JP2016029216A - Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、この製造方法及び金属薄膜 - Google Patents

Abstract

【課題】電子部品でも特に配線材料及び配線材料の保護膜として用いられ、Ｃｕ等と比べて耐酸化性及び耐食性に優れた金属薄膜を形成することができるＣｕ合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】配線材料及び配線材料の保護膜として用いられるＣｕ合金スパッタリングターゲットであって、質量比にてニッケルの含有量が２０．０〜４０．０質量％であり、バナジウムの含有量が１．０〜１０．０質量％であって、残部が銅と不可避的不純物であることを特徴とする。【選択図】なし

Description

本発明は、電子部品でも特に配線材料に使用されるＣｕ合金スパッタリングターゲット、この製造方法及びこのＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いて形成した金属薄膜に関するものである。

現在、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイや有機ＥＬといった表示デバイスの入力手段としてタッチパネルは、表示デバイスとともに組み込まれて用いられており、ＡＴＭや券売機などの金融機関や交通機関などの産業用機器の表示ディスプレイに先行して普及している。また、近年では、スマートフォンやタブレット型のパーソナルコンピュータなどのさまざまなデジタル機器においてもタッチパネルが採用されており、その市場規模は急速に拡大している。更にパーソナルコンピュータのモニターなどの大型サイズでも使用され始めているため、今後、更に拡大が見込まれた市場として注目されている。

これら表示デバイスやタッチパネルなどの部材の中で、配線基板は、ガラスやフィルムなどが用いられ、その上には透明電極膜としてＩＴＯ（酸化インジウムスズ）が成膜されている。更にその上に配線電極膜としてＡｌを主としたＡｌ合金が主に用いられている。配線パターンの形成は、ガラス等の基板上にＩＴＯを成膜し、更にＡｌ合金を成膜した後、フォトマスクを通してレジスト処理をして、ウェットエッチングにてパターン形成している。これら透明電極膜や配線電極膜の成膜には、高精度で且つ薄膜形成が可能なスパッタ法が用いられている。

一方で、デバイスの高精細化、高速度化に伴い、配線材料の配線幅が縮小されているが、配線材料に使用されるＡｌ及びＡｌ合金においては配線に流れる電流密度が大きくなることにより金属原子・空孔が移動する現象（エレクトロマイグレーション）、また、配線にかかる引張応力を緩和させようと金属原子・空孔が移動する現象（ストレスマイグレーション）が生じる。これらエレクトロマイグレーション、ストレスマイグレーションによるボイドの発生により抵抗値の増加、更にはボイドの発生により断線する問題があり信頼性が問題となっている。このため、Ａｌに変わるような配線材料が望まれている。

そこで、その代替として低抵抗であり、高融点であるＣｕが注目されている。しかしながら、ＣｕはＡｌと比べて耐酸化性に乏しいため加熱工程において酸化が進行し、抵抗値が増大する問題があり、実用するに当たっては酸化を防ぐために保護膜（バリア膜）が必要となっている。

保護膜には、耐酸化性が必須のほか、耐食性を有することが必要となる。配線のパターン形成工程時には、Ｃｕ用のエッチング溶液を用いてパターンを形成するが、エッチング溶液に対して保護膜の耐食性が乏しいとそのエッチング溶液で保護膜が腐食されて変色してしまうことから特性を損なう問題がある。そのため、配線材料並びに配線材料の保護膜には、耐食性が耐酸化性と合わせて要求される。

これらに関して、特許文献１では、Ｃｕ配線に耐酸化性を向上させるためにＣｕにＣｕよりも電気陰性度が大きい元素を添加し、また、密着性を向上させるためにＣｕにＳｉよりも電気陰性度が低い元素を添加したスパッタリングターゲットが提案されている。しかし、特許文献１では、耐酸化性においては特性を十分に満足するが、耐食性に関しては十分ではないためパターン形成工程時のウェットエッチング処理時に配線材料が容易に変色し、その特性を大きく損なうことが予想される。

また、特許文献２では、Ｃｕ配線電極の耐食性を向上させるためＣｕと非固溶元素を添加したスパッタリングターゲットが提案されている。しかしながら、非固溶元素を添加させるために製法は焼結によるものであり、焼結体は鋳造品と比べて機械的強度が低いため塑性加工が困難であることから、量産で生産する上では適切ではない。

更には特許文献３では、配線材料に耐候性、耐食性を向上させるためにＣｕにＡｇ、Ｔｉを添加したスパッタリングターゲットが提案されている。しかしながら、Ａｇは、高価であることから製造コストが圧迫されるため適切な手段とはいえない。また、大気中などの耐候性については期待されるが、酸やアルカリに対する耐食性には疑問があり、配線のパターン形成工程においてはウェットエッチング処理時に腐食するおそれがあり、適切ではない。

更には特許文献４では、Ｃｕ電極の電気的特性の劣化を抑制させるためにＣｕ電極の保護膜用ＮｉＣｕ合金スパッタリングターゲットが提案されている。また、特許文献５では、ハンダ材のＳｎの拡散防止としてバリア層を形成させるためにＮｉにＣｕ及び、Ｖ、Ｃｒなどを添加したＮｉ合金スパッタリングターゲットが提案されている。しかしながら、Ｎｉは、耐食性に優れた材料であることから、パターン形成加工時のウェットエッチング処理時にはＣｕの保護膜であるＣｕＮｉ合金が残渣として残り、電極としての特性を損なうことから適切ではない。

更には特許文献６、７では、配線との密着性を向上させるために密着層としてＮｉＣｕ合金、また、窒化ＮｉＣｕ合金を形成させて密着性を向上させる方法が提案されている。しかしながら、特許文献６、７では、基板との密着性に効果があるものの、抵抗値を増大させることから、電極としての特性を損なうことから適切ではない。

更に特許文献８では、導電膜、及びその保護膜について抗酸化性、粘着性を向上させるためにＣｕにＮｉ、Ｚｎ及び貴金属やＣｒ、Ｔｉなどを添加したスパッタリングターゲットが提案されている。しかしながら、Ｚｎを２０質量％程度含有させた場合、抵抗値が増大することから、電極としての特性を損なうため適切ではない。更にＺｎは、酸やアルカリに対しての耐食性が非常に弱いので、配線のパターン形成工程においてはウェットエッチング処理時に腐食するおそれがあり、適切ではない。また、製造する上では、Ｃｕ−Ｎｉは固溶するため均一なものが得られる。しかしながら、Ｚｎが数十％以上も添加されると多種で多量の脆弱な金属間化合物が形成され、脆化の影響でターゲットを製造する上で塑性加工が困難となる。且つ、Ｚｎは、沸点が９００℃程度と他の元素の融点よりも低い温度で気化してしまう。そのため、溶解する温度域においてＺｎが容易に気化することから目的量の組成コントロールは困難となってしまう。そのため、量産で生産する上では適切ではない。

特開平５−４７７６０号公報 特開平１１−５０２４２号公報 特許第４４９４６１０号公報 特開２０１１−５２３０４号公報 特許第４２７１６８４号公報 特開２００９−１８８３２４号公報 特開２０１１−６１１１３号公報 特開２００６−２４１５８７号公報

そこで、本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、電子部品でも特に配線材料及び配線材料の保護膜として用いられ、Ｃｕ等と比べて耐酸化性及び耐食性に優れた金属薄膜を形成することができるＣｕ合金スパッタリングターゲット、この製造方法及びこのＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いて成膜された金属薄膜を提供することを目的とする。

上述した目的を達成する本発明に係るＣｕ合金スパッタリングターゲットは、配線材料及び配線材料の保護膜として用いられるＣｕ合金スパッタリングターゲットであって、質量比にてニッケルの含有量が２０．０〜４０．０質量％であり、バナジウムの含有量が１．０〜１０．０質量％であって、残部が銅と不可避的不純物であることを特徴とする。

上述した目的を達成する本発明に係るＣｕ合金スパッタリングターゲットの製造方法は、ニッケルと、バナジウムと、銅とを溶解し、鋳造して、質量比にてニッケルを２０．０〜４０．０質量％含み、バナジウムが１．０〜１０．０質量％添加され、残部が銅と不可避的不純物であるＣｕ合金スパッタリングターゲットを製造することを特徴とする。

上述した目的を達成する本発明に係る金属薄膜は、上記Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを用いて形成されたものである。

本発明では、質量比にてニッケルを２０．０〜４０．０質量％含み、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素が添加され、残部が銅と不可避的不純物であるＣｕ合金スパッタリングターゲットとすることによって、電子部品でも特に配線材料及び配線材料の保護膜として用いられ、耐酸化性及び耐食性を有する金属薄膜を形成することができる。

以下に、本発明を適用したＣｕ合金スパッタリングターゲット、及びこのＣｕ合金スパッタリングターゲットの製造方法、このＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いて形成した金属薄膜について詳細に説明する。なお、本発明は、特に限定がない限り、以下の詳細な説明に限定されるものではない。

Ｃｕ合金スパッタリングターゲットは、電子部品でも特に配線材料及び配線材料の保護膜の形成に用いられる。このＣｕ合金スパッタリングターゲットは、質量比にてニッケル（Ｎｉ）を２０．０〜４０．０質量％含み、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素が合計で１．０〜１０．０質量％添加され、残部が銅（Ｃｕ）と不可避的不純物で構成されるものである。

Ｃｕは、例えば、硫酸銅溶液等の電解液中で電気分解により陰極に海綿状又は樹枝状の形状のＣｕを析出させて製造されるものを使用できる。なお、Ｃｕは、これらの方法以外で製造されたものを使用してもよい。

Ｎｉは、耐酸化性に優れた金属であり、５００℃程度の加熱では殆ど酸化しない特徴を有しているため、Ｃｕに添加することで耐酸化性を付与する効果を有する。また、Ｎｉは、酸やアルカリに対する耐食性を有しており、Ｃｕに添加することで耐食性を付与する効果を有する。これら耐酸化性及び耐食性をＣｕに付与するためには、ＣｕにＮｉを２０．０質量％以上添加することが好ましい。Ｎｉの添加量が２０．０質量％よりも少ない場合には、Ｃｕに耐酸化性及び耐食性を十分に付与することができない。また、Ｃｕ−Ｎｉ合金は、固溶するため、どの組成範囲においても均一に混ざり合い、安定なものができるほか、塑性加工が容易であるためターゲットを製造する上で扱いが容易である。

一方で、Ｎｉを４０．０質量％以上添加した場合、抵抗値が増大するため電子部品用でも特に配線材料においては望ましくない。また、配線材料の保護膜として使用する場合においては、配線のパターン形成工程時のエッチング処理時に残渣として残ってしまうことから望ましくない。以上のことから、Ｎｉの添加量は、質量比で２０．０〜４０．０質量％とする。

Ｃｕ合金スパッタリングターゲットでは、金属薄膜に耐酸化性及び耐食性を付与するためにＮｉを添加するが、上述したようにＮｉの添加量ついては抵抗値の増大や残渣等の点で４０質量％までしか添加することができない。このため、Ｃｕ合金スパッタリングターゲットでは、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素を１．０〜１０．０質量％の範囲で添加することで、耐酸化性及び耐食性を有する金属薄膜を形成することができるようにする。各元素の添加により付与される効果を以下に示す。

Ｃｒは、耐食性に非常に優れた金属であり、Ｃｕ―Ｎｉ合金に添加することにより更なる耐食性を付与する効果を有する。

Ｔｉは、耐食性に優れており、また耐酸化性にも優れた金属であるため、Ｃｕ−Ｎｉ合金に添加することにより更なる耐食性、耐酸化性を付与する効果を有する。また、Ｔｉは、酸素との親和力が強いため合わせて基板との密着性を付与する効果を有する。

Ｖは、耐酸化性に優れており、Ｃｕ―Ｎｉ合金に添加することにより更なる耐酸化性を付与する効果を有する。

Ａｌは、耐食性に優れており、Ｃｕ―Ｎｉ合金に添加することにより更なる耐食性を付与する効果を有する。

Ｔａは、白金族に続いて耐食性に優れており、Ｃｕ―Ｎｉ合金に添加することにより更なる耐食性を付与する効果を有する。また、Ｔａは、酸素との親和力が強いため、耐食性と合わせて基板との密着性も付与する効果を有する。

Ｃｏは、耐酸化性に優れており、また、特にＮｉとの合金により高い耐性を有することから、Ｃｕ―Ｎｉ合金に添加することにより更なる耐酸化性を付与する効果を有する。

Ｚｒは、耐食性に優れており、また耐酸化性にも優れた金属であるため、Ｃｕ−Ｎｉ合金に添加することにより更なる耐食性、耐酸化性を付与する効果を有する。また、Ｚｒは、酸素との親和力が強いため、耐食性、耐酸化性と合わせて基板との密着性を付与する効果を有する。

Ｎｂは、耐食性に優れており、また耐酸化性にも優れた金属であるため、Ｃｕ−Ｎｉ合金に添加することにより更なる耐食性、耐酸化性を付与する効果を有する。

Ｍｏは、耐食性に優れており、Ｃｕ―Ｎｉ合金に添加することにより更なる耐食性を付与する効果を有する。

これらの元素は、１種又は２種以上添加しても良い。２種以上添加することにより、耐食性及び耐酸化性の効果を付与することができる。Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏの添加量は、１種又は２種以上の合計が質量比で１．０〜１０．０質量％であることが好ましい。Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素を添加して耐酸化性や耐食性の効果を付与するためには、１．０質量％以上添加する必要がある。一方で、１０．０質量％以上添加すると、抵抗値が増大するため電子部品用でも特に配線材料においては好ましくない。また、１０．０質量％以上添加すると、多種で多量の金属間化合物が形成されることから加工性が著しく悪化するため量産で製造する上では好ましくない。したがって、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素を添加する場合には、抵抗値を上げることなく、耐酸化性や耐食性の効果を付与し、量産できるようにするため、添加量を１．０〜１０．０質量％とする。

以上のようなＣｕ合金スパッタリングターゲットは、次のようにして製造することができる。製造方法は、先ず、ＣｕやＮｉの他に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素を、ターゲットにおけるＮｉの含有量が２０．０〜４０．０質量％、Ｃｒ等の元素の含有量が１．０〜１０．０質量％となるように配合する。次に、配合した原料を溶解・鋳造法で合金化させる。合金化する際の温度は、１３００〜１６００℃程度とすることが好ましい。また、使用する坩堝は、特に指定は無いが黒鉛坩堝は好ましくない。黒鉛坩堝を用いた場合には、１３００℃位で添加元素であるＮｉに浸炭するため、得られる鋳塊の品位が低下するおそれがある。溶解・鋳造法により得られる鋳塊品は、均一な組成分布であり、また塑性加工が容易となる。

次に、得られた鋳塊を用いてスパッタリングターゲットを製造する。ターゲットに加工する加工方法は何でも良く、熱間鍛造、冷間鍛造でも良く、また、ワイヤーカットでの切り出しでの加工でもよく、板材に形成する。得られた板材は、スパッタリングの冶具であるバッキングプレートにロウ材を用いて貼付けることで、Ｃｕ合金スパッタリングターゲットを得ることができる。なお、Ｃｕ合金スパッタリングターゲットとは、平面研削やボンディング等のターゲット仕上げ工程前のターゲット材の状態も含むものである。

以上のようにして作製したＣｕ合金スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に設置し、スパッタリング装置の系内を５．０×１０^−４Ｐａ以下の真空度まで真空引きした後、例えばＡｒを導入し、任意の条件の電力を投入して、基板上にスパッタリングターゲットの薄膜を形成することで、電子部品、例えば配線材料又は配線材料の保護膜をＣｕを含む金属薄膜で形成することができる。この金属薄膜は、Ｃｕ及びＮｉを含有し、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素が添加されているため、Ｃｕのみ、又はＣｕ及びＮｉのみを含有する合金よりも耐酸化性及び耐食性が高いものである。

配線をスパッタリングで形成する際にＣｕ等の配線材料上に形成する保護膜として上述した金属薄膜を成膜した場合には、配線部分をフォトマスクでマスクし、ウェットエッチング処理する際に配線材料が金属薄膜によって保護されるため、配線材料の腐食を防止でき、保護膜の残渣が生じることもない。また、配線材料上に金属薄膜を形成した場合には、耐酸化性を有する保護膜によって配線のパターン形成工程における加熱により配線材料が酸化することを防止でき、配線の抵抗値が大きくなることを防止できる。

また、配線自体に金属薄膜を用いた場合には、耐酸化性及び耐食性を有する配線が形成されるため、パターン形成工程における加熱により酸化せず、抵抗値が大きくなることを防止でき、またウェットエッチング溶液による腐食も防止できる。

更に、基板と配線との密着性を向上させるため、基板と配線との間の密着層を金属薄膜で形成した場合には、抵抗値を増大させず、電極としての特性を損なわずに、基板と配線との密着性を向上させることができる。

以下、本発明を適用した具体的な実施例について説明するが、本発明は、これらの実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
実施例１では、Ｃｕ−Ｎｉ合金を製造するために、出発原料としてターゲット中のＣｕが６８．０質量％、Ｎｉが３０．０質量％、Ｃｒが２．０質量％となるように秤量し、溶解炉として高周波誘導真空溶解炉（富士電波工業株式会社製）用い、アルミナ坩堝に原料を投入してＡｒ雰囲気で１４５０℃まで加熱し、鉄製の鋳型に鋳造した。

次に、得られた鋳塊について表面の異物をグラインダー等で除去した後、熱間圧延にて９００℃まで加熱し、鋳塊を８０％まで圧下させて板状に加工した。そして、得られた板材をワイヤーカットにて直径φ７５ｍｍに切り出し、切り出した板材を平面研削にて厚さ６ｍｍに加工した。その後、ロウ材にＩｎを用いてバッキングプレートに貼付け、スパッタリングターゲットを作製した。

得られたスパッタリングターゲットを用いて、金属薄膜をスパッタリングにより成膜した。スパッタリングターゲットをスパッタリング装置に取り付け、２０ｍｍ×２０ｍｍのガラス基板をスパッタリングターゲットと対向させた位置に取り付け、装置内を３．０×１０^−４Ｐａまで真空引きした後、ガス圧を４．０×１０^−１Ｐａに保ち、投入電力２００Ｗにて膜厚が５００Åとなるようにスパッタリングにより金属薄膜を形成した。以上のようにして作製した金属薄膜の電気抵抗、耐酸化性、耐食性の特性の評価を行った。各評価方法を以下に示す。

電気抵抗の評価方法としては、ＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠した四端子法にて２５℃における体積抵抗率を測定して評価を行った。体積抵抗率が２０μΩ・ｃｍ未満の場合には、良好とし、２０μΩ・ｃｍ以上、４０μΩ・ｃｍ未満の場合には、普通とし、４０μΩ・ｃｍ以上の場合には、不良とした。評価が良好又は普通であれば、電気抵抗が小さく好ましいものとする。

耐酸化性の評価方法としては、加熱前の金属薄膜についての体積抵抗率をＪＩＳ Ｋ７１９４に準拠した四端子法にて測定し、その後、恒温層内に１５０℃×１ｈｒの条件で加熱処理を行い、処理後の体積抵抗率を測定し、処理前と処理後の抵抗変化率（％）で評価を行った。処理前と処理後の抵抗変化率が０．１％以下の場合は、抵抗の変化率が非常に小さいものとして◎で示し、０．１〜５．０％の場合は、抵抗の変化が少しあるものの電極特性を有するものとして○で示し、５．０％以上の場合は、抵抗の変化が大きく電極特性を損ねているものとして×とした。評価が◎又は○であれば、耐酸化性を有するものとして好ましいものとする。

耐食性の評価方法としては、金属薄膜を成膜したガラス基板を塩化ナトリウム５％水溶液中に２４時間浸し、薄膜表面の腐食状態を目視にて評価した。評価方法としては、相対評価とし、比較材にはＣｕを用い、腐食前とほぼ変わらず、変化が見られない場合には◎、Ｃｕよりも腐食が見られなければ○、Ｃｕと同等、またはＣｕよりも腐食がある場合には×とした。評価が◎又は○であれば、耐食性を有するものとして好ましいものとする。実施例１の結果を表１に示す。

（実施例２〜１５、比較例１、比較例２）
実施例２〜１５、比較例１、比較例２では、表１に示す組成となるように出発原料の配合を変更した以外は実施例１と同様にしてスパッタリングターゲットを作製し、Ｃｕ−Ｎｉ合金薄膜を作製した。得られたＣｕ−Ｎｉ合金薄膜について、電気抵抗、耐酸化性、耐食性を評価した。結果を表１に示す。

表１に示す結果から、Ｃｕの他に、Ｎｉを２０．０〜４０．０質量％含有し、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素を合計で１．０〜１０．０質量％含有している実施例１〜１５では、電気抵抗が良好又は普通であり、抵抗の変化が殆どなく耐酸化性を有し、また腐食がなく又はＣｕよりも腐食が抑えられ耐食性を有している。

一方、Ｎｉの含有量が２０．０質量％よりも少ない比較例１では、耐酸化性が悪くなった。Ｎｉの含有量が４０．０質量％よりも多い比較例２では、電気抵抗が悪くなり、導電性が不良となった。

また、Ｃｒの含有量が１．０質量％よりも少ない比較例３では、腐食がみられ、耐食性が十分ではなかった。Ｃｒの含有量が１０．０質量％よりも多い比較例４では、電気抵抗が高く、導電性が不良となった。

以上の実施例及び比較例から、配線用スパッタリングターゲットにおいてＣｕの他に、Ｎｉを２０．０〜４０．０質量％含有し、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素を合計で１．０〜１０．０質量％含有することで、電気抵抗が増大せずに耐酸化性や耐食性を得ることができることがわかる。

Claims (5)

1. 配線材料及び配線材料の保護膜として用いられるＣｕ合金スパッタリングターゲットであって、
   質量比にてニッケルの含有量が２０．０〜４０．０質量％であり、バナジウムの含有量が１．０〜１０．０質量％であって、残部が銅と不可避的不純物であることを特徴とするＣｕ合金スパッタリングターゲット。
2. さらにＣｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素を、前記バナジウムと合計で１．０〜１０．０質量％含有する請求項１に記載のＣｕ合金スパッタリングターゲット。
3. ニッケルと、バナジウムと、銅とを溶解し、鋳造して、
   質量比にてニッケルを２０．０〜４０．０質量％含み、バナジウムが１．０〜１０．０質量％添加され、残部が銅と不可避的不純物であるＣｕ合金スパッタリングターゲットを製造することを特徴とするＣｕ合金スパッタリングターゲットの製造方法。
4. さらにＣｒ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏのいずれか１種又はこれらの２種以上の元素が、前記バナジウムと合計で１．０〜１０．０質量％添加される請求項３に記載のＣｕ合金スパッタリングターゲットの製造方法。
5. 請求項１又は２記載のＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いて形成されたことを特徴とする金属薄膜。