JP2016006384A - 制御装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】電力供給部が故障してしまうことを抑制することのできる制御装置を提供すること。【解決手段】この制御装置40は、第1ヒータ22を有し排気通路110の第1位置111aを通過する排出ガスの状態を検知する第1センサ20から出力される検知信号を受信する第1受信部411と、第2ヒータ32を有し第1位置111aとは異なる第2位置112aを通過する排出ガスの状態を検知する第2センサ30から出力される検知信号を受信する第2受信部412と、第1ヒータ22及び第2ヒータ32に電力を供給する電力供給部42と、第1ヒータ22への電力の供給を開始した第1時刻から遅延時間が経過した第2時刻に、第2ヒータ32への電力の供給を開始するよう、電力供給部42の制御を行う制御部43と、を備える。【選択図】図1

Description

本発明は、内燃機関に繋がれた排気通路を流れる排出ガスの状態を検知するための制御装置に関する。
例えば自動車用ガソリンエンジンのような内燃機関は、燃料の燃焼により生じた排出ガスを外部に排出する。排出ガスには窒素酸化物や一酸化炭素などの有害物質が含まれるため、当該有害物質が少なくなるよう、内燃機関には空燃比を最適化するための制御装置が一般に備えられている。このような制御装置は、排出ガスの状態をセンサによって検知しながら、内燃機関に対する燃料供給量及び空気供給量を調整することにより、空燃比を理論空燃比に近づけるものである(例えば、下記特許文献1を参照)。
上記のセンサとしては、A/FセンサやO2センサが用いられることが多い。これらは、排出ガスが流れる流路である排気通路に取り付けられて、排気通路内外の酸素濃度差に応じた電気信号を出力するセンサである。A/Fセンサ及びO2センサは、いずれも、固体電解質と、固体電解質を加熱して活性化するためのヒータとを備えた構成となっている。
A/Fセンサは、排気通路内の酸素濃度に応じて連続的に変化する電気信号を出力するものである。よって、空燃比の変化に応じた高精度の制御が可能となる。一方、O2センサは、理論空燃比における酸素濃度を境に階段状に変化する電気信号を出力するものである。
例えば、排気通路のうち排出ガスを浄化するための触媒コンバータよりも上流側となる位置にA/Fセンサを配置し、触媒コンバータよりも下流側となる位置にO2センサを配置した構成とすることで、空燃比の制御を高精度に行うことが可能となる。また、当該構成においては、触媒コンバータの性能劣化を検知することも可能となる。このように、排気通路には上記のセンサ(A/FセンサやO2センサ)が一つだけではなく複数配置されるのが一般的である。
特開2000−97902号公報
排出ガスの状態を検知する際、A/FセンサやO2センサは、ヒータの発熱により固体電解質の温度を上昇させて、固体電解質を活性化させた状態、つまり酸素イオンが固体電解質内を通過し得る状態を保つ必要がある。内燃機関の制御装置は、センサのヒータに電力を供給するための電力供給部を備えている。排気通路に複数のセンサが配置されている場合には、電力供給部から複数のヒータに電力が供給される。
制御装置の起動時(例えば内燃機関の始動時)には、電力供給部からそれぞれのヒータへの電力供給が開始されるのであるが、電力供給が開始された時点で電力供給部が故障する可能性が考えられる。電力供給部に流れる電流は、各ヒータに流れる電流の総和となるため、電力供給部の故障を回避する観点からは、各ヒータに流れうる電流を重ねあわせた電流が流れたとしても故障しないように電力供給部の許容電流値を設定する必要がある。しかしながら、従来の制御装置では電力供給部の故障対策が考慮されていなかった。
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、内燃機関に繋がれた排気通路を流れる排出ガスの状態を検知するための制御装置であって、起動時にセンサへの電力供給部が故障してしまうことを抑制することのできる制御装置を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る制御装置は、電力の供給を受けて発熱する第1ヒータ(22)を有し、内燃機関(100)に繋がれた排気通路(110)の第1位置(111a)を通過する排出ガスの状態を検知する第1センサ(20)から出力される検知信号を受信する第1受信部(411)と、電力の供給を受けて発熱する第2ヒータ(32)を有し、前記排気通路において前記第1位置とは異なる第2位置(112a)を通過する前記排出ガスの状態を検知する第2センサ(30)から出力される検知信号を受信する第2受信部(412)と、前記第1ヒータ及び前記第2ヒータに電力を供給する電力供給部(42)と、前記第1ヒータへの電力の供給を開始した第1時刻から遅延時間が経過した第2時刻に、前記第2ヒータへの電力の供給を開始するよう、前記電力供給部の制御を行う制御部(43)と、を備える。
電力供給部が故障することの具体的な対策としては、電力供給部の許容電流値が、全てのヒータに流れうる電流の総和よりも大きなものとなるように、電力供給部の構成部品を選定し、場合によっては保護回路を設けることが考えられる。しかしながら、このような対策は電力供給部の部品コストが大きなものとなってしまうために好ましくない。特に、センサ数が増えた場合に、確保すべき許容電流がその個数分だけ加算されてしまうため、電力供給部の部品コストが跳ね上がってしまう。また、センサ数が増えるたびに、その合算電流に耐えうるように電力供給部を再構成する必要があるため、汎用性のある制御装置を構成することができない。
そこで、本発明者は、制御装置を起動する際に電力供給部に流れる電流瞬間的なものであることに着目した。制御装置を起動すると、第1ヒータ及び第2ヒータに流れる電流は瞬間的に上昇し、その後経時的に低下し定常状態となるため、この経時変化を利用して本発明に想到したものである。このような知見に基づいてなされた本発明では、第1ヒータ及び第2ヒータに対する電力供給部からの電力供給が、同時ではなく異なるタイミングで開始される。第1ヒータに対する電力供給の開始時には、電力供給部から第1ヒータに大きな電流が出力されるのであるが、当該電流は遅延時間が経過する間に減少して行く。第2ヒータに対する電力供給は、当該遅延時間が経過した後、すなわち、電力供給部から出力される電流が減少した後に開始される。このため、電力供給の開始時において第1ヒータに流れる最大の電流(以下、「第1最大電流」とも称する)と、電力供給の開始時において第2ヒータに流れる最大の電流(以下、「第2最大電流」とも称する)とが、電力供給部から同時に出力されてしまうことが無い。
本発明によれば、電力供給部から出力される電流を、第1最大電流と第2最大電流との合計よりも常に小さくすることができる。このため、電力供給部の許容電流値を過剰に大きくしておかなくても、起動時に電力供給部が故障してしまうことを抑制することができる。
ところで、内燃機関の始動直後から排出ガスが排出されることに鑑みれば、第1ヒータ及び第2ヒータに対しては可能な限り早いタイミングで電力の供給を開始し、排出ガスの状態検知を早期に開始することが望ましい。しかしながら、遅延時間が短すぎる場合には、第1ヒータに流れる電流が第1最大電流から僅かしか低下していない状態で、第2ヒータに電流が供給され始めてしまう。その結果、電力供給部から出力される電流が許容電流値を超えてしまう可能性がある。
そこで、本発明においては、第2時刻において第1ヒータに流れる電流値と第2ヒータに流れる電流値との合算値が、電力供給部に支障をきたさない範囲の上限の電流値である上限値を超えないように遅延時間が定められることが好ましい。このような態様によれば、起動時に電力供給部が故障しない範囲で、遅延時間を可能な限り短くすることができ、排出ガスの状態検知を早期に開始することができる。
本発明によれば、内燃機関に繋がれた排気通路を流れる排出ガスの状態を検知するための制御装置であって、起動時にセンサへの電力供給部が故障してしまうことを抑制することのできる制御装置を提供することができる。
本発明の実施形態に係る制御装置が内燃機関及びそれに繋がる排気系に取り付けられた状態を模式的に示す図である。 図1に示された制御装置において、ヒータに印可される電圧の時間変化、及びヒータに供給される電流の時間変化を示すグラフである。 図1に示された制御装置において、ヒータに供給される電流の時間変化を示すグラフである。 図1に示された制御装置において、ヒータに印可される電圧の時間変化、及びヒータに供給される電流の時間変化を示すグラフである。 図1に示された制御装置の動作を示すフローチャートである。 ヒータの温度と、設定される遅延時間との関係を示す図である。 内燃機関を冷却する冷却水の温度と、設定される遅延時間との関係を示す図である。 従来の制御装置において、ヒータに印可される電圧の時間変化、及びヒータに供給される電流の時間変化を示すグラフである。
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。説明の理解を容易にするため、各図面において同一の構成要素に対しては可能な限り同一の符号を付して、重複する説明は省略する。
本発明の実施形態に係る制御装置40を含む制御システム10の制御対象である内燃機関100は、火花点火式の自動車用ガソリンエンジンである。図1に模式的に示されるように、内燃機関100には、吸気管101と排気管110とが接続されている。
吸気管101は、空気と燃料とが混ざり合った混合気を内燃機関100に供給するための配管である。吸気管101には、吸気管101内へ空気の供給量を調整するためのスロットル弁(不図示)と、吸気管101内への燃料の供給量調整するための燃料噴射弁(不図示)とが取り付けられている。スロットル弁の開度によって吸気管101内へ空気の供給量が変化し、燃料噴射弁の開弁時間によって吸気管101内への燃料の供給量が変化する。制御装置40は、燃料噴射弁から噴射される燃料の供給量を主に調整することによって、内燃機関100に供給される混合気の空燃比を理論空燃比に近づける制御を行う。
排気管110は、内燃機関100に繋げられた配管であって、内燃機関100における燃料の燃焼により生じた排出ガスを外部に排出するための排気通路である。排気管110は、上流側の配管である上流配管111と、下流側の配管である下流配管112と、触媒コンバータ120とを備えている。触媒コンバータ120は、上流配管111と下流配管112との間に配置されている。内燃機関100において生じた排出ガスは、上流配管111、触媒コンバータ120、及び下流配管112を順に流れた後、下流配管112の下流側端部に形成された開口である排出口114から外部に排出される。
触媒コンバータ120は、排出ガスに含まれる有害物質を酸化又は還元により浄化するものであって、触媒であるプラチナ、パラジウム、ロジウムを担持した触媒担体121を内部に有する。排出ガスに含まれる炭化水素、一酸化炭素、窒素酸化物は、これら触媒に触れることによりそれぞれ浄化された後、下流配管112を流れて排出口114から外部に排出される。
制御システム10は、第1センサ20と、第2センサ30と、水温センサ70と、気温センサ80と、制御装置40とを備えている。第1センサ20は、内燃機関100において生じた排出ガスの状態(酸素濃度)を検知するためのA/Fセンサであり、上流配管111の第1位置111aに備えられている。第1センサ20は一般的な構成のA/Fセンサであって、板状に形成された固体電解質21と、固体電解質21を加熱するためのセラミックヒータ22(第1ヒータ)とを有している。
固体電解質21の一方側の面には検出電極が配置されており、上流配管111内の排出ガスが多孔質体を通過して当該面に到達するよう構成されている。また、固体電解質21の他方側の面には基準電極が形成されており、基準酸素濃度の気体、すなわち大気が当該面に到達するよう構成されている。第1センサ20によって排出ガスの状態が検知される際には、固体電解質21は、セラミックヒータ22によって加熱されて高温となった状態、すなわち、酸素イオンを透過させ得るように活性化した状態に維持される。また、検出電極と基準電極との間には電圧が印可される。このような状態において、上流配管111の内部の酸素濃度と、外部(大気)の酸素濃度との差(濃度差)が生じると、当該濃度差に略比例した大きさの電流が検出電極と基準電極との間(固体電解質21)を流れる。つまり、上流配管111内の排出ガスの酸素濃度が高いほど大きな電流が流れる。第1センサ20は、この電流に基づいて電気信号を生成し、制御装置40に向けて検知信号として出力する。又は、電流そのものが検知信号として制御装置40に直接入力される構成であってもよい。制御装置40は、検知信号を受信すると、あらかじめ記憶されている電流値と空燃比との関係に基づいて空燃比を算出する。このように、第1センサ20は、上流配管111の内部の酸素濃度に応じて連続的に変化する電気信号を出力するセンサである。
第2センサ30は、触媒コンバータ120を通過した後の排出ガスの状態(酸素濃度)を検知するためのO2センサであり、下流配管112の第2位置112aに備えられている。第2センサ30は一般的な構成のO2センサであって、板状に形成された固体電解質31と、固体電解質31を加熱するためのセラミックヒータ32(第2ヒータ)とを有している。
固体電解質31の一方側の面には検出電極が配置されており、下流配管112内の排出ガスが多孔質体を通過して当該面に到達するよう構成されている。また、固体電解質31の他方側の面には基準電極が形成されており、基準酸素濃度の気体、すなわち大気が当該面に到達するよう構成されている。第2センサ30によって排出ガスの状態が検知される際には、固体電解質31は、セラミックヒータ32によって加熱されて高温となった状態、すなわち、酸素イオンを透過させ得るように活性化した状態に維持される。また、検出電極と基準電極との間には電圧が印可される。このような状態においては、下流配管112の内部の酸素濃度と、外部の酸素濃度との差(濃度差)に起因して、検出電極と基準電極との間(固体電解質31)を電流が流れるのであるが、濃度差が所定値を超えたところで当該起電流の大きさは急激に(階段状に)変化する。第2センサ30は、この電流に基づいて電気信号を生成し、制御装置40に向けて検知信号として出力する。又は、電流そのものが検知信号として制御装置40に直接入力される構成であってもよい。尚、上記の「所定値」とは、内燃機関100に供給される混合気の空燃比が理論空燃比であるときの、下流配管112内の酸素濃度の値である。制御装置40は、検知信号を受信すると、電流値とあらかじめ記憶されている閾値とを比較することにより、下流配管112の内部の酸素濃度が理論空燃比における酸素濃度よりも大きいか否かを判定する。このように、第2センサ30は、下流配管112の内部の酸素濃度が理論空燃比における酸素濃度よりも大きいか否かを示す電気信号を出力するセンサである。
内燃機関100にはラジエータ(不図示)が備えられている。当該ラジエータと内燃機関100との間には、内燃機関100を冷却するための冷却水が循環している。水温センサ70は、循環する冷却水の温度を検知するためのセンサである。
気温センサ80は、外気の温度を測定するためのセンサである。水温センサ70によって測定された冷却水の温度、及び気温センサ80によって測定された外気の温度は、次に説明する制御装置40にそれぞれ入力される。
制御装置40は、CPU、ROM、RAM、及び入出力インタフェースを備えたコンピュータシステムであり、所謂ECU(Engine Control Unit)と称されるものである。制御装置40は、第1センサ20から受信した電気信号(上流配管111内の酸素濃度)及び第2センサ30から受信した電気信号(下流配管112内の酸素濃度)に基づいて、スロットル弁の開度を調整するとともに、燃料噴射弁の開弁時間を調整することにより、空燃比を理論空燃比に近づける制御を行う。
制御装置40は、信号受信部41と、電力供給部42と、制御部43とを備えている。信号受信部41は、第1受信部411と、第2受信部412とを備えている。第1受信部411は、第1センサ20から出力された電気信号を受信するための入力ポートである。第2受信部412は、第2センサ30から出力された電気信号を受信するための入力ポートである。第1受信部411と第1センサ20とは信号線51で繋がっている。第1センサ20から出力された電気信号は信号線51を介して伝達され、第1受信部411に入力される。同様に、第2受信部412と第2センサ30とは信号線61で繋がっている。第2センサ30から出力された電気信号は信号線61を介して伝達され、第2受信部412に入力される。
電力供給部42は、第1センサ20のセラミックヒータ22、及び第2センサ30のセラミックヒータ32のそれぞれに対し、発熱に必要な電力を供給するための出力ポートである。電力供給部42とセラミックヒータ22とは電力線52で繋がっている。電力供給部42から出力された電力は、電力線52を介してセラミックヒータ22に供給される。同様に、電力供給部42とセラミックヒータ32とは電力線62で繋がっている。電力供給部42から出力された電力は、電力線62を介してセラミックヒータ32に供給される。尚、セラミックヒータ22に対する電力の供給と、セラミックヒータ32に対する電力の供給は、それぞれ独立に(異なるタイミングで)行うことが可能となっている。電力供給部42は、セラミックヒータ22とセラミックヒータ32とのそれぞれに独立して電力を供給することが可能なように構成されているが、その電力を生成する部分は共通化されているので、セラミックヒータ22に流れる電流とセラミックヒータ32に流れる電流とが重ね合わされた電流が流れる。
制御部43は、コンピュータシステムである制御装置40の中枢をなす部分であって、スロットル弁、燃料噴射弁、及び電力供給部42のそれぞれに対する制御を実行する部分である。セラミックヒータ22及びセラミックヒータ32のそれぞれに電圧が印可されるタイミングや印可電圧の大きさは、制御部43によって制御される。
図2を参照しながら、制御システム10の起動時における動作について説明する。図2の(A)は、横軸に時間を取り、縦軸にセラミックヒータ22及びセラミックヒータ32それぞれに印加される電圧を取った図である。図2の(B)は、横軸に時間を取り、縦軸にセラミックヒータ22及びセラミックヒータ32それぞれに流れる電流を取った図である。図2の(C)は、横軸に時間を取り、縦軸に電力供給部42に流れる電流を取った図である。
図2の(A)に示された線G10は、電力供給部42からの電力供給に伴いセラミックヒータ22に印可される電圧の時間変化を表している。同じく図2の(A)に示された線G20は、電力供給部42からの電力供給に伴いセラミックヒータ32に印可される電圧の時間変化を表している。
図2の(B)に示された線G30は、電力供給部42からの電力供給に伴いセラミックヒータ22を流れる電流(以下、「第1電流」とも称する)の時間変化を表している。同じく図2の(B)に示された線G40は、電力供給部42からの電力供給に伴いセラミックヒータ32を流れる電流(以下、「第2電流」とも称する)の時間変化を表している。図2の(C)に示された線G50は、セラミックヒータ22を流れる第1電流と、セラミックヒータ32を流れる第2電流とを合計した電流、すなわち、電力供給部42から出力される全体の電流(以下、「合計電流」とも称する)の時間変化を表している。
時刻t0において内燃機関100が始動されると、同時に制御システム10が起動されて、セラミックヒータ22への電力の供給が開始される。時刻t0から時刻t2までの間においては、比較的小さい電圧V10がセラミックヒータ22に印可される(線G10参照)。時刻t2以降は、電圧V10よりも大きな電圧V20がセラミックヒータ22に印可される。このように印可電圧を階段状に増加させるのは、急激な温度上昇に伴うセラミックヒータ22の破損を防止するためである。
一方、セラミックヒータ32への電力の供給は、時刻t0においては開始されず、時刻t0から遅延時間td1が経過した時刻t1において開始される。時刻t1は、上記の時刻t2よりも前の時刻である。このように、本実施形態においては、セラミックヒータ22への電力の供給と、セラミックヒータ32への電力の供給とが同時には開始されない。その理由については後に説明する。
時刻t1から時刻t3までの間においては、比較的小さい電圧V10がセラミックヒータ32に印可される(線G20参照)。時刻t3以降は、電圧V10よりも大きな電圧V20がセラミックヒータ32に印可される。このように印可電圧を階段状に増加させるのは、急激な温度上昇に伴うセラミックヒータ32の破損を防止するためである。尚、本実施形態においては、セラミックヒータ22に印可される電圧の値(V10,V20)と、セラミックヒータ32に印可される電圧の値(V10,V20)とが互いに等しくなっており、電圧を印可又は増加させるタイミングのみが互いに異なっている。しかしながら、それぞれのセラミックヒータに印可される電圧の値は、互いに異なっていてもよい。
内燃機関100が始動された直後においては、排気管110のうち触媒コンバータ120よりも下流側の部分(下流配管112)の内壁面には、水滴が付着していることある。従って、下流配管112に備えられたセラミックヒータ32にも水滴が付着している可能性がある。このように水滴が付着している状態においてセラミックヒータ32の温度を大きく上昇させると、セラミックヒータ32において大きな温度ムラ(場所による温度差)が生じてしまい、局所的な熱膨張によってセラミックヒータ32が割れてしまう恐れがある。
そこで、本実施形態においては、セラミックヒータ32に電圧V10が印可されている時間(時刻t1から時刻t3までの時間)が、セラミックヒータ22に電圧V20が印可されている時間(時刻t0から時刻t2までの時間)よりも長くなっている。比較的小さい電圧V10を長時間印可し、セラミックヒータ32を緩やかに温度上昇させながら水滴を蒸発させることで、上記のようにセラミックヒータ32が割れてしまうことを防止している。尚、セラミックヒータ32に電圧V20が印可され始めるタイミング(本実施形態では時刻t3)は、内燃機関100が始動された時刻t0から一定の時間(固定された長さの時間)が経過した時点としてもよいのであるが、内燃機関100を冷却する冷却水の温度が上昇して所定温度を超えたことが水温センサ70によって確認された時点としてもよい。
時刻t0においてセラミックヒータ22に電圧V10が印可され始めると、セラミックヒータ22には第1電流が流れ始める(線G30参照)。このとき、印可される電圧V10は一定なのであるが、第1電流は当初から一定とはならない。電圧V10が印可され始めた時刻t0において、セラミックヒータ22には大きな電流(過電流)が流れてしまう。その後は、セラミックヒータ22を流れる第1電流は次第に減少して行き、略一定の電流に近づいていく。電圧V10が印可された際にセラミックヒータ22に流れる過電流の最大値(時刻t0における第1電流)を、以下では最大電流I10と表記する。
セラミックヒータ22に電圧V20が印可され始めた時点(時刻t2)においても、上記のような過電流が再び生じる。電圧V20が印可され始めた時刻t2において、セラミックヒータ22には再び過電流が流れてしまう(線G30参照)。その後は、セラミックヒータ22を流れる第1電流は次第に減少して行き、略一定の電流に近づいていく。電圧V20が印可された際にセラミックヒータ22に流れる過電流の最大値(時刻t2における第1電流)を、以下では最大電流I20と表記する。
セラミックヒータ22の場合と同様に、セラミックヒータ32においても上記のような過電流が流れる。時刻t1においてセラミックヒータ32に電圧V10が印可され始めると、セラミックヒータ32には過電流が流れてしまう(線G40参照)。その後は、セラミックヒータ32を流れる第2電流は次第に減少して行き、略一定の電流に近づいていく。
セラミックヒータ32に電圧V20が印可され始めた時点(時刻t3)においても、上記のような過電流が再び生じる。線G40に示されるように、電圧V20が印可され始めた時刻t3において、セラミックヒータ32には再び過電流が流れてしまう。その後は、セラミックヒータ32を流れる第2電流は次第に減少して行き、略一定の電流に近づいていく。
尚、本実施形態では、セラミックヒータ22の電気抵抗値とセラミックヒータ32の電気抵抗値は互いに略等しくなっている。このため、電圧V10が印可された際にセラミックヒータ32に流れる過電流の最大値(時刻t1における第2電流)は、最大電流I10に略等しい。また、電圧V20が印可された際にセラミックヒータ32に流れる過電流の最大値(時刻t3における第2電流)は、最大電流I20に略等しい。
以上のように、セラミックヒータ22には、電圧を印可又は上昇させたそれぞれの時点(時刻t0,t2)において過電流が流れる。同様に、セラミックヒータ32には、電圧を印可又は上昇させたそれぞれの時点(時刻t1,t3)において過電流が流れる。このため、線G50に示されるように、電力供給部42から出力される合計電流も、過電流が流れるそれぞれの時刻t0,t1,t2,t3において大きくなっている。
従来は、一対のヒータに通電する場合に、このような遅延時間を意図的に設定することは行われていなかった。ここで、仮に遅延時間td1が0となってしまった場合、換言すればセラミックヒータ22への電力供給とセラミックヒータ32への電力供給とが時刻t0において同時に開始されてしまった場合に生じる現象について、図8を参照しながら説明する。図8の(A)は、横軸に時間を取り、縦軸にセラミックヒータ22及びセラミックヒータ32それぞれに印加される電圧を取った図である。図8の(B)は、横軸に時間を取り、縦軸にセラミックヒータ22及びセラミックヒータ32それぞれに流れる電流を取った図である。図8の(C)は、横軸に時間を取り、縦軸に電力供給部42に流れる電流を取った図である。
図8の(A)に示された線G12は、セラミックヒータ22に印可される電圧の時間変化を表しており、図2の線G10と同一の遷移をたどる線である。同じく図8の(A)に示された線G22は、セラミックヒータ32に印可される電圧の時間変化を表しており、図2の線G20を遅延時間td1の分だけ左にシフトさせたグラフとなっている。図8において、セラミックヒータ32に印可される電圧が電圧V10から電圧V20に変化する時刻t31は、図2の時刻t3よりも遅延時間td1だけ早い時刻となっている。
図8の(B)に示された線G32は、セラミックヒータ22に流れる第1電流の時間変化を表しており、図2の線G30と同一の遷移をたどる線である。同じく図8の(B)に示された線G42は、セラミックヒータ32に流れる第2電流の時間変化を表しており、図2の線G40を遅延時間td1の分だけ左にシフトさせたグラフとなっている。図8の(C)に示された線G52は、セラミックヒータ22に流れる第1電流と、セラミックヒータ32に流れる第2電流とを合計した合計電流の時間変化を表している。
従来の制御においては、各セラミックヒータ22、23に対する電力の供給開始タイミングについての特段の考慮がなされていなかった。このため、図8に示されるように、セラミックヒータ22への電力供給とセラミックヒータ32への電力供給とが、時刻t0において同時に開始されることがあった。この場合、時刻t0において電力供給部42から出力される合計電流の大きさは、セラミックヒータ22に流れる過電流の最大値(最大電流I10)と、セラミックヒータ32に流れる過電流の最大値(最大電流I10)とを重ね合わせた大きさ、すなわち最大電流I10の2倍の大きさの電流が流れてしまう。その結果、電力供給部42の許容電流値ITHを超えた電流が時刻t0において出力されてしまい(線G52参照)、電力供給部42が故障してしまう可能性がある。尚、許容電流値ITHとは、電力供給部42が故障することなく外部に出力し得る電流の最大値(電力供給部に支障をきたさない範囲の上限の電流値)であり、電力供給部42を構成する各種電子部品及び保護回路の仕様によって定まる固有の値である。
電力供給部42の故障を回避する観点から、従来は許容電流値ITHを十分に大きく設定しておく必要があった。具体的には、セラミックヒータ22及びセラミックヒータ32の両方に対して同時に最大電流I10を供給し得る程度に、許容電流値ITHが大きな値となるよう、電力供給部42の構成部品(例えば保護回路)を選定する必要があった。しかしながら、このような対策は電力供給部42の部品コストが大きなものとなってしまうために好ましいものではなかった。
そこで、本実施形態では、許容電流値ITHを大きくするのではなく、セラミックヒータ22及びセラミックヒータ32のそれぞれに対する電力供給のタイミングを工夫することにより、電力供給部42が故障してしまうことを防止している。具体的には、図2に基づいて説明したように、セラミックヒータ22への電力の供給を開始した時刻t0(第1時刻)から遅延時間td1が経過した時刻t1(第2時刻)に、セラミックヒータ32への電力の供給を開始するよう、制御部43による電力供給部42の制御が行われる。このような電力供給のタイミングの工夫は、以下で説明するように渦電流が瞬間的なものであり、セラミックヒータ22及びセラミックヒータ32を流れる電流が、電流を流し始めた時点(時刻t0、t2)をピークにして次第に減少していくものであるところに着目してなされたものである。
図2の(B)に示されるように、時刻t0、すなわちセラミックヒータ22に対する電力供給の開始時には、セラミックヒータ22に流れる第1電流は最大電流I10となり、この時点をピークにしてその後は次第に減少して行く(線G30参照)。セラミックヒータ32に対する電力供給部42からの電力供給は、時刻t0から遅延時間td1が経過した後(時刻t1)、すなわち、電力供給部42からから出力される第1電流が減少して最大電流I10よりも小さくなった後に開始される。
このため、電力供給の開始時において、セラミックヒータ22に流れる第1電流と、セラミックヒータ32に流れる第2電流とが、同時にそれぞれの最大値(最大電流I10)となってしまうことが無い。その結果、電力供給部42から出力される合計電流の値は、時刻t0及び時刻t1のいずれにおいても最大電流I10の2倍よりも小さな値となり、許容電流値ITHを超えてしまうことが無い(線G50参照)。
このように、制御システム10では、電力供給部42から出力される電流が、セラミックヒータ22に流れる過電流の最大値(最大電流I10)と、セラミックヒータ32に流れる過電流の最大値(最大電流I10)とを重ね合わせた大きさよりも常に小さくなっている。このため、電力供給部42の許容電流値ITHを過剰に大きくすることなく、電力供給部42が過電流によって故障してしまうことが防止されている。
ところで、内燃機関100の始動直後から排出ガスが排出されることに鑑みれば、セラミックヒータ22及びセラミックヒータ32に対しては可能な限り早いタイミングで電力の供給が開始され、空燃比を最適化するための制御が早期に開始されることが望ましい。しかしながら、遅延時間td1が短すぎる場合には、セラミックヒータ22に流れる電流が最大電流I10から僅かしか低下していない状態で、セラミックヒータ32に電流が供給され始めてしまう。その結果、電力供給部42から出力される合計電流が許容電流値ITHを超えてしまう可能性がある。
そこで、本実施形態における遅延時間td1は、セラミックヒータ32に電流が供給され始めても合計電流が許容電流値ITHを超えてしまうことの無い範囲で、可能な限り短い時間として設定されている。
つまり、セラミックヒータ32に第2電流が供給され始めた時点(時刻t1)における合計電流は、遅延時間td1が経過する間に低下した第1電流(図2に示されるように、その大きさを電流I07とする)と、第2電流(最大電流I10)との合計となるのであるが、その大きさが許容電流値ITHを僅かに下回るよう、遅延時間td1の長さが設定されている。換言すれば、許容電流値ITHから第2電流の最大値(最大電流I10)を差し引いた電流値を上限電流と定義したときに、第1電流が最大電流I10から低下して上限電流を僅かに下回るまでに要する時間となるよう、遅延時間td1の長さが設定されている。
時刻t2における合計電流は、当該時刻における第1電流(最大電流I20)と、第2電流(図2に示されるように、その大きさを電流I08とする)との合計となる。また、時刻t3における合計電流は、当該時刻における第1電流(図2に示されるように、その大きさを電流I09とする)と、第2電流(最大電流I20)との合計となる。本実施形態においては、時刻t1においてのみならず、時刻t2及び時刻t3においても合計電流が許容電流値ITHを超えることの無い範囲で、遅延時間td1が可能な限り短くなるように設定されている。このため、電力供給部42が故障することを確実に防止しながらも、セラミックヒータ22及びセラミックヒータ32のそれぞれの温度を早期に上昇させて、空燃比を最適化するための制御を早期に開始することが可能となっている。
セラミックヒータ22及びセラミックヒータ32は、電流が通過して発熱する部分が金属(タングステン)により構成されている。このため、その電気抵抗は常に一定ではなく、温度が低いほど電気抵抗は小さくなり、温度が高いほど電気抵抗は大きくなる。セラミックヒータ22に流れる第1電流の大きさ、及びセラミックヒータ32に流れる第2電流の大きさも、それぞれセラミックヒータ22の温度及びセラミックヒータ32の温度によって変化する。
図3に示された線G30は、図2に示された線G30と同一の線であって、セラミックヒータ22に流れる第1電流の時間変化を表している。また、図3に示された線G31は、セラミックヒータ22を流れる第1電流の時間変化であって、線G30の場合よりもセラミックヒータ22が低温となっているときにおける、第1電流の時間変化を表している。セラミックヒータ22に印可される電圧は、図2の線G12で表される電圧と同一である。
線G31に表されているように、セラミックヒータ22が低温となっているときには、電気抵抗が小さくなることに伴い、セラミックヒータ22を流れる第1電流が大きくなっている。具体的には、時刻t0における第1電流は、最大電流I10よりも大きな電流(最大電流I10a)となっている。また、時刻t2における第1電流は、最大電流I20よりも大きな電流(最大電流I20a)となっている。更に、時刻t1における第1電流は、電流I07よりも大きな電流(電流I07a)となっている。
従って、セラミックヒータ22が低温となっているときにおいて、図2の線G20の場合と同様に時刻t1において第2電流の供給が開始された場合には、合計電流は、電流I07よりも大きな電流I07aに第2電流の最大値(最大電流I10)を加えたものとなる。その結果、低温時においては合計電流が許容電流値ITHを超えてしまう可能性がある。
更に、セラミックヒータ22が低温となっているときには、セラミックヒータ32も低温となっており、セラミックヒータ32にも電流が流れやすくなっている可能性が高い。従って、合計電流が許容電流値ITHを超えてしまう可能性は更に高くなる。
そこで、本実施形態では、遅延時間(td1)の長さが常に固定されているのではなく、電流供給の開始時におけるセラミックヒータ22の温度に基づいて、遅延時間が適切な長さとなるように設定される構成となっている。つまり、合計電流が許容電流値ITHを超えることの無い範囲で、遅延時間が可能な限り短くなるように、セラミックヒータ22の温度に基づいて遅延時間が設定される構成となっている。
低温時、すなわち外気温が低く、セラミックヒータ22及びセラミックヒータ32のいずれもの温度が(図2の場合よりも)低温となっているときにおいて、制御装置40により行われる制御を、図4を参照しながら説明する。図4の(A)は、横軸に時間を取り、縦軸にセラミックヒータ22及びセラミックヒータ32それぞれに印加される電圧を取った図である。図4の(B)は、横軸に時間を取り、縦軸にセラミックヒータ22及びセラミックヒータ32それぞれに流れる電流を取った図である。図4の(C)は、横軸に時間を取り、縦軸に電力供給部42に流れる電流を取った図である。
図4の(A)に示された線G11は、低温時においてセラミックヒータ22に印可される電圧の時間変化を表しており、図2の線G10と同一の遷移をたどる線である。同じく図4の(A)に示された線G21は、低温時においてセラミックヒータ32に印可される電圧の時間変化を表している。線G21の波形は、図2に示された線G20の波形と同一であるが、セラミックヒータ32に電圧が印可され始めるタイミングにおいて線G20と異なっている。
図4の(B)に示された線G31は、低温時においてセラミックヒータ22を流れる第1電流の時間変化を表しており、図3に示された線G31と同一の遷移をたどる線である。同じく図4の(B)に示された線G41は、低温時においてセラミックヒータ32を流れる第2電流の時間変化を表している。図4の(C)に示された線G50は、セラミックヒータ22を流れる第1電流と、セラミックヒータ32を流れる第2電流とを合計した合計電流の時間変化を表している。
図3を参照しながら説明したように、低温時においてはセラミックヒータ22に電流(第1電流)が流れやすくなっている。このため、線G20の場合と同一の時刻t1においてセラミックヒータ32への電力供給が開始されると、その時点で合計電流が許容電流値ITHを超えてしまう可能性がある。また、その後の時刻t2においてセラミックヒータ22には再び大きな電流が流れるため、時刻t2でも合計電流が許容電流値ITHを超えてしまう可能性がある。
そこで、線G41に表されているように、低温時には、時刻t2よりも後である時刻t10において、セラミックヒータ32への電力供給が開始される。このときに設定される遅延時間td2は、時刻t0から時刻t10までの時間であって、図2に示された遅延時間td1よりも長い時間となっている。
セラミックヒータ22の電気抵抗、及びセラミックヒータ32の電気抵抗は、いずれも図2の場合よりも低くなっており、それぞれのセラミックヒータに電流が流れやすくなっている。しかしながら、低温時においては、遅延時間td1よりも長い遅延時間td2が設定されている。第1電流が十分に低下してから第2電流の供給が開始されるため、合計電流が許容電流値ITHを超えてしまうことが無い。
また、遅延時間td2は、セラミックヒータ32に電流が供給され始めても合計電流が許容電流値ITHを超えてしまうことの無い範囲で、可能な限り短い時間として設定されている。
つまり、セラミックヒータ32に第2電流が供給され始めた時点(時刻t10)における合計電流は、遅延時間td2が経過する間に低下した第1電流(電流I09a)と、第2電流(最大電流I10a)との合計となるのであるが、その大きさが許容電流値ITHを僅かに下回るよう、遅延時間td2の長さが設定されている。換言すれば、許容電流値ITHから低温時における第2電流の最大値(最大電流I10a)を差し引いた電流値を上限電流と定義したときに、第1電流が最大電流I10aから低下して上限電流を僅かに下回るまでに要する時間となるよう、遅延時間td2の長さが設定されている。
また、時刻t30における合計電流は、当該時刻における第1電流(図4に示されるように、その大きさを電流I08aとする)と、第2電流(最大電流I20a)との合計となる。本実施形態においては、時刻t10においてのみならず、時刻t30においても合計電流が許容電流値ITHを超えることの無い範囲で、低温時における遅延時間td2が可能な限り短くなるように設定されている。このため、電力供給部42が故障することを防止しながらも、セラミックヒータ22及びセラミックヒータ32のそれぞれの温度を早期に上昇させて、空燃比を最適化するための制御を早期に開始することが可能となっている。
このように、本実施形態に係る制御システム10では、セラミックヒータ22の温度に応じて遅延時間td1又は遅延時間td2が設定される構成となっている。制御システム10の起動時に行われる処理の流れについて、図5を参照しながら説明する。
内燃機関100が始動されると同時に制御システム10が起動され、制御装置40による制御が開始される。当該制御の最初のステップS01では、セラミックヒータ22の温度に基づき、遅延時間の長さが設定される。具体的には、セラミックヒータ22の温度が所定の閾値よりも高ければ、短い遅延時間td1が設定される。セラミックヒータ22の温度が閾値以下であれば、長い遅延時間td2が設定される。セラミックヒータ22の温度は、セラミックヒータ22に直接またはその近傍に取り付けられた温度センサによって取得される。
続くステップS02では、制御部43により、電力供給部42からセラミックヒータ22への電力の供給が開始される。尚、直前のステップS01の処理は瞬時に行われるため、ステップS02が実行される時刻は、制御システム10が起動された時刻t0と同一の時刻となっている。
続くステップS03では、ステップS01が行われた時刻t0から、設定された遅延時間(td1又はtd2)が経過したか否かが判定される。遅延時間が経過していなければステップS03の処理が繰り返される。遅延時間が経過していれば、ステップS04に移行する。
続くステップS04では、制御部43により、電力供給部42からセラミックヒータ32への電力の供給が開始される。以上のような処理が制御システム10の起動時において実行されるため、セラミックヒータ22の温度に応じた適切な遅延時間(td1又はtd2)が設定される。
本実施形態においては、上記のように、セラミックヒータ22の温度は、セラミックヒータ22に直接またはその近傍に取り付けられた温度センサによって取得される。しかしながら、他の方法でセラミックヒータ22の温度が取得または推定されることとしてもよい。例えば、セラミックヒータ22に印可された電圧と、それに伴って流れる電流とから電気抵抗が算出され、当該電気抵抗に基づいてセラミックヒータ22の温度が推定されることとしてもよい。
算出された電気抵抗に基づいて温度が推定され、温度に基づいて遅延時間が設定される態様に替えて、算出された電気抵抗が所定の閾値よりも高いかどうかに基づいて、遅延時間td1又は遅延時間td2のいずれかが設定される態様としてもよい。具体的には、算出された電気抵抗が所定の閾値よりも高い場合には遅延時間td1が設定され、算出された電気抵抗が所定の閾値以下である場合には遅延時間td2が設定される態様としてもよい。
また、セラミックヒータ22の温度が、第1センサ20の素子抵抗値に基づいて推定される態様としてもよい。第1センサ20の素子抵抗値とは、固体電解質21を通過する電流が受ける電気抵抗である。このような素子抵抗値は、酸素濃度が既知の排出ガスが排気管110を通過する際における、固体電解質21への印可電圧と通過電流との関係から算出することができる。
算出された素子抵抗値に基づいて温度が推定され、温度に基づいて遅延時間が設定される態様に替えて、算出された素子抵抗値が所定の閾値よりも高いかどうかに基づいて、遅延時間td1又は遅延時間td2のいずれかが設定される態様としてもよい。具体的には、算出された素子抵抗値が所定の閾値よりも高い場合には遅延時間td1が設定され、算出された素子抵抗値が所定の閾値以下である場合には遅延時間td2が設定される態様としてもよい。
セラミックヒータ22の温度のみならず、セラミックヒータ32の温度をも取得または推定して、これらの温度に基づいて遅延時間が設定される態様としてもよい。例えば、セラミックヒータ22の温度及びセラミックヒータ32のいずれもが所定の閾値よりも低い場合には、遅延時間td2よりもさらに長い遅延時間が設定されることとしてもよい。また、セラミックヒータ22の温度及びセラミックヒータ32のいずれもが所定の閾値よりも高い場合には、遅延時間td1よりもさらに短い遅延時間が設定されることとしてもよい。このように、セラミックヒータ22の温度及びセラミックヒータ32の温度の両方に基づいて遅延時間が設定されれば、合計電流が許容電流値ITHを超えてしまうことをより確実に防止することができる。
セラミックヒータ22の場合と同様に、セラミックヒータ32の温度は直接取得されてもよく、セラミックヒータ32の電気抵抗に基づいて推定されてもよい。また、第2センサ30の素子抵抗値(固体電解質31を通過する電流が受ける電気抵抗)に基づいて推定されてもよい。
水温センサ70によって測定された冷却水の水温が所定の閾値よりも高いかどうかに基づいて、遅延時間td1又は遅延時間td2のいずれかが設定される態様としてもよい。具体的には、測定された冷却水の温度が所定の閾値よりも高い場合には遅延時間td1が設定され、測定された冷却水の温度が所定の閾値以下である場合には遅延時間td2が設定される態様としてもよい。
気温センサ80によって測定された外気の温度が所定の閾値よりも高いかどうかに基づいて、遅延時間td1又は遅延時間td2のいずれかが設定される態様としてもよい。具体的には、測定された外気の温度が所定の閾値よりも高い場合には遅延時間td1が設定され、測定された外気の温度が所定の閾値以下である場合には遅延時間td2が設定される態様としてもよい。
尚、本実施形態では、セラミックヒータ22の温度が所定の閾値よりも高いか否かに基づいて2つの遅延時間(td1又はtd2)のいずれかが設定される態様としたが、3つ以上の値(候補)の中から遅延時間が設定される態様としてもよい。図6に示されるように、セラミックヒータ22の温度(横軸)と、設定されるべき遅延時間(縦軸)との関係を制御装置40に記憶させておき、当該関係に基づいて、セラミックヒータ22の温度に対応した遅延時間が設定される態様としてもよい。図6に示された例では、セラミックヒータ22の温度が高いほど、短い遅延時間が設定される。セラミックヒータ22の温度と、設定されるべき遅延時間との関係は、予め行われた実験やシミュレーションによって定められており、制御装置40により記憶されている。
また、図7に示されるように、水温センサ70により測定された冷却水の水温(横軸)と、設定されるべき遅延時間(縦軸)との関係を制御装置40に記憶させておき、当該関係に基づいて、冷却水の水温に対応した遅延時間が設定される態様としてもよい。図7に示された例では、冷却水の水温が高いほど短い遅延時間が設定される。
これと同様に、気温センサ80により測定された外気の温度と、設定されるべき遅延時間との関係を制御装置40に記憶させておき、当該関係に基づいて、外気の温度に対応した遅延時間が設定される態様としてもよい。この場合にも、外気の温度が高いほど短い遅延時間が設定される。
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。例えば、前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示されたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
20:第1センサ
30:第2センサ
22:セラミックヒータ(第1ヒータ)
32:セラミックヒータ(第2ヒータ)
411:第1受信部
412:第2受信部
42:電力供給部
43:制御部
100:内燃機関
110:排気通路
111a:第1位置
112a:第2位置

Claims (7)

  1. 電力の供給を受けて発熱する第1ヒータ(22)を有し、内燃機関(100)に繋がれた排気通路(110)の第1位置(111a)を通過する排出ガスの状態を検知する第1センサ(20)から出力される検知信号を受信する第1受信部(411)と、
    電力の供給を受けて発熱する第2ヒータ(32)を有し、前記排気通路において前記第1位置とは異なる第2位置(112a)を通過する前記排出ガスの状態を検知する第2センサ(30)から出力される検知信号を受信する第2受信部(412)と、
    前記第1ヒータ及び前記第2ヒータに電力を供給する電力供給部(42)と、
    前記第1ヒータへの電力の供給を開始した第1時刻から遅延時間が経過した第2時刻に、前記第2ヒータへの電力の供給を開始するよう、前記電力供給部の制御を行う制御部(43)と、を備えた制御装置。
  2. 前記遅延時間は、前記第2時刻において前記第1ヒータに流れる電流値と前記第2ヒータに流れる電流値との合算値が、前記電力供給部に支障をきたさない範囲の上限の電流値である上限値を超えないように定められる、請求項1に記載の制御装置。
  3. 前記遅延時間は、前記第1ヒータの温度及び前記第2ヒータの温度のうち少なくともいずれか一方に基づいて設定される、請求項2に記載の制御装置。
  4. 前記遅延時間は、前記第1ヒータの電気抵抗値及び前記第2ヒータの電気抵抗値のうち少なくともいずれか一方に基づいて定められる、請求項2に記載の制御装置。
  5. 前記遅延時間は、前記第1センサの素子抵抗値及び前記第2センサの素子抵抗値のうち少なくともいずれか一方に基づいて定められる、請求項2に記載の制御装置。
  6. 前記遅延時間は、前記内燃機関を冷却する冷却水の温度に基づいて定められる、請求項2に記載の制御装置。
  7. 前記遅延時間は、外気の温度に基づいて定められる、請求項2に記載の制御装置。
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