CN103770401B - 玻璃层叠体的制造方法以及电子元件的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及玻璃层叠体的制造方法和电子元件的制造方法。该玻璃层叠体的制造方法包括：组合物层形成工序，将固化性树脂组合物涂布在支承基板上，从而在上述支承基板上形成未固化的固化性树脂组合物层，该固化性树脂组合物含有：具有烯基的有机聚硅氧烷、具有与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷、铂族金属系催化剂、反应抑制剂和沸点高于上述反应抑制剂的沸点的溶剂；第1去除工序，将上述反应抑制剂从上述固化性树脂组合物层中去除；第2去除工序，在上述第1去除工序之后，将上述溶剂从上述固化性树脂组合物层中去除，而获得带树脂层支承基板；和层叠工序，在上述树脂层的表面上以可剥离的方式层叠玻璃基板，而获得具有玻璃基板的玻璃层叠体。

Description

玻璃层叠体的制造方法以及电子元件的制造方法

技术领域

本发明涉及具有玻璃基板的玻璃层叠体的制造方法以及采用了利用该玻璃层叠体的制造方法制造的玻璃层叠体的电子元件的制造方法。

背景技术

近年来，太阳能电池（PV）、液晶面板（LCD）、有机EL面板（OLED）等元件（电子设备）的薄型化、轻量化正在推进，从而这些元件所使用的玻璃基板的薄板化的趋势也正在推进。当因薄板化而导致玻璃基板的强度不足时，在元件的制造工序中会使玻璃基板的处理性降低。

因此，以往广泛地采用了如下方法：在厚度比最终厚度厚的玻璃基板上形成了元件用构件（例如薄膜晶体管）之后，利用化学蚀刻处理使玻璃基板薄板化。但是，在该方法中，例如在将一块玻璃基板的厚度从0.7mm薄板化至0.2mm或0.1mm的情况下，是利用蚀刻液将原始玻璃基板的材料的大半部分刮掉来进行的，因此，从生产率、原材料的使用效率这样的观点考虑，并不优选。

而且，在上述的利用化学蚀刻的玻璃基板薄板化的方法中，在玻璃基板表面存在细微的伤痕的情况下，会出现如下情况：因进行蚀刻处理而会以伤痕为起点形成细微的凹坑（蚀坑），从而成为光学上的缺陷。

最近，为了应对上述问题而提出了如下方法：准备将玻璃基板和加强板层叠起来而成的玻璃层叠体，在玻璃层叠体的玻璃基板上形成了显示装置等电子元件用构件之后，将加强板从玻璃层叠体分离，从而获得电子元件（例如参照专利文献1、专利文献2）。加强板具有支承基板和固定在该支承基板上的树脂层，树脂层与玻璃基板可剥离地密合。玻璃层叠体的树脂层与玻璃基板之间的界面能够被剥离，自玻璃基板分离后的加强板能够与新的玻璃基板层叠，并作为玻璃层叠体再次利用。

特别是在专利文献2的实施例中公开了如下主旨：使用包含规定的聚有机硅氧烷、铂催化剂、反应抑制剂（HC≡C－C（CH₃）₂－O－Si（CH₃）₃）、以及溶剂（正庚烷）的组合物来形成树脂层。

专利文献1：国际公开第07/018028号

专利文献2：日本特开2011－46174号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明人根据专利文献1和专利文献2所述的方法使用上述组合物制造了玻璃层叠体，但存在这样的情况：在树脂层与玻璃基板之间含有气泡（空隙）。本发明人针对该原因进一步进行了研究，发现该情况主要是因树脂层表面的凹凸引起的。

近年来，伴随着电子元件的高性能化的要求，正推进电子元件用构件的进一步细微化，从而实施的工序更加繁杂化。在这样的状况下也要求以较高的生产率制造性能优异的电子元件。

在使用专利文献1和专利文献2所述的玻璃层叠体制造电子元件时，导电层等功能层形成在玻璃层叠体中的玻璃基板的露出表面上。此时，使用抗蚀液等各种溶液，但是，当在树脂层与玻璃基板之间存在空隙时，在逐渐反复进行输送、加热处理等的过程中，空隙会扩大，各种溶液会因毛细现象而进入空隙。进入空隙中的材料即使通过清洗也难以去除，在干燥后容易作为异物而残留。该异物因加热处理等而成为污染电子元件用构件的污染源，因此，可能会降低电子元件的性能或者降低成品率。

本发明即是鉴于上述问题而做成的，其目的在于，提供一种抑制了在树脂层与玻璃基板之间产生空隙、具有平坦性优异的树脂层的玻璃层叠体的制造方法。

而且，本发明的目的还在于，提供一种采用了利用该玻璃层叠体的制造方法制造的玻璃层叠体的电子元件的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明人为了解决上述问题而进行了锐意研究，结果发现，通过将形成树脂层的组合物中所含的反应抑制剂的沸点和溶剂的沸点控制为规定的关系，并且分两个阶段去除反应抑制剂和溶剂，从而能够解决上述问题。

即，为了达到上述目的，本发明的第1技术方案是一种玻璃层叠体的制造方法，其中，该玻璃层叠体的制造方法包括：组合物层形成工序，将固化性树脂组合物涂布在支承基板上，从而在上述支承基板上形成未固化的固化性树脂组合物层，其中，该固化性树脂组合物含有：具有烯基的有机聚硅氧烷、具有与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷、铂族金属系催化剂、反应抑制剂、以及沸点高于上述反应抑制剂的沸点的溶剂；第1去除工序，将上述反应抑制剂从上述固化性树脂组合物层中去除；第2去除工序，在上述第1去除工序之后，将上述溶剂从上述固化性树脂组合物层中去除，而获得带树脂层支承基板；以及层叠工序，在上述树脂层的表面上以可剥离的方式层叠玻璃基板，而获得具有玻璃基板的玻璃层叠体。

优选的是，在第1技术方案中，组合物层形成工序包括：吸引固定工序，将上述支承基板配置于在表面设有宽度小于上述支承基板的厚度的吸引槽和/或直径小于上述支承基板的厚度的吸引孔的吸引台上，通过经由上述吸引槽和/或上述吸引孔来吸引上述支承基板，从而将上述支承基板吸引固定在上述吸引台上；以及喷出工序，自用于喷出上述固化性树脂组合物的喷出管嘴朝向上述支承基板喷出上述固化性树脂组合物的同时，使吸引固定有上述支承基板的吸引台和喷出管嘴中的至少一者相对移动，从而在上述支承基板上形成上述未固化的固化性树脂组合物层。

优选的是，在第1技术方案中，在上述第1去除工序和/或上述第2去除工序中，将表面具有上述未固化的固化性树脂组合物层的上述支承基板配置在载置于多个支承销的顶部的装定器上，进行上述反应抑制剂的去除和/或上述溶剂的去除。

优选的是，在第1技术方案中，上述树脂层的表面的波纹度曲线（日文：うねり曲線）的最大截面高度（W_t）为0.30μm以下。

优选的是，在第1技术方案中，上述第1去除工序是以大于或等于上述反应抑制剂的沸点且小于上述溶剂的沸点的温度对上述固化性树脂组合物层进行加热的第1加热工序，上述第2去除工序是在上述第1去除工序之后、以大于或等于上述溶剂的沸点的温度对上述固化性树脂组合物层进行加热，而获得带树脂层支承基板的第2加热工序。

本发明的第2技术方案是一种电子元件的制造方法，其中，该电子元件的制造方法包括：构件形成工序，在利用第1技术方案的玻璃层叠体的制造方法制造的玻璃层叠体的上述玻璃基板的表面上形成电子元件用构件，获得带电子元件用构件层叠体；以及分离工序，将上述带树脂层支承基板从上述带电子元件用构件层叠体中去除，获得具有上述玻璃基板和上述电子元件用构件的电子元件。

发明的效果

采用本发明，能够提供一种抑制在树脂层与玻璃基板之间产生空隙、具有平坦性优异的树脂层的玻璃层叠体的制造方法。

而且，采用本发明，还能够提供一种采用了利用该玻璃层叠体的制造方法制造的玻璃层叠体的电子元件的制造方法。

附图说明

图1是表示本发明的电子元件的制造方法的第1实施方式的制造工序的流程图。

图2的（A）～图2的（E）是按照工序的顺序表示本发明的电子元件的制造方法的第1实施方式的示意性的剖视图。

图3是表示本发明的电子元件的制造方法的第2实施方式的制造工序的流程图。

图4的（A）和图4的（B）是将表面形成有固化性树脂组合物层的支承基板载置在表面设有吸引槽的吸引台上的方式的示意性的剖视图，图4的（A）是吸引槽的宽度W大于玻璃基板的厚度T的方式，图4的（B）是吸引槽的宽度W小于玻璃基板的厚度T的方式。

图5的（A）是表示表面设有吸引槽的吸引台的概略立体图。图5的（B）是表示表面设有吸引槽的吸引台的概略俯视图。图5的（C）是图5的（B）的A－A向视概略剖视图。

图6的（A）是表示表面设有吸引孔的吸引台的概略立体图。图6的（B）是表示表面设有吸引孔的吸引台的概略俯视图。图6的（C）是图6的（B）的A－A向视概略剖视图。

图7的（A）是具有升降销的吸引台的示意性的剖视图。图7的（B）是升降销将支承基板顶起的方式的示意性的剖视图。

图8是表示喷出工序的方式的概要图。

图9的（A）是表示表面形成有固化性树脂组合物层的支承基板被载置在支承销的顶部的方式的概略图。图9的（B）是表示在实施了第1去除工序和第2去除工序之后在支承基板上形成了树脂层的方式的概略图。

图10的（A）是表示表面形成有固化性树脂组合物层的支承基板被载置在载置于支承销的顶部的装定器上的方式的概略图。图10的（B）是表示在实施了第1去除工序和第2去除工序之后在支承基板上形成了树脂层的方式的概略图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的优选的实施方式进行说明，但本发明不限于以下的实施方式，能够在不脱离本发明的范围的前提下对以下的实施方式施加各种变形和替换。

此外，在本发明中，以下，将支承基板的层与树脂层之间的界面的剥离强度高于树脂层与玻璃基板的层之间的界面的剥离强度的情况称作树脂层与玻璃基板间可剥离地密合、支承基板与树脂层间相固定。

本发明人发现，现有技术（专利文献1和专利文献2的技术方案）中使用的玻璃层叠体中的树脂层的表面产生凹凸的原因主要是因为在固化性树脂组合物的固化处理阶段树脂层产生凹凸。具体地讲，在以往的方法中，固化性树脂组合物中所含的反应抑制剂和溶剂同时挥发，或者溶剂先挥发，因此，在树脂层表面粗糙的状态下进行固化，从而表面的凹凸变大。

因此，本发明人发现，通过阶段性地进行将固化性树脂组合物层中所含的反应抑制剂去除的第1去除阶段和将残留在固化性树脂组合物层中的溶剂去除的第2去除阶段，能够解决上述问题。通过将去除固化性树脂组合物层中的反应抑制剂和去除溶剂的作业分别分成上述两个阶段，首先，在第1去除阶段将反应抑制剂去除，从而开始在固化性树脂组合物层中进行固化反应。结果，形成树脂的交联结构，之后，在第2去除阶段将溶剂去除时还进一步抑制层的形状发生变化，从而能够获得表面凹凸较少的树脂层。

以下，按照各工序的顺序对玻璃层叠体和电子元件的制造方法进行说明。

第1实施方式

图1是表示本发明的电子元件的制造方法的第1实施方式的制造工序的流程图。如图1所示，电子元件的制造方法包括：组合物层形成工序S102、第1去除工序S104、第2去除工序S106、层叠工序S108、构件形成工序S110、以及分离工序S112。此外，本发明的玻璃层叠体的制造方法包括：上述组合物层形成工序S102、上述第1去除工序S104、上述第2去除工序S106、以及上述层叠工序S108。

以下，详述各工序所使用的材料和各工序的步骤。首先，详述组合物层形成工序S102。

组合物层形成工序

组合物层形成工序S102是这样的工序：将固化性树脂组合物涂布在支承基板上，从而在支承基板上形成未固化的固化性树脂组合物层，其中，该固化性树脂组合物含有：具有烯基的有机聚硅氧烷、具有与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷、铂族金属系催化剂、反应抑制剂以及沸点高于反应抑制剂的沸点的溶剂。通过实施该工序S102，如图2的（A）所示，在支承基板10上形成固化性树脂组合物层12。

以下，首先，详述在该工序S102中使用的材料（支承基板、固化性树脂组合物），之后，详述该工序S102的步骤。

支承基板

支承基板10与后述的树脂层14协作而支承后述的玻璃基板18并起到加强作用，而且，在后述的构件形成工序S110（电子元件用构件的制造工序）中制造电子元件用构件时防止玻璃基板18变形、损伤、破损等。而且，使用支承基板10的目的之一还在于，在使用厚度薄于以往的玻璃基板的厚度的玻璃基板的情况下，通过做成与以往的玻璃基板厚度相同的玻璃层叠体，从而在构件形成工序S110中，能够使用适合于以往的厚度的玻璃基板的制造技术、制造设备。

支承基板10例如能够使用玻璃板、塑料板、SUS板、陶瓷板等的金属板等。在构件形成工序S110伴随着热处理的情况下，支承基板10优选由与玻璃基板18的线膨胀系数之差较小的材料形成，更优选由与玻璃基板18同样的材料形成，优选的是，支承基板10是玻璃板。特别优选的是，支承基板10是由与玻璃基板18相同的玻璃材料构成的玻璃板。

支承基板10的厚度既可以比玻璃基板18厚也可以比玻璃基板18薄。优选的是，根据玻璃基板18的厚度、树脂层14的厚度以及玻璃层叠体的厚度来选择支承基板10的厚度。例如在当前的构件形成工序中设计为对厚度为0.5mm的基板进行处理、且玻璃基板18的厚度与树脂层14的厚度之和为0.1mm的情况下，则将支承基板10的厚度做成0.4mm。通常情况下，支承基板10的厚度优选为0.2mm～5.0mm。

在支承基板10是玻璃板的情况下，出于容易处理、难以产生裂纹等理由，玻璃板的厚度优选为0.08mm以上。而且，出于期望玻璃板具有在形成电子元件用构件之后进行剥离时玻璃板能够适度地挠曲而不产生裂纹的刚性这一理由，玻璃板的厚度优选为1.0mm以下。

支承基板10与玻璃基板18在25℃～300℃条件下的平均线膨胀系数（以下仅称作“平均线膨胀系数”）之差优选为500×10^－7/℃以下，更优选为300×10^－7/℃以下，进一步优选为200×10^－7/℃以下。当差过大时，在构件形成工序S110中进行加热冷却时，可能导致玻璃层叠体剧烈地翘曲、玻璃基板18与后述的带树脂层支承基板16之间剥离。在玻璃基板18的材料与支承基板10的材料相同的情况下，能够抑制产生这样的问题。

固化性树脂组合物

固化性树脂组合物含有：具有烯基的有机聚硅氧烷、具有与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷、铂族金属系催化剂、反应抑制剂以及沸点高于反应抑制剂的沸点的溶剂。该固化性树脂组合物经过后述的第1去除工序S104和第2去除工序S106被固化而成为固化有机硅树脂。

以下，详述该组合物中所含的材料。

有机聚硅氧烷

该组合物中包含：具有烯基的有机聚硅氧烷（以下也称作聚硅氧烷（a））和具有与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷（以下也称作聚硅氧烷（b））。该组合物与所谓的加成反应型有机硅树脂组合物相当，在存在后述的铂族金属系催化剂的条件下，烯基与氢化甲硅烷基（hydrosilylgroup）反应而进行交联反应，从而形成包含有机硅树脂的树脂层14。该树脂层14（有机硅树脂层）的耐热性、剥离性优异。即，树脂层14能够密合于玻璃基板18的表面，并且，其自由表面具有优异的易剥离性。

聚硅氧烷（a）具有与硅原子键合的烯基，其键合位置不受特别限制，能够列举出分子末端或者侧链。

烯基的种类不受特别限制，通常优选的是，碳原子数为2～8的烯基，更优选的是碳原子数为2～4的烯基。例如能够列举出乙烯基（ethenyl）、烯丙基（2－丙烯基）、丁烯基、戊烯基、己烯基、庚烯基等，其中，从耐热性优异这一点考虑，优选的是乙烯基。

聚硅氧烷（a）中所含的烯基的数量不受特别限制，但从使树脂层14的耐热性更加优异这一点考虑，一个分子内优选具有至少两个烯基，更优选具有2～20个烯基。

聚硅氧烷（a）中所含的烯基的含量不受特别限制，但从使树脂层14的耐热性更加优异这一点考虑，相对于聚硅氧烷（a）中的所有与硅原子键合的有机基团，烯基的含量优选为0.001mol%～10mol%，更优选为0.01mol%～5mol%。

聚硅氧烷（a）也可以具有烯基以外的与硅原子键合的有机基团（以下也称作“硅原子键合有机基团”），只要不包含脂肪族不饱和键即可，其不受特别限制，例如能够列举出非取代或者取代的一价烃基（碳原子数优选为1～12，更优选为1～10）。作为该非取代或取代的一价烃基，可列举出例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基等烷基；环己基等环烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；苄基、苯乙基等芳烷基；这些基团的氢原子的一部分或全部被氯原子、氟原子、溴原子等卤素原子取代的氯甲基、3-氯丙基、3,3,3-三氟丙基等卤化烷基等，优选为烷基、芳基、更优选为甲基、苯基。

聚硅氧烷（b）具有与硅原子键合的氢原子，其键合位置不受特别限制，能够列举出分子末端或者侧链。

聚硅氧烷（b）中所含的氢原子的数量不受特别限制，但从使树脂层14的耐热性更加优异这一点考虑，一个分子中优选具有至少两个氢原子，更优选具有至少3个氢原子。上限不受特别限制，通常优选为500个以下，更优选为200个以下。

聚硅氧烷（b）也可以具有氢原子以外的与硅原子键合的有机基团，能够例示出上述硅原子键合有机基团等。

聚硅氧烷（b）中的与硅原子键合的氢原子的含量不受特别限制，但从使树脂层14的耐热性更加优异这一点考虑，相对于聚硅氧烷（b）中的所有与硅原子键合的有机基团和所有与硅原子键合的氢原子的总量，与硅原子键合的氢原子优选为0.1mol%～60mol%，更优选为1mol%～50mol%。

聚硅氧烷（a）和聚硅氧烷（b）的分子结构不受特别限定，例如能够列举出直链状、环状、支链状等。

聚硅氧烷（a）和聚硅氧烷（b）的粘度不受特别限制，但从使固化性树脂组合物层12的成膜性更加优异这一点考虑，25℃下的粘度优选为0.1cP～5000cP（厘泊），更优选为0.5cP～1000cP，进一步优选的是5cP～500cP。

组合物中的聚硅氧烷（a）与聚硅氧烷（b）的含有比率不受特别限定，优选的是，将聚硅氧烷（b）中的与硅原子键合的氢原子与聚硅氧烷（a）中的所有烯基的摩尔比（氢原子/烯基）调整为0.7～1.05。其中，优选的是将含有比率调整为0.8～1.0。只要在上述范围内，就能够抑制长时间放置时的剥离力的上升，并且耐化学药品性更加优异。

作为聚硅氧烷（a）和聚硅氧烷（b），例如能够列举出：乙烯基有机硅“8500”（荒川化学工业社制）与甲基氢聚硅氧烷“12031”（荒川化学工业社制）的组合、乙烯基有机硅“11364”（荒川化学工业社制）与甲基氢聚硅氧烷“12031”（荒川化学工业社制）的组合、乙烯基有机硅“11365”（荒川化学工业社制）与甲基氢聚硅氧烷“12031”（荒川化学工业社制）的组合等。

铂族金属系催化剂

铂族金属系催化剂（氢化硅烷化用铂族金属催化剂）是用于进行/促进上述聚硅氧烷（a）中的烯基与上述聚硅氧烷（b）中的氢原子之间的氢化硅烷化反应的催化剂。

铂族金属系催化剂能够列举出铂系、钯系、铑系等催化剂，从经济性、反应性的方面考虑，特别优选的是使用铂系催化剂。作为铂系催化剂，能够使用公知的物质。具体地讲，能够列举出铂微粉末、铂黑、氯亚铂酸、氯铂酸等氯铂酸、四氯化铂、氯铂酸的醇化物、醛化合物、或者铂的烯烃络合物、烯基硅氧烷络合物、羰基络合物等。

组合物中的铂族金属催化剂的含量不受特别限制，以与聚硅氧烷（a）与聚硅氧烷（b）的总质量的质量比计，优选为2ppm～400ppm，更优选为5ppm～300ppm，特别优选为8ppm～200ppm。

反应抑制剂

反应抑制剂（氢化硅烷化用反应抑制剂）是用于抑制上述铂族金属系催化剂在常温下的催化活性、从而延长本发明的组合物的可用时间的所谓的适用期延长剂（也称作延迟剂）。

作为反应抑制剂，例如能够列举出各种有机氮化合物、有机磷化合物、炔系化合物、肟化合物、有机氯化合物等。特别优选的是炔系化合物（例如炔醇类和炔醇的甲硅烷基化物）。

作为反应抑制剂，更具体而言，可例示出：1-乙炔基-1-环己醇、2-甲基-3-丁炔-2-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇、2-乙炔基异丙醇、2-乙炔基丁烷-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇等炔系醇类；三甲基(3,5-二甲基-1-己炔-3-氧基)硅烷、甲基乙烯基双(3-甲基-1-丁炔-3-氧基)硅烷、((1,1-二甲基-2-丙炔基)氧基)三甲基硅烷等甲硅烷基化炔系醇类；马来酸二烯丙酯、马来酸二甲酯、富马酸二乙酯、富马酸二烯丙酯、双(甲氧基异丙基)马来酸酯等不饱和羧酸酯类；2-异丁基-1-丁烯-3-炔、3,5-二甲基-3-己烯-1-炔、3-甲基-3-戊烯-1-炔、3-甲基-3-己烯-1-炔、1-乙炔基环己烯、3-乙基-3-丁烯-1-炔、3-苯基-3-丁烯-1-炔等共轭烯-炔类；1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷等乙烯基环四硅氧烷类等。

反应抑制剂的沸点不受特别限制，但从容易去除、且能够进一步防止在通过加热将该反应抑制剂去除时树脂层14发生劣化的方面考虑，优选为250℃以下，更优选为200℃以下。下限不受特别限制，但从使组合物的贮藏稳定性更加优异这一点考虑，优选为50℃以上，更优选为80℃以上。

组合物中的反应抑制剂的含量不受特别限制，但优选的是，相对于上述聚硅氧烷（a）与聚硅氧烷（b）的总和100质量份，组合物中的反应抑制剂的含量在0.00001质量份～5质量份的范围内。

此外，组合物中也可以包含两种以上的反应抑制剂，但在该情况下，需要使后述的溶剂的沸点高于反应抑制剂中的沸点最高的反应抑制剂的沸点。

溶剂

溶剂包含在组合物中直至在后述的第1去除工序S104中以及第2去除工序S106中被去除为止，其用于提高组合物的处理性（成膜性等）。

组合物中所含的溶剂的沸点高于上述反应抑制剂的沸点。在溶剂的沸点高于反应抑制剂的沸点的情况下，能够在第1去除工序S104中优先将反应抑制剂去除。由此，能够在残留有溶剂的状态下的固化性树脂组合物层中进行固化反应，能够抑制使溶剂挥发时在该组合物层的表面等产生因溶剂挥发而引起的凹凸等。在溶剂的沸点为反应抑制剂的沸点以下的情况下，在第1去除工序S104中，溶剂与反应抑制剂同时挥发或者溶剂先挥发，结果，形成了表面凹凸大的树脂层。

溶剂的沸点不受特别限制，但从容易去除、且能够进一步防止在通过加热将该溶剂去除时树脂层14发生劣化的方面考虑，优选为270℃以下，更优选为250℃以下，进一步优选为230℃以下。下限不受特别限制，但从使组合物的贮藏稳定性更加优异这一点考虑，优选为50℃以上，更优选为80℃以上。

而且，溶剂的沸点与反应抑制剂的沸点之差不受特别限制，但从能够进一步抑制树脂层14表面的凹凸这一点考虑，优选为50℃以上，更优选为80℃以上。上限不受特别限制，但从在通过加热将溶剂去除时能够使加热温度更低的方面考虑，优选为150℃以下，更优选为100℃以下。

对于溶剂的种类，只要与反应抑制剂的沸点满足规定的关系则没有特别限制，例如可例示出：邻二甲苯、间二甲苯、对二甲苯、1,2,4-三甲基苯、1,3,5-三甲基苯、1,2,4,5-四甲基苯、正十二烷基苯、环己基苯等芳香烃化合物；正癸烷、异癸烷、正十一烷、正十二烷、正十三烷、正十四烷、环辛烷等链状或环状的脂肪烃化合物或由它们中的二种以上的混合物形成的链烷烃系混合溶剂、异链烷烃系混合溶剂；苯甲酸乙酯、邻苯二甲酸二乙酯等酯化合物；二丁醚、苯甲醚、苯乙醚等醚化合物、以及这些有机溶剂的二种以上的混合物。

此外，组合物中也可以包含两种以上的溶剂，但在该情况下，需要使溶剂中沸点最低的溶剂的沸点高于所含的反应抑制剂的沸点。

组合物中的溶剂与反应抑制剂的含量比不受特别限制，但从能够进一步抑制树脂层14的凹凸这一点考虑，质量比（溶剂的质量/反应抑制剂的质量）优选为40～400，更优选为60～150。

组合物中的溶剂的含量不受特别限制，但从使固化性树脂组合物层的成膜性更加优异这一点考虑，溶剂的含量相对于组合物总量优选为20质量%～70质量%，更优选为30质量%～60质量%。

其他添加剂

该组合物中也可以根据需要包含其他任意成分。作为任意的成分，能够列举出：干法二氧化硅、湿法二氧化硅、烧结二氧化硅、结晶性二氧化硅、氧化钛、氧化铝、碳酸钙、炭黑等无机填充剂；环氧树脂、氟树脂等有机树脂微粉末；银、铜等导电性金属粉末；以及染料、颜料。

包含上述成分的组合物的粘度不受特别限制，但从使固化性树脂组合物层12的成膜性更加优异这一点考虑，25℃下的粘度优选为0.5cP～100cP（厘泊），更优选为5cP～50cP。

工序S102的步骤

将上述固化性树脂组合物涂布在支承基板10的表面上的方法不受特别限制，能够采用公知的方法。例如、作为涂布方法，能够列举出喷涂法、挤压式涂布法、旋转涂布法、浸涂法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。能够根据固化性树脂组合物的种类适当地从这些方法中进行选择。

而且，固化性树脂组合物的涂布量不受特别限制，但从树脂层14能够获得适当的厚度这一点考虑，优选为1g/m²～100g/m²，更优选为5g/m²～20g/m²。

此外，优选的是，在支承基板10表面上形成待成为树脂层14的固化性树脂组合物层12之后，在实施后述的第1去除工序S104之前，将具有固化性树脂组合物层12的支承基板10静置。通过静置规定时间，能够提高固化性树脂组合物层12的表面的平坦性，能够进一步抑制固化时树脂层14的表面粗糙的情况。

静置时的温度不受特别限制，只要是在低于反应抑制剂的沸点的温度的条件下静置即可，优选的是0℃～100℃，更优选的是0℃～室温（25℃左右）。

静置时间不受特别限制，但从使树脂层14的平坦性与生产率这两者的平衡更加优异这一点考虑，优选为30秒～1小时，更优选为1分钟～10分钟。

第1去除工序

第1去除工序S104是这样的工序：在上述组合物层形成工序S102之后，将反应抑制剂从固化性树脂组合物层12中去除。通过实施该工序S104，从而将反应抑制剂从固化性树脂组合物层12中去除，开始在固化性树脂组合物层12中进一步进行聚硅氧烷（a）与聚硅氧烷（b）之间的加成反应，使该组合物层12成为半固化状态。

该工序S104的步骤不受特别限制，只要能够将反应抑制剂去除就可以实施任何方法。例如能够列举出：以大于或等于上述反应抑制剂的沸点且小于上述溶剂的沸点的温度对固化性树脂组合物层12进行加热的方法（第1加热工序）、或者通过进行不使固化性树脂组合物层12中的溶剂挥发而使反应抑制剂挥发的减压处理来将反应抑制剂从固化性树脂组合物层12中去除的方法等。从能够更具有选择性地去除反应抑制剂这一点考虑，优选的是上述第1加热工序。

以下，主要详述第1加热工序。

该工序S104中的加热温度优选为大于或等于上述反应抑制剂的沸点且小于上述溶剂的沸点的温度。

其中，从能够进一步抑制树脂层14的表面凹凸这一点考虑，更优选为高于反应抑制剂的沸点的温度，进一步优选为高于反应抑制剂的沸点10℃以上的温度。

而且，从进一步抑制树脂层14的表面凹凸这一点考虑，优选为低于溶剂的沸点20℃以上的温度，更优选为低于溶剂的沸点10℃以上的温度。

加热时间根据所使用的反应抑制剂和溶剂的种类适当地选择最佳的条件，但从使生产率优异、进一步抑制树脂层14的表面凹凸的方面考虑，优选为30秒～两小时，更优选为1分钟～1小时。

加热的方法不受特别限制，能够使用炉等公知的加热装置。

此外，在该工序S104中，在不损害本发明的效果的范围内，也可以使固化性树脂组合物层12中的溶剂的一部分挥发。

第2去除工序

第2去除工序S106是这样的工序：在上述第1去除工序S104之后，将残留在固化性树脂组合物层中的溶剂去除而使固化性树脂组合物层固化，从而获得树脂层。使固化性树脂组合物层12中的溶剂挥发，而进一步在该组合物层12内进行加成反应（固化反应），如图2的（B）所示，在支承基板10上形成树脂层14。

该工序S106的步骤不受特别限制，只要能够将溶剂去除就可以实施任何方法。例如能够列举出：在上述第1去除方法之后、以大于或等于上述溶剂的沸点的温度对固化性树脂组合物层12进行加热的方法（第2加热工序）、或者通过进行使溶剂挥发的减压处理来将溶剂从固化性树脂组合物层12中去除的方法等。

其中，从进一步进行在该组合物层12内的加成反应（固化反应）这一点考虑，优选的是上述第2加热工序。

以下，主要详述第2加热工序。

该工序S106中的加热温度优选为大于或等于上述溶剂的沸点的温度。其中，从进一步抑制树脂层14的表面凹凸这一点考虑，更优选为高于溶剂的沸点10℃以上的温度。

加热时间根据所使用的溶剂的种类适当地选择最佳的条件，但从使生产率优异、进一步抑制树脂层14的表面凹凸的方面考虑，优选为5分钟～两个小时，更优选为10分钟～1小时。

加热的方法不受特别限制，能够使用炉等公知的加热装置。

树脂层

经过上述工序S106形成的树脂层14固定在支承基板10的至少一个面上，而且，与后述的玻璃基板18可剥离地密合。树脂层14在直至进行将玻璃基板18与支承基板10分离的操作为止防止玻璃基板18错位，并且，容易通过分离操作自玻璃基板18剥离，防止玻璃基板18等因分离操作而破损。而且，树脂层14固定于支承基板10，在分离操作时树脂层14与支承基板10不会剥离，通过分离操作能够获得带树脂层支承基板16。此外，优选的是，为了通过分离操作容易地将树脂层14与玻璃基板18之间的界面剥离，在开始进行分离操作时，在该界面设置剥离起点来进行剥离。

树脂层14的与玻璃基板18相接的树脂层表面14a与玻璃基板18的第1主表面18a可剥离地密合。在本发明中，将该树脂层表面14a的能够容易地剥离的性质称作易剥离性（剥离性）。

在本发明中，上述固定与（可剥离的）密合在剥离强度（即剥离所需的应力）上不同，意味着固定的剥离强度比密合的剥离强度大。而且，可剥离的密合是指在能够剥离的同时还意味着在不使固定着的面发生剥离的前提下就能够剥离。具体的意思是指，在本发明的玻璃层叠体中，在进行了使玻璃基板18与支承基板10分离的操作的情况下，在密合着的面发生剥离，在固定着的面不发生剥离。因而，在进行将玻璃层叠体分离成玻璃基板18和支承基板10的操作时，玻璃层叠体被分离成玻璃基板18和带树脂层支承基板16这两部分。

即，与树脂层14的对玻璃基板18的第1主表面18a的结合力相比，树脂层14的对支承基板10的表面的结合力相对较高。因此，树脂层14与支承基板10之间的剥离强度高于树脂层14与玻璃基板18之间的剥离强度。

树脂层14优选利用粘合力、粘着力等较强的结合力固定于支承基板10表面。通常，通过使上述固化性树脂组合物在支承基板10表面进行反应固化，从而将树脂层14粘合在支承基板10表面。而且，也能够实施使支承基板10表面与树脂层14之间产生较强的结合力的处理（例如使用偶联剂的处理）来提高支承基板10表面与树脂层14之间的结合力。

另一方面，使树脂层14以较弱的结合力结合于玻璃基板18的第1主表面，例如优选的是，利用固体分子之间的范德华力产生的结合力使它们结合。与玻璃基板18相接之前的树脂层表面14a是易剥离性的表面，通过使该易剥离性的树脂层表面14a与玻璃基板18的第1主表面18a相接触，能够使这两个表面以较弱的结合力结合。

树脂层14的厚度不受特别限定，优选的是1μm～100μm，更优选的是5μm～30μm，进一步优选的是7μm～20μm。原因在于，当树脂层14的厚度在这样的范围内时，树脂层14与后述的玻璃基板18之间的密合充分。而且，即使是在树脂层14与玻璃基板18之间夹杂异物的情况下，也能够进一步抑制玻璃基板18产生应变缺陷。而且，当树脂层14的厚度过厚时，需要形成所需的时间和材料，因此并不经济。

树脂层14的表面优选为平坦，特别是，树脂层14的表面的波纹度曲线的最大截面高度（W_t）优选为0.300μm以下。树脂层14的表面波纹度只要在上述范围内，就能够进一步抑制在树脂层14与玻璃基板18之间产生气泡。其中，波纹度曲线的最大截面高度（W_t）优选为0.200μm以下，更优选为0.100μm以下。此外，下限不受特别限制，但0.010μm以上的情况较多。

“表面波纹度”是使用公知的触针式的表面形状测量装置对JISB－0610（1987）中所记载的波纹度曲线的最大截面高度（W_t）进行测量而得到的值。此外，在本发明中，滤波波纹度曲线的取样值为0.8mm，测量长度为40mm。

层叠工序

层叠工序S108是这样的工序：在上述第2去除工序S106中获得的带树脂层支承基板16的树脂层14的表面（树脂层表面14a）上以可剥离的方式层叠玻璃基板。更具体地讲，如图2的（C）所示，通过该工序S108，在带树脂层支承基板16的树脂层14的表面上层叠玻璃基板18，能够获得玻璃层叠体20。

此外，可剥离是指这样的性质：在对后述的带电子元件用构件层叠体施加了用于将带树脂层支承基板16剥离的外力的情况下，在支承基板10与树脂层14之间的界面以及树脂层14内部不会发生剥离，而是在玻璃基板18与树脂层14之间的界面进行剥离。

首先，详述在该工序S108中使用的玻璃基板18，之后，详述该工序S108的步骤。

玻璃基板

就玻璃基板18而言，第1主表面18a与树脂层14相密合，在与树脂层14侧相反的一侧的第2主表面18b设置后述的电子元件用构件。

玻璃基板18的种类可以是通常的玻璃基板种类，例如能够列举出LCD、OLED这样的显示装置用的玻璃基板等。玻璃基板18的耐化学药品性、耐透湿性优异，且热收缩率较低。热收缩率的指标能够使用JISR3102（1995年修订）所规定的线膨胀系数。

由于构件形成工序S110大多伴有加热处理，因此，当玻璃基板18的线膨胀系数大时，容易产生各种不良情况。例如在玻璃基板18上形成TFT的情况下，当对加热条件下形成有TFT的玻璃基板18进行冷却时，可能会因玻璃基板18的热收缩而导致TFT的错位过大。

玻璃基板18能够通过将玻璃原料熔融、并将熔融玻璃成形成板状来获得。这样的成形方法可以是通常的成形方法，例如能够使用浮法、熔融法、狭缝下拉法、垂直引上法、校准法等。而且，特别是针对厚度较薄的玻璃基板18而言，能够通过如下的方法进行成形来获得：将暂时成形为板状的玻璃加热至能够成形的温度，通过延伸等方法将其拉伸而使其变薄（平拉法）。

玻璃基板18的玻璃不受特别限定，优选的是无碱硅酸硼玻璃、硅酸硼玻璃、钠钙玻璃、高硅玻璃、其他以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃，优选的是换算为氧化物的情况下氧化硅的含量为40质量%～90质量%的玻璃。

玻璃基板18的玻璃采用适合于电子元件用构件的种类、其制造工序的玻璃。例如就液晶面板用的玻璃基板而言，由于碱金属成分的溶出容易对液晶产生影响，因此，液晶面板用的玻璃基板是由实质上不含碱金属成分的玻璃（无碱玻璃）构成的（但是通常含有碱土类金属成分）。这样，玻璃基板的玻璃能够根据所应用的元件的种类以及其制造工序适当地进行选择。

从玻璃基板18的薄型化和/或轻量化的观点考虑，玻璃基板18的厚度为0.3mm以下，进一步优选的是0.15mm以下。在大于0.3mm的情况下，无法满足玻璃基板18的薄型化和/或轻量化的要求。在小于或等于0.3mm的情况下，能够赋予玻璃基板18良好的挠性。在小于或等于0.15mm的情况下，能够将玻璃基板18卷成卷状。

而且，出于容易制造玻璃基板18、容易处理玻璃基板18等理由，玻璃基板18的厚度优选为0.03mm以上。

此外，玻璃基板18也可以由两层以上的材料构成，在该情况下，形成各层的材料既可以是同种类的材料，也可以是不同种类的材料。而且，在该情况下，“玻璃基板18的厚度”是指所有层的总厚度。

工序S108的步骤

在本工序S108中，准备上述的带树脂层支承基板16和玻璃基板18，将带树脂层支承基板16的树脂层表面14a和玻璃基板18的第1主表面18a作为层叠面并使两者密合而层叠起来。树脂层14的树脂层表面14a基于作为构成层的材料的有机硅树脂的性质而具有易剥离性，通过通常的重叠和加压就能够容易地使它们可剥离地密合。

将玻璃基板18层叠在树脂层14上的方法不受特别限制，能够采用公知的方法。

例如能够列举出这样的方法：在常压环境下将玻璃基板18重叠在具有易剥离性的树脂层14的表面（树脂层表面14a）上之后，使用辊、压板将树脂层14与玻璃基板18压接起来。利用辊、压板将它们压接起来，从而使树脂层14与玻璃基板18进一步密合，因此是优选的。而且，通过利用辊或者压板进行的压接，能够较容易地将混入树脂层14与玻璃基板18之间的气泡去除，因此是优选的。

若通过真空叠压法、真空加压法进行压接，则能够抑制气泡混入、确保良好的密合，因此是更优选的。通过在真空条件下进行压接，还具有如下这样的优点：即使是在残留有微小的气泡的情况下，在加热的作用下也不会使气泡变大，从而难以导致玻璃基板18产生应变缺陷。

在欲使树脂层14可剥离地密合于玻璃基板18的第1主表面18a时，优选的是，对树脂层14和玻璃基板18之间相互接触的一侧的面充分地进行清洗，并在清洁度较高的环境下将它们层叠起来。即使在树脂层14与玻璃基板18之间混入了异物，由于树脂层14能够变形，因此也不会对玻璃基板18的表面的平坦性产生影响，但是，由于清洁度越高，玻璃基板18的平坦性越良好，因此是优选的。

玻璃层叠体

本发明的玻璃层叠体20能够用作各种用途，例如能够列举出制造后述的显示装置用面板、PV、薄膜二次电池、表面形成有电路的半导体晶圆等电子零件的用途等。此外，在该用途的情况下，大多将玻璃层叠体20暴露在高温条件（例如300℃以上）下（例如1小时以上）。

在此，显示装置用面板包括：LCD、OLED、电子纸、等离子体显示面板、场发射面板、量子点LED面板、MEMS（MicroE1ectroMechanica1Systems）快门面板（日文：シャッターパネル）等。

构件形成工序

构件形成工序S110是这样的工序：在上述层叠工序S108获得的玻璃层叠体中的玻璃基板的表面上形成电子元件用构件。

更具体地讲，如图2的（D）所示，通过该工序S110，在玻璃基板18的第2主表面18b上形成电子元件用构件22，获得带电子元件用构件层叠体24。

首先，详述本工序S110所使用的电子元件用构件22，之后，详述工序S110的步骤。

电子元件用构件（功能性元件）

电子元件用构件22是形成在玻璃层叠体20中的玻璃基板18的第2主表面18b上、并用于构成电子元件的至少一部分的构件。更具体地讲，作为电子元件用构件22，能够列举出显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池、或者表面形成有电路的半导体晶圆等电子零件等所使用的构件。作为显示装置用面板，包括：有机EL面板、等离子体显示面板、场发射面板等。

例如作为太阳能电池用构件，硅型太阳能电池用构件能够列举出作为正极的氧化锡等透明电极、用p层/i层/n层表示的硅层、以及作为负极的金属等，其他类型的太阳能电池用构件能够列举出与化合物型、染料敏化型、量子点型等相对应的各种构件等。

而且，作为薄膜二次电池用构件，锂离子型薄膜二次电池用构件能够列举出作为正极和负极的金属或者金属氧化物等透明电极、作为电解质层的锂化合物、作为集电层的金属、作为密封层的树脂等，其他类型的薄膜二次电池用构件能够列举出与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等相对应的各种构件等。

而且，作为电子零件用构件，CCD、CMOS电子零件用构件能够列举出作为导电部的金属、作为绝缘部的氧化硅、氮化硅等，其他电子零件用构件能够列举出与压力传感器·加速度传感器等各种传感器、刚性印刷基板、挠性印刷基板、刚挠性印刷基板等相对应的各种构件等。

工序的步骤

上述的带电子元件用构件层叠体24的制造方法不受特别限定，能够根据电子元件用构件的构成构件的种类，利用以往公知的方法在玻璃层叠体20的玻璃基板18的第2主表面18b上形成电子元件用构件22。

此外，电子元件用构件22并不是最终形成在玻璃基板18的第2主表面18b上的构件的全部（以下称作“所有构件”），也可以是所有构件中的一部分（以下称作“部分构件”）。也能够将从树脂层14剥离下来的、带部分构件玻璃基板在之后的工序中作为带所有构件玻璃基板（与后述的电子元件相当）。

而且，也可以在从树脂层14剥离下来的、带所有构件玻璃基板的剥离面（第1主表面）上形成其他电子元件用构件。而且，也能够将带所有构件层叠体组装起来，之后，将带树脂层支承基板16从带所有构件层叠体中剥离，从而制造电子元件。而且，也能够使用两块带所有构件层叠体来组装电子元件，之后，将两块带树脂层支承基板16从带所有构件层叠体中剥离，从而制造电子元件。

例如以制造OLED的情况为例，为了在玻璃层叠体20的与玻璃基板18的树脂层14侧相反的一侧的表面上（与玻璃基板的第2主表面18b相当）形成有机EL构造体，而进行如下各种层形成、处理作业：形成透明电极；进而在形成有透明电极的面上蒸镀空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层等；形成背面电极；使用密封板进行密封等。这些层形成、处理作业具体能够列举出例如成膜处理、蒸镀处理、密封板的粘合处理等。

而且，例如TFT－LCD的制造方法具有如下工序等各种工序：TFT形成工序，使用抗蚀液在通过CVD法和溅射法等通常的成膜法形成的金属膜和金属氧化膜上形成图案从而在玻璃层叠体20的玻璃基板18的第2主表面18b上形成薄膜晶体管（TFT）；CF形成工序，使用抗蚀液形成图案，从而在另一玻璃层叠体的玻璃基板的第2主表面1上形成滤色层（CF）；以及粘贴工序，借助密封将在TFT形成工序获得的带TFT层叠体和在CF形成工序获得的带CF层叠体以TFT与CF相互面对的方式层叠起来。

在TFT形成工序、CF形成工序中，采用公知的光刻技术、蚀刻技术等在玻璃基板的第2主表面形成TFT、CF。此时，能够将抗蚀液用作图案形成用的涂敷液。

此外，在形成TFT、CF之前，也可以根据需要对玻璃基板的第2主表面进行清洗。清洗方法能够使用公知的干法清洗、湿法清洗。

在粘贴工序中，例如在带TFT层叠体与带CF层叠体之间注入液晶材料来将它们层叠起来。作为注入液晶材料的方法，例如有减压注入法、滴下注入法。

分离工序

分离工序S112是这样的工序：将带树脂层支承基板16从上述构件形成工序S110获得的带电子元件用构件层叠体24中去除，获得包含玻璃基板和电子元件用构件的电子元件。

更具体地讲，如图2的（E）所示，通过该工序S112，将带树脂层支承基板16从带电子元件用构件层叠体24中分离、去除，能够获得包含玻璃基板18和电子元件用构件22的电子元件26。

在剥离时玻璃基板上的电子元件用构件为形成所需的所有构成构件的一部分的情况下，也能够在分离之后将其余的构成构件形成在玻璃基板上。

以下，详述该工序S112的步骤。

将玻璃基板18的第1主表面18a与树脂层14的表面（树脂层表面14a）剥离的方法不受特别限定。具体地讲，例如能够以如下方式来剥离：将锋利的刃具状构件插入玻璃基板18与树脂层14之间的界面而给予了剥离的契机，之后，再对该界面吹送水与压缩空气的混合流体。优选的是，以带电子元件用构件层叠体24的支承基板10位于上侧、电子元件用构件22侧位于下侧的方式将带电子元件用构件层叠体24设置在平台上，将电子元件用构件22侧真空吸附在平台上（在两个面均层叠有支承基板的情况下，逐次进行该过程），在该状态下，首先将刃具插入玻璃基板18－树脂层14间的界面。而且，之后利用多个真空吸附垫吸附支承基板10侧，并自插入了刃具的位置附近依次使真空吸附垫上升。于是，向树脂层14与玻璃基板18之间的界面形成空气层，该空气层遍布界面的整个面，从而能够容易地将支承基板10剥离。

而且，在将带树脂层支承基板16从带电子元件用构件层叠体24中去除时，利用电离器的吹送、对湿度进行控制，能够抑制可能会对电子元件26产生影响的静电。或者也可以在电子元件26安装能够消耗静电的电路，或者安装虚拟电路从而能够自端子部导通到层叠体之外。

由上述工序S112获得的电子元件26优选用于制造移动电话、PDA那样的移动终端所使用的小型的显示装置。显示装置主要是指LCD或者OLED，作为LCD，包含：TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上在无源驱动型、有源驱动型的任一显示装置的情况下都能够应用。

第2实施方式

图3是表示本发明的电子元件的制造方法的第2实施方式的制造工序的流程图。如图3所示，电子元件的制造方法包括：组合物层形成工序S102、第1去除工序S104、第2去除工序S106、层叠工序S108、构件形成工序S110、以及分离工序S112，组合物层形成工序S102由吸引固定工序S114和喷出工序S116构成。如后所述，在本实施方式中，能够进一步抑制树脂层14的表面凹凸。此外，在玻璃层叠体的制造方法的第2实施方式中，第1实施方式中的组合物层形成工序S102也由吸引固定工序S114和喷出工序S116构成。

在图3所示的各工序中，除了组合物层形成工序S102是由吸引固定工序S114和喷出工序S116构成的这一点之外，其他步骤与图1所示的工序的步骤相同，对相同的工序标注相同的附图标记并省略其说明，以下，主要对吸引固定工序S114和喷出工序S116进行说明。

吸引固定工序

吸引固定工序S114是这样的工序：将支承基板配置在吸引台上，其中，在吸引台的表面设有宽度小于支承基板的厚度的吸引槽和/或直径小于支承基板的厚度的吸引孔，经由吸引槽和/或吸引孔来吸引支承基板，从而将支承基板吸引固定在吸引台上。通过实施该工序S114，从而将支承基板固定在吸引台上，在进行后述的喷出工序S116时，能够抑制支承基板发生错位等。

该工序S114具有如下特征，设于吸引台的吸引槽的宽度和吸引孔的直径小于载置在吸引台上的支承基板的厚度。

本发明人发现，树脂层的表面凹凸的程度受吸引固定支承基板时吸引槽和吸引孔的大小的影响。具体使用图4的（A）和图4的（B）进行说明。图4的（A）表示的是表面配置有固化性树脂组合物层12的支承基板10被载置在设有吸引槽28a的吸引台30a上的方式，在该方式中，吸引槽28a的宽度W1大于支承基板10的厚度T。

固化性树脂组合物层12受其相邻的支承基板10的温度的影响，并且还隔着支承基板10受来自吸引台30a的影响。此时，来自吸引台30a的传热量在位于吸引台30a的吸引槽28a所在的位置的上部的固化性树脂组合物层12a与在位于吸引台30a的吸引槽28a以外的部分所在的位置的上部的固化性树脂组合物层12b之间不同。原因在于，在支承基板10的与吸引台30a相接触的区域（接触区域）与支承基板10的不与吸引台30a相接触的区域（非接触区域。即吸引槽28a所在的区域）之间存在温度差。结果，覆膜的干燥程度在固化性树脂组合物层12a与在固化性树脂组合物层12b之间不同，如图4的（A）所示，固化性树脂组合物层12a中的靠近固化性树脂组合物层12b的部分容易产生微小凹凸，结果存在树脂层14的表面凹凸变大的情况。

另一方面，如图4的（B）所示，在吸引槽28a的宽度W2小于支承基板10的厚度T的方式中，向固化性树脂组合物层12a的导热量和向固化性树脂组合物层12b的导热量间的差异更小，从而能够进一步抑制产生微小凹凸。

以下，首先，详述该工序S114所使用的吸引台30a（以及吸引台30b），之后，详述工序S114的步骤。

吸引台

吸引台用于将支承基板载置在其表面上并保持该支承基板。

图5的（A）～图5的（C）表示的是吸引台的第1实施方式，图5的（A）～图5的（C）所示的吸引台30a形成有在其表面开口的吸引槽28a。多条（在图5的（A）～图5的（C）中为4条）吸引槽28a相交叉。交叉的方法不受特别限定，如图5的（A）和图5的（B）所示，能够获得交叉设计成十字、T字、L字的结构。

此外，在图5的（A）和图5的（B）中，吸引槽28a全部为直线状且交叉部分为正交，但并不限定于此，也可以是曲线状，还可以呈规定角度地交叉。

吸引槽28a的深度不受特别限定，为0.5mm～1mm左右。

如图5的（B）所示，在吸引槽28a的交叉部分设有吸引口32。如图5的（C）所示，吸引口32贯穿吸引台30a，且分别与安装在吸引台30a的背面的接头34相连通，并自接头34经由真空配管36连接于真空泵38。

此外，从吸引口32至真空泵38为止的连接不限定于此，例如也可以在吸引台30a的内部设置空洞，将吸引台30a作为端板，将接头34设在一处并将其与吸引台30a连接起来，或者在真空配管36中设置电磁阀等。

而且，在图5的（B）中，吸引口32设置在吸引槽28a交叉成十字、T字的部分，但并不限定于此，也可以设置在交叉成L字的部分或者直线部分。

设置在吸引台30a的表面的吸引槽28a的宽度小于载置在吸引台30a的表面的支承基板10的厚度。其中，从能够进一步抑制树脂层14的表面凹凸这一点考虑，吸引槽28a的宽度优选为支承基板10的厚度的60%以下的大小，更优选为40%以下的大小，进一步优选为20%以下的大小。下限不受特别限制，但从能够抑制针对支承基板10的吸引力降低这一点考虑，优选为10%以上的大小。

图6的（A）～图6的（C）表示的是吸引台的第2实施方式，图6的（A）和图6的（B）所示的吸引台30b形成有在其表面开口的吸引孔28b。吸引孔28b配置有16个，但其个数不限定于图6的（A）～图6的（C）的方式。而且，吸引孔28b以等间隔的方式配置，但不限定于此，也可以随机配置。

如图6的（C）所示，吸引孔28b贯穿吸引台30b，并分别与安装在吸引台30b的背面的接头34相连通，并自接头34经由真空配管36连接于真空泵38。

吸引孔28b的直径小于载置在吸引台30b的表面的支承基板10的厚度。其中，从进一步抑制树脂层14的表面凹凸这一点考虑，吸引孔28b的直径优选为支承基板10的厚度的60%以下的大小，更优选为40%以下的大小，进一步优选为20%以下的大小。下限不受特别限制，但从能够抑制针对支承基板10的吸引力降低这一点考虑，优选为10%以上的大小。

此外，在吸引孔28b的开口部分为椭圆形的情况下，只要其长径D小于支承基板10的厚度T即可。

此外，也可以在吸引台设置用于使支承基板进行升降动作的基板升降机构。具体地讲，如图7的（A）所示，也可以在吸引孔28b的内部设置能够在Z轴方向上进行升降动作的升降销40。

如图7的（B）所示，通过在将支承基板10载置在吸引台30b的表面的状态下使升降销40上升，能够使升降销40的顶端部分抵接于支承基板10，能够利用多个升降销40的顶端部分将支承基板10保持在规定的高度位置。由此，能够尽量抑制升降销40与支承基板10相接触的部分地保持支承基板10，从而能够在不损伤支承基板10的前提下顺畅地更换支承基板10。

此外，在图7的（A）和图7的（B）中，在吸引孔28b内部设置了升降销40，但是，也可以在图5的（B）的吸引口32的内部设置升降销。而且，也可以将用于设置升降销40的另外的销孔设于吸引台。

工序的步骤

就将支承基板10吸引固定在吸引台30a（或者吸引台30b）上的步骤而言，首先，将支承基板10载置在吸引台30a（或者吸引台30b）上，并利用真空泵38抽真空，从而自吸引槽28a（或者吸引孔28b）排气，而使吸引槽28a（或者吸引孔28b）内部的气压下降而产生吸引力，从而将支承基板10吸引固定在吸引台30a（或者吸引台30b）的表面。

此外，当通过停止抽真空、或者电磁阀的切换等而使吸引槽28a（或者吸引孔28b）成为与大气相通的状态时，能够容易地将支承基板10从吸引台30a（或者吸引台30b）剥离。

喷出工序

喷出工序S116是这样的工序：在上述吸引固定工序S114之后，自用于喷出上述固化性树脂组合物的喷出管嘴朝向被吸引固定的支承基板喷出固化性树脂组合物的同时，使吸引固定有支承基板的吸引台和喷出管嘴中的至少一者相对移动，从而在支承基板上形成未固化的固化性树脂组合物层。

图8表示自喷出管嘴42将固化性树脂组合物层12涂布在被吸引固定在吸引台30a上的支承基板10上的方法。以下，根据图8进行说明。

在喷出管嘴42的顶端设有以能够喷出固化性树脂组合物的方式形成的狭缝状的喷出口（未图示）。狭缝宽度的大小不受特别限制，为20μm～200μm左右。此外，喷出口的形状也可以是狭缝状以外的形状。

喷出管嘴42经由配管44和开闭阀46与用于储存固化性树脂组合物的储存槽48连接起来。

喷出管嘴42以一边自其喷出口喷出固化性树脂组合物，一边利用未图示的扫描机构自支承基板10的一端侧朝向箭头的方向扫描至另一端侧的方式相对于支承基板10移动。通过该操作在支承基板10上形成固化性树脂组合物层12。

喷出管嘴42的移动速度不受特别限制，能够以20mm/s～80mm/s的速度进行移动。

此外，在图8中，对喷出管嘴42移动的方式进行了描述，但也可以将喷出管嘴42的位置固定，而使吸引固定有支承基板10的吸引台30a相对于喷出管嘴42移动。而且，也可以使喷出管嘴42和吸引台30a这两者移动。

第3实施方式

在本发明的电子元件（或者玻璃层叠体）的制造方法的第3的实施方式中，在上述第1去除工序S104和/或第2去除工序S106中，将表面具有未固化的固化性树脂组合物层的支承基板配置在载置于多个支承销的顶部的装定器（保持板）上，进行反应抑制剂的去除和/或溶剂的去除。如后所述，在本实施方式中，能够进一步抑制树脂层14的表面凹凸。

在本实施方式中，除了上述步骤以外，其他步骤与图1所示的工序的步骤相同，省略对相同工序的说明，以下，主要对使用了装定器的方式进行说明。

以往公知将表面配置有涂布膜的玻璃基板载置在多个支承销的顶部并对其进行加热干燥的方法。但是，在该涂布膜的固化处理（例如加热干燥）过程中，若在涂布膜的固化处理过程中始终由支承销支承着玻璃基板的规定位置，则会因玻璃基板与支承销的抵接处与周边的温度差而发生涂布膜的干燥不均。具体地讲，如图9的（A）所示，当将配置有固化性树脂组合物层12的支承基板10载置在配置于支承台50上的多个支承销52的顶部上并实施上述第1去除工序S104和第2去除工序S106时，有时会如图9的（B）所示，在树脂层14的位于支承销52的上部附近的表面产生微小的凹凸。

因此，本发明人发现，不将支承基板直接载置在支承销的顶部，而在支承销与支承基板之间设置装定器，从而能够进一步抑制树脂层的表面的凹凸。具体地讲，如图10的（A）所示，当在配置在支承台50上的多个支承销52的顶部载置装定器54，然后在该装定器54上载置配置有固化性树脂组合物层12的支承基板10，并实施上述第1去除工序S104和第2去除工序S106时，如图10的（B）所示，进一步抑制支承销52所产生的影响，从而进一步抑制所形成的树脂层14的表面凹凸。

以下，详述支承销52和装定器54。

支承销52是这样的销：多个支承销52以彼此分离的方式配设在支承台50上，在其顶端（顶部）上支承装定器54的下表面。

支承销52的数量在图10的（A）和图的10（B）中为3根，但其数量不受特别限定，也可以是10根以上。而且，支承销52的配置位置不受特别限制，既可以空开规定间隔地配置，也可以随机配置。

此外，作为支承销52，也可以使用上述升降销40。即，也可以在经过上述吸引固定工序S114和喷出工序S116之后，停止对吸引台30的抽真空，而使吸引槽28a（或者吸引孔28b）与大气相通，之后，利用升降销40将表面配置有固化性树脂组合物层12的支承基板10顶起，在该状态下实施第1去除工序S114和/或第2去除工序S116。

装定器54是这样的板：第1主表面54a与支承销52的顶部相接触，利用第2主表面54b支承支承基板10。

优选的是，装定器54的第2主表面54b的波纹度曲线的最大截面高度（W_t）为0.3μm以下。装定器54的第2主表面54b的表面波纹度只要在上述范围内，就能够扩大装定器54与支承基板10相接触的面积，结果，减少在第1去除工序S104和/或第2去除工序S106中固化性树脂组合物层12的表面的温度不均，进一步抑制树脂层14的表面凹凸。其中，从进一步抑制树脂层14的表面凹凸这一点考虑，更优选为0.2μm以下，进一步优选为0.1μm以下。此外，下限不受特别限制，但从使装定器54的制造工序更加容易这一点考虑，优选为0.01μm以上。

“表面波纹度”是使用公知的触针式的表面形状测量装置对JISB－0610（1987）所记载的W_CA（滤波中心线波纹度）进行测量而得到的值。此外，在本发明中，滤波波纹度曲线的取样值设为0.8mm，测量长度设为40mm。

此外，作为降低装定器54的表面的表面波纹度的方法，能够使用公知的研磨方法（例如公知的物理研磨或者化学研磨。更具体地讲是CMP等）。

装定器54的材料不受特别限制，例如能够列举出金属、陶瓷、玻璃等。

装定器54的厚度不受特别限制，但从进一步抑制树脂层14的表面凹凸这一点考虑，优选为500μm～5000μm，更优选为1000μm～3000μm。

实施例

以下，利用实施例等具体地对本发明进行说明，但本发明并不被这些实施例限定。

实施例1

准备纵长350mm、横长300mm、板厚0.5mm的玻璃基板（“AN100”，线膨胀系数为38×10^－7/℃的无碱玻璃板：旭硝子株式会社制）作为支承基板，通过纯水清洗、UV清洗使表面净化，从而获得了表面洁净化的支承基板。

接着，将作为成分（A）的直链状乙烯基甲基聚硅氧烷（“VDT－127”，25℃下的粘度为700cP～800cP（厘泊）：アズマックス制，1mol有机聚硅氧烷中的乙烯基的mol%：0.325）与作为成分（B）的直链状甲基氢聚硅氧烷（“HMS－301”，25℃下的粘度为25cP～35cP（厘泊）：アズマックス制，1分子内的与硅原子键合的氢原子的数量：8个）以所有乙烯基和所有与硅原子键合的氢原子的摩尔比（氢原子/乙烯基）为0.9的方式混合，然后相对于该硅氧烷混合物100重量份，混合1质量份作为成分（C）的下述式（1）表示的具有炔系不饱和基团的硅化合物（沸点：120℃）。

HC≡C－C（CH₃）₂－O－Si（CH₃）₃式（1）

接着，以相对于成分（A）、成分（B）与成分（C）的总量，换算为铂时铂金属浓度为100ppm的方式加入铂系催化剂（信越シリコーン株式会社制，CAT－PL－56），获得有机聚硅氧烷组合物的混合液。然后，相对于所获得的混合液100重量份，加入150重量份的IP溶剂2028（沸点：213℃～262℃，出光兴产制），获得混合溶液。

接着，将支承基板载置在图5的（A）～图5的（C）所示的表面设有宽度为0.1mm的吸引槽的吸引台上，并经由吸引槽进行真空吸引从而将支承基板吸引固定在吸引台上。之后，一边自涂布机喷出上述混合溶液（速度40mm/s，GAP100μm，喷出压50kPa），一边使涂布机从支承基板的一端侧移动至另一端侧，从而在支承基板上形成了固化性树脂组合物层。

之后，停止抽真空，将支承基板从吸引台上拿起，并将支承基板载置在由多个支承销的顶部支承的装定器上。

装定器是厚度为1mm的铝基板，用于载置支承基板的表面的波纹度曲线的最大截面高度（W_t）为0.1μm。

之后，在大气环境中以180℃实施10分钟的加热固化处理（第1去除工序），之后，在大气环境中以270℃实施30分钟的加热固化处理（第2去除工序），在支承基板上形成固化有机硅树脂层（纵长350mm×横长300mm×厚度15μm），并获得了带树脂层支承基板A。

另一方面，对纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板（“AN100”，线膨胀系数为38×10^－7/℃的无碱玻璃板：旭硝子株式会社制）进行纯水清洗、UV清洗，从而使玻璃基板的表面洁净化。

之后，使上述支承基板A与玻璃基板的位置对准，之后，使用真空加压装置在室温条件下使玻璃基板的第1主表面与带树脂层支承基板A的固化硅树脂层的剥离性表面相密合，从而获得了玻璃层叠体。

实施例1－2

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.2mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例1－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例1－3

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.3mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例1－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例2－1

除了将第1去除工序的加热温度从180℃变更为120℃之外，其他按照与实施例1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

此外，在本例中，在第1去除工序中，将作为反应抑制剂的由式（1）所示的具有乙炔系不饱和基的硅化合物（沸点：120℃）去除，而使IP溶剂残留，在第2去除工序中，将IP溶剂去除。

实施例2－2

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.2mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例2－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例2－3

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.3mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例2－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例3－1

除了将第1去除工序的条件从在大气环境中以180℃进行10分钟的加热固化处理变更为在室温条件下进行真空干燥处理之外，其他按照与实施例1－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

此外，在本例中，在第1去除工序中，将作为反应抑制剂的由式（1）所示的具有乙炔系不饱和基的硅化合物（沸点：120℃）去除，而使IP溶剂残留，在第2去除工序中，将IP溶剂去除。

实施例3－2

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.2mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例3－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例3－3

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.3mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例3－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例4－1

除了不使用装定器而将支承基板直接载置在支承销的顶部来代替将支承基板载置在装定器上之外，其他按照与实施例1－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例4－2

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.2mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例4－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例4－3

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.3mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例4－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例5－1

除了将吸引槽的宽度从0.1mm变更为0.6mm之外，其他按照与实施例1－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例5－2

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.2mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例5－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例5－3

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.3mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例5－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例6－1

除了不使用装定器而将支承基板直接载置在支承销的顶部来代替将支承基板载置在装定器上、并将吸引槽的宽度从0.1mm变更为0.6mm之外，其他按照与实施例1－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例6－2

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.2mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例6－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

实施例6－3

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.3mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与实施例6－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

比较例1－1

除了使用了庚烷（沸点：98℃）来代替IP溶剂2028之外，其他按照与实施例6－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

此外，在本例中，在第1去除工序中，将作为溶剂的己烷和作为反应抑制剂的由式（1）所示的具有乙炔系不饱和基的硅化合物（沸点：120℃）去除。

比较例1－2

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.2mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与比较例1－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

比较例1－3

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.3mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与比较例1－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

比较例2－1

除了使用了庚烷（沸点：98℃）来代替IP溶剂2028、并将第1去除工序的加热温度从180℃变更为120℃之外，其他按照与实施例6－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

此外，在本例中，在第1去除工序中，将作为溶剂的己烷和作为反应抑制剂的由式（1）所示的具有乙炔系不饱和基的硅化合物（沸点：120℃）去除。

比较例2－2

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.2mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与比较例2－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

比较例2－3

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.3mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与比较例2－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

比较例3－1

除了使用了庚烷（沸点：98℃）来代替IP溶剂2028、并将第1去除工序的条件从在大气环境中以180℃进行10分钟的加热固化处理变更为在室温条件下进行真空干燥处理之外，其他按照与实施例6－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

此外，在本例中，在第1去除工序中，将作为溶剂的己烷和作为反应抑制剂的由式（1）所示的具有乙炔系不饱和基的硅化合物（沸点：120℃）去除。

比较例3－2

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.2mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与比较例3－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

比较例3－3

除了使用了纵长350mm、横长300mm、板厚0.3mm的玻璃基板来代替纵长350mm、横长300mm、板厚0.1mm的玻璃基板之外，其他按照与比较例3－1同样的步骤制造了玻璃层叠体。

评价1

由目视确认在上述实施例和比较例中获得的层叠体的、在固化硅树脂层与玻璃基板之间产生的气泡，并按照以下的基准进行了评价。将结果总结到表1中进行表示。

此外，在实际应用时，期望的是不为“×”。

“○”：目视时未观察到气泡

“△”：看到少量的极其微小的气泡（直径2mm以下的气泡），但在实际应用时没有问题

“×”：确认到气泡（直径大于2mm的气泡），当进行加热时，可能导致气泡扩大，在实际应用时存在问题

评价2

利用表面粗糙度·轮廓形状测定器（日文：サーフコム）（东京精密社制：1400D－12）测量在上述实施例和比较例中获得的带树脂层支承基板的树脂层表面，并测量了JISB－0610（1987）所记载的波纹度曲线的最大截面高度（W_t）。

此外，在表1中的“去除工序”栏中，将如下情况表示为“○”：在第1去除工序中将反应抑制剂去除、但未去除溶剂、在第2去除工序中将溶剂去除；将如下情况表示为“×”：在第1去除工序中将溶剂去除。

“吸引槽宽度”栏表示吸引槽的宽度的大小。

在“是否使用装定器”栏中，将使用了装定器的情况表示为“○”，将未使用装定器的情况表示为“×”。

“评价1”栏表示上述评价1的结果。

表1

如上述表1所示，在本发明的玻璃层叠体的制造方法中，能够获得抑制了在树脂层与玻璃基板之间产生气泡（空隙）、具有平坦性优异的树脂层的玻璃层叠体。

此外，通过对实施例6－1～实施例6－3的比较可知，在使用了厚度更薄的玻璃基板（厚度为0.1mm的玻璃基板）的情况下，基板的刚性降低，对树脂层表面的追随性上升，结果，推测进一步抑制了气泡的产生。此外，在实施例6－2和实施例6－3中，评价1均为“△”，但是，实施例6－2所含的气泡的大小大多小于1mm，实施例6－3所含的气泡的大小大多大于或等于0.1mm且小于0.2mm。

其中，通过对实施例1－3与实施例4－3的比较可知，在使用了装定器板的情况下，确认了能够进一步抑制气泡的产生。

而且，通过对实施例1－3与实施例5－3的比较可知，在吸引槽的宽度的大小大于支承基板的厚度的情况下，确认了能够进一步抑制气泡的产生。

另一方面，如比较例1－1～比较例3－3所示，在不使用高沸点溶剂地将反应抑制剂和溶剂同时去除的情况下，无法抑制气泡的产生。

实施例7

在本例中，使用在实施例1－1中制造的玻璃层叠体制成了OLED。

更具体地讲，通过溅射法在玻璃层叠体中的实施了研磨处理的玻璃基板的第2主表面上形成钼膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了栅电极。接着，通过等离子CVD法在设有栅电极的玻璃基板的第2主表面侧按照氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的顺序进一步成膜，接着，通过溅射法形成钼膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了栅绝缘膜、半导体元件部以及源电极/漏电极。接着，通过等离子CVD法在玻璃基板的第2主表面侧进一步形成氮化硅膜而形成钝化层，之后，通过溅射法形成氧化铟锡膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了像素电极。

接着，在玻璃基板的第2主面侧，进一步通过蒸镀法，以如下顺序成膜：将4,4’,4’’-三（3-甲基苯基苯基氨基）三苯基胺成膜为空穴注入层、将双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺成膜为空穴输送层、将在8-羟基喹啉铝络合物（Alq₃）中混合有40体积%2,6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基）-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二腈（BSN-BCN）的物质成膜为发光层、将Alq₃成膜为电子传输层。接着，通过溅射法在玻璃基板的第2主表面侧形成铝膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了对向电极。接着，在形成有对向电极的玻璃基板的第2主表面上夹着紫外线固化型的粘合层再粘贴一块玻璃基板进行密封。由上述步骤获得的、在玻璃基板上具有有机EL构造体的玻璃层叠体与带电子元件用构件层叠体相当。

接着，使获得的玻璃层叠体的密封体侧真空吸附于平台，之后，将厚度为0.1mm的不锈钢制刃具插入玻璃层叠体的角部位置的玻璃基板与有机硅树脂层之间的界面，而使带树脂层支承基板自玻璃层叠体分离，从而获得了OLED面板（与电子元件相当。以下称作面板A）。将IC驱动器连接于制成的面板A，并在常温常压下使IC驱动器驱动，结果，在驱动区域内未发现显示不均。而且，在高温高湿环境（80℃，80%RH）下使IC驱动器驱动时，也未发现显示不均。

实施例8

在本例中，使用在实施例1－1中制造的玻璃层叠体制成了LCD。

准备两块玻璃层叠体，首先，通过溅射法在其中一个玻璃层叠体中的实施了研磨处理的玻璃基板的第2主表面上形成钼膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了栅电极。接着，通过等离子CVD法在设有栅电极的玻璃基板的第2主表面侧按照氮化硅、本征非晶硅、n型非晶硅的顺序进一步成膜，接着，通过溅射法形成钼膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了栅绝缘膜、半导体元件部以及源电极/漏电极。接着，通过等离子CVD法在玻璃基板的第2主表面侧进一步形成氮化硅膜而形成钝化层，之后，通过溅射法形成氧化铟锡膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了像素电极。接着，通过辊涂法在形成有像素电极的玻璃基板的第2主表面上涂布聚酰亚胺树脂液，并通过热固化形成取向层，然后进行研磨。将获得的玻璃层叠体称作玻璃层叠体A1。

接着，通过溅射法在其中另一个玻璃层叠体中的、实施了研磨处理的玻璃基板的第2主表面上形成铬膜，并通过采用了光刻法的蚀刻形成了遮光层。接着，通过挤压式涂布法在设有遮光层的玻璃基板的第2主表面侧进一步涂布彩色光阻，并通过光刻法和热固化形成了滤色层。接着，通过溅射法在玻璃基板的第2主表面侧进一步形成氧化铟锡膜，从而形成了对向电极。接着，通过挤压式涂布法在设有对向电极的玻璃基板的第2主表面上涂布紫外线固化树脂液，并通过光刻法和热固化形成了柱状间隔物。接着，通过辊涂法在形成有柱状间隔物的玻璃基板的第2主表面上涂布聚酰亚胺树脂液，并通过热固化形成取向层，然后进行研磨。接着，通过滴柱液晶法（日文：ディスペンサ法）在玻璃基板的第2主表面侧将密封用树脂液绘制成框状，并通过滴柱液晶法将液晶滴在框内，之后，使用上述玻璃层叠体A1，将两块玻璃层叠体的玻璃基板的第2主表面侧彼此粘贴起来，并通过紫外线固化和热固化而获得了具有LCD面板的层叠体。以下，将这里具有LCD面板的层叠体称作带面板层叠体B2。

接着，与实施例1同样地，将两面的带树脂层支承基板从带面板层叠体B2中剥离，从而获得了由形成有TFT阵列的基板和形成有滤色层的基板构成的LCD面板B（与电子元件相当）。

将IC驱动器连接于制成的LCD面板B，并在常温常压下使IC驱动器驱动，结果，在驱动区域内未发现显示不均。而且，在高温高湿环境（80℃，80%RH）下使IC驱动器驱动时，也未发现显示不均。

本申请基于2012年10月18日申请的日本专利申请2012－231069，将其内容作为参照而引入到本说明书中。

附图标记说明

10、支承基板；12、12a、12b、固化性树脂组合物层；14、树脂层；16、带树脂层支承基板；18、玻璃基板；20、玻璃层叠体；22、电子元件用构件；24、带电子元件用构件层叠体；26、电子元件；28a、吸引槽；28b、吸引孔；30a、30b、吸引台；32、吸引口；34、接头；36、真空配管；38、真空泵；40、升降销；42、喷出管嘴；44、配管；46、开闭阀；48、储存槽；50、支承台；52、支承销；54、装定器。

Claims (6)

1.一种玻璃层叠体的制造方法，其中，

该玻璃层叠体的制造方法包括：

组合物层形成工序，将固化性树脂组合物涂布在支承基板上，从而在上述支承基板上形成未固化的固化性树脂组合物层，其中，该固化性树脂组合物含有：具有烯基的有机聚硅氧烷、具有与硅原子键合的氢原子的有机聚硅氧烷、铂族金属系催化剂、反应抑制剂以及沸点高于上述反应抑制剂的沸点的溶剂；

第1去除工序，将上述反应抑制剂从上述固化性树脂组合物层中去除；

第2去除工序，在上述第1去除工序之后，将上述溶剂从上述固化性树脂组合物层中去除，而获得带树脂层支承基板；以及

层叠工序，在上述树脂层的表面上以可剥离的方式层叠玻璃基板，而获得具有玻璃基板的玻璃层叠体。

2.根据权利要求1所述的玻璃层叠体的制造方法，其中，

上述组合物层形成工序包括：

吸引固定工序，将上述支承基板配置于在表面设有宽度小于上述支承基板的厚度的吸引槽和/或直径小于上述支承基板的厚度的吸引孔的吸引台上，经由上述吸引槽和/或上述吸引孔来吸引上述支承基板，从而将上述支承基板吸引固定在上述吸引台上；以及

喷出工序，自用于喷出上述固化性树脂组合物的喷出管嘴朝向上述支承基板喷出上述固化性树脂组合物的同时,使吸引固定有上述支承基板的吸引台和喷出管嘴中的至少一者相对移动，从而在上述支承基板上形成上述未固化的固化性树脂组合物层。

3.根据权利要求1或2所述的玻璃层叠体的制造方法，其中，

在上述第1去除工序和/或上述第2去除工序中，将表面具有上述未固化的固化性树脂组合物层的上述支承基板配置在载置于多个支承销的顶部的装定器上，进行上述反应抑制剂的去除和/或上述溶剂的去除。

4.根据权利要求1或2所述的玻璃层叠体的制造方法，其中，

上述树脂层的表面的波纹度曲线的最大截面高度W_t为0.30μm以下。

5.根据权利要求1或2所述的玻璃层叠体的制造方法，其中，

上述第1去除工序是以大于或等于上述反应抑制剂的沸点且小于上述溶剂的沸点的温度对上述固化性树脂组合物层进行加热的第1加热工序，

上述第2去除工序是在上述第1去除工序之后、以大于或等于上述溶剂的沸点的温度对上述固化性树脂组合物层进行加热，而获得带树脂层支承基板的第2加热工序。

6.一种电子元件的制造方法，其中，

该电子元件的制造方法包括：

构件形成工序，在利用权利要求1～5中任一项所述的玻璃层叠体的制造方法制造的玻璃层叠体的上述玻璃基板的表面上形成电子元件用构件，获得带电子元件用构件层叠体；以及

分离工序，将上述带树脂层支承基板从上述带电子元件用构件层叠体中去除，获得具有上述玻璃基板和上述电子元件用构件的电子元件。