JP2016013942A - 接合体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】接合強度の向上及び接合信頼性の向上を図ることが可能な接合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】接合体１ａは、セラミックス２と、銅により形成された金属部材３と、セラミックス２に形成されたメタライズ層４と、メタライズ層４と金属部材３との間に形成された接合部５と、を備える。接合部５は、メタライズ層４の厚さ方向への投影領域内にある第１接合部５１と、第１接合部５１及びメタライズ層４を囲む第２接合部５２と、を備える。第１接合部５１は、第１接合材料により形成されている。第２接合部５２は、第１接合材料よりも熱膨張率の低い第２接合材料により形成されている。第２接合材料は、Ａｇ系接合材料により形成されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、接合体及びその製造方法に関し、より詳細には、セラミックスと、銅により形成された金属部材と、の接合体及びその製造方法に関する。

従来、半導体モジュールの分野においては、セラミック基板に対しメタライズを行い、メタライズ層とベース金属とを無鉛はんだによって接合した接合体が知られている（特許文献１）。

また、近年、Ｐｂフリーはんだに関しては、３００〜４００℃程度の融点を有するはんだ合金として、Ｚｎを主成分とするＰｂフリーはんだが知られている（特許文献２、３）
特許文献２には、Ｚｎを主成分とするＰｂフリーはんだ合金として、Ｚｎ−Ａｌ系合金にＮｉを含有させたはんだ合金が記載されている。

また、特許文献３には、Ｚｎを主成分とするＰｂフリーはんだ合金として、Ｚｎ−Ａｌ系合金にＧｅを含有させたはんだ合金が記載されている。

特開２０１３−１５１３９６号公報 特開２０１３−８６１０２号公報 特開２０１３−８１９９５号公報

セラミックスと、銅により形成された金属部材と、の接合体では、接合強度及び接合信頼性の更なる向上が求められている。

本発明の目的は、接合強度の向上及び接合信頼性の向上を図ることが可能な接合体及びその製造方法を提供することにある。

本発明の接合体は、セラミックスと、銅により形成された金属部材と、前記セラミックスに形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層と前記金属部材との間に形成された接合部と、を備える。前記接合部は、前記メタライズ層の厚さ方向への投影領域内にある第１接合部と、前記第１接合部及び前記メタライズ層を囲む第２接合部と、を備える。前記第１接合部は、第１接合材料により形成されている。前記第２接合部は、前記第１接合材料よりも熱膨張率の低い第２接合材料により形成されている。前記第２接合材料は、Ａｇ系接合材料により形成されている。

この接合体において、前記第１接合材料は、Ｚｎ−Ａｌ系はんだであるのが好ましい。

この接合体において、前記Ａｇ系接合材料は、焼結銀であるのが好ましい。

この接合体において、前記第１接合部、前記金属部材及び前記メタライズ層と、前記第２接合部と、の間に、めっき層が介在しており、前記めっき層は、Ｎｉ層とＡｇ層との積層構造を有し、前記Ａｇ層が前記第２接合部側にあるのが好ましい。

この接合体において、前記金属部材は、前記第１接合部と接合されている領域を囲むように凹部が形成されており、前記第２接合部は、前記凹部を満たすように形成されているのが好ましい。

本発明の接合体の製造方法は、セラミックスに形成されたメタライズ層と銅により形成された金属部材とが接合された接合体の製造方法であって、前記セラミックスに形成された前記メタライズ層と前記金属部材とをＺｎ−Ａｌ系はんだで接合することによって前記メタライズ層の厚さ方向への投影領域内にある第１接合部を形成する。本発明の接合体の製造方法は、前記第１接合部を形成した後、前記第１接合部と前記メタライズ層とを囲むように、銀粒子と揮発性のバインダと溶剤とを含むペーストを塗布してから、前記ペーストを加熱して焼結銀を形成することにより、前記第１接合部と前記メタライズ層とを囲む第２接合部を形成する。

この接合体の製造方法において、前記ペーストをディスペンサにより塗布するのが好ましい。

本発明の接合体においては、接合強度の向上及び接合信頼性の向上を図ることが可能となる。

本発明の接合体の製造方法においては、接合体の、接合強度の向上及び接合信頼性の向上を図ることが可能となる。

図１は、実施形態１の接合体の概略断面図である。 図２は、実施形態１の接合体の製造方法の説明図である。 図３は、実施形態１の接合体の製造方法の説明図である。 図４は、比較例の接合体の概略断面図である。 図５は、実施形態２の接合体の概略断面図である。 図６は、実施形態２の接合体の製造方法の説明図である。 図７は、実施形態３の接合体の要部概略断面図である。 図８は、実施形態３の接合体の製造方法の説明図である。

（実施形態１）
以下では、本実施形態の接合体１ａについて図１に基づいて説明する。

接合体１ａは、セラミックス２と、銅により形成された金属部材３と、セラミックス２に形成されたメタライズ層４と、メタライズ層４と金属部材３との間に形成された接合部５と、を備える。接合部５は、メタライズ層４の厚さ方向への投影領域内にある第１接合部５１と、第１接合部５１及びメタライズ層４を囲む第２接合部５２と、を備える。第１接合部５１は、第１接合材料により形成されている。第２接合部５２は、第１接合材料よりも熱膨張率の低い第２接合材料により形成されている。第２接合材料は、Ａｇ系接合材料により形成されている。よって、接合体１ａは、接合強度の向上及び接合信頼性の向上を図ることが可能となる。

接合体１ａの各構成要素については、以下に詳細に説明する。

セラミックス２としては、平板状のアルミナセラミックスを採用している。セラミックス２は、外周形状が矩形（直角四辺形）状に形成されている。セラミックス２は、セラミック基板により構成されている。セラミック基板としては、例えば、アルミナの含有率が９２％のアルミナ基板を採用することができる。アルミナ基板におけるアルミナの含有率は、９２％に限らず、例えば、９６％でもよい。

セラミック基板は、例えば、半導体素子などの機能素子を搭載するための基板として利用することができる。半導体素子としては、例えば、パワートランジスタ、ＩＣ素子、半導体発光素子等を挙げることができる。パワートランジスタとしては、例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ等を挙げることができる。半導体発光素子としては、例えば、ＬＥＤチップ、ＬＤチップ等を挙げることができる。接合体１ａは、半導体素子を収納するパッケージの一部を構成する部材として、利用することができる。

金属部材３は、平板状に形成されている。金属部材３は、外周形状が矩形状に形成されている。金属部材３は、銅基板により構成されている。接合体１ａは、金属部材３の外形サイズが、セラミックス２の外形サイズよりも大きい。ここで、金属部材３及びセラミックス２それぞれの外形サイズは、平面視のサイズである。よって、金属部材３は、平面視においてセラミックス２よりも大きい。これにより、接合体１ａは、平面視において、金属部材３が、セラミックス２の外周線の内側に配置されている。

メタライズ層４は、セラミックス２の第１面２１に形成されている。メタライズ層４は、セラミックス２の第１面２１とは反対の第２面２２と、セラミックス２の側面２３と、には形成されていない。

メタライズ層４は、セラミックス２の第１面２１のを面状に覆うように形成されている。面状に覆うとは、セラミックス２の第１面２１の略全面を覆うことを意味する。略全面とは、セラミックス２の第１面２１の全面に限らず、第１面２１の全面よりもやや狭い領域でもよい。第１面２１の全面よりもやや狭い領域とは、例えば、第１面２１の全面の９０〜９９％の領域である。接合体１ａは、接合強度を向上させる観点から、メタライズ層４がセラミックス２の第１面２１の全面に形成されているのが、より好ましい。これにより、接合体１ａは、接合部５の一部により構成されるはんだフィレット５０をより安定して形成することが可能となり、接合強度の向上及び接合信頼性の向上を図ることが可能となる。

メタライズ層４は、例えば、セラミックス２の第１面２１側から順に、Ｍｏ層、Ｍｎ層及びＮｉ層が積層された金属層により構成することができる。メタライズ層４は、例えば、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等により形成することができる。ＰＶＤ法としては、例えば、スパッタ法、蒸着法等を採用することができる。また、メタライズ層４は、例えば、セラミックス２の表面側から順に、Ｍｏ−Ｍｎ層、Ｎｉ層が積層された金属層により構成してもよい。この場合、Ｍｏ−Ｍｎ層は、例えば、Ｍｏの微粉末とＭｎの微粉末と有機バインダとを混合して形成したメタライズ用ペーストを、セラミックス２の第１面２１に塗布してから、１３００〜１７００℃の温度で加熱処理することにより形成することができる。また、Ｎｉ層は、例えば、めっき法により形成することができる。

接合部５は、メタライズ層４が形成されたセラミックス２と金属部材３とを接合している。より詳細には、接合部５は、セラミックス２に形成されたメタライズ層４と金属部材３とを接合している。

接合部５は、メタライズ層４の側面４３側にある部位が、はんだフィレット５０を構成している。より詳細には、接合部５は、第２接合部５２のうち、平面視においてセラミックス２の外周線よりも外側にはみ出した部分が、はんだフィレット５０を構成している。

第１接合材料は、融点が３８１〜６００℃の範囲内にあるＰｂフリーはんだを採用するのが好ましい。Ｐｂフリーはんだとは、鉛を含まないはんだを意味する。金属部材３の材料である銅の融点は、１０８４．５℃程度である。よって、第１接合材料の融点は、金属部材３の材料の融点よりも低い。

第１接合材料としては、例えば、Ｚｎ−Ａｌ系はんだ、ＡｇＣｕＳｎ系はんだ等を採用することができる。Ｚｎ−Ａｌ系はんだは、Ｚｎを主成分とするＰｂフリーはんだ合金である。Ｚｎ−Ａｌはんだの共晶組成は、Ｚｎ：９５質量％、Ａｌ：５質量％である。Ｚｎの融点が４１９℃であるのに対し、Ｚｎ−Ａｌの共晶温度は、３８１℃である。Ｚｎ−Ａｌ系はんだにおけるＡｌの含有量は、例えば、１．０質量％以上９．０質量％以下であるのが好ましい。Ｚｎ−Ａｌ系はんだは、Ｚｎ及びＡｌの他に、例えば、Ｎｉ、Ｇｅ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｐ等の群から選択される少なくとも１種の金属を含有していてもよい。

第１接合材料は、ＡｇＣｕＳｎ系はんだよりも、Ｚｎ−Ａｌ系はんだであるのが、より好ましい。これにより、接合体１ａは、第１接合材料として、ＡｇＣｕＳｎ系はんだを採用する場合に比べて、第１接合部５１の靱性を向上させることが可能となり、接合強度を向上させることが可能となる。

第２接合材料のＡｇ系接合材料としては、例えば、樹脂中に銀の微粉末が分散された導電性樹脂、Ａｇ粒子同士が焼結により結合されたバルク状態の焼結銀（Ａｇ焼結材）等が挙げられる。焼結銀は、銀粒子同士が結合された構造体である。より詳細には、焼結銀は、銀粒子同士が焼結により結合された焼結体である。焼結銀は、多孔質銀である。

Ａｇ系接合材料は、焼結銀であるのが好ましい。これにより、接合体１ａは、Ａｇ系接合材料が導電性樹脂である場合に比べて、接合強度の向上及び耐熱性の向上を図ることが可能となる。更に、接合体１ａは、導電性を向上させることが可能となる。

以下では、接合体１ａの製造方法の一例について、図２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、３Ａ、３Ｂ及び３Ｃに基づいて説明する。

接合体１ａの製造方法では、まず、図２Ａに示すように、メタライズ層４が形成されたセラミックス２と、第１接合材料により形成されたはんだ箔５１１と、銅により形成された金属部材３と、を準備する。接合体１ａの製造方法では、第１接合部５１が形成されたときに、メタライズ層４の周部と金属部材３との間に隙間１０（図２Ｃ参照）が形成されるように、はんだ箔５１１の外形サイズをメタライズ層４の外形サイズよりも小さく設定してある。

接合体１ａの製造方法では、図２Ｂに示すように、メタライズ層４が形成されたセラミックス２とはんだ箔５１１と金属部材３とを重ねた積層体６を加熱炉７（以下、「第１加熱炉７」ともいう。）内に入れる。そして、接合体１ａの製造方法では、第１加熱炉７内にて還元雰囲気中で積層体６を第１所定温度に第１所定時間だけ加熱することによって、はんだ箔５１１を溶融させる。還元雰囲気は、例えば、フォーミングガス雰囲気であるのが好ましい。フォーミングガスは、例えば、水素ガスと窒素ガスとを混合したガスである。接合体１ａの製造方法では、第１加熱炉７内において還元雰囲気中で積層体６を加熱することにより、Ｃｕ、Ｚｎ、Ａｌ等の酸化を抑制することが可能となる。第１所定温度は、はんだ箔５１１の材料である第１接合材料に応じて適宜設定すればよい。例えば、第１接合材料がＺｎ−Ａｌ系はんだの場合、第１所定温度は、例えば、３８１〜４５０℃の範囲で設定するのが好ましく、３９０〜４４０℃の範囲で設定するのが、より好ましい。また、第１接合材料がＡｇＣｕＳｎ系はんだの場合、第１所定温度は、例えば、４８０〜６００℃の範囲で設定するのが好ましい。

接合体１ａの製造方法では、積層体６を第１加熱炉７内で所定時間だけ加熱した後、積層体６を冷却する。接合体１ａの製造方法では、積層体６を常温まで冷却するのが好ましい。接合体１ａの製造方法では、溶融していたＺｎ−Ａｌ系はんだが、積層体６を冷却する過程の途中で固化することにより、第１接合部５１が形成される。これにより、接合体１ａの製造方法では、図２Ｃに示すように、セラミックス２のメタライズ層４と金属部材３とが第１接合部５１を介して接合された異種材料接合体８が形成される。

接合体１ａの製造方法では、第１接合部５１を形成した後、図３Ａに示すように、第１接合部５１とメタライズ層４とを囲むように、銀粒子と揮発性のバインダと溶剤とを含むペースト５２１を塗布する。揮発性のバインダは、例えば、揮発性有機化合物である。ペースト５２１の塗布は、ディスペンサにより行うのが好ましい。これにより、接合体１ａの製造方法では、ペースト５２１の塗布量の管理が容易になり、また、メタライズ層４の周部と金属部材３との間の隙間１０（図２Ｃ参照）をペースト５２１により安定して埋めることが可能となる。ペースト５２１の塗布は、ディスペンサを用いる方法に限らず、例えば、印刷法、インクジェット法等により行うようにしてもよい。

接合体１ａの製造方法では、図３Ｂに示すように、ペースト５２１が塗布された異種材料接合体８を加熱炉９（以下、「第２加熱炉９」ともいう。）内に入れる。そして、接合体１ａの製造方法では、ペーストが塗布された異種材料接合体８を、第２加熱炉９内にて所定雰囲気中で第２所定温度に第２所定時間だけ加熱して焼結銀を形成することによって、バルク状態の焼結銀からなる第２接合部５２（図３Ｃ参照）を形成する。所定雰囲気は、例えば、不活性ガス雰囲気又は空気雰囲気が好ましい。不活性ガス雰囲気としては、例えば、Ｎ_２ガス雰囲気、Ａｒガス雰囲気、Ｎ_２ガスとＡｒガスとの混合ガス雰囲気等を採用することができる。第２所定温度は、第２接合材料に応じて適宜設定すればよい。第２所定温度は、例えば、１５０〜３００℃の範囲で設定するのが好ましい。

接合体１ａの製造方法では、第２接合部５２を形成することにより接合体１ａが完成するので、第２接合部５２の形成後に、接合体１ａを第２加熱炉９から取り出す。

以上説明した接合体１ａの製造方法は、セラミックス２に形成されたメタライズ層４と銅により形成された金属部材３とが接合された接合体１ａの製造方法である。この接合体１ａの製造方法では、セラミックス２に形成されたメタライズ層４と金属部材３とをＺｎ−Ａｌ系はんだで接合することによってメタライズ層４の厚さ方向への投影領域内にある第１接合部５１を形成する。その後、接合体１ａの製造方法では、第１接合部５１とメタライズ層４とを囲むように、銀粒子と揮発性のバインダと溶剤とを含むペースト５２１を塗布してから、ペースト５２１を加熱して焼結銀を形成することにより、第１接合部５１とメタライズ層４とを囲む第２接合部５２を形成する。よって、接合体１ａの製造方法では、接合体１ａの、接合強度の向上及び接合信頼性の向上を図ることが可能となる。

ここで、接合体１ａの製造方法では、ペースト５２１をディスペンサにより塗布するのが好ましい。これにより、接合体１ａの製造方法では、接合強度の向上及び接合信頼性の向上を図ることが可能となる。ディスペンサにより塗布されるペースト５２１の形状は、例えば、ペースト５２１の粘度等を調整することで制御することも可能である。粘度の値は、例えば、円錐平板型回転粘度計を用いて常温下で測定した値を採用することができる。ディスペンサを利用するディスペンサシステムは、ペースト５２１が所望の粘度になるように加熱するヒータを備えていてもよい。これにより、ディスペンサシステムは、塗布形状の再現性を向上させることが可能となり、はんだフィレット５０の形状の再現性を向上させることが可能となる。

図４は、比較例の接合体１ｒの概略断面図である。比較例の接合体１ｒは、接合部５を第１接合部５１のみで形成してある点のみが、実施形態１の接合体１ａと相違する。比較例の接合体１ｒでは、実施形態１の接合体１ａと同様の構成要素に同一の符号を付してある。

比較例の接合体１ｒは、第１接合部５１の材料として実施形態１の第１接合部５１と同じＺｎ−Ａｌ系はんだを採用している。比較例の接合体１ｒでは、製造時に、Ｚｎ−Ａｌ系はんだにより形成されたはんだ箔の外形サイズを大きくしても、Ｚｎ−Ａｌ系はんだのＺｎ及びＡｌが酸素と反応しやすいため、はんだ箔の一部が溶融されないことがあり、はんだフィレットを形成するのが難しい。

また、比較例の接合体１ｒは、Ｚｎ−Ａｌ系はんだの熱膨張率が、セラミックス２及び金属部材３それぞれの材料の熱膨張率に比べて大きいため、熱衝撃試験後を行った場合に、熱膨張率差に起因して接合部５の接合強度が低下してしまう。接合強度については、シェア強度により評価している。Ｚｎ、Ｃｕ及びアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）の熱膨張率は、それぞれ、３０．２×１０^−６／℃、１６．８×１０^−６及び７．１×１０^−６／℃である。

接合体１ａでは、接合部５が、第１接合材料により形成された第１接合部５１と第１接合材料よりも熱膨張率の低い第２接合材料により形成された第２接合部５２と、を備えるので、接合部５の膨張、収縮に起因した接合強度の低下を抑制することが可能となる。よって、接合体１ａでは、比較例の接合体１ｒに比べて、接合信頼性を向上させることが可能となる。接合体１ａ及び比較例の接合体１ｒの接合信頼性は、例えば、ＩＥＣ ６００６８−２−１４で規格化されている熱衝撃試験により評価することができる。また、本実施形態の接合体１ａでは、はんだフィレット５０が形成されているので、比較例の接合体１ｒに比べて、接合強度を向上させることが可能となる。

接合体１ａの製造方法では、ペースト５２１の代わりに、上述の導電性樹脂を塗布してから、硬化させることにより第２接合部５２を形成するようにしてもよい。

（実施形態２）
以下では、本実施形態の接合体１ｂについて、図５に基づいて説明する。接合体１ｂは、第１接合部５１、金属部材３及びメタライズ層４と、第２接合部５２と、の間に、めっき層３４が介在しており、めっき層３４が、Ｎｉ層とＡｇ層との積層構造を有し、Ａｇ層が第２接合部５２側にある点が、実施形態１の接合体１ａと相違する。なお、実施形態１の接合体１ａと同様の構成要素については、同様の符号を付して説明を省略する。

本実施形態の接合体１ｂの製造方法は、実施形態１の接合体１ａの製造方法と略同じであり、第１接合部５１を形成した後で、めっき層３４を電気めっきにより形成することにより、図６に示すような構造を得てから、第２接合部５２を形成する点が相違する。めっき層３４は、電気めっきにより形成している。よって、めっき層３４は、金属部材３の露出表面、第１接合部５１の側面５１ｂ、メタライズ層４の表面４１のうち第１接合部５１が形成されていない部位及びメタライズ層４の側面４３に形成されるが、不導体であるセラミックス２には形成されない。要するに、めっき層３４は、それぞれ導電体である金属部材３、第１接合部５１及びメタライズ層４に選択的に形成することができる。

本実施形態の接合体１ｂは、上述のめっき層３４を備えることにより、第２接合部５２による接合強度を向上させることが可能となる。

（実施形態３）
以下では、本実施形態の接合体１ｃについて、図７に基づいて説明する。接合体１ｃは、金属部材３の形状及び接合部５の形状が実施形態１の接合体１ａと相違する。なお、実施形態１の接合体１ａと同様の構成要素については、同様の符号を付して説明を省略する。

本実施形態の接合体１ｃにおける金属部材３は、第１接合部５と接合されている領域を囲むように凹部３５が形成されている。また、第２接合部５２は、凹部３５を満たすように形成されている。

本実施形態の接合体１ｃの製造方法は、実施形態１の接合体１ａの製造方法と略同じである。接合体１ｂの製造方法では、第１接合部５１を形成した後で、ペースト５２１を、凹部３５が埋め込まれ且つ金属部材３の表面を含む仮想面ＶＲよりも盛り上がるように塗布することにより、図８に示すような構造を得てから、第２接合部５２を形成する。

本実施形態の接合体１ｃは、金属部材３に、第１接合部５と接合されている領域を囲むように凹部３５が形成され、第２接合部５２が、凹部３５を満たすように形成されているので、はんだフィレット５０をより安定して形成することが可能となる。よって、本実施形態の接合体１ｃは、接合強度及び接合信頼性の更なる向上を図ることが可能となる。

以上、本発明の構成を、実施形態１〜３等に基づいて説明したが、本発明は、実施形態１〜３等の構成に限らず、例えば、実施形態１〜３等の部分的な構成を、適宜組み合わせてある構成であってもよい。本願発明は、その技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、構成に適宜変更を加えることが可能である。また、実施形態１〜３等に記載した材料、数値等は、好ましい例を挙げているだけであり、それに限定する主旨ではない。更に、本発明は、その技術的思想の範囲を逸脱しない範囲で、構成に適宜変更を加えることが可能である。また、実施形態１〜３等において説明した各図は、模式的な図であり、各構成要素の大きさや厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

セラミックス２の外周形状は、矩形状に限らず、例えば、円形状、楕円形状、矩形状以外の多角形状でもよい。セラミックス２は、平板状の形状に限らず、例えば、一面が開放された箱状の形状であり、底面が第１面２１を構成してもよい。

セラミックス２の第１面２１は、平面に限らず、例えば、粗面でもよいし、曲面でもよい。

セラミックス２は、アルミナセラミックスに限らず、例えば、窒化アルミニウムセラミックス等でもよい。

また、金属部材３の外周形状は、矩形状に限らず、例えば、円形状、楕円形状、矩形状以外の多角形状でもよい。

また、金属部材３は、銅基板に限らず、例えば、銅製のリードフレームでもよい。

１ａ、１ｂ、１ｃ 接合体
２ セラミックス
３ 金属部材
４ メタライズ層
５ 接合部
３４ めっき層
３５ 凹部
５１ 第１接合部
５２ 第２接合部
５２１ ペースト

Claims (7)

1. セラミックスと、銅により形成された金属部材と、前記セラミックスに形成されたメタライズ層と、前記メタライズ層と前記金属部材との間に形成された接合部と、を備え、
   前記接合部は、前記メタライズ層の厚さ方向への投影領域内にある第１接合部と、前記第１接合部及び前記メタライズ層を囲む第２接合部と、を備え、
   前記第１接合部は、第１接合材料により形成され、
   前記第２接合部は、前記第１接合材料よりも熱膨張率の低い第２接合材料により形成され、
   前記第２接合材料は、Ａｇ系接合材料により形成されている、
   ことを特徴とする接合体。
2. 前記第１接合材料は、Ｚｎ−Ａｌ系はんだである、
   ことを特徴とする請求項１記載の接合体。
3. 前記Ａｇ系接合材料は、焼結銀である、
   ことを特徴とする請求項１又は２記載の接合体。
4. 前記第１接合部、前記金属部材及び前記メタライズ層と、前記第２接合部と、の間に、めっき層が介在しており、
   前記めっき層は、Ｎｉ層とＡｇ層との積層構造を有し、前記Ａｇ層が前記第２接合部側にある、
   ことを特徴とする請求項１記載の接合体。
5. 前記金属部材は、前記第１接合部と接合されている領域を囲むように凹部が形成されており、
   前記第２接合部は、前記凹部を満たすように形成されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の接合体。
6. セラミックスに形成されたメタライズ層と銅により形成された金属部材とが接合された接合体の製造方法であって、
   前記セラミックスに形成された前記メタライズ層と前記金属部材とをＺｎ−Ａｌ系はんだで接合することによって前記メタライズ層の厚さ方向への投影領域内にある第１接合部を形成し、
   その後、前記第１接合部と前記メタライズ層とを囲むように、銀粒子と揮発性のバインダと溶剤とを含むペーストを塗布してから、前記ペーストを加熱して焼結銀を形成することにより、前記第１接合部と前記メタライズ層とを囲む第２接合部を形成する、
   ことを特徴とする接合体の製造方法。
7. 前記ペーストをディスペンサにより塗布する、
   ことを特徴とする請求項６記載の接合体の製造方法。

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