JP2016011444A - 蒸着装置 - Google Patents

Abstract

【課題】蒸着材料の使用効率を上げることが可能な蒸着装置の提供。【解決手段】被処理基板Ｗに膜を蒸着法により形成する蒸着装置４０であって、真空雰囲気の中で蒸着処理を行うための成膜室４１と、成膜室４１の中に配置された蒸着材料５０を入れるための坩堝４２と、蒸着材料５０に電子ビームを照射させて蒸着材料５０を昇華させるための電子銃４３とを備えており、坩堝４２の中に、断面形状が円錐形状、三角錐形状、角錐形状のいずれかの錐体形状である蒸着材料５０を備える蒸着装置４０。【選択図】図４

Description

本発明は、蒸着材料を蒸着させて膜を形成する蒸着装置に関する。

上記蒸着装置は、例えば、電気光学装置の一つである液晶装置の金属薄膜を蒸着により形成する際に用いられる。蒸着装置を用いた蒸着法は、特許文献１に記載のように、真空雰囲気の中で蒸着材料を坩堝に入れ、電子ビームを坩堝に照射して、坩堝に入れた蒸着材料を加熱蒸発させることにより、蒸発源の上部に配置した基板に薄膜を形成する。

特開２０１２−２３３２１１号公報

しかしながら、蒸着材料の中心部がよく溶けることから、図１０に示すように、蒸着材料１５０の下側に行くに従って中心部が深くなった、すり鉢状のような形状になる（下側の周囲が溶けずに残る）。これにより、蒸着材料１５０の使用効率が悪いという課題がある。

本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る蒸着装置は、基板上に膜を蒸着法により形成する蒸着装置であって、坩堝の中に、少なくとも錐体形状の一部を有した形状の蒸着材料を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、坩堝の中に少なくとも錐体形状の一部を有した形状の蒸着材料を配置するので、蒸着材料が溶け残りやすい坩堝の下側周囲の蒸着材料を予め少なくすることが可能となる。よって、蒸着材料に電子ビームを照射して蒸着材料を溶かした際、蒸着材料が溶け残る量を、例えば、円柱状の蒸着材料の場合と比較して、少なくすることができる。その結果、蒸着材料の使用効率を高めることができる。

［適用例２］上記適用例に係る蒸着装置において、前記蒸着材料は、前記坩堝の中に入れたとき、先が細くなる側が下側にくるように配置されることが好ましい。

本適用例によれば、先が細い側が下側になるように蒸着材料を配置するので、坩堝の下側に行くに従って周囲に蒸着材料が残る傾向にある場合でも、下側周囲の蒸着材料を予め少なくすることが可能となる。よって、効率よく蒸発させることが可能となり、坩堝の下側の周囲に溶け残る蒸着材料を少なくすることができる。その結果、材料の使用効率を高めることができる。

［適用例３］上記適用例に係る蒸着装置において、前記坩堝の形状は、前記蒸着材料が配置される凹部の溝の形状が、下側に行くに従って細くなることが好ましい。

本適用例によれば、坩堝の溝の形状が下側が細くなっているので、その中に先が細くなる側を下にした蒸着材料を配置した際、蒸着材料と坩堝との隙間を少なくすることができる。よって、安定しにくい蒸着材料を固定することが可能となり、蒸着材料を効率よく使用することができる。

［適用例４］上記適用例に係る蒸着装置において、前記蒸着材料の前記錐体形状は、円錐形状、三角錐形状、角錐形状のいずれかであることが好ましい。

本適用例によれば、上記形状の蒸着材料を用いるので、坩堝の中に残る蒸着材料を少なくすることが可能となり、材料の使用効率を向上させることができる。

液晶装置の構成を示す模式平面図。 図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。 液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図。 蒸着装置の構成を示す模式図。 坩堝及び蒸着材料の構成を示す模式図。 使用後の蒸着材料の状態を示す模式断面図。 プロジェクターの構成を示す概略図。 変形例の蒸着材料及び坩堝の構成を示す模式断面図。 変形例の蒸着材料及び坩堝の構成を示す模式断面図。 従来の蒸着材料及び坩堝の構成を示す模式断面図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

本実施形態では、電気光学装置の一例として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。

＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構成を、図１及び図２を参照しながら説明する。

図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向するように配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板、あるいはシリコン基板が用いられ、対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。

素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板１０，２０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。

シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。

素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。

対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光部材としての遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。

これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子３５に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。

図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う無機配向膜２８とが形成されている。

また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、無機配向膜２８を含むものである。

対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁膜３３と、絶縁膜３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う無機配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも絶縁膜３３、対向電極３１、無機配向膜３２を含むものである。

遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。

絶縁膜３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁膜３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。

対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁膜３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。

画素電極２７を覆う無機配向膜２８、および対向電極３１を覆う無機配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。無機配向膜２８，３２としては、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。

このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。

＜液晶装置を構成する画素の構成＞
図３は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。

図３に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。

図３に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光層３ｃが形成されている。下側遮光層３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光層３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光層３ｃ上には、酸化シリコン等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。

下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。

半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。

チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。

ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、酸化シリコン等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。

誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。

第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。

容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。

データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。

画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。

画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜２８が設けられている。無機配向膜２８の上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。

一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングした酸化シリコン）などからなる絶縁膜３３が設けられている。絶縁膜３３上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）などの無機材料を斜方蒸着した無機配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。

液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で無機配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。

＜蒸着装置の構成＞
図４は、蒸着装置の構成を示す模式図である。図５（ａ）は、坩堝及び蒸着材料を上方から見た模式平面図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す坩堝及び蒸着材料のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。図６は、使用後の蒸着材料の状態を示す模式断面図である。以下、蒸着装置の構成、坩堝及び蒸着材料の構成を、図４〜図６を参照しながら説明する。なお、蒸着処理が施される素子基板１０や対向基板２０を、被処理基板Ｗと称して説明する。

図４に示すように、蒸着装置４０は、被処理基板Ｗに膜を蒸着させる装置であり、真空雰囲気の中で蒸着処理を行うための成膜室４１と、成膜室４１の中に配置された蒸着材料５０を入れるための坩堝４２と、蒸着材料５０に電子ビームを照射させて（電子を放出させて）蒸着材料５０を昇華させるための電子銃４３と、を備えている。

成膜室４１内の上方には、被処理基板Ｗが配置されている。被処理基板Ｗは、図示しない保持手段によって、所望の角度に保持される。なお、保持手段は、被処理基板Ｗの表面に対して、例えば、斜方蒸着又は垂直蒸着をすることができるように、被処理基板Ｗの角度を可変することが可能になっている。そして被処理基板Ｗの表面には、蒸着材料５０が斜方蒸着されて無機配向膜２８，３２が形成される。

坩堝４２は、略中央が凹状にくり抜かれた形状になっている。この坩堝４２の中に、無機配向膜２８，３２なる蒸着材料５０が配置されている。蒸着材料５０は、例えば、無機配向膜２８，３２を形成する場合には、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）である。

蒸着装置４０には、図示しないが、減圧装置が設けられており、成膜室４１内の気体を外部に排出して、成膜室４１内の圧力を大気圧よりも低下させることができるように構成されている。減圧装置としては、例えば、コンプレッサー等を用いることができる。

図５に示すように、蒸着材料５０は、円錐形状（錐体形状）に形成されている。具体的には、蒸着材料５０の円錐の平面部５０ａが坩堝４２の底部４２ａに接触するように配置されている。蒸着材料５０の頂部５０ｂは、坩堝４２の縁４２ｂより上方に突出していてもよいし、凹部の中に納まるような大きさでもよい。

蒸着装置４０を用いた蒸着処理方法は、まず、坩堝４２の中に、酸化シリコンからなる蒸着材料５０を配置する。蒸着材料５０の形状は、図５（ｂ）に示すように、例えば、円錐形状である。次に、蒸着材料５０に電子銃４３を用いて電子ビームを照射する。これにより、蒸着材料５０が蒸発を始める。

蒸着材料５０への電子ビームの照射方法は、例えば、処理の開始から終了まで同じ領域に照射を繰り返す。蒸着材料５０が蒸発することにより、蒸着材料５０は、図６に示すように、略お椀型の形状に残っていく。図６に示す蒸着材料５０ｃは、蒸着処理が終了した状態の形状である。

これによれば、凹状の坩堝４２の中に円錐形状の蒸着材料５０を配置するので、蒸着材料５０が溶け残りやすい坩堝４２の下側周囲の蒸着材料５０を予め少なくすることが可能となる。よって、蒸着材料５０に電子ビームを照射して蒸着材料５０を溶かした際、蒸着材料５０が溶け残る量を、例えば、円柱状の蒸着材料の場合と比較して、少なくすることができる。その結果、蒸着材料５０の使用効率を高めることができる。

＜電子機器の構成＞
次に、上記液晶装置を備えたプロジェクターについて、図７を参照しながら説明する。図７は、プロジェクターの構成を示す概略図である。

図７に示すように、本実施形態のプロジェクター１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。

偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。

ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。

ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。

液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。

このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。

液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。

このようなプロジェクター１０００に、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い信頼性を得ることができる。

なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、プロジェクター１０００の他、ヘッドアップディスプレイ（ＨＵＤ）、ヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、電子ブック、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。

以上詳述したように、本実施形態の蒸着装置４０によれば、以下に示す効果が得られる。

（１）本実施形態の蒸着装置４０によれば、凹状の坩堝４２の中に円錐形状の蒸着材料５０を配置するので、蒸着材料５０が溶け残りやすい坩堝４２の下側周囲の蒸着材料を予め少なくすることが可能となる。よって、蒸着材料５０に電子ビームを照射して蒸着材料５０を溶かした際、蒸着材料５０が残る量を、例えば、円柱状の蒸着材料の場合と比較して、少なくすることができる。その結果、蒸着材料５０の使用効率を高めることができる。

なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。

（変形例１）
上記したように、坩堝４２の底部４２ａに円錐形状の平面部５０ａを接触させるように蒸着材料５０を配置することに限定されず、例えば、図８に示すように、円錐形状の平面部５０ａが上側になるように配置（円錐形状の頂部５０ｂが下側になるように配置）してもよい。これによれば、坩堝４２の下側に行くに従って蒸着材料５０が細くなっているので、蒸着材料５０を溶かしていった際に、溶け残る恐れがある部分を予め無くすことが可能となり、蒸着材料５０の残る量を少なくできる。これにより、材料の使用効率を高めることができる。

また、上記実施形態に記載の蒸着材料５０（円錐形状の頂部５０ｂが上側）は、処理の最初と最後のところで蒸着材料５０の溶け方が変わってしまう恐れがある。具体的には、最後になるほど、蒸着材料５０の面積が大きくなるので、熱伝導率が変わって溶け方に差が生じる恐れがある。しかしながら、変形例１に記載のように蒸着材料５０を配置することによって、蒸着材料５０を略一様に溶かすことができる。

なお、この場合、円錐形状の頂部５０ｂが鋭角ではなく、図８に示すように、平坦な部分５０ｄを有する台形状であることが好ましい。これによれば、坩堝４２の形状が円柱状にくり抜かれた凹状の場合でも、坩堝４２の中に蒸着材料５０を安定させて配置することができる。

（変形例２）
上記した変形例１に記載のように、坩堝４２の形状は、円柱状にくり抜かれた凹部の溝に形成されていることに限定されず、図９に示すように、配置する蒸着材料５０（平面部５０ａが上側）の形状に沿うように溝が形成されていてもよい。これによれば、逆円錐形状の蒸着材料５０を、安定して支持させることができる。また、坩堝５２の形状に沿って蒸着材料５０を無くならせることが可能となり、材料の使用効率を高めることができる。

（変形例３）
上記したように、蒸着材料５０の形状は、円錐形状であることに限定されず、細くなっていく形状であればよく、例えば、三角錐形状や四角錐形状などの角錐形状であってもよいし、山状の形状でもよい。

（変形例４）
上記したように、電気光学装置として液晶装置１００を適用することに限定されず、蒸着装置４０を用いて薄膜を形成するものであればよく、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー（ＥＰＤ）等に適用するようにしてもよい。

３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光層、ＣＮＴ１〜ＣＮＴ４…コンタクトホール、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…無機配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…絶縁膜、３５…外部接続用端子、４０…蒸着装置、４１…成膜室、４２…坩堝、４２ａ…底部、４２ｂ…縁、４３…電子銃、５０…蒸着材料、５０ａ…平面部、５０ｂ…頂部、５０ｃ…蒸着材料、５０ｄ…平坦な部分、５２…坩堝、１００…液晶装置、１０００…プロジェクター、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。

Claims (4)

1. 基板上に膜を蒸着法により形成する蒸着装置であって、
   坩堝の中に、少なくとも錐体形状の一部を有した形状の蒸着材料を備えることを特徴とする蒸着装置。
2. 請求項１に記載の蒸着装置であって、
   前記蒸着材料は、前記坩堝の中に入れたとき、先が細くなる側が下側にくるように配置されることを特徴とする蒸着装置。
3. 請求項２に記載の蒸着装置であって、
   前記坩堝の形状は、前記蒸着材料が配置される凹部の溝の形状が、下側に行くに従って細くなることを特徴とする蒸着装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の蒸着装置であって、
   前記蒸着材料の前記錐体形状は、円錐形状、三角錐形状、角錐形状のいずれかであることを特徴とする蒸着装置。

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