距離に応じて該比較画像を複数の領域に区分けし、前記検査画像の輝度値と前記比較画像の輝度値との差分出力から欠陥を検出するための欠陥検出閾値を前記領域毎に変化させ得るようにした画像処理装置と、を備えたものである。
また、本発明によるパターン欠陥検査方法は、撮像装置で撮影された検査画像の欠陥を検出するために、該検査画像と比較される比較画像のパターンエッジからの距離に応じて、該比較画像を複数の領域に区分けする第1ステップと、前記検査画像の輝度値と前記比較画像の輝度値とを比較して、その差分出力を得る第2ステップと、前記差分出力から欠陥を検出するための欠陥検出閾値を前記領域毎に変化させて、前記検査画像に欠陥を検出する第3ステップと、を行うものである。
本発明によれば、パターンエッジからの距離に応じて複数の領域に区分けし、欠陥検出閾値を上記領域毎に自動的に切替えて変化させることができる。したがって、例えば、パターンエッジ近傍領域の欠陥検出閾値の絶対値を他よりも大きくなるように自動設定することができる。これにより、パターンエッジで多発する製品の製造歩留りや品質に影響しない疑似欠陥の検出を抑制することができ、真の欠陥のみを検出することができる。それ故、欠陥検出精度を向上することができる。
以下、本発明の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。図1は本発明によるパターン欠陥検査装置の一実施形態を示すブロック図である。このパターン欠陥検査装置は、パターンの欠陥を検出するためのもので、撮像装置1と、画像処理装置2と、を備えて構成されている。
上記撮像装置1は、基板上を撮影して基板に形成されたパターンの像を取得するもので、例えばCCDやCMOS等の2次元撮像カメラである。なお、撮像装置1は、ラインCCD等の1次元撮像カメラでもよいが、本実施形態においては、撮像装置1が2次元撮像カメラの場合について説明する。
上記撮像装置1に電気的に接続して画像処理装置2が設けられている。この画像処理装置2は、撮像装置1で撮影された図2(a)に示すような検査画像3に存在する欠陥を検出するために、該検査画像3と比較される図2(b)に示すような比較画像4のパターンエッジからの距離に応じて該比較画像4を複数の領域に区分けし、検査画像3の輝度値(電圧値に相当)と比較画像4の輝度値(電圧値に相当)との差分出力から白欠陥を検出するための白欠陥検出閾値、及び黒欠陥を検出するための黒欠陥検出閾値を上記領域毎に自動的に切替えて変化させ得るようにしたもので、メモリ5と、2値変換部6と、距離変換部7と、領域分け部8と、比較検査部9と、を備えて構成されている。
ここで、上記メモリ5は、上記検査画像3と同じパターン形状を有し、CADデータを基に作成されたグレー画像又は撮像装置1で撮影される上記検査画像3とは別の画像であり、予め選択されたゴールデンパターン(欠陥の無いパターン)のグレー画像を比較画像4として保存するもので、例えば半導体メモリである。
上記メモリ5に電気的に接続して2値変換部6が設けられている。この2値変換部6は、グレー画像の比較画像4からモノクロ画像を得るもので、メモリ5から読み出した比較画像4の画素値が予め定められた閾値以上の時、その画素値を「1」とし、それ以外の画素値を「0」にする変換を行うものである。「0」と「1」とを逆に割り当ててもよい。
上記2値変換部6に電気的に接続して距離変換部7が設けられている。この距離変換部7は、上記2値変換部6で得られた2値画像の「1」の画素の画素値を、その画素から最も近い「0」の画素までの距離に置換える変換をするものである。詳細には、左から右へ画素を一個ずつ、そして上から下へ、一行ずつずらすラスタ走査をし、次のように画素値を更新する。
現在の画素の画素値をI(x,y)とすると、I(x,y)=0であればI(x,y)=0のままとする。
また、I(x,y)≠0であれば現在の画素の画素値に対して
左の画素値+1:I(x−1,y)+1
上の画素値+1:I(x,y−1)+1
左斜め上の画素値+2:I(x−1,y−1)+2
の内の最小の値を現在の画素値とする。
I(x,y)=
min{I(x−1,y)+1,I(x,y−1)+1,I(x−1,y−1)+2}
また、I(x,y)≠0であれば現在の画素の画素値に対して
左の画素値+1:I(x−1,y)+1
上の画素値+1:I(x,y−1)+1
左斜め上の画素値+2:I(x−1,y−1)+2
の内の最小の値を現在の画素値とする。
I(x,y)=
min{I(x−1,y)+1,I(x,y−1)+1,I(x−1,y−1)+2}
次に、上記と同じ処理であるが、順番は上記と逆で、右から左へ画素を一個ずつ、そして下から上へ、一行ずつずらす逆ラスタ走査をし、次のように画素値を更新する。
現在の画素値がI(x,y)=0であればI(x,y)=0のままとする。
また、I(x,y)≠0であれば現在の画素の画素値に対して
現在の画素値:I(x,y)
右の画素値+1:I(x+1,y)+1
下の画素値+1:I(x,y+1)+1
右斜め下の画素値+2:I(x+1,y+1)+2
の内の最小の値を現在の画素値とする。
I(x,y)=
min{I(x,y),I(x+1,y)+1,I(x,y+1)+1,I(x+1,y+1)+2}
また、I(x,y)≠0であれば現在の画素の画素値に対して
現在の画素値:I(x,y)
右の画素値+1:I(x+1,y)+1
下の画素値+1:I(x,y+1)+1
右斜め下の画素値+2:I(x+1,y+1)+2
の内の最小の値を現在の画素値とする。
I(x,y)=
min{I(x,y),I(x+1,y)+1,I(x,y+1)+1,I(x+1,y+1)+2}
図3は、2値画像に対する距離変換方法を説明する図であり、(a)は2値画像10を示し、(b)は(a)に対するラスタ走査による距離変換結果を示し、(c)は(b)に対する逆ラスタ走査による距離変換結果を示す。図3(b)に示すように、ラスタ走査による距離変換では、パターンの右下側に誤った画素値が多く見られる。しかしながら、図3(b)の距離変換結果に対して、さらに逆ラスタ走査をして距離変換を行うと、図3(c)に示すように、パターンエッジからの距離が遠くなるにしたがって画素値が大きくなり、パターンエッジからの距離に応じた正しい画素値が得られることが分かる。
上記距離変換部7に電気的に接続して領域分け部8が設けられている。この領域分け部8は、比較画像4のパターンエッジからの距離に応じて該比較画像4を複数の領域に区分けするものであり、図3(c)に示すように、上記距離変換部7で得られた距離変換画像11の画素値に基づいて比較画像4を領域分けする。即ち、距離変換の結果得られた画素値「1」の領域を第1の領域12とし、画素値「2」の領域を第2の領域13とし、画素値「3」の領域を第3の領域14として領域分けする。
さらに、上記領域分け部8は、領域分けされた各領域に対応する画素に対して白欠陥を検出するための白欠陥検出閾値、及び黒欠陥を検出するための黒欠陥検出閾値を自動設定する。詳細には、上記白欠陥検出閾値及び黒欠陥検出閾値の絶対値Tを、第1の領域12がT1、第2の領域13がT2、第3の領域14がT3(T1>T2>T3)となるように予め決定しておけば、比較画像4のパターンエッジに近い第1の領域12程、欠陥検出閾値の絶対値Tが大きくなるように自動的に設定することができる。この場合、比較画像4のパターンエッジに近い第1の領域12程、欠陥検出閾値の絶対値Tが大きくなるため、パターンエッジで多発する疑似欠陥の検出を抑制することができる。
又は、閾値は一定として、比較画像4のパターンエッジに近い第1の領域12程、欠陥検出感度を下げてもよい。例えば、第1の領域12の検出感度係数を“0”に、第2の領域13の検出感度係数を“0.5”に、第3の領域14の検出感度係数を“1”に設定し、領域毎に、検出感度に上記各係数を乗算させるようにすると、各領域の欠陥検出感度を自動設定することができる。この場合も、比較画像4のパターンエッジに近い第1の領域12の欠陥検出感度がゼロとなるため、パターンエッジで多発する疑似欠陥の検出を抑えることができる。
なお、上記のように、比較画像4のパターンエッジに近い第1の領域12の白欠陥検出閾値及び黒欠陥検出閾値の絶対値を他の領域に比べて大きくすることと、同領域の白欠陥及び黒欠陥の検出感度を他の領域に比べて低下させることとは等価であるため、「欠陥検出閾値を領域毎に変化させる」ということには、「欠陥検出感度を領域毎に変化させる」ことも含まれる。
上記撮像装置1、メモリ5及び領域分け部8に接続して比較検査部9が設けられている。この比較検査部9は、撮像装置1で撮影された検査画像3とメモリ5に保存された比較画像4とを重ね合せて、両画像の互いに対応する各画素の輝度値(電圧値)を比較し、画素毎にその差分を出力すると共に、その出力をさらに上記領域分け部8から入力する各領域に対応する画素毎の白欠陥検出閾値及び黒欠陥検出閾値と比較するものである。これにより、画素毎に白欠陥検出閾値を上回って得られた出力、又は黒欠陥検出閾値を下回って得られた出力からパターン欠陥を検出することができる。
次に、このように構成されたパターン欠陥検査装置を使用するパターン欠陥検査方法について、図4のフォローチャートを参照して説明する。
先ず、ステップS1においては、CADデータを基に作成され、又は撮像装置1により撮影して取得され、メモリ5に保存された図5(a)に示すようなグレー画像の比較画像4をメモリ5から2値変換部6に読み出す。なお、図5の下段に示す図は、上段に示す画像のB−B線に沿った輝度変化(電圧変化に相当)を示すものである。
先ず、ステップS1においては、CADデータを基に作成され、又は撮像装置1により撮影して取得され、メモリ5に保存された図5(a)に示すようなグレー画像の比較画像4をメモリ5から2値変換部6に読み出す。なお、図5の下段に示す図は、上段に示す画像のB−B線に沿った輝度変化(電圧変化に相当)を示すものである。
次に、ステップS2においては、2値変換部6で上記グレー画像の比較画像4を2値変換して図5(b)に示すようなモノクロ画像(2値画像10)を得る。詳細には、比較画像4の画素値が予め定められた閾値以上の時、その画素値を「1」とし、それ以外の画素値を「0」にする変換を行う。この場合、白に対応する画素の画素値を「1」に、また黒に対応する画素の画素値を「0」に割り当てると、図5(b)の領域Aの2値画像10は、図6(a)のようになる。
同様にして、領域Aの2値画像10の反転画像を得る。この場合は、上述と反対に、白に対応する画素の画素値を「0」に、また黒に対応する画素の画素値を「1」に割り当てる。これにより、図6(b)に示すように、図6(a)に示す2値画像10の「0」と「1」とが入れ替わった反転2値画像10′が得られる。
続いて、ステップS3においては、2値変換部6から入力する2値画像10及び反転2位画像10′に対して、距離変換部7で距離変換処理が行われ、図5(c)に示すような距離変換画像11が得られる。詳細には、図3で説明したように、2値画像10及び反転2位画像10′に対してラスタ走査及び逆ラスタ走査による距離変換処理が実施される。
例えば、領域Aに注目すると、図6(a)に示す2値画像10に対する距離変換の結果は、図7(a)に示すものとなる。また、図6(b)に示す反転2値画像10′に対する距離変換結果は、図7(b)に示すものとなる。このようにして得られた図7(a),(b)の距離変換画像11を合成することにより図8に示す距離変換画像11が得られる。図8から分かるように、白で示すパターンのエッジ(白と黒の境界)から離れるに従って画素値が大きくなっている。
次いで、ステップS4においては、距離変換部7から入力する距離変換画像11に基づいて領域分け部8でパターンエッジからの距離に応じて領域分けが実施される。即ち、図8に示す距離変換画像11において、画素値が「1」の領域を第1の領域12として設定し、画素値が「2」の領域を第2の領域13として設定し、画素値が「3」の領域を第3の領域14として設定する。この場合、例えば比較画像4における最大輝度値に対して、第3の領域14の輝度を100%に、第2の領域13の輝度を50%に、第1の領域12の輝度を0%に設定すると、図5(d)に示すような領域分け画像15が得られる。
さらに、ステップS5においては、上記領域分け部8で領域毎に値の異なる欠陥検出閾値±Txが自動設定される。詳細には、領域分けされた各領域に対応する画素に対して白欠陥を検出するための白欠陥検出閾値、及び黒欠陥を検出するための黒欠陥検出閾値が自動設定される。より詳細には、上記白欠陥検出閾値及び黒欠陥検出閾値の絶対値Tが、第1の領域12内の画素に対してT1、第2の領域13内の画素に対してT2、第3の領域14内の画素に対してT3(T1>T2>T3)となるように設定される。
また、ステップS6においては、撮像装置1で撮影された検査画像3の輝度値(電圧値)とメモリ5から読み出した比較画像4の輝度値(電圧値)とが比較検査部9で比較され、その差分出力Eが得られる。詳細には、検査画像3と比較画像4とが重ね合わされた状態で、比較画像4の各画素の輝度値(電圧値)と、該比較画像4の各画素に対応して位置する検査画像3の画素の輝度値(電圧値)とが減算処理される。
より詳細には、例えば比較画像4の任意の位置の横一列に並んだ画素の輝度変化が図9(a)に示すものであり、比較画像4の上記位置に対応して検査画像3の横一列に並んだ画素の輝度変化が図9(b)に示すものである場合に、両輝度値の減算処理結果は、図9(c)に示すものとなる。図9(b)は、検査画像3のパターン内部に黒欠陥が存在し、背景の中央部に白欠陥が存在し、パターンエッジの一部に位置ずれや寸法誤差が存在する場合を例示している。したがって、比較画像4と検査画像3の差分出力E(差異)には、図9(c)に示すように、パターン内部に相当する第3の領域14に黒欠陥が検出され、背景の中央部に相当する第3の領域14に白欠陥が検出される。また、パターンエッジ近傍の第1の領域12には、パターンの位置ずれや寸法誤差に起因する疑似欠陥が検出される。
ステップS7においては、比較検査部9で各領域の差分出力Eが領域毎に設定された値の異なる欠陥検出閾値+Tx以上であるか(+Tx≦E)、又はそれ以下であるか(−Tx≧E)否かが判定される。詳細には、比較画像4及び検査画像3の第1の領域12に位置する画素の輝度値の差分出力Eが白欠陥検出閾値+T1以上であるか(+T1≦E)、又は黒欠陥検出閾値−T1以下であるか(−T1≧E)否かが判定される。また、同様に、第2の領域13に位置する画素の輝度値の差分出力Eが白欠陥検出閾値+T2以上であるか(+T2≦E)、又は黒欠陥検出閾値−T2以下であるか(−T2≧E)否かが判定される。さらに、第3の領域14に位置する画素の輝度値の差分出力Eについても、それが白欠陥検出閾値+T3以上であるか(+T3≦E)、又は黒欠陥検出閾値−T3以下であるか(−T3≧E)否かが判定される。
ステップS7において、+Tx≦E又は−Tx≧Eであると判定(“YES”判定)されると、ステップS8に進んで、パターン欠陥が有りと判定される。一方、上記欠陥検出判定基準に該当しない場合には、ステップS7は、“NO”判定となってステップS9に進み、パターン欠陥は存在しないと判定される。
通常、各画素に設定される欠陥検出閾値は、同じ値である。例えば、図10(a)に示すように、欠陥検出閾値が±T3である場合には、パターン内部の黒欠陥及び背景中央部の白欠陥のみならず、製品の製造歩留りや品質に影響しないパターンの僅かな位置ずれや寸法誤差等に起因する疑似欠陥に相当する差分出力Eが欠陥検出閾値+T3以上(+T3≦E)、又は−T3以下(−T3≧E)となって、上記疑似欠陥までもが欠陥として検出されてしまうおそれがある。この場合、疑似欠陥の検出を抑えるために、欠陥検出閾値の絶対値を大きく設定すると、真の微小欠陥の検出ができなくなるおそれがある。
しかしながら、本発明においては、前述したように各画素に設定される欠陥検出閾値の絶対値Tは、パターンエッジに近い領域(第1の領域12)程大きくなるように設定されている(T1>T2>T3)。したがって、図10(b)に示すように、パターン内部(第3の領域14)の黒欠陥に相当する差分出力Eは、黒欠陥検出閾値−T3以下(−T3≧E)となって黒欠陥として検出され、背景中央部(第3の領域14)の白欠陥に相当する差分出力Eは、白欠陥検出閾値+T3以上(+T3≦E)となって白欠陥として検出される。しかし、パターンエッジに近い領域(第1の領域12)の疑似欠陥に相当する差分出力Eは、当該領域に設定された白欠陥検出閾値+T1を下回り(+T1>E)、又は黒欠陥検出閾値−T1を上回ることになり(−T1<E)、上記疑似欠陥は検出されない。
このように、本発明によれば、パターンエッジで多発する疑似欠陥の検出を抑制して、真の欠陥のみを検出することができ、欠陥検出精度を向上することができる。
なお、上記実施形態においては、パターンエッジからの距離に応じて3領域に領域分けする場合について述べたが、本発明はこれに限られず、より多くの領域に領域分けしてもよい。
また、上記実施形態においては、白欠陥及び黒欠陥の両方を検出する場合ついて述べたが、白欠陥又は黒欠陥のいずれか一方を検出するものであってもよい。
1…撮像装置
2…画像処理装置
3…検査画像
4…比較画像
10…2値画像
12…第1の領域
13…第2の領域
14…第3の領域
2…画像処理装置
3…検査画像
4…比較画像
10…2値画像
12…第1の領域
13…第2の領域
14…第3の領域
Claims (8)
- パターンを撮影する撮像装置と、
前記撮像装置で撮影された検査画像の欠陥を検出するために、該検査画像と比較される比較画像のパターンエッジからの距離に応じて該比較画像を複数の領域に区分けし、前記検査画像の輝度値と前記比較画像の輝度値との差分出力から欠陥を検出するための欠陥検出閾値を前記領域毎に変化させ得るようにした画像処理装置と、
を備えたことを特徴とするパターン欠陥検査装置。 - 前記複数領域の区分けは、前記比較画像を2値化処理して得られた2値画像を距離変換して行われることを特徴とする請求項1記載のパターン欠陥検査装置。
- 前記欠陥検出閾値の絶対値は、前記複数の領域のうち、前記比較画像のパターンエッジに近い領域程大きくなるように設定されることを特徴とする請求項1又は2記載のパターン欠陥検査装置。
- 前記比較画像は、CADデータを基に作成された画像又は前記撮像装置で撮影される前記検査画像とは別の画像であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン欠陥検査装置。
- 撮像装置で撮影された検査画像の欠陥を検出するために、該検査画像と比較される比較画像のパターンエッジからの距離に応じて、該比較画像を複数の領域に区分けする第1ステップと、
前記検査画像の輝度値と前記比較画像の輝度値とを比較して、その差分出力を得る第2ステップと、
前記差分出力から欠陥を検出するための欠陥検出閾値を前記領域毎に変化させて、前記検査画像に欠陥を検出する第3ステップと、
を行うことを特徴とするパターン欠陥検査方法。 - 前記第1ステップにおいて、前記複数領域の区分けは、前記比較画像を2値化処理して得られた2値画像を距離変換して行われることを特徴とする請求項5記載のパターン欠陥検査方法。
- 前記第3ステップは、前記欠陥検出閾値の絶対値を前記複数の領域のうち、前記比較画像のパターンエッジに近い領域程大きくなるように設定して行われることを特徴とする請求項5又は6記載のパターン欠陥検査方法。
- 前記比較画像は、CADデータを基に作成された画像又は前記撮像装置で撮影される前記検査画像とは別の画像であることを特徴とする請求項5〜7のいずれか1項に記載のパターン欠陥検査方法。
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