JP2009274347A - ローラーモールド作製方法 - Google Patents

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Abstract

【目的】本発明は、ローラーモールド作製方法に関し、大面積のローラモールドを短時間に作製してスループットを向上させると共に継ぎ目のないローラーモールドを作製することを目的とする。
【構成】マスクをレジストを塗布したローラーモールドの所定位置に近接して位置づけるステップと、近接して位置づけた状態で、電子線をマスクに照射してマスク上のパターンを透過した電子線をローラーモールド上のレジストに露光するステップと、露光した後に、ローラーモールドを回転して次の位置に位置づけた後、露光することを繰り返すステップと、繰り返した後に、ローラーモールド上の露光されたレジストを現像するステップと、現像した後のローラーモールドをエッチングし、マスク上のパターンに対応するパターンをローラーモールド上に形成するステップとを有する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、パターンを転写するローラー状の押し型を作製するローラーモールド作製方法に関するものである。
従来、LEDやLDなどの光学デバイスの表面、あるいは内部に光の波長程度の周期構造をつくることによって光学デバイスの特性を制御する、あるいは改良することが行われている。このような目的の周期構造はいろいろな微細加工によって作製するが、その中でも現在もっとも有力視されている技術の1つにナノインプリント技術がある。
ナノインプリントの押し型転写に使えわれるモールド(押し型)は光学的な露光装置によって製作していた。
上述したモールド上に作製するパターンのサイズが300nm位を下回る場合には光学的な方法では波長の限界のために解像力が不足する。このような場合には、電子線露光装置を使用して微細なパターンをモールド上に作製するが、電子線露光装置を用いた描画では描画に非常に多くの時間がかかり、特に、大面積のモールドではスループットが極めて低くなり、ひいてはコストが非常に高いものとなってしまうという問題があった。
特に、大面積化の方法のひとつとしてローラー型モールドが提案されている。従来のローラー型モールドの製作法は大面積モールドを金属薄膜などの可擁性の材料で作製し、ローラーに貼り付けるものであった。このため、上述したコストの問題に加えて、更に、貼り付けるモールドに切れ目があるためローラーの1回転でパターンに継ぎ目が残る欠点があるという問題があった。
本発明はこのような微細なパターンサイズを持つローラモールドを作製する際に、一定面積のマスクを電子描画で作製し、作製したマスクを電子線露光でローラモールド上に順次マスク露光した後に現像し、大面積のローラモールドを短時間に作製してスループットを向上させると共に継ぎ目のないローラーモールドを作製することを目的としている。
そのために、本発明は、パターンを転写するローラー状の押し型を作製するローラーモールド作製方法において、ローラーモールドにレジストを塗布するステップと、電子線が透過するパターンを有する一定面積のマスクを、レジストを塗布したローラーモールドの所定位置に近接して位置づけるステップと、近接して位置づけた状態で、電子線を前記マスクに照射して当該マスク上のパターンを透過した電子線をローラーモールド上のレジストに露光するステップと、露光した後に、ローラーモールドを回転して次の位置に位置づけた後、露光することを繰り返すステップと、繰り返した後に、ローラーモールド上の露光されたレジストを現像するステップと、現像した後のローラーモールドをエッチングし、マスク上のパターンに対応するパターンをローラーモールド上に形成するステップと、ローラーモールド上のレジストを除去するステップとを有する。
この際、電子線をマスクに照射するとして、細い電子線で当該マスク上を全面走査あるいはマスク上のパターンのある部分のみを走査するようにしている。
また、細い電子線として、マスク上の最も細いパターンの幅のサイズあるいは若干太いサイズのパターンとするようにしている。
また、マスクでローラーモールドの回転方向に露光を行なった後、回転方向と直角方向の隣接する位置にマスクを移動させて位置づけた後、マスクでローラーモールドの回転方向に移動および露光を繰り返すようにしている。
また、ローラーモールドにアライメントマークを形成しておき、アライメントマークを基準にマスクに位置づけるようにしている。
また、マスクにアライアメントマークを形成しておき、アライメントマークを基準にローラーモールドに位置づけるようにしている。
また、マスクにレジストを塗布して一定面積のパターンを電子線描画した後に現像し、更に、エッチングして電子線が透過するパターンを作製するようにしている。
また、マスクを電子線で全面照射あるいは全面走査あるいは開口したパターンの部分のみを全面走査し、マスク上に形成したパターンを透過した電子線を電磁型あるいは静電型の縮小レンズを用いてローラーモールドに塗布したレジスト上に縮小したパターンを形成して露光するようにしている。
本発明は、微細なパターンサイズを持つローラモールドを作製する際に、一定面積のマスクを電子描画で作製し、作製したマスクを電子線露光でローラモールド上に順次マスク露光した後に現像することにより、大面積のローラモールドを短時間に作製してスループットを向上させると共に継ぎ目のないローラーモールドを作製することが可能となる。
本発明は、微細なパターンサイズを持つローラモールドを作製する際に、一定面積のマスクを電子描画で作製し、作製したマスクを電子線露光でローラモールド上に順次マスク露光した後に現像し、大面積のローラモールドを短時間に作製してスループットを向上させると共に継ぎ目のないローラーモールドを作製することを実現した。
図1は、本発明の動作説明フローチャートを示す。
図1において、S1は、シリコンウェハにレジスト塗布する。これは、シリコンウェハにレジストを均一に塗布、例えばシリコンウェハを高速回転した状態で中心にレジストの液を1点たらして遠心力で均一に塗布する。
S2は、電子線描画装置でパターン描画する。これは、S1でシリコンウェハにレジストを塗布して乾燥した後、電子線描画装置でモールドに繰り返し露光するための一定面積内のパターンを描画して露光する。
S3は、レジストの現像、およびシリコンウェハのエッチングを行なう。これは、S2でシリコンウェハ上のレジストにパターンを電子線描画した後、現像およびエッチングを行い、パターンの部分(あるいはパターン以外の部分)に穴が開いたシリコンウェハ、即ちステンシルマスク1を作製する。
ここで、本発明で使用するステンシルマスク1について詳細に説明すれば、シリコンウェハを材料にパターンを作製する必要領域を0.001mm程度の電子線が透過しない薄膜に加工した上で、この領域内に必要な開口パターンを作製して電子線が通過するパターンとする。
本発明の目的に使用するステンシルマスク1上で一方向に長いパターン領域を持つ場合、その幅Dは、近似的に2(2dR)1/2で与えられ、長さは薄膜の強度により限界があるが、10mm程度まで可能である。ここでRは後述するローラーモールド2の半径、dはステンシルマスク1とローラーモールド2との間隙である。例えばRを20mm、dを0.05mmとすればDは2.8mmとなる。ローラーモールド2が回転軸方向に長い場合にはその方向と回転の組み合わせによるステップ・アンド・リピート式で転写を行い、ローラーモールド2の表面の必要領域に繰り返される。そして、後述するS6でモールドを現像、さらにエチンクすることによりローラーモールド2にステンシルマスク1のパターンが転写加工される。
S4は、電子ビームマスク転写装置でローラーモールド2にパターン転写する。これは、後述する図2に示すように、S3で作製したステンシルマスク1に近接して配置したレジストの塗布したローラーモールド2に、ステンシルマスク1の上から電子線を照射しつつ走査して当該ステンシルマスク1のパターンを、ローラーモールド2に塗布したレジストに転写する。
S5は、ステージ移動する。これは、S4でステンシルマスク1のパターンをローラーモールド2の所定回転位置に転写した後、次の転写回転位置に移動する。そして、S4を繰り返し、ステンシルマスク1のパターンを、ローラーモールド2上に塗布したレジストに繰り返し当該ローラーモールド2の全周に渡り転写(回転転写)する。これにより、大面積かつ円筒状のローラーモールド2上に塗布したレジストに、小さなステンシルマスク1のパターンが繰り返し回転転写(回転露光)されたこととなる。
S6は、レジスト現像、エッチングする。これは、S4、S5を繰り返しローラーモールド2上のレジストの全周にステンシルマスク1のパターンを回転転写(電子線露光)を行った後、レジストを現像、エッチングし、更に、レジストを除去する。
S7は、モールド完成する。これにより、大面積かつ円筒状のローラーモールド2が作製されたこととなる。
ここで、本発明で使用するローラーモールド2について詳細に説明すれば、S1からS3で作製したステンシルマスク1を、ローラーモールド2に近接して配置し、ステンシルマスク1側から電子線を照射しつつ走査してローラーモールド2に露光(ローラーモールド2に塗布したレジストに露光)することを回転させつつ繰り返し、ローラーモールド2の必要な領域にパターンを順次露光した後、現像、エッチングし、ステンシルマスク1上の開口パターンを円筒状のローラーモールド2の必要領域に作製し、ローラーモールド2を作製する。
更に、図2を用いて詳細に説明する。
図2は本発明の説明図を示す。これは、近接マスク転写の様子を模式的に示したものである。
図2において、ステンシルマスク1は、電子線の透過する微小パターンを設けたマスクであって、電子線転写するためのマスクである。
ローラーモールド2は、回転軸に取り付けた円筒上に形成したモールドである。ここでは、ローラーモールド2の表面には均一にレジストが塗布されている。
電子線3は、ローラーモールド2に近接して配置したステンシルマスク1の、ここでは、上から下に向けて走査しつつ照射する電子線である。
ステップ回転11は、ローラーモールド2を所定回転角度のピッチで正確に回転させ様子を示す。所定回転角度のピッチは、回転軸を回転させるモータに設けられているエンコーダにより検出して精密に制御する。また、基準位置はローラーモールド2の所定位置に予め設定したアライメントマークを図示外の光学顕微鏡あるいは走査型電子顕微鏡で検出して基準位置を決定する。同様に、ステンシルマスク1についても、予め設定したアライメントマークを顕微鏡で検出して基準位置を決定し、両者の基準位置をもとに所定回転角度位置やピッチを制御する。
ステップ・アンド・リピート12は、回転方向と直角方向にステンシルマスク1を移動させた状態で、ステップ回転11を行いつつステンシルマスク1上のパターンを電子線でローラーモールド2上のレジストに露光することを繰り返すように制御するものである。
図3は、本発明の具体的装置例を示す。
図3において、電子光学系21は、電子線をステンシルマスク1に照射して当該ステンシルマルク1上に形成された開口パターンを透過した電子線を、円筒状のローラーモールド2に塗布されたレジストに照射して露光するためのものであって、電子線を発生する電子銃、発生された電子線を集束および集束された電子線をステンシルマスク1上にほぼ平行に照射する照射系などから構成されるものである。
回転モータ(エンコーダ付)22は、ローラーモールド2を所定回転角度のピッチで回転させるものである。所定回転角度のピッチは、当該回転モータ22に接続されたエンコーダで精密に検出しつつ回転させる。
軸移動モータ23は、ステージ24をローラーモールド2の軸方向に正確に移動させるものであって、図示外のレーザ干渉計で移動量を計測しつつ精密に移動させるためのものである。
ステージ24は、ローラーモールド2を回転可能な状態で搭載し、当該ローラーモールド2の回転方向に直角方向に精密に移動させるステージである。
ステンシルマスク1は、電子を透過しない厚さを持ち、−定面積の−様な膜に部分的に電子線を透過する開口のパターンを加工したものである。
試料室20は、内部を真空に保持する部屋であって、ここでは、ローラーモールド2を搭載したステージ24などを真空中に設置するためのものである。
次に、図2の構成のもとで近接マスク転写について詳細に説明および要点を説明する。
(1)パターンを形成するべき表面に電子線に感光する樹脂(レジスト)を塗布したローラーモールド2を回転軸で支持する。また、ローラーモールド2は回転軸に沿って1次元移動可能となっている。
(2)このローラーモールド2の表面に近接して(100μm位)、形成すべきパターン形状の開口を有するステンシルマスク1を配置し、その上から電子線を照射する。
(2−1)照射は必要な面積を同時に照射できる断面をもつ電子線でもよいし、細い電子線(電子線ビーム)を高速に走査して必要な面積を照射してもよい。
(2−2)また、照射する電子線の走行は出来るだけ相互に平行となるようにし、ステンシルマスク14の開口を出てからローラーモールド2の表面に到達するまでの電子線ビームの広がりを小さくする(電子線ビームの開き角αを小さくする)。ステンシルマスク1とローラーモールド2との間の間隙をd、形成すべき最小パターン幅をsとすると、電子線ビームの広がり角αは少なくとも s/d(rad)より十分小さい必要がある。
例えばd=50μm、s=100nmとすると、a<<2mradとなる。
(3)ステージ24を停止した状態でパターン面のビーム走査を実行する。これによりローラーモールド2に塗布したレジスト上の電子によって照射された領域が露光する。ステンシルマスク1のパターン領域を全面照射した後、ローラーモールド2を一定角度だけ回転移動させる。この回転移動させるピッチはステンシルマスク1上に形成されたパターンの領域のサイズに正確に一致し、かつ1回転の周期がピッチの整数倍となるようにする。その後、再びビーム走査を実行し、ローラーモールド2上の隣接した領域を照射、露光する。1回転したら軸方向に1ピッチ移動してから回転ステップを繰り返す。
以上の操作を繰り返すことにより、ローラーモールド2上の必要領域の全てを照射、露光する。ここで、回転と、移動とは前後が逆でもかまわない。
(4)露光を終了したローラーモールド2を現像し、さらにエッチンクすることによりパターンがローラーモールド2上に形成される。
(5)ここで、上述したローラーモールド2へのマスク転写露光ではパターンサイズに係わりなく大電流の電子線ビームを使用することができるので、1ステップの露光時間は多くても数十秒の範囲で可能である。一方、ステンシルマスク1へのパターンの電子線描画では微小な電子ビーム(ビームサイズが最小パターンサイズを決める)を用いるので、露光時間は非常に長くなる。例えば1cm角を1画素10nmで描画するとして、1画素あたり200MHzで描画するとしても1時間程度かかる。
(6)いま、ステンシルマスク1上でa(cm)×b(cm)の領域を電子線描画装置で描画し、これをローラーモールド2上で2次元のm×nのステップ・アンド・リピートでマスク転写を行うとする。もし従来のとおりローラーモールド2の全面を電子線描画装置によって描画すれば描画面積はma(cm)×nb(cm)となる。仮に電子線描画装置による描画では前述のように1cm角を1時間、ただし、この場合のステンシルマスク1のパターン域サイズを10mm×2mmとする。したがって、電子描画の1ステップ分は0.2時間とする。マスク転写の場合ははやり時間は1/5となって4秒となる。ローラーモールド2の半径20mm,長さ30cmとすると、ローラーモールド2の表面はほぼ12cm×30cmであるから、30×60のステップ・アンド・リピートが必要となり、露光時間のみの合計は、
・電子線描画では、12×30×1時間=360時間
・本発明のマスク転写では、0,2時間+30×60×4秒=2.2時間
となってマスク転写を応用する有利性は明らかである。
(7)ここで、ステップ・アンド・リピートの際に、隣接領域とのパターン接続の精度を得るためにはステージ24を高精度で移動停止させなければならない。現在の最新の技術ではレーザー干渉計による計測とステージ位置決め制御によって10〜12nmの接続精度が実現されているので、この程度の接続精度を持つマスクを作製することが可能である。更に、レーザ干渉計の精度が上がれば、更に接続精度の高いマスクを作製することも可能である。
図4は、本発明の縮小投影例を示す。
図4において、電子源32は、電子線を発生する電子銃を構成する電子源である。
コンデンサレンズ33は、電子源32で発生された電子線を集束すると共にほぼ平行な電子線をステンシルマスク1に照射するものである。
ステンシルマスク1は、既述した電子線の通過する開口パターンを持つマスクである。
縮小レンズ系34は、ステンシルマスク1の開口パターンを通過した電子線(電子線像)を縮小するレンズ系であって、電磁あるいは静電のレンズを用いて形成したものである。縮小レンズ系34により、ステンシルマスク1上の開口パターンの像が、ローラーモールド2上で縮小されて投影されるので、ステンシルマスク1上の開口パターンのサイズを実際にローラーモールド2上に形成するパターンのサイズよりも大きく形成でき、ステンシルマスクの作製が容易となる。
以上の図4の縮小レンズ系34によりローラーモールド2上に塗布したレジストにステンシルマスク1の開口パターンの縮小したパターンを露光することが可能となる。この縮小投影系を、図1から図3で説明したステンシルマスク1の開口パターンを直接にローラーモールド2に電子線転写する構成と置き換えることにより、縮小倍率に相当した分だけステンシルマスク1上の開口パターンの寸法を大きくでき、ステンシルマスク1を容易に作製できる。
本発明は、微細なパターンサイズを持つローラモールドを作製する際に、一定面積のマスクを電子描画で作製し、作製したマスクを電子線露光でローラモールド上に順次マスク露光した後に現像し、大面積のローラモールドを短時間に作製してスループットを向上させると共に継ぎ目のないローラーモールドを作製するローラーモールド作製方法に関するものである。
本発明の動作説明フローチャートである。 本発明の説明図である。 本発明の具体的装置例である。 本発明の縮小投影例である。
符号の説明
1:ステンシルマスク
2:ローラーモールド
3:電子線
11:ステップ回転
12:ステップ・アンド・リピート
21:電子光学系
22:回転モータ
23:軸移動モータ
24:ステージ
32:電子源
33:コンデンサレンズ
34:縮小レンズ系

Claims (7)

  1. パターンを転写するローラー状の押し型(以下「ローラーモールド」という)を作製するローラーモールド作製方法において、
    前記ローラーモールドにレジストを塗布するステップと、
    電子線が透過するパターンを有する一定面積のマスクを、前記レジストを塗布したローラーモールドの所定位置に近接して位置づけるステップと、
    前記近接して位置づけた状態で、電子線を前記マスクに照射して当該マスク上のパターンを透過した電子線を前記ローラーモールド上のレジストに露光するステップと、
    前記露光した後に、前記ローラーモールドを回転して次の位置に位置づけた後、露光することを繰り返すステップと、
    前記繰り返した後に、ローラーモールド上の露光されたレジストを現像するステップと、
    前記現像した後のローラーモールドをエッチングし、前記マスク上のパターンに対応するパターンを当該ローラーモールド上に形成するステップと、
    前記ローラーモールド上のレジストを除去するステップと
    を有するローラーモールド作製方法。
  2. 前記電子線をマスクに照射するとして、細い電子線で当該マスク上を全面走査あるいはマスク上のパターンのある部分のみを走査することを特徴とする請求項1記載のローラーモールド作製方法。
  3. 前記マスクでローラーモールドの回転方向に露光を順次行なった後、回転方向と直角方向の隣接する位置に前記マスクを移動させて位置づけた後、当該マスクでローラーモールドの回転方向に移動および露光を繰り返すことを特徴とする請求項1から請求項2のいずれかに記載のローラーモールド作製方法。
  4. 前記ローラーモールドにアライメントマークを形成しておき、当該アライメントマークを基準に前記マスクに位置づけることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のローラーモールド作製方法。
  5. 前記マスクにアライアメントマークを形成しておき、当該アライメントマークを基準に前記ローラーモールドに位置づけることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載のローラーモールド作製方法。
  6. 前記マスクにレジストを塗布して一定面積のパターンを電子線描画した後に現像し、更に、エッチングして電子線が透過するパターンを作製したことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のローラーモールド作製方法。
  7. 前記マスクを電子線で全面照射あるいは全面走査あるいは開口したパターンの部分のみを全面走査し、当該マスク上に形成したパターンを透過した電子線を電磁型あるいは静電型の縮小レンズを用いて前記ローラーモールドに塗布したレジスト上に縮小したパターンを形成して露光することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載のローラーモールド作製方法。
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