CN105313388A - 玻璃层叠体及其制造方法、电子设备的制造方法 - Google Patents

玻璃层叠体及其制造方法、电子设备的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及玻璃层叠体及其制造方法、电子设备的制造方法,所述玻璃层叠体具有:支撑基板;配置于所述支撑基板上、并且在与所述支撑基板侧相反的一侧的表面具有凸部的树脂层;以追随所述树脂层的具有所述凸部的表面的形状的方式配置于所述树脂层上的玻璃基板,所述支撑基板与所述树脂层的界面的剥离强度比所述树脂层与所述玻璃基板的界面的剥离强度大,其中,所述玻璃基板在与所述树脂层侧相反的一侧的表面在所述树脂层的所述凸部的正上方的位置具有凸部,所述玻璃基板的具有所述凸部的表面的滤波中心线波纹度X比所述树脂层的具有所述凸部的表面的滤波中心线波纹度Y小。

Description

玻璃层叠体及其制造方法、电子设备的制造方法
技术领域
本发明涉及一种玻璃层叠体及其制造方法、电子设备的制造方法。
背景技术
近年来,太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等电子设备(电子机器)正逐渐薄型化、轻量化,这些设备中使用的玻璃基板也在进行薄板化。如果由于薄板化而玻璃基板的强度不足,则在设备的制造工序中玻璃基板的处理性降低。
最近,为了应对上述问题,提出了如下方法:准备将玻璃基板和增强板层叠而成的玻璃层叠体,在玻璃层叠体的玻璃基板上形成显示装置等电子设备用构件,之后自玻璃基板将增强板分离(例如参照专利文献1)。增强板具有支撑板和固定在该支撑板上的有机硅树脂层,有机硅树脂层和玻璃基板以可剥离的方式密合。在玻璃层叠体中,在有机硅树脂层与玻璃基板的界面剥离、自玻璃基板分离的增强板可以与新的玻璃基板层叠而制成玻璃层叠体进行再利用。
此外,在专利文献2中,公开了一种对玻璃层叠体中的玻璃基板进行研磨,使玻璃基板表面成为平坦面的技术。特别是,将树脂层的露出表面上的表面波纹度设定为规定值以下,并对配置于树脂层上的玻璃基板进行研磨。如在专利文献2的图4中说明的那样,若在表面波纹度大的树脂层上配置玻璃基板并进行研磨,则在剥离玻璃基板时,追随树脂层表面的表面波纹度而与其接触的玻璃基板的树脂层侧的表面恢复平坦,而另一方面,树脂层表面的波纹转印到玻璃基板的被研磨的表面,因此,为了防止这种转印而调整树脂层表面的表面波纹度的大小。如上所述在玻璃基板的电子设备用构件的形成面即研磨面发生表面波纹度的转印时,会产生电子设备用构件的位置偏移等,导致电子设备的性能劣化(例如,产生显示不均),结果,存在引起电子设备的生产率降低的担心。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开第2007/018028号
专利文献2:日本特开2013-149713号
发明内容
发明要解决的问题
在专利文献2的方法中,为了形成具有平坦的表面的树脂层,采用了在将树脂层形成用组合物涂布在支撑基板上后,静置一定时间的方法。若采用这种静置一定时间的方法,则玻璃层叠体的生产效率会降低,不能称为是有效的方法。
因此,需要一种即使在树脂层表面的表面波纹度大的情况下,得到的电子设备的性能也不易劣化,且能抑制电子设备的生产率降低的玻璃层叠体。
本发明是鉴于上述问题而作出的,其课题在于,提供一种即使在树脂层表面的表面波纹度大的情况下也能有效生产抑制了性能劣化的电子设备的玻璃层叠体及其制造方法。
此外,本发明的课题还在于,提供一种使用了该玻璃层叠体的电子设备的制造方法。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述问题进行了潜心研究,结果发现,通过使用控制了玻璃基板的表面形状的玻璃层叠体,能够得到期望的效果,从而完成了本发明。
即,本发明的第一实施方式提供一种玻璃层叠体,其具有:支撑基板;配置于支撑基板上、且在与支撑基板侧相反的一侧的表面具有凸部的树脂层;以追随树脂层的具有凸部的表面的形状的方式配置于树脂层上的玻璃基板,支撑基板与树脂层的界面的剥离强度比树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度大,其中,玻璃基板在与树脂层侧相反的一侧的表面在树脂层的凸部的正上方的位置具有凸部,玻璃基板的具有凸部的表面的滤波中心线波纹度X比树脂层的具有凸部的表面的滤波中心线波纹度Y小。
在第一实施方式中,优选的是,玻璃基板的厚度为0.3mm以下。
在第一实施方式中,优选的是,树脂层的具有凸部的表面的滤波中心线波纹度Y大于0.040μm且为1.00μm以下(更优选的是大于0.040μm且为0.20μm以下)。
在第一实施方式中,优选的是,滤波中心线波纹度Y与滤波中心线波纹度X的差为0.005~0.80μm(更优选的是为0.005~0.080μm)。
在第一实施方式中,优选的是,树脂层的厚度为2~100μm。
在第一实施方式中,树脂层优选为有机硅树脂层,并且优选有机硅树脂层为使交联性有机聚硅氧烷固化得到的层,交联性有机聚硅氧烷包含具有烯基的有机烯基聚硅氧烷、和具有与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷。
在第一实施方式中,优选的是,支撑基板为玻璃板。
本发明的第二实施方式提供一种玻璃层叠体的制造方法,其为第一实施方式的玻璃层叠体的制造方法,其具有对层叠物中的玻璃基板的表面进行研磨的工序,该层叠物具有:支撑基板;配置于支撑基板上、且在与支撑基板侧相反的一侧的表面具有凸部的树脂层;以追随树脂层的具有凸部的表面的形状的方式配置于树脂层上、并且在与树脂层侧相反的一侧的表面在树脂层的凸部的正上方的位置具有凸部的玻璃基板,研磨以在玻璃基板表面残留凸部、并且玻璃基板的具有凸部的表面的滤波中心线波纹度X比树脂层的具有凸部的表面的滤波中心线波纹度Y小的方式实施。
本发明的第三实施方式提供一种电子设备的制造方法,其具备如下工序:构件形成工序,在第一实施方式的玻璃层叠体中的玻璃基板的表面上形成电子设备用构件,得到带电子设备用构件的层叠体;分离工序,将包含支撑基板及树脂层的带树脂层的支撑基板从带电子设备用构件的层叠体去除,得到具有玻璃基板和电子设备用构件的电子设备。
发明的效果
根据本发明,能够提供一种即使在树脂层表面的表面波纹度大的情况下也能有效生产抑制了性能劣化的电子设备的玻璃层叠体及其制造方法。
此外,本发明还提供一种使用了该玻璃层叠体的电子设备的制造方法。
附图说明
图1的(A)~(C)是现有技术的从研磨工序到将玻璃基板分离的分离工序的示意性剖面图。
图2的(A)~(C)是本发明的从研磨工序到将玻璃基板分离的分离工序的示意性剖面图。
图3是本发明的玻璃层叠体的一个实施方式的示意性剖面图。
图4的(A)~(C)是按照工序的步骤表示本发明的玻璃层叠体的制造方法的一个实施方式的示意性剖面图。
附图标记说明
12支撑基板
14树脂层
16玻璃基板
18带树脂层的支撑基板
30、32凸部
34凹部
40层叠物
100、110玻璃层叠体
114有机硅树脂层
具体实施方式
以下,参照附图对用于实施本发明的实施方式进行说明,但本发明不限于以下的实施方式,能够在不脱离本发明的范围的前提下对以下的实施方式加以各种变形和替换。
需要说明的是,在本说明书中,用“~”表示的数值范围是指包含“~”前后所记载的数值作为下限值及上限值的范围。
作为本发明的玻璃层叠体的一个特征点,可举出如下一点:玻璃基板的具有凸部的表面的滤波中心线波纹度X与树脂层的具有凸部的表面的滤波中心线波纹度Y的关系受到控制。以下,参照附图,对现有的及本发明的玻璃层叠体的特征进行详细说明。
首先,图1是实施在现有技术中所实施的研磨处理时的示意图。首先,在图1的(A)中,记载有要实施研磨处理的层叠物,在层叠物上层叠有支撑基板12、树脂层14和玻璃基板16。树脂层14在与支撑基板12侧相反的一侧的表面14a具有凸部30。此外,玻璃基板16的树脂层14侧的第1表面16a追随树脂层14的表面14a的形状,在与树脂层14侧相反的一侧的第2表面16b具有凸部32。凸部32位于凸部30的正上方。对这种层叠物中的玻璃基板16的第2表面16b,与现有技术同样地实施研磨处理时,如图1的(B)所示,凸部32从玻璃基板16的第2表面16b被去除,成为平坦面。其后,从得到的层叠物将玻璃基板16剥离时,玻璃基板16的第1表面16a在恢复平坦的力的作用下平坦化,同时,在第2表面16b中,随着凸部30被去除,玻璃基板的厚度变薄,因而形成凹部34。图1的(B)的玻璃基板16的第2表面16b越平坦,这样的凹部34越深,有引起配置于第2表面16b上的电子设备用构件的位置偏移的担心。
接着,使用图2对本发明的实施方式进行详细说明。图2的(A)是与图1的(A)同样地实施研磨处理的层叠物。在本发明中,如图2的(B)所示,以残留凸部32、且玻璃基板16的第2表面16b的滤波中心线波纹度比树脂层14的表面14a的滤波中心线波纹度小的方式实施研磨处理,得到规定的玻璃层叠体100。如图2的(C)所示,从得到的玻璃层叠体100将玻璃基板16剥离时,与图1的(C)同样地在玻璃基板16的第2表面16b上形成凹部34。但是,在图2的(C)的实施方式中,与图1的(C)不同,在玻璃基板16的第2表面16b出现的凹部34的深度并不是很深,因此,不易引起配置于第2表面16b上的电子设备用构件的位置偏移。
图3是本发明的玻璃层叠体的一例的示意性剖面图。
如图3所示,玻璃层叠体100为具有支撑基板12、玻璃基板16及存在于它们之间的树脂层14的层叠体。树脂层14的一个面与支撑基板12相接,并且另一个面与玻璃基板16的第1表面16a相接。换言之,树脂层14与玻璃基板16的第1表面16a相接。
由支撑基板12及树脂层14形成的两层部分在制造液晶面板等电子设备用构件的构件形成工序中用于加强玻璃基板16。需要说明的是,将为了制造玻璃层叠体100而预先制备的由支撑基板12及树脂层14形成的两层部分称为带树脂层的支撑基板18。
使用该玻璃层叠体100直至后述的构件形成工序。即,使用该玻璃层叠体100直至在所述玻璃基板16的第2表面16b的表面上形成液晶显示装置等电子设备用构件。其后,形成了电子设备用构件的玻璃层叠体被分离为带树脂层的支撑基板18与带构件的玻璃基板(电子设备),带树脂层的支撑基板18不是构成电子设备的部分。可以在带树脂层的支撑基板18上层叠新的玻璃基板16,制成新的玻璃层叠体100再次利用。
支撑基板12与树脂层14的界面具有剥离强度(x),在支撑基板12与树脂层14的界面施加超过剥离强度(x)的剥离方向的应力时,在支撑基板12与树脂层14的界面产生剥离。树脂层14与玻璃基板16的界面具有剥离强度(y),在树脂层14与玻璃基板16的界面施加超过剥离强度(y)的剥离方向的应力时,在树脂层14与玻璃基板16的界面产生剥离。
在玻璃层叠体100(也指后述的带电子设备用构件的层叠体)中,上述剥离强度(x)比上述剥离强度(y)高。因此,若对玻璃层叠体100施加使支撑基板12与玻璃基板16剥离的方向的应力,则本发明的玻璃层叠体100在树脂层14与玻璃基板16的界面剥离而分离为玻璃基板16与带树脂层的支撑基板18。
剥离强度(x)优选与剥离强度(y)相比足够高。提高剥离强度(x)是指提高树脂层14对支撑基板12的附着力,且能够在加热处理后维持与对玻璃基板16的附着力相比相对较高的附着力。
为了提高树脂层14对支撑基板12的附着力,优选如后所述使包含规定成分的固化性树脂组合物的层(涂膜)在支撑基板12上固化(交联固化)而形成树脂层14。通过固化时的粘接力,能够形成以高的结合力与支撑基板12结合的树脂层14。
而通常固化后的固化物对玻璃基板16的结合力比上述固化时产生的结合力低。因此,优选的是,在支撑基板12上对固化性树脂组合物的层实施固化处理形成树脂层14,其后,在树脂层14上层叠玻璃基板16,从而制造玻璃层叠体100。
以下,首先,对构成玻璃层叠体100的各层(支撑基板12、树脂层14、玻璃基板16)进行详细说明,其后,对玻璃层叠体及带构件的玻璃基板的制造方法进行详细说明。
<支撑基板>
支撑基板12支撑并加强玻璃基板16,用于在后述的构件形成工序(制造电子设备用构件的工序)中制造电子设备用构件时防止玻璃基板16的变形、损伤、破损等。
作为支撑基板12,例如使用玻璃板、塑料板、SUS板等金属板等。通常,由于构件形成工序伴随热处理,因此,支撑基板12优选由与玻璃基板16的线膨胀系数差小的材料形成,更优选由与玻璃基板16相同的材料形成。即,优选的是,支撑基板12为玻璃板。特别优选的是,支撑基板12为由与玻璃基板16相同的玻璃材料形成的玻璃板。
支撑基板12的厚度可以比玻璃基板16厚,也可以比玻璃基板16薄。优选的是,根据玻璃基板16的厚度、树脂层14的厚度、及玻璃层叠体100的厚度来选择支撑基板12的厚度。例如,在当前的构件形成工序被设计为对厚度0.5mm的基板进行处理,且玻璃基板16的厚度与树脂层14的厚度之和为0.1mm的情况下,将支撑基板12的厚度设为0.4mm。通常情况下,支撑基板12的厚度优选为0.2~5.0mm。
在支撑基板12为玻璃板的情况下,出于容易处理、不易破裂等理由,玻璃板的厚度优选为0.08mm以上。此外,出于期望在电子设备用构件形成后进行剥离时适度挠曲而不破裂的刚性的理由,玻璃板的厚度优选为1.0mm以下。
支撑基板12与玻璃基板16在25~300℃下的平均线膨胀系数的差优选为500×10-7/℃以下,更优选为300×10-7/℃以下,进一步优选为200×10-7/℃以下。若差值过大,则在构件形成工序中的加热冷却时,可能导致玻璃层叠体100剧烈地翘曲、或支撑基板12与玻璃基板16剥离。在支撑基板12的材料与玻璃基板16的材料相同的情况下,能够抑制产生这样的问题。
<树脂层>
树脂层14防止玻璃基板16的位置偏移直至进行将玻璃基板16与支撑基板12分离的操作为止,并且防止玻璃基板16等因分离操作而破损。树脂层14的与玻璃基板16相接的表面14a与后述玻璃基板16的第1表面16a可剥离地密合。树脂层14以弱的结合力结合于玻璃基板16的第1表面16a,其界面的剥离强度(y)比树脂层14与支撑基板12之间的界面的剥离强度(x)低。
即,在将玻璃基板16与支撑基板12分离时,在玻璃基板16的第1表面16a与树脂层14的界面剥离,在支撑基板12与树脂层14的界面不易剥离。因此,树脂层14具有与玻璃基板16的第1表面16a密合、但能够容易地将玻璃基板16剥离的表面特性。即,树脂层14相对于玻璃基板16的第1表面16a以一定程度的结合力结合而防止玻璃基板16的位置偏移等,同时,以在剥离玻璃基板16时能够容易地剥离而不破坏玻璃基板16的程度的结合力结合。在本发明中,将该树脂层14表面的能够容易地剥离的性质称为剥离性。另一方面,支撑基板12与树脂层14以相对不易剥离的结合力结合。
此外,树脂层14与玻璃基板16的界面的结合力在玻璃层叠体100的玻璃基板16的第2表面16b上形成电子设备用构件前后可以变化(即,剥离强度(x)、剥离强度(y)可以变化)。但是,即使在形成电子设备用构件之后,剥离强度(y)也比剥离强度(x)低。
认为树脂层14与玻璃基板16的层以弱的粘接力、由范德华力产生的结合力结合。形成树脂层14之后在其表面层叠玻璃基板16的情况、树脂层14的树脂不显示出粘接力地充分交联的情况可认为是以由范德华力产生的结合力结合。但是,树脂层14的树脂具有一定程度的弱的粘接力并不罕见。可认为,即使粘接性极低,在玻璃层叠体100制造后在该层叠体上形成电子设备用构件时,通过加热操作等,树脂层14的树脂也与玻璃基板16粘接,树脂层14与玻璃基板16间的结合力升高。
根据不同情况,也可以对层叠前的树脂层14的表面、层叠前的玻璃基板16的第1表面16a进行使两者间的结合力减弱的处理而进行层叠。通过对要进行层叠的面进行非粘接性处理等,然后进行层叠,能够减弱树脂层14与玻璃基板16的界面的结合力,降低剥离强度(y)。
此外,树脂层14优选以粘接力、粘合力等强的结合力结合于支撑基板12表面。例如,如上所述,通过使固化性树脂组合物的层在支撑基板12表面固化,能够使固化物即树脂粘接于支撑基板12表面,得到高的结合力。此外,也能够实施使支撑基板12表面与树脂层14之间产生强结合力的处理(例如,使用偶联剂的处理)来提高支撑基板12表面与树脂层14之间的结合力。
树脂层14与支撑基板12的层以高的结合力结合是指两者的界面的剥离强度(x)较高。
对树脂层14的厚度没有特别限定,优选为2~100μm,更优选为3~50μm,进一步优选为7~20μm。树脂层14的厚度在这样的范围内时,即使在树脂层14与玻璃基板16之间夹杂气泡、异物,也能抑制玻璃基板16产生变形缺陷。此外,树脂层14的厚度过厚时,形成需要时间和材料,因而不经济,而且有时耐热性降低。此外,树脂层14的厚度过薄时,有时树脂层14与玻璃基板16的密合性降低。
此外,树脂层14也可以由两层以上构成。在该情况下,“树脂层14的厚度”是指所有层的总厚度。
树脂层14的玻璃基板16侧的表面14a具有凸部30。凸部30是自树脂层14表面的自平坦面突出的部分。在图3中,虽然仅记载了一个凸部30,但也可以有多个。
树脂层14的表面14a(有凸部30的表面)的滤波中心线波纹度Y(WCA)优选为1.00μm以下,更优选为0.50μm以下,进一步优选为0.40μm以下,更进一步优选为0.30μm以下,从能够更有效地生产抑制了性能劣化的电子设备的方面考虑,特别优选为0.20μm以下,进一步优选为0.15μm以下,最优选为0.10μm以下。通过使滤波中心线波纹度Y为上述范围(优选为0.50μm以下),玻璃基板16在树脂层14上的层叠性更优异。对树脂层14的表面14a的滤波中心线波纹度Y(WCA)的下限没有特别限定,通常多大于0.040μm。此外,为本发明的构成时,即使滤波中心线波纹度Y大于0.10μm,也能得到期望的效果。特别是,在制作LCD设备作为电子设备时,滤波中心线波纹度Y优选大于0.040μm且为0.20μm以下。
这里,“表面波纹度”是使用公知的触针式的表面形状测量装置,测定JISB-0610(1987)中所记载的WCA(滤波中心线波纹度)而得到的值。需要说明的是,在本发明中,滤波波纹度曲线的临界值为0.8mm,测量长度为40mm。
需要说明的是,对凸部的宽度没有特别限定,优选为10mm以下。
对构成树脂层14的树脂种类没有特别限定,例如可举出丙烯酸类树脂、聚烯烃树脂、聚氨酯树脂、及有机硅树脂。其中,从耐热性及剥离性的方面考虑,优选有机硅树脂。即,树脂层14优选为有机硅树脂层(包含有机硅树脂的层)。
以下,对有机硅树脂层的实施方式进行详细说明。
有机硅树脂层中所含的有机硅树脂优选为交联性有机聚硅氧烷的交联物,有机硅树脂优选形成三维网状结构。
对交联性有机聚硅氧烷的种类没有特别限定,只要是经由规定的交联反应进行交联固化而成为构成有机硅树脂的交联物(固化物),就对其结构没有特别限定,只要具有规定的交联性即可。对交联的形式没有特别限定,可以根据交联性有机聚硅氧烷中所含的交联性基团的种类而采用适当的公知的形式。例如,可举出硅氢化反应、缩合反应,或利用加热处理、高能射线处理或者自由基聚合引发剂进行的自由基反应等。
更具体而言,在交联性有机聚硅氧烷具有烯基或炔基等自由基反应性基团的情况下,通过经由上述自由基反应的自由基反应性基团彼此的反应而交联,形成固化物(交联有机硅树脂)。
此外,在交联性有机聚硅氧烷具有硅烷醇基的情况下,通过硅烷醇基彼此的缩合反应而交联形成固化物。
进而,在交联性有机聚硅氧烷包含具有与硅原子键合的烯基(乙烯基等)的有机聚硅氧烷(即,有机烯基聚硅氧烷)、及具有与硅原子键合的氢原子(硅氢基)的有机聚硅氧烷(即,有机氢聚硅氧烷)的情况下,根据需要在硅氢化催化剂(例如,铂系催化剂)的存在下,通过硅氢化反应而交联形成固化物。
其中,从有机硅树脂层的形成容易、剥离性更优异的方面考虑,交联性有机聚硅氧烷优选为包含在两末端和/或侧链具有烯基的有机聚硅氧烷(以下也适当称为有机聚硅氧烷A)、和在两末端和/或侧链具有硅氢基的有机聚硅氧烷(以下也适当称为有机聚硅氧烷B)的方式。
需要说明的是,作为烯基,没有特别限定,例如可举出乙烯基(ethenyl)、烯丙基(2-丙烯基)、丁烯基、戊烯基、己烯基等,其中,从耐热性优异的方面的考虑,优选为乙烯基。
此外,作为有机聚硅氧烷A中所含的烯基以外的基团、及有机聚硅氧烷B中所含的硅氢基以外的基团,可举出烷基(特别是碳原子数为4以下的烷基)。
对有机聚硅氧烷A中的烯基的位置没有特别限定,在有机聚硅氧烷A为直链状的情况下,烯基可以存在于如下所示的M单元和D单元的任一者中,也可以存在于M单元和D单元这两者中。从固化速度的方面考虑,优选至少存在于M单元中,更优选存在于两个M单元的两者中。
此外,M单元和D单元是有机聚硅氧烷的基本构成单元的例子,M单元是指键合有三个有机基团的单官能性的硅氧烷单元,D单元是指键合有两个有机基团的双官能性的硅氧烷单元。在硅氧烷单元中,硅氧烷键是两个硅原子借助一个氧原子进行键合而得到的键,由此,硅氧烷键中的每个硅原子对应的氧原子被视为1/2个,在式中表现为O1/2
[化学式1]
对有机聚硅氧烷A中的烯基的数量没有特别限定,一个分子中优选具有1~3个烯基,更优选具有2个烯基。
对有机聚硅氧烷B中的硅氢基的位置没有特别限定,在有机聚硅氧烷A为直链状的情况下,硅氢基可以存在于M单元和D单元的任一者中,也可以存在于M单元和D单元这两者中。从固化速度的方面考虑,优选至少存在于D单元中。
对有机聚硅氧烷B中的硅氢基的数量没有特别限定,优选一分子中具有至少3个硅氢基,更优选具有3个硅氢基。
对有机聚硅氧烷A与有机聚硅氧烷B的混合比例没有特别限定,优选的是,以使有机聚硅氧烷B中的与硅原子键合的氢原子与有机聚硅氧烷A中的所有烯基的摩尔比(氢原子/烯基)为0.7~1.05的方式进行调节。其中,优选将混合比例调节为0.8~1.0。
作为硅氢化催化剂,优选使用铂族金属系催化剂。作为铂族金属系催化剂,可举出铂系、钯系、铑系等催化剂,从经济性、反应性的方面考虑,特别优选使用铂系催化剂。作为铂族金属系催化剂,可以使用公知的催化剂。具体而言,可举出铂微粉末、铂黑、氯亚铂酸、氯铂酸等氯铂酸、四氯化铂、氯铂酸的醇化合物、醛化合物、或者铂的烯烃络合物、烯基硅氧烷络合物、羰基络合物等。
作为硅氢化催化剂的使用量,相对于有机聚硅氧烷A与有机聚硅氧烷B的总质量100质量份,优选为0.1~20质量份,更优选为1~10质量份。
对交联性有机聚硅氧烷的数均分子量没有特别限定,从处理性优异、并且成膜性也优异、进一步抑制高温处理条件下的有机硅树脂的分解的方面考虑,由GPC(凝胶渗透色谱)测定的、聚苯乙烯换算的重均分子量优选为1,000~5,000,000,更优选为2,000~3,000,000。
交联性有机聚硅氧烷的粘度优选为10~5000mPa·s,更优选为15~3000mPa·s。需要说明的是,粘度的测定温度为25℃。
此外,作为交联性有机聚硅氧烷的具体的市售的商品名或型号,作为不具有芳香族基团的交联性有机聚硅氧烷,可举出:KNS-320A、KS-847(均为信越有机硅株式会社制造)、TPR6700(MomentivePerformanceMaterialsJapanLLC制造)、乙烯基有机硅“8500”(荒川化学工业公司制造)与甲基氢聚硅氧烷“12031”(荒川化学工业公司制造)的组合、乙烯基有机硅“11364”(荒川化学工业公司制造)与甲基氢聚硅氧烷“12031”(荒川化学工业公司制造)的组合、乙烯基有机硅“11365”(荒川化学工业公司制造)与甲基氢聚硅氧烷“12031”(荒川化学工业公司制造)的组合等。
对树脂层14的形成方法没有特别限定,可以采用公知的方法。在说明书后面,将对树脂层14为有机硅树脂层的方式进行详细说明。
<玻璃基板>
玻璃基板16的第1表面16a与树脂层14相接,与树脂层14侧相反的一侧的第2表面16b上设有电子设备用构件。
玻璃基板16以追随树脂层14的具有凸部30的表面14a的形状的方式配置于树脂层14上。因此,玻璃基板16在第2表面16b上在树脂层14的凸部30的正上方的位置具有凸部32。在图3中,虽然仅记载了一个凸部32,但对凸部32的数量没有特别限定,也可以为多个。需要说明的是,由于玻璃基板16的凸部32的位置在树脂层14的凸部30的正上方,因此,在树脂层14具有多个凸部30的情况下,玻璃基板16的凸部32位于各个凸部30的正上方,通常,玻璃基板16的凸部32的数量与树脂层14的凸部30的数量相对应。
对玻璃基板16的具有凸部32的第2表面16b的滤波中心线波纹度X的大小没有特别限定,其比上述的树脂层14的具有凸部30的表面14a的滤波中心线波纹度Y小。对滤波中心线波纹度Y与滤波中心线波纹度X的差(滤波中心线波纹度Y-滤波中心线波纹度X)没有特别限定,从能够更有效地生产抑制了性能劣化的电子设备的方面考虑,优选为0.80μm以下,更优选为0.40μm以下,进一步优选为0.20μm以下,特别优选为0.080μm以下,更特别优选为0.050μm以下,最优选为0.040μm以下。下限优选为0.005μm以上,更优选为0.01μm以上。特别是制作LCD设备作为电子设备时,滤波中心线波纹度Y与滤波中心线波纹度X的差优选为0.005μm以上且0.080μm以下。
玻璃基板16的具有凸部32的第2表面16b的滤波中心线波纹度X的大小优选为0.01μm以上,更优选为0.02μm以上,优选为0.20μm以下,更优选为0.15μm以下。
滤波中心线波纹度的测定方法如上所述。
需要说明的是,对凸部32的宽度没有特别限定,优选为10mm以下。
玻璃基板16的种类可以是一般的玻璃基板,例如可举出LCD、OLED之类的显示装置用的玻璃基板等。玻璃基板16的耐化学药品性、耐透湿性优异,且热收缩率低。作为热收缩率的指标,可以使用JISR3102(1995年修订)所规定的线膨胀系数。
玻璃基板16的线膨胀系数大时,由于构件形成工序多会伴随加热处理,因此,容易产生各种不良情况。例如,在玻璃基板16上形成TFT(薄膜晶体管)时,若对在加热下形成了TFT的玻璃基板16进行冷却,则可能会因玻璃基板16的热收缩导致TFT的位置偏移过大。
玻璃基板16通过将玻璃原料熔融、并将熔融玻璃成型为板状而获得。这样的成型方法可以是一般的成型方法,例如可以使用浮法、熔融法、流孔下引法(slotdowndrawprocess)、弗克法(fourcaultprocess)、鲁伯法(Lubbersprocess)等。此外,特别是厚度较薄的玻璃基板16可以通过如下方法进行成型而获得:将暂时成型为板状的玻璃加热至可成型温度,通过拉伸等手段对其进行拉伸而使其变薄(平拉法)。
对玻璃基板16的玻璃的种类没有特别限定,优选无碱硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃、高硅玻璃、其他以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃,优选换算为氧化物时氧化硅的含量为40质量%~90质量%的玻璃。
作为玻璃基板16的玻璃,采用适合电子设备用构件的种类、其制造工序的玻璃。例如,由于碱金属成分的溶出容易对液晶产生影响,因此,液晶面板用玻璃基板由实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)制成(其中,通常含有碱土金属成分)。如上所述,玻璃基板16的玻璃可根据所应用的设备的种类及其制造工序适当选择。
从玻璃基板16的薄型化和/或轻量化的观点考虑,玻璃基板16的厚度优选为0.3mm以下,更优选为0.15mm以下,进一步优选为0.10mm以下。为0.3mm以下的情况下,能够赋予玻璃基板16良好的挠性。为0.15mm以下的情况下,能够将玻璃基板16卷取成卷状。
此外,出于玻璃基板16的制造容易、玻璃基板16的处理容易等理由,玻璃基板16的厚度优选为0.03mm以上。
需要说明的是,玻璃基板16也可以由两层以上形成,该情况下,形成各层的材料可以是同种材料,也可以是不同种材料。此外,该情况下,“玻璃基板16的厚度”是指所有层的总厚度。
<玻璃层叠体及其制造方法>
本发明的玻璃层叠体100如上所述,为具有支撑基板12、玻璃基板16及存在于它们之间的树脂层14的层叠体。
只要能够得到满足上述构成的形态的玻璃层叠体,本发明的玻璃层叠体100的制造方法就没有特别限定,可以采用公知的方法。例如,优选如下方法:对于在支撑基板12上配置有树脂层14的带树脂层的支撑基板18,在其树脂层14上层叠玻璃基板16,然后对玻璃基板16的表面进行研磨。
其中,为了得到剥离强度(x)比剥离强度(y)高的层叠体,作为树脂层14的形成方法,优选如下方法:在支撑基板12表面上使规定的固化性树脂组合物交联固化而形成树脂层14。
特别优选的是,使用交联性有机聚硅氧烷作为固化性树脂组合物而得到有机硅树脂层的方式。即,可举出如下方法:在支撑基板的表面形成包含交联性有机聚硅氧烷的层,在支撑基板表面上使交联性有机聚硅氧烷交联而形成有机硅树脂层(交联有机硅树脂),接着,在有机硅树脂层的有机硅树脂面(与支撑基板侧相反的一侧的表面)层叠玻璃基板,制造层叠物,再对层叠物中的玻璃基板表面进行研磨。
认为使交联性有机聚硅氧烷在支撑基板表面固化时,通过固化反应时与支撑基板表面的相互作用而粘接,有机硅树脂与支撑基板表面的剥离强度变高。因此,即使玻璃基板与支撑基板由相同的材质形成,也能够使有机硅树脂层与两者间的剥离强度存在差异。
以下,将在支撑基板的表面形成包含交联性有机聚硅氧烷的层、并在支撑基板表面上使交联性有机聚硅氧烷交联而形成有机硅树脂层的工序称为树脂层形成工序,将在有机硅树脂层的有机硅树脂面层叠玻璃基板而形成层叠物的工序称为层叠工序,将对玻璃基板的表面进行研磨的工序称为研磨工序,对各工序的步骤进行详细说明。
(树脂层形成工序)
树脂层形成工序中,在支撑基板的表面形成包含交联性有机聚硅氧烷的层,并在支撑基板表面上使交联性有机聚硅氧烷交联而形成有机硅树脂层。
为了在支撑基板上形成包含交联性有机聚硅氧烷的层,优选的是,使用将交联性有机聚硅氧烷溶解在溶剂中而成的涂布用组合物,将该组合物涂布在支撑基板上,形成溶液的层,接着去除溶剂而形成包含交联性有机聚硅氧烷的层。通过组合物中的交联性有机聚硅氧烷的浓度的调整等,能够控制包含交联性有机聚硅氧烷的层的厚度。
作为溶剂,只要是在操作环境下能够容易地溶解交联性有机聚硅氧烷、且能够容易地挥发去除的溶剂,就没有特别限定。具体而言,例如可例示醋酸丁酯、庚烷、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯、甲苯、二甲苯、THF、氯仿等。
对在支撑基板表面上涂布包含交联性有机聚硅氧烷的组合物的方法没有特别限定,可以使用公知的方法。例如可举出喷涂法、模涂法、旋涂法、浸渍涂布法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。
其后,根据需要,也可以实施用于去除溶剂的干燥处理。对干燥处理的方法没有特别限定,例如可举出:在减压条件下去除溶剂的方法、以交联性有机聚硅氧烷不会固化的温度进行加热的方法等。
接着,使支撑基板上的交联性有机聚硅氧烷交联,形成有机硅树脂层。更具体而言,如图4的(A)所示,在该工序中,在支撑基板12的至少一个面的表面上形成有机硅树脂层114。
固化(交联)的方法如上所述,根据交联性有机聚硅氧烷的交联形式适宜选择最佳方法,例如,可举出加热处理、曝光处理。其中,交联性有机聚硅氧烷通过硅氢化反应、缩合反应、自由基反应进行交联的情况下,从可得到对玻璃基板的密合性及耐热性优异的有机硅树脂的方面考虑,优选通过热固化制造有机硅树脂层。
以下,对热固化的方式进行详细说明。
使交联性有机聚硅氧烷热固化的温度条件只要在能够提高有机硅树脂层114的耐热性、并能够如上所述地控制与玻璃基板层叠后的剥离强度(y)的范围内就没有特别限定,优选为150~300℃,更优选为180~250℃。此外,加热时间通常优选为10~120分钟,更优选为30~60分钟。
需要说明的是,通常,在使交联性有机聚硅氧烷固化(特别是热固化)时,在有机硅树脂层114的表面114a上形成上述的凸部30。具有凸部30的表面114a的滤波中心线波纹度的大小与上述树脂层14的表面14a的滤波中心线波纹度的大小意思相同。
此外,交联性有机聚硅氧烷也可以在进行预固化(预备固化)后,进行后固化(主固化)使其固化。通过进行预固化,能够得到耐热性更优异的有机硅树脂层114。预固化优选接着溶剂的去除而进行,在该情况下,将溶剂从层中去除而形成包含交联性有机聚硅氧烷的层的工序与进行预固化的工序没有特别区分。
(层叠工序)
层叠工序是如下的工序:在上述的树脂层形成工序得到的有机硅树脂层的有机硅树脂面上层叠玻璃基板,得到依次具备支撑基板的层、有机硅树脂层、和玻璃基板的层的层叠物。更具体而言,如图4的(B)所示,以有机硅树脂层114的与支撑基板12侧相反的一侧的表面114a和玻璃基板16的第1表面16a为层叠面,层叠有机硅树脂层114和玻璃基板16,得到层叠物40。需要说明的是,对层叠物40中的玻璃基板16实施后述的研磨处理。
对在有机硅树脂层114上层叠玻璃基板16的方法没有特别限定,可以采用公知的方法。
例如,可举出在常压环境下将玻璃基板16重叠在有机硅树脂层114的表面上的方法。需要说明的是,根据需要,也可以在将玻璃基板16重叠在有机硅树脂层114的表面上后,使用辊、压制机使玻璃基板16压接在有机硅树脂层114上。通过利用辊或压制机进行的压接,混入有机硅树脂层114和玻璃基板16的层之间的气泡能够比较容易地被去除,因而优选。
利用真空层压法、真空压制法进行压接时,能够抑制气泡的混入、确保良好的密合,因此是更优选的。通过在真空下进行压接,还具有如下优点:即使在残留有微小气泡的情况下,加热时气泡也不会变大,不易导致玻璃基板16产生变形缺陷。
在层叠玻璃基板16时,优选对与有机硅树脂层114相接的玻璃基板16的表面进行充分清洗,并在洁净度高的环境下进行层叠。洁净度越高,玻璃基板16的平坦性越好,因而优选。
需要说明的是,在层叠玻璃基板16之后,根据需要,也可以进行预退火处理(加热处理)。通过进行该预退火处理,层叠的玻璃基板16对有机硅树脂层114的密合性提高,能够形成适当的剥离强度(y),在后述的构件形成工序时不易产生电子设备用构件的位置偏移等,电子设备的生产率提高。
预退火处理的条件可根据所使用的有机硅树脂层114的种类适宜选择最佳条件,从使玻璃基板16与有机硅树脂层114之间的剥离强度(y)更适当的方面考虑,优选的是,在300℃以上(优选为300~400℃)的条件下进行5分钟以上(优选为5~30分钟)的加热处理。
通过实施上述处理,玻璃基板16以追随有机硅树脂层114的具有凸部30的表面的形状的方式配置在有机硅树脂层114上。玻璃基板16在与有机硅树脂层114侧相反的一侧的第2表面16b在有机硅树脂层114的凸部30的正上方的位置具有凸部32。
需要说明的是,多数情况下,得到的层叠物40中的玻璃基板16的具有凸部32的第2表面16b的滤波中心线波纹度显示出与有机硅树脂层114的具有凸部30的表面114a的滤波中心线波纹度大致相同的值。
(研磨工序)
研磨工序是对在层叠工序中得到的层叠物中的玻璃基板的第2表面进行研磨的工序。需要说明的是,如图4的(C)所示,研磨以残留玻璃基板16的第2表面16b的凸部32、且玻璃基板16的具有凸部32的第2表面16b的滤波中心线波纹度X比有机硅树脂层114的具有凸部30的表面114a的滤波中心线波纹度小的方式实施。即,在实施研磨处理而得到的玻璃层叠体110中,玻璃基板16的具有凸部32的第2表面16b的滤波中心线波纹度X比有机硅树脂层114的具有凸部30的表面114a的滤波中心线波纹度小。其中,优选的是,以使上述的玻璃基板16的具有凸部32的第2表面16b的滤波中心线波纹度X与上述的树脂层14的具有凸部30的表面14a的滤波中心线波纹度Y之间产生差值的方式实施研磨。
对研磨的方法没有特别限定,可以采用公知的方法,例如,可以使用机械研磨(物理研磨)或化学研磨。作为机械研磨,可以使用如下方法:吹送陶瓷磨粒进行磨削的喷砂方法、使用研磨片、磨石的研磨、组合使用磨粒和化学溶剂的化学机械研磨(CMP:ChemicalMechanicalPolishing)法等。
此外,作为化学研磨(也称湿法刻蚀),可以使用利用化学药液对玻璃基板的表面进行研磨的方法。
其中,从研磨容易控制的方面考虑,优选化学机械研磨。需要说明的是,作为在化学机械研磨中所使用的磨粒,可以使用氧化铈等公知的磨粒。
经过上述研磨工序,能够得到上述的玻璃层叠体。
(玻璃层叠体)
本发明的玻璃层叠体可以用于各种用途,例如可举出用于制造后述的显示装置用面板、PV、薄膜二次电池、表面形成有电路的半导体晶圆等电子部件的用途等。
这里,显示装置用面板包括:LCD、OLED、电子纸、等离子体显示面板、场致发射面板、量子点LED面板、MEMS(微电子机械系统,MicroElectroMechanicalSystems)快门面板等。
<带构件的玻璃基板及其制造方法>
在本发明中,使用上述的层叠体制造包含玻璃基板和电子设备用构件的带构件的玻璃基板(带电子设备用构件的玻璃基板、电子设备)。
对该带构件的玻璃基板的制造方法没有特别限定,从电子设备的生产率优异的方面考虑,优选如下方法:在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子设备用构件,制造带电子设备用构件的层叠体,以树脂层的玻璃基板侧界面为剥离面,由得到的带电子设备用构件的层叠体分离为带构件的玻璃基板和带树脂层的支撑基板。
以下,将在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子设备用构件而制造带电子设备用构件的层叠体的工序称为构件形成工序,将以树脂层的玻璃基板侧界面为剥离面由带电子设备用构件的层叠体分离为带构件的玻璃基板和带树脂层的支撑基板的工序称为分离工序。
以下,对各工序中所使用的材料及步骤进行详细说明。
(构件形成工序)
构件形成工序是在上述层叠工序中得到的玻璃层叠体中的玻璃基板上(玻璃基板的与树脂层侧相反的一侧的表面上)形成电子设备用构件的工序。
首先,对本工序中使用的电子设备用构件进行详细说明,之后,对工序的步骤进行详细说明。
(电子设备用构件(功能性元件))
电子设备用构件是在玻璃层叠体中的玻璃基板上形成并构成电子设备的至少一部分的构件。更具体而言,作为电子设备用构件,可举出显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池、或表面形成有电路的半导体晶圆等电子部件等中使用的构件(例如显示装置用构件、太阳能电池用构件、薄膜二次电池用构件、电子部件用电路)。
例如,作为太阳能电池用构件,对于硅型,可举出正极的氧化锡等透明电极、用p层/i层/n层表示的硅层、及负极的金属等,其他的可举出与化合物型、染料敏化型、量子点型等相对应的各种构件等。
此外,作为薄膜二次电池用构件,对于锂离子型,可举出正极及负极的金属或金属氧化物等透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为密封层的树脂等,其他的可举出与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等相对应的各种构件等。
此外,作为电子部件用电路,对于CCD、CMOS,可举出导电部的金属、绝缘部的氧化硅、氮化硅等,其他的可举出与压力传感器·加速度传感器等各种传感器、刚性印刷基板、挠性印刷基板、刚挠性印刷基板等相对应的各种构件等。
(工序的步骤)
对上述的带电子设备用构件的层叠体的制造方法没有特别限定,可以根据电子设备用构件的构成构件的种类,利用现有公知的方法在玻璃层叠体的玻璃基板的第2表面上形成电子设备用构件。
需要说明的是,电子设备用构件也可以不是最终形成在玻璃基板的第2表面的构件的全部(以下,称为“所有构件”),而是所有构件的一部分(以下,称为“部分构件”)。也可以将从树脂层剥离的、带部分构件的玻璃基板在之后的工序中制成带所有构件的玻璃基板(与后述的电子设备相当)。
此外,对于从树脂层剥离的、带所有构件的玻璃基板,也可以在其剥离面(第1表面)形成其他电子设备用构件。此外,也可以将带所有构件的层叠体组装起来之后,将带树脂层的支撑基板从带所有构件的层叠体剥离,制造电子设备。进而,也可以使用两个带所有构件的层叠体组装带构件的玻璃基板之后,将两个带树脂层的支撑基板从带所有构件的层叠体剥离,制造具有两块玻璃基板的带构件的玻璃基板。
例如,以制造OLED的情况为例,为了在玻璃层叠体的玻璃基板的与树脂层侧相反的一侧的表面上(玻璃基板的第2表面)形成有机EL结构体,进行如下各种层形成、处理:形成透明电极;进而在形成有透明电极的面上蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层等;形成背面电极;使用封装板进行封装等。作为这些层形成、处理,具体而言,例如可举出成膜处理、蒸镀处理、封装板的粘接处理等。
此外,例如,在制造TFT-LCD时,具有如下等各种工序:TFT形成工序,在玻璃层叠体的玻璃基板的第2表面上,使用抗蚀液在利用CVD法和溅射法等通常的成膜法形成的金属膜和金属氧化膜等上形成图案从而形成薄膜晶体管(TFT);CF形成工序,在另一玻璃层叠体的玻璃基板的第2表面上,使用抗蚀液形成图案而形成滤色器(CF);贴合工序,将在TFT形成工序中得到的带TFT的层叠体和在CF形成工序中得到的带CF的层叠体层叠。
在TFT形成工序、CF形成工序中,采用周知的光刻技术、蚀刻技术等在玻璃基板的第2表面形成TFT、CF。这时,使用抗蚀液作为图案形成用涂布液。
需要说明的是,在形成TFT、CF之前,也可以根据需要对玻璃基板的第2表面进行清洗。作为清洗方法,可以使用周知的干法清洗、湿法清洗。
在贴合工序中,使带TFT的层叠体的薄膜晶体管形成面和带CF的层叠体的滤色器形成面相对,使用密封剂(例如单元(cell)形成用紫外线固化型密封剂)使其贴合。之后,在由带TFT的层叠体和带CF的层叠体形成的单元内注入液晶材料。作为注入液晶材料的方法,例如有减压注入法、滴加注入法。
(分离工序)
分离工序是如下工序:以树脂层和玻璃基板的界面为剥离面,由在构件形成工序中得到的带电子设备用构件的层叠体分离为层叠有电子设备用构件的玻璃基板(带构件的玻璃基板)和带树脂层的支撑基板,得到包含电子设备用构件和玻璃基板的带构件的玻璃基板。
剥离时的玻璃基板上的电子设备用构件为形成所需的所有构成构件的一部分的情况下,也可以在分离后将剩余的构成构件形成在玻璃基板上。
对将玻璃基板与带树脂层的支撑基板剥离的方法没有特别限定。具体而言,例如可以在玻璃基板与树脂层的界面插入锋利的刀具状物体而形成剥离的起点,进而再吹送水和压缩空气的混合流体,从而进行剥离。优选的是,以带电子设备用构件的层叠体的支撑基板为上侧、电子设备用构件侧为下侧的方式设置在平台上,使电子设备用构件侧真空吸附在平台上(在两面层叠有支撑基板的情况下,依次进行),在该状态下,首先使刀具侵入玻璃基板-树脂层界面。之后,利用多个真空吸盘吸附支撑基板侧,并自插入了刀具的位置附近起依次使真空吸盘上升。由此,在树脂层与玻璃基板的界面、树脂层的内聚破坏面形成空气层,该空气层向界面、凝聚破坏面的整面扩展,能够容易地将支撑基板剥离。
此外,支撑基板可以与新的玻璃基板层叠而制造本发明的玻璃层叠体。
需要说明的是,在将带构件的玻璃基板从带电子设备用构件的层叠体分离时,通过由离子发生器进行的吹送、控制湿度,可以进一步抑制有机硅树脂层的碎片静电吸附于带构件的玻璃基板。
上述的带构件的玻璃基板的制造方法适宜用于制造手机、PDA那样的移动终端所使用的小型显示装置。显示装置主要为LCD或OLED,作为LCD,包括TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上能够适用于无源驱动型、有源驱动型的任意显示装置的情况。
作为用上述方法制造的带构件的玻璃基板,可以举出具有玻璃基板和显示装置用构件的显示装置用面板、具有玻璃基板和太阳能电池用构件的太阳能电池、具有玻璃基板和薄膜二次电池用构件的薄膜二次电池、具有玻璃基板和电子设备用构件的电子部件等。作为显示装置用面板,包括液晶面板、有机EL面板、等离子体显示面板、场致发射面板等。
实施例
以下,通过实施例等对本发明进行具体说明,但本发明并不受这些例子的限定。
在以下的实施例和比较例中,作为玻璃基板,使用由无碱硼硅酸玻璃构成的玻璃板(长200mm、宽200mm、板厚0.2mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子株式会社制造商品名“AN100”)。此外,作为支撑基板,同样使用由无碱硼硅酸玻璃构成的玻璃板(长200mm、宽200mm、板厚0.5mm、线膨胀系数38×10-7/℃、旭硝子株式会社制造商品名“AN100”)。
<实施例1>
首先,将支撑基板的表面用碱性水溶液清洗后,用纯水清洗,使其洁净化。
其后,利用模涂机(涂布速度:40mm/s、排出量:8ml)将后述的溶液X涂布在支撑基板的第1表面上,将未固化的包含交联性有机聚硅氧烷的层(固化性有机硅组合物层)设在支撑基板上,得到带固化性层的支撑基板(涂覆量20g/m2)。
之后,以220℃在大气中加热固化24分钟,得到膜厚8μm的有机硅树脂层。
在得到的有机硅树脂层的露出表面(与支撑基板侧相反的一侧的表面)确认到多个凸部。此外,有机硅树脂层的露出表面的滤波中心线波纹度(滤波中心线波纹度Y)为0.185μm。
(溶液X)
将作为成分(A)的直链状乙烯基甲基聚硅氧烷(AZumaxCompanyLimited.制造,商品名“VDT-127”,25℃下的粘度为700-800cP(厘泊),1mol有机聚硅氧烷中的乙烯基的mol%:0.325)与作为成分(B)的直链状甲基氢聚硅氧烷(AZumaxCompanyLimited.制造,商品名“HMS-301”,25℃下的粘度为25-35cP(厘泊),1分子内的与硅原子键合的氢原子的数量:8个)混合,使得全部乙烯基和与硅原子键合的全部氢原子的摩尔比(氢原子/乙烯基)为0.9,相对于该硅氧烷混合物100质量份,混合1质量份的作为成分(C)的下述式(1)表示的具有乙炔系不饱和基团的硅化合物(沸点:120℃)。
HC≡C-C(CH3)2-O-Si(CH3)3式(1)
接着,相对于成分(A)、成分(B)和成分(C)的总量,以换算为铂时铂金属浓度为100ppm的方式加入铂系催化剂(信越有机硅株式会社制造,商品名“CAT-PL-56”),得到有机聚硅氧烷组合物的混合液。进而,相对于得到的混合液100质量份,加入150质量份的IPsolvent2028(初馏点:200℃,出光兴产制造),得到混合溶液。
接着,通过纯水清洗、UV清洗等对玻璃基板的与有机硅树脂层相接触一侧的面进行洁净化,之后,在室温下,使用真空压制机使支撑基板的有机硅树脂层形成面与玻璃基板贴合,得到具有有机硅树脂层的层叠物。
在得到的层叠物中的玻璃基板的露出表面(与有机硅树脂层侧相反的一侧的表面)确认到多个凸部。需要说明的是,玻璃基板的凸部位于有机硅树脂层的凸部的正上方。此外,玻璃基板的露出表面的滤波中心线波纹度的值与有机硅树脂层的具有凸部的表面的滤波中心线波纹度的值大致相同。
接着,使用OSCAR型研磨机对得到的层叠物的玻璃基板的露出表面进行研磨,得到玻璃层叠体。作为研磨液,使用氧化铈研磨溶液,其中氧化铈颗粒的平均粒径为1.1μm,氧化铈颗粒的含量为4质量%。作为研磨垫,使用绒面革(suede)材料。关于研磨条件,研磨液的供给量为1.4升/分钟,研磨压力为100gf/cm2,下平台的转速为386rpm,研磨时间为300秒。
在研磨结束后的玻璃基板的露出表面(第2表面)残留有凸部,研磨处理后的玻璃基板的露出表面的滤波中心线波纹度比有机硅树脂层的具有凸部的表面的滤波中心线波纹度小。更具体而言,研磨处理后的玻璃基板的露出表面的滤波中心线波纹度(滤波中心线波纹度X)为0.130μm。滤波中心线波纹度Y与滤波中心线波纹度X的差为0.050μm。
此外,在玻璃层叠体中,有机硅树脂层与支撑基板的界面的剥离强度比玻璃基板与有机硅树脂层的界面的剥离强度大。
接着,在氮气环境下以350℃对玻璃层叠体进行60分钟加热处理,冷却至室温后,未确认到玻璃层叠体的支撑基板与玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
之后,将实施了研磨处理的玻璃层叠体中的玻璃基板的露出表面真空吸附在平台上,进而在玻璃基板的4个角部中的1个角部的玻璃基板与有机硅树脂层的界面插入厚度0.1mm的不锈钢制刀具,在玻璃基板与有机硅树脂层的界面形成剥离的起点。然后,用24个真空吸盘吸附支撑基板,之后,从靠近所插入的刀具的角部的吸盘起依次上升。这里,一边由离子发生器(KEYENCECORPORATION制造)向该界面吹送除电性流体一边进行刀具的插入。接着,一边由离子发生器继续向形成的空隙吹送除电性流体,一边使真空吸盘上升。结果,能够在平台上将实施了研磨处理的玻璃基板从玻璃层叠体分离。
观察被分离的玻璃基板的实施了研磨处理的表面,未确认到缺陷等。
<实施例2>
在本例中,使用实施例1制造的玻璃层叠体制作LCD。
准备两块玻璃层叠体,首先,在其中一块玻璃层叠体中的实施了研磨处理的玻璃基板的第2表面上,通过溅射法使钼成膜,通过使用了光刻法的蚀刻形成栅电极。其后,利用等离子CVD法在设置有栅电极的玻璃基板的第2表面侧进一步按照氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的顺序使其成膜,接着,通过溅射法使钼成膜,通过使用了光刻法的蚀刻形成栅绝缘膜、半导体元件部、及源极/漏极。接着,通过等离子CVD法在玻璃基板的第2表面侧进一步使氮化硅成膜而形成钝化层后,通过溅射法使氧化铟锡成膜,通过使用了光刻法的蚀刻形成像素电极。接着,在形成了像素电极的玻璃基板的第2表面上,通过辊涂法涂布聚酰亚胺树脂液,通过热固化形成取向层,并进行摩擦。将得到的玻璃层叠体称为玻璃层叠体A1。
接着,在另一块玻璃层叠体中的实施了研磨处理的玻璃基板的第2表面上,通过溅射法使铬成膜,通过使用了光刻法的蚀刻形成遮光层。接着,在设有遮光层的玻璃基板的第2表面侧,进一步通过模涂法涂布彩色抗蚀剂,并通过光刻法和热固化形成滤色层。接着,在玻璃基板的第2表面侧,进一步通过溅射法使氧化铟锡成膜,形成对电极。接着,在设置有对电极的玻璃基板的第2表面上,通过模涂法涂布紫外线固化树脂液,并通过光刻法和热固化形成柱状间隔物。接着,在形成了柱状间隔物的玻璃基板的第2表面上,通过辊涂法涂布聚酰亚胺树脂液,并通过热固化形成取向层,进行摩擦。接着,在玻璃基板的第2表面侧,通过分配器法(dispensermethod)将密封用树脂液描画成框状,通过分配器法将液晶滴加在框内,之后,使用上述的玻璃层叠体A1,将两块玻璃层叠体的玻璃基板的第2表面侧彼此贴合,并通过紫外线固化和热固化得到具有LCD面板的层叠体。以下,将这里的具有LCD面板的层叠体称为带面板的层叠体B2。
接着,与实施例1同样地,将双面的带树脂层的支撑基板从带面板的层叠体B2剥离,得到包含形成有TFT阵列的基板和形成有滤色层的基板的LCD面板B(相当于电子设备)。
对制成的LCD面板B连接IC驱动器,在常温常压下使其驱动,结果,在驱动区域内未观察到显示不均。此外,即使在高温高湿环境(80℃,80%RH)下使其驱动,也未观察到显示不均。
<实施例3>
在本例中,使用实施例1制造的玻璃层叠体制作电子纸。
在玻璃层叠体中的玻璃基板的第2表面上,通过溅射法使钼成膜,并通过使用了光刻法的蚀刻形成栅电极。接着,通过等离子CVD法在设置有栅电极的玻璃基板的第2表面侧进一步按照氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的顺序使其成膜,接着,通过溅射法使钼成膜,并通过使用了光刻法的蚀刻形成栅绝缘膜、半导体元件部、及源极/漏极。接着,通过等离子CVD法,在玻璃基板的第2表面侧,进一步使氮化硅成膜而形成钝化层后,通过溅射法使氧化铟锡成膜,并通过使用了光刻法的蚀刻形成像素电极。
接着,在另外准备的玻璃板的表面(第1主面)上,通过溅射法使氧化铟锡成膜,并通过使用了光刻法的蚀刻形成对电极。接着,在玻璃板的第1主面上,进一步通过印刷涂布分散有微胶囊的粘接性树脂液。需要说明的是,微胶囊使用平均直径50微米的、在由阿拉伯胶/明胶的复合膜制成的壁膜中以分散有硅油的状态封入由氧化钛形成的白颗粒和由炭黑形成的黑颗粒而制得的胶囊。作为白颗粒的氧化钛带有正电荷,而作为黑颗粒的炭黑使用带有负电荷的物质。
接着,将通过上述步骤而设置有像素电极的玻璃层叠体中的玻璃基板的第2表面侧的表面和上述涂布有粘接性树脂液的玻璃板的第1主面侧的表面贴合。通过上述步骤,得到带支撑基板的电子纸面板(带电子设备用构件的层叠体)。
接着,通过与实施例1同样的方法将带树脂层的支撑基板剥离,得到电子纸面板(相当于电子设备。以下,称为面板B)。
对制成的面板B连接IC驱动器并使其驱动,结果,在驱动区域内未观察到显示不均。
<实施例4~12>
除适当改变制造有机硅树脂层时的加热固化、涂布速度或排出量、和/或研磨处理条件以外,按照与实施例1同样的步骤制造玻璃层叠体。在各实施例得到的玻璃层叠体中,研磨处理后的玻璃基板的露出表面的滤波中心线波纹度比有机硅树脂层的具有凸部的表面的滤波中心线波纹度小。
以下,表1中示出了各实施例得到的玻璃层叠体中的研磨处理后的玻璃基板的露出表面的滤波中心线波纹度(滤波中心线波纹度X)、有机硅树脂层的露出表面的滤波中心线波纹度(滤波中心线波纹度Y)、及滤波中心线波纹度X与滤波中心线波纹度Y的差。
[表1]
需要说明的是,在任一玻璃层叠体中,有机硅树脂层与支撑基板的界面的剥离强度都比玻璃基板与有机硅树脂层的界面的剥离强度大。
此外,在氮气氛围下以350℃对各实施例的玻璃层叠体进行60分钟加热处理,冷却至室温,结果,未观察到各实施例的玻璃层叠体的支撑基板和玻璃基板的分离、有机硅树脂层的发泡、白化等外观上的变化。
进而,按照与实施例1同样的步骤,使用吸盘,进行上述实施了加热处理的各实施例的玻璃层叠体中的玻璃基板的分离,结果,任意玻璃层叠体都能在平台上将实施了研磨处理的玻璃基板从玻璃层叠体分离。
观察所分离的玻璃基板的实施了研磨处理的表面,未发现缺陷等。
进而,分别使用各实施例得到的玻璃层叠体代替实施例1所述的玻璃层叠体,按照与上述实施例2同样的步骤分别制作LCD面板,结果,任意LCD面板中均未观察到显示不均。
此外,分别使用各实施例得到的玻璃层叠体代替实施例1所述的玻璃层叠体,按照与上述实施例3同样的步骤分别制作电子纸面板,结果,任意电子纸面板中均未观察到显示不均。
以上参照特定的实施方式对本发明进行了详细说明,但是在不脱离本发明的主旨和范围的前提下能够增加各种变更、修正,这对本领域技术人员而言是显而易见的。
本申请是基于2014年5月30日申请的日本专利申请2014-113388及2014年10月10日申请的日本专利申请2014-209334的申请,其内容作为参考被援引至本申请中。

Claims (12)

1.一种玻璃层叠体,其具有:支撑基板;配置于所述支撑基板上、并且在与所述支撑基板侧相反的一侧的表面具有凸部的树脂层;以追随所述树脂层的具有所述凸部的表面的形状的方式配置于所述树脂层上的玻璃基板;所述支撑基板与所述树脂层的界面的剥离强度比所述树脂层与所述玻璃基板的界面的剥离强度大,其中,
所述玻璃基板在与所述树脂层侧相反的一侧的表面在所述树脂层的所述凸部的正上方的位置具有凸部,
所述玻璃基板的具有所述凸部的表面的滤波中心线波纹度X比所述树脂层的具有所述凸部的表面的滤波中心线波纹度Y小。
2.根据权利要求1所述的玻璃层叠体,其中,所述玻璃基板的厚度为0.3mm以下。
3.根据权利要求1或2所述的玻璃层叠体,其中,所述树脂层的具有所述凸部的表面的滤波中心线波纹度Y大于0.040μm且为1.00μm以下。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的玻璃层叠体,其中,所述树脂层的具有所述凸部的表面的滤波中心线波纹度Y大于0.040μm且为0.20μm以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的玻璃层叠体,其中,所述滤波中心线波纹度Y与所述滤波中心线波纹度X的差为0.005~0.80μm。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的玻璃层叠体,其中,所述滤波中心线波纹度Y与所述滤波中心线波纹度X的差为0.005~0.080μm。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的玻璃层叠体,其中,所述树脂层的厚度为2~100μm。
8.根据权利要求1~7中任一项所述的玻璃层叠体,其中,所述树脂层为有机硅树脂层。
9.根据权利要求8所述的玻璃层叠体,其中,所述有机硅树脂层为使交联性有机聚硅氧烷固化得到的层,
所述交联性有机聚硅氧烷包含具有烯基的有机烯基聚硅氧烷、和具有与硅原子键合的氢原子的有机氢聚硅氧烷。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的玻璃层叠体,其中,所述支撑基板为玻璃板。
11.一种权利要求1~10中任一项所述的玻璃层叠体的制造方法,其具有对层叠物中的玻璃基板的与树脂层相反的一侧的表面进行研磨的工序,所述层叠物具有:支撑基板;配置于所述支撑基板上、并且在与所述支撑基板侧相反的一侧的表面具有凸部的树脂层;以追随所述树脂层的具有所述凸部的表面的形状的方式配置于所述树脂层上、并且在所述与所述树脂层侧相反的一侧的表面在所述树脂层的所述凸部的正上方的位置具有凸部的玻璃基板,
所述研磨以在所述玻璃基板的所述表面残留凸部、并且所述玻璃基板的具有所述凸部的表面的滤波中心线波纹度X比所述树脂层的具有所述凸部的表面的滤波中心线波纹度Y小的方式实施。
12.一种电子设备的制造方法,其具备如下工序:
构件形成工序,在权利要求1~10中任一项所述的玻璃层叠体中的玻璃基板的所述表面上形成电子设备用构件,得到带电子设备用构件的层叠体;
分离工序,将包含所述支撑基板及所述树脂层的带树脂层的支撑基板从所述带电子设备用构件的层叠体去除,得到具有所述玻璃基板和所述电子设备用构件的电子设备。
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