JP2016025202A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】センシング部を有する半導体チップを樹脂で片持ちしてなる半導体装置において、樹脂からの応力のセンシング部への伝達を抑制しつつ、支持部長さの低減に適した構成を実現する。【解決手段】センシング部１０ｃを有する板状の半導体チップ１０と、半導体チップ１０の一部である第１の部位１を封止する樹脂２０と、を備え、残部である第２の部位２は樹脂２０より突出する。センシング部１０ｃは第２の部位２における突出先端部としての半導体チップ１０の他端部１０ｂ寄りの位置に設けられ、第２の部位２のうち樹脂２０からの突出根元部１０ｄとセンシング部１０ｃとの間の部位は、支持部１０ｅとされている。製造方法としては、半導体チップ１０の第１の部位１を樹脂で封止した後、レーザＬＺの照射により第２の部位２を削ることにより、支持部１０ｅを第１の部位１の幅Ｗ１よりも細い幅Ｗ２となるようにする。【選択図】図７

Description

本発明は、センシング部を有する板状の半導体チップの一部を樹脂で封止し、センシング部を含む半導体チップの残部を樹脂より突出させてなる半導体装置、および、そのような半導体装置の製造方法に関する。

従来より、この種の半導体装置としては、センシング部を有し、表裏の関係にある両板面を有する板状をなす半導体チップと、半導体チップの一部である第１の部位を封止する樹脂と、を備え、半導体チップの残部である第２の部位は樹脂より突出しているものが、提案されている（特許文献１参照）。

ここで、この半導体装置においては、センシング部は、圧力や流量等を検出する素子が形成された部位である。そして、このセンシング部は、半導体チップの第２の部位における突出先端部寄りの位置に設けられている。そして、第２の部位のうち樹脂からの突出根元部とセンシング部との間の部位は、センシング部を支持する支持部とされている。

このように、従来のこの種の半導体装置は、半導体チップを樹脂で片持ちして支持する構成、いわゆる片持ち構成とされたものとなっている。

このような半導体装置は、半導体チップの一部が樹脂より露出するように、金型で樹脂成形したり、あるいは、特許文献１に記載されているように、半導体チップ全体を樹脂で封止した後、半導体チップの一部を露出させるようにレーザ照射によって樹脂を除去したりすることで製造される。

特開２０１３−１１８２１８号公報

ところで、上記従来の半導体装置において半導体チップを片持ち構成とする目的は、各部の線膨張係数差等により生じる樹脂からの応力を、第２の部位の突出先端部側に位置するセンシング部へ伝わりにくくさせることにある。そのため、この効果は、第２の部位における支持部長さが長いほど有効である。

しかし、この支持部の長さを長くすることは、結果的に、半導体チップの第２の部位における突出長さの増加を招き、装置体格の大型化等につながるため、好ましくない。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、センシング部を有する半導体チップを樹脂で片持ちしてなる半導体装置において、樹脂からの応力のセンシング部への伝達を抑制しつつ、支持部長さの低減に適した構成を実現することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、センシング部（１０ｃ）を有し、表裏の関係にある両板面（１１、１２）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、半導体チップの残部である第２の部位（２）は樹脂より突出しており、センシング部は、第２の部位における突出先端部（１０ｂ）寄りの位置に設けられており、第２の部位のうち樹脂からの突出根元部（１０ｄ）とセンシング部との間の部位は、センシング部を支持する支持部（１０ｅ）とされている半導体装置の製造方法であって、次のような工程を有するものである。

すなわち、請求項１の製造方法においては、半導体チップを用意する用意工程と、半導体チップのうち少なくとも第１の部位を前記樹脂で封止する樹脂封止工程と、樹脂封止工程の後、第２の部位に対してレーザ（ＬＺ）を照射し第２の部位を削ることにより、第２の部位のうち少なくとも支持部を第１の部位よりも細くなるようにするレーザ整形工程と、を備えることを特徴とする。

それによれば、レーザ整形工程によって、センシング部を支持する支持部が、第１の部位よりも細いものとされるため、支持部の支持剛性を低いものにできる。この支持部の支持剛性が低くなれば、樹脂からの応力のセンシング部への伝達が抑制できるため、第２の部位における支持部長さを短くしてもかまわない。

よって、本発明によれば、樹脂からの応力のセンシング部への伝達を抑制しつつ、支持部長さの低減に適した構成を有する半導体装置を適切に製造し得る製造方法を、提供することができる。

請求項５に記載の発明は、センシング部（１０ｃ）を有し、表裏の関係にある両板面（１１、１２）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、半導体チップの残部である第２の部位（２）は樹脂より突出しており、センシング部は、第２の部位における突出先端部（１０ｂ）寄りの位置に設けられており、第２の部位のうち樹脂からの突出根元部（１０ｄ）とセンシング部との間の部位は、センシング部を支持する支持部（１０ｅ）とされている半導体装置であって、第２の部位のうち少なくとも支持部が、第１の部位よりも細いものとされていることを特徴とする。

それによれば、センシング部を支持する支持部が、第１の部位よりも細いものとされることで、支持部の支持剛性を低くできる。この支持部の支持剛性が低くなれば、樹脂からの応力のセンシング部への伝達が抑制できるため、第２の部位における支持部長さを短くしてもかまわない。

よって、本発明によれば、センシング部を有する板状の半導体チップの一部を樹脂で封止し、センシング部を含む残部を樹脂より突出させてなる半導体装置において、樹脂からの応力のセンシング部への伝達を抑制しつつ、支持部長さの低減に適した構成を実現することができる。

なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

（ａ）は、本発明の第１実施形態にかかる半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ａ−Ａに沿った概略断面図である。 （ａ）は、第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における用意工程を示す概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｂ−Ｂに沿った概略断面図である。 第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法における樹脂封止工程を示す概略断面図である。 図３に続く樹脂封止工程を示す概略断面図である。 図４に続く樹脂封止工程を示す概略断面図である。 上記樹脂封止工程後の形成物を示す概略平面図である。 （ａ）は、第１実施形態にかかる半導体装置の製造方法におけるレーザ整形工程を示す概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｃ−Ｃに沿った概略断面図である。 （ａ）は、本発明の第２実施形態にかかる半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｄ−Ｄに沿った概略断面図である。 （ａ）は、本発明の第３実施形態にかかる半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｅ−Ｅに沿った概略断面図である。 （ａ）は、本発明の第４実施形態にかかる半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｆ−Ｆに沿った概略断面図である。 （ａ）は、本発明の第５実施形態にかかる半導体装置の概略平面図であり、（ｂ）は、（ａ）中の一点鎖線Ｇ−Ｇに沿った概略断面図である。 本発明の第６実施形態にかかる半導体装置の概略平面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる半導体装置Ｓ１について、図１を参照して述べる。この半導体装置Ｓ１は、たとえば自動車などの車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するための装置として適用されるものである。

図１に示されるように、本実施形態の半導体装置Ｓ１は、大きくは、板状をなす半導体チップ１０と、半導体チップ１０の一部を封止する樹脂２０と、を備えて構成されたものである。

半導体チップ１０は、通常の半導体プロセスなどにより形成されたシリコン半導体などよりなり、表裏の関係にある両板面１１、１２および当該両板面１１、１２を連結する側面１３〜１６を有する板状をなす。この半導体チップ１０には、図示しないが、不純物を拡散させてなる拡散配線や、ＳｉＮ、ＳｉＯ_２等の無機物質などよりなる膜等が形成されている。

ここでは、半導体チップ１０は典型的な矩形板状をなしているが、具体的には一端部１０ａから他端部１０ｂへ（図１の右から左へ）延びる長方形板状をなすものである。この半導体チップ１０における各外表面については、表裏の関係にある両板面１１、１２の一方の板面を表面１１とし、他方の板面を裏面１２とし、両板面１１、１２の端部を連結する４個の面を側面１３〜１６としている。

ここで、半導体チップ１０における側面１３〜１６とは、一端部１０ａ側の端面としての第１の側面１３、他端部１０ｂ側の端面としての第２の側面１４、および当該両端部１０ａ、１０ｂ間に延びる（ここではチップ長手方向に延びる）第３の側面１５および第４の側面１６である。そして、半導体チップ１０においては、典型的には表裏の両板面１１、１２が、回路やセンシング部１０ｃ等の素子が形成される素子形成面とされる。

本実施形態の半導体チップ１０は、たとえば検出部としてのセンシング部１０ｃを有するセンサチップとして構成される。具体的には、センシング部１０ｃとしてダイアフラムを有する圧力センサや熱式流量センサ、またはセンシング部１０ｃとして可動部を有する加速度センサや角速度センサ等のセンサチップが挙げられる。ここでは、センシング部１０ｃは、半導体チップ１０の他端部１０ｂ側における半導体チップ１０の表面１１に設けられている。

そして、半導体チップ１０は、センシング部１０ｃを露出させるべく半導体チップ１０の他端部１０ｂ側を樹脂２０より突出させた状態で、一端部１０ａ側が樹脂２０で封止されている。この樹脂２０は、エポキシ樹脂などのモールド樹脂であり、後述するように金型を用いたトランスファーモールド法等により成形されたものである。

ここで、半導体チップ１０において、樹脂２０で封止されている部位すなわち被封止部を第１の部位１とし、樹脂２０より突出している部位すなわち突出部を第２の部位２とする。そして、第１の部位１は、半導体チップ１０の一端部１０ａ側に位置し、第２の部位２は、第１の部位１に隣接し第１の部位１よりも他端部１０ｂ側に位置している。

ここで、樹脂２０からの突出部である第２の部位２における突出先端部は、半導体チップ１０の他端部１０ｂである。つまり、第２の部位２は、半導体チップ１０のうちの樹脂２０の端部に位置する突出根元部１０ｄから半導体チップ１０の他端部１０ｂまでの部位である。そして、上記したセンシング部１０ｃは、半導体チップ１０のうちの第２の部位２に位置しており、樹脂２０より露出している。

そして、本実施形態では、第２の部位２における半導体チップ１０の表裏の両板面１１、１２および全ての側面（ここでは第２の側面１４、第３の側面１５および第４の側面１６の３個の側面）、つまり半導体チップ１０における第２の部位２の全ての外表面は、樹脂２０で封止されずに露出している。

このように、本実施形態では、センシング部１０ｃを含む第２の部位２の全外表面を樹脂２０より露出させることで、樹脂２０による応力からセンシング部１０ｃを解放して精度の良い検出を可能としている。

また、樹脂２０の内部において、半導体チップ１０は、第１の部位１にて基板３０に固定され支持されている。ここでは、半導体チップ１０の裏面１２と基板３０とを対向させた状態で、半導体チップ１０の第１の部位１と基板３０とが接着剤４０を介して接着されている。この接着剤４０は、たとえエポキシ樹脂等よりなる。

また、この基板３０としては、Ｃｕや４２アロイなどの導電性に優れた金属よりなるリードフレームやプリント基板、セラミック基板、フレキシブル基板などの配線基板などが挙げられる。ここでは、基板３０はリードフレームよりなり、半導体チップ１０の第１の部位１とともに、樹脂２０で封止されている。

また、図示しないが、半導体チップ１０と基板３０とは、樹脂２０の内部にてワイヤボンディングなどにより電気的に接続されている。さらに、基板３０の一部は外部端子３１として構成され、この基板３０の外部端子３１は樹脂２０より露出して外部と電気的に接続されるようになっている。ここでは、外部端子３１は、半導体チップ１０と反対側にて樹脂２０より突出している。

また、上述のように、本実施形態では、樹脂２０の応力からセンシング部１０ｃを解放して高精度検出を可能とするが、そのために、センシング部１０ｃと樹脂２０との距離を大きくする構成とされている。具体的には、センシング部１０ｃは、第２の部位２において、第２の部位２の突出先端部である半導体チップ１０の他端部１０ｂ寄りの位置に設けられている。

ここで、第２の部位２のうち半導体チップ１０の他端部１０ｂとセンシング部１０ｃとの間の部位は、センシング部１０ｃを支持する支持部１０ｅとされている。なお、図１では、第２の部位２のうち支持部１０ｅに相当する部位を、両矢印の範囲内の部位として示してあるが、この支持部１０ｅを示す両矢印の長さは、同時に支持部１０ｅの長さＬ２に相当するものであることは言うまでもない。

つまり、樹脂２０からの応力を、センシング部１０ｃへ伝わりにくくさせるためには、第２の部位２における突出根元部１０ｄとセンシング部１０ｃとの距離、すなわち、支持部１０ｅの長さＬ２が長いほど有効である。しかし、この支持部１０ｅの長さＬ２を長くすることは、第２の部位２の突出長さの増加を招き、装置体格の大型化等につながってしまう。

そのような点を考慮して、本実施形態においては、半導体チップ１０において、第２の部位２のうち少なくとも支持部１０ｅが第１の部位１よりも細いものとされた構成を、採用している。ここで、第２の部位２のうち支持部１０ｅのみが第１の部位１よりも細いものであってもよいが、本実施形態では、第２の部位２の全体が第１の部位１よりも細いものとされている。

具体的には、図１に示されるように、第２の部位２の突出方向（図１（ａ）の左右方向）と直交する方向（図１（ａ）の上下方向）において、支持部１０ｅを含む第２の部位２の全体が、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とされている。つまり、これら幅Ｗ１およびＷ２は、半導体チップ１０における第２の部位２の突出方向と直交する方向を幅方向としたとき、当該幅方向に沿った寸法である。

ここでは、第２の部位２の全体が、支持部１０ｅの幅Ｗ２と同一の幅とされている。ただし、ここでは、第１の部位１および第２の部位２の両方において、つまり、半導体チップ１０の全体において、板厚は一定とされている。これにより、本実施形態においては、幅Ｗ１、Ｗ２方向において、支持部１０ｅを含む第２の部位２の全体が、第１の部位１よりも細いものとされている。

次に、本実施形態の半導体装置Ｓ１の製造方法について、図２〜図７を参照して述べる。まず、用意工程において、半導体プロセスにより形成された半導体チップ１０を用意する。

半導体チップ１０は、後述するレーザ照射により削られて最終的に上記したような部分的に幅Ｗ１、Ｗ２が相違する構成となるが、用意工程では、削られる前のもの、すなわち、チップ全体が第１の部位１の幅Ｗ１とされた半導体チップ１０を用意する。

そして、基板３０に半導体チップ１０を接着剤４０により固定し、必要に応じて、ワイヤボンディング等により基板３０と半導体チップ１０とを電気的に接続する。こうして用意工程が終了するが、ここまでの形成物の状態が図２に示される。

次に、図３〜図６に示される樹脂封止工程を行う。この工程は、樹脂２０の成形用の金型１００を用いたトランスファーモールド法により行い、半導体チップ１０のうち少なくとも第１の部位１を樹脂２０で封止するものである。ここでは、半導体チップ１０の第１の部位１、基板３０、および、半導体チップ１０の第２の部位２の一部を、樹脂２０で封止する。

ここでは、金型１００は、典型的な構成を有するもので、図３〜５に示されるように、脱着可能な上型１０１と下型１０２と備えている。そして、これら上下型１０１、１０２を離脱可能に合致させることにより、当該上下型１０１、１０２の間に、樹脂２０の外形に対応する空間形状を有するキャビティ１０４を形成する。

具体的には、金型１００の内面は、半導体チップ１０の第２の部位２における表裏両板面１１、１２に対応する位置に突起１０５を有している。そして、用意された上記形成物を金型１００に設置したときには、突起１０５が第２の部位２の表裏両板面１１、１２に接触して樹脂２０が付着しない状態とされる。

ただし、この金型１００のキャビティ１０４は、図６に示される樹脂封止工程後の形成物に見られるように、半導体チップ１０の第２の部位２の側面１４〜１６周りに配置され、これら側面１４〜１６を封止している樹脂２０の形状に対応したものである。つまり、このキャビティ１０４は、当該第２の部位２の表裏両板面１１、１２は露出させつつ側面１４〜１６は封止する樹脂２０の外形に対応している。

そして、この金型１００の内面すなわちキャビティ１０４の内面には、ポリイミドやＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレンの略称）等の樹脂よりなるフィルム１０３が貼り付けられ、固定されている。このフィルム１０３の固定は、たとえば金型１００に図示しない孔を設け、その孔を介した吸引力による吸着等の方法により行う。

そして、図３、図４に示されるように、金型１００に半導体チップ１０および基板３０を設置し、上下型１０１、１０２を合致させる。

これにより、半導体チップ１０の第２の部位２のうち半導体チップ１０の表裏両板面１１、１２に金型１００を介してフィルム１０３を密着させた状態とする。このフィルム１０３により、半導体チップ１０と金型１００との密着性を確保でき、また、半導体チップ１０へのダメージが緩和される。

そして、樹脂封止工程では、この状態で、金型１００に樹脂２０を充填する。それにより、第２の部位２における半導体チップ１０の表裏両板面１１、１２は樹脂２０より露出させつつ、第２の部位２における半導体チップの側面１４〜１６と第１の部位１とが樹脂２０で封止される。

具体的には、金型１００のキャビティ１０４内にて、樹脂２０は、半導体チップ１０の第１の部位１および基板３０を封止しつつ、半導体チップ１０の第２の部位２における側面１４〜１６に回り込み、これら側面１４〜１６を封止する。このとき、第２の部位２の表裏両板面１１、１２は、上記突起１０５によってフィルム１０３が密着しているので、樹脂２０は付着しない。

この樹脂２０による封止後は、図５に示されるように、上下型１０１、１０２を離脱させて金型１００から形成物を取り出す。こうして、図６に示されるように、第２の部位２における表裏両板面１１、１２が露出しつつ、第２の部位２における全側面１４〜１６、第１の部位１および基板３０が樹脂２０で封止されてなる形成物ができあがる。ここまでが本実施形態の樹脂封止工程である。

次に、図７に示されるレーザ整形工程を行う。この工程では、第２の部位２における半導体チップ１０の側面１４〜１６に位置する樹脂２０に対してレーザＬＺを照射して、当該樹脂２０を除去する。

それとともに、レーザ整形工程では、半導体チップ１０の第２の部位２に対してレーザＬＺを照射し第２の部位２を削ることにより、支持部１０ｅを含む第２の部位２の全体を第１の部位１よりも細くなるようにする。ここでは、第２の部位２の全体が、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２となるように、第２の部位２の全体を第１の部位１よりも細いものとする。

レーザＬＺは、第２の部位２における側面１４〜１６に沿って図７中の破線矢印に示されるように、スキャンしながら照射していく。具体的には、レーザＬＺを、上記図６における第２の部位２と樹脂２０との界面に沿って照射していく。ここで、レーザＬＺの照射は、半導体チップ１０の表面１１側から行ってもよいし、裏面１２側から行うようにしてもよい。

これにより、当該界面を挟んで樹脂２０および第２の部位２の両方にレーザＬＺが照射されるため、第２の部位２の側面１４〜１６周りの樹脂２０が除去されるとともに、第２の部位２の外郭全体すなわち側面１４〜１６周りの全周部分が削られる。

こうして、支持部１０ｅを含む第２の部位２の全体が、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２となる。つまり、上記図１に示したような部分的に幅Ｗ１、Ｗ２が相違する半導体チップ１０ができあがる。

なお、レーザ整形工程は、上記した幅Ｗ１、Ｗ２の大小関係を実現するべく、第２の部位２を削るものである。そのため、第２の部位２における突出先端部となる第２の側面１４側については、センシング部１０ｃに影響しない程度にレーザＬＺで削ってもよいし、削らなくてもよい。

ここで、本製造方法に用いるレーザＬＺとしては、樹脂２０および半導体チップ１０を焼失できるものであればよい。レーザＬＺとしては通常、短波長のものほどパワーが大きく、半導体チップ１０も削りやすい。

具体的なレーザＬＺとしては、ＹＡＧ（波長：約１μｍ）、ＨｏＹＡＧ（波長：約１．５μｍ）、ＥｒＹＡＧ（波長：約３μｍ）、ＣＯ_２（波長：約１０μｍ）、およびファイバーレーザなどが採用される。

このように、レーザＬＺとして、樹脂２０および半導体チップ１０の除去を行えるものを用いれば、上記したようにレーザ整形工程において、樹脂２０の除去と半導体チップ１０の第２の部位２の削りを同時に行える。

しかし、たとえばレーザ整形工程の前に、実質的に樹脂２０の除去のみ可能な波長のレーザＬＺを用いて、樹脂２０の除去を行い、続いて、レーザ整形工程では、波長を変えたレーザＬＺを用いて、第２の部位２を削るようにしてもよい。こうして、レーザ整形工程が終了すると、上記図１に示される本実施形態の半導体装置Ｓ１ができあがる。

ところで、本実施形態によれば、レーザ整形工程によって、半導体チップ１０のうちセンシング部１０ｃを支持する支持部１０ｅが、第１の部位１よりも細いものとされるため、支持部１０ｅの支持剛性を低いものにできる。

この支持部１０ｅの支持剛性が低くなれば、樹脂２０からの応力のセンシング部１０ｃへの伝達が抑制できるため、第２の部位２における支持部１０ｅの長さＬ２を短くしてもかまわない。

たとえば、樹脂２０からの応力のセンシング部１０ｃへの伝達の影響度は、おおよそ支持部１０ｅの幅の２乗に比例する。そのため、幅Ｗ１と幅Ｗ２との差分のおおよそ２乗に比例して、支持部１０ｅの長さＬ２を短くすることが可能となる。

よって、本実施形態によれば、半導体装置Ｓ１において、樹脂２０からの応力のセンシング部１０ｃへの伝達を抑制しつつ、支持部１０ｅの長さＬ２の低減に適した構成を実現できる。また、本実施形態によれば、そのような効果を有する半導体装置Ｓ１を適切に製造し得る製造方法を、提供することができる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる半導体装置Ｓ２について、図８を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。

上記第１実施形態は、第２の部位２の突出方向と直交する幅方向において、第２の部位２の全体を第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とするものであった。そして、これを実現するために、第２の部位２における突出方向に延びる２つの側面の両方、すなわち第３の側面１５および第４の側面１６が、レーザＬＺによって削られた構成とするものであった。

これに対して、図８に示されるように、本実施形態では、当該２つの側面の一方側のみがレーザＬＺで削られた構成、ここでは、第３の側面１５側のみが削られた構成としている。これにより、本実施形態においても、第２の部位２の全体が第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とされている。なお、本実施形態では、第２の部位２における第４の側面１６側のみが削られた構成を採用してもよい。

本実施形態の半導体装置Ｓ２は、上記第１実施形態のレーザ整形工程においてレーザＬＺの照射位置を調整することで、第２の部位２における第３の側面１５側のみが削られるようにすれば製造できることは言うまでも無い。そして、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の作用効果を期待することができる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態にかかる半導体装置Ｓ３について、図９を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。上記第１実施形態は、第２の部位２の突出方向と直交する幅方向において、第２の部位２の全体を第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とするものであった。

これに対して、図９に示されるように、本実施形態では、第２の部位２の突出方向と直交する幅方向において、第２の部位２のうちの支持部１０ｅのみが、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とされた構成としている。これにより、本実施形態の半導体チップ１０においては、第２の部位２のうち支持部１０ｅのみが第１の部位１よりも細くされたものとなっている。

本実施形態の半導体装置Ｓ３は、上記第１実施形態のレーザ整形工程においてレーザＬＺの照射位置を調整することで、第２の部位２における支持部１０ｅのみが削られるようにすれば製造できることは言うまでも無い。そして、本実施形態においても、上記第１実施形態と同様の作用効果を期待することができる。

なお、図９では、支持部１０ｅにおいて第３の側面１５および第４の側面１６の両側が削られた構成とされているが、本実施形態においても、上記第２実施形態のように、第３の側面１５側のみ、あるいは、第４の側面１６側のみが削られた構成としてもよいことは、言うまでも無い。

（第４実施形態）
本発明の第４実施形態にかかる半導体装置Ｓ４について、図１０を参照して述べる。本実施形態は上記第３実施形態を一部変形したところが相違するものであり、上記第３実施形態との相違点を中心に述べる。

図１０に示されるように、本実施形態の半導体装置Ｓ４では、上記図９に示される第３実施形態の半導体装置Ｓ３において、第２の部位２に存在する角部の少なくとも一部が面取りされた角部Ｍとされている。ここで、面取りとは、角部を削って直角よりも大きい鈍角とするものである。

具体的に、この角部Ｍは、第２の部位２における第２の側面１４と第３の側面１５との角部、および、第２の側面１４と第４の側面１６との角部である。なお、これらの角部の一方のみが面取りされた構成であってもよい。このような面取りは、レーザ整形工程において当該角部をレーザＬＺの照射で削ることにより実現される。

そして、本実施形態によれば、半導体チップ１０において角部が面取りされていない場合には、当該角部に応力集中が発生しやすいが、面取りすることで、そのような半導体チップに発生する応力を緩和できる。また、面取りされていない角部が存在すると、その部分で欠けが発生しやすいが、そのような欠けの防止も期待できる。

なお、本実施形態は、第２の部位２の角部を面取りするものであるから、第２の部位２に角部を有する半導体チップ１０を備えたものであるならば、上記第３実施形態以外の各実施形態についても組み合わせて適用することが可能である。

（第５実施形態）
本発明の第５実施形態にかかる半導体装置Ｓ５について、図１１を参照して、上記第１実施形態との相違点を中心に述べる。本実施形態では、第２の部位２における削られる部位が第１実施形態とは相違すること、および、後述する対向壁２４〜２６を有することが、相違点である。

まず、図１１に示されるように、本実施形態の半導体チップ１０では、第２の部位２の全体ではなく、支持部１０ｅのみが、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２とされている。これにより、第２の部位２のうち支持部１０ｅのみが第１の部位１よりも細くされたものとなっている。

これにより、本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の作用効果を期待することができる。なお、本実施形態においても、上記図９と同様に、支持部１０ｅにおいて第３の側面１５および第４の側面１６の両側が削られた構成としてもよいことは、言うまでも無い。

また、本実施形態においては、樹脂２０の一部が、第２の部位２の側面１４〜１６周りを取り囲む対向壁２４〜２６として構成されている。この対向壁２４〜２６は、第２の部位２における側面１４〜１６に隙間２２を有して対向するように、樹脂２０の一部が第１の部位１側から第２の部位２側に延長されたものである。

具体的には、第２の部位２において第２の側面１４に対向する対向壁２４と、第３の側面１５に対向する対向壁２５と、第４の側面１６に対向する対向壁２６とが設けられている。そして、各対向壁２４〜２６は、第１の部位１を封止する樹脂２０ととともに一体となっており、第２の部位２を取り囲む矩形枠状に形成されている。

このように、対向壁２４〜２６が、これに対向する第２の部位２の側面１４〜１６を覆うことで、第２の部位２の周囲が保護されるため、第２の部位２に対する周囲部材の干渉防止や異物の衝突防止等が期待できる。また、対向壁２４〜２６は第２の部位２とは隙間２２を介して離間しているため、樹脂２０による応力が第２の部位２に発生しにくくなるという利点もある。

本実施形態の半導体装置Ｓ５は、上記第１実施形態のレーザ整形工程においてレーザＬＺの照射位置を調整することで、製造できることは言うまでも無い。また、対向壁２４〜２６については、上記各実施形態についても組み合わせて適用することが可能であることは言うまでも無い。

（第６実施形態）
本発明の第６実施形態にかかる半導体装置Ｓ６について、図１２を参照して述べる。本実施形態は、上記図８〜図１１に示されるような第２の部位２の外郭全体ではなく、一部のみをレーザ整形工程にてレーザＬＺで削ることによって、当該削られた部位を細くする場合に適用されるものである。

この場合、図１２に示されるように、半導体装置Ｓ６における第２の部位２のうちレーザＬＺで削られない部位では、側面１４〜１６に薄く樹脂２０ａを残すようにしてもよい。

なお、図１２では、第２の部位２の外郭のうち支持部１０ｅにおける第３の側面１５側のみ削ることで、上記の幅Ｗ２となる部位を形成し、それ以外の外郭の部分には樹脂２０ａを残している。ここで、上記図８〜図１１においても、削られない部位に同様に樹脂２０ａを残すことができることはもちろんである。

また、本実施形態は、第２の部位２のうちレーザＬＺで削られない部位に薄く樹脂２０ａを残すものであるから、上記第５実施形態にて述べた対向壁２４〜２６とも組み合わせて適用できることは言うまでも無い。

（他の実施形態）
なお、上記第１実施形態では、樹脂封止工程において、半導体チップ１０の第１の部位１以外に第２の部位２の一部、すなわち第２の部位２の側面１４〜１６を樹脂２０で封止した。そして、その後、レーザＬＺで第２の部位２周りの樹脂２０を除去した。

これに対して、樹脂封止工程では、第２の部位２の全体を樹脂２０で封止するようにしてもよい。つまり、半導体チップ１０の全体を樹脂２０で封止するようにしてもよい。この場合、金型のキャビティ形状が簡素化される等の利点がある。

そして、この場合には、続くレーザ整形工程では、たとえば半導体チップ１０の上下左右方向からレーザＬＺを照射し、その照射位置を適宜調整することにより、樹脂２０の除去および第２の部位２の削りを行うようにすればよい。

また、樹脂封止工程は、トランスファー成形やコンプレッション成形等の金型１００を用いた成形方法以外にも、たとえばポッティング等により樹脂２０の成形を行うようにしてもよい。

また、樹脂封止工程において、金型に工夫を持たせる等により、第１の部位１のみを封止し、第２の部位２の全体を露出させるように樹脂２０の成形を行うようにしてもよい。この場合のレーザ整形工程は、上記したような樹脂２０の除去を兼ねたものとする必要は無く、レーザＬＺによって、半導体チップ１０の第２の部位２を削ることのみ行うようにすればよいものとなる。

また、上記各実施形態では、半導体チップ１０において第２の部位２のうち少なくとも支持部１０ｅが、第１の部位１の幅Ｗ１よりも小さい幅Ｗ２となるようにすることで、支持部１０ｅを、第１の部位１よりも細いものとしていた。

これに対して、第２の部位２のうち少なくとも支持部１０ｅが、第１の部位１の板厚よりも小さい板厚となるようにすることで、支持部１０ｅを、板厚方向にて第１の部位１よりも細いものとしてもよい。

つまり、支持部１０ｅを第１の部位１よりも細くすることは、半導体チップ１０の幅方向でもよいし板厚方向でもよい。さらには、これら両方向にて細くするようにしてもよい。ただし、半導体チップ１０の機械的強度等を考慮すれば、半導体チップ１０全体の板厚は一定のまま、上記したように幅方向において両幅Ｗ１、Ｗ２を相違させるようにした方が望ましい。

また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。

１ 半導体チップの第１の部位
２ 半導体チップの第２の部位
１０ 半導体チップ
１０ｂ 第２の部位における突出先端部としての半導体チップの他端部
１０ｃ センシング部
１０ｄ 第２の部位における突出根元部
１０ｅ 第２の部位における支持部
１１ 半導体チップの表面
１２ 半導体チップの裏面
２０ 樹脂
ＬＺ レーザ

Claims (9)

1. センシング部（１０ｃ）を有し、表裏の関係にある両板面（１１、１２）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、
   前記半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、
   前記半導体チップの残部である第２の部位（２）は前記樹脂より突出しており、
   前記センシング部は、前記第２の部位における突出先端部（１０ｂ）寄りの位置に設けられており、
   前記第２の部位のうち前記樹脂からの突出根元部（１０ｄ）と前記センシング部との間の部位は、前記センシング部を支持する支持部（１０ｅ）とされている半導体装置の製造方法であって、
   前記半導体チップを用意する用意工程と、
   前記半導体チップのうち少なくとも前記第１の部位を前記樹脂で封止する樹脂封止工程と、
   前記樹脂封止工程の後、前記第２の部位に対してレーザ（ＬＺ）を照射し前記第２の部位を削ることにより、前記第２の部位のうち少なくとも前記支持部を前記第１の部位よりも細くなるようにするレーザ整形工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 前記レーザ整形工程では、前記第２の部位の突出方向と直交する方向において、前記第２の部位のうち少なくとも前記支持部が、前記第１の部位の幅（Ｗ１）よりも小さい幅（Ｗ２）となるようにすることで、前記第２の部位のうち少なくとも前記支持部を、前記第１の部位よりも細いものとすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
3. 前記レーザ整形工程では、前記第２の部位のうち前記支持部のみを前記レーザにより削ることにより、前記第２の部位のうちの前記支持部のみが前記第１の部位の幅よりも小さい幅となるようにすることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記レーザ整形工程では、前記第２の部位の外郭の全体を前記レーザにより削ることにより、前記第２の部位の全体が前記第１の部位の幅よりも小さい幅となるようにすることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
5. センシング部（１０ｃ）を有し、表裏の関係にある両板面（１１、１２）を有する板状をなす半導体チップ（１０）と、
   前記半導体チップの一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、
   前記半導体チップの残部である第２の部位（２）は前記樹脂より突出しており、
   前記センシング部は、前記第２の部位における突出先端部（１０ｂ）寄りの位置に設けられており、
   前記第２の部位のうち前記樹脂からの突出根元部（１０ｄ）と前記センシング部との間の部位は、前記センシング部を支持する支持部（１０ｅ）とされている半導体装置であって、
   前記第２の部位のうち少なくとも前記支持部が、前記第１の部位よりも細いものとされていることを特徴とする半導体装置。
6. 前記第２の部位の突出方向と直交する方向において、前記第２の部位のうち少なくとも前記支持部が、前記第１の部位の幅（Ｗ１）よりも小さい幅（Ｗ２）とされることで、前記第２の部位のうち少なくとも前記支持部が、前記第１の部位よりも細いものとされていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記第２の部位のうちの前記支持部のみが、前記第１の部位の幅よりも小さい幅とされていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
8. 前記第２の部位の全体が前記第１の部位の幅よりも小さい幅とされていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
9. 前記第２の部位に存在する角部の少なくとも一部が面取りされたものとされていることを特徴とする請求項５ないし８のいずれか１つに記載の半導体装置。

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