JP2016028867A - 原盤の製造方法、転写物、およびレプリカ原盤 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】円筒または円柱形状の基材の外周面に薄膜層を形成するステップと、オブジェクトが描かれた入力画像に基づいて、前記オブジェクトに対応する制御信号を生成するステップと、前記制御信号に基づいて前記薄膜層にレーザ光を照射し、前記薄膜層に前記オブジェクトに対応する薄膜パターンを形成するステップと、前記薄膜パターンが形成された前記薄膜層をマスクに用いて、前記基材の前記外周面に前記オブジェクトに対応するパターンを形成するステップと、を含む原盤の製造方法。
【選択図】図4
Description
まず、図1および図2を参照して、本発明の一実施形態に係る製造方法により製造される原盤、および該原盤による転写物について説明する。図1は、本実施形態に係る製造方法により製造される原盤を模式的に示した斜視図である。
次に、上記にて説明した本実施形態に係る原盤1の製造方法について、第1の製造方法と、第2の製造方法とに分けて説明する。
まず、図3A〜図8Bを参照して、本実施形態に係る第1の製造方法について説明する。
以下では、図3A〜図3Dを参照して、本実施形態に係る第1の製造方法について、具体的に説明する。図3A〜図3Dは、本実施形態に係る第1の製造方法の各工程を説明する断面図である。なお、図3A〜図3Dでは、基材11を厚み方向に切断した際の断面形状を模式的に示している。
次に、図4〜図8Bを参照して、本実施形態に係る第1の製造方法にて使用される露光装置について、より詳細に説明する。図4は、本実施形態に係る第1の製造方法にて使用される露光装置の概略を説明する説明図である。
次に、図5を参照して、レーザ光20の照射の制御信号を生成するフォーマッタ40の機能構成について説明する。図5は、フォーマッタ40の機能構成を示したブロック図である。
さらに、図8Aおよび図8Bを参照して、本実施形態に係る第1の製造方法にて使用される露光装置2の構成例について説明する。図8Aは、本実施形態に係る第1の製造方法にて使用される露光装置の構成例を示す説明図である。図8Bは、本実施形態に係る第1の製造方法にて使用される露光装置の他の構成例を示す説明図である。
続いて、図9A〜図10を参照して、本実施形態に係る第2の製造方法について説明する。
以下では、図9A〜図9Eを参照して、本実施形態に係る第2の製造方法について、より具体的に説明する。図9A〜図9Eは、本実施形態に係る第2の製造方法の各工程を説明する断面図である。なお、図9A〜図9Eでは、基材11を厚み方向に切断した際の断面形状を模式的に示している。
ここで、中間層17は、第1のエッチング工程において、レジスト層15のエッチングレートよりも速いエッチングレートを有し、第2のエッチング工程において、基材11のエッチングレートよりも遅いエッチングレートを有する材質で形成されることが好ましい。具体的には、中間層17は、DLCまたは有機レジストなどで形成された有機層であることが好ましい。
以下では、実施例および比較例を参照しながら、上記実施形態に係る原盤の製造方法について、具体的に説明する。なお、以下に示す実施例は、上記実施形態に係る原盤の製造方法の実施可能性および効果を示すための一条件例であり、本発明に係る原盤の製造方法が以下の実施例に限定されるものではない。
以下の工程により、基材上に中間層およびレジスト層を積層して試験片を製造し、中間層の好ましい特性について評価した。
石英ガラスからなる基材上に、炭化水素系ガスを用いた化学気相蒸着(CVD)により、中間層としてDLCを膜厚500nmにて成膜した。次に、中間層上にレジスト層としてタングステン酸化物をスパッタ法により膜厚55nmにて成膜し、試験片を製造した。
試験例1において、DLCに替えてシリコン(Si)をスパッタ法により膜厚500nmにて成膜し、中間層を形成した以外は、試験例1と同様の方法にて試験片を製造した。
試験例1において、DLCに替えてアルミニウム(Al)をスパッタ法により膜厚500nmにて成膜し、中間層を形成した以外は、試験例1と同様の方法にて試験片を製造した。
試験例1において、中間層を形成せずに、基板上に直接レジスト層を形成した以外は、試験例1と同様の方法にて試験片を製造した。
続いて、以下の工程により原盤を製造した。
まず、4.5mm厚の円筒形状の石英ガラスからなる基材の外周面に、炭化水素系ガスを用いたCVDにより、中間層としてDLCを膜厚800nmにて成膜した。次に、中間層上にタングステン酸化物をスパッタ法により膜厚55nmにて成膜した。
実施例1において、入力画像(露光パターン)に、3.5μm四方の正方形を4.5μmピッチにて配列した四方格子配列の画像を使用した以外は、実施例1と同様の方法にて原盤を製造した。なお、実施例1と同様に、3.5μm四方の正方形が凸部に対応するように、露光装置にて3.5μm四方の正方形以外の部分を露光した。
熱リソグラフィを用いず、機械的加工である超精密切削により、比較例1に係る原盤を製造した。図13Aは、比較例1に係る原盤に形成したパターンを説明する説明図であり、図13Bは、比較例1に係る原盤に形成したパターンを基材の厚み方向に切断した際の断面を模式的に示した断面図である。
上記の工程により製造した実施例1および2、比較例1に係る原盤について、形成した凹凸構造をUV(紫外線)転写フィルムに転写することで評価した。なお、以下で説明するSEM画像は、原盤の転写物を観察している。そのため、以下で示す転写物のパターンの凹凸構造は、原盤の凹凸構造に対して、凹部と凸部との位置が反転している。
2 露光装置
11 基材
13 凹凸構造
15 レジスト層
15A 潜像
17 中間層
20 レーザ光
21 レーザ光源
40 フォーマッタ
401 入力画像取得部
403 小領域分割部
405 信号生成部
407 クロック信号生成部
Claims (15)
- 円筒または円柱形状の基材の外周面に薄膜層を形成するステップと、
オブジェクトが描かれた入力画像に基づいて、前記オブジェクトに対応する制御信号を生成するステップと、
前記制御信号に基づいて前記薄膜層にレーザ光を照射し、前記薄膜層に前記オブジェクトに対応する薄膜パターンを形成するステップと、
前記薄膜パターンが形成された前記薄膜層をマスクに用いて、前記基材の前記外周面に前記オブジェクトに対応するパターンを形成するステップと、
を含む原盤の製造方法。 - 前記入力画像を複数の小領域に分割し、前記小領域の各々に前記オブジェクトが含まれるか否かに基づいて、前記小領域に前記レーザ光を照射するか否かを決定し、当該決定結果に基づいて、前記制御信号を生成する、請求項1に記載の原盤の製造方法。
- 前記小領域の大きさは、前記レーザ光のスポットの大きさよりも小さい、請求項2に記載の原盤の製造方法。
- 前記薄膜層に前記薄膜パターンを形成するステップは、
前記基材の中心軸を回転軸として前記基材を回転させながら、前記基材に前記レーザ光を照射する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の原盤の製造方法。 - 前記制御信号は、前記基材の回転を制御する信号と同期するように生成される、請求項4に記載の原盤の製造方法。
- 前記レーザ光の光源は、半導体レーザであり、
前記薄膜層には、熱リソグラフィにより前記薄膜パターンが形成される、請求項1〜5のいずれか一項に記載の原盤の製造方法。 - 前記薄膜層は、前記外周面に形成された中間層と、前記中間層上に形成されたレジスト層とを含み、
前記薄膜層に前記薄膜パターンを形成するステップは、
前記レジスト層を現像することにより前記レジスト層に前記薄膜パターンを形成するステップと、
前記レジスト層をマスクとして、前記中間層をエッチングするステップと、を含む、請求項1〜6のいずれか一項に記載の原盤の製造方法。 - 前記中間層のエッチングレートは、前記レジスト層のエッチングレートよりも速く、
前記中間層のエッチングレートは、前記基材のエッチングレートよりも遅い、請求項7に記載の原盤の製造方法。 - 前記中間層の熱伝導率は、200W/(m・K)以下である、請求項7または8に記載の原盤の製造方法。
- 前記基材上に直接形成された前記レジスト層に対する前記レーザ光の反射率と、前記基材上に前記中間層を介して形成された前記レジスト層に対する前記レーザ光の反射率との差は、5%以下である、請求項7〜9のいずれか一項に記載の原盤の製造方法。
- 前記レジスト層は、金属酸化物を含む、請求項7〜10のいずれか一項に記載の原盤の製造方法。
- 前記中間層は、ダイヤモンドライクカーボンを含む、請求項7〜11のいずれか一項に記載の原盤の製造方法。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載の製造方法により製造された原盤のパターンが転写された転写物。
- 請求項13に記載の転写物のパターンが転写されたレプリカ原盤。
- 請求項14に記載のレプリカ原盤のパターンが転写された転写物。
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WO (1) | WO2016013452A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018051851A1 (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | デクセリアルズ株式会社 | 原盤、転写物、および原盤の製造方法 |
KR20220123440A (ko) | 2020-03-27 | 2022-09-06 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 원반의 제조 방법, 원반, 전사물 및 물품 |
WO2023190516A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | デクセリアルズ株式会社 | 原盤の製造方法、転写物の製造方法、レプリカ原盤の製造方法、および原盤の製造装置 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2024033616A (ja) * | 2022-08-30 | 2024-03-13 | 富士フイルム株式会社 | モールド及び構造物の製造方法 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005178052A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Seiji Kato | マイクロレンズプラスチックシートの製造に使用する金型ロールの製造方法 |
JP2011131453A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学素子製造用ナノインプリントモールドの製造方法 |
WO2012098693A1 (ja) * | 2011-01-19 | 2012-07-26 | ソニー株式会社 | 透明導電性素子、入力装置、および表示装置 |
JP2012150445A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-08-09 | Hoya Corp | レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 |
JP2012158178A (ja) * | 2008-01-25 | 2012-08-23 | Asahi Kasei Corp | モールドのエッチング装置 |
JP2013035243A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Hoya Corp | ローラーモールド、ローラーモールド用基材及びパターン転写方法 |
JP2013208797A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 金型の製造方法及び製造装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5061425B2 (ja) * | 2005-05-13 | 2012-10-31 | 凸版印刷株式会社 | 光学部品用金型の製造装置 |
US7842437B2 (en) * | 2007-12-31 | 2010-11-30 | Hitachi Global Storage Technologies, Netherlands, B.V. | High-resolution, patterned-media master mask |
CN101930085B (zh) | 2008-02-27 | 2012-10-03 | 索尼株式会社 | 防反射用光学元件以及原盘的制造方法 |
WO2010008091A1 (ja) * | 2008-07-16 | 2010-01-21 | ソニー株式会社 | 光学素子 |
-
2014
- 2014-07-25 JP JP2014151757A patent/JP6411113B2/ja active Active
-
2015
- 2015-07-14 CN CN201580039855.8A patent/CN106536163B/zh active Active
- 2015-07-14 DE DE112015003426.9T patent/DE112015003426T5/de active Pending
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- 2015-07-14 WO PCT/JP2015/070167 patent/WO2016013452A1/ja active Application Filing
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005178052A (ja) * | 2003-12-17 | 2005-07-07 | Seiji Kato | マイクロレンズプラスチックシートの製造に使用する金型ロールの製造方法 |
JP2012158178A (ja) * | 2008-01-25 | 2012-08-23 | Asahi Kasei Corp | モールドのエッチング装置 |
JP2011131453A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-07-07 | Dainippon Printing Co Ltd | 光学素子製造用ナノインプリントモールドの製造方法 |
JP2012150445A (ja) * | 2010-12-27 | 2012-08-09 | Hoya Corp | レジスト現像剤、レジストパターンの形成方法及びモールドの製造方法 |
WO2012098693A1 (ja) * | 2011-01-19 | 2012-07-26 | ソニー株式会社 | 透明導電性素子、入力装置、および表示装置 |
JP2013035243A (ja) * | 2011-08-10 | 2013-02-21 | Hoya Corp | ローラーモールド、ローラーモールド用基材及びパターン転写方法 |
JP2013208797A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 金型の製造方法及び製造装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018051851A1 (ja) * | 2016-09-16 | 2018-03-22 | デクセリアルズ株式会社 | 原盤、転写物、および原盤の製造方法 |
CN109791873A (zh) * | 2016-09-16 | 2019-05-21 | 迪睿合株式会社 | 母盘、转印物及母盘的制造方法 |
TWI747954B (zh) * | 2016-09-16 | 2021-12-01 | 日商迪睿合股份有限公司 | 母盤的製造方法 |
US11602878B2 (en) | 2016-09-16 | 2023-03-14 | Dexerials Corporation | Master, transfer copy, and method for manufacturing master |
CN109791873B (zh) * | 2016-09-16 | 2023-09-15 | 迪睿合株式会社 | 母盘、转印物及母盘的制造方法 |
US12083713B2 (en) | 2016-09-16 | 2024-09-10 | Dexerials Corporation | Master, transfer copy, and method for manufacturing master |
KR20220123440A (ko) | 2020-03-27 | 2022-09-06 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 원반의 제조 방법, 원반, 전사물 및 물품 |
WO2023190516A1 (ja) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | デクセリアルズ株式会社 | 原盤の製造方法、転写物の製造方法、レプリカ原盤の製造方法、および原盤の製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6411113B2 (ja) | 2018-10-24 |
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