JP2016017753A - 圧力センサ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】大面積化が容易で、信頼性の高い圧力センサ装置を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタ基板２０および第１接続配線基板３１を有するタイリング薄膜トランジスタ基板４０と、タイリング薄膜トランジスタ基板上に形成された感圧層とを有し、薄膜トランジスタ基板は、樹脂基板、その上に形成された薄膜トランジスタおよび共通電極を有し、薄膜トランジスタおよび共通電極に接続された第１薄膜トランジスタ端子部１１および共通電極端子部１３ａは、交互に千鳥状に並列配置されており、感圧層は、薄膜トランジスタに形成されたドレイン電極と、共通電極と、を接続するように、共通電極上に形成されるものであり、タイリング薄膜トランジスタ基板は、薄膜トランジスタ基板の複数の第１薄膜トランジスタ端子部が、第１接続配線基板に形成された複数の第１接続配線部により接続されタイリングされている。【選択図】図１

Description

本発明は、大面積化が容易で、信頼性の高い圧力センサ装置に関するものである。

圧力センサ装置として、導電性粒子をシリコーンゴム等の絶縁樹脂内に分散させた感圧樹脂を使用したものが知られている。
感圧樹脂は、圧力を加えると絶縁樹脂内において導電性粒子同士が接触し、導電経路が形成されて抵抗値が低下する。このため、感圧樹脂を介して電極を接続した場合には、感圧樹脂に加えられた圧力に応じて電流量を変動させることができる。そして、この電流量の変動を検知することにより、感圧樹脂に加えられた圧力を検知できる。
また、電極としてマトリクス状に形成された薄膜トランジスタ（以下、単にＴＦＴと称する場合がある。）を用いることにより、面内の圧力分布を検出することが試みられている。例えば、特許文献１〜５では、ゲート電極とゲート絶縁層を介して形成されたソース電極およびドレイン電極を有するＴＦＴと、感圧樹脂と、共通電極と、がこの順で積層された圧力センサ装置が開示されている。

ここで、大面積の圧力センサ装置に用いられるＴＦＴ基板としては、一枚の大面積のＴＦＴ基板を用いることが考えられる。しかしながら、検査、修正および歩留まり等の観点から、複数のＴＦＴ基板を用いる方法が有望視されている。
また、複数のＴＦＴ基板を用いる方法として、隣接するＴＦＴ基板に含まれる電極同士が接続されることでタイリングされたタイリングＴＦＴ基板を用いる方法が検討されている。
複数のＴＦＴ基板を単に組み合わせて用いる場合には、それぞれのＴＦＴ基板に対して駆動集積回路（以下、単に駆動ＩＣと称する場合がある。）等が必要になるのに対して、タイリングＴＦＴ基板では、最外周のＴＦＴ基板のみに駆動ＩＣ等を設置することで、タイリングＴＦＴ基板全体を制御することができ、低コスト化、薄層化および軽量化等を図ることができるといった利点がある。また、圧力の印加による駆動ＩＣ等の破損の恐れの少ないものとすることができる。

タイリング方法は、例えば、ＴＦＴ基板の端部同士を折り曲げてＴＦＴ基板同士を直接接続する方法（特許文献６）が知られている。
しかしながら、このようなタイリング方法を用いた場合には、ＴＦＴ基板のタイリング部に基板端部の折り曲げ部および基板同士の重なり箇所等に段差が生じる。このため、タイリング部において圧力の検知ムラが生じる可能性がある。また、圧力が印加された際に、タイリング部において配線の破断が生じる可能性があるといった不具合がある。

また、他のタイリング方法は、隣接するＴＦＴ基板のＴＦＴが形成された面同士を対向するように配置した上で、ＴＦＴ基板同士を直接接続する方法(特許文献７等)が知られている。
しかしながら、タイリングされた隣接するＴＦＴ基板のＴＦＴの形成方向が異なることにより、タイリングされた隣接するＴＦＴ基板上で検知される圧力が異なるものとなる可能性がある。また、ＴＦＴに対して形成される共通電極の配置が複雑になるといった問題がある。

これらの問題に対して、隣接するＴＦＴ基板をフレキシブルプリント配線基板等の接続配線基板を用いて接続する方法がある。
このような方法であれば、隣接するＴＦＴ基板同士の重なりによる段差部の形成を不要とすることができる。また、隣接するＴＦＴ基板に形成されたＴＦＴの形成方向を同一方向とすることが容易である。

特開昭６０−２１１９８６号公報 特開２００５−１５０１４６号公報 特開２０１２−０５３０５０号公報 特開２０１３−０６８５６２号公報 特開２０１３−０６８５６３号公報 特許第４００９９２３号明細書 特開平１−３５５９１号公報

しかしながら、圧力センサ装置が、ＴＦＴと、共通電極と、感圧樹脂と、がこの順で積層された構造を有する場合、共通電極がゲート電極またはドレイン電極と同一平面上に形成されることがある。この場合、共通電極に接続される共通電極端子部が、ゲート電極に接続されるゲート電極端子部またはソース電極に接続されるソース電極端子部と交互に配置されることになる。そして、共通電極端子部と、これと交互に配置されたゲート電極端子部またはソース電極端子部との間のピッチが狭いことにより、隣接するＴＦＴ基板に形成されたゲート電極端子部同士またはソース電極端子部同士を接続する際に、これらの端子部と共通電極端子部との間で短絡を生じる恐れがある。また、その結果、圧力センサ装置の信頼性が低いものとなるといった不具合がある。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、大面積化が容易で、信頼性の高い圧力センサ装置を提供することを主目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、薄膜トランジスタ基板および第１接続配線基板を有するタイリング薄膜トランジスタ基板と、上記タイリング薄膜トランジスタ基板上に形成された感圧層と、を有する圧力センサ装置であって、上記薄膜トランジスタ基板は、樹脂基板、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタおよび上記樹脂基板の上記薄膜トランジスタが形成された側の表面上に形成された共通電極を有し、上記薄膜トランジスタおよび上記共通電極に接続された第１薄膜トランジスタ端子部および共通電極端子部は、交互に千鳥状に並列配置されており、上記感圧層は、上記薄膜トランジスタに形成されたドレイン電極と、上記共通電極と、を接続するように、上記共通電極上に形成されるものであり、上記タイリング薄膜トランジスタ基板は、上記薄膜トランジスタ基板の複数の上記第１薄膜トランジスタ端子部が、上記第１接続配線基板に形成された複数の第１接続配線部により接続されタイリングされていることを特徴とする圧力センサ装置を提供する。

本発明によれば、ＴＦＴ基板に配置される共通電極端子部およびこれと交互に並列配置される第１ＴＦＴ端子部が、千鳥状に並列配置されるものであることにより、第１ＴＦＴ端子部が安定的に接続されたタイリングＴＦＴ基板を有するものとすることができる。
このため、圧力センサ装置を、大面積化が容易であり、信頼性の高いものとすることができる。

本発明においては、上記樹脂基板が加圧側基板として用いられることが好ましい。第１ＴＦＴ端子部や共通電極端子部等の端子部が配置される樹脂基板が加圧側基板として用いられることにより、端子部と第１接続配線基板等の配線基板に含まれる接続配線部との貼合部および端子部に接続される駆動集積回路（以下、単に駆動ＩＣと称する場合がある。）等の回路部の損傷の少ないものとすることができる。このため、圧力センサ装置を、信頼性の高いものとすることができるからである。

本発明は、大面積化が容易で、信頼性の高い圧力センサ装置を提供できるといった作用効果を奏する。

本発明の圧力センサ装置の一例を示す概略平面図である。 図１のＡ−Ａ線断面図である。 本発明におけるＴＦＴ基板の第１ＴＦＴ端子部周辺の一例を示す概略平面図である。 図３のＢ−Ｂ線断面図である。 図１のタイリング部周辺の拡大図である。 本発明におけるＴＦＴを説明する説明図である。 本発明におけるＴＦＴを説明する説明図である。 本発明におけるＴＦＴを説明する説明図である。 本発明の圧力センサ装置の他の例を示す概略断面図である。 本発明におけるタイリング方法を説明する説明図である。 本発明におけるタイリング方法を説明する説明図である。 本発明におけるタイリング方法を説明する説明図である。

本発明は、圧力センサ装置に関するものである。

本発明の圧力センサ装置は、薄膜トランジスタ基板および第１接続配線基板を有するタイリング薄膜トランジスタ基板と、上記タイリング薄膜トランジスタ基板上に形成された感圧層と、を有する圧力センサ装置であって、上記薄膜トランジスタ基板は、樹脂基板、上記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタおよび上記樹脂基板の上記薄膜トランジスタが形成された側の表面上に形成された共通電極を有し、上記薄膜トランジスタおよび上記共通電極に接続された第１薄膜トランジスタ端子部および共通電極端子部は、交互に千鳥状に並列配置されており、上記感圧層は、上記薄膜トランジスタに形成されたドレイン電極と、上記共通電極と、を接続するように、上記共通電極上に形成されるものであり、上記タイリング薄膜トランジスタ基板は、上記薄膜トランジスタ基板の複数の上記第１薄膜トランジスタ端子部が、上記第１接続配線基板に形成された複数の第１接続配線部により接続されタイリングされていることを特徴とするものである。

このような本発明の圧力センサ装置について図を参照して説明する。図１は、本発明の圧力センサ装置の一例を示す概略平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。図３は、図１中のＴＦＴ基板の第１ＴＦＴ端子部周辺を示す概略平面図である。図４は、図３のＢ−Ｂ線断面図である。また、図５（ａ）は、タイリングＴＦＴ基板における第１接続配線基板によるタイリング部周辺を示す概略平面図であり、図５（ｂ）および（ｃ）は、図５（ａ）のＣ−Ｃ線断面図およびＤ−Ｄ線断面図である。
図１〜図５に例示するように、本発明の圧力センサ装置５０は、ＴＦＴ基板２０および第１接続配線基板３１を有するタイリングＴＦＴ基板４０と、上記タイリングＴＦＴ基板４０上に形成された感圧層２１と、を有し、上記ＴＦＴ基板２０は、樹脂基板１、上記樹脂基板１上に形成されたＴＦＴ１０および上記樹脂基板１の上記ＴＦＴ１０が形成された側の表面上に形成された共通電極１３を有し、上記ＴＦＴ１０および上記共通電極１３にそれぞれ接続された第１ＴＦＴ端子部１１および共通電極端子部１３ａが、交互に千鳥状に並列配置されており、上記感圧層２１は、上記ＴＦＴ１０に形成されたドレイン電極４と上記共通電極１３とを接続するように、上記共通電極１３上に形成されるものであり、上記タイリングＴＦＴ基板４０は、上記ＴＦＴ基板２０の複数の上記第１ＴＦＴ端子部１１が、上記第１接続配線基板３１に形成された複数の第１接続配線部３１ｂにより接続されタイリングされているものである。
なお、図１、図３および図５においては、説明の容易のため、保護層および感圧層の記載を省略するものである。

この例においては、第１ＴＦＴ端子部１１は、ＴＦＴ１０に形成されたソース電極３に接続されたソース電極端子部３ａである。また、第１ＴＦＴ端子部１１および共通電極端子部１３ａは、交互に千鳥状に並列配置されており、第１ＴＦＴ端子部１１は、共通電極端子部１３ａよりもＴＦＴ基板２０の内部側に配置されるものである。また、第１接続配線基板３１は、第１基板３１ａおよび第１基板３１ａ上に形成された第１接続配線部３１ｂを有するものである。なお、第１基板３１ａは、図１および図５（ａ）中においては一点鎖線で示されるものである。
上記共通電極端子部１３ａは、隣接するＴＦＴ基板２０に対向配置された複数の共通電極端子部１３ａの全てと重なるように形成された第２接続配線部３２ｂを有する第２接続配線基板３２により接続されるものである。また、第２接続配線基板３２は第２基板３２ａおよび第２基板３２ａ上に形成された第２接続配線部３２ｂを有するものである。なお、第２基板３２ａは、図１および図５（ａ）中においては二点鎖線で示されるものである。
ＴＦＴ基板２０、第２接続配線基板３２および第１接続配線基板３１は、この順で積層されるものである。また、ＴＦＴ基板２０の第１ＴＦＴ端子部１１より端部側に配置された共通電極端子部１３ａは、上記第２接続配線基板３２により接続され、第１ＴＦＴ端子部１１は、第２接続配線基板３２とは別個の第１接続配線基板３１により接続されるものである。
ＴＦＴ基板２０は、ＴＦＴ１０に形成されたゲート電極２に接続されたゲート電極端子部２ａを第２ＴＦＴ端子部１２として有するものである。
ＴＦＴ基板２０の複数の上記第２ＴＦＴ端子部１２は、第４接続配線基板３４に形成された複数の第４接続配線部３４ｂにより、接続されるものである。また、第２ＴＦＴ端子部１２は、隣接するＴＦＴ基板２０に対向配置された第２ＴＦＴ端子部１２同士が１対１で接続されるものである。また、第４接続配線基板３４は、第４基板３４ａおよび第４基板３４ａ上に形成された複数の第４接続配線部３４ｂを有するものである。なお、第４基板３４ａは、図１中においては点線で示されるものである。

また、この例においては、ＴＦＴ１０は、ボトムゲート型であり、オーバーコート層５、ゲート電極２、ゲート絶縁層６、ソース電極３およびドレイン電極４、半導体層８、ならびにパッシベーション層７がこの順で積層する構造を有するものである。
さらに、本発明の圧力センサ装置５０は、感圧層２１の圧力印加側の表面上に形成された保護層２４を有するものである。また、圧力センサ装置５０は、感圧層２１の圧力印加側の表面上に形成された加圧側基板２３と、感圧層２１の圧力印加側とは反対側の表面上に形成された設置側基板２２と、を有するものである。また、この例においては、上記樹脂基板１は、設置側基板２２として用いられるものであり、上記保護層２４は、加圧側基板２３として用いられるものである。

本発明によれば、ＴＦＴ基板に配置される共通電極端子部およびこれと交互に並列配置される第１ＴＦＴ端子部が、千鳥状に並列配置されるものであることにより、第１ＴＦＴ端子部と第１接続配線基板の第１接続配線部とを接続した際に、第１ＴＦＴ端子部および共通電極端子部の間での短絡の発生を抑制することができる。したがって、第１ＴＦＴ端子部が安定的に接続されたタイリングＴＦＴ基板を有するものとすることができる。
また、第１ＴＦＴ端子部および第１接続配線基板の第１接続配線部の位置合わせの容易なものとすることができる。したがって、タイリングＴＦＴ基板を形成の容易なものとすることができる。
このようなことから、圧力センサ装置を、大面積化が容易であり、信頼性の高いものとすることができる。

本発明の圧力センサ装置は、タイリングＴＦＴ基板および感圧層を有するものである。
以下、本発明の圧力センサ装置の各構成について詳細に説明する。

１．タイリング薄膜トランジスタ基板
本発明におけるタイリングＴＦＴ基板は、ＴＦＴ基板および隣接する上記ＴＦＴ基板を接続する第１接続配線基板を有するものである。

（１）薄膜トランジスタ基板
本発明におけるＴＦＴ基板は、樹脂基板、ＴＦＴ、共通電極および端子部を有するものである。

（ａ）薄膜トランジスタ
本発明におけるＴＦＴは、上記樹脂基板上に形成されるものである。
このようなＴＦＴは、一般的に用いられるものと同様とすることができ、例えば、ゲート電極、ゲート絶縁層、上記ゲート電極と上記ゲート絶縁層を介して形成されたソース電極およびドレイン電極、ならびに上記ソース電極およびドレイン電極間に形成された半導体層を有するものとすることができる。

上記ＴＦＴの構造は、上記樹脂基板上に形成されたゲート電極、上記ゲート電極上に形成された上記ゲート絶縁層、上記ゲート絶縁層上に形成された上記ソース電極および上記ドレイン電極を有するボトムゲート型であっても良く、上記基板上に形成された上記ソース電極および上記ドレイン電極、上記ソース電極および上記ドレイン電極上に形成された上記ゲート絶縁層、および上記ゲート絶縁層上に形成された上記ゲート電極を有するトップゲート型であっても良い。
本発明においては、なかでも、ボトムゲート構造であることが好ましい。ＴＦＴがボトムゲート型であることにより、ＴＦＴに含まれるゲート電極の形成後に感圧層を形成することができる。このため、ゲート電極をパターン状に形成するためのエッチング処理時の薬液等に、感圧層が触れることのないものとすることができ、感圧層の劣化の少ないものとすることができるからである。
既に説明した図４、および図６は、上記ＴＦＴ１０がボトムゲート型であり、図４では、共通電極１３が上記ゲート絶縁層６上に形成された上記ソース電極３および上記ドレイン電極４と同一平面上に形成されている例を示すものであり、図５では、共通電極１３が上記オーバーコート層５上に形成された上記ゲート電極２と同一平面上に形成されている例を示すものである。
図７および図８は、上記ＴＦＴ１０がトップゲート型であり、図７では共通電極１３が上記オーバーコート層５上に形成された上記ソース電極３および上記ドレイン電極４と同一平面上に形成されている例を示すものであり、図８では、共通電極１３が上記ゲート絶縁層６上に形成された上記ゲート電極２と同一平面上に形成されている例を示すものである。
なお、図６〜図８中の符号については、図４と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。

（ｉ）ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極
本発明におけるゲート電極とソース電極およびドレイン電極とは、ゲート絶縁層を介して形成されるものである。

このようなゲート電極、ソース電極およびドレイン電極（以下、これらの各電極を単に電極と称する場合がある。）を構成する材料は、所望の導電性を備えるものであれば特に限定されるものではなく、一般的にＴＦＴに用いられる導電性材料を用いることができる。このような導電性材料は、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｇ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ａｌ合金、Ｐｔ、Ｍｏ−Ｔａ合金、Ｗ−Ｍｏ合金、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の無機材料、および、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等の導電性を有する有機材料を挙げることができる。
なお、上記電極はそれぞれ異なる材料からなるものであっても良く、全てが同一材料からなるものであっても良いが、通常、ソース電極およびドレイン電極は同一材料を用いて形成されるものである。

本発明における電極の厚みは、所望の電極特性を備える電極とすることができれば特に限定されないが、それぞれ、５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。上記厚みが上述の範囲内であることにより、上記電極を所望の電極特性を有するものとすることができるからである。

上記電極の幅は、所望の電極特性を備える電極とすることができれば特に限定されなく、本発明の圧力センサ装置の用途等に応じて適宜設定されるものである。

上記電極の形成方法は、所望の電極特性、パターン形状、および厚みを有するように電極を形成することが可能な方法であれば特に限定されず、一般的な電極の形成方法と同様とすることができる。
上記形成方法は、具体的には、金属マスクを用いて、蒸着法、スパッタ法等を用いて直接パターン状に形成する方法、蒸着法、スパッタ法等を用いて導電材料膜を形成し、導電材料膜上に感光性樹脂層をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングした後、エッチングすることによりパターン状に形成する方法、および印刷法を用いる方法等を挙げることができる。

（ｉｉ）半導体層
本発明における半導体層は、上記ソース電極および上記ドレイン電極間に形成されるものである。また、ゲート電極とゲート絶縁層を介して形成されるものである。

このような半導体層を構成する材料は、所望のスイッチング特性を示すものであれば特に限定されるものではなく、例えば、シリコン、酸化物半導体、有機半導体を用いることができる。
本発明においては、なかでも、有機半導体であること、すなわち、上記半導体層が有機半導体層であることが好ましい。半導体層を印加される圧力による破損の少ないものとすることができ、圧力センサ装置を、信頼性の高いものとすることができるからである。

有機半導体は、例えば、π電子共役系の芳香族化合物、鎖式化合物、有機顔料、有機ケイ素化合物等を挙げることができる。上記有機半導体は、より具体的には、ペンタセン、テトラセン、チオフェンオリゴマ誘導体、フェニレン誘導体、フタロシアニン化合物、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、シアニン色素等が挙げられる。
シリコンは、ポリシリコン、アモルファスシリコンを用いることができる。
酸化物半導体は、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化チタン（ＴｉＯ）、酸化マグネシウム亜鉛（Ｍｇ_ｘＺｎ_１−ｘＯ）、酸化カドミウム亜鉛（Ｃｄ_ｘＺｎ_１−ｘＯ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３）、酸化ガリウム（Ｇａ_２Ｏ_３）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化タングステン（ＷＯ）、ＩｎＧａＺｎＯ系、ＩｎＧａＳｎＯ系、ＩｎＧａＺｎＭｇＯ系、ＩｎＡｌＺｎＯ系、ＩｎＦｅＺｎＯ系、ＩｎＧａＯ系、ＺｎＧａＯ系、ＩｎＺｎＯ系を用いることができる。

上記半導体層の厚みは、所望のスイッチング特性を示すことができるものであれば特に限定されるものではなく、半導体層を構成する材料の種類等に応じて異なるものであるが、例えば、上記半導体層が有機半導体層である場合には、１ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内とすることができる。
なお、半導体層の厚みとは、半導体層の基板側表面から半導体層の圧力が印加される側の表面、すなわち、上記半導体層の基板とは反対側の表面までの距離のうち最大の距離をいうものである。

上記半導体層の形成方法は、一般的な半導体層の形成方法と同様とすることができ、半導体層を構成する材料の種類等に応じて異なるものであるが、例えば、上記半導体層が有機半導体層である場合には、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の種々の印刷法を挙げることができる。

（ｉｉｉ）ゲート絶縁層
本発明におけるゲート絶縁層は、上記ゲート電極と、上記ソース電極および上記ドレイン電極との間に形成されるものである。

このようなゲート絶縁層を構成する材料は、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではなく、一般的な半導体層の形成方法と同様とすることができる。
上記材料は、具体的には、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の絶縁性無機材料、および、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の絶縁性有機材料を用いることができる。
本発明においては、なかでも絶縁性有機材料を好ましく用いることができる。圧力センサ装置を、印加される圧力による破損の少ないものとすることができ、信頼性の高いものとすることができるからである。

上記ゲート絶縁層の厚みは、上記ゲート電極と、上記ソース電極等との間を安定的に絶縁することができるものであれば良く、一般的なＴＦＴと同様とすることができる。

（ｉｖ）その他の構成
本発明におけるＴＦＴは、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極および半導体層を有するものとすることができるが、必要に応じて他の構成を有するものであっても良い。
このような他の構成は、半導体層を覆うように形成され、空気中に存在する水分および酸素等の作用による上記半導体層の劣化を防止するパッシベーション層、および樹脂基板上に形成され、電極が形成される樹脂基板表面を平坦面とするオーバーコート層等を挙げることができる。

ａ．パッシベーション層
上記パッシベーション層を構成する材料は、空気中の水分および酸素等を透過しにくく、上記半導体層の劣化を所望の程度に防止できるものであれば特に限定されるものではない。
このような材料は、例えば、上記「（ｉｉｉ）ゲート絶縁層」の項に記載の絶縁性有機材料を用いることができる。

上記パッシベーション層は遮光性を有していることが好ましい。半導体層への光の入射による誤作動を抑制でき、ＴＦＴのスイッチ特性に優れたものとすることができるからである。

上記パッシベーションの厚みは、パッシベーション層を構成する材料等に依存して決定されるものであるが、通常、０．１μｍ〜１００μｍの範囲内とすることができる。

ｂ．オーバーコート層
上記オーバーコート層は樹脂基板上に平坦面を形成するものである。
このようなオーバーコート層を構成する材料は、所望の平坦面を形成できるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記「（ｉｉｉ）ゲート絶縁層」の項に記載の絶縁性有機材料を用いることができる。

上記オーバーコート層の厚みは、樹脂基板表面の段差を平坦化することが可能な厚みであればよく、０．５μｍ〜１００μｍの範囲内とすることができる。
上記オーバーコート層の形成方法は、上述した材料を含むオーバーコート層形成用塗工液を、スピンコート、ロールコート、キャストコート等の方法で塗布して成膜し、上記材料が光硬化型樹脂の場合は紫外線照射後に必要に応じて光硬化させ、熱硬化型樹脂の場合は成膜後そのまま熱硬化させる方法を挙げることができる。

（ｖ）薄膜トランジスタ
本発明におけるＴＦＴは、上記樹脂基板上に複数形成されるものである。
上記ＴＦＴの樹脂基板上の配置は、本発明の圧力センサ装置の用途等に応じて適宜設定されるものであるが、通常、マトリクス状とすることができる。
ここで、マトリクス状とは、行列状に二次元配列されている状態をいうものである。

（ｂ）共通電極
本発明における共通電極は、上記樹脂基板の上記ＴＦＴが形成された側の表面上に形成されるものである。すなわち、ＴＦＴおよび共通電極が樹脂基板の同一平面側に形成されるものである。
また、感圧層は、共通電極上に形成されるものである。

なお、感圧層が共通電極上に形成されるとは、上記共通電極の樹脂基板側表面が、上記感圧層の樹脂基板とは反対側の表面よりも樹脂基板側に位置していることをいうものである。
このような共通電極の形成箇所は、上記感圧層を介して上記ドレイン電極に接続可能なものであれば特に限定されるものではないが、既に説明した図４および図７に示すように、ドレイン電極と同一平面上に形成されたもの、または、既に説明した図６および図８に示すようにゲート電極と同一平面上に形成されたものであることが好ましい。共通電極をＴＦＴに含まれるドレイン電極等の電極と同時形成することが可能となる。このため、ドレイン電極等の電極を形成する工程とは別に共通電極を形成する工程が不要となり、圧力センサ装置を形成容易なものとすることができるからである。また、共通電極をゲート電極またはドレイン電極と同一平面上に形成するため、半導体層を覆うパッシベーション層およびドレイン電極が形成される樹脂基板等に、感圧層およびドレイン電極間の接続のための貫通孔を形成する工程が不要となり、圧力センサ装置を、形成容易なものとすることができるからである。
本発明においては、なかでも、共通電極がドレイン電極と同一平面上に形成されたものであることが好ましい。共通電極がドレイン電極と同一平面上に形成されていることにより、感圧層およびドレイン電極間の接続のためのゲート絶縁層のパターニングを行うことなく、感圧層をドレイン電極および共通電極を接続するように配置することができるからである。

上記共通電極の平面視形状は、上記感圧層と安定的に接続できるものであれば特に限定されるものではなく、四角形等の矩形状であっても、円形状であっても良い。

上記共通電極の平面視上の形成箇所は、上記ゲート電極ならびにソース電極およびドレイン電極と直接接触しない箇所であれば特に限定されるものではなく、本発明の圧力センサ装置の用途等に応じて適宜設定されるものである。

上記共通電極の構成材料および厚みは、所望の導電性を示すことができるものであれば特に限定されるものではなく、上記「（ａ）薄膜トランジスタ」の「（ｉ）ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極」の項に記載の構成材料および厚みと同様の内容とすることができる。
本発明においては、上記共通電極がゲート電極と同一平面上に形成される場合、上記構成材料および厚みは、ゲート電極と同一材料および厚みであることが好ましい。また、上記共通電極がドレイン電極と同一平面上に形成される場合には、上記構成材料および厚みは、ドレイン電極と同一材料および厚みであることが好ましい。上記共通電極を、ゲート電極と、またはドレイン電極と同時形成することが可能となり、圧力センサ装置を形成容易なものとすることができるからである。

上記共通電極の形成方法は、所望の形状とすることができるものであれば特に限定されるものではなく、一般的な電極の形成方法と同様とすることができる。上記形成方法は、より具体的には、上記「（ａ）薄膜トランジスタ」の「（ｉ）ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極」の項に記載の電極の形成方法と同様の方法とすることができる。
本発明においては、なかでも、上記形成方法が、上記共通電極を上記ゲート電極と同時または上記ソース電極および上記ドレイン電極と同時に形成する方法であることが好ましい。圧力センサ装置を形成容易なものとすることができるからである。

（ｃ）端子部
本発明における端子部は、上記ＴＦＴおよび上記共通電極に接続された第１ＴＦＴ端子部および共通電極端子部を少なくとも含むものであり、上記樹脂基板の上記ＴＦＴが形成された側の表面上に形成されるものである。
また、上記第１ＴＦＴ端子部および共通電極端子部は、交互に千鳥状に並列配置されるものである。

ここで、並列配置されるとは、複数の端子部が所定のピッチで配置されることをいうものである。本発明においては、上記第１ＴＦＴ端子部および共通電極端子部のそれぞれが並列配置され、かつ、上記両端子部も並列配置されるものである。
また、交互に配置されるとは、第１ＴＦＴ端子部および共通電極端子部が所定のピッチで交互に配置されることをいうものである。
さらに、千鳥状に配置されるとは、第１ＴＦＴ端子部および共通電極端子部が並列配置される方向（以下、単に並列配置方向と称する場合がある。）で重ならないように形成されることをいうものである。このような配置は、具体的には、端子部の端部間距離が０以上であることをいうものである。ここで、端子部の端部間距離とは、樹脂基板の端部側に形成された端子部の内部側端部と、樹脂基板の内部側に形成された端子部の端部側端部との距離をいうものであり、具体的には、既に説明した図３中のｄで示される距離をいうものである。
本発明においては、端子部の端部間距離が１０μｍ〜５０ｍｍの範囲内であることが好ましく、なかでも１００μｍ〜２ｍｍの範囲内であることが好ましい。上記端部間距離が上述の範囲内であることにより、第１ＴＦＴ端子部および共通電極端子部の間での短絡の発生をより効果的に抑制することができるからである。

上記第１ＴＦＴ端子部および共通電極端子部のピッチは、隣接するＴＦＴ基板に配置された第１ＴＦＴ端子部同士を第１接続配線基板に形成された複数の第１接続配線部により安定的に接続可能なものであれば特に限定されるものではない。例えば、上記ピッチは、１０μｍ〜１０ｃｍの範囲内とすることができ、なかでも、１００μｍ〜２ｍｍの範囲内であることが好ましい。上記ピッチが上述の範囲内であることにより、隣接するＴＦＴ基板に配置された第１ＴＦＴ端子部同士を安定的に接続することができるからである。
なお、上記ピッチは、平面視上の両端子部の重心間の上記並列配置方向の距離をいうものである。上記距離は、具体的には、図３中のｐで示されるものである。

上記第１ＴＦＴ端子部は、上記ＴＦＴに接続されるものであり、共通電極端子部と交互に千鳥状に並列配置されるものである。
このような第１ＴＦＴ端子部は、ＴＦＴに形成された電極に接続されたものであれば特に限定されるものではなく、例えば、ゲート電極に接続されたゲート電極端子部またはソース電極に接続されたソース電極端子部とすることができる。
上記第１ＴＦＴ端子部は、ゲート電極端子部およびソース電極端子部のいずれであってもよいが、上記共通電極端子部が接続される共通電極が上記ゲート電極と同一平面上に形成される、すなわち、上記ゲート電極と同時に形成される場合には上記ゲート電極端子部とすることができ、共通電極がソース電極と同一平面上に形成される、すなわち、ソース電極と同時に形成される場合には上記ソース電極端子部とすることができる。

上記端子部は、第１ＴＦＴ端子部および共通電極端子部を少なくとも含むものであれば特に限定されるものではないが、通常、ＴＦＴに形成された電極のうち、上記第１ＴＦＴに接続された電極以外の電極に接続された第２ＴＦＴ端子部を有するものである。
このような第２ＴＦＴ端子部は、上記第１ＴＦＴ端子部がゲート電極端子部である場合には、ソース電極端子部とすることができ、上記第１ＴＦＴ端子部がソース電極端子部である場合には、ゲート電極端子部とすることができる。

上記端子部の形成箇所は、上記樹脂基板上に並列配置することができるものであれば特に限定されるものではなく、一般的なＴＦＴ基板と同様とすることができる。
例えば、上記形成箇所は、樹脂基板のＴＦＴが形成される領域の周囲とすることができ、端子部の並列配置方向と樹脂基板の端部とが並行となるものとすることができる。

上記端子部の形状およびサイズは、接続配線基板等と安定的に接続可能なものであれば特に限定されるものではなく、ＴＦＴに一般的に用いられるものと同様とすることができる。
上記形状およびサイズは、例えば、上記端子部を短手方向および長手方向がそれぞれ５０μｍ〜２ｍｍの範囲内および２ｍｍ〜１ｃｍの範囲内の長方形状とすることができる。

（ｄ）樹脂基板
本発明における樹脂基板は、上記ＴＦＴ、共通電極および端子部を支持するものである。

このような樹脂基板を構成する材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）およびポリエーテルイミド（ＰＥＩ）等を挙げることができる。

また、上記樹脂基板の厚さは、上記ゲート電極等を安定的に支持できるものであれば特に限定されるものではなく、本発明の圧力センサ装置の用途等に応じて適宜設定されるものであるが、５０μｍ〜１０００μｍの範囲内とすることが好ましい。上記厚さが上述の範囲内であることにより、圧力センサ装置をフレキシブル性を有するものとすることが容易だからである。

上記樹脂基板は、感圧層の圧力印加側とは反対側に形成される設置側基板として用いられるものであっても良いが、感圧層の圧力印加側に形成される加圧側基板として用いられるものであることが好ましい。上記端子部が配置される樹脂基板が加圧側基板として用いられることにより、端子部と第１接続配線基板等の配線基板に含まれる接続配線部との貼合部および端子部に接続される駆動ＩＣ等の回路部の損傷の少ないものとすることができる。このため、圧力センサ装置を、信頼性の高いものとすることができるからである。
ここで、上記回路部の損傷の少ないものとすることができる理由については以下のように推察される。すなわち、設置側基板、回路部および加圧側基板がこの順で積層され、回路部が加圧側基板の設置側基板側に配置される構造を有することにより、印加された圧力により加圧側基板等の構成部材が変形した場合でも、加圧側基板等の構成部材の変形に追随して回路部も移動することができる。これにより、変形した構成部材が回路部に接触することを防止でき、さらにはこれらの構成部材の接触時に生じる衝撃が回路部に加わることのないものとすることができる。その結果、圧力センサ装置を、使用時に回路部の破損のない、信頼性の高いものとすることができるのである。
既に説明した図２は、上記樹脂基板が感圧層の圧力印加側とは反対側に形成される設置側基板として用いられる例を示すものである。また、図９は、上記樹脂基板が感圧層の圧力印加側に形成される加圧側基板として用いられる例を示すものである。
なお、図９中の符号については、図２と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。

（ｅ）薄膜トランジスタ基板
本発明におけるＴＦＴ基板は、樹脂基板、ＴＦＴ、共通電極および端子部を有するものであるが、電極間ならびに電極および端子部間を接続する配線を通常有するものである。
このような配線は、ゲート電極間ならびにゲート電極およびゲート電極端子部間を接続するゲート配線、ソース電極間ならびにソース電極およびソース電極端子部間を接続するソース配線、共通電極間並びに共通電極および共通電極端子部間を接続する共通電極配線を挙げることができる。
このようなゲート配線、ソース配線および共通電極配線の配置は、配線間で短絡が生じないものであれば特に限定されるものではない。
上記配置は、例えば、既に説明した図４および図７に示すように共通電極１３およびソース電極３が同一平面上に形成される場合には、既に説明した図３に示すように、ゲート配線２Ｘがソース配線３Ｘおよび共通電極配線１３Ｘと直交するように形成され、ソース配線３Ｘおよび共通電極配線１３Ｘが平行に形成されるものとすることができる。また、既に説明した図６および図８に示すように、共通電極およびゲート電極が同一平面上に形成される場合には、ソース配線が、ゲート配線および共通電極配線と直交するように形成され、ゲート配線および共通電極配線が平行に形成されるものとすることができる。
また、上記配線を構成する材料および厚さについては、通常、これらと接続される電極と同一である。また、上記配線の形成方法はそれぞれこれらと接続される電極と同時に形成する方法を用いることができる。
なお、上記配線の幅等については一般的なＴＦＴと同様とすることができる。

上記ＴＦＴ基板のタイリング薄膜トランジスタ基板に含まれる数は、上記第１ＴＦＴ基板により連結される少なくとも２以上であれば特に限定されるものではなく、既に説明した図１に例示するように４以上等とすることができる。

（２）第１接続配線基板
本発明における第１接続配線基板は、複数の第１接続配線部を有するものである。
また、上記ＴＦＴ基板の複数の上記第１ＴＦＴ端子部が、上記第１接続配線基板に形成された複数の第１接続配線部により接続されるものである。

ここで、上記ＴＦＴ基板の上記第１ＴＦＴ端子部が接続されるとは、隣接するＴＦＴ基板に配置された第１ＴＦＴ端子部同士が接続されることをいうものである。
また、上記ＴＦＴ基板の複数の上記第１ＴＦＴ端子部が、上記第１接続配線基板に形成された複数の第１接続配線部により接続されるとは、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ対向配置された第１ＴＦＴ端子部同士を、第１接続配線基板に含まれる複数の第１接続配線部により接続することをいうものであり、より具体的には、隣接するＴＦＴ基板において対向配置された第１ＴＦＴ端子部同士が１対１で接続されることをいうものである。
したがって、ｍ個の第１ＴＦＴ端子部が隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ対向するように並列配置されている場合、隣接するＴＦＴ基板に配置されたｍ個の第１ＴＦＴ端子部同士は、ｍ個の第１端子部を用いて、１対１で接続されることをいうものである。

（ａ）第１接続配線部
本発明における第１接続配線部を構成する材料および厚みは、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではなく、圧力センサ装置に一般的に用いられるものと同様とすることができる。
上記材料および厚みは、具体的には、上記「（１）薄膜トランジスタ基板」の「（ａ）薄膜トランジスタ」の「（ｉ）ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極」の項に記載の内容と同様とすることができる。

上記第１接続配線部の数および配置は、ＴＦＴ基板の複数の第１ＴＦＴ端子部を接続可能なものであれば特に限定されるものではなく、接続配線基板により接続する第１ＴＦＴ端子部の数および配置と同一とすることができる。
上記第１接続配線部の数および配置は、例えば、第１接続配線基板が、ＴＦＴ基板の１辺の端部に並列配置された第１ＴＦＴ端子部を接続するものである場合には、上記数はＴＦＴ基板の１辺の端部に並列配置された第１ＴＦＴ端子部と同数であり、上記配置は第１ＴＦＴ端子部と同一のピッチで並列配置されたものとすることができる。

上記第１接続配線部の長さは、ＴＦＴ基板の複数の第１ＴＦＴ端子部を安定的に接続可能なものであれば特に限定されるものではなく、ＴＦＴ基板のサイズ、および隣接するＴＦＴ基板の間隔等に応じて適宜設定されるものである。

上記第１接続配線部の幅は、ＴＦＴ基板の複数の第１ＴＦＴ端子部を安定的に接続可能なものであれば特に限定されるものではなく、接続する第１ＴＦＴ端子部の幅と同様とすることができる。
上記幅は、例えば、５０μｍ〜２ｍｍの範囲内とすることができる。

（ｂ）第１接続配線基板
本発明における第１接続配線基板は、上記第１接続配線部を少なくとも有するものであるが、通常、上記第１接続配線部を支持する第１基板を有するものである。
また、第１接続配線基板は、必要に応じてその他の構成を有するものであっても良い。

上記第１基板を構成する材料および厚みは、上記第１接続配線部を安定的に支持できるものであれば特に限定されるものではなく、圧力センサ装置に一般的に用いられるものと同様とすることができる。
上記材料および厚みは、具体的には、上記「（１）薄膜トランジスタ基板」の「（ｄ）樹脂基板」の項に記載の内容と同様とすることができる。

（３）タイリング薄膜トランジスタ基板
本発明におけるタイリングＴＦＴ基板は、ＴＦＴ基板および第１接続配線基板を有するものである。
また、上記タイリング薄膜トランジスタ基板は、上記薄膜トランジスタ基板の複数の上記第１薄膜トランジスタ端子部が、上記第１接続配線基板に形成された複数の第１接続配線部により接続されタイリングされているものである。
ここで、タイリングとは、平面視上隣接するように配置されたＴＦＴ基板同士を連結して、その連結されたＴＦＴ基板であるタイリングＴＦＴ基板（並列連結ＴＦＴ基板と称する場合もある。）を全体として１つのＴＦＴ基板として用いることをいうものである。また、ＴＦＴ基板同士を連結するとは、平面視上、隣接するＴＦＴ基板に含まれる同一種類の電極同士を接続することで、複数のＴＦＴ基板における電極の制御を共通化することをいうものである。したがって、タイリングされた複数のＴＦＴ基板、すなわち、タイリングＴＦＴ基板は、そこに含まれる複数のＴＦＴ基板の電極の制御が共通化され、全体として１つのＴＦＴ基板として使用することができるものである。
また、上記タイリングＴＦＴ基板は、上記第１薄膜トランジスタ端子部が接続されることによりタイリングされているものであり、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ形成された電極であって、第１ＴＦＴ端子部に接続された電極同士が少なくとも接続されているものである。

（ａ）タイリング方法
本発明におけるタイリングＴＦＴ基板は、上記ＴＦＴ基板の複数の上記第１ＴＦＴ端子部が接続されタイリングされるもの、すなわち、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ形成された電極であって、第１ＴＦＴ端子部に接続された電極（以下、単に第１電極と称する場合がある。）同士が接続されていることにより、隣接するＴＦＴ基板に形成された第１電極の制御が共通化されているものであれば特に限定されるものではない。本発明においては、なかでも、タイリングＴＦＴ基板が上記ＴＦＴ基板の複数の共通電極端子部が接続されタイリングされるものであること、すなわち、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ形成された共通電極端子部に接続された共通電極同士が接続されることが好ましく、特に、上記ＴＦＴ基板の複数の第２ＴＦＴ端子部が接続されタイリングされるものであること、すなわち、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ形成された第２ＴＦＴ端子部に接続された電極（以下、単に第２電極と称する場合がある。）同士が接続されることが好ましい。タイリングＴＦＴ基板の制御を容易なものとすることができるからである。

（ｉ）共通電極端子部のタイリング方法
上記共通電極端子部のタイリング方法は、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ形成された共通電極同士が接続され、隣接するＴＦＴ基板に形成された共通電極の制御を共通化できる接続方法であれば特に限定されるものではない。
このような共通電極端子部の接続方法は、隣接するＴＦＴ基板に並列配置された複数の共通電極端子部の全てを接続する方法を用いることができる。
上記接続方法は、より具体的には、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ並列配置された複数の共通電極端子部の全てと平面視上重なるように形成された第２接続配線部を有する第２接続配線基板を用いる方法（第１方法）、およびＴＦＴ基板内に並列配置された複数の共通電極端子部の全てを接続する第２共通電極配線を用いる方法（第２方法）等を挙げることができる。
既に説明した図５および図１０は、上記第１方法の例を示すものであり、隣接するＴＦＴ基板２０に配置された複数の共通電極端子部１３ａの全てと平面視上重なるように形成された第２接続配線部３２ｂを有する第２接続配線基板３２を用いるものである。図１１は上記第２方法の例を示すものであり、ＴＦＴ基板２０内で並列配置された複数の共通電極端子部１３ａの全てと接続され、かつ、上記第１ＴＦＴ端子部１１とは絶縁された第２共通電極配線３５ａを用いるものである。
なお、図１０および図１１中の符号については、図５と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。
また、並列配置された複数の共通電極端子部の全てとは、並列配置方向に重なるように配置され、制御が共通化される共通電極に接続された共通電極端子部の全てをいうものである。

ここで、図５は、共通電極端子部１３ａが第１ＴＦＴ端子部１１よりＴＦＴ基板２０の端部側に配置される例であり、ＴＦＴ基板２０、第２接続配線基板３２および第１接続配線基板３１がこの順で積層されるものである。
図１０は、共通電極端子部１３ａが第１ＴＦＴ端子部１１よりＴＦＴ基板２０の内部側に配置される例であり、第１接続配線基板３１および第２接続配線基板３２が一体化されている例を示すもの、すなわち、第１接続配線部３１ｂおよび第２接続配線部３２ｂを支持する第１基板３１ａおよび第２基板３２ａが同一である場合を示すものである。また、図５および図１０においては、並列配置方向に直交する方向に隣接するＴＦＴ基板に形成された複数の共通電極端子部の全てを互いに接続する例を示すものである。なお、図１０（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ図１０（ａ）のＥ−Ｅ線断面図およびＦ−Ｆ線断面図である。また、図１０（ａ）においては、第１基板３１ａおよび第２基板３２ａは一点鎖線で示されるものである。
また、図１１は、共通電極端子部１３ａが第１ＴＦＴ端子部１１よりＴＦＴ基板２０の内部側に配置される例である。また、図１１（ｂ）および（ｃ）はそれぞれ図１１（ａ）のＧ−Ｇ線断面図およびＨ−Ｈ線断面図である。

上記第２接続配線部の平面視形状は、隣接するＴＦＴ基板に配置された複数の共通電極端子部の全てと平面視上重なり、かつ、上記第１ＴＦＴ端子部と絶縁されるものであれば特に限定されるものではなく、上記共通電極端子部の配置箇所等に応じて適宜設定されるものである。

上記第２接続配線部を構成する材料およびその厚みは、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではなく、上記「（２）第１接続配線基板」の項に記載の第１接続配線部と同様の内容とすることができる。

上記第２基板は、第２接続配線部を安定的に支持できるものであれば特に限定されるものではなく、上記「（２）第１接続配線基板」の項に記載の第１基板と同様の内容とすることができる。

上記第２共通電極配線は、ＴＦＴ基板に配置された複数の共通電極端子部の全てと接続され、かつ、上記第１ＴＦＴ端子部とは絶縁されているものであれば特に限定されるものではない。
上記第２共通電極配線は、例えば、共通電極端子部および第１ＴＦＴ端子部が形成された絶縁層と樹脂基板との間に形成され、共通電極端子部との接続のために上記絶縁層に設けられた開口部から露出するものとすることができる。
なお、共通電極端子部および第１ＴＦＴ端子部が形成された絶縁層と樹脂基板との間に形成されるとは、共通電極端子部および第１ＴＦＴ端子部ならびにこれらと各電極を接続する配線と上記第２共通電極配線とが絶縁層を介して設けられていることをいうものである。
例えば、既に説明した図１１においては、第２共通電極配線は、共通電極端子部および第１ＴＦＴ端子部としてのソース電極端子部が形成されたゲート絶縁層と樹脂基板との間に形成されるものである。

上記第２共通電極配線を構成する材料および厚みは、上記「（２）第１接続配線基板」の項に記載の第１接続配線部と同様の内容とすることができる。
本発明においては、上記第２共通電極配線がゲート電極と同一平面上に形成される場合、上記材料および厚みは、ゲート電極と同一材料および厚みであることが好ましい。また、上記第２共通電極配線がソース電極およびドレイン電極と同一平面上に形成される場合には、上記材料および厚みは、ソース電極およびドレイン電極と同一材料および厚みであることが好ましい。上記上記第２共通電極配線を、ゲート電極と、またはソース電極およびドレイン電極と同時形成することが可能となり、形成容易なものとすることができるからである。
例えば、図１１においては、第２共通電極配線は、ゲート電極と同一材料および厚みで形成されたものとすることが好ましい。

上記第２共通電極配線の幅は、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではなく、上記第２共通電極配線を構成する材料等に応じて適宜設定されるものである。

上記第２共通電極配線と上記共通電極端子部との接続方法は、両者を安定的に接続することができる方法であれば特に限定されるものではなく、はんだ等の導電性材料を用いて形成された共通化導電層により、上記第２共通電極配線および上記共通電極端子部の両者を接続する方法を用いることができる。

本発明において、上記第２方法によりＴＦＴ基板内の複数の共通電極端子部同士が第２共通電極配線により接続されている場合、隣接するＴＦＴ基板の共通電極端子部同士間の接続方法は、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ形成された複数の共通電極を接続できる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば、上記第２共通電極配線に接続された第２共通電極端子部を、第３接続配線基板に形成された第３接続配線部により接続する方法を挙げることができる。
図１２は、上記第２共通電極配線３５ａに接続された第２共通電極端子部３５ｂを、第３接続配線基板３３に形成された第３接続配線部３３ｂを用いて接続する例を示すものである。また、図１２は、第２共通電極端子部が第２共通電極配線の端部に接続されるものであり、隣接するＴＦＴ基板に対向配置された第２共通電極端子部が、第３接続配線基板に形成された第３接続配線部により１対１で接続される例を示すものである。
なお、図１２中の符号については、図５と同一の部材を示すものであるので、ここでの説明は省略する。また、第３接続配線基板３３は、第３基板３３ａおよび第３基板３３ａ上に形成された第３接続配線部３３ｂを有するものである。図１２（ａ）において、第３基板３３ａは、二点鎖線で示されるものである。また、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＩ−Ｉ線断面図である。

上記第２共通電極端子部の形状およびサイズは、上記「（１）薄膜トランジスタ基板」の「（ｃ）端子部」の項の記載と同様の内容とすることができる。
上記第２共通電極端子部を構成する材料および厚みは、上記第２共通電極配線と同様とすることができる。

上記第３接続配線部を構成する材料、厚みは、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではなく、上記「（２）第１接続配線基板」の項に記載の第１接続配線部と同様の内容とすることができる。
また、上記第３基板は、第３接続配線部を安定的に支持できるものであれば特に限定されるものではなく、上記「（２）第１接続配線基板」の項に記載の第１基板と同様の内容とすることができる。

上記第２接続配線基板および第３接続配線基板は、それぞれ上記第１接続配線基板と別体であっても良く、これと一体化されていても良い。

（ｉｉ）第２ＴＦＴ端子部のタイリング方法
上記第２ＴＦＴ端子部のタイリング方法は、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ形成された第２電極同士が接続され、隣接するＴＦＴ基板に形成された第２電極の制御を共通化できる接続方法であれば特に限定されるものではない。
このような第２ＴＦＴ端子部の接続方法は、ＴＦＴ基板の複数の上記第２ＴＦＴ端子部が第４接続配線基板に形成された複数の第４接続配線部により接続される方法、すなわち、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ対向配置された第２ＴＦＴ端子部同士を、第４接続配線基板に含まれる複数の第４接続配線部により接続する方法を好ましく用いることができる。
また、上記第４接続配線部を有する第４接続配線基板は、隣接するＴＦＴ基板にそれぞれ対向配置された複数の第２ＴＦＴ端子部同士を１対１で接続することができるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、上記「（２）第１接続配線基板」の項に記載の第１接続配線基板と同様の内容とすることができる。
なお、上記第４接続配線基板は、上記第１接続配線基板と別体であっても良く、これと一体化されているものであっても良い。

（ｂ）その他の構成
本発明におけるタイリングＴＦＴ基板は、上記ＴＦＴ基板および第１接続配線基板を少なくとも有するものであるが、必要に応じて、その他の構成を有するものであっても良い。
このようなその他の構成は、上述した第２接続配線基板、第３接続配線基板および第４接続配線基板等を挙げることができる。
また、既に説明した図２、図５および図９〜図１２に示すように接続配線基板に含まれる接続配線部と、ＴＦＴ基板に含まれる端子部とを接続する導電性接着剤３７等を有するものであっても良い。

上記導電性接着剤は、接続配線基板とＴＦＴ基板との接続に一般的に用いられるものと同様とすることができ、例えば、導電性微粒子を接着性の絶縁性樹脂材料中に分散した異方導電性接着剤を挙げることができ、ペースト状のもの、およびフィルム状のもの等を用いることができる。

上記導電性微粒子としては、所望の導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、金、銀、ニッケル等の金属粒子、およびセラミックス、プラスチックまたは金属の粒子を核としてその表面にニッケルおよび金等の金属皮層を形成した金属被覆粒子等を挙げることができる。
また、上記絶縁性樹脂材料は、例えば、エポキシ樹脂等を挙げることができる。

２．感圧層
本発明における感圧層は、上記共通電極上に上記ドレイン電極および上記共通電極を接続するように形成され、絶縁性樹脂および導電性粒子を含むものである。

上記絶縁性樹脂は、上記導電性粒子を分散することができ、本発明の圧力センサ装置に対して加えられた圧力に応じて変形する弾性を有し、絶縁樹脂内において導電性粒子同士が接触し、感圧層内の電気抵抗を低下させることができるものであれば特に限定されるものではなく、圧力センサ装置に一般的に用いられるものを使用することができる。
このような絶縁性樹脂は、具体的には、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、スチレン−エチレン−オレフィン共重合体およびスチレン−ブチレン−オレフィン共重合体、ならびに、オレフィン−エチレン共重合体、オレフィン−ブチレン共重合体およびオレフィン−オレフィン共重合体等が挙げられる。中でも、シリコーン樹脂を用いることが好ましい。上記絶縁性樹脂であることにより、優れた絶縁性を有し、経時安定性に優れているからである。また、上記絶縁性樹脂は、２種以上の材料を混合させて用いても良い。

上記導電性粒子を構成する材料は、所望の導電性を有するものであれば良く、圧力センサ装置に一般的に用いられるものを使用することができる。
このような材料は、具体的には、グラファイト、導電性カーボン、銅、アルミニウム、ニッケル、鉄粉、金属酸化物である導電性酸化スズおよび導電性酸化チタン、ならびに有機樹脂の炭化物等の炭素系粒子等を挙げることができ、なかでも、グラファイトを好ましく用いることができる。

上記導電性粒子の平均粒子径および含有量は、所望の感圧性を示すことができるものであれば特に限定されるものではなく、圧力センサ装置に一般的に用いられるものを使用することができる。上記平均粒子径および含有量は、具体的には、導電性粒子の材料の種類および求められる感度等に応じて適宜設定されるものである。
例えば、平均粒子径は、０.１μｍ〜５００μｍの範囲内とすることができる。また、感圧層中の含有量は、１質量％〜９９質量％の範囲内とすることができ、なかでも、１０質量％〜７０質量％の範囲内であることが好ましく、特に、２０質量％〜６０質量％の範囲内であることが好ましい。
なお、平均粒子径は、顕微鏡観察による平均粒子径である。顕微鏡観察による平均粒子径は、例えば、１００倍で顕微鏡観察を行い、画像処理ソフト等により任意の導電性粒子の粒径を１００個測定して個数平均することにより得られる。なお、粒径とは導電性粒子の長軸径と短軸径の平均値を指す。

上記感圧層は、絶縁性樹脂および導電性粒子を含むものであるが、必要に応じて、シリカ系粉体充填材等の硬度調整剤を含むものであっても良い。

上記感圧層の厚みは、所望の感圧性を示すことができるものであれば特に限定されるものではなく、圧力センサ装置に一般的に用いられるものを使用することができる。
上記感圧層の厚みは、具体的には、１μｍ〜１０ｍｍの範囲内であることが好ましく、なかでも、１μｍ〜１ｍｍの範囲内であることが好ましく、特に、５μｍ〜５００μｍの範囲内であることが好ましい。
なお、感圧層の厚みとは、感圧層の樹脂基板側表面から圧力が印加される側の表面までの距離のうち最大の距離をいうものである。

上記感圧層の平面視形状は、ドレイン電極および共通電極を接続可能な形状であれば特に限定されるものではなく、四角形等の矩形状であっても、円形状であっても良い。

上記感圧層は、ドレイン電極および共通電極とのみ接し、ソース電極およびゲート電極とは接しないように形成されるものである。
このような感圧層の平面視上の形成箇所は、上記ドレイン電極および上記共通電極間の領域にのみに形成されるものであっても良いが、なかでも本発明においては、上記ドレイン電極および共通電極の両者を平面視上覆うように形成されるものであることが好ましい。上記ドレイン電極および上記共通電極を安定的に接続することができるからである。
また、上記感圧層は、少なくとも１組のドレイン電極および共通電極を接続するように形成されるものであれば良いが、複数組のドレイン電極および共通電極を接続するものであっても良い。
なお、１組のドレイン電極および共通電極とは、感圧層を介して直列に接続されるドレイン電極および共通電極をいうものである。
また、既に説明した図３は、感圧層が１組のドレイン電極および共通電極を接続するように形成される例を示すものである。

上記感圧層の形成方法は、所望のパターンの感圧層を精度良く形成できるものであれば特に限定されるものではないが、インクジェット印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法等の種々の印刷法を挙げることができる。

３．圧力センサ装置
本発明の圧力センサ装置は、タイリングＴＦＴ基板および感圧層を有するものであるが、必要に応じて他の構成を有するものであっても良い。
このような他の構成は、例えば、感圧層２１の圧力印加側の表面上に形成され、タイリングＴＦＴ基板、接続配線基板、および回路部等を保護する保護層、および、上記樹脂基板が加圧側基板として用いられる場合に、上記感圧層の圧力印加側とは反対側の表面上に形成され、上記タイリングＴＦＴ基板および感圧層等の構成を支持する設置側基板等を挙げることができる。

上記保護層および設置側基板を構成する材料は、絶縁性を有し、所望の保護機能および支持機能を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、上記「１．タイリング薄膜トランジスタ基板」の「（１）薄膜トランジスタ基板」の「（ａ）薄膜トランジスタ」の「（ｉｉｉ）ゲート絶縁層」の項に記載の絶縁性有機材料を用いることができる。
上記保護層および設置側基板の厚さは、所望の保護機能および支持機能を有するものとすることができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、１００μｍ〜１ｍｍの範囲内とすることができる。

上記保護層および設置側基板の形成方法は、板状の保護層または設置側基板を準備した後、上記感圧層の圧力印加側および圧力印加側とは反対側の表面上に接着剤等を用いて貼り合わせる方法であっても良く、上記保護層および設置側基板を構成する材料を含む塗工液を塗工する方法を用いることができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。

以下、本発明について、実施例および比較例を挙げてより詳細に説明する。

［実施例１］
樹脂基板上の全面にオーバーコート層を塗布し、Ａｌを厚み２００ｎｍでスパッタ蒸着した。続いて、Ａｌスパッタ膜上にポジ型フォトレジストをスピンコートにて塗布してレジスト層を形成し、フォトマスクを用いた露光および現像工程を経て、レジスト層をパターニングした。エッチング処理を施して、レジスト層が形成されていない部位のＡｌスパッタ膜をエッチングした後、レジスト層を除去した。これにより、ゲート電極を形成した。

次に、紫外線感光性アクリル系樹脂をスピンコートしてゲート絶縁層を形成し、フォトマスクを介した露光およびアルカリ現像工程を行い、ゲート絶縁層のパターニングを行った。この際、ゲート絶縁層にコンタクトホールが形成されるようにパターニングした。次いで、１５０℃のオーブンにて加熱硬化させ、膜厚１μｍのゲート絶縁層を形成した。

次に、ゲート絶縁層まで形成された樹脂基板上に、銀を厚み４０ｎｍでスパッタ蒸着した。次に、銀スパッタ膜上にポジ型フォトレジストをスピンコートにて塗布してレジスト層を形成し、フォトマスクを用いた露光および現像工程を経て、レジスト層をパターニングした。次いで、エッチング処理を施して、レジスト層が形成されていない部位の銀スパッタ膜をエッチングした後、レジスト層を除去した。これにより、ゲート絶縁層上にソース電極、ドレイン電極および共通電極を形成した。また、同時に、ＴＦＴに形成されたソース電極端子部および共通電極に接続された共通電極端子部を、交互に千鳥状に並列配置されるように形成するとともに、ソース電極およびソース電極端子部間を接続するソース配線と、共通電極および共通電極端子部間を接続する共通電極配線と、を形成した。
また、同時に、樹脂基板のＴＦＴ基板として用いられる領域以外の領域に、ソース電極端子部同士および共通電極端子部同士をそれぞれ接続するために用いられる第１接続配線部および第２接続配線部も作製した。

次に、チオフェン系ポリマーをキシレンに固形分濃度１ｗｔ％にて溶解させた有機半導体のキシレン溶液を準備し、ソース電極、ドレイン電極およびソース配線を形成した基材表面にスピンコートにて塗布し、膜厚５０ｎｍの有機半導体層を基材全面に形成した。次いで、ポジ型レジストを有機半導体層上にスピンコートしてレジスト層を形成し、フォトマスクを介した露光およびアルカリ現像工程を行い、レジスト層をパターニングした。
次に、大気下で、波長１７２ｎｍ、照度３ｍＷ／ｃｍ^２の真空紫外線を６０秒間照射し、レジスト層で覆われている部位以外の有機半導体層をエッチング除去し、有機半導体層のパターニングを行った。その後、レジスト層を除去した。

次に、ドレイン電極と共通電極の間に、スクリーン印刷法にて感圧層をパターン状に形成した。

次に、紫外線感光性アクリル系樹脂をスピンコートしてパッシベーション層を形成し、フォトマスクを介した露光およびアルカリ現像工程を行い、パッシベーション層のパターニングを行った。次いで、１５０℃のオーブンにて加熱硬化させ、膜厚２０μｍのパッシベーション層を形成した。

次に、樹脂基板を切断し、第１接続配線部が形成された第１接続配線基板と、第２接続配線部が形成された第２接続配線基板と、上記感圧層がパターン状に形成されたＴＦＴ基板と、を形成した。

次に、第１接続配線基板および第２接続配線基板と、２以上のＴＦＴ基板とを異方性導電膜（ＡＣＦ）を用いて図５で示したように接着し、タイリングすることにより、タイリングＴＦＴ基板を有する圧力センサ装置を作製した。

得られた圧力センサ装置を用いて圧力の検出を行ったところ、圧力を良好に検出できることが確認できた。

１ … 樹脂基板
２ … ゲート電極
２ａ … ゲート電極端子部
３ … ソース電極
３ａ … ソース電極端子部
４ … ドレイン電極
５ … オーバーコート層
６ … ゲート絶縁層
７ … パッシベーション層
８ … 半導体層
１０ … 薄膜トランジスタ
１１ … 第１薄膜トランジスタ端子部
１２ … 第２薄膜トランジスタ端子部
１３ … 共通電極
１３ａ … 共通電極端子部
２０ … 薄膜トランジスタ基板
２１ … 感圧層
２２ … 設置側基板
２３ … 加圧側基板
２４ … 保護層
３１ … 第１接続配線基板
３１ａ … 第１基板
３１ｂ … 第１接続配線部
３２ … 第２接続配線基板
３２ａ … 第２基板
３２ｂ … 第２接続配線部
３３ … 第３接続配線基板
３３ａ … 第３基板
３３ｂ … 第３接続配線部
３４ … 第４接続配線基板
３４ａ … 第４基板
３４ｂ … 第４接続配線部
３５ａ … 第２共通電極配線
３５ｂ … 第２共通電極端子部
３６ … 共通化導電層
３７ … 導電性接着剤
４０ … タイリング薄膜トランジスタ基板
５０ … 圧力センサ装置

Claims (2)

1. 薄膜トランジスタ基板および第１接続配線基板を有するタイリング薄膜トランジスタ基板と、
   前記タイリング薄膜トランジスタ基板上に形成された感圧層と、
   を有する圧力センサ装置であって、
   前記薄膜トランジスタ基板は、樹脂基板、前記樹脂基板上に形成された薄膜トランジスタおよび前記樹脂基板の前記薄膜トランジスタが形成された側の表面上に形成された共通電極を有し、
   前記薄膜トランジスタおよび前記共通電極に接続された第１薄膜トランジスタ端子部および共通電極端子部は、交互に千鳥状に並列配置されており、
   前記感圧層は、前記薄膜トランジスタに形成されたドレイン電極と、前記共通電極と、を接続するように、前記共通電極上に形成されるものであり、
   前記タイリング薄膜トランジスタ基板は、前記薄膜トランジスタ基板の複数の前記第１薄膜トランジスタ端子部が、前記第１接続配線基板に形成された複数の第１接続配線部により接続されタイリングされていることを特徴とする圧力センサ装置。
2. 前記樹脂基板が加圧側基板として用いられることを特徴とする請求項１に記載の圧力センサ装置。

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