JP2016005882A - ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】樹脂層表面の表面うねりが大きい場合であっても、性能劣化が抑制された電子デバイスを効率的に生産することができる、ガラス積層体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板と、支持基板上に配置され、支持基板側とは反対側の表面に凸部を有する樹脂層と、樹脂層の凸部を有する表面の形状に追従するように樹脂層上に配置されたガラス基板とを有し、支持基板と樹脂層の界面の剥離強度が樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度よりも大きいガラス積層体であって、ガラス基板が、樹脂層側とは反対側の表面で樹脂層の凸部の直上の位置に凸部を有し、ガラス基板の凸部を有する表面のろ波中心線うねりＸが、樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりＹよりも小さい、ガラス積層体。
【選択図】図３

Description

本発明は、ガラス積層体およびその製造方法、電子デバイスの製造方法に関する。

近年、太陽電池（ＰＶ）、液晶パネル（ＬＣＤ）、有機ＥＬパネル（ＯＬＥＤ）などのデバイス（電子機器）の薄型化、軽量化が進行しており、これらのデバイスに用いるガラス基板の薄板化が進行している。薄板化によりガラス基板の強度が不足すると、デバイスの製造工程において、ガラス基板のハンドリング性が低下する。

最近では、上記の課題に対応するため、ガラス基板と補強板とを積層したガラス積層体を用意し、ガラス積層体のガラス基板上に表示装置などの電子デバイス用部材を形成した後、ガラス基板から補強板を分離する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。補強板は、支持板と、該支持板上に固定されたシリコーン樹脂層とを有し、シリコーン樹脂層とガラス基板とが剥離可能に密着される。ガラス積層体のシリコーン樹脂層とガラス基板の界面が剥離され、ガラス基板から分離された補強板は、新たなガラス基板と積層され、ガラス積層体として再利用することが可能である。
また、特許文献２においては、ガラス積層体中のガラス基板を研磨して、ガラス基板表面を平坦面とする技術が開示されている。特に、樹脂層の露出表面における表面うねりを所定値以下として、その樹脂層上に配置されるガラス基板を研磨している。これは、特許文献２の図４で説明されるように、表面うねりが大きい樹脂層上にガラス基板を配置して研磨すると、ガラス基板を剥離した際に、樹脂層表面の表面うねりに追従して接していたガラス基板の樹脂層側の表面が平坦に戻る一方で、ガラス基板の研磨された表面に樹脂層表面のうねりが転写されてしまうため、このような転写を防ぐために樹脂層表面の表面うねりの大きさを調整している。上記のような、ガラス基板の電子デバイス用部材の形成面である研磨面に表面うねりの転写が起こると、電子デバイス用部材の位置ズレなどが生じて、電子デバイスの性能劣化（例えば、表示ムラの発生）につながり、結果として電子デバイスの生産性の低下を引き起こすおそれがある。

国際公開第２００７／０１８０２８号 特開２０１３−１４９７１３号

一方、特許文献２の方法では、平坦な表面を有する樹脂層を形成するために、樹脂層形成用組成物を支持基板上に塗布した後、一定時間静置する方法が採用されている。このような一定時間静置する方法を採用すると、ガラス積層体の生産効率が低下してしまい、必ずしも効率的な方法とは言えない。
そこで、樹脂層表面の表面うねりが大きい場合でも、得られる電子デバイスの性能の劣化が生じにくく、電子デバイスの生産性の低下を抑制できるようなガラス積層体が求められていた。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであって、樹脂層表面の表面うねりが大きい場合であっても、性能劣化が抑制された電子デバイスを効率的に生産することができる、ガラス積層体およびその製造方法を提供することを課題とする。
また、本発明は、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することも課題とする。

本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、ガラス基板の表面形状が制御されたガラス積層体を使用することにより、所望の効果が得られることを知見して、本発明を完成した。
すなわち、本発明の第１の態様は、支持基板と、支持基板上に配置され、支持基板側とは反対側の表面に凸部を有する樹脂層と、樹脂層の凸部を有する表面の形状に追従するように樹脂層上に配置されたガラス基板とを有し、支持基板と樹脂層の界面の剥離強度が樹脂層とガラス基板の界面の剥離強度よりも大きいガラス積層体であって、ガラス基板が、樹脂層側とは反対側の表面で樹脂層の凸部の直上の位置に凸部を有し、ガラス基板の凸部を有する表面のろ波中心線うねりＸが、樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりＹよりも小さい、ガラス積層体である。
第１の態様において、ガラス基板の厚みが０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
第１の態様において、樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりＹが０．０４０μｍ超１．００μｍ以下（より好ましくは、０．０４０μｍ超０．２０μｍ以下）であることが好ましい。
第１の態様において、ろ波中心線うねりＹとろ波中心線うねりＸとの差が０．００５〜０．８０μｍ（より好ましくは、０．００５〜０．０８０μｍ）であることが好ましい。
第１の態様において、樹脂層の厚さが２〜１００μｍであることが好ましい。
第１の態様において、樹脂層が、シリコーン樹脂層であることが好ましい。
第１の態様において、シリコーン樹脂層が、架橋性オルガノポリシロキサンを硬化させて得られる層であり、架橋性オルガノポリシロキサンが、アルケニル基を有するオルガノアルケニルポリシロキサンと、ケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンとを含むことが好ましい。
第１の態様において、支持基板がガラス板であることが好ましい。
本発明の第２の態様は、第１の態様のガラス積層体の製造方法であって、支持基板と、支持基板上に配置され、支持基板側とは反対側の表面に凸部を有する樹脂層と、樹脂層の凸部を有する表面の形状に追従するように樹脂層上に配置され、樹脂層側とは反対側の表面上で樹脂層上の凸部の直上の位置に凸部を有するガラス基板とを有する積層物品中のガラス基板表面を研磨する工程を有し、研磨を、ガラス基板表面に凸部を残しながら、ガラス基板の凸部を有する表面のろ波中心線うねりＸが、樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりＹよりも小さくなるように実施する、ガラス積層体の製造方法である。
本発明の第３の態様は、第１の態様のガラス積層体中のガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、電子デバイス用部材付き積層体から支持基板および樹脂層を含む樹脂層付き支持基板を除去し、ガラス基板と電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法である。

本発明によれば、樹脂層表面の表面うねりが大きい場合であっても、性能劣化が抑制された電子デバイスを効率的に生産することができる、ガラス積層体およびその製造方法を提供することができる。
また、本発明は、該ガラス積層体を用いた電子デバイスの製造方法を提供することも課できる。

従来技術における研磨工程からガラス基板を分離する分離工程までの模式的断面図である。 本発明における研磨工程からガラス基板を分離する分離工程までの模式的断面図である。 本発明のガラス積層体の一実施形態の模式的断面図である。 本発明のガラス積層体の製造方法の一実施形態を工程順に示す模式的断面図である。

以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、以下の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

本発明のガラス積層体の特徴点の一つとしては、ガラス基板の凸部を有する表面のろ波中心線うねりＸと、樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりＹとの関係が制御されている点が挙げられる。以下、図面を参照して、ガラス積層体の特徴について詳述する。
まず、図１は、従来技術で実施される研磨処理を施した場合の概略図である。まず、図１（Ａ）には、研磨処理が施される積層物品が記載されており、積層物品では支持基板１２と、樹脂層１４と、ガラス基板１６とが積層されている。樹脂層１４は、支持基板１２側とは反対側の表面１４ａに凸部３０を有する。また、ガラス基板１６の樹脂層１４側の第１表面１６ａは樹脂層１４の表面１４ａの形状に追従し、樹脂層１４側とは反対側の第２表面１６ｂには凸部３２を有する。凸部３２は、凸部３０の直上に位置する。このような積層物品中のガラス基板１６の第２表面１６ｂに対して従来技術と同様に研磨処理を施すと、図１（Ｂ）に示すように、ガラス基板１６の第２表面１６ｂから凸部３２が除去され、平坦面となる。次に、得られた積層物品からガラス基板１６を剥離すると、ガラス基板１６の第１表面１６ａが平坦に戻る力が作用して平坦化されると共に、第２表面１６ｂでは凸部３０が除去されたことに伴いガラス基板の厚みが薄くなっているため、凹部３４が形成されてしまう。このような凹部３４は、図１（Ｂ）でのガラス基板１６の第２表面１６ｂが平坦であるほど深くなり、第２表面１６ｂ上に配置される電子デバイス用部材の位置ズレを引き起こすおそれがある。
次に、図２を用いて本願発明の態様について詳述する。図２（Ａ）は、図１（Ａ）と同じく研磨処理が施される積層物品である。本願発明においては、図２（Ｂ）に示すように、凸部３２が残り、かつ、ガラス基板１６の第２表面１６ｂのろ波中心線うなりが樹脂層１４の表面１４ａのろ波中心線うなりよりも小さくなるように研磨処理を施して、所定のガラス積層体１００を得る。図２（Ｃ）に示すように、得られたガラス積層体１００からガラス基板１６を剥離すると、図１（Ｃ）と同様にガラス基板１６の第２表面１６ｂ上に凹部３４が形成される。しかしながら、図２（Ｃ）の態様においては、図１（Ｃ）と異なり、ガラス基板１６の第２表面１６ｂの現れる凹部３４の深さはあまり深くないため、第２表面１６ｂ上に配置される電子デバイス用部材の位置ズレが引き起こされにくい。

図３は、本発明に係るガラス積層体の一例の模式的断面図である。
図３に示すように、ガラス積層体１００は、支持基板１２とガラス基板１６とそれらの間に樹脂層１４が存在する積層体である。樹脂層１４は、その一方の面が支持基板１２の層に接すると共に、その他方の面がガラス基板１６の第１表面１６ａに接している。言い換えると、樹脂層１４はガラス基板１６の第１表面１６ａに接している。
支持基板１２の層および樹脂層１４からなる２層部分は、液晶パネルなどの電子デバイス用部材を製造する部材形成工程において、ガラス基板１６を補強する。なお、ガラス積層体１００の製造のためにあらかじめ製造される支持基板１２および樹脂層１４からなる２層部分を樹脂層付き支持基板１８という。

このガラス積層体１００は、後述する部材形成工程まで使用される。即ち、このガラス積層体１００は、そのガラス基板１６の第２表面１６ｂ表面上に液晶表示装置などの電子デバイス用部材が形成されるまで使用される。その後、電子デバイス用部材が形成されたガラス積層体は、樹脂層付き支持基板１８と部材付きガラス基板に分離され、樹脂層付き支持基板１８は電子デバイスを構成する部分とはならない。樹脂層付き支持基板１８には新たなガラス基板１６と積層され、新たなガラス積層体１００として再利用することができる。

支持基板１２と樹脂層１４の界面は剥離強度（ｘ）を有し、支持基板１２と樹脂層１４の界面に剥離強度（ｘ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、支持基板１２と樹脂層１４の界面が剥離する。樹脂層１４とガラス基板１６の界面は剥離強度（ｙ）を有し、樹脂層１４とガラス基板１６の界面に剥離強度（ｙ）を越える引き剥がし方向の応力が加えられると、樹脂層１４とガラス基板１６の界面が剥離する。
ガラス積層体１００（後述の電子デバイス用部材付き積層体も意味する）においては、上記剥離強度（ｘ）は上記剥離強度（ｙ）よりも高い。したがって、ガラス積層体１００に支持基板１２とガラス基板１６とを引き剥がす方向の応力が加えられると、本発明のガラス積層体１００は、樹脂層１４とガラス基板１６の界面で剥離してガラス基板１６と樹脂層付き支持基板１８に分離する。

剥離強度（ｘ）は、剥離強度（ｙ）と比較して、充分高いことが好ましい。剥離強度（ｘ）を高めることは、支持基板１２に対する樹脂層１４の付着力を高め、かつ、加熱処理後においてガラス基板１６に対してよりも相対的に高い付着力を維持できることを意味する。
支持基板１２に対する樹脂層１４の付着力を高めるためには、後述するように、所定の成分を含む硬化性樹脂組成物の層（塗膜）を支持基板１２上で硬化(架橋硬化)させて樹脂層１４を形成することが好ましい。硬化の際の接着力で、支持基板１２に対して高い結合力で結合した樹脂層１４を形成することができる。
一方、硬化後の硬化物のガラス基板１６に対する結合力は、上記硬化時に生じる結合力よりも低いのが通例である。したがって、支持基板１２上で硬化性樹脂組成物の層に硬化処理を施して樹脂層１４を形成し、その後、樹脂層１４の面にガラス基板１６を積層して、ガラス積層体１００を製造することが好ましい。

以下で、まず、ガラス積層体１００を構成する各層（支持基板１２、樹脂層１４、ガラス基板１６）について詳述し、その後、ガラス積層体および部材付きガラス基板の製造方法について詳述する。

＜支持基板＞
支持基板１２は、ガラス基板１６を支持して補強し、後述する部材形成工程（電子デバイス用部材を製造する工程）において電子デバイス用部材の製造の際にガラス基板１６の変形、傷付き、破損などを防止する。
支持基板１２としては、例えば、ガラス板、プラスチック板、ＳＵＳ板などの金属板などが用いられる。通常、部材形成工程が熱処理を伴うため、支持基板１２はガラス基板１６との線膨張係数の差の小さい材料で形成されることが好ましく、ガラス基板１６と同一材料で形成されることがより好ましく、支持基板１２はガラス板であることが好ましい。特に、支持基板１２は、ガラス基板１６と同じガラス材料からなるガラス板であることが好ましい。

支持基板１２の厚さは、ガラス基板１６よりも厚くてもよいし、薄くてもよい。好ましくは、ガラス基板１６の厚さ、樹脂層１４の厚さ、およびガラス積層体１００の厚さに基づいて、支持基板１２の厚さが選択される。例えば、現行の部材形成工程が厚さ０．５ｍｍの基板を処理するように設計されたものであって、ガラス基板１６の厚さと樹脂層１４の厚さとの和が０．１ｍｍの場合、支持基板１２の厚さを０．４ｍｍとする。支持基板１２の厚さは、通常の場合、０．２〜５．０ｍｍであることが好ましい。

支持基板１２がガラス板の場合、ガラス板の厚さは、扱いやすく、割れにくいなどの理由から、０．０８ｍｍ以上であることが好ましい。また、ガラス板の厚さは、電子デバイス用部材形成後に剥離する際に、割れずに適度に撓むような剛性が望まれる理由から、１．０ｍｍ以下であることが好ましい。

支持基板１２とガラス基板１６との２５〜３００℃における平均線膨張係数の差は、好ましくは５００×１０^-7／℃以下であり、より好ましくは３００×１０^-7／℃以下であり、さらに好ましくは２００×１０^-7／℃以下である。差が大き過ぎると、部材形成工程における加熱冷却時に、ガラス積層体１００が激しく反ったり、支持基板１２とガラス基板１６とが剥離したりする可能性がある。支持基板１２の材料がガラス基板１６の材料と同じ場合、このような問題が生じるのを抑制することができる。

＜樹脂層＞
樹脂層１４は、ガラス基板１６と支持基板１２とを分離する操作が行われるまでガラス基板１６の位置ずれを防止すると共に、ガラス基板１６などが分離操作によって破損するのを防止する。樹脂層１４のガラス基板１６と接する表面１４ａは、後述するガラス基板１６の第１表面１６ａに剥離可能に密着する。樹脂層１４はガラス基板１６の第１表面１６ａに弱い結合力で結合しており、その界面の剥離強度（ｙ）は、樹脂層１４と支持基板１２との間の界面の剥離強度（ｘ）よりも低い。
すなわち、ガラス基板１６と支持基板１２とを分離する際には、ガラス基板１６の第１表面１６ａと樹脂層１４との界面で剥離し、支持基板１２と樹脂層１４との界面では剥離し難い。このため、樹脂層１４はガラス基板１６の第１表面１６ａと密着するが、ガラス基板１６を容易に剥離することができる表面特性を有する。すなわち、樹脂層１４は、ガラス基板１６の第１表面１６ａに対してある程度の結合力で結合してガラス基板１６の位置ずれなどを防止していると同時に、ガラス基板１６を剥離する際には、ガラス基板１６を破壊することなく、容易に剥離できる程度の結合力で結合している。本発明では、この樹脂層１４表面の容易に剥離できる性質を剥離性という。一方、支持基板１２と樹脂層１４とは相対的に剥離しがたい結合力で結合している。
なお、樹脂層１４とガラス基板１６の界面の結合力は、ガラス積層体１００のガラス基板１６の第２表面１６ｂ上に電子デバイス用部材を形成する前後に変化してもよい（すなわち、剥離強度（ｘ）や剥離強度（ｙ）が変化してもよい）。しかし、電子デバイス用部材を形成した後であっても、剥離強度（ｙ）は、剥離強度（ｘ）よりも低い。

樹脂層１４とガラス基板１６の層とは、弱い接着力やファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。樹脂層１４を形成した後その表面にガラス基板１６を積層する場合、樹脂層１４の樹脂が接着力を示さないほど充分に架橋している場合はファンデルワールス力に起因する結合力で結合していると考えられる。しかし、樹脂層１４の樹脂は、ある程度の弱い接着力を有することが少なくない。たとえ接着性が極めて低い場合であっても、ガラス積層体１００製造後その積層体上に電子デバイス用部材を形成する際には、加熱操作などにより、樹脂層１４の樹脂はガラス基板１６に接着し、樹脂層１４とガラス基板１６との間の結合力は上昇すると考えられる。
場合により、積層前の樹脂層１４の表面や積層前のガラス基板１６の第１表面１６ａに両者間の結合力を弱める処理を行って積層することもできる。積層する面に非接着性処理などを行い、その後積層することにより、樹脂層１４とガラス基板１６の界面の結合力を弱め、剥離強度（ｙ）を低くすることができる。

また、樹脂層１４は、接着力や粘着力などの強い結合力で支持基板１２表面に結合されていることが好ましい。例えば、上述したように、硬化性樹脂組成物の層を支持基板１２表面で硬化させることにより、硬化物である樹脂を支持基板１２表面に接着して、高い結合力を得ることができる。また、支持基板１２表面と樹脂層１４との間に強い結合力を生じさせる処理（例えば、カップリング剤を使用した処理）を施して支持基板１２表面と樹脂層１４との間の結合力を高めることもできる。
樹脂層１４と支持基板１２の層とが高い結合力で結合していることは、両者の界面の剥離強度（ｘ）が高いことを意味する。

樹脂層１４の厚さは特に限定されないが、２〜１００μｍであることが好ましく、３〜５０μｍであることがより好ましく、７〜２０μｍであることがさらに好ましい。樹脂層１４の厚さがこのような範囲であると、樹脂層１４とガラス基板１６との間に気泡や異物が介在することがあっても、ガラス基板１６のゆがみ欠陥の発生を抑制することができる。また、樹脂層１４の厚さが厚すぎると、形成するのに時間および材料を要するため経済的ではなく、耐熱性が低下する場合がある。また、樹脂層１４の厚さが薄すぎると、樹脂層１４とガラス基板１６との密着性が低下する場合がある。
なお、樹脂層１４は２層以上からなっていてもよい。この場合「樹脂層１４の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

樹脂層１４のガラス基板１６側の表面１４ａは凸部３０を有する。凸部３０とは、樹脂層１４表面の平坦面から突出した部分である。図３においては、凸部３０は一つだけ記載するが、複数あってもよい。
樹脂層１４の表面１４ａ（凸部３０がある表面）のろ波中心線うねりＹ（Ｗ_CA）は、１．００μｍ以下であることが好ましく、０．５０μｍ以下であることがより好ましく、０．４０μｍ以下であることがさらに好ましく、０．３０μｍ以下であることがよりさらに好ましく、性能劣化が抑制された電子デバイスをより効率的に生産することができる点で、０．２０μｍ以下であることが特に好ましく、０．１５μｍ以下であることがより特に好ましく、０．１０μｍ以下であることが最も好ましい。ろ波中心線うねりＹが上記範囲（好ましくは、０．５０μｍ以下）であることにより、樹脂層１４上へのガラス基板１６の積層性がより優れる。樹脂層１４の表面１４ａのろ波中心線うねりＹ（Ｗ_CA）の下限は特に制限されないが、通常、０．０４０μｍ超の場合が多い。なお、本発明であれば、ろ波中心線うねりＹが０．１０μｍ超であっても、所望の効果が得られる。特に、電子デバイスとしてＬＣＤデバイスを作製する際には、ろ波中心線うねりＹは０．０４０μｍ超０．２０μｍ以下であることが好ましい。
ここで、「表面うねり」は、公知の触針式の表面形状測定装置を用いて、ＪＩＳ Ｂ−０６１０（１９８７）に記載のＷ_CA（ろ波中心線うねり）を測定した値である。なお、本発明において、ろ波うねり曲線のカットオフ値は０．８ｍｍとし、測定長さは４０ｍｍとする。
なお、凸部の幅は特に制限されないが、１０ｍｍ以下が好ましい。

樹脂層１４を構成する樹脂の種類は特に制限されないが、例えば、アクリル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリウレタン樹脂およびシリコーン樹脂が挙げられる。なかでも、耐熱性および剥離性の点から、シリコーン樹脂が好ましい。つまり、樹脂層１４がシリコーン樹脂層（シリコーン樹脂を含む層）であることが好ましい。
以下、シリコーン樹脂層の態様について詳述する。

シリコーン樹脂層に含まれるシリコーン樹脂は架橋性オルガノポリシロキサンの架橋物であり、シリコーン樹脂は３次元網目構造を形成していることが好ましい。
架橋性オルガノポリシロキサンの種類は特に制限されず、所定の架橋反応を介して、架橋硬化し、シリコーン樹脂を構成する架橋物（硬化物）となれば特にその構造は限定されず、所定の架橋性を有していればよい。架橋の形式は特に制限されず、架橋性オルガノポリシロキサン中に含まれる架橋性基の種類に応じて適宜公知の形式を採用できる。例えば、ヒドロシリル化反応、縮合反応、または、加熱処理、高エネルギー線処理若しくはラジカル重合開始剤によるラジカル反応などが挙げられる。
より具体的には、架橋性オルガノポリシロキサンがアルケニル基またはアルキニル基などのラジカル反応性基を有する場合、上記ラジカル反応を介したラジカル反応性基同士の反応により架橋して硬化物（架橋シリコーン樹脂）となる。
また、架橋性オルガノポリシロキサンがシラノール基を有する場合、シラノール基同士の縮合反応により架橋して硬化物となる。
さらに、架橋性オルガノポリシロキサンが、ケイ素原子に結合したアルケニル基（ビニル基など）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノアルケニルポリシロキサン）、および、ケイ素原子に結合した水素原子（ハイドロシリル基）を有するオルガノポリシロキサン（すなわち、オルガノハイドロジェンポリシロキサン）を含む場合、必要に応じてヒドロシリル化触媒（例えば、白金系触媒）の存在下、ヒドロシリル化反応により架橋して硬化物となる。

なかでも、シリコーン樹脂層の形成が容易で、剥離性により優れる点で、架橋性オルガノポリシロキサンが、両末端および／または側鎖にアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン（以後、適宜オルガノポリシロキサンＡとも称する）と、両末端および／または側鎖にハイドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン（以後、適宜オルガノポリシロキサンＢとも称する）とを含む態様が好ましい。
なお、アルケニル基としては特に限定されないが、例えば、ビニル基（エテニル基）、アリル基（２−プロペニル基）、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキシニル基などが挙げられ、なかでも耐熱性に優れる点から、ビニル基が好ましい。
また、オルガノポリシロキサンＡに含まれるアルケニル基以外の基、および、オルガノポリシロキサンＢに含まれるハイドロシリル基以外の基としては、アルキル基（特に、炭素数４以下のアルキル基）が挙げられる。

オルガノポリシロキサンＡ中におけるアルケニル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＡが直鎖状の場合、アルケニル基は下記に示すＭ単位およびＤ単位のいずれかに存在してもよく、Ｍ単位とＤ単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともＭ単位に存在していることが好ましく、２個のＭ単位の両方に存在していることが好ましい。
なお、Ｍ単位およびＤ単位とは、オルガノポリシロキサンの基本構成単位の例であり、Ｍ単位とは有機基が３つ結合した１官能性のシロキサン単位、Ｄ単位とは有機基が２つ結合した２官能性のシロキサン単位である。シロキサン単位において、シロキサン結合は２個のケイ素原子が１個の酸素原子を介して結合した結合であることより、シロキサン結合におけるケイ素原子１個当たりの酸素原子は１／２個とみなし、式中Ｏ_1/2と表現される。

オルガノポリシロキサンＡ中におけるアルケニル基の数は特に制限されないが、１分子中に１〜３個が好ましく、２個がより好ましい。
オルガノポリシロキサンＢ中におけるハイドロシリル基の位置は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＡが直鎖状の場合、ハイドロシリル基はＭ単位およびＤ単位のいずれかに存在してもよく、Ｍ単位とＤ単位の両方に存在していてもよい。硬化速度の点から、少なくともＤ単位に存在していることが好ましい。
オルガノポリシロキサンＢ中におけるハイドロシリル基の数は特に制限されないが、１分子中に少なくとも３個有することが好ましく、３個がより好ましい。

オルガノポリシロキサンＡとオルガノポリシロキサンＢとの混合比率は特に制限されないが、オルガノポリシロキサンＢ中のケイ素原子に結合した水素原子と、オルガノポリシロキサンＡ中の全アルケニル基のモル比（水素原子／アルケニル基）が０．７〜１．０５となるように調整することが好ましい。なかでも、０．８〜１．０となるように混合比率を調整することが好ましい。

ヒドロシリル化触媒としては、白金族金属系触媒を用いることが好ましい。白金族金属系触媒としては、白金系、パラジウム系、ロジウム系などの触媒が挙げられ、特に白金系触媒として用いることが経済性、反応性の点から好ましい。白金族金属系触媒としては、公知のものを用いることができる。具体的には、白金微粉末、白金黒、塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、四塩化白金、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物、あるいは白金のオレフィン錯体、アルケニルシロキサン錯体、カルボニル錯体などがあげられる。
ヒドロシリル化触媒の使用量としては、オルガノポリシロキサンＡとオルガノポリシロキサンＢとの合計質量１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、１〜１０質量部がより好ましい。

架橋性オルガノポリシロキサンの数平均分子量は特に制限されないが、取扱い性に優れると共に、成膜性にも優れ、高温処理条件下におけるシリコーン樹脂の分解がより抑制される点で、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）測定による、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１,０００〜５，０００,０００が好ましく、２,０００〜３,０００,０００がより好ましい。
架橋性オルガノポリシロキサンの粘度は１０〜５０００ｍＰａ・ｓが好ましく、１５〜３０００ｍＰａ・ｓがより好ましい。

また、架橋性オルガノポリシロキサンの具体的に市販されている商品名または型番としては、芳香族基を有さない架橋性オルガノポリシロキサンとして、ＫＮＳ−３２０Ａ、ＫＳ−８４７（いずれも信越シリコーン社製）、ＴＰＲ６７００（モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製）、ビニルシリコーン「８５００」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６４」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせ、ビニルシリコーン「１１３６５」（荒川化学工業社製）とメチルハイドロジェンポリシロキサン「１２０３１」（荒川化学工業社製）との組み合わせなどが挙げられる。

樹脂層１４の形成方法は特に制限されず、公知の方法が採用される。後段においては、樹脂層１４がシリコーン樹脂層である態様に関して詳述する。

＜ガラス基板＞
ガラス基板１６は、第１表面１６ａが樹脂層１４と接し、樹脂層１４側とは反対側の第２表面１６ｂに電子デバイス用部材が設けられる。
ガラス基板１６は、樹脂層１４の凸部３０を有する表面１４ａの形状に追従するように、樹脂層１４上に配置されている。そのため、ガラス基板１６は、第２表面１６ｂ上で樹脂層１４の凸部３０の直上の位置に凸部３２を有する。図３においては、一つの凸部３２のみが記載されているが凸部３２の数は特に制限されず、複数あってもよい。なお、ガラス基板１６の凸部３２の位置は樹脂層１４の凸部３０上にあることから、樹脂層１４に複数の凸部３０がある場合、それぞれの凸部３０の直上にガラス基板１６の凸部３２が位置し、通常、ガラス基板１６の凸部３２の数は、樹脂層１４の凸部３０の数に対応している。

ガラス基板１６の凸部３２がある第２表面１６ｂのろ波中心線うねりＸの大きさは特に制限されないが、上述した樹脂層１４の凸部３０のある表面１４ａのろ波中心線うねりＹよりも小さい。ろ波中心線うねりＹとろ波中心線うねりＸとの差（ろ波中心線うねりＹ−ろ波中心線うねりＸ）は特に制限されないが、性能劣化が抑制された電子デバイスをより効率的に生産することができる点で、０．８０μｍ以下が好ましく、０．４０μｍ以下がより好ましく、０．２０μｍ以下がさらに好ましく、０．０８０μｍ以下が特に好ましく、０．０５０μｍ以下がより特に好ましく、０．０４０μｍ以下が最も好ましい。下限は、０．００５μｍ以上が好ましく、０．０１μｍ以上がより好ましい。特に、電子デバイスとしてＬＣＤデバイスを作製する際にはろ波中心線うねりＹとろ波中心線うねりＸとの差は０．００５μｍ以上０．０８０μｍ以下であることが好ましい。
ガラス基板１６の凸部３２がある第２表面１６ｂのろ波中心線うねりＸの大きさは、０．０１μｍ以上が好ましく、０．０２μｍ以上がより好ましく、０．２０μｍ以下が好ましく、０．１５μｍ以下がより好ましい。
ろ波中心線うねりの測定方法は上述の通りである。
なお、凸部３２の幅は特に制限されないが、１０ｍｍ以下が好ましい。

ガラス基板１６の種類は、一般的なものであってよく、例えば、ＬＣＤ、ＯＬＥＤといった表示装置用のガラス基板などが挙げられる。ガラス基板１６は耐薬品性、耐透湿性に優れ、且つ、熱収縮率が低い。熱収縮率の指標としては、ＪＩＳ Ｒ ３１０２（１９９５年改正）に規定されている線膨張係数が用いられる。

ガラス基板１６の線膨張係数が大きいと、部材形成工程は加熱処理を伴うことが多いので、様々な不都合が生じやすい。例えば、ガラス基板１６上にＴＦＴを形成する場合、加熱下でＴＦＴが形成されたガラス基板１６を冷却すると、ガラス基板１６の熱収縮によって、ＴＦＴの位置ずれが過大になるおそれがある。

ガラス基板１６は、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形して得られる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、スロットダウンドロー法、フルコール法、ラバース法などが用いられる。また、特に厚さが薄いガラス基板１６は、いったん板状に成形したガラスを成形可能温度に加熱し、延伸などの手段で引き伸ばして薄くする方法（リドロー法）で成形して得られる。

ガラス基板１６のガラスの種類は特に限定されないが、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０〜９０質量％のガラスが好ましい。

ガラス基板１６のガラスとしては、電子デバイス用部材の種類やその製造工程に適したガラスが採用される。例えば、液晶パネル用のガラス基板は、アルカリ金属成分の溶出が液晶に影響を与えやすいことから、アルカリ金属成分を実質的に含まないガラス（無アルカリガラス）からなる（ただし、通常アルカリ土類金属成分は含まれる）。このように、ガラス基板１６のガラスは、適用されるデバイスの種類およびその製造工程に基づいて適宜選択される。

ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の薄型化および／または軽量化の観点から、０．３ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．１５ｍｍ以下であり、さらに好ましくは０．１０ｍｍ以下である。０．３ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６に良好なフレキシブル性を与えることが可能である。０．１５ｍｍ以下の場合、ガラス基板１６をロール状に巻き取ることが可能である。
また、ガラス基板１６の厚さは、ガラス基板１６の製造が容易であること、ガラス基板１６の取り扱いが容易であることなどの理由から、０．０３ｍｍ以上であることが好ましい。

なお、ガラス基板１６は２層以上からなっていてもよく、この場合、各々の層を形成する材料は同種材料であってもよいし、異種材料であってもよい。また、この場合、「ガラス基板１６の厚さ」は全ての層の合計の厚さを意味するものとする。

＜ガラス積層体およびその製造方法＞
本発明のガラス積層体１００は、上述したように、支持基板１２とガラス基板１６とそれらの間に樹脂層１４が存在する積層体である。
本発明のガラス積層体１００の製造方法は、上述した構成を満たす態様のガラス積層体が得られれば特に制限されず、公知の方法を採用し得る。例えば、支持基板１２上に樹脂層１４が配置された樹脂層付き支持基板１８の樹脂層１４上にガラス基板１６を積層し、その後ガラス基板１６表面を研磨する方法が好ましい。

なかでも、剥離強度（ｘ）が剥離強度（ｙ）よりも高い積層体を得るために、樹脂層１４の形成方法としては、支持基板１２表面上で所定の硬化性樹脂組成物を架橋硬化させて樹脂層１４を形成する方法が好ましい。
特に、硬化性樹脂組成物として架橋性オルガノポリシロキサンを使用して、シリコーン樹脂層を得る態様が好ましい。すなわち、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基板の表面に形成し、支持基板表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層（架橋シリコーン樹脂）を形成し、次いで、シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂面にガラス基板を積層して、積層物品を製造し、さらに積層物品中のガラス基板表面を研磨する方法が挙げられる。
架橋性オルガノポリシロキサンを支持基板表面で硬化させると、硬化反応時の支持基板表面との相互作用により接着し、シリコーン樹脂と支持基板表面との剥離強度は高くなると考えられる。したがって、ガラス基板と支持基板とが同じ材質からなるものであっても、シリコーン樹脂層と両者間の剥離強度に差を設けることができる。
以下、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基板の表面に形成し、支持基板表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層を形成する工程を樹脂層形成工程、シリコーン樹脂層のシリコーン樹脂面にガラス基板を積層して積層物品とする工程を積層工程、ガラス基板の表面を研磨する工程を研磨工程といい、各工程の手順について詳述する。

（樹脂層形成工程）
樹脂層形成工程では、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を支持基板の表面に形成し、支持基板表面上で架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させてシリコーン樹脂層を形成する。
支持基板上に架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を形成するためには、架橋性オルガノポリシロキサンを溶媒に溶解させたコーティング用組成物を使用し、この組成物を支持基板上に塗布して溶液の層を形成し、次いで溶媒を除去して架橋性オルガノポリシロキサンを含む層とすることが好ましい。組成物中における架橋性オルガノポリシロキサンの濃度の調整などにより、架橋性オルガノポリシロキサンを含む層の厚さを制御することができる。
溶媒としては、作業環境下で架橋性オルガノポリシロキサンを容易に溶解でき、かつ、容易に揮発除去させることのできる溶媒であれば、特に限定されるものではない。具体的には、例えば、酢酸ブチル、ヘプタン、２−ヘプタノン、１−メトキシ−２−プロパノールアセテート、トルエン、キシレン、ＴＨＦ、クロロホルム等を例示することができる。

支持基板表面上に架橋性オルガノポリシロキサンを含む組成物を塗布する方法は特に限定されず、公知の方法を使用することができる。例えば、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、グラビアコート法などが挙げられる。
その後、必要に応じて、溶媒を除去するための乾燥処理が実施されてもよい。乾燥処理の方法は特に制限されないが、例えば、減圧条件下で溶媒を除去する方法や、架橋性オルガノポリシロキサンの硬化が進行しないような温度で加熱する方法などが挙げられる。

次いで、支持基板上の架橋性オルガノポリシロキサンを架橋させて、シリコーン樹脂層を形成する。より具体的には、図４（Ａ）に示すように、該工程では支持基板１２の少なくとも片面の表面上にシリコーン樹脂層１１４が形成される。
硬化（架橋）の方法は、上述したように、架橋性オルガノポリシロキサンの架橋形式に応じて適宜最適な方法が選択され、例えば、加熱処理や露光処理が挙げられる。なかでも、架橋性オルガノポリシロキサンがヒドロシリル化反応、縮合反応、ラジカル反応により架橋する場合、ガラス基板に対する密着性および耐熱性に優れるシリコーン樹脂が得られる点で、熱硬化によりシリコーン樹脂層を製造することが好ましい。
以下、熱硬化の態様について詳述する。

架橋性オルガノポリシロキサンを熱硬化させる温度条件は、シリコーン樹脂層１１４の耐熱性を向上し、ガラス基板と積層後の剥離強度（ｙ）を上記のように制御しうる範囲内で特に制限されないが、１５０〜３００℃が好ましく、１８０〜２５０℃がより好ましい。また、加熱時間は、通常、１０〜１２０分が好ましく、３０〜６０分がより好ましい。
なお、通常、架橋性オルガノポリシロキサンを硬化（特に、熱硬化）させる際には、シリコーン樹脂層１１４の表面１１４ａには上述した凸部３０が形成される。凸部３２のある表面１１４ａのろ波中心線うねりの大きさは、上述した樹脂層１４の表面１４ａのろ波中心線うねりの大きさと同義である。

また、架橋性オルガノポリシロキサンはプレキュア（予備硬化）を行った後、後硬化（本硬化）を行って硬化させてもよい。プレキュアを行うことにより、耐熱性により優れたシリコーン樹脂層１１４を得ることができる。プレキュアは溶媒の除去に引き続き行うことが好ましく、その場合、層から溶媒を除去して架橋性オルガノポリシロキサンを含む層を形成する工程とプレキュアを行う工程とは特に区別されない。

（積層工程）
積層工程は、上記の樹脂層形成工程で得られたシリコーン樹脂層のシリコーン樹脂面上にガラス基板を積層し、支持基板の層とシリコーン樹脂層とガラス基板の層とをこの順で備える積層物品を得る工程である。より具体的には、図４（Ｂ）に示すように、シリコーン樹脂層１１４の支持基板１２側とは反対側の表面１１４ａと、ガラス基板１６の第１表面１６ａとを積層面として、シリコーン樹脂層１１４とガラス基板１６とを積層し、積層物品４０を得る。なお、積層物品４０中のガラス基板１６には、後述する研磨処理が施される。

ガラス基板１６をシリコーン樹脂層１１４上に積層する方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができる。
例えば、常圧環境下でシリコーン樹脂層１１４の表面上にガラス基板１６を重ねる方法が挙げられる。なお、必要に応じて、シリコーン樹脂層１１４の表面上にガラス基板１６を重ねた後、ロールやプレスを用いてシリコーン樹脂層１１４にガラス基板１６を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、シリコーン樹脂層１１４とガラス基板１６の層との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。

真空ラミネート法や真空プレス法により圧着すると、気泡の混入の抑制や良好な密着の確保が行われるのでより好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱により気泡が成長することがなく、ガラス基板１６のゆがみ欠陥につながりにくいという利点もある。

ガラス基板１６を積層する際には、シリコーン樹脂層１１４に接触するガラス基板１６の表面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。クリーン度が高いほど、ガラス基板１６の平坦性は良好となるので好ましい。

なお、ガラス基板１６を積層した後、必要に応じて、プレアニール処理（加熱処理）を行ってもよい。該プレアニール処理を行うことにより、積層されたガラス基板１６のシリコーン樹脂層１１４に対する密着性が向上し、適切な剥離強度（ｙ）とすることができ、後述する部材形成工程の際に電子デバイス用部材の位置ずれなどが生じにくくなり、電子デバイスの生産性が向上する。
プレアニール処理の条件は使用されるシリコーン樹脂層１１４の種類に応じて適宜最適な条件が選択されるが、ガラス基板１６とシリコーン樹脂層１１４の間の剥離強度（ｙ）をより適切なものとする点から、３００℃以上（好ましくは、３００〜４００℃）で５分間以上（好ましく、５〜３０分間）加熱処理を行うことが好ましい。

上記処理を実施することにより、シリコーン樹脂層１１４の凸部３０を有する表面の形状に追従するように、シリコーン樹脂層１１４上にガラス基板１６が配置される。ガラス基板１６は、シリコーン樹脂層１１４側とは反対側の第２表面１６ｂで、シリコーン樹脂層１１４の凸部３０の真上の位置に凸部３２を有する。
なお、得られた積層物品４０中におけるガラス基板１６の凸部３２を有する第２表面１６ｂのろ波中心線うねりは、シリコーン樹脂層１１４の凸部３０を有する表面１１４ａのろ波中心線うねりと略同じ値を示す場合が多い。

（研磨工程）
研磨工程は、積層工程で得られた積層物品中のガラス基板の第２表面を研磨する工程である。なお、図４（Ｃ）に示すように、研磨は、ガラス基板１６の第２表面１６ｂの凸部３２を残しながら、ガラス基板１６の凸部３２を有する第２表面１６ｂのろ波中心線うねりＸが、シリコーン樹脂層１１４の凸部３０を有する表面１１４ａのろ波中心線うねりよりも小さくなるように実施する。つまり、研磨処理が施されて得られるガラス積層体１１０においては、ガラス基板１６の凸部３２を有する第２表面１６ｂのろ波中心線うねりＸが、シリコーン樹脂層１１４の凸部３０を有する表面１１４ａのろ波中心線うねりよりも小さくなる。なかでも、上述したガラス基板１６の凸部３２を有する第２表面１６ｂのろ波中心線うねりＹと、上述した樹脂層１４の凸部３０を有する表面１４ａのろ波中心線うねりＹとの差が生じるにように研磨を実施することが好ましい。

研磨の方法は特に制限されず、公知の方法を採用することができ、例えば、メカニカルな研磨（物理研磨）または化学的な研磨（化学研磨）を使用することができる。メカニカルな研磨としては、セラミック砥粒を吹き付けて研削するサンドブラスト方法、ラッピングシートや砥石を用いた研磨、砥粒と化学溶媒を併用した化学的機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）法等を用いることができる。
また、化学研磨（ウェットエッチングと呼ぶこともある）としては、薬液を使用してガラス基板の表面を研磨する方法を用いることができる。
なかでも、研磨の制御がしやすい点で、化学的機械研磨が好ましい。なお、化学的機械研磨で使用される砥粒としては、酸化セリウムなどの公知の砥粒を使用することができる。
上記研磨工程を経ることによって、上述したガラス積層体を得ることができる。

（ガラス積層体）
本発明のガラス積層体は、種々の用途に使用することができ、例えば、後述する表示装置用パネル、ＰＶ、薄膜２次電池、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品を製造する用途などが挙げられる。
ここで、表示装置用パネルとは、ＬＣＤ、ＯＬＥＤ、電子ペーパー、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネル、量子ドットＬＥＤパネル、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）シャッターパネル等が含まれる。

＜部材付きガラス基板およびその製造方法＞
本発明においては、上述した積層体を用いて、ガラス基板と電子デバイス用部材とを含む部材付きガラス基板（電子デバイス用部材付きガラス基板）が製造される。
該部材付きガラス基板の製造方法は特に限定されないが、電子デバイスの生産性に優れる点から、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造し、得られた電子デバイス用部材付き積層体から樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基板とに分離する方法が好ましい。
以下、上記ガラス積層体中のガラス基板上に電子デバイス用部材を形成して電子デバイス用部材付き積層体を製造する工程を部材形成工程、電子デバイス用部材付き積層体から樹脂層のガラス基板側界面を剥離面として部材付きガラス基板と樹脂層付き支持基板とに分離する工程を分離工程という。
以下に、各工程で使用される材料および手順について詳述する。

（部材形成工程）
部材形成工程は、上記積層工程において得られたガラス積層体中のガラス基板上（ガラス基板の樹脂層側とは反対側の表面上）に電子デバイス用部材を形成する工程である。
まず、本工程で使用される電子デバイス用部材について詳述し、その後工程の手順について詳述する。

（電子デバイス用部材（機能性素子））
電子デバイス用部材は、ガラス積層体中のガラス基板上に形成され電子デバイスの少なくとも一部を構成する部材である。より具体的には、電子デバイス用部材としては、表示装置用パネル、太陽電池、薄膜２次電池、または、表面に回路が形成された半導体ウェハ等の電子部品などに用いられる部材（例えば、表示装置用部材、太陽電池用部材、薄膜２次電池用部材、電子部品用回路）が挙げられる。

例えば、太陽電池用部材としては、シリコン型では、正極の酸化スズなど透明電極、ｐ層／ｉ層／ｎ層で表されるシリコン層、および負極の金属等が挙げられ、その他に、化合物型、色素増感型、量子ドット型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、薄膜２次電池用部材としては、リチウムイオン型では、正極および負極の金属または金属酸化物等の透明電極、電解質層のリチウム化合物、集電層の金属、封止層としての樹脂等が挙げられ、その他に、ニッケル水素型、ポリマー型、セラミックス電解質型などに対応する各種部材等を挙げることができる。
また、電子部品用回路としては、ＣＣＤやＣＭＯＳでは、導電部の金属、絶縁部の酸化ケイ素や窒化珪素等が挙げられ、その他に圧力センサ・加速度センサなど各種センサやリジッドプリント基板、フレキシブルプリント基板、リジッドフレキシブルプリント基板などに対応する各種部材等を挙げることができる。

（工程の手順）
上述した電子デバイス用部材付き積層体の製造方法は特に限定されず、電子デバイス用部材の構成部材の種類に応じて従来公知の方法にて、ガラス積層体のガラス基板の第２表面上に、電子デバイス用部材を形成する。
なお、電子デバイス用部材は、ガラス基板の第２表面に最終的に形成される部材の全部（以下、「全部材」という）ではなく、全部材の一部（以下、「部分部材」という）であってもよい。樹脂層から剥離された部分部材付きガラス基板を、その後の工程で全部材付きガラス基板（後述する電子デバイスに相当）とすることもできる。
また、樹脂層から剥離された、全部材付きガラス基板には、その剥離面（第１表面）に他の電子デバイス用部材が形成されてもよい。また、全部材付き積層体を組み立て、その後、全部材付き積層体から支持基板を剥離して、電子デバイスを製造することもできる。さらに、全部材付き積層体を２枚用いて組み立て、その後、全部材付き積層体から２枚の支持基板を剥離して、２枚のガラス基板を有する部材付きガラス基板を製造することもできる。

例えば、ＯＬＥＤを製造する場合を例にとると、ガラス積層体のガラス基板の樹脂層側とは反対側の表面上（ガラス基板の第２表面）に有機ＥＬ構造体を形成するために、透明電極を形成する、さらに透明電極を形成した面上にホール注入層・ホール輸送層・発光層・電子輸送層等を蒸着する、裏面電極を形成する、封止板を用いて封止する、等の各種の層形成や処理が行われる。これらの層形成や処理として、具体的には、例えば、成膜処理、蒸着処理、封止板の接着処理等が挙げられる。

また、例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤを製造する場合は、ガラス積層体のガラス基板の第２表面上に、レジスト液を用いて、ＣＶＤ法およびスパッター法など、一般的な成膜法により形成される金属膜および金属酸化膜等にパターン形成して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を形成するＴＦＴ形成工程と、別のガラス積層体のガラス基板の第２表面上に、レジスト液をパターン形成に用いてカラーフィルタ（ＣＦ）を形成するＣＦ形成工程と、ＴＦＴ形成工程で得られたＴＦＴ付き積層体とＣＦ形成工程で得られたＣＦ付き積層体とを積層する貼合わせ工程等の各種工程を有する。
ＴＦＴ形成工程やＣＦ形成工程では、周知のフォトリソグラフィ技術やエッチング技術等を用いて、ガラス基板の第２表面にＴＦＴやＣＦを形成する。この際、パターン形成用のコーティング液としてレジスト液が用いられる。
なお、ＴＦＴやＣＦを形成する前に、必要に応じて、ガラス基板の第２表面を洗浄してもよい。洗浄方法としては、周知のドライ洗浄やウェット洗浄を用いることができる。
貼合わせ工程では、ＴＦＴ付き積層体の薄膜トランジスタ形成面と、ＣＦ付き積層体のカラーフィルタ形成面とを対向させて、シール剤（例えば、セル形成用紫外線硬化型シール剤）を用いて貼り合わせる。その後、ＴＦＴ付き積層体とＣＦ付き積層体とで形成されたセル内に、液晶材を注入する。液晶材を注入する方法としては、例えば、減圧注入法、滴下注入法がある。

（分離工程）
分離工程は、部材形成工程で得られた電子デバイス用部材付き積層体から、樹脂層とガラス基板との界面を剥離面として、電子デバイス用部材が積層したガラス基板（部材付きガラス基板）と、樹脂層付き支持基板とに分離して、電子デバイス用部材およびガラス基板を含む部材付きガラス基板を得る工程である。
剥離時のガラス基板上の電子デバイス用部材が必要な全構成部材の形成の一部である場合には、分離後、残りの構成部材をガラス基板上に形成することもできる。

ガラス基板と支持基板とを剥離する方法は、特に限定されない。具体的には、例えば、ガラス基板と樹脂層との界面に鋭利な刃物状のものを差し込み、剥離のきっかけを与えた上で、水と圧縮空気との混合流体を吹き付けたりして剥離することができる。好ましくは、電子デバイス用部材付き積層体の支持基板が上側、電子デバイス用部材側が下側となるように定盤上に設置し、電子デバイス用部材側を定盤上に真空吸着し（両面に支持基板が積層されている場合は順次行う）、この状態でまず刃物をガラス基板−樹脂層界面に刃物を侵入させる。そして、その後に支持基板側を複数の真空吸着パッドで吸着し、刃物を差し込んだ箇所付近から順に真空吸着パッドを上昇させる。そうすると樹脂層とガラス基板との界面や樹脂層の凝集破壊面へ空気層が形成され、その空気層が界面や凝集破壊面の全面に広がり、支持基板を容易に剥離することができる。
また、支持基板は、新たなガラス基板と積層して、本発明のガラス積層体を製造することができる。

なお、電子デバイス用部材付き積層体から部材付きガラス基板を分離する際においては、イオナイザによる吹き付けや湿度を制御することにより、シリコーン樹脂層の欠片が部材付きガラス基板に静電吸着することをより抑制することができる。

上述した部材付きガラス基板の製造方法は、携帯電話やＰＤＡのようなモバイル端末に使用される小型の表示装置の製造に好適である。表示装置は主としてＬＣＤまたはＯＬＥＤであり、ＬＣＤとしては、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＦＥ型、ＴＦＴ型、ＭＩＭ型、ＩＰＳ型、ＶＡ型等を含む。基本的にパッシブ駆動型、アクティブ駆動型のいずれの表示装置の場合でも適用することができる。

上記方法で製造された部材付きガラス基板としては、ガラス基板と表示装置用部材を有する表示装置用パネル、ガラス基板と太陽電池用部材を有する太陽電池、ガラス基板と薄膜２次電池用部材を有する薄膜２次電池、ガラス基板と電子デバイス用部材を有する電子部品などが挙げられる。表示装置用パネルとしては、液晶パネル、有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル、フィールドエミッションパネルなどを含む。

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるものではない。

以下の実施例および比較例では、ガラス基板として、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、板厚０．２ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-7／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。また、支持基板としては、同じく無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、板厚０．５ｍｍ、線膨張係数３８×１０^-７／℃、旭硝子社製商品名「ＡＮ１００」）を使用した。

＜実施例１＞
初めに、支持基板の表面をアルカリ水溶液、純水の順に洗浄して清浄化した。
次に、後述する溶液Ｘをダイコーター（塗布速度：４０ｍｍ／ｓ、吐出量：８ｍｌ）にて支持基板の第１表面上に塗布して、未硬化の架橋性オルガノポリシロキサンを含む層（硬化性シリコーン組成物層）を支持基板上に設けて、硬化性層付き支持基板を得た（塗工量２０ｇ／ｍ²）。
その後、２２０℃にて２４分間大気中で加熱硬化して膜厚８μｍのシリコーン樹脂層を得た。
得られたシリコーン樹脂層の露出表面（支持基板側とは反対側の表面）には複数の凸部が確認された。また、シリコーン樹脂層の露出表面のろ波中心線うねり（ろ波中心線うねりＹ）は、０．１８５μｍであった。

（溶液Ｘ）
成分（Ａ）として直鎖状ビニルメチルポリシロキサン（「ＶＤＴ−１２７」、２５℃における粘度７００−８００ｃＰ（センチポアズ）：アヅマックス製、オルガノポリシロキサン１ｍｏｌにおけるビニル基のｍｏｌ％：０．３２５）と、成分（Ｂ）として直鎖状メチルヒドロポリシロキサン（「ＨＭＳ−３０１」、２５℃における粘度２５−３５ｃＰ（センチポアズ）：アヅマックス製、１分子内におけるケイ素原子に結合した水素原子の数：８個）とを、全ビニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比（水素原子／ビニル基）が０．９となるように混合し、このシロキサン混合物１００質量部に対して、成分（Ｃ）として下記式（１）で示されるアセチレン系不飽和基を有するケイ素化合物（沸点：１２０℃）１質量部を混合した。
ＨＣ≡Ｃ−Ｃ(ＣＨ₃)₂−Ｏ−Ｓｉ(ＣＨ₃)₃ 式（１）
次いで成分（Ａ）と成分（Ｂ）と成分（Ｃ）との合計量に対して、白金換算で白金金属濃度が１００ｐｐｍとなるように白金系触媒（信越シリコーン株式会社製、ＣＡＴ−ＰＬ−５６）を加えオルガノポリシロキサン組成物の混合液を得た。さらに、得られた混合液に１００質量部に対して、ＩＰソルベント２０２８（初留点：２００℃、出光興産製）を１５０質量部加えて混合溶液を得た。

次に、ガラス基板のシリコーン樹脂層と接触させる側の面を純水洗浄、ＵＶ洗浄等で清浄化した後、支持基板のシリコーン樹脂層形成面とガラス基板とを室温下真空プレスにて貼り合わせ、シリコーン樹脂層を有する積層物品を得た。
得られた積層物品中のガラス基板の露出表面（シリコーン樹脂層側とは反対側の表面）には、凸部が複数確認された。なお、ガラス基板の凸部は、シリコーン樹脂層の凸部の直上に位置していた。また、ガラス基板の露出表面のろ波中心線うねりの値は、シリコーン樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりの値と略同様であった。

次に、オスカー型研磨機を用いて、得られた積層物品のガラス基板の露出表面の研磨を行い、ガラス積層体を得た。研磨液としては、酸化セリウム粒子の平均粒子径が１．１μｍであり、酸化セリウム粒子の含有量が４質量％である酸化セリウム研磨溶液を用いた。研磨パッドとしては、スウェード素材を用いた。研磨条件は、研磨液の供給量が１．４リットル／分であり、研磨圧力が１００ｇｆ/ｃｍ^２であり、下定盤の回転数が３８６ｒｐｍであり、研磨時間は３００秒であった。
研磨終了後のガラス基板の露出表面（第２表面）には凸部が残っており、研磨処理後のガラス基板の露出表面のろ波中心線うねりは、シリコーン樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりよりも小さかった。より具体的には、研磨処理後のガラス基板の露出表面のろ波中心線うねり（ろ波中心線うねりＸ）は、０．１３０μｍであった。ろ波中心線うねりＹとろ波中心線うねりＸとの差は、０．０５０μｍであった。
また、ガラス積層体において、シリコーン樹脂層と支持基板との界面の剥離強度が、ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。

次に、ガラス積層体を窒素雰囲気下にて３５０℃で６０分間加熱処理を行い、室温まで冷却したところ、ガラス積層体の支持基板とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
その後、研磨処理が施されたガラス積層体におけるガラス基板の露出表面を定盤に真空吸着させたうえで、ガラス基板の４箇所のコーナー部のうち１箇所のコーナー部におけるガラス基板とシリコーン樹脂層との界面に、厚さ０．１ｍｍのステンレス製刃物を差し込み、ガラス基板とシリコーン樹脂層の界面に剥離のきっかけを与えた。そして、支持基板を２４個の真空吸着パッドで吸着した上で、刃物を差し込んだコーナー部に近い吸着パッドから順に上昇させた。ここで刃物の差し込みは、イオナイザ（キーエンス社製）から除電性流体を当該界面に吹き付けながら行った。次に、形成した空隙へ向けて、イオナイザからは引き続き除電性流体を吹き付けながら真空吸着パッドを引き上げた。その結果、定盤上に研磨処理が施されたガラス基板をガラス積層体から分離することができた。
分離されたガラス基板の研磨処理が施された表面を視認すると、欠陥などは確認されなかった。

＜実施例２＞
本例では、実施例１で製造されたガラス積層体を用いてＬＣＤを作製した。
ガラス積層体を２枚用意し、まず、片方のガラス積層体における研磨処理が施されたガラス基板の第２表面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第２表面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、ｎ型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース／ドレイン電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板の第２表面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。次に、画素電極を形成したガラス基板の第２表面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。得られたガラス積層体を、ガラス積層体Ａ１と呼ぶ。
次に、もう片方のガラス積層体における研磨処理が施されたガラス基板の第２表面上に、スパッタリング法によりクロムを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより遮光層を形成した。次に、遮光層を設けたガラス基板の第２表面側に、さらにダイコート法によりカラーレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化によりカラーフィルタ層を形成した。次に、ガラス基板の第２表面側に、さらにスパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、対向電極を形成した。次に、対向電極を設けたガラス基板の第２表面上に、ダイコート法により紫外線硬化樹脂液を塗布し、フォトリソグラフィ法および熱硬化により柱状スペーサを形成した。次に、柱状スペーサを形成したガラス基板の第２表面上に、ロールコート法によりポリイミド樹脂液を塗布し、熱硬化により配向層を形成し、ラビングを行った。次に、ガラス基板の第２表面側に、ディスペンサ法によりシール用樹脂液を枠状に描画し、枠内にディスペンサ法により液晶を滴下した後に、上述したガラス積層体Ａ１を用いて、２枚のガラス積層体のガラス基板の第２表面側同士を貼り合わせ、紫外線硬化および熱硬化によりＬＣＤパネルを有する積層体を得た。ここでのＬＣＤパネルを有する積層体を以下、パネル付き積層体Ｂ２という。
次に、実施例１と同様にパネル付き積層体Ｂ２から両面の樹脂層付き支持基板を剥離し、ＴＦＴアレイを形成した基板およびカラーフィルタを形成した基板からなるＬＣＤパネルＢ（電子デバイスに該当）を得た。
作製したＬＣＤパネルＢにＩＣドライバを接続し、常温常圧下で駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。また、高温高湿環境（８０℃、８０％ＲＨ）下で駆動させた場合も、表示ムラは認められなかった。

＜実施例３＞
本例では、実施例１で製造されたガラス積層体を用いて電子ペーパーを作製した。
ガラス積層体中のガラス基板の第２表面上に、スパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングによりゲート電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート電極を設けたガラス基板の第２表面側に、さらに窒化シリコン、真性アモルファスシリコン、ｎ型アモルファスシリコンの順に成膜し、続いてスパッタリング法によりモリブデンを成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、ゲート絶縁膜、半導体素子部およびソース／ドレイン電極を形成した。次に、プラズマＣＶＤ法により、ガラス基板の第２表面側に、さらに窒化シリコンを成膜してパッシベーション層を形成した後に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、画素電極を形成した。
次に、別途用意したガラス板の表面（第１主面）に、スパッタリング法により酸化インジウム錫を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いたエッチングにより、対向電極を形成した。次に、ガラス板の第１主面上に、さらにマイクロカプセルを分散させた接着性樹脂液を印刷により塗布した。なお、マイクロカプセルは、平均直径５０マイクロメーターであるアラビアガム・ゼラチンの複合膜からなる壁膜の中に、酸化チタンからなる白の粒子とカーボンブラックからなる黒の粒子が、シリコーンオイル分散された状態で封入されたものを用いた。白の粒子である酸化チタンは正電荷を帯びており、一方、黒の粒子であるカーボンブラックは負電荷を帯びているものを用いた。
次に、上記手順によって画素電極が設けられたガラス積層体中のガラス基板の第２表面側の表面と、上記接着性樹脂液を塗布したガラス板の第１主面側の表面とを貼り合わせた。上記手順によって、支持基板付き電子ペーパーパネル（電子デバイス用部材付き積層体）を得た。
続いて、実施例１と同様の方法により樹脂層付き支持基板を剥離し、電子ペーパーパネル（電子デバイスに該当。以下パネルＢという）を得た。
作製したパネルＢにＩＣドライバを接続し駆動させたところ、駆動領域内において表示ムラは認められなかった。

＜実施例４〜１２＞
シリコーン樹脂層の製造する際の加熱硬化や塗布速度または吐出量、および／または、研磨処理条件を適宜変更した以外は、実施例１と同様の手順に従って、ガラス積層体を製造した。各実施例にて得られたガラス積層体においては、研磨処理後のガラス基板の露出表面のろ波中心線うねりは、シリコーン樹脂層の凸部を有する表面のろ波中心線うねりよりも小さかった。
以下、表１に、各実施例にて得られたガラス積層体中の研磨処理後のガラス基板の露出表面のろ波中心線うねり（ろ波中心線うねりＸ）、シリコーン樹脂層の露出表面のろ波中心線うねり（ろ波中心線うねりＹ）、および、ろ波中心線うねりＸとろ波中心線うねりＹとの差を表す。

なお、いずれのガラス積層体においても、シリコーン樹脂層と支持基板との界面の剥離強度が、ガラス基板とシリコーン樹脂層との界面の剥離強度よりも大きかった。

また、各実施例のガラス積層体を窒素雰囲気下にて３５０℃で６０分間加熱処理を行い、室温まで冷却したところ、各実施例のガラス積層体の支持基板とガラス基板の分離やシリコーン樹脂層の発泡や白化など外観上の変化は認められなかった。
さらに、実施例１と同様の手順に従って、吸着パッドを用いて、上記加熱処理が施された各実施例のガラス積層体中のガラス基板の分離を行ったところ、いずれのガラス積層体においても定盤上に研磨処理が施されたガラス基板をガラス積層体から分離することができた。
分離されたガラス基板の研磨処理が施された表面を視認すると、欠陥などは確認されなかった。

さらに、実施例１に記載のガラス積層体の代わりに、各実施例にて得られたガラス積層体をそれぞれ用いて、上記実施例２と同様の手順に従ってＬＣＤパネルをそれぞれ作製したところ、いずれのＬＣＤパネルにおいても表示ムラは認められなかった。
また、実施例１に記載のガラス積層体の代わりに、各実施例にて得られたガラス積層体をそれぞれ用いて、上記実施例３と同様の手順に従って電子ペーパーパネルをそれぞれ作製したところ、いずれの電子ペーパーパネルにおいても表示ムラは認められなかった。

１２ 支持基板
１４ 樹脂層
１６ ガラス基板
１８ 樹脂層付き支持基板
３０，３２ 凸部
３４ 凹部
４０ 積層物品
１００，１１０ ガラス積層体
１１４ シリコーン樹脂層

Claims (12)

1. 支持基板と、前記支持基板上に配置され、前記支持基板側とは反対側の表面に凸部を有する樹脂層と、前記樹脂層の前記凸部を有する表面の形状に追従するように前記樹脂層上に配置されたガラス基板とを有し、前記支持基板と前記樹脂層の界面の剥離強度が前記樹脂層と前記ガラス基板の界面の剥離強度よりも大きいガラス積層体であって、
   前記ガラス基板が、前記樹脂層側とは反対側の表面で前記樹脂層の前記凸部の直上の位置に凸部を有し、
   前記ガラス基板の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりＸが、前記樹脂層の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりＹよりも小さい、ガラス積層体。
2. 前記ガラス基板の厚みが０．３ｍｍ以下である、請求項１に記載のガラス積層体。
3. 前記樹脂層の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりＹが０．０４０μｍ超１．００μｍ以下である、請求項１または２に記載のガラス積層体。
4. 前記樹脂層の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりＹが０．０４０μｍ超０．２０μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラス積層体。
5. 前記ろ波中心線うねりＹと前記ろ波中心線うねりＸとの差が０．００５〜０．８０μｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラス積層体。
6. 前記ろ波中心線うねりＹと前記ろ波中心線うねりＸとの差が０．００５〜０．０８０μｍである、請求項１〜５のいずれか１項に記載のガラス積層体。
7. 前記樹脂層の厚さが２〜１００μｍである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のガラス積層体。
8. 前記樹脂層が、シリコーン樹脂層である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のガラス積層体。
9. 前記シリコーン樹脂層が、架橋性オルガノポリシロキサンを硬化させて得られる層であり、
   前記架橋性オルガノポリシロキサンが、アルケニル基を有するオルガノアルケニルポリシロキサンと、ケイ素原子に結合した水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンとを含む、請求項８に記載のガラス積層体。
10. 前記支持基板がガラス板である、請求項１〜９のいずれか１項に記載のガラス積層体。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載のガラス積層体の製造方法であって、
    支持基板と、前記支持基板上に配置され、前記支持基板側とは反対側の表面に凸部を有する樹脂層と、前記樹脂層の前記凸部を有する表面の形状に追従するように前記樹脂層上に配置され、前記樹脂層側とは反対側の表面上で前記樹脂層上の前記凸部の直上の位置に凸部を有するガラス基板とを有する積層物品中の前記ガラス基板表面を研磨する工程を有し、
    前記研磨を、前記ガラス基板表面に凸部を残しながら、前記ガラス基板の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりＸが、前記樹脂層の前記凸部を有する表面のろ波中心線うねりＹよりも小さくなるように実施する、ガラス積層体の製造方法。
12. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載のガラス積層体中のガラス基板の表面上に電子デバイス用部材を形成し、電子デバイス用部材付き積層体を得る部材形成工程と、
    前記電子デバイス用部材付き積層体から前記支持基板および前記樹脂層を含む樹脂層付き支持基板を除去し、前記ガラス基板と前記電子デバイス用部材とを有する電子デバイスを得る分離工程と、を備える電子デバイスの製造方法。